CN117881236A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：衬底，包括显示区域和设置在显示区域的一侧上的焊盘区域；多个导电层，在显示区域和焊盘区域中设置在衬底上；钝化层，设置在多个导电层上；以及多个发光元件，设置在显示区域中的钝化层上并且彼此间隔开，其中多个导电层中的至少一个包括第一金属层、设置在第一金属层上的第二金属层、以及设置在第二金属层上的第三金属层，第一金属层包括钒(V)，第二金属层包括铝(Al)或铝合金，并且第三金属层包括V或钛(Ti)。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及一种显示装置。

背景技术

随着信息技术的发展，对显示图像的显示装置的需求已经多样化。例如，显示装置已被应用于各种电子装置，诸如智能手机、数码相机、笔记本计算机、导航系统和/或智能电视。这里，显示装置可以是平板显示装置，诸如液晶显示装置、场致发射显示(FED)装置和/或有机发光显示装置。在这种平板显示装置当中，发光显示装置包括能够通过显示装置的像素发射光的发光元件，因此能够显示图像而不需要用于向显示面板提供光的背光单元。

发明内容

本公开的各方面涉及一种能够防止或减少可能由在制造工艺期间执行的激光固化工艺中的布线损失引起的电缺陷的显示装置。

然而，本公开的各方面不限于本文阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据本公开的实施方式，一种显示装置包括：衬底，包括显示区域和在显示区域的一侧上的焊盘区域；多个导电层，在衬底上并且位于显示区域和焊盘区域中；在多个导电层上的钝化层；以及在钝化层上并且位于显示区域中的多个发光元件，多个发光元件彼此间隔开，其中多个导电层中的至少一个导电层包括第一金属层、在第一金属层上的第二金属层以及在第二金属层上的第三金属层，第一金属层包括钒(V)，第二金属层包括铝(Al)或铝合金，并且第三金属层包括V或钛(Ti)。

第二金属层的厚度可以大于第一金属层的厚度和第三金属层的厚度，并且第一金属层的厚度可以大于第三金属层的厚度。

第一金属层的厚度可以为从至第二金属层的厚度的一半。

第二金属层的厚度可以为至/>并且第一金属层的厚度可以为至/>

第三金属层的厚度可以是第二金属层的厚度的1/10。

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多个导电层中的至少一个导电层可以包括由于从至少一个导电层去除第二金属层的部分而在第一金属层和第三金属层之间产生的空隙。

空隙的宽度可以为5.0μm至20.0μm。

第二金属层可以包括铝(Al)-镍(Ni)-镧(La)合金，并且Al-Ni-La合金可以具有基于Al-Ni-La合金的总原子组成的0.1at％或更小的总Ni-La含量。

显示装置还可以包括：在衬底上的第一导电层；在第一导电层上的缓冲层；在缓冲层上的半导体层；在半导体层上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上的第二导电层；在第二导电层上的层间绝缘层；以及在层间绝缘层和钝化层之间的第三导电层，其中第一导电层可以包括第一金属层、第二金属层和第三金属层。

第二导电层可以包括第一金属层、第二金属层和第三金属层。

第三导电层可以包括：包括Ti的基础层、在基础层上并且包括Al或Al合金的中间层以及在中间层上并且包括Ti的上层。

显示装置还可以包括：在焊盘区域中并且与第一导电层位于相同的层的第一焊盘导线，以及在第一焊盘导线上并且与第二导电层位于相同的层的第二焊盘导线。

第一焊盘导线和第二焊盘导线中的至少一个可以包括第一金属层、第二金属层和第三金属层。

根据本公开的实施方式，一种显示装置包括：衬底，包括显示区域和在显示区域的一侧上的焊盘区域；第一导电层，在衬底上并且包括在显示区域中的下金属层和在焊盘区域中的第一焊盘导线；在第一导电层上的缓冲层；半导体层，在缓冲层上并且与显示区域中的下金属层重叠；在半导体层和缓冲层上的栅极绝缘层；第二导电层，在栅极绝缘层上并且包括：与半导体层重叠并且在显示区域中的栅电极，以及与第一焊盘导线重叠并且在焊盘区域中的第二焊盘导线；在第二导电层上的第一层间绝缘层；第三导电层，在第一层间绝缘层上并且包括与栅电极重叠并且在显示区域中的电容器电极；在第三导电层上的第二层间绝缘层；第四导电层，在第二层间绝缘层上并且包括连接至半导体层和下金属层并且在显示区域中的第一连接电极；在第四导电层上的钝化层；以及在钝化层上并且彼此间隔开的多个发光元件，其中第一导电层包括：包括钒(V)的第一金属层、在第一金属层上并且包括铝(Al)或铝合金的第二金属层以及在第二金属层上并且包括V或钛(Ti)的第三金属层。

第二金属层的厚度可以大于第一金属层的厚度和第三金属层的厚度，并且第一金属层的厚度可以大于第三金属层的厚度。

第一金属层的厚度可以为从至第二金属层的厚度的一半，并且第三金属层的厚度可以为第二金属层的厚度的1/10。

第二导电层和第三导电层中的至少一个可以包括第一金属层、第二金属层和第三金属层。

第四导电层可以包括：包括Ti的基础层、在基础层上并且包括Al或Al合金的中间层以及在中间层上并且包括Ti的上层。

根据本公开的上述及其他实施方式，多个导电层中的至少一个或更多个具有其中堆叠有多个金属层的结构，并且多个金属层包括主金属层和基础金属层，在主金属层损失的情况下可以形成电气绕行路径(detour path)。由于基础金属层包括钒(V)，其具有低的或合适的电阻并且不太可能扩散到主金属层中，因此即使在暴露于来自激光固化工艺的高温环境时，也能够最小化或减少导电层中布线缺陷的发生。

应注意，本公开的效果不限于上面描述的那些，并且本公开的其他效果将从以下描述中变得明显。

附图说明

通过参照附图更详细地描述本公开的实施方式，本公开的上述和其他方面和特征将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图；

图2是图1的电子装置中包括的显示装置的透视图；

图3是图2的显示装置的侧视图；

图4是图2的显示装置的剖视图；

图5是图2的显示装置的显示面板的平面视图；

图6是示出图2的显示装置的显示区域的剖视图；

图7是示出图2的显示装置的边缘的剖视图；

图8是示出根据本公开的另一实施方式的在显示装置中设置的多个导电层的剖视图；

图9是图8的A部分的放大剖视图；

图10是示出根据本公开的另一实施方式的在显示装置中设置的多个导电层的剖视图；

图11是图10的B部分的放大剖视图；以及

图12是示出根据本公开的另一实施方式的在显示装置中设置的多个导电层的剖视图。

具体实施方式

现将在下文中参照其中示出了本公开的实施方式的附图更全面地描述本公开的主题。然而，本公开的主题可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。

还将理解，当一层被称为“在”另一层或衬底“上”时，它能够直接在另一层或衬底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

在下文中，将参照附图描述实施方式。

图1是根据本公开的实施方式的电子装置的透视图。

参照图1，电子装置1显示(例如，能够显示)运动图像和/或静止图像。电子装置1可以指能够提供显示屏幕的任何合适的(例如，几乎所有类型或种类的)电子装置。电子装置1的示例可以包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、电子广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能手机、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器(HMD)、移动通信终端、电子记事本、电子书阅读器、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机和摄像机。

电子装置1可以包括图2的显示装置10。显示装置10的示例可以包括无机发光二极管显示装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点发光显示装置、等离子体显示装置和场发射显示(FED)装置。显示装置10在下文中将被描述为例如OLED显示装置，但是本公开不限于此。显示装置10也可以包括(例如，适用于)各种其他显示装置。

电子装置1的形状可以变化。例如，电子装置1可以具有水平延伸比竖直延伸长的矩形形状、竖直延伸比水平延伸长的矩形形状、正方形、具有倒圆角的矩形、其他多边形形状或圆形形状。电子装置1的显示区域DA通常可以具有与电子装置1类似的形状。图1示出了电子装置1具有在第二方向DR2上延伸比在第一方向DR1上延伸长的矩形形状。此外，第三方向DR3是垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2形成的平面的方向。

电子装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是其处能够显示图像的区域，并且非显示区域NDA可以是其处不显示图像的区域。显示区域DA也可以被称为有效区域(active area)，并且非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DA通常可以占据电子装置1的中间。

显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可以是其处设置有用于添加各种合适功能的部件的部件区域。

图2是图1的电子装置中包括的显示装置的透视图。

参照图2，图1的电子装置1可以包括显示装置10。显示装置10可以为电子装置1提供显示屏幕。显示装置10可以具有与电子装置1类似的形状。例如，显示装置10可以具有近似矩形的形状，其具有在第一方向DR1上延伸的短边和在第二方向DR2上延伸的长边。显示装置10的短边和长边相交的角可以被倒圆以具有设定或预定的曲率或者可以是直角。显示装置10的形状没有特别限制，并且显示装置10可以被形成为各种其他合适的形状，诸如其他多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。

显示装置10可以包括显示面板100、显示驱动单元200、电路板300和触摸驱动单元400。

显示面板100可以包括主区域MA和子区域SBA。

主区域MA可以包括：包括用于显示图像的像素的显示区域DA和设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。显示区域DA可以通过多个发射区域或开口发射光。例如，显示面板100可以包括像素电路，像素电路包括开关元件、限定发射区域或开口的像素限定膜以及自发光元件。

例如，自发光元件可以包括：有机发光二极管(OLED)、包括量子点发光层的量子点发光二极管(LED)、包括无机半导体的无机LED和/或微型LED，但是本公开不限于此。

非显示区域NDA可以在显示区域DA的外部。非显示区域NDA可以被限定为主区域MA的边缘部分。非显示区域NDA可以包括向连接显示驱动单元200和显示区域DA的栅极线和扇出(fan-out)线提供栅极信号的栅极驱动单元。

子区域SBA可以是从主区域MA的一侧延伸的区域。子区域SBA可以包括可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性材料。例如，在子区域SBA可弯曲的情况下，子区域SBA可以弯曲以在厚度方向(或第三方向DR3)上与主区域MA重叠。子区域SBA可以包括显示驱动单元200和连接到电路板300的焊盘单元。在一些实施方式中，可以不提供子区域SBA，并且显示驱动单元200和焊盘单元可以设置在非显示区域NDA中。

显示驱动单元200可以输出用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动单元200可以向数据线提供数据电压。显示驱动单元200可以向电源线提供电源电压，并且可以向栅极驱动单元提供栅极控制信号。显示驱动单元200可以被形成为集成电路(IC)，并且可以以玻璃上芯片(COG)或塑料上芯片(COP)方式或者经由超声接合(ultrasonic bonding)安装在显示面板100上。在一些实施方式中，显示驱动单元200可以设置在子区域SBA中，并且可以在子区域SBA弯曲时在厚度方向上与主区域MA重叠。在一些实施方式中，显示驱动单元200可以安装在电路板300上。

电路板300可以经由各向异性导电膜(ACF)附接到显示面板100的焊盘单元。电路板300的引线可以电连接到显示面板100的焊盘单元。电路板300可以是印刷电路板(PCB)、柔性PCB(FPCB)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。

触摸驱动单元400可以安装在电路板300上。触摸驱动单元400可以电连接到显示面板100的触摸感测单元。触摸驱动单元400可以向触摸感测单元的多个触摸电极提供触摸驱动信号，并且可以感测触摸电极之间的电容变化。例如，触摸驱动信号可以是具有设定或预定频率的脉冲信号。触摸驱动单元400可以基于触摸电极之间的电容变化来计算输入的存在和坐标。触摸驱动单元400可以被形成为集成电路(IC)。

图3是图2的显示装置的侧视图。图4是图2的显示装置的剖视图。

参照图3和图4，显示装置可以包括显示面板100、封装衬底700以及设置在显示面板100和封装衬底700之间的密封构件900。触摸层TSU(参见图6)可以设置在封装衬底700上，并且显示驱动单元200、电路板300和触摸驱动单元400可以设置在显示面板100的子区域SBA中。此外，图3中还示出了焊盘区域PA和在焊盘区域PA中的显示焊盘DP。

显示面板100可以包括衬底SUB、薄膜晶体管(TFT)层TFTL、发光元件层EML和覆盖层CPL。

衬底SUB可以是基础衬底或基础构件。衬底SUB可以是可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性衬底。例如，衬底SUB可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的聚合物树脂，但是本公开不限于此。在另一示例中，衬底SUB可

以包括玻璃材料和/或金属材料。

TFT层TFTL可以设置在衬底SUB上。TFT层TFTL可以包括形成像素的像素电路的多个TFT。TFT层TFTL还可以包括栅极线、数据线、电源线、栅极控制线、连接显示驱动单元200和数据线的扇出线以及连接显示驱动单元200和焊盘单元的引线。TFT可以包括半导体区、源电极、漏电极和栅电极。例如，在栅极驱动单元形成在显示面板100的非显示区域NDA的一侧上的情况下，栅极驱动单元可以包括TFT。

TFT层TFTL可以设置在显示区域DA、非显示区域NDA和子区域SBA中。TFT层TFTL的TFT、栅极线、数据线和电源线可以设置在显示区域DA中。TFT层TFTL的栅极控制线和扇出线可以设置在非显示区域NDA中。TFT层TFTL的引线可以设置在子区域SBA中。

发光元件层EML可以设置在TFT层TFTL上。发光元件层EML可以包括：多个发光元件ED(参见图6)，其包括第一电极、第二电极、发光层并且可以发射光；以及像素限定膜，其限定像素。发光元件层EML的发光元件ED可以设置在显示区域DA中。

发光层可以是包括有机材料的有机发光层。发光层可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。当第一电极通过TFT层TFTL的TFT接收电压并且第二电极接收阴极电压时，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层，并且可以在有机发光层中复合在一起以发射光。

在一些实施方式中，发光元件ED可以是包括量子点发光层的量子点发光二极管(LED)、包括无机半导体的无机LED或者微型LED。

覆盖层CPL可以覆盖发光元件层EML的顶表面和侧部并且可以保护发光元件层EML。覆盖层CPL可以包括用于封装发光元件层EML的至少一个无机膜和至少一个有机膜。

封装衬底700(或第二衬底)设置在显示面板100上。例如，封装衬底700可以被设置成在厚度方向(例如，第三方向DR3)上面向显示面板100。在平面视图中，封装衬底700可以具有比显示面板100的面积小的面积，但是可以被设置成覆盖显示面板100的显示区域DA。封装衬底700可以与密封构件900一起密封设置在显示面板100中的发光元件ED和电路元件。在一些实施方式中，触摸层TSU、偏振器层等也可以设置在封装衬底700上。

封装衬底700可以是透明板或膜。例如，封装衬底700可以包括玻璃材料和/或石英材料。在一些实施方式中，封装衬底700可以与发光元件ED间隔开，并且封装衬底700和发光元件ED之间的空间可以填充有诸如氮气的惰性气体。然而，本公开不限于此。封装衬底700和发光元件ED之间的空间可以填充有填充物或者可以是真空。

密封构件900可以设置在显示面板100和封装衬底700之间。例如，密封构件900可以设置在显示面板100的非显示区域NDA中以围绕显示面板100的显示区域DA，并且可以与封装衬底700一起密封显示面板100的发光元件ED和电路元件。密封构件900可以将显示面板100和封装衬底700耦接在一起。

在一些实施方式中，密封构件900可以是固化玻璃料(frit)。这里，术语“玻璃料”可以指具有玻璃性质的结构，其通过熔化和固化粉状玻璃以及任选地添加到其中的添加剂而形成。粉状玻璃可以设置在显示面板100和封装衬底700之间，并且可以经历烧制和熔化工艺以形成能够将显示面板100和封装衬底700耦接在一起的玻璃料。

由于密封构件900是在显示装置10的制造期间通过烧制和熔化工艺形成的，所以显示面板100和封装衬底700可以通过物理接合到密封构件900而耦接在一起。密封构件900可以至少熔接(fuse)到封装衬底700，并且可以包括存在与显示面板100和封装衬底700的物理边界的部分以及熔接到显示面板100和封装衬底700从而不存在与显示面板100和封装衬底700的物理边界的部分。由于密封构件900包括熔接部分，所以密封构件900能够牢固地耦接到显示面板100和封装衬底700。密封构件900可以在与封装衬底700的边界处具有强粘合力，并且因此，可以提高显示装置10抵抗外部冲击或震动的耐久性。

触摸层TSU可以设置在封装衬底700上。触摸层TSU可以包括用于以电容方式检测来自用户的触摸输入的多个触摸电极以及用于连接触摸电极和触摸驱动单元400的触摸线。例如，触摸层TSU可以以互电容方式或以自电容方式感测来自用户的触摸输入。

在一些实施方式中，触摸层TSU可以设置在覆盖层CPL上。在这种情况下，可以不提供封装衬底700。

触摸层TSU的触摸电极可以设置在与显示区域DA重叠的触摸传感器区域中。触摸层TSU的触摸线可以设置在与非显示区域NDA重叠的触摸外围区域中。

在一些实施方式中，滤色器层CFL可以设置在触摸层TSU上。滤色器层可以包括与多个发射区域对应的多个滤色器。多个滤色器中的每个滤色器可以选择性地透射特定波长的光并可以阻挡和/或吸收其他波长的光。滤色器层CFL可以吸收进入显示装置10的一些外部光，并且因此可以减少外部光的反射。因此，滤色器层CFL能够防止或减少可以由外部光的反射引起的任何颜色失真。

在一些实施方式中，显示装置10还可以包括光学装置500。光学装置500可以设置在第二显示区域DA2或第三显示区域DA3中。光学装置500可以发射和/或接收红外光、紫外光和/或可见光。例如，光学装置500可以是能够感测入射到显示装置10上的光的光学传感器，诸如接近传感器、光传感器、相机传感器和/或图像传感器。

图5是图2的显示装置的显示面板的平面视图。

参照图5，显示面板100(或DU)可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。

显示区域DA可以设置在显示面板100的中间。多个像素PX、多个栅极线GL、多个数据线DL和多个电源线VL可以设置在显示区域DA中。像素PX可以被限定为用于发射光的最小(minimal)(例如，最小(smallest))单位。

栅极线GL可以将从栅极驱动单元210接收的栅极信号提供给像素PX。栅极线GL可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上彼此间隔开。

数据线DL可以将从显示驱动单元200接收的数据电压提供给像素PX。数据线DL可以在第二方向DR2上延伸并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

电源线VL可以将从显示驱动单元200接收的电源电压提供给像素

PX。这里，电源电压包括驱动电压、初始化电压、参考电压和/或低电位电压。电源线VL可以在第二方向DR2上延伸并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。栅极驱动单元210、扇出线FOL和栅极控制线GCL可以设置在非显示区域NDA中。栅极驱动单元210可以基于栅极控制信号生成多个栅极信号，并且可以以预定顺序将栅极信号依次提供给栅极线GL。

扇出线FOL可以从显示驱动单元200延伸到显示区域DA。扇出线FOL可以将从显示驱动单元200接收的数据电压提供给数据线DL。

栅极控制线GCL可以从显示驱动单元200延伸到栅极驱动单元210。栅极控制线GCL可以将从显示驱动单元200接收的栅极控制信号提供给栅极驱动单元210。

子区域SBA可以包括显示驱动单元200、焊盘区域PA以及第一触摸焊盘区域TPA1和第二触摸焊盘区域TPA2。

显示驱动单元200可以将用于驱动显示面板100的信号和电压输出到扇出线FOL。显示驱动单元200可以通过扇出线FOL向数据线DL提供数据电压。数据电压可以被提供给像素PX并且可以控制像素PX的亮度。显示驱动单元200可以通过栅极控制线GCL向栅极驱动单元210提供栅极控制信号。

焊盘区域PA、第一触摸焊盘区域TPA1和第二触摸焊盘区域TPA2可以设置在子区域SBA的边缘上。焊盘区域PA、第一触摸焊盘区域TPA1和第二触摸焊盘区域TPA2可以经由各向异性导电膜(ACF)或自组装各向异性导电膏(SAP)电连接到电路板300。

焊盘区域PA可以包括多个显示焊盘DP。显示焊盘DP可以经由电路板300连接到图形系统。显示焊盘DP可以连接到电路板300并且因此可以接收数字视频数据并且将数字视频数据提供给显示驱动单元200。

图6是示出图2的显示装置的显示区域的剖视图。图6示出了显示装置10的各部分，具体地，显示面板100的衬底SUB、TFT层TFTL、发光元件层EML和覆盖层CPL、封装衬底700和触摸层TSU。

参照图6，衬底SUB可以是基础衬底或基础构件。衬底SUB可以

是可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性衬底。例如，衬底SUB可以包括诸如PI的聚合物树脂，但是本公开不限于此。在另一示例中，衬底SUB可以包括玻璃材料和/或金属材料。

TFT层TFTL可以包括第一缓冲层BF1、下金属层BML、第二缓冲层BF2、薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、电容器电极CPE、第二层间绝缘层ILD2、第一连接电极CNE1、第一钝化层PAS1、第二连接电极CNE2以及第二钝化层PAS2。

第一缓冲层BF1可以设置在衬底SUB上。第一缓冲层BF1可以包括能够防止或减少空气和/或湿气渗透的无机膜。例如，第一缓冲层BF1可以包括堆叠的多个无机膜。

与显示面板100的第一导电层对应的下金属层BML可以设置在第一缓冲层BF1上。例如，下金属层BML可以被形成为包括钒(V)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和/或它们的合金的单层或多层，但是本公开不限于此。

第二缓冲层BF2可以覆盖第一缓冲层BF1和下金属层BML。第二缓冲层BF2可以包括能够防止或减少空气和/或湿气渗透的无机膜。例如，第二缓冲层BF2可以包括堆叠的多个无机膜。

薄膜晶体管TFT可以设置在第二缓冲层BF2上并且可以形成多个像素的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、源电极SE、漏电极DE和栅电极GE。

半导体层ACT可以设置在第二缓冲层BF2上。半导体层ACT可以在厚度方向上与下金属层BML和栅电极GE重叠，并且可以通过栅极绝缘层GI与栅电极GE绝缘。半导体层ACT的部分可以转变成导体并且因此可以形成源电极SE和漏电极DE。

与显示面板100的第二导电层对应的栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体层ACT重叠，其中栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体层ACT之间。

栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT上。例如，栅极绝缘层GI可以覆盖半导体层ACT和第二缓冲层BF2，并且栅极绝缘层GI可以使半导体层ACT和栅电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括被第一连接电极CNE1穿透的接触孔。

第一层间绝缘层ILD1可以覆盖栅电极GE和栅极绝缘层GI。第一层间绝缘层ILD1可以包括被第一连接电极CNE1穿透的接触孔。第一层间绝缘层ILD1的接触孔可以连接到栅极绝缘层GI的接触孔和第二层间绝缘层ILD2的接触孔。

与显示面板100的第三导电层对应的电容器电极CPE可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。电容器电极CPE可以在厚度方向上与栅电极GE重叠。电容器电极CPE和栅电极GE可以形成电容器。

第二层间绝缘层ILD2可以覆盖电容器电极CPE和第一层间绝缘层ILD1。第二层间绝缘层ILD2可以包括被第一连接电极CNE1穿透的接触孔。第二层间绝缘层ILD2的接触孔可以连接到第一层间绝缘层ILD1的接触孔和栅极绝缘层GI的接触孔。

与显示面板100的第四导电层对应的第一连接电极CNE1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第一连接电极CNE1可以电连接薄膜晶体管TFT的漏电极DE和第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以插入第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI中的每个的接触孔中，并且因此可以与薄膜晶体管TFT的漏电极DE接触。

第一钝化层PAS1可以覆盖第一连接电极CNE1和第二层间绝缘层ILD2。第一钝化层PAS1可以保护薄膜晶体管TFT。第一钝化层PAS1可以包括被第二连接电极CNE2穿透的接触孔。

与显示面板100的第五导电层对应的第二连接电极CNE2可以设置在第一钝化层PAS1上。第二连接电极CNE2可以电连接第一连接电极CNE1和发光元件ED的像素电极AE。第二连接电极CNE2可以插入第一钝化层PAS1的接触孔中并且可以与第一连接电极CNE1接触。

第二钝化层PAS2可以覆盖第二连接电极CNE2和第一钝化层PAS1。第二钝化层PAS2可以包括被发光元件ED的像素电极AE穿透的接触孔。

发光元件层EML可以设置在TFT层TFTL上。发光元件层EML可以包括发光元件ED和像素限定膜PDL。发光元件ED可以包括像素电极

AE、发光层EL和公共电极CE。

像素电极AE可以设置在第二钝化层PAS2上。像素电极AE可被设置成与像素限定膜PDL的开口(OPE1、OPE2和OPE3)重叠。像素电极AE可以通过第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。

发光层EL可以设置在像素电极AE上。例如，发光层EL可以是由有机材料形成的有机发光层，但是本公开不限于此。在发光层EL是有机发光层的情况下，薄膜晶体管TFT可以向发光元件ED的像素电极AE施加设定或预定的电压，以及响应于发光元件ED的公共电极CE接收公共电压或阴极电压，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层EL，并且可以在发光层EL中复合在一起以发射光。

公共电极CE可以设置在发光层EL上。例如，公共电极CE可以对于所有像素共同实现，而不是对于不同像素单独实现。公共电极CE可以在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中设置在发光层EL上，并且可以在除了第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3之外的区域中设置在像素限定膜PDL上。

公共电极CE可以接收公共电压或低电位电压。当像素电极AE接收与数据电压对应的电压并且公共电极CE接收低电位电压时，在像素电极AE和公共电极CE之间可以生成电位差，并且因此，发光层EL可以发射光。

像素限定膜PDL可以包括多个开口(OPE1、OPE2和OPE3)并且可以设置在第二钝化层PAS2和像素电极AE的部分上。像素限定膜PDL可以包括第一开口OPE1、第二开口OPE2和第三开口OPE3，并且第一开口OPE1、第二开口OPE2和第三开口OPE3可以暴露像素电极AE的部分。如上文已描述的，像素限定膜PDL的第一开口OPE1、第二开口OPE2和第三开口OPE3可以分别限定第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3，并且可以具有不同的面积或尺寸。像素限定膜PDL可以将发光元件ED的像素电极AE彼此分离和绝缘。像素限定膜PDL可以包括光吸收材料，并且因此能够防止或减少光的反射。例如，像素限定膜PDL可以包括聚酰亚胺(PI)基结合剂以及红色、绿色和蓝色颜料的混合

物。在另一示例中，像素限定膜PDL可以包括卡多(cardo)基结合剂树脂以及内酰胺基黑色颜料和蓝色颜料的混合物。在另一示例中，像素限定膜PDL可以包括炭黑。

覆盖层CPL可以设置在公共电极CE上。覆盖层CPL可以包括至少一个无机膜并且可以防止或减少氧气和/或湿气渗透到发光元件层EML中。覆盖层CPL可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

封装衬底700和触摸层TSU可以设置在覆盖层CPL上。封装衬底700可以与覆盖层CPL间隔开，并且可以沿显示面板100的边缘经由密封构件900(参见图4)接合到显示面板100。在一些实施方式中，覆盖层CPL与封装衬底700之间的空间可以处于真空中。

图7是示出图2的显示装置的边缘的剖视图。图7示出了显示装置10的非显示区域NDA。

参照图7，显示装置10的密封构件900可以设置在显示面板100的非显示区域NDA中，以在平面视图中形成闭环并且围绕显示面板100的显示区域DA。密封构件900可以在非显示区域NDA中设置在第二层间绝缘层ILD2上。密封构件900可以不与显示面板100中的导电层重叠，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，密封构件900可以在非显示区域NDA中与第二层间绝缘层ILD2下方的导电层重叠，但可以不直接接触。在一些实施方式中，密封构件900可以直接设置在显示面板100的衬底SUB上。密封构件900可以围绕设置在显示区域DA中的发光元件ED，并且可以密封封装衬底700和显示面板100之间的空间。密封构件900和封装衬底700可以防止或基本防止发光元件ED被空气和/或湿气损坏。

显示装置10的显示面板100和封装衬底700可以经由密封构件900接合在一起。密封构件900可以包括玻璃料并且可以将显示面板100和封装衬底700物理接合在一起。为了改善密封构件900的粘合，可以在显示装置10的制造期间通过将激光施加到密封构件900来将显示面板100、封装衬底700和密封构件900熔接在一起。因此，显示面板100和密封构件900的材料以及密封构件900和封装衬底700的材料可以混合在一起，使得可以改善显示面板100、封装衬底700和密封构件900之间的粘合。

在密封构件900的固化期间，显示面板100的温度可以由于施加到密封构件900的激光而升高。在施加激光时，密封构件900周围的温度可以升至900℃，并且因此，设置在显示面板100中的导电层可以被这样的高温损坏。当显示面板100的温度由于激光的施加而上升时，显示面板100中的导电层的金属材料甚至可以熔化，并且导电层的布线可以被部分损坏(例如，损失和/或变薄)。

为了解决这个问题，显示面板100的布线可以由具有高的或合适的熔点的金属材料形成。例如，可以利用包括钼(Mo)的金属材料来形成显示面板100的布线，并且Mo具有比铝(Al)的电阻高的电阻，而铝(Al)具有相对低的或合适的熔点。然而，当显示面板100包括Al基金属导线(wire)时，能够提高显示面板100的驱动速度，并且能够使显示装置10小型化。因此，显示装置10的显示面板100中的多个导电层中的至少一些导电层可以包括Al，并且可以具有即使当Al在激光固化工艺期间熔化时也能够防止或减少任何布线缺陷的结构。

图8是示出根据本公开的另一实施方式的在显示装置中设置的多个导电层的剖视图。图9是图8的A部分的放大剖视图。图8示出了显示面板100的显示区域DA中的薄膜晶体管TFT和显示焊盘DP。图9示出了图8的第一导电层的部分，特别是下金属层BML。

参照图8和图9，显示装置10可以包括设置在焊盘区域PA中的显示焊盘DP以及连接到显示焊盘DP的焊盘电极PAD。显示焊盘DP可以包括多个焊盘导线(PW1和PW2)。焊盘导线(PW1和PW2)可以与显示区域DA中的第一导电层或第二导电层设置在相同的层。

例如，焊盘导线(PW1和PW2)可以包括第一焊盘导线PW1和第二焊盘导线PW2。第一焊盘导线PW1可以直接设置在第一缓冲层BF1上，并且第二焊盘导线PW2可以直接设置在第二缓冲层BF2上。在焊盘区域PA中，第一焊盘导线PW1可以由第一导电层形成，并且在焊盘区域PA中，第二焊盘导线PW2可以由第二导电层形成。在实施方式中，第一焊盘导线PW1和显示区域DA中的下金属层BML可以直接设置在衬底SUB上。

第一焊盘导线PW1和显示区域DA中的下金属层BML可以同时形成，并且因此可以包括相同的材料。第二焊盘导线PW2和显示区域DA中的薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以同时形成，并且因此可以包括相同的材料。第一焊盘导线PW1和第二焊盘导线PW2被示出为在厚度方向上彼此重叠，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一焊盘导线PW1和第二焊盘导线PW2可以电连接到显示区域DA中的导电层的布线，并且第一焊盘导线PW1和第二焊盘导线PW2中的至少一个可以电连接到设置在第一焊盘导线PW1和第二焊盘导线PW2上方的焊盘电极PAD。此外，在一些实施方式中，显示焊盘DP可以不包括第一焊盘导线PW1，而是可以包括第二焊盘导线PW2和来自设置在其上方的另一导电层的焊盘导线。

焊盘电极PAD可以设置在焊盘区域PA中并且可以连接到显示焊盘DP。例如，焊盘电极PAD可以与显示焊盘DP的第二焊盘导线PW2直接接触，但是本公开不限于此。在另一示例中，焊盘电极PAD可以与显示焊盘DP的第一焊盘导线PW1接触。在焊盘区域PA中，第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2可以不设置在第二层间绝缘层ILD2上。焊盘电极PAD可以直接设置在第二层间绝缘层ILD2上并且可以电连接到显示焊盘DP。焊盘电极PAD可以电连接到电路板300，并且来自电路板300的电信号可以通过焊盘电极PAD和显示焊盘DP传输到显示区域DA中的布线。

显示装置10的第一至第五导电层的布线(或导电图案)中的至少一个可以包括多个金属层(ML1、ML2和ML3)。例如，第一导电层的下金属层BML和第一焊盘导线PW1可以具有其中依次堆叠具有不同组分的多个金属层(ML1、ML2和ML3)的结构。另外，例如，第四导电层和第五导电层的连接电极(CNE1和CNE2)可以具有其中依次堆叠具有不同组分的金属层(ML1、ML2和ML3)的结构。第二导电层的栅电极GE和第二焊盘导线PW2以及第三导电层的电容器电极CPE可以由单个金属层形成，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第二导电层的栅电极GE和第二焊盘导线PW2以及第三导电层的电容器电极CPE也可以具有其中依次堆叠具有不同组分的金属层(ML1、ML2和ML3)的结构。显示面板100的所有第一至第五导电层的布线(或导电图案)可以包括金属层(ML1、ML2和ML3)，或者显示面板100的第一至第五导电层中的仅一些导电层的布线(或导电图案)可以包括金属层(ML1、ML2和ML3)。

金属层(ML1、ML2和ML3)可以直接设置在第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2、栅极绝缘层GI和/或第二层间绝缘层ILD2上。金属层(ML1、ML2和ML3)的底表面可以与第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2、栅极绝缘层GI和/或第二层间绝缘层ILD2的顶表面接触。

显示面板100的多个导电层中的每个导电层可以包括第一金属层ML1、设置在第一金属层ML1上的第二金属层ML2以及设置在第二金属层ML2上的第三金属层ML3。

第一金属层ML1可以是显示面板100的导电层的每个布线(或导电图案)的基础层。第一金属层ML1可以直接设置在第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2、栅极绝缘层GI和/或第二层间绝缘层ILD2上。第一金属层ML1的底表面可以与第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2的顶表面、栅极绝缘层GI的顶表面和/或第二层间绝缘层ILD2的顶表面接触。

第二金属层ML2可以是显示面板100的导电层的每个布线(或导电图案)的中间层或主层。第二金属层ML2可以直接设置在第一金属层ML1上，并且第二金属层ML2的底表面可以与第一金属层ML1的顶表面接触。第二金属层ML2可以包括具有低的或合适(例如，比其他金属层低)的比电阻和优异或合适的电导率的金属材料。例如，第二金属层ML2可以由Al或Al合金形成。例如，第二金属层ML2可以包括诸如铝-镍-镧(Al-Ni-La)的Al合金。在该示例中，镍(Ni)和La的总含量可以为基于Al-Ni-La合金的100％总原子组成的0.1at％或更小。第二金属层ML2可以包括具有高的或合适(例如，比其他金属层高)的电导率的材料，并且因此，显示面板100的导电层可以具有优异或合适的电导率。

第三金属层ML3可以是显示面板100的导电层的每个布线(或导电图案)的上层。第三金属层ML3可以直接设置在第二金属层ML2上，并且第三金属层ML3的底表面可以与第二金属层ML2的顶表面接触。

在第一导电层的下金属层BML和第一焊盘导线PW1中，第一金属层ML1可以包括V，并且第三金属层可以包括钒(V)或钛(Ti)。在第一导电层的下金属层BML和第一焊盘导线PW1中，第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3可以具有V和Al、Al合金和V、V和Al、或者Al合金和Ti的堆叠件。

如上文已描述的，包括具有高的或合适的电导率的金属材料的第二金属层ML2可以是第一导电层的每个布线(或导电图案)中的电流主要流过的主层。由于显示装置10包括密封构件900并且执行激光固化工艺，所以包括具有低的或合适的熔点的Al的第二金属层ML2可以在激光固化工艺期间部分熔化。

第一导电层可以包括第一金属层ML1，第一金属层ML1形成电流的绕行路径，使得即使当第二金属层ML2熔化时第一导电层的布线(或导电图案)也不会断开。作为显示面板100的导电层的每个布线(或导电图案)的上层的第三金属层ML3可以是用于保护第二金属层ML2的覆盖层。类似于第一金属层ML1，第三金属层ML3可以包括V。在一些实施方式中，与第一金属层ML1不同，第三金属层ML3可以包括Ti。

V具有比Al的熔点高的熔点，并且具有比Ti和Mo的电阻低的电阻。而且，即使当在激光固化工艺期间温度上升时，V也不太可能在与Al的界面处扩散。而且，类似于Ti，V能够利用包含氟(F)和/或氯(Cl)的气体与Al一起被蚀刻。因此，由于显示面板100的多个导电层中的至少一个导电层的第一金属层ML1包括V，因此即使在作为主层的第二金属层ML2熔化时，也能够防止或减少显示面板100的导电层的布线(或导电图案)中的短路或缺陷。即使第二金属层ML2的部分熔化并且可能损失，第二金属层ML2下方的第一金属层ML1也可以形成电流的绕行路径。因此，即使当执行激光固化工艺时，也可以防止或减少由布线的损失可能引起的任何布线缺陷。

在显示面板100的导电层中，第二金属层ML2可以比第一金属层ML1和第三金属层ML3厚，并且第一金属层ML1可以比第三金属层ML3厚。第二金属层ML2可以具有最大厚度，即第二厚度TH2，并且第一金属层ML1的第一厚度TH1可以小于第二厚度TH2并且大于第三金属层ML3的第三厚度TH3。第二金属层ML2可以是显示面板100的导电层的主层并且可以具有高的电导率。由于第二金属层ML2包括具有高的或合适的电导率的金属材料并且具有最大厚度，即第二厚度TH2，因此第二金属层ML2可以具有低的或合适的电阻。例如，第二金属层ML2可以包括Al或Al合金并且可以具有至/>的厚度。

第一金属层ML1可以包括V并且可以形成绕行路径。第一金属层ML1可以比第二金属层ML2薄，但是可以具有设定或预定的最小厚度以防止或减少根据电流的流动的局部发热。此外，作为显示面板100的导电层的基础层的第一金属层ML1可以不具有过大的厚度以减小包括第一金属层ML1的布线的电阻。例如，第一金属层ML1的第一厚度TH1可以是至少并且小于第二金属层ML2的第二厚度TH2的一半。第一金属层ML1的第一厚度TH1可以是/>至/>

作为显示面板100的导电层的上层或覆盖层的第三金属层ML3可以具有相对小的厚度。第三金属层ML3不形成电流的绕行路径，并且可以具有小的厚度以最小化其由于激光固化工艺生成的热而扩散到第二金属层ML2中。例如，第三金属层ML3的第三厚度TH3可以是第二金属层ML2的第二厚度TH2的1/10。例如，当第二金属层ML2的第二厚度TH2为至/>时，第三金属层ML3的第三厚度TH3可以为/>至/> 然而，当第三金属层ML3包括Ti时，第三金属层ML3可以具有小得多的厚度，因为Ti比V更好地扩散到第二金属层ML2中。例如，当第三金属层ML3包括Ti时，第三厚度TH3可以为/>或更小。

第一导电层的下金属层BML和第一焊盘导线PW1可以包括第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3，第一金属层ML1可以包括V，第二金属层ML2可以包括Al或Al合金，并且第三金属层ML3可以包括V或Ti。与第一导电层不同，第二导电层的栅电极GE和第二焊盘导线PW2以及第三导电层的电容器电极CPE可以由单层形成，并且第二导电层可以包括Mo。然而，本公开不限于此。在一些实施方式中，与第一导电层类似，第二导电层的栅电极GE和第二焊盘导线PW2以及第三导电层的电容器电极CPE也可以包括第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3，第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3分别包括V、Al或Al合金以及V或Ti。

与第一至第三导电层不同，第四导电层和第五导电层的连接电极(CNE1和CNE2)具有相对大的布线宽度，并且因此，即使当一些布线在激光固化工艺期间损失时，也不容易发生布线断开。因此，即使当第四导电层和第五导电层的连接电极(CNE1和CNE2)包括第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3时，即使在损失主层的情况下，也不需要绕行路径。类似于第一导电层，第四导电层和第五导电层的连接电极(CNE1和CNE2)可以包括第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3，但是第一金属层ML1的材料可以不同于第四导电层和第五导电层到第一导电层的连接电极(CNE1和CNE2)。例如，在第四导电层和第五导电层的连接电极(CNE1和CNE2)中，第一金属层ML1和第三金属层ML3可以包括Ti，并且第二金属层ML2可以包括Al或Al合金。

在下文中将描述根据本公开的其他实施方式的显示装置。

图10是示出根据本公开的另一实施方式的在显示装置中设置的多个导电层的剖视图。图11是图10的B部分的放大剖视图。

参照图10和图11，包括多个金属层(ML1、ML2和ML3)的导电层可以在区域LV中包括空隙Vd，第二金属层ML2的部分已从该空隙Vd中损失。例如，与第一导电层对应的下金属层BML可以包括由于第二金属层ML2的部分的去除而形成的空隙Vd。

如上面已经提及的，可以执行固化密封构件900的激光固化工艺，并且当第一导电层在激光固化工艺期间经受高温环境时，包括具有低的或合适的熔点的金属的第二金属层ML2的部分可以熔化掉。在第一导电层的下金属层BML中，可以在第一金属层ML1和第三金属层ML3之间形成空隙Vd，并且沿第二金属层ML2流动的电流可以流入第一金属层ML1中，从而使得围绕空隙Vd绕行。

第一导电层的下金属层BML可以包括钒(V)，其具有低的或合适的电阻，并且因此，即使由于第二金属层ML2的去除而形成了空隙Vd，第一导电层的电阻也不会显著增加。在一些实施方式中，空隙Vd可以具有5.0μm至20.0μm的宽度，并且第一导电层的电阻可以改变约0.2％至约0.6％。由于第一导电层包括经由第一金属层ML1的电流的绕行路径，因此即使当在激光固化工艺期间去除第二金属层ML2时，即使存在空隙Vd，也不存在显著的电阻变化，并且能够减少布线缺陷。

图12是示出根据本公开的另一实施方式的在显示装置中设置的多个导电层的剖视图。

参照图12，与第一导电层的下金属层BML类似，第二导电层的栅电极GE和第二焊盘导线PW2可以具有其中堆叠有多个第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3的结构。例如，在第二导电层的栅电极GE和第二焊盘导线PW2中，第一金属层ML1可以包括钒(V)，第二金属层ML2可以包括Al或Al合金，并且第三金属层ML3可以包括Ti。在一些实施方式中，与第一导电层的下金属层BML类似，第三导电层的电容器电极CPE可以具有其中堆叠有第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3的结构。根据图12的实施方式，甚至第二导电层和第三导电层也具有能够防止或减少布线损失和发生布线缺陷的结构。第二导电层和第三导电层中的每个中的第一金属层ML1、第二金属层ML2和第三金属层ML3与上文已描述的基本相同，并且因此将省略其详细描述。

如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或更多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少之一”、“选自a、b和c中的至少一个”、“选自由a、b和c组成的组中的至少一个”，“来自a、b和c当中的至少一个”等指示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时)、a和c两者(例如，同时)、b和c两者(例如，同时)、全部a、b和c或者它们的变体。

当描述本公开的实施方式时使用“可以”是指“本公开的一个或更多个实施方式”。

如本文中所使用的，术语“基本(substantially)”、“约(about)”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在考虑由本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到有关测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约(about)”或者“近似(approximately)”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约(about)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

本文中记载的任何数值范围旨在包括归入所记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所记载的最小值1.0和所记载的最大值10.0(含)之间的所有子范围，即具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文中记载的任何最大数值限制旨在包括归于其中的所有较低的数值限制，并且本说明书中记载的任何最小数值限制旨在包括归于其中的所有较高的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确记载归于本文中明确记载的范围内的任何子范围。

本文中描述的根据本发明的实施方式的显示装置和/或任何其他相关装置或部件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，装置的各种部件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者形成在分开的IC芯片上。此外，装置的各种部件可以在柔性印刷电路膜、带载封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在一个衬底上。此外，装置的各种部件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行，执行计算机程序指令并且与其他系统部件交互以用于执行本文中描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器装置在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例的其他非暂时性计算机可读介质中。此外，本领域技术人员应认识到，在不脱离本公开的实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或更多个其他计算装置分布。

在总结详细描述时，本领域技术人员将理解，能够在如后文要求保护的本公开及其等同物的精神和范围内对实施方式进行许多合适的变化和修改。因此，本公开的公开的实施方式仅在一般性和描述性的意义上使用，而不是出于限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

衬底，包括显示区域和设置在所述显示区域的一侧上的焊盘区域；

多个导电层，设置在所述衬底上并且位于所述显示区域和所述焊盘区域中；

钝化层，设置在所述多个导电层上；以及

多个发光元件，设置在所述钝化层上并且位于所述显示区域中，所述多个发光元件彼此间隔开，

其中，所述多个导电层中的至少一个导电层包括第一金属层、在所述第一金属层上的第二金属层以及在所述第二金属层上的第三金属层，

所述第一金属层包括钒，

所述第二金属层包括铝或铝合金，并且

所述第三金属层包括钒或钛。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度和所述第三金属层的厚度，并且

所述第一金属层的所述厚度大于所述第三金属层的所述厚度。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一金属层的所述厚度为从至所述第二金属层的所述厚度的一半。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第二金属层的所述厚度为至/>并且

所述第一金属层的所述厚度为至/>

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第三金属层的所述厚度是所述第二金属层的所述厚度的1/10。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第二金属层的所述厚度为至/>并且

所述第三金属层的所述厚度为至/>

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第二金属层的所述厚度为至/>

所述第三金属层包括钛，并且

所述第三金属层的所述厚度为至/>

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述多个导电层中的所述至少一个导电层包括由于从所述至少一个导电层去除所述第二金属层的部分而在所述第一金属层和所述第三金属层之间产生的空隙。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述空隙的宽度为5.0μm至20.0μm。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二金属层包括铝-镍-镧合金，即Al-Ni-La合金，并且

所述Al-Ni-La合金具有基于所述Al-Ni-La合金的总原子组成的0.1at％或更小的总Ni-La含量。

11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

第一导电层，设置在所述衬底上；

缓冲层，设置在所述第一导电层上；

半导体层，设置在所述缓冲层上；

栅极绝缘层，设置在所述半导体层上；

第二导电层，设置在所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，设置在所述第二导电层上；以及

第三导电层，设置在所述层间绝缘层和所述钝化层之间，

其中，所述第一导电层包括所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二导电层包括所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第三导电层包括：包括钛的基础层、在所述基础层上并且包括铝或铝合金的中间层以及在所述中间层上并且包括钛的上层。

14.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

第一焊盘导线，设置在所述焊盘区域中并且与所述第一导电层位于相同的层；以及

第二焊盘导线，设置在所述第一焊盘导线上并且与所述第二导电层位于相同的层。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一焊盘导线和所述第二焊盘导线中的至少一个包括所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。

16.一种显示装置，包括：

衬底，包括显示区域和设置在所述显示区域的一侧上的焊盘区域；

第一导电层，设置在所述衬底上并且包括在所述显示区域中的下金属层和在所述焊盘区域中的第一焊盘导线；

缓冲层，设置在所述第一导电层上；

半导体层，设置在所述缓冲层上并且与所述显示区域中的所述下金属层重叠；

栅极绝缘层，设置在所述半导体层和所述缓冲层上；

第二导电层，设置在所述栅极绝缘层上并且包括：与所述半导体层重叠并且在所述显示区域中的栅电极，以及与所述第一焊盘导线重叠并且在所述焊盘区域中的第二焊盘导线；

第一层间绝缘层，设置在所述第二导电层上；

第三导电层，设置在所述第一层间绝缘层上并且包括与所述栅电极重叠并且在所述显示区域中的电容器电极；

第二层间绝缘层，设置在所述第三导电层上；

第四导电层，设置在所述第二层间绝缘层上并且包括连接至所述半导体层和所述下金属层并且在所述显示区域中的第一连接电极；

钝化层，设置在所述第四导电层上；以及

多个发光元件，设置在所述钝化层上并且彼此间隔开，

其中，所述第一导电层包括：包括钒的第一金属层、在所述第一金属层上并且包括铝或铝合金的第二金属层、以及在所述第二金属层上并且包括钒或钛的第三金属层。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，

所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度和所述第三金属层的厚度，并且

所述第一金属层的所述厚度大于所述第三金属层的所述厚度。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，

所述第一金属层的所述厚度为从至所述第二金属层的所述厚度的一半，并且

所述第三金属层的所述厚度为所述第二金属层的所述厚度的1/10。

19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二导电层和所述第三导电层中的至少一个包括所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第四导电层包括：包括钛的基础层、在所述基础层上并且包括铝或铝合金的中间层以及在所述中间层上并且包括钛的上层。