CN117887594A - 一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4及其应用 - Google Patents

一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明属于微生物技术领域,具体为一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp.DH4及其应用,Aspergillus sp.DH4,保藏单位为中国典型培养物保藏中心,保藏地址为武汉市武昌区八一路299号武汉大学,保藏编号为CCTCC M 20232690,保藏日期为2023年12月27日。

Description

一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4及其应用
技术领域
本发明涉及微生物技术领域,具体涉及一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4及其应用。
背景技术
生物脱氮是指在微生物通过生物化学作用,将水中的含氮物质转化为氧化二氮或氮气的过程。迄今为止,生物脱氮方法广泛的应用在污水处理厂、污染水道、水源水库、人工湿地等氮污染水体治理,生物脱氮的经济性、高效性以及环境无害性使得其成为了当下氮污染水体治理的主要模式。
目前,关于好氧反硝化的机理研究的研究,主要是协同呼吸理论及反硝化酶系理论,协同呼吸理论指硝酸盐的氧化还原电位与氧气(O2)接近,因此,好氧反硝化菌可以协同硝酸盐呼吸(即好氧反硝化)与有氧呼吸,与传统厌氧反硝化相比,好氧反硝化可以在相同的溶解氧环境下同时进行硝化和反硝化进程。好氧反硝化菌同时也是同步硝化反硝化(SND)及短程硝化反硝化进程的关键微生物。
与传统厌氧反硝化相比,好氧反硝化可以在相同的溶解氧环境下同时进行硝化和反硝化进程。当下随着社会的发展和人类环保意识的增强,废水中的C/N降低使得传统的异养反硝化缺乏碳源。因此,混合营养反硝化是一种新的替代方案。混合营养型反硝化是指在反应体系内同时存在还原态无机电子供体和有机物质,且可以同时作为微生物反硝化的电子供体,而现有技术中对混合营养性反硝化的报道较少。
发明内容
去除水体中的氮对于控制水体富营养化有着至关重要的作用。而在水体脱氮技术中,生物脱氮是一种效率高、成本低的脱氮技术。
为了解决现有技术的不足,针对以上问题,本发明的目的是提供真菌Aspergillus sp. DH4在铁无机电子供体的强化下反硝化性能。
一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4,保藏单位为中国典型培养物保藏中心,保藏地址为武汉市武昌区八一路299号武汉大学,保藏编号为CCTCC M 20232690,保藏日期为2023年12月27日。
所述的无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4在含氮水体修复的应用。
优选的,所述含氮水体中碳氮比为1-2.5,含氮水体的温度为25-30℃,含氮水体的活动速度为80-120rpm。
优选的,含氮水体修复时,所述无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4的使用量以含氮水体的质量分数计为1%-5%。
优选的,所述无机电子供体为零价铁。
优选的,所述零价铁为零价铁粉或零价铁棒。
一种处理污染水体中硝酸盐的方法,将所述的无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4接种到含氮水体中,投加铁作为电子供体。
铁作为地壳中第四大元素,影响着生态系统中氮的生物地球化学循环。利用低价铁作为电子供体进行反硝化,铁氧化与氮还原耦合在水源脱氮中具有广阔的应用前景。零价铁的加入可能涉及化学反硝化和生物反硝化。在化学脱氮过程中,零价铁氧化过程释放,这些电子做为硝氮还原的电子供体。在生物反硝化过程中,产生的Fe2+可能进一步参与Fe2+介导的生物自养反硝化。
不添加外源无机电子供体的情况下,菌株DH4在C/N=2的培养基中对硝酸盐的去除率为30%左右。在6-10天观察到了明显的亚硝酸盐从积累到去除现象,可以说明好氧反硝化的发生。
投加铁作为无机电子供体探究不同铁投加量对菌株DH4脱氮性能的影响。为了探究菌株DH4在不同铁投加量下脱氮性能,选择投加5、10、15、20 g/L的铁作为无机电子供体,每间隔2d 检测菌株DH4在不同铁投加量下对C/N=2的培养基中的NO3 --N、NH4 +-N、NO2 --N和TN的去除情况。
随着铁投加量的增加,DH4的硝酸盐去除速率逐渐加快,最大投加量下可以实现6天硝酸盐的完全去除;但同时氨氮的积累量不断增加,说明以铁的化学作用为主导的占比在逐渐增加。
得到铁作为DH4反硝化作用的无机电子供体最佳投加量。根据实验结果分析,选择硝酸盐去除速率较快、氨氮少量积累但最终能通过硝化作用去除的10g/L铁投加量作为最佳投加量
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
本发明得到一株运用铁无机电子供体强化反硝化脱氮功能的真菌Aspergillussp. DH4。Aspergillus sp. DH4保藏单位为中国典型培养物保藏中心,保藏地址为武汉市武昌区八一路299号武汉大学,保藏编号为CCTCC M 20232690,保藏日期为2023年12月27日。DH4菌株在没有铁无机电子供体强化时发生好氧反硝化作用,在C/N=2的培养基中对硝酸盐的去除率为30%左右。投加20g/L铁可在第6天实现硝酸盐的完全去除。10g/L铁投加时硝酸盐去除速率较快且氨氮积累少,作为最佳投加量。在无机电子供体强化好氧反硝化菌株脱氮性能方面可提供参考价值。
附图说明
图1为本发明真菌Aspergillus sp. DH4的系统发育树(a)及菌株形态(b);
图2为本发明真菌Aspergillus sp. DH4早不同转速时的脱氮性能图,其中,(a)rpm=40;(b)rpm=80;(c)rpm=120;(d)rpm=160;
图3为本发明真菌Aspergillus sp. DH4不同碳氮比的脱氮性能图,其中,(a)C/N=1;(b)C/N=1.5;(c)C/N=2.5;
图4为本发明真菌Aspergillus sp. DH4在不同铁投加量下脱氮性能图,其中,(a)硝酸盐氮浓度变化;(b)亚硝酸盐氮浓度变化;(c)氨氮浓度变化;(d)总氮浓度变化;
图5为本发明真菌Aspergillus sp. DH4在不同温度时的脱氮性能图,其中,(a)T=5;(b)T=10;(c)T=15;(d)T=20;
图6为本发明真菌Aspergillussp. DH4在不同C/N的零级(a)、半级(b)和一级(c)动力学模型;在不同rpm下的零级(d)、半级(e)和一级(f)动力学模型;以及在不同温度下的零级(g)、半级(h)和一级(i)动力学模型;
图7为最佳条件下本发明真菌Aspergillussp. DH4的脱氮情况及细胞生长、DOC去除情况;
图8为本发明真菌Aspergillussp. DH4体系内Fe3+和Fe2+释放情况;
图9为本发明真菌Aspergillussp. DH4不同参数下硝酸盐去除动力学模型。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行详细描述,但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。本发明各实施例中所述实验方法,如无特殊说明,均为常规方法。
孟加拉玫瑰红琼脂培养基,其配方为:5g/L 蛋白胨、0.025g/L C20H2Cl4I4Na2O5、10g/L C6H12O6、0.002g/L C6H4Cl2N2O2、1 g/L KH2PO4、0.1g/L C11H12Cl2N2O5、0.5g/L MgSO4,pH为5.6~5.8。真菌固体培养基是在上述配方的基础上额外添加20g/L的琼脂粉。
反硝化液体培养基(DM)采用现有技术中已知的常规的反硝化液体培养基,其配方和制备方法如下:KNO3为0.108 g/L,KH2PO4为1.5 g/L,葡萄糖为0.413 g/L,MgSO4·7H2O为0.1 g/L,Na2HPO4·12H2O为5.0 g/L,微量元素母液为2mL;将上述各组分加入超纯水中定容至1L,搅拌直至完全溶解,然后将pH值调节为7.0~7.2,于121℃高温灭菌30分钟后备用。
上述微量元素母液的配方和制备方法如下:4.4 mg的ZnSO4,100 mg的乙二胺四乙酸,10.2 mg的MnCl2·4H2O,11 mg的CaCl2,10 mg的FeSO4·7H2O,3.2 mg的CuSO4·5H2O,2.2mg的(NH4)6Mo7O24·4H2O,3.2 mg的CoCl2·6H2O;将上述各组分加入超纯水中定容至1L,搅拌直至完全溶解,然后将pH值调节为7.0~7.2,于121℃高温灭菌30分钟后备用。
本发明中所述“铁”为零价铁,可以为零价铁粉或铁棒,铁投加量的单位“g/L”指每升处理水中投加的铁克数。
质量浓度为1%的真菌Aspergillussp. DH4中约有5*105 个细胞。
实施例1
菌株的分离、纯化
从水源水库上覆水样中富集分离出反硝化真菌菌株
在深圳市西丽水库采集新鲜沉积物及上浮水样品,水库位置为113°57′6″E,22°35′37″N,采集深度为0-0.5m。在本实验中,水和沉积物被放置在一个2L的烧杯中。采用持续曝气的方式使溶解氧浓度保持在6.6mg/L。经过一个月的连续的好氧驯化,提取水样的上清液,用10倍的连续稀释法进行稀释,并涂在孟加拉玫瑰红琼脂培养基上。
将涂布好的平板倒置放在生化培养箱中于30℃条件下进行培养,每个混合菌群样品涂布3个平板,直到有可见的菌落形成。以上所用材料在121℃灭菌30min后,在无菌超净工作台上进行操作。待菌落形成后,反复涂平板3-5次,至有明显的单菌落形成。
对菌株进行ITS测序技术获得菌株的基因信息
该菌株被鉴定为Aspergillussp.(曲霉菌属),将该菌株命名为DH4,菌落呈白色、发散状。Aspergillussp. DH4的系统发育树是基于邻区连接法建立的。Aspergills quadrllneatusKU、Aspergills quadrllneatusNRRL与Aspergillussp. DH4的基因序列相似性超过99%,因此DH4属于曲霉属,该菌株的ITS基因的长度为533bp,具体序列为:CTGCGGAAGGATCATTACCGAGTGCGGGCTGCCTCCGGGCGCCCAACCTCCCACCCGTGACTACCTAACACTGTTGCTTCGGCGGGGAGCCCCCTAGGGGCGAGCCGCCGGGGACCACTGAACTTCATGCCTGAGAGTGATGCAGTCTGAGCCTGAATACAAATCAGTCAAAACTTTCAACAATGGATCTCTTGGTTCCGGCATCGATGAAGAACGCAGCGAACTGCGATAAGTAATGTGAATTGCAGAATTCAGTGAATCATCGAGTCTTTGAACGCACATTGCGCCCCCTGGCATTCCGGGGGGCATGCCTGTCCGAGCGTCATTGCTGCCCTCAAGCCCGGCTTGTGTGTTGGGTCGTCGTCCCCCCCGGGGGACGGGCCCGAAAGGCAGCGGCGGCACCGTGTCCGGTCCTCGAGCGTATGGGGCTTTGTCACCCGCTCGATTAGGGCCGGCCGGGCGCCAGCCGGCGTCTCCAACCTTATTTTTCTCAGGTTGACCTCGGATCAGGTAGGGATACCCGCTGAACTTAA,记为SEQ ID NO.1。
实施例2
无机电子供体投加条件下真菌Aspergillus sp. DH4在不同rpm下的脱氮性能
将真菌Aspergillus sp. DH4接种至已灭菌的N=5mg/L,C/N=2的DM培养基中,投加10g/L铁作为无机电子供体,设置不同rpm=40、80、120、160作为对比实验,在生化振荡培养箱中30℃培养。每隔2天取样品经预燃0.45 μm GF/F玻璃纤维过滤器过滤后,测定不同C/N下各体系NO3 --N、NH4 +-N、NO2 --N和TN的浓度。
其中,震荡速度反映了DO(溶解氧)的浓度,而DO浓度的变化对好氧反硝化菌至关重要。
图2显示当震荡速度为40rpm时,菌株DH4对硝酸盐的去除率下降到82.20%,这是由于好氧反硝化菌株可获得的DO不足,不利于反硝化引起的;同时,DO不足可能会导致铁的氧化速率降低,电子供体供应量下降,同时会导致反硝化速率降低。此外,培养后期有一定的氨氮积累,最高达到0.53mg/L,可能是由于菌株细胞死亡自溶引起的。
图2显示随着震荡速度的不断提高,菌株DH4的脱氮速率不断上升,从第16天缩短到第11天达到硝酸盐去除率100%,这可能是由于DO浓度的增加可以加快氧和硝酸盐的传质速率,此外铁的氧化速率也会有一定程度的加快,从而提高氮代谢酶的活性;而在考察铁投加量时,当铁投加量为10g/L,C/N=2,转速为120rpm,温度为30℃时,TN的去除率为100%,同时当转速为160rpm和120rpm时,最终都没有氨氮的积累。整个实验过程中,转速为40rpm和80rpm时候观察到体系中有一定的亚硝酸盐积累,可能是由于DO供应不足导致亚硝酸盐还原酶活性降低。
本发明选择菌株DH4的最佳转速条件为120rpm,进一步研究DH4脱氮效果影响因素。
实施例3
无机电子供体投加条件下真菌Aspergillus sp. DH4(以下简称DH4)在不同C/N下的脱氮性能
将质量浓度为1%的真菌Aspergillus sp. DH4接种至已灭菌的N=5mg/L的DM培养基中,投加10g/L铁作为无机电子供体,在生化振荡培养箱30℃,130 rpm中培养48h至对数生长期,设置不同C/N为1、1.5、2.5作为对比实验。每隔2天取样品经预燃0.45 μm GF/F玻璃纤维过滤器过滤后,测定不同C/N下各体系硝氮(NO3 --N)、亚硝氮(NO2 --N)、氨氮(NH4 +-N)和总氮(TN)的浓度。
图3显示DH4分别在C/N=1、1.5、2.5时的脱氮性能,考察了不同C/N对DH4氮素还原的影响。当C/N从2.5下降到1.5和1时,菌株DH4对TN的去除率从100%下降到90%和94%。每个体系的硝酸盐氮能够完全去除,但培养后期会出现氨氮重新积累的现象,原因可能是细胞进入衰亡期后死亡导致氨氮释放,说明低C/N情况下菌株DH4可获得的有机碳较低可能会限制其脱氮性能及细胞活性。
菌株DH4在低C/N条件的无机电子供体投加条件下,尽管速率不同,但最终都能实现TN的完全去除。随着C/N增加到2.5,菌株DH4对TN的去除速率达到第11天完全去除,同时后期没有再出现氨氮的积累,说明提高C/N可以促进其TN去除效率。
考虑到实际工程应用情况,水源水库常为贫营养条件,本发明选择能够实现完全去除氮的C/N=2的较低营养情况进一步研究DH4脱氮效果影响因素。
实施例4
无机电子供体对下真菌Aspergillus sp. DH4(以下简称DH4)脱氮性能的影响
将质量浓度为1%的真菌Aspergillus sp. DH4接种至已灭菌的N=5mg/L的DM培养基中,在,C/N=2,转速为120rpm,温度为30℃的条件下设置不同的铁投加量,测定不同C/N下各体系硝氮(NO3 --N)、亚硝氮(NO2 --N)、氨氮(NH4 +-N)和总氮(TN)的浓度。
图4显示,不添加铁电子供体的情况下,DH4在培养基中对硝酸盐的去除率为30%左右,在6-10天观察到了明显的亚硝酸盐从积累到去除现象,可以说明好氧反硝化的发生。随着铁投加量的增加DH4的硝酸盐去除速率逐渐加快,最大投加量下可以实现6天的高效去除;综合上述情况,选择硝酸盐去除速率较快,氨氮少量积累但最终能通过硝化作用去除的10g/L投加量作为最佳投加量。
实施例5
无机电子供体投加条件下真菌Aspergillussp. DH4在不同温度下的脱氮性能
将真菌Aspergillussp. DH4接种至已灭菌的N=5mg/L,C/N=2的DM培养基中,投加10g/L铁作为无机电子供体,设置不同温度为5、10、15、20℃作为对比实验,在生化振荡培养箱中120rpm下培养。每隔2天取样品经预燃0.45 μm GF/F玻璃纤维过滤器过滤后,测定不同C/N下各体系NO3 --N、NH4 +-N、NO2 --N和TN的浓度。
图5显示随着温度的逐步下降,菌株DH4对TN的去除率从87.3%下降到43.48%、29.96%和9.68%,而在考察铁投加量时,当铁投加量为10g/L,C/N=2,转速为120rpm,温度为30℃时,TN的去除率为100%,去除率相比30℃明显下降,说明DH4对温度变化较为敏感;且低温条件下培养后期会出现氨氮重新积累的现象,原因可能是细胞进入衰亡期后死亡导致氨氮释放,也说明了低温情况下菌株度的细胞活性较低。
本发明考虑到水库混合后的整体水位和氮素去除情况,选择去除效率较高的30℃作为最佳温度条件,进一步研究DH4脱氮效果。
实施例6
菌株DH4在不同影响条件下硝酸盐去除动力学模型
本发明根据水库实际春夏秋冬的季节变化和水库热分层现象设置了三个不同参数的变化,包括C/N、rpm(DO)和温度,为了具体分析不同条件下对菌株DH4脱氮性能的影响,将连续测量的数据拟合到不同模型中,图6显示菌株DH4在不同C/N、rpm(DO)和温度下的零级、半级和一级动力学模型。
图9显示了菌株DH4在不同C/N、rpm温度参数下硝酸盐去除动力学模型数据。
其中,本发明零级、半级和一级动力学模型分别由公式(1)、(2)和(3)表示。
C = C0-K0V.RT (1)
C = (C0 1/2-K1/2V,RT)2(2)
C = C0*exp(-K1V,RT)(3)
公式(1)、(2)和(3)其中C为反应时间(T, h)对应的硝酸盐浓度(mg/L)。K0V, R(mg/L),K1/2V, R (mg1/2(L1/2h)-1)和K1V, R (h-1)是零级,半级和一级动力学模型的反应速率常数。
其中,式(1)表示零阶动力学模型,常用于表示反应速率不受污染物浓度的限制。
其中,式(2)表示的半阶动力学模型,常用于表示环境因素是污染物去除的限制步骤。
其中,式(3)表示的一阶动力学模型,常用于表示环境因素是污染物去除的限制步骤,硝酸盐浓度将成为反应速率的限制因素。
图6和图9显示,随着C/N的不断增大,半阶模型(C/N=1.0时R2=0.8833,C/N=2.0时R2=0.9794)和一阶模型(C/N=0.5时R2=0.8099,C/N=2.0时R2=0.9459)的R2逐渐增大,而对应的最大系数出现在C/N=2.5,分别为0.1354 mg1/2(L1/2h)-1和0.1615 h-1。随着C/N的升高,反硝化速率不断加快。
图6和图9显示,菌株DH4在rpm的变化情况下更加符合半阶动力学模型,并且随着rpm的不断增大,半阶模型(rpm=40时R2=0.9233,rpm=120时R2=0.9794)的R2逐渐增大,rpm比为120时对应的最大系数为0.1299 mg1/2(L1/2h)-1。说明随着rpm的升高,反硝化速率不断加快。而在半阶动力学模型中,当rpm增加到160,R2又从0.9794下降到0.9410,反硝化速率出现了一定程度的下降,说明过高的溶解氧反而会阻碍传质速率进而降低反硝化速率。
图6和图9显示,菌株DH4在温度的变化情况下更加符合半阶动力学模型,并且随着温度的不断升高,半阶模型(T=5时R2=0.5508,T=20时R2=0.9737)的R2逐渐增大,T为20时对应的最大系数为0.0788 mg1/2(L1/2h)-1。说明随着T的升高,反硝化速率不断加快。
其中,C/N、rpm和温度的变化情况下脱氮速率都更加符合半阶速率方程,说明反应速率受到外界环境条件的影响。外界环境的变化也可能影响铁离子的释放进而影响反硝化速率。因此在自然条件下这几种环境条件的变化并不是单一影响,而是共同影响菌株DH4的硝酸盐去除。
实施例7
最佳条件下DH4的脱氮情况及细胞生长、DOC(有机碳)去除情况
将真菌Aspergillus sp. DH4接种至已灭菌的N=5mg/L,C/N=2的DM培养基中,投加10g/L铁作为无机电子供体,在生化振荡培养箱30℃,120 rpm中培养。每隔2天取样品经预燃0.45 μm GF/F玻璃纤维过滤器过滤后,测定不同C/N下各体系NO3 --N、NO2 --N、DOC及细胞含量。
图7显示没有电子供体投加情况下,0-1天为适应期,细胞数目均略有下降(从1.54×106下降至9.11×105),同时硝氮去除速率也较慢(从5mg/L下降到4.65mg/L);在细胞生长对数期(5-10d),菌株DH4的硝酸盐浓度从4.37mg/L下降至3.45mg/L,至第12天硝酸盐去除率达到最大值37.80%后波动变化。
图7显示有电子供体投加情况下,0-1天为适应期,细胞数目均略有下降(从1.54×106下降至1.17×106);同时硝氮去除速率也较慢(从5mg/L下降到2.24mg/L);在细胞生长对数期(4-8d),菌株DH4的硝酸盐浓度从4.16mg/L下降至0.00mg/L,至第13天硝酸盐去除率达到100%。同时,随着硝酸盐的不断去除,DOC的含量也逐渐下降,这种现象可能是由于细胞消耗DOC进行自我繁殖,同时为反硝化提供必要的电子供体。
实施例8
菌株DH4体系内Fe3+和Fe2+释放情况
图8显示菌株DH4体系中Fe3+浓度与Fe2+浓度呈现先升高后降低的趋势,Fe3+的浓度变化范围较大,在第2天Fe3+含量最高达到1.63mg/L,之后迅速下降至0.60mg/L左右上下波动,说明铁的氧化速度由快逐渐变慢,表面生成的铁氧化物阻断了后续铁的氧化,但仍在缓慢进行,导致了含量波动。二价铁含量较低,第3天达到峰值0.20mg/L后,之后在0.14-0.054mg/L的范围内波动变化,原因可能是好氧条件导致二价铁转化为三价铁的速率较快,二价铁浓度较低。
需要说明的是,本发明权利要求书中涉及数值范围时,应理解为每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用,为了防止赘述,本发明描述了优选的实施例。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4,保藏单位为中国典型培养物保藏中心,保藏地址为武汉市武昌区八一路299号武汉大学,保藏编号为CCTCCM 20232690,保藏日期为2023年12月27日。
2.一种权利要求1所述的无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4在含氮水体修复的应用。
3.根据权利要求2所述的应用,其特征在于,所述含氮水体中碳氮比为1-2.5,含氮水体的温度为25-30℃,含氮水体的活动速度为80-120rpm。
4.根据权利要求2所述的应用,其特征在于,含氮水体修复时,所述无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4的使用量以含氮水体的质量分数计为1%-5%。
5.根据权利要求2所述的应用,其特征在于,所述无机电子供体为零价铁。
6.根据权利要求5所述的应用,其特征在于,所述零价铁的投加量为10-15 g/L。
7.根据权利要求6所述的应用,其特征在于,所述零价铁为零价铁粉或零价铁棒。
8.一种处理污染水体中硝酸盐的方法,其特征在于,将权利要求1所述的无机电子供体强化好养反硝化曲霉菌Aspergillus sp. DH4接种到含氮水体中,投加铁作为电子供体。
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