CN117858544A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括衬底、位于所述衬底上的发光层、多个无机层。发光层包括多个间隔排布的发光结构，发光结构包括在远离衬底的方向上依次排布的第一电极、第一发光层、电荷生成层、第二发光层及第二电极。至少一个无机层位于第一电极远离衬底的一侧且设有像素开口。多个无机层包括位于第一电极朝向衬底一侧的第一无机层、第二无机层及第三无机层，第一无机层与第二无机层直接接触。隔断结构包括位于第二无机层的支撑部及位于第三无机层的隔断部，隔断部在衬底的正投影的边缘位于支撑部在衬底的正投影的边缘外侧；第一电极在衬底的正投影落在支撑部在衬底的正投影内；电荷生成层在隔断结构处断开。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器由于具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、使用温度范围宽、可实现柔性显示等诸多优点，在显示领域、照明领域及智能穿戴等领域有着广泛地应用。

发明内容

本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括：

衬底；

位于所述衬底上的发光层，所述发光层包括多个间隔排布的发光结构，所述发光结构包括在远离所述衬底的方向上依次排布的第一电极、第一发光层、电荷生成层、第二发光层及第二电极；

位于所述第一发光层朝向所述衬底一侧的多个无机层；至少一个无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述至少一个无机层设有多个像素开口，每一所述像素开口暴露一个所述第一电极的至少部分，所述第一发光层至少部分位于所述像素开口内；所述多个无机层包括位于所述第一电极朝向所述衬底一侧的第一无机层、位于所述第一无机层远离所述衬底一侧的第二无机层及位于所述第二无机层远离所述衬底一侧的第三无机层，所述第一无机层与所述第二无机层直接接触；所述多个无机层设有多个间隔排布的隔断结构，所述隔断结构包括位于所述第二无机层的支撑部及位于所述第三无机层的隔断部，所述隔断部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部在所述衬底上的正投影的边缘外侧；一个所述第一电极在所述衬底上的正投影落在一个所述支撑部在所述衬底上的正投影内；所述电荷生成层在所述隔断结构处断开。

在一个实施例中，所述第二无机层位于所述第一电极朝向所述衬底的一侧；或者所述第二无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧。

在一个实施例中，所述第三无机层包括多个第一子无机层，所述隔断部包括所述第一子无机层，所述第一子无机层的材料为金属氧化物；所述隔断部超出所述支撑部的部分为凸出部，所述凸出部至少部分位于所述第一子无机层。

在一个实施例中，所述凸出部全部位于所述第一子无机层；或者，所述金属氧化物为导电材料，所述第三无机层还包括位于所述第一子无机层远离所述衬底一侧的绝缘材料层，所述绝缘材料层包括多个第二子无机层，所述隔断部包括所述第二子无机层，所述凸出部的一部分位于所述第一子无机层，另一部分位于所述第二子无机层；相邻两个所述凸出部的相邻端部中，其中一个所述凸出部的端部位于所述第一子无机层，另一所述凸出部的端部位于所述第二子无机层。

在一个实施例中，所述第一电极包括金属层及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述金属层远离所述衬底的表面及所述金属层的侧面；所述第一子无机层与所述金属氧化物层同层设置。

在一个实施例中，所述第一子无机层与相邻的所述第一电极相连。

在一个实施例中，所述第三无机层包括绝缘材料层，所述绝缘材料层包括多个第二子无机层，所述隔断部包括所述第二子无机层；所述至少一个无机层包括所述绝缘材料层。

在一个实施例中，所述显示基板还包括位于所述衬底与所述第一无机层之间的驱动电路层，所述第一无机层的材料的致密度大于所述第二无机层的材料的致密度。

在一个实施例中，所述第一无机层的材料与所述第三无机层的材料相同；所述第一无机层的材料的致密度大于所述第二无机层的材料的致密度。

在一个实施例中，所述第二无机层位于所述第一电极朝向所述衬底的一侧，所述显示基板还包括位于所述第二无机层与所述第一电极之间的第四无机层，所述第四无机层的材料的致密度大于所述第二无机层的材料的致密度；所述隔断结构还包括位于所述第四无机层的辅助部，所述辅助部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部位于所述衬底上的正投影的边缘外侧。

在一个实施例中，所述第一无机层的厚度范围为50nm～200nm，所述第二无机层的厚度范围为30nm～150nm，所述第三无机层的厚度范围为10nm～100nm。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：

提供衬底；

形成位于所述衬底上的多个第一电极及多个无机层；所述多个无机层中的至少一个无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧；所述多个无机层包括位于所述第一电极朝向所述衬底一侧的第一无机层、位于所述第一无机层远离所述衬底一侧的第二无机层及位于所述第二无机层远离所述衬底一侧的第三无机层，所述第一无机层与所述第二无机层直接接触；

在所述至少一个无机层形成多个像素开口，每一所述像素开口暴露一个所述第一电极的至少部分；对所述第二无机层及所述第三无机层同时进行刻蚀，且对所述第二无机层的刻蚀速度分别大于对所述第一无机层的刻蚀速度及对所述第三无机层的刻蚀速度，以形成多个隔断结构，所述隔断结构包括位于所述第二无机层的支撑部及位于所述第三无机层的隔断部，所述隔断部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部在所述衬底上的正投影的边缘外侧；一个所述第一电极在所述衬底上的正投影落在一个所述支撑部在所述衬底上的正投影内；

依次形成第一发光层、位于所述第一发光层远离所述衬底一侧的电荷生成层、位于所述电荷生成层远离所述衬底一侧的第二发光层及位于所述第二发光层远离所述衬底一侧的第二电极；所述第一发光层至少部分位于所述像素开口内，所述电荷生成层在所述隔断结构处断开。

在一个实施例中，所述第二无机层位于所述第一电极朝向所述衬底的一侧；所述至少一个无机层包括所述第三无机层；所述像素开口与所述隔断结构采用同一掩膜版形成。

在一个实施例中，所述第三无机层包括多个间隔排布的第一子无机层及位于所述第一子无机层远离所述衬底一侧的绝缘材料层，所述第一子无机层的材料为金属氧化物；

所述对所述第二无机层及所述第三无机层同时进行刻蚀，包括：

在所述多个无机层远离所述衬底的一侧形成掩膜层，所述掩膜层上设有镂空部，所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘至少部分位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内；

通过所述镂空部对所述第二无机层及所绝缘材料层进行刻蚀，使所述第二无机层形成多个支撑部，所述绝缘材料层形成多个第二子无机层，得到多个所述隔断结构，所述隔断部包括所述第一子无机层及所述第二子无机层；所述隔断部超出所述支撑部的部分为凸出部，所述凸出部至少部分位于所述第一子无机层。

在一个实施例中，所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘全部位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内，所述凸出部全部位于所述第一子无机层；或者，

所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘的部分位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内，所述凸出部的一部分位于所述第一子无机层，另一部分位于所述第二子无机层；相邻两个所述凸出部的相邻端部中，其中一个所述凸出部的端部位于所述第一子无机层，另一所述凸出部的端部位于所述第二子无机层。

在一个实施例中，所述第一电极包括金属层及金属氧化物层，所述金属氧化物层覆盖所述金属层远离所述衬底的表面及所述金属层的侧面，所述第一子无机层与所述金属氧化物层在同一工艺步骤中形成。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示基板。

本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，第二无机层位于第三无机层远离衬底的一侧，隔断结构中位于第二无机层的支撑部在衬底上的正投影的边缘落在位于第三无机层的隔断部在衬底上的正投影的边缘外侧，则隔断结构可使得电荷生成层在隔断结构处断开，避免由于电荷生成层的载流子迁移率高而导致相邻结构之间发生串扰及发光结构的发光效率降低的问题；第一无机层位于第一电极朝向衬底的一侧，且与第二无机层直接接触，在对第二无机层和第三无机层进行刻蚀的过程中第一无机层可防止对位于第一无机层与衬底之间的膜层(例如驱动电路层)造成损伤；将第一无机层设置在第一电极朝向衬底的一侧，相对于将第一无机层设置在第一电极远离衬底的一侧，可减小位于第一电极远离衬底一侧的无机层的厚度，进而可减小像素开口的深度，有助于降低第一发光层位于像素开口内的部分与位于像素开口外的部分的断差，提升发光结构的发光效率。

附图说明

图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的局部剖视图；

图2是本申请一示例性实施例提供的显示基板的部分膜层的局部剖视图；

图3是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的部分膜层的局部剖视图；

图4是本申请再一示例性实施例提供的显示基板的部分膜层的局部剖视图；

图5是本申请又一示例性实施例提供的显示基板的部分膜层的局部剖视图；

图6是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的部分膜层的局部剖视图；

图7是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的制备方法的流程图；

图8是本申请一示例性实施例提供的第一中间结构的局部剖视图；

图9是本申请一示例性实施例提供的第二中间结构的局部剖视图；

图10是本申请一示例性实施例提供的第三中间结构的局部剖视图；

图11是本申请一示例性实施例提供的第四中间结构的局部剖视图；

图12是本申请一示例性实施例提供的第五中间结构的局部剖视图；

图13是本申请一示例性实施例提供的第六中间结构的局部剖视图；

图14是本申请另一示例性实施例提供的第四中间结构的局部剖视图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。

本申请实施例提供了一种显示基板。如图1及图2所示，所述显示基板包括衬底10、发光层及多个无机层。

所述发光层位于所述衬底上，所述发光层包括多个间隔排布的发光结构20，所述发光结构20包括在远离所述衬底10的方向上依次排布的第一电极21、第一发光层22、电荷生成层23、第二发光层24及第二电极25。所述多个无机层位于第一发光层22朝向所述衬底10的一侧。所述多个无机层中至少一个无机层30位于所述第一电极21远离所述衬底10的一侧，所述至少一个无机层30设有多个像素开口301，每一所述像素开口301暴露一个所述第一电极21的至少部分，所述第一发光层22至少部分位于所述像素开口301内。所述多个无机层包括位于所述第一电极21朝向所述衬底10一侧的第一无机层40、位于所述第一无机层40远离所述衬底10一侧的第二无机层50及位于所述第二无机层50远离所述衬底10一侧的第三无机层60。所述第一无机层40与所述第二无机层50直接接触。所述多个无机层设有多个间隔排布的隔断结构51，所述隔断结构51包括位于所述第二无机层50的支撑部501及位于所述第三无机层60的隔断部601。其中，支撑部501位于第二无机层50，隔断部601位于第三无机层60指的是，支撑部501为第二无机层50的一部分，隔断部601为第三无机层60的一部分。所述隔断部601在所述衬底10上的正投影的边缘位于所述支撑部501位于所述衬底10上的正投影的边缘外侧；一个所述第一电极21在所述衬底10上的正投影落在一个所述支撑部501在所述衬底10上的正投影内；所述电荷生成层23在所述隔断结构51处断开。

本申请实施例提供的显示基板，第二无机层位于第三无机层远离衬底的一侧，隔断结构中位于第二无机层的支撑部在衬底上的正投影的边缘落在位于第三无机层的隔断部在衬底上的正投影的边缘外侧，则隔断结构可使得电荷生成层在隔断结构处断开，避免由于电荷生成层的载流子迁移率高而导致相邻结构之间发生串扰及发光结构的发光效率降低的问题；第一无机层位于第一电极朝向衬底的一侧，且与第二无机层直接接触，在对第二无机层和第三无机层进行刻蚀的过程中第一无机层可防止对位于第一无机层与衬底之间的膜层(例如驱动电路层)造成损伤；将第一无机层设置在第一电极朝向衬底的一侧，相对于将第一无机层设置在第一电极远离衬底的一侧，可减小位于第一电极远离衬底一侧的无机层的厚度，进而可减小像素开口的深度，有助于降低第一发光层位于像素开口内的部分与位于像素开口外的部分的断差，提升发光结构的发光效率。

在一个实施例中，所述衬底10可以是柔性衬底，柔性衬底的材料可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)及PC(聚碳酸酯)中的一种或多种。在其他实施例中，所述衬底10可以是刚性衬底，刚性衬底的材料例如可以为玻璃、金属、塑料等。

在一个实施例中，如图1及图2所示，所述显示基板还包括位于所述衬底10与所述第一无机层40之间的驱动电路层70。所述驱动电路层70包括多个像素电路，像素电路用于驱动发光结构。像素电路与发光结构可一一对应，各个像素电路用于驱动对应的发光结构。像素电路可包括薄膜晶体管71，薄膜晶体管71包括有源层711、栅极712、第一极713和第二极714。第一极713与第二极714中的一个为源极，另一个为漏极。栅极712可位于有源层711远离衬底10的一侧。薄膜晶体管71的第一极713与对应的发光结构20的第一电极21电连接。像素电路还可包括电容。

在一个实施例中，如图1及图2所示，所述驱动电路层70还可包括位于有源层711与栅极712之间的栅极绝缘层72、位于栅极绝缘层72远离衬底10一侧的层间介质层73及位于层间介质层73远离衬底10一侧的平坦化层74。第一极713与第二极714部分位于层间介质层73与平坦化层74之间，部分位于贯穿栅极绝缘层72和层间介质层73的通孔内且与有源层711接触。第一电极21通过贯穿第一无机层40与平坦化层74的通孔与第一极713电连接。

在一个实施例中，所述显示基板还包括位于发光层远离衬底一侧的封装层。封装层可为薄膜封装层，包括交替排布的有机层和无机层，且封装层中距离衬底最大的膜层为无机层。

在一个实施例中，所述显示基板还包括位于所述封装层远离衬底一侧的彩色滤光层。所述彩色滤光层包括多个间隔排布的滤光部，一个发光结构对应的像素开口在衬底10上的正投影落在一个滤光部在衬底10上的正投影内。所述彩色滤光层可包括至少三种不同颜色的滤光部，例如可包括红色的滤光部、绿色的滤光部及蓝色的滤光部。

在一个实施例中，所述第一电极21与第二电极25中的一个为阳极，另一个为阴极。例如第一电极21为阳极，第二电极25为阴极。各个发光结构20的第二电极可为相连在一起的面电极。

在一个实施例中，第一电极21为阳极，第二电极25为阴极时，所述发光结构20还可包括位于第一电极21与第一发光层22之间的空穴注入层和空穴传输层、位于第一发光层22与第二发光层24之间的空穴注入层和空穴传输层、以及位于第二发光层24与第二电极25之间的电子注入层和电子传输层。由于第一发光层22、位于第一电极21与第一发光层22之间的空穴注入层及空穴传输层均位于电荷生成层23与第一电极21之间，则第一发光层22、位于第一电极21与第一发光层22之间的空穴注入层及空穴传输层空穴注入层和空穴传输层均在隔断结构处断开。

在一个实施例中，所述发光结构20的第一发光层22发射的光线与第二发光层24发射的光线复合为白光，白光在经过与各个发光结构对应的滤光部后转变为与滤光部颜色相同的光，如此显示基板可实现彩色显示。在一些实施例中，所述第一发光层22可包括层叠设置的红色发光层及绿色发光层，所述第二发光层24为蓝色发光层。

在一个实施例中，如图1及图2所示，所述第一电极21包括金属层211及金属氧化物层212，所述金属氧化物层212覆盖所述金属层211远离所述衬底10的表面及所述金属层211的侧面。金属氧化物层212的材料为导电材料。如此设置，金属氧化物层212可保护金属层211，防止在形成位于第一电极21上方的无机层的过程中损伤金属层211。

在一个实施例中，所述金属层211可包括两层钛膜层及位于两层钛膜层之间的铝膜层，所述金属氧化物层212的材料可为氧化铟锌、氧化铟锡等。如此设置，在形成金属层211时可采用干刻工艺，相对于湿刻工艺来说，可降低相邻金属层211之间的间距，有助于提升发光结构的发光面积及发光效率，进而可降低显示基板的功耗。

在一个实施例中，如图1及图2所示，所述第二无机层50位于所述第一电极21远离所述衬底10的一侧。

在另一实施例中，如图3所示，所述第二无机层50位于所述第一电极21朝向所述衬底10的一侧。如此设置，可减小位于第一电极远离衬底一侧的无机层的厚度，进一步减小像素开口的深度，有助于降低第一发光层位于像素开口内的部分与位于像素开口外的部分的断差，进一步提升发光结构的发光效率；在对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀时，通过控制对第二无机层50的刻蚀速度大于对第三无机层60的刻蚀速度可得到隔断结构51，在位于第一电极21远离衬底10的一侧的无机层仅有第三无机层60，也即是所述至少一个无机层仅包括第三无机层60，刻蚀工艺中对第二无机层50和第三无机层60的不同刻蚀速度不会影响像素开口的侧面的形状，则可通过一次刻蚀工艺同时形成像素开口301和隔断结构51，也即是像素开口301和隔断结构51可采用同一掩膜版形成，有助于降低显示基板的制备成本，简化制备工艺；在对第一无机层及第二无机层进行刻蚀的过程中，形成金属氧化物层212的过程中残留的材料部分可被刻蚀掉，可改善残留的材料将相邻两个第一电极21电连接而产生的串扰问题。

在一个实施例中，如图4及图5所示，所述第三无机层60包括多个第一子无机层61，所述隔断部601包括所述第一子无机层61，所述隔断部601超出所述支撑部501的部分为凸出部511，所述凸出部511至少部分位于所述第一子无机层61。其中凸出部511至少部分位于第一子无机层61指的是，凸出部的至少部分属于第一子无机层61的一部分。由于第一子无机层61的材料为金属氧化物，金属氧化物的强度较大，凸出部511至少部分位于第一子无机层61可使得凸出部511不易于发生断裂，可确保电荷生成层被隔断结构51隔断。

在一个实施例中，如图4及图5所示，所述第三无机层60还包括位于第一子无机层61远离衬底10一侧的绝缘材料层62，所述绝缘材料层62包括多个第二子无机层621，所述隔断部601包括所述第二子无机层621。

在一个实施例中，所述第一子无机层61的材料为导电材料，所述第一子无机层61与所述金属氧化物层212同层设置。其中所述第一子无机层61与所述金属氧化物层212同层设置指的是，第一子无机层61与金属氧化物层212材料相同，且在同一工艺步骤中形成。如此有助于简化显示基板的制备工艺。在该实施例中，所述第二子无机层621位于第一电极21远离衬底10的一侧。

进一步地，所述第一子无机层61与相邻的一个所述金属氧化物层212相连。如此设置，相对于第一子无机层61与金属氧化物层212间隔设置的方案来说，可节省第一子无机层61与金属氧化物层212之间的间隙所占的空间，有助于提升发光结构的发光面积。第一子无机层61与金属氧化物层212相连时，二者共同组成的部分在衬底10上的正投影的边缘与金属层211在衬底10上的正投影的边缘之间的距离大于或等于1μm。

在一个实施例中，如图4所示，所述凸出部511全部位于所述第一子无机层61。也即是隔断部601超出支撑部501的部分全部位于第一子无机层61，更有助防止隔断部601超出支撑部501的部分发生断裂。

在另一实施例中，如图5所示，所述凸出部511的一部分位于所述第一子无机层61，另一部分位于所述第二子无机层621；相邻两个所述凸出部511的相邻端部中，其中一个所述凸出部511的端部位于所述第一子无机层61，另一所述凸出部511的端部位于所述第二子无机层621。如此设置，可提升凸出部511的强度，并且在第一子无机层61与第一电极21的金属氧化物层212相连时，即使电荷生成层23位于两个隔断结构51之间的部分与凸出部511接触，也可避免相邻的两个第一电极21通过位于开孔内的电荷生成层23电连接而导致相邻发光结构产生串扰的问题。

在一个实施例中，如图1至图3所示，所述第三无机层60仅包括绝缘材料层62。

在一个实施例中，如图1至图5所示，所述至少一个无机层30包括所述绝缘材料层62，绝缘材料层62位于第一电极21远离衬底10的一侧。所述至少一个无机层30可仅包括绝缘材料层，也即是位于第一电极21第一发光层22之间的无机层仅有绝缘材料层62。如此有助于减小像素开口的深度。

在一个实施例中，所述第一无机层40的材料的致密度大于所述第二无机层50的材料的致密度。在对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀时，可采用干刻工艺进行，由于第一无机层40的材料的致密度大于第二无机层50的材料的致密度，则在对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀的过程中对第一无机层40的刻蚀程度较小，第一无机层40可有效避免驱动电路层受到损伤；由于在刻蚀过程中对第一无机层40的刻蚀程度较小，则可降低无机层位于第一电极远离衬底一侧的部分与第一无机层之间的最大高度差，进而可降低第二电极发生断裂的风险。

在一个实施例中，所述第一无机层40的材料与所述第三无机层60的材料相同；所述第一无机层40的材料的致密度大于所述第二无机层50的材料的致密度。如此在采用干法刻蚀时，易于控制对第一无机层40、第二无机层50及第三无机层60的刻蚀速度。在一些实施例中，所述第一无机层40与第三无机层60的材料可为氧化硅，所述第二无机层50的材料可为氮化硅。

在一个实施例中，如图6所示，所述第二无机层50位于所述第一电极21朝向所述衬底10的一侧，所述显示基板还包括位于所述第二无机层50与所述第一电极21之间的第四无机层90，所述第四无机层90的材料的致密度大于所述第二无机层50的材料的致密度；所述隔断结构51还包括位于所述第四无机层90的辅助部91，所述辅助部91在所述衬底10上的正投影的边缘位于所述支撑部501位于所述衬底10上的正投影的边缘外侧。如此设置，由于第四无机层90的材料的致密度大于第二无机层50的材料的致密度，在采用干刻工艺形成第一电极21的金属层211时，对第二无机层50的刻蚀程度较小，可降低第二电极在不同区域的最大断差，避免第二电极发生断裂的问题；并且辅助部91超出支撑部501的部分与第三无机层60超出支撑部501的部分接触，可增大凸出部511的强度，有助于避免凸出部511发生断裂。

在一个实施例中，如图6所示，同一隔断结构51内，所述辅助部91在衬底10上的正投影的边缘与第二子无机层621在衬底10上的正投影重合。第四无机层90的材料与绝缘材料层62的材料可相同。

在一个实施例中，所述第一无机层40的厚度范围为50nm～200nm。如此设置，可避免第一无机层40的厚度太小，不能有效保护驱动电路层，也可避免第一无机层40的厚度太大，导致增大制备第一无机层40所需的时间。在一些实施例中，所述第一无机层40的厚度可为50nm、70nm、90nm、100nm、120nm、130nm、150nm、170nm、200nm等。

在一个实施例中，所述第二无机层50的厚度范围为30nm～150nm。如此设置，可避免第二无机层50的厚度太小，电荷生成层在隔断结构51处不能被隔断，也可避免第二无机层50的厚度太大，导致第二电极发生断裂。在一些实施例中，所述第二无机层50的厚度可为30nm、50nm、70nm、90nm、100nm、110nm、130nm、150nm等。

在一个实施例中，所述第三无机层60的厚度范围为10nm～100nm。如此设置，可避免第三无机层60的厚度太小，导致凸出部511发生断裂，也可避免第三无机层60的厚度太大，第三无机层60位于第一电极远离衬底一侧时像素开口的深度较大，导致第一发光层的发光效率降低。在一些实施例中，所述第三无机层60的厚度可为10nm、30nm、50nm、70nm、90nm、100nm等。优选的，所述第三无机层60的厚度小于或等于50nm。

本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。下面通过显示基板的制备过程进行介绍。本申请实施例所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后可称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

如图7所示，所述制备方法包括如下步骤110至步骤140。

在步骤110中，提供衬底。

在步骤120中，形成位于所述衬底上的多个第一电极及多个无机层；所述多个无机层中的至少一个无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧；所述多个无机层包括位于所述第一电极朝向所述衬底一侧的第一无机层、位于所述第一无机层远离所述衬底一侧的第二无机层及位于所述第二无机层远离所述衬底一侧的第三无机层，所述第一无机层与所述第二无机层直接接触。

在步骤130中，在所述至少一个无机层形成多个像素开口，每一所述像素开口暴露一个所述第一电极的至少部分；对所述第二无机层及所述第三无机层同时进行刻蚀，且对所述第二无机层的刻蚀速度分别大于对所述第一无机层的刻蚀速度及对所述第三无机层的刻蚀速度，以形成多个隔断结构，所述隔断结构包括位于所述第二无机层的支撑部及位于所述第三无机层的隔断部，所述隔断部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部在所述衬底上的正投影的边缘外侧；一个所述第一电极在所述衬底上的正投影落在一个所述支撑部在所述衬底上的正投影内。

在步骤140中，依次形成第一发光层、位于所述第一发光层远离所述衬底一侧的电荷生成层、位于所述电荷生成层远离所述衬底一侧的第二发光层及位于所述第二发光层远离所述衬底一侧的第二电极；所述第一发光层至少部分位于所述像素开口内，所述电荷生成层在所述隔断结构处断开。

在一个实施例中，通过步骤120得到如图8所示的第一中间结构。如图8所示，所述第二无机层50位于第一电极21远离衬底10的一侧，所述至少一个无机层30包括第二无机层50及第三无机层60，第三无机层60仅包括绝缘材料层62。

在一示例性实施方式中，图8所示的第一中间结构的制备过程可以包括如下步骤：

在衬底10上沉积有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成有源层711。

随后，依次沉积栅极绝缘层72和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成位于显示区101的栅极712。

随后，沉积层间介质层73，并对栅极绝缘层72和层间介质层73进行刻蚀，形成穿透栅极绝缘层72和层间介质层73的通孔。

随后，沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成第一极713和第二极714，第一极和第二极分别通过穿透栅极绝缘层72和层间介质层73的通孔与有源层711接触。

随后，沉积平坦化层74和第一无机层40，并对平坦化层74和第一无机层40进行刻蚀，形成穿透平坦化层74和第一无机层40的通孔。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成金属层211，金属层211通过穿透平坦化层74和第一无机层40的通孔与第一极713接触。

随后，沉积金属氧化物薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成金属氧化物层212。

随后，依次沉积第二无机层50和绝缘材料层62。

在图8所示的实施例中，由于第二无机层50和第三无机层60均位于第一电极远离衬底的一侧，在形成隔断结构时对第二无机层50的刻蚀速度和对第三无机层60的刻蚀速度不同，而如果在像素开口的侧面第二无机层50相对于第三无机层60内缩，会导致第一发光层在像素开口的侧面隔断，影响第一发光层的发光效率，因此像素开口与隔断结构不能同时形成。所述步骤130包括如下过程：

首先，对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀，形成像素开口。

通过该步骤可得到如图9所示的第二中间结构。在该步骤中可采用湿刻工艺对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀，刻蚀液对无机层50的刻蚀速度和对第三无机层60的刻蚀速度基本相同。

随后，对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀，形成隔断结构。

通过该步骤可得到如图2所示的结构。在该步骤中可采用干刻工艺对第二无机层50和第三无机层60进行刻蚀，干刻工艺对第二无机层50的刻蚀速度大于第三无机层60的刻蚀速度。

在另一实施例中，所述第二无机层50位于所述第一电极21朝向所述衬底10的一侧；所述至少一个无机层包括所述第三无机层，所述第三无机层的材料为绝缘材料；所述像素开口、所述第一开孔及所述第二开孔采用同一掩膜版同时形成。

在该实施例中，通过步骤120可得到如图10所示的第三中间结构。如图10所示，所述至少一个无机层30仅包括第三无机层60，第三无机层60仅包括绝缘材料层62。

在该实施例中，在步骤130中，由于位于第一电极21远离衬底10一侧的无机层仅有第三无机层60，第三无机层60仅包括绝缘材料层62，则第二无机层50与第三无机层60的刻蚀速度的不同不会影响像素开口侧面的形状，因而可通过一次刻蚀工艺同时形成像素开口301和隔断结构51。

在该实施例中，在步骤130之前，所述制备方法还包括：在所述第三无机层远离衬底的一侧形成掩膜层，将掩膜版置于掩膜层远离衬底的一侧，通过曝光显影工艺将掩膜版的图案转印到掩膜层上。通过该步骤可得到如图11所示的第四中间结构。如图11所示，所述掩膜层80设有多个通孔801和镂空部802，每一通孔801与一个第一电极21相对。在步骤130中通过通孔801对第三无机层进行刻蚀形成像素开口301，通过镂空部802对第二无机层和第三无机层进行刻蚀形成隔断结构51，从而得到图3所示的结构。

在再一个实施例中，通过步骤120得到如图12所示的第五中间结构。如图12所示，所述第三无机层60包括多个第一子无机层61及位于所述第一子无机层61远离所述衬底10一侧的绝缘材料层62，所述第一子无机层61的材料为金属氧化物。所述金属氧化物可为导电材料。

可选的，第一电极21包括金属层211及金属氧化物层212，所述金属氧化物层212覆盖所述金属层211远离所述衬底10的表面及所述金属层211的侧面，所述第一子无机层61与所述金属氧化物层212在同一工艺步骤中形成。进一步的，所述第一子无机层61与一个第一电极21的金属氧化物层212相连。

在该步骤中，所述对所述第二无机层及所述第三无机层同时进行刻蚀的步骤，包括如下过程：

首先，在所述多个无机层远离所述衬底的一侧形成掩膜层，所述掩膜层上设有镂空部，所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘至少部分位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内。

通过该步骤可得到如图13或图14所示的第六中间结构。如图13及图14所示，掩膜层80设有多个镂空部802和多个通孔801，每一通孔801与一个第一电极21相对。

图13所示的实施例中，所述第一子无机层61在所述衬底10上的正投影的边缘全部位于所述镂空部802在所述衬底10上的正投影内。图14所示的实施例中，所述第一子无机层61在所述衬底10上的正投影的边缘部分位于所述镂空部802在所述衬底10上的正投影内。

随后，通过所述镂空部对所述第二无机层及所绝缘材料层进行刻蚀，使所述第二无机层形成多个支撑部，所述绝缘材料层形成多个第二子无机层，得到多个所述隔断结构，所述隔断部包括所述第一子无机层及所述第二子无机层；所述隔断部超出所述支撑部的部分为凸出部，所述凸出部至少部分位于所述第一子无机层。

在该步骤中，可采用干刻工艺对第二无机层50和绝缘材料层62进行刻蚀，干刻工艺几乎不对第一子无机层61造成损伤。

第六中间结构如图13所示时，通过该步骤可得到如图4所示的结构。如图4所示，所述凸出部511全部位于所述第一子无机层61。第六中间结构如图14所示时，通过该步骤可得到如图5所示的结构。如图5所示，所述凸出部511的一部分位于所述第一子无机层61，另一部分位于所述第二子无机层621；相邻两个所述凸出部511的相邻端部中，其中一个所述凸出部511的端部位于所述第一子无机层61，另一所述凸出部511的端部位于所述第二子无机层621。

本申请实施例提供的显示基板的制备方法的实施例与显示基板的实施例属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，在此不再进行赘述。

本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一实施例所述的显示基板。

在一些实施例中，所述显示装置还包括外壳，显示基板嵌设在壳体内。

本申请实施例提供的显示装置可以为任意适当的显示装置，包括但不限于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (17)

1.一种显示基板， 其特征在于， 所述显示基板包括：

衬底；

位于所述衬底上的发光层，所述发光层包括多个间隔排布的发光结构，所述发光结构包括在远离所述衬底的方向上依次排布的第一电极、第一发光层、电荷生成层、第二发光层及第二电极；

位于所述第一发光层朝向所述衬底一侧的多个无机层；至少一个无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述至少一个无机层设有多个像素开口，每一所述像素开口暴露一个所述第一电极的至少部分，所述第一发光层至少部分位于所述像素开口内； 所述多个无机层包括位于所述第一电极朝向所述衬底一侧的第一无机层、位于所述第一无机层远离所述衬底一侧的第二无机层及位于所述第二无机层远离所述衬底一侧的第三无机层，所述第一无机层与所述第二无机层直接接触； 所述多个无机层设有多个间隔排布的隔断结构，所述隔断结构包括位于所述第二无机层的支撑部及位于所述第三无机层的隔断部，所述隔断部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部在所述衬底上的正投影的边缘外侧； 一个所述第一电极在所述衬底上的正投影落在一个所述支撑部在所述衬底上的正投影内； 所述电荷生成层在所述隔断结构处断开。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于， 所述第二无机层位于所述第一电极朝向所述衬底的一侧； 或者所述第二无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于， 所述第三无机层包括多个第一子无机层， 所述隔断部包括所述第一子无机层， 所述第一子无机层的材料为金属氧化物； 所述隔断部超出所述支撑部的部分为凸出部， 所述凸出部至少部分位于所述第一子无机层。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述凸出部全部位于所述第一子无机层； 或者， 所述金属氧化物为导电材料， 所述第三无机层还包括位于所述第一子无机层远离所述衬底一侧的绝缘材料层， 所述绝缘材料层包括多个第二子无机层， 所述隔断部包括所述第二子无机层， 所述凸出部的一部分位于所述第一子无机层， 另一部分位于所述第二子无机层； 相邻两个所述凸出部的相邻端部中，其中一个所述凸出部的端部位于所述第一子无机层， 另一所述凸出部的端部位于所述第二子无机层。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极包括金属层及金属氧化物层， 所述金属氧化物层覆盖所述金属层远离所述衬底的表面及所述金属层的侧面； 所述第一子无机层与所述金属氧化物层同层设置。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第一子无机层与相邻的所述第一电极相连。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第三无机层包括绝缘材料层， 所述绝缘材料层包括多个第二子无机层， 所述隔断部包括所述第二子无机层； 所述至少一个无机层包括所述绝缘材料层。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述衬底与所述第一无机层之间的驱动电路层， 所述第一无机层的材料的致密度大于所述第二无机层的材料的致密度。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一无机层的材料与所述第三无机层的材料相同； 所述第一无机层的材料的致密度大于所述第二无机层的材料的致密度。

10.根据权利要求1所述的显示基板， 其特征在于， 所述第二无机层位于所述第一电极朝向所述衬底的一侧， 所述显示基板还包括位于所述第二无机层与所述第一电极之间的第四无机层， 所述第四无机层的材料的致密度大于所述第二无机层的材料的致密度；所述隔断结构还包括位于所述第四无机层的辅助部， 所述辅助部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部位于所述衬底上的正投影的边缘外侧。

11.根据权利要求1所述的显示基板， 其特征在于， 所述第一无机层的厚度范围为50nm～200nm， 所述第二无机层的厚度范围为30nm～150nm， 所述第三无机层的厚度范围为10nm～100nm。

12.一种显示基板的制备方法，其特征在于， 所述制备方法包括：

提供衬底；

形成位于所述衬底上的多个第一电极及多个无机层； 所述多个无机层中的至少一个无机层位于所述第一电极远离所述衬底的一侧； 所述多个无机层包括位于所述第一电极朝向所述衬底一侧的第一无机层、位于所述第一无机层远离所述衬底一侧的第二无机层及位于所述第二无机层远离所述衬底一侧的第三无机层，所述第一无机层与所述第二无机层直接接触；

在所述至少一个无机层形成多个像素开口，每一所述像素开口暴露一个所述第一电极的至少部分；对所述第二无机层及所述第三无机层同时进行刻蚀，且对所述第二无机层的刻蚀速度分别大于对所述第一无机层的刻蚀速度及对所述第三无机层的刻蚀速度， 以形成多个隔断结构，所述隔断结构包括位于所述第二无机层的支撑部及位于所述第三无机层的隔断部，所述隔断部在所述衬底上的正投影的边缘位于所述支撑部在所述衬底上的正投影的边缘外侧；一个所述第一电极在所述衬底上的正投影落在一个所述支撑部在所述衬底上的正投影内；

依次形成第一发光层、位于所述第一发光层远离所述衬底一侧的电荷生成层、位于所述电荷生成层远离所述衬底一侧的第二发光层及位于所述第二发光层远离所述衬底一侧的第二电极； 所述第一发光层至少部分位于所述像素开口内，所述电荷生成层在所述隔断结构处断开。

13.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二无机层位于所述第一电极朝向所述衬底的一侧； 所述至少一个无机层包括所述第三无机层； 所述像素开口与所述隔断结构采用同一掩膜版形成。

14.根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于， 所述第三无机层包括多个间隔排布的第一子无机层及位于所述第一子无机层远离所述衬底一侧的绝缘材料层，所述第一子无机层的材料为金属氧化物；

所述对所述第二无机层及所述第三无机层同时进行刻蚀， 包括：

在所述多个无机层远离所述衬底的一侧形成掩膜层， 所述掩膜层上设有镂空部， 所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘至少部分位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内；

通过所述镂空部对所述第二无机层及所绝缘材料层进行刻蚀，使所述第二无机层形成多个支撑部， 所述绝缘材料层形成多个第二子无机层，得到多个所述隔断结构， 所述隔断部包括所述第一子无机层及所述第二子无机层；所述隔断部超出所述支撑部的部分为凸出部， 所述凸出部至少部分位于所述第一子无机层。

15.根据权利要求14所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘全部位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内， 所述凸出部全部位于所述第一子无机层； 或者，

所述第一子无机层在所述衬底上的正投影的边缘的部分位于所述镂空部在所述衬底上的正投影内， 所述凸出部的一部分位于所述第一子无机层， 另一部分位于所述第二子无机层； 相邻两个所述凸出部的相邻端部中，其中一个所述凸出部的端部位于所述第一子无机层， 另一所述凸出部的端部位于所述第二子无机层。

16.根据权利要求14所述的显示基板的制备方法， 其特征在于， 所述第一电极包括金属层及金属氧化物层， 所述金属氧化物层覆盖所述金属层远离所述衬底的表面及所述金属层的侧面， 所述第一子无机层与所述金属氧化物层在同一工艺步骤中形成。

17.一种显示装置， 其特征在于， 所述显示装置包括权利要求1至11任一项所述的显示基板。