CN117882180A - 用于补偿变形的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于补偿(7)基板(1)的基板表面(1a、1p)上的变形(4)的方法及装置，一种用于接合两个基板的方法以及一种产品。

Description

用于补偿变形的方法及装置

【技术领域】

本发明涉及一种根据并列独立权利要求的方法及装置。

【背景技术】

在半导体产业中，使用不同的基板来制造组件，所谓的器件。最频繁使用的基板类型称为晶圆。

这种组件的制造过程涉及多个，有时数百个具有多个制程步骤的制程。例如，所述制程为涂覆、凸印、曝光、清洁、蚀刻、接合、脱接或背面薄化制程。不同制程的目的通常是为在一个基板上产生数百到多达一千个单独的组件。

所有这些制程基本上都容易出错。例如，可在计算机中以高精度界定光刻掩膜。然而，归因于制造工艺，光刻掩膜的制造容易出错。有缺陷的曝光也必然由有缺陷的掩膜产生。也可设想使用无掩膜光刻工艺，其中使用一或多个SLM(英语：spatial lightmodulators空间光调变器)，特别是DMD(英语：digitalmicromirrordevice数字微镜装置)，由此发生必须校正的有缺陷的曝光。

类似问题发生在对基板有强机械效应的工艺中。基板可在基板表面上具有非常精确的结构。然而，若基板的背侧经磨回或即使仅经抛光，此可导致基板，特别是基板表面的非所期望的变形。

因此，基板也可在大面积上变形及扭曲。例如，基板一方面通过研磨及/或抛光制程变薄，另一方面，基板中也积累内应力，内应力导致凸、凹曲率或全局曲率模式，此随位置的变化而变化。因此，这种基板上的组件即使在研磨及/或抛光制程前处于未变形的状态，它们随后再次变形。

也可设想将两个基板接合在一起，且归因于接合过程，外基板表面之一发生变形。若外基板表面之一与未变形的另一基板接合，则在两个基板之间的接合表面仍然是有缺陷的。

在此公开中，在实际状态与额定状态之间的差异被称为变形。此变形可为机械性质的，如其例如由研磨制程引入机械应力时产生，或其可为归因于有缺陷的或至少生产不良的光刻掩膜而产生的光刻曝光层与其额定状态的偏差。因此，在此情况下，存在光刻曝光层的基板本身可是未变形的，但在其上产生的结构变形地产生。

变形通常取决于位置。特别是，其随位置的变化而不断变化。因此，变形也可被称为变形场。因此，变形是局部的，及/或是全局的。然而，为简单起见，在随后的文字中将总是仅提到变形。变形优选被描述为特别是二维向量。向量位于其等原点处的切面内。

变形可存在于及/或补偿于主动基板表面上及/或与主动基板表面相对的被动基板表面上。主动基板表面理解为特别意谓其上存在功能元件(例如，MEMS、LED、晶体管、涂层等)的基板表面，而被动基板表面例如用于固定。在制造工艺中，每个被动基板表面可成为主动基板表面。也可设想基板具有两个主动基板表面。

在工艺开始时，两个基板表面通常都是被动的。特别在薄基板的情况下，可设想对变形的补偿在基板厚度上生效，且因此也在相对的基板侧上生效。因此，从被动基板表面补偿主动基板表面上的变形是可能的。然而，优选地，直接在主动基板表面处补偿变形，特别因为由此优选地，特别有效率的监测是可能的及可设想的。

在现有技术中，存在出现基板的变形的影响的公开。例如，公开案WO2012083978A1展示基板支撑架，其可借助多个变形元件补偿基板的局部及/或全局变形。公开案WO 2021079786A1展示装置，借助该装置可量测及部分补偿变形。

现有技术中的问题特别在于，局部及/或全局变形的补偿是通过基板支撑架进行的。特别是，变形的补偿非永久，即当基板支撑架的主动可控变形元件关闭或基板被移除时，变形重新出现。

基板变形回其原始形状，即其表现出弹性。在现有技术中，在基板上进行进一步制程步骤之前，通过这种基板支撑架来补偿变形。最重要的工艺之一为上述的接合，在该工艺中必须确保至少一个基板表面的局部及/或全局变形在可以继续进行之前已得到补偿。

【发明内容】

因此，消除现有技术的缺点是本发明的任务。

此任务用本发明的主题解决。在从属权利要求中说明本发明的有利的扩展方案。说明书、权利要求及/或附图中所说明特征的至少两者的全部组合也落入本发明的范围内。对于所说明的值范围，位于所提及极限内的值也被揭示为极限值，且可以以任何组合主张。

本发明涉及一种用于补偿基板的至少一个基板表面上的变形的方法，其中至少一个局部作用在所述基板表面的至少一个上产生。

此外，本发明涉及一种用于补偿基板的至少一个基板表面上的变形的装置，其中至少一个局部作用可在所述基板表面的至少一个上产生。

本发明还涉及用根据本发明的方法及/或根据本发明的装置产生的产品。

特别当存在多个变形时，并非所有存在的变形都必须得到补偿。让数个变形继续存在也是可能的，以便达成所期望的变形。然而，优选地，主要补偿功能单元及结构附近的变形，因为此等变形在进一步工艺步骤中是缺点。

特别是，可设想，产生至少一个局部作用的目的为产生变形，以便使基板成为所期望的形状。特别是，不具有任何变形的基板的一个子区域可通过至少一个局部作用变形，以便补偿另一子区域中的变形。

至少一个局部作用补偿至少一个基板表面处的至少一个变形，且特别在另一点处产生变形。新产生的变形将改良至少一个基板表面的新产生的状态。

特别是规定，该装置包括用于产生局部作用的构件，其中，用于产生局部作用的构件优选包括激光器。

基板特别是晶圆。

该基板或这些基板可具有任意形状，但其优选为圆形。基板的直径是特别工业标准化的。业界中晶圆的普遍直径为1英寸、2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸及18英寸。然而，原则上，本发明可不考虑其直径用于任何基板。

变形包含局部及全局变形两者。

局部变形理解为特别意谓局部有限的小面积变形，其对基板的整体表面无影响或仅有小的影响。

全局变形理解为特别意谓基板、特别是晶圆与其扁平形状的大面积偏差。特别薄的基板具有因机械及/或化学影响及/或重力而在大面积上变形或弯曲的特性。在此等情况下，基板具有明显的全局平整度偏差。例如，典型的是仅固定在上部基板支撑架周边处的基板的凸起、下垂形状。一旦基板在整个区域上得到支撑，此等重力效应大多是可逆的。研磨及抛光制程可在大面积上永久地弯曲基板。此等曲率可为凸的或凹的，或可随位置的变化而变化。基板的涂覆及/或蚀刻也可导致全局变形。在涂层的情况下，全局变形通常可追溯至在涂层与基板之间的热膨胀系数的差异。由于涂层通常在更高的温度下进行，且受涂覆基板在涂覆后冷却，因此归因于热应力的积累，基板发生全局变形。

全局变形可通过局部变形的补偿来补偿。特别是，可通过沿至少一个基板表面的格栅对局部变形进行多个补偿来补偿全局变形。格栅中补偿的类型及/或幅度，特别是强度，随位置的变化而变化，使得全局变形得到补偿。

变形的来源也可根据变形是由基板的特性还是由环境产生来区分。例如，涂覆、研磨或抛光制程、在基板中产生的组件、基板上组件的随位置变化的密度等都可导致变形。此等变形被称为内在变形。变形也可仅因固定在基板支撑架上而产生，且甚至可能是可逆的，即通常当基板支撑架被移除时消失。此等变形被称为外在变形。然而，由于基板通常是在基板支撑架上处理的，因此同样非常重视补偿由基板支撑架引起的变形。根据本发明，也可补偿此等变形。例如，外部变形是由特定基板支撑架形貌引起的。没有基板支撑架表面可被完美地研磨及抛光，且总是具有波纹状。

例如，若在接合设施中使用这种基板支撑架，则将基板固定在基板支撑架上，且接着进行根据本发明的用于补偿变形的方法，以便以接合结果最佳的方式调适用于接合制程的基板表面能够是有利的。甚至可设想，在将基板固定在基板支撑架上之前补偿变形，使得当基板固定在基板支撑架上时，所期望的基板表面存在。

本发明适用于补偿所有所述类型的变形。

局部作用包括或产生：

-物理及/或化学反应，及/或

-机械及/或热应力，及/或

-基板的变形及/或翘曲，特别在基板的边缘处，及/或

-至少一个基板表面处的材料移除。

变形特别位于主动基板表面上。主动基板表面特别包括诸如LED、MEMS等结构。

可补偿一或多个变形。其可同时或依次补偿。

至少一个局部作用可在主动基板表面及/或与主动基板表面相对的被动基板表面上产生。可产生同时或依次产生的多个局部作用。

若产生多个局部作用，则其可在主动基板表面及/或被动基板表面上产生。

根据本发明，特别有利的是，可在基板中引入永久的、特别是塑性的变化，优选地有针对性局部引入。根据本发明，因此特别可能局部地及/或全局地使基板变形，使得基板的表面拓扑适配于额定状态。

在一优选实施方式中规定，局部作用由电磁辐射产生，优选由激光产生。电磁辐射或激光具有必要的参数，用所述参数可在变形的紧邻区域触发物理及/或化学反应，使得变形可得到补偿。

在此，电磁辐射或激光不必精确地作用于变形点上。激光必须以补偿变形的方式作用于变形的紧邻区域。

在另一优选实施方式中，使用激光，其脉冲持续时间可调整。若脉冲持续时间不可调整，则使用脉冲持续时间尽可能短的激光，优选在皮秒或飞秒范围内。短脉冲持续时间导致纯局部加热，其可以对于导致变形的补偿所需的上述物理及/或化学反应是必要的。

脉冲持续时间小于10^-5秒，优选小于10^-7秒，还更优选小于10^-9秒，最佳小于10^-12秒，最佳小于10^-15秒。

激光功率大于1瓦特，优选大于10瓦特，还更优选大于100瓦特，最佳大于1000瓦特，最佳大于10000瓦特。

在另一优选实施方式中，使用激光，其激光束形状可特别通过光学元件塑形。因此，在环形与纵向激光束之间交替可是有利的。由于激光束的水平光子密度分布不同于其垂直光子密度分布，因此纵向塑形的激光束将导致各向异性效应。

在另一优选实施方式中，激光用于无掩膜曝光装置，该装置具有至少一个SLM(空间光模块)，特别是至少一个DMD(数字微镜装置)。通过扫描及基板表面的局部分解轰击，可特别好地控制变形的补偿。

在另一优选实施方式中，对基板表面进行监测，其中原位观察该补偿。

激光优选耦合输入计量装置的光学系统中，该计量装置可用于监测基板表面。因此，产生特别有效率的以原位观察变形的补偿的能力。

以下局部作用，特别是反应或物理及/或化学效应是可设想的，其可导致变形的补偿。

例如，可设想激光束的效应可导致局部熔化，且接着固化例如激光作用的局部环境。通过熔化及固化，内应力可在基板中局部累积或减小。

熔化及固化导致体积的永久变化也是可设想的。在保持质量的假定下，必须继续保持具有相同密度的材料，因此也保持体积。然而，在熔化过程中，原子离开熔化接合，且由于激光束的巨大热量而立即升华，且散发至周围环境中。因此，质量变小，且密度恒定时，体积也变小。体积减小导致周围环境可扩展至激光区，特别是当周围环境处于压缩内应力下时。

另一可能在于，密度在固化过程期间变化。密度的变化可归因于溶解组件的移除、再吸收，即组件的溶解，或由气泡或孔的形成而发生。气泡或孔的形成通常是非所期望的，但若激光作用侧在随后的工艺步骤中被研磨或抛光掉，则是可接受的。

电磁辐射或激光束的效应导致固相转变也是可设想的。固相转变优选应为不可逆的。在此情况下，基板具有至少一个亚稳相，通过激光束的热效应转变为稳定相，该稳定相在周围环境冷却后也保持稳定。例如，至少一个基板表面的非晶化是可设想的，其接着在激光束的效应下再结晶。

也可设想，归因于相变而产生拉伸或压缩内应力，其使紧邻区域变形，特别是弹性变形。

另一可能在于，归因于激光束的作用及相关联的加热，产生热应力及/或材料的膨胀，其导致材料的塑性变形。在此情况下，材料优选为金属。例如，可设想，混合基板表面中的金属TSV表面将以定向方式受到轰击，以便在该处产生塑性变形，其导致变形的补偿。

在另一示例性实施方式中，局部作用通过涂覆在基板表面上的涂层产生。

基板表面，特别是被动基板表面，优选被涂覆。内应力及/或热应力内建在涂层中。

特别是，涂层为金属、金属合金、氧化物或陶瓷。内应力可通过用原子规模上的粒子，特别是离子，轰击涂层来建立，不太优选通过纳米或微米规模上的粗粒粒子。

因此建立的内应力主要为压缩内应力。热应力可通过具有已知热膨胀系数的材料的定向沉积来建立。若基板的热膨胀系数不同于涂层的热膨胀系数，则在自涂层温度冷却至环境温度期间，涂层中建立拉伸或压缩内应力。

涂层可优选经结构化。通过结构化，即通过移除材料，涂层中的内应力局部减少或增加。因此，涂层也影响位于下面的基板，且因此影响变形。特别是，可以进行结构化，使得涂层仅部分地在厚度上局部被移除。由于起伏的建立，涂层中的应力状态及因此基板中的应力状态也可改变，且基板中的变形可得到补偿。

在一优选实施方式中，涂层为氧化物，在一特别优选实施方式中，为原生氧化物。许多与周围环境接触的基板总是有利地涂覆数纳米厚的原生氧化物。因此，省略涂层的昂贵制造。

涂层特别可由以下材料或材料类别的至少一种组成：

-氧化物，特别是

--二氧化硅(SiO₂)，优选

---原生二氧化硅(SiO₂)

-陶瓷，特别是

--氮化硅(Si₃N₄)

-半导体，特别是

--锗、硅、阿尔法-锡、硼、硒、碲

-化合物半导体

--砷化镓、氮化镓磷化铟、氮化铟镓、锑化铟、砷化铟、锑化镓、氮化铝、氮化铟、磷化镓、碲化铍、氧化锌、二硒化铜铟镓、硫化锌、硒化锌、碲化锌、硫化镉、硒化镉、碲化镉、碲镉汞、硒化铍、硫化汞、砷化铝镓、硫化镓、硒化镓、碲化镓、硫化铟、硒化铟、碲化铟、二硒化铜铟、硫铟铜、二硫化铜铟镓、碳化硅、硅化锗

-金属，特别是

--铜、银、金、铝、铁、镍、钴、铂、钨、铬、铅、钛、钽、锌、锡

-金属合金

-聚合物，特别是

--溶胶-凝胶聚合物，特别是

---多面体寡聚硅倍半氧烷(POSS)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、四乙基正硅酸盐(TEOS)、聚合有机硅氧烷、全氟聚醚(PFPE)

涂层的应力状态及因此位于下面的基板的应力状态优选通过氧化物的局部、定向移除或结构化来改变。此变化继而导致变形的补偿。若原生氧化物太薄，可产生热氧化物。特别有利的是，在主动基板表面上的主动组件的制造之前，热氧化物已产生。因此，主动组件不遭受高热负荷。在一特别优选工艺中，引入有热氧化物的基板，且通过背面薄化使主动基板表面无热氧化物，使得热氧化物仅存在于被动基板表面上。

在另一优选实施方式中，涂层为聚合物。此处内应力主要由聚合物的固化产生，该固化特别导致聚合物的交联。聚合物的结构化通过光刻及/或压印光刻发生。

根据本发明，可特别产生拉伸或压缩内应力(以下只简称为内应力)。因此产生的内应力导致周围材料的大多弹性变形，且因此能补偿存在的变形。若内应力保持不变，则弹性变形及因此对变形的补偿也保持不变。除通过永久性、特别是塑性变形来补偿变形之外，变形的弹性补偿描述用于补偿变形的另一可能。所述内应力特别通过在至少一个基板表面上沉积的层产生，所述层特别可经结构化。

原则上，本发明特别适用于补偿因已发生的制程步骤所致致的与额定状态的偏差，以便为后续制程步骤准备基板，特别为了能够在后续制程步骤中达成更好的结果。

本发明优选地也可用于事先补偿，特别用于提前防止在未来制程步骤中已知及/或预期的不规则。在一优选实施方式中，提前防止预期变形。在一替代的、特别优选实施方式中，在执行一制程之前，通过根据本发明的方法使基板变形，使得该制程可更均匀地发生，且因此最小化，特别在很大程度上消除不规则变形。

根据另一优选实施方式规定，至少一个局部作用产生基板的变形，特别在基板的边缘处。特别是，基板在边缘处至少局部向上弯曲。这特别可通过在基板边缘处用激光轰击来实现。变形由基板的变形来补偿。

特别是，基板的额定状态可呈现为使得基板的周边略微向上弯曲。根据本发明的作用以此方式进行，使得一方面，基板表面上的变形可得到补偿，且同时，基板的周边略微向上拱起。在随后的接合过程中，可因此优选地减少或甚至防止边缘缺陷(英语：edgevoids边缘空隙)的出现。

在一特别优选实施方式中，基板的拱起经调整，使得边缘相对于接合接触表面以凹的方式拱起，以抵消接合波对晶圆边缘的自然加速度，且接合波以连续速率执行，特别至边缘至高5mm，优选至高3mm，特别优选至高2mm，及/或在晶圆的接触点处有一曲率半径与晶圆接触点距接合起始点50mm后出现的曲率半径的偏差最大为+/-30％或优选为+/-20％。

在一替代实施方式中，两个晶圆的至少一个的边缘相对于接合接触表面以凸的方式拱起，以至于在随后的接合过程中，在边缘区中通常观察到晶圆的较小变形，特别是由在晶圆之间的空间中下降的大气压力引起的变形，通过根据本发明的方法，在沿接合波的晶圆接触点之前立即进行补偿而得以防止。

在另一例示性实施方式中，局部作用通过移除基板材料而产生。

特别是，在至少一个基板表面上移除基板的部分。通过锯切、激光、离子或原子轰击或任何其他适合类型的材料移除来进行移除。由于材料的移除，基板，特别当其有内应力时，在材料移除的周围区域可相应地变形。此实施方式主要适用于在被动基板表面上使用，特别若被动基板表面将在随后工艺步骤中通过背面薄化制程进行背面薄化。

特别在根据本发明以在基板上，特别在至少一个基板表面上产生期望的额定状态的方式补偿变形之后，可进一步处理基板。

若基板具有经光刻处理的基板表面，则本发明可用于改变光刻结构的变形。因此，确保以下工艺步骤是在未变形或矫正的层上进行的。

在一特别优选的实施方式中，进行一方法，其中对基板表面进行量测，且其后在基板表面上对变形进行补偿，且随后重新量测基板表面。

特别是，在第一方法步骤中对至少一个，特别是主动基板表面进行量测。量测优选在干涉仪中发生。基板表面的量测导致变形图。变形图表示实际状态与额定状态的偏差。变形图由软件或硬件储存。

在可选的第二方法步骤中，进行必要补偿的计算，以便将当前状态转换为额定状态，即据此补偿全部变形。若根据本发明的补偿方法可通过紧邻的步骤来进行，则可免去此步骤。例如，若必须沿x轴补偿变形，且已知根据本发明的补偿方法应用于x轴的点提供必要的结果，则可免去精确的计算。

对于更复杂的补偿要求，计算优选借助于模型进行，所述模型描述补偿方法对变形的效应。特别是，该模型为机械模型。替代地，也可优选使用描述实验获得的数据的模型。此两种变体可为或优选为组合的，且机械模型优选特别使用实验获得的数据进行连续校准。特别优选地，模型至少部分使用有限元素法(FEM)仿真。

在第三方法步骤中，进行至少一种根据本发明的补偿方法以补偿变形。在一特别优选方法中，根据本发明的补偿方法的使用与基板表面的量测并行发生。通过控制回路，可监测及相应调节变形的每个所执行的补偿。通过对补偿的原位监测，全部变形的特别快速、准确及成本有利的补偿是可能的。

在第四方法步骤中，再次量测至少一个，特别是主动基板表面。对基板表面的量测再次导致变形图。变形图表示实际状态与额定状态的差异。变形图由软件或硬件储存。若变形图还总是展示过多及/或过度严重的变形，可再次接近基板表面的各个位置，且相应重复第三方法步骤。若量测的变形图具有最小变形，特别是不再有任何变形，则可停止该方法。

在一特别优选的实施方式中，根据本发明的补偿方法所产生的变形通过取该方法之前及该方法之后的量测差异来确定。此信息可用于反馈回路中，特别用于根据本发明的补偿方法的连续校准。因此，可优选选择用于随后处理基板的制程及/或装置参数，使得结果更好地达成所寻求的额定状态。若所述基板的质量受趋势走向决定，此连续校准优选能够在大量基板上获得稳定的结果。

本发明的另一主题涉及一种用于接合两个基板的方法，其中，通过根据本发明的方法或根据本发明的装置补偿至少一个基板的变形，且其后将两个基板接合在一起。

接合波的分布特别可受根据本发明的变形补偿的影响。接合波优选应相对于接触点对称及/或同心传播。

特别优选地，变形以此方式受影响，即接合波的速率向边缘减小。因此，边缘缺陷的形成被尽可能地最小化，或甚至被防止。参与接合过程的两个基板的至少一个向接合界面凸起弯曲。因此，变形特别以此方式得到补偿，即产生向接合界面的略微凸曲率。

在两个基板的至少一个中，优选以此方式补偿变形，使在接合期间基板表面可描述为球体、抛物线或椭球的部分。通过基板表面的这种数学形式，可达成理想的接合结果，即最小化在两个基板的待接合在一起的子区域之间的偏差。

第一基板可与第二基板接合。可设想，第二基板的变形也已通过根据本发明的方法得到补偿。然而，也可设想，第一基板的变形已以此方式得到补偿，即两个基板的待接合在一起的区域一致，或彼此之间具有最小偏差。在此情况下，变形的补偿仅需在第一基板上进行。良好接合结果的先决条件特别为，两个基板上的待接合在一起的区域的位置被很好地量测。

本发明特别适用于补偿具有电及介电区域的两个混合基板的基板表面的变形。混合基板的金属区为TSV(英语：through silicon vias穿硅通孔)的表面，为保证两个基板之间的完整电连接，必须在接合过程之前及之后保证其正确定位。特别是，采用公开案WO2012079786A1中描述的变形图。

【附图说明】

本发明的进一步优点、特征及细节来自以下对优选实施例的描述，且借助于附图。示意性地：

图1a示出额定状态中基板的俯视图，

图1b示出实际状态中基板的俯视图，

图1c示出具有补偿变形的基板的俯视图，

图2示出根据本发明的多个补偿方法的侧视图，

图3示出具有全局变形的基板的侧视图，及

图4示出无全局变形的基板的侧视图。

相同组件或具有相同功能的组件在图中用相同附图标记表示。

【具体实施方式】

图1a展示额定状态中非常简化的基板1的俯视图。基板1在其主动基板表面1a上具有五个结构2。结构2可为诸如MEMS、LED或芯片的组件。也可设想结构2为光刻产生的结构。为简单起见，仅表示五个结构2，且每个结构2用简单方形表示。结构2的数量、形状及定向通常可为任意的。图1a表示额定状态，即结构2相对于基板1的最佳布置及定向。图1a中表示右结构2具有X轴及Y轴的坐标系。此两个轴跨越右结构2的平面。

图1b展示实际状态中非常简化的基板1的俯视图，且右下角为结构2'的放大图。由主动基板表面1a及/或被动基板表面1p的制造或影响中的误差所致，数个(通常为全部)结构2、2'可经受与其等额定位置及定向的偏差4。此偏差4在图1b中借助右结构2'表示。结构2'沿x轴及y轴位移。相对于理想位置的略微旋转也是可设想的。为明确起见，在图中忽略旋转。与额定位置的偏差4被称为变形。

图1c展示非常简化的基板1的俯视图，其中根据本发明的补偿方法，在当前情况下，激光3、3'的作用导致变形4的补偿7。示出两个激光点3、3'。激光点3具有长形形状，且垂直定向，激光点3'具有圆形形状。激光点3、3'各产生相应影响区域6、6'，在所述影响区域中发生物理及/或化学反应，其导致变形4的补偿7。这两个激光点3、3'也旨在绘示多个激光点形状是可能的。

在图1a至图1c中，根据本发明的补偿方法在主动基板表面1a上进行。全部补偿方法也可在与主动基板表面1a相对的被动基板表面1p上进行。

图2展示基板1的侧视图。基板1在其主动基板表面1a上具有多个结构2。在当前情况下，例如，所述结构可为已在基板1中产生的微芯片。通常，基板将在不同位置处再次出现变形。图2中未明确表示所述变形。借助放大图(A至D)表示根据本发明的多个示例性补偿方法。

两个放大图A各描述通过借助电磁波，特别是激光及/或粒子，特别是离子来引入能量对变形4的补偿7。在基板1中，分别产生影响区域6，在该影响区域发生物理及/或化学反应，其特别是不可逆的，且因此分别可对变形4的补偿7有贡献。放大图A已在主动基板表面1a及被动基板表面1p上表示，以便展示此类型的补偿7可有利地在基板表面1a、1p两者上进行。

放大图B描述通过电磁波，特别是激光及/或粒子，特别是离子，将能量引入存在于基板1上的涂层5中，从而对变形4进行补偿7。涂层5优选位于被动基板表面1p上，因为主动基板表面1a优选不涂覆地进一步处理。

涂层5在影响区域6中改变，使得在其中积累拉伸或压缩内应力。拉伸或压缩内应力又可通过与其他补偿方法相同的物理及/或化学反应产生。例如，可设想发生亚稳相向稳定相的转变，稳定相具有比亚稳相更大的体积。在此情况下，积累压缩内应力。若稳定相具有比初始相更小的体积，则积累拉伸内应力。可设想离子、原子或分子的注入导致压缩特性的建立。设想通过升华及/或熔化移除材料。设想通过热量供应移除化合物的个别化学组分。例如，涂层5可通过热量供应除气，且特别是损失水、氧气或氮化合物。涂层优选为氧化物，最佳为原生氧化物。

放大图C描述通过涂层5的完全移除及/或甚至移除基板1的部分来对变形4进行补偿7。基板1的部分移除也可在主动基板表面1a上进行，但在该处不太有利，因为结构2可能受到损坏及/或污染。此外，在随后的方法步骤中，被动基板表面1p上的基板1的部分移除可通过背面薄化制程来移除。

放大图D描述通过涂层5的结构化对变形4的补偿7。为此，涂层5通过光刻工艺结构化。结构化优选借助压印光刻进行。在此情况下，涂层的材料优选为聚合物。也可设想使用无掩膜光刻。在无掩膜光刻中，使用具有至少一个SLM、特别是DMD的装置。通过结构化，位于下方的基板上的涂层5的内应力效应改变，且因此允许变形4的补偿7。

在全部上述补偿方法中，通过激光直接影响基板1为最有效率的类型，因为涂层5的沉积可完全免去。当涂层5归因于自然原因，特别是大气而产生时，如原生氧化物的情况，使用涂层5具有优点。

上文所描述的实施方式仅用于绘示根据本发明的构思，且不以任何方式限制本发明的主题。

图3展示具有全局变形的基板1的侧视图。全局变形是整个基板1上的位置相关的变形。通过根据本发明的方法、特别是激光的位置相关的定向使用，可在影响区域6(图4)中产生作用，此作用导致所期望的补偿。接着，补偿导致所期望的结果，例如，未变形的基板1(见图4)。

图4展示根据本发明的方法的使用，其方式是，在影响区域6中以定向方式产生作用，以便在边缘处产生变形，使得基板1在边缘处向上拱起。为明确起见，拱形在图中以夸张的形式表示。

附图标记列表

1:基板

1a:主动基板表面

1p:被动基板表面

2,2':结构

3,3':激光

4:变形

5:涂层

6,6':影响区域

7:补偿

A,B,C,D:放大图

x,y:轴

Claims (11)

1.一种用于补偿(7)基板(1)的至少一个基板表面(1a、1p)上的变形(4)的方法，其中至少一个局部作用在所述基板表面的至少一个上产生。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述局部作用由电磁辐射产生，优选地由激光产生。

3.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中对所述基板表面(1a、1p)进行监测，其中原位观察所述补偿(7)。

4.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中所述局部作用由涂覆在所述基板表面(1a、1p)上的涂层(5)产生。

5.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中所述局部作用通过移除基板(1)的材料产生。

6.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中所述至少一个局部作用导致所述基板(1)的变形，特别在所述基板的边缘处。

7.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中对所述基板表面(1a、1p)进行量测，且接着对所述基板表面(la、1p)上的所述变形(4)进行所述补偿(7)，且随后再次量测所述基板表面(1a、1p)。

8.一种用于接合两个基板(1)的方法，其中使用根据前述权利要求中至少一项所述的方法补偿所述基板(1)的至少一个的变形，且接着将所述两个基板(1)接合在一起。

9.一种用于补偿(7)基板(1)的至少一个基板表面(1a、1p)上的变形(4)的装置，其中至少一个局部作用能够在所述基板表面(1a、1p)的至少一个上产生。

10.根据权利要求9的装置，其中所述装置具有用于产生所述局部作用的构件，其中用于产生所述局部作用的构件优选地包括激光器。

11.一种用根据前述权利要求中至少一项所述的方法及/或装置制造的产品。