CN117866638A - 用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法 - Google Patents
用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117866638A CN117866638A CN202311665076.1A CN202311665076A CN117866638A CN 117866638 A CN117866638 A CN 117866638A CN 202311665076 A CN202311665076 A CN 202311665076A CN 117866638 A CN117866638 A CN 117866638A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- etching
- ammonium
- etching solution
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 7
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 5
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000387 ammonium dihydrogen phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019837 monoammonium phosphate Nutrition 0.000 claims description 4
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- -1 tetramethyl sodium hydroxide Chemical compound 0.000 claims description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WEKLUCWCJWZVGP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-dodecoxy-2-oxoethyl)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O WEKLUCWCJWZVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OEOIWYCWCDBOPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-heptanoic acid Chemical compound CC(C)CCCCC(O)=O OEOIWYCWCDBOPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 claims description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- BIGPRXCJEDHCLP-UHFFFAOYSA-N ammonium bisulfate Chemical compound [NH4+].OS([O-])(=O)=O BIGPRXCJEDHCLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 claims description 2
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- XWROUVVQGRRRMF-UHFFFAOYSA-N F.O[N+]([O-])=O Chemical compound F.O[N+]([O-])=O XWROUVVQGRRRMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Substances [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
本发明提供了一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法，其中蚀刻液的主要成分包括10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐，及0.01~1%的表面活性剂。该蚀刻液主要用于在半导体集成电路制造工艺中形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制，同时存在不同掺杂浓度硅的结构片蚀刻时选择性蚀刻掺杂高的硅；具体蚀刻过程分两步进行，首先采用蚀刻液将相对较高掺杂的硅转化成多孔状的硅，再通过稀碱溶液将多孔硅去除，从而达到较高的选择比。该蚀刻液使阳极形成多孔硅的选择比极高，具有广阔的使用前景和工业化使用价值。
Description
技术领域
本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法。
背景技术
在半导体集成电路制造工艺中，硅膜自停止化学腐蚀有着广泛的应用，可用于形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制。硅膜自停止腐蚀工艺包括：晶面自停止工艺、掺杂类型自停止工艺(P型或N型)和重掺杂自停止工艺(P+或N+)。
重掺杂自停止工艺中，硅在含氢氟酸溶液中主要发生电化学腐蚀，即在含氢氟酸的溶液中，不同类型硅相接触，阳极先发生反应。掺杂量越高的越容易发生反应，即为阳极；掺杂量低的即为阴极，阴极上主要发生氢离子的还原反应，所以作阴极的硅被保护起来，腐蚀速率会很低，故腐蚀会停止在较低掺杂层。
现有的高掺杂选择性蚀刻常用的是HNA一步法蚀刻。即单纯的硝酸、醋酸、氢氟酸体系。但其蚀刻速率非常快，达到几个微米每分钟，蚀刻后表面粗糙度大后续需要进行CMP步骤，且HNA使用前需要额外的激活步骤饱和溶液中的亚硝酸含量，否则蚀刻速率是不稳定的。
发明内容
针对重掺选择性蚀刻液蚀刻速率过快，蚀刻速率不稳定的问题，蚀刻粗糙度大的问题，本发明提供了一种用于重掺杂自停止工艺不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法，该蚀刻液对高掺杂层具有很高的选择性，可为形成特殊的微结构器件及晶圆腐蚀的自停止控制提供一种新思路。
为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液，按质量百分比计，蚀刻液含有10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐及0.01~1%的表面活性剂，余量为水。
进一步地，所述的无机铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、硫酸铵、过硫酸铵、硫酸氢氨、硝酸铵、醋酸铵、柠檬酸铵、磷酸铵、磷酸二氢铵或磷酸一氢铵中的一种或多种。
进一步地，所述表面活性剂为正庚酸、正辛酸、正癸酸、壬酸、异辛酸、油酸、柠檬酸月桂醇酯中的一种或多种。
本发明还涉及所述的蚀刻液用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的使用方法，包括以下步骤：
S1、采用蚀刻液对不同掺杂结构片进行蚀刻，将不同掺杂的结构片中高掺杂的硅转化成多孔状的硅；
S2、将S1处理后的结构片放入碱性溶液中浸泡处理；
通过上述处理，完成不同掺杂硅叠层中高掺杂量硅的去除。
进一步地，S1蚀刻过程中温度控制在20~30℃。
进一步地，S1蚀刻过程中保持恒定的光照条件。
进一步地，S1蚀刻过程中进行静置蚀刻或者恒定搅拌速度的蚀刻
进一步地，S2中的碱性溶液为氢氧化钾、氢氧化钠、氨水、四甲基氢氧化钠中的一种或多种；碱性溶液的浓度为0.05%~5%。
进一步地，S2中浸泡时间为10~60s。
本发明具有以下有益效果：
本发明的选择性蚀刻对象与掺杂类型关系不大，可以是N型硅也可以是P型硅；但蚀刻对象与掺杂量关系极大，掺杂量越高越容易发生蚀刻，由于不同掺杂的硅连在一起会存在原电池效应，掺杂较高的硅容易发生腐蚀，作阳极，低掺杂的硅作阴极受到保护。基于此，本发明提供的蚀刻液可以在两种重掺的硅中选择性蚀刻掺杂量更高的硅，将高掺杂的硅转化成多孔状的硅。
多孔硅的形成是一个十分复杂的过程。多孔硅的微结构与硅体性质如硅片种类、掺杂浓度等和实验参数如光照、温度、介质组成以及浓度等有着密切的关系；值得注意的是不同掺杂的P和N叠层硅的结构中，由于存在光伏效应，光照对蚀刻速率的影响很大，实验过程中须保持稳定的光照条件。多孔硅的结构决定了它是非常容易腐蚀的，后期直接使用有机或无机的稀碱溶液在短时间内就能去除。
本发明通过蚀刻和碱性溶液快速浸泡处理，能够将不同掺杂硅叠层中高掺杂量的硅去除，具有较高的选择比，蚀刻速率可控制的很低很精准。
本发明的蚀刻液，能够将速率控制得很低，不需要激活使用。由于精密结构需要控制蚀刻速率到合适的数值，如果激活此药液，不形成多孔硅直接蚀刻，过大的蚀刻速率会使结构坍塌；溶液中加入了无机铵盐可以有效抑制Si的蚀刻速率，而且可以使形成的多孔Si更均匀，表面活性剂的加入使得腐蚀产物交换更顺利，避免了由于腐蚀产物的局部聚集，出现局部药液激活现象，从而使蚀刻速率不稳定的现象。
本发明改进了配方，降低了蚀刻速率，通过形成多孔硅，再溶解多孔硅两步法选择性蚀刻高掺杂硅，使得此自停止工艺能够使用在精密结构制造中。
附图说明
图1中 (1)为对比例1形成的多孔硅形貌；(2)为对比例2形成的多孔硅形貌；(3)为对比例3形成的多孔硅形貌；(4)为实施例1形成的多孔硅形貌。
图2为P-N-P硅叠层处理后的SEM图，其中(1)为蚀刻液浸泡后形成多孔Si、(2)为稀碱浸泡后多孔硅溶解。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述。
对比例1：
蚀刻液的制备：根据表1中的配方将选定的成分加到超纯水中，搅拌均匀后即得。其中%为质量百分含量。
试片类型：从上往下第一层是氮化硅，第二层为5nm的Si氧化硅，第三层是P-型硅掺硼量为1E16cm-3约24nm，第四层是P+型硅掺硼量为1E18cm-3，约580nm，第五层为P-型衬底掺硼量为1E16cm-3。
试片蚀刻：首先在25℃下，不搅拌浸泡3min，光照条件为自然光；然后使用0.2wt%的KOH溶液浸泡30s去除多孔Si。
评价标准：蚀刻后的试片通过SEM测量其蚀刻形貌，观察多孔Si的均匀度，横向蚀刻深度。
对比例2：
配方、使用方法、评价标准同对比例1，不同在添加了铵盐。
对比例3：
配方、使用方法、评价标准同对比例1，不同在添加了表面活性剂。
实施例1：
配方、使用方法、评价标准同对比例1，不同在添加了表面活性剂和铵盐。
表1
实施例2-3
蚀刻液的制备：根据表2中的配方将选定的成分加到超纯水中，搅拌均匀后即得，其中%为质量百分含量。
试片类型：从上往下第一层是氮化硅约100nm，第二层为5nm的Si氧化硅，第三层和第四层是不同掺杂量N和P型硅的组合，第三层是N型硅层，第四层是P型硅层，第五层为P-型衬底掺硼量为1E15cm-3N-P叠层结构片，其中N型硅掺磷量为1E18 cm-3、1E19 cm-3、1E20 cm-3，P型硅掺硼量为1E18 cm-3、1E19 cm-3、1E20 cm-3。
试片蚀刻： 首先在25℃下，不搅拌浸泡3min，光照条件为自然光；然后使用1wt%的TMAH溶液浸泡30s去除多孔Si。
评价标准：蚀刻后的试片通过SEM测量其蚀刻形貌，观察多孔Si的均匀度，横向蚀刻深度。
对比例4-6：
使用方法、评价标准同实施例2，不同在醋酸、硝酸氢氟酸含量超过范围值。
表2
实施例4-6及对比例7~8
蚀刻液的制备：根据表3中的配方将选定的成分加到超纯水中，搅拌均匀后即得，其中%为质量百分含量。
试片类型：从上往下第一层是氮化硅约100nm，第二层为5nm的Si氧化硅，第三层和第四层是不同掺杂量N型硅的组合，第三层N型硅掺磷量为1E19 cm-3、1E20 cm-3，第四层P型硅掺硼量为1E18 cm-3、1E19 cm-3。第五层为P-型衬底掺硼量为1E15cm-3。
试片蚀刻：首先在25℃下，不搅拌浸泡3min，光照条件为自然光；然后使用1wt%的氨水溶液浸泡30s去除多孔Si。。
评价标准：蚀刻后的试片通过SEM测量其蚀刻形貌，观察多孔Si的均匀度，横向蚀刻深度。
表3
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液，其特征在于：按质量百分比计，蚀刻液含有10%~30%的硝酸、0.5%~20%的氢氟酸、10%~70%的醋酸、0.5%~10%的无机铵盐及0.01~1%的表面活性剂，余量为水。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述的无机铵盐为氟化铵、氟化氢铵、氯化铵、硫酸铵、过硫酸铵、硫酸氢氨、硝酸铵、醋酸铵、柠檬酸铵、磷酸铵、磷酸二氢铵或磷酸一氢铵中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为正庚酸、正辛酸、正癸酸、壬酸、异辛酸、油酸、柠檬酸月桂醇酯中的一种或多种。
4.权利要求1~3任意一项所述的蚀刻液用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用蚀刻液对不同掺杂硅叠层结构片进行蚀刻，将不同掺杂的结构片中高掺杂的硅转化成多孔状的硅；
S2、将S1处理后的结构片放入碱性溶液中浸泡处理；
通过上述处理，完成不同掺杂硅叠层中高掺杂量硅的去除。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：S1蚀刻过程中温度控制在20~30℃。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：S1蚀刻过程中保持恒定的光照条件。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：S1蚀刻过程中进行静置蚀刻或者恒定搅拌速度的蚀刻。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：S2中的碱性溶液为氢氧化钾、氢氧化钠、氨水、四甲基氢氧化钠中的一种或多种；碱性溶液的浓度为0.05%~5%。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：S2中浸泡时间为10~60s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311665076.1A CN117866638A (zh) | 2023-12-06 | 2023-12-06 | 用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311665076.1A CN117866638A (zh) | 2023-12-06 | 2023-12-06 | 用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117866638A true CN117866638A (zh) | 2024-04-12 |
Family
ID=90590830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311665076.1A Pending CN117866638A (zh) | 2023-12-06 | 2023-12-06 | 用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117866638A (zh) |
-
2023
- 2023-12-06 CN CN202311665076.1A patent/CN117866638A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248113B1 (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
| TWI494416B (zh) | 用於蝕紋單晶及多晶矽基板表面之酸性蝕刻溶液及方法 | |
| CN103403875A (zh) | 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法 | |
| JP5406556B2 (ja) | 金属積層膜用エッチング液組成物 | |
| CN103814432B (zh) | 增大蚀刻液蚀刻用量的铜/钼合金膜的蚀刻方法 | |
| WO2018047210A1 (ja) | 多層膜用エッチング液とエッチング濃縮液およびエッチング方法 | |
| CN101019212A (zh) | 半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液 | |
| US10689573B2 (en) | Wet etching composition for substrate having SiN layer and Si layer and wet etching method using same | |
| CN109609129B (zh) | 一种硅片打毛液 | |
| US20160315207A1 (en) | Textured silicon substrate and method | |
| US7998359B2 (en) | Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates | |
| US8716145B2 (en) | Critical concentration in etching doped poly silicon with HF/HNO3 | |
| WO2006068091A1 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| CN104039925A (zh) | 蚀刻溶液组合物和使用该蚀刻溶液组合物的湿蚀刻方法 | |
| CN117866638A (zh) | 用于不同掺杂硅叠层中去除高掺杂量硅的蚀刻液及其使用方法 | |
| CN107316836A (zh) | 蚀刻液组合物、显示装置用阵列基板及其制造方法 | |
| CN109594079B (zh) | 一种钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法 | |
| TWI605109B (zh) | Wet etching surface treatment method and the method of preparing a porous silicon wafer | |
| TWI415184B (zh) | 使位於電絕緣材料表面上之半導體層厚度變薄和均勻化之方法 | |
| CN113046747B (zh) | 一种叠层金属和金属氧化物蚀刻液组合物及其使用方法 | |
| CN111925800B (zh) | 一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用 | |
| CN115044376B (zh) | 一种掺钪氮化铝蚀刻液及其应用 | |
| CN111925805B (zh) | 一种蚀刻液组合物、其制备方法及应用 | |
| JP4838578B2 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
| CN107653451B (zh) | 蚀刻液组合物及利用到该组合物的金属图案制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |