CN117856612A - 功率变换器及其斜坡信号产生电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种功率变换器及其斜坡信号产生电路，所述功率变换器包括耦合在输入端和输出端之间的电感和功率晶体管，所述斜坡信号产生电路包括：斜坡信号产生模块，用于根据第一控制信号和第二控制信号产生周期性的斜坡信号；调节模块，用于根据所述第一控制信号的反相信号产生调节信号，所述调节信号用于调节所述斜坡信号的斜率，以使得所述斜坡信号在至少多个周期内的斜率不同，从而可以实现功率变换器在DCM模式与CCM模式之间的稳定切换，使输出电压保持稳定。

Description

功率变换器及其斜坡信号产生电路

技术领域

本发明涉及电源技术领域，特别涉及一种功率变换器及其斜坡信号产生电路。

背景技术

在电子产品中，已经广泛地采用功率变换器提供电子产品内部的电子器件的供电电压。例如，电子器件的供电电压高于电池电压，功率变换器用于将电池电压转换成电子器件的供电电压以使电子器件可以正确工作。

功率变换器通过控制开关器件(例如，晶体管、IGBT、MOSFET等)的开关动作，控制从功率变换器的输入端转移到输出端的电能，从而获得期望的输出电压和/或输出电流。可以通过各种控制策略和调制技术来实现开关器件的开关状态控制，如脉宽调制(PWM)、脉频调制(PFM)、脉位调制(PPM)、固定导通时间控制(COT)等。

采用固定导通时间控制(COT)实现开关控制的功率变换器具有快速响应和轻载高效的特点。但是采用固定导通时间控制(COT)的功率变换器受到噪声干扰时容易偏离理想导通时刻，产生次谐波震荡，影响电路的稳定工作。

图1示出根据现有技术的功率变换器的示意性电路图。功率变换器100采用固定导通时间控制(COT)实现开关控制，例如，包括控制电路110，该控制电路110根据电感电流IL的电流检测信号Vsen和输出电压Vo的电压反馈信号Vfb产生开关控制信号Vgs1和Vgs2。为了抑制次谐波振荡，控制电路110还包括斜坡信号产生电路101，用于产生斜坡信号V_RAMP，电流检测信号Vsen与斜坡信号V_RAMP相叠加产生叠加信号Vs1。斜坡信号V_RAMP用于补偿电流检测信号Vsen的斜率，使得叠加信号Vs1的斜率相对于电流检测信号Vsen的斜率增加，可以减少次谐波振荡的发生。现有技术中一般仅在电感电流连续模式(CCM)时加入斜坡信号V_RAMP，当负载处于CCM模式和电感电流断续模式(DCM)之间的临界状态时，斜坡信号V_RAMP的突然加入和撤出会导致输出电压Vo在CCM模式和DCM模式之间不断切换，会产生输出电压Vo不稳定的情况。

因此，有待提出一种新的功率变换器及其斜坡信号产生电路以解决上述问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种功率变换器及其斜坡信号产生电路，从而可以实现功率变换器在电感电流断续模式和电感电流连续模式之间稳定切换，使输出电压保持稳定。

根据本发明的一方面，提供一种用于功率变换器的斜坡信号产生电路，所述功率变换器包括耦合在输入端和输出端之间的电感和功率晶体管，所述斜坡信号产生电路包括斜坡信号产生模块，用于根据第一控制信号和第二控制信号产生周期性的斜坡信号；调节模块，用于根据所述第一控制信号的反相信号产生调节信号，所述调节信号用于调节所述斜坡信号的斜率，以使得所述斜坡信号在至少多个周期内的斜率不同。

可选地，所述调节模块配置为，当所述第一控制信号由第一电平切换为第二电平时，控制所述斜坡信号的斜率在至少连续的多个周期内逐渐增大；以及当所述第一控制信号由所述第二电平切换为所述第一电平时，所述斜坡信号的斜率在至少连续的多个周期内逐渐减小。

可选地，所述调节模块还配置为当所述斜坡信号的斜率增大和/或减小到设定阈值时，在之后的多个周期内控制所述斜坡信号的斜率不再变化。

可选地，所述斜坡信号产生模块包括第一电容；充电电流产生单元，与所述第一电容的第一端连接于第一节点，用于向所述第一电容提供一充电电流；放电控制单元，用于根据所述第一控制信号和所述第二控制信号控制所述第一电容对地放电，其中，当所述第一控制信号和第二控制信号均为所述第二电平时，所述充电电流对所述第一电容充电，当所述第一控制信号和/或所述第二控制信号为所述第一电平时，所述第一电容对地放电，以在所述第一节点产生三角波的第一电压信号；以及第一电压跟随单元，用于根据所述第一电压信号产生所述斜坡信号。

可选地，所述调节模块包括第二电容；上拉单元，与所述第二电容的第一端连接于第二节点，用于根据所述第一控制信号的反相信号向所述第二电容提供上拉电流；下拉单元，与所述第二节点连接，用于根据所述第一控制信号的反相信号向所述第二电容提供下拉电流；以及第二电压跟随单元，用于根据所述第二节点处的第二电压信号产生所述调节信号，所述调节信号用于调节所述充电电流的大小，其中，所述调节模块配置为，当所述第一控制信号的电平切换时，所述上拉单元和所述下拉单元中的一个开启，以在所述第二节点处得到线性变化的第二电压信号。

可选地，在所述第一控制信号为第二电平时，所述第二控制信号的产生与所述斜坡信号相关，所述第二控制信号为周期性的脉冲信号。

可选地，所述放电控制单元包括：或门，两个输入端分别接收所述第一控制信号和所述第二控制信号，输出端提供逻辑信号，第一晶体管，连接于所述第一节点与地之间，控制端接收所述逻辑信号；所述充电电流产生单元包括：依次连接于电源电压与所述第一节点的第一电流源和第二晶体管，所述第二晶体管的控制端连接其第一端；所述第一电压跟随单元包括：依次连接于所述电源电压与接地端之间的第三晶体管、第四晶体管、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第三晶体管的控制端连接其第二端，所述第四晶体管的控制端连接所述第二晶体管的控制端，所述第一电阻和所述第二电阻的公共节点提供所述斜坡信号。

可选地，所述上拉单元包括：依次连接于所述电源电压与所述第二节点之间的第二电流源、第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的控制端接收所述第一控制信号的反相信号，所述第六晶体管的控制端连接其第一端；所述下拉单元包括：依次连接于所述第二节点与接地端之间的第七晶体管和第八晶体管，以及依次连接于所述电源电压与接地端之间的第三电流源和第九晶体管，所述第七晶体管的控制端接收所述第一控制信号的反相信号，所述第八晶体管的控制端连接所述第九晶体管的控制端，所述第九晶体管的控制端还连接其第一端；所述第二电压跟随单元包括：依次连接于所述第一电流源与所述第二晶体管的公共节点与接地端之间的第十晶体管和第三电阻，所述第十晶体管的控制端连接所述第六晶体管的控制端。

可选地，所述第三晶体管和所述第五晶体管为PMOS管，所述第一至第二晶体管、所述第四晶体管、所述第六至第十晶体管为NMOS管。

根据本发明的另一方面，提供一种功率变换器，包括输入端和输出端，分别接收输入电压和提供输出电压；耦合在所述输入端和所述输出端之间的电感和功率晶体管；以及控制电路，用于产生所述功率晶体管的开关控制信号，在所述功率晶体管的导通状态下采用所述输入电压对所述电感充电，以及在所述功率晶体管的关断状态下所述电感放电，从而所述输出端产生所述输出电压，其中，所述控制电路包括上述所述的斜坡信号产生电路。

本发明提供的功率变换器及其斜坡信号产生电路，斜坡信号产生电路包括斜坡信号产生模块，用于根据第一控制信号和第二控制信号产生周期性的斜坡信号；调节模块，用于根据第一控制信号的反相信号产生调节信号，调节信号用于调节所述斜坡信号的斜率，以使得所述斜坡信号在至少多个周期内的斜率不同，从而可以实现功率变换器在DCM模式与CCM模式之间稳定切换，使输出电压保持稳定。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示出了根据现有技术的功率变换器的示意性电路图；

图2示出了根据现有技术的斜坡信号产生电路的示意性电路图；

图3a-图3b示出了图2所示的斜坡信号产生电路的时序示意图；

图4示出了根据本发明实施例的功率变换器的示意性电路图；

图5示出了根据本发明实施例的斜坡信号产生电路的示意性电路图；

图6示出了根据本发明实施例的斜坡信号产生电路的时序示意图。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中，相同的元件或者模块采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。

应当理解，在以下的描述中，“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件或电路“连接在”两个节点之间时，它可以直接耦合或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的，或者其结合。相反，当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。

同时，在本专利说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域普通技术人员应当可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本专利说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。

此外，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其它变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

图2示出根据现有技术的斜坡信号产生电路的示意性电路图。参见图2，现有技术的斜坡信号产生电路101包括依次连接于电源电压与地之间的晶体管Mp1、晶体管Mn1、电阻R1以及电阻R2，依次连接于电源电压与地之间的电流源I1、晶体管Mn2以及电容C1，连接于电容C1与地之间的晶体管Mn3，输出端与晶体管Mn3控制端连接的或门1011，其中，晶体管Mn1的控制端连接晶体管Mn2的控制端，晶体管Mn2的控制端还连接其第一端，晶体管Mp1的第二端连接其控制端，或门1011的两个输入端分别接控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT，R1:R2＝30：1，电阻R1和R2的公共节点提供斜坡信号V_RAMP。

图3a示出了采用图2所示的斜坡信号产生电路理论上的时序示意图。参见图3a，控制信号NO_RAMP用于控制斜坡信号产生电路101是否产生斜坡信号V_RAMP，控制信号MAIN_ON_SHOT用于控制产生斜坡信号NO_RAMP的周期。

当控制信号NO_RAMP为高电平时，不论控制信号MAIN_ON_SHOT的电平如何变换，斜坡信号产生电路101不产生斜坡信号V_RAMP，此时，电容C1的第一端被晶体管Mn3下拉至地，使得晶体管Mn2的控制端电压也随之减小，晶体管Mn1的第二端电压也随之减小，由于电阻R1与R2的电阻之比为30：1，因此，电阻R2上的压降很小，接近于0，故此时没有斜坡信号V_RAMP产生；当控制信号NO_RAMP跳变为低电平，且控制信号MAIN_ON_SHOT也为低电平时，晶体管Mn3关断，电流源I1给电容C1充电，使得晶体管Mn2的第二端电压上升，同理，斜坡信号V_RAMP随之上升，此时产生斜坡信号V_RAMP，斜坡信号V_RAMP在每个周期的斜率都相等。当控制信号NO_RAMP保持低电平，且控制信号MAIN_ON_SHOT跳变为高电平时，参见控制信号NO_RAMP为高电平时的原理，此时斜坡信号V_RAMP被下拉至接近0，即不产生斜坡信号V_RAMP。

图3b示出了图2所示的斜坡信号产生电路的实际时序示意图。参见图3b，当负载逐渐增大，功率变换器处于DCM模式向CCM模式切换的临界状态时，突然将斜坡信号V_RAMP加入使得系统判定输出电压Vo不够，需要打开功率晶体管Q2充电，以增加输出电压Vo，此时功率晶体管的开关频率增加，使得电感电流IL增大产生过冲，随后功率管Q1打开，电感电流IL下降过程中会掉到0，此时系统判定功率变换器处在DCM工作模式，使控制信号NO_RAMP跳变为高电平，撤出斜坡信号V_RAMP，随后重复上述过程。因此，在该负载条件下，系统会一直处于DCM模式和CCM模式之间不断切换的不稳定状态。同理，当负载逐渐减小，功率变换器处于CCM模式向DCM模式切换时的临界状态时，也会处于相同的不稳定状态。

基于此，本发明的发明人提出了一种新的功率变换器及其斜坡信号产生电路以解决上述问题。

图4示出了根据本发明实施例的功率变换器的示意性电路图。参见图4，功率变换器200例如包括功率晶体管Q1和Q2、电感L以及控制电路210。

功率变换器200采用固定导通时间控制(COT)实现开关控制，其中，电感L和功率晶体管Q1串联连接在输入端和接地端之间，功率晶体管Q2连接在电感L和功率晶体管Q1的中间节点和输出端之间。输入电容Cin连接在输入端和接地端之间，输出电容Co连接在输出端和接地端之间，用于获得平滑的输入电压Vin和输出电压Vo的波形。

进一步地，功率变换器200还包括串联连接在输出端和地之间的电阻R101和R102。在电阻R101和R102的中间节点获得输出电压Vo的电压反馈信号Vfb。功率变换器200还包括连接在功率晶体管Q1和接地端之间的电流检测器件(例如，采样电阻)，用于在功率晶体管Q1的导通状态下获得电感电流IL的电流检测信号Vsen。

控制电路210包括斜坡信号产生电路201、误差放大器11、叠加模块12、比较器13、电阻R103、电容C101和C102。误差放大器11的同相输入端和反相输入端分别接收参考电压Vref和电压反馈信号Vfb。误差放大器11例如是跨导放大器，用于将电压反馈信号Vfb和参考电压Vref的差分电压转换成输出电流。电阻R103和电容C101串联连接在误差放大器11的输出端和地之间，误差放大器11产生的输出电流经由电阻R103对电容C101进行充电，从而将误差放大器11产生的输出电流转换成补偿信号Vcomp。电容C102连接在误差放大器11的输出端和地之间，用于获得补偿信号Vcomp的平滑电压波形。斜坡信号产生电路201用于产生斜坡信号V_RAMP。叠加模块12将电感电流IL的电流检测信号Vsen与斜坡信号V_RAMP相叠加以产生叠加信号Vs1。比较器13的同相输入端和反相输入端分别接收叠加信号Vs1和补偿信号Vcomp，对二者进行比较以产生比较信号。

进一步地，控制电路210还包括COT控制电路14以及逻辑驱动电路15。如上所述，控制电路210根据电压反馈信号Vfb和电流检测信号Vsen产生比较信号。COT控制电路14根据比较信号产生脉宽调制信号PWM。逻辑驱动电路15根据脉宽调制信号PWM获得开关控制信号Vgs1和Vgs2。

在功率晶体管Q1导通时，功率晶体管Q2关断。功率变换器200的输入端接收输入电压Vin，对电感L充电。电感电流IL依次流经电感L和功率晶体管Q1。在功率晶体管Q1关断时，功率晶体管Q2导通。电感L经由晶体管Q2向输出端放电，从而产生输出电压Vo。在连续的开关周期中，输出电容Co对输出电压Vo进行滤波以获得平滑的电压波形。

根据该实施例的功率变换器，电流检测信号Vsen与斜坡信号V_RAMP相叠加产生叠加信号Vs1。斜坡信号V_RAMP用于补偿电流检测信号Vsen的斜率，使得叠加信号Vs1的斜率相对于电流检测信号Vsen的斜率增加，可以减少次谐波振荡的发生。

图5示出了根据本发明实施例的斜坡信号产生电路的示意性电路图。参见图5，斜坡信号产生电路201包括斜坡信号产生模块220以及调节模块230。

斜坡信号产生模块220用于根据控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT产生周期性的斜坡信号V_RAMP。其中，控制信号NO_RAMP表征功率变换器的工作模式，例如，当功率变换器工作于CCM模式时，控制信号NO_RAMP为第二电平，当功率变换器工作于DCM模式时，控制信号NO_RAMP为第一电平。在控制信号NO_RAMP为第二电平时，控制信号MAIN_ON_SHOT的产生与斜坡信号V_RAMP相关。

可选的，第一电平为高电平，第二电平为低电平。

调节模块230用于根据控制信号NO_RAMP的反相信号NO_RAMPB产生调节信号，所述调节信号用于调节斜坡信号V_RAMP的斜率，以使得斜坡信号V_RAMP在至少多个周期内的斜率不同。

此外，斜坡信号产生电路201还包括反相器2311，用于将控制信号NO_RAMP反相为信号NO_RAMPB。

调节模块230配置为在控制信号NO_RAMP由第一电平跳变为第二电平时，控制斜坡信号V_RAMP的斜率在至少连续的多个周期内逐渐增大，以及在控制信号NO_RAMP由第二电平跳变为第一电平时，控制斜坡信号V_RAMP的斜率在至少连续的多个周期内逐渐减小，当斜坡信号V_RAMP的斜率逐渐增大或者减小到设定阈值时，在之后的周期内控制斜坡信号V_RAMP的斜率不再发生变化。

斜坡信号产生模块220包括电容C1、放电控制单元221、充电电流产生单元222以及电压跟随单元223。电容C1连接于节点A与接地端之间，放电控制单元221用于根据控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT对电容C1放电，充电电流产生单元222与电容C1的第一端连接于节点A，用于向电容C1提供一充电电流，其中，当控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT均为第二电平时，所述充电电流对电容C1充电，当控制信号NO_RAMP和/或控制信号MAIN_ON_SHOT为第一电平时，电容C1对地放电，以在节点A处产生第一电压信号，所述第一电压信号为三角波信号。电压跟随单元223用于根据所述第一电压信号产生斜坡信号V_RAMP。

放电控制单元221包括或门2211和晶体管Mn3，或门2211的两个输入端分别接控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT，或门2211输出端连接晶体管Mn3的控制端，晶体管Mn3连接于节点A与接地端之间。

或门2211用于根据控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT输出逻辑信号。其中，在控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT均为第二电平时，所述逻辑信号控制晶体管Mn3关断，在控制信号NO_RAMP和/或控制信号MAIN_ON_SHOT为第一电平时，所述逻辑信号控制晶体管Mn3导通，以控制电容C1对地放电。

充电电流产生单元222包括依次连接于电源电压与接地端之间的电流源I1和晶体管Mn2，晶体管Mn2的控制端连接其第一端。其中，晶体管Mn2的第二端提供所述充电电流，电流源I1提供第一电流，所述第一电流的电流值等于所述充电电流的电流值与所述调节信号的电流值之和。

电压跟随单元223包括依次连接于电源电压与地之间的晶体管Mp1、晶体管Mn1、电阻R1以及电阻R2，晶体管Mp1的第二端连接其控制端，晶体管Mn1的控制端连接晶体管Mn2的控制端，电阻R1和R2的公共节点提供斜坡信号V_RAMP。

可选地，电阻R1的阻值远大于电阻R2的阻值。示例的，R1:R2为30：1。

调节模块230包括电容C2、上拉单元231、下拉单元232以及电压跟随单元233。电容C2连接于节点B与接地端之间，上拉单元231与电容C2的第一端连接于节点B，用于根据控制信号NO_RAMP的反相信号NO_RAMPB向电容C2提供上拉电流，下拉单元232与节点B连接，用于根据控制信号NO_RAMP的反相信号NO_RAMPB向电容C2提供下拉电流，电压跟随单元233用于根据节点B处的第二电压信号产生所述调节信号，所述调节信号用于调节所述充电电流的大小，其中，调节模块230配置为当控制信号NO_RAMP电平切换时，上拉单元231和下拉单元232的其中一个开启，以在节点B处得到线性变化的第二电压信号。

上拉单元231包括依次连接于电源电压与节点B之间的电流源I3、晶体管Mp2和晶体管Mn7。晶体管Mp2的控制端接收控制信号NO_RAMP的反相信号NO_RAMPB，晶体管Mn7的控制端连接其第一端。

下拉单元232包括依次连接于节点B与接地端之间的晶体管Mn6和晶体管Mn5，以及依次连接于电源电压与接地端之间的电流源I2和晶体管Mn4。晶体管Mn6的控制端接收控制信号NO_RAMP的反相信号NO_RAMPB，晶体管Mn4和Mn5的控制端连接，晶体管Mn4的第一端连接其控制端。

电压跟随单元233包括依次连接于电流源I1与晶体管Mn2的公共节点与接地端之间的晶体管Mn8和电阻R3，晶体管Mn8的控制端连接晶体管Mn7的控制端，晶体管Mn8的第一端提供所述调节信号。

可选的，晶体管Mp1和Mp2为PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor)管。PMOS的第一端为源端，第二端为漏端，控制端为栅端。

可选的，晶体管Mn1-Mn8为NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor)管。NMOS的第一端为漏端，第二端为源端，控制端为栅端。

本发明实施例提供的斜坡信号产生电路220，在功率变换器处于由DCM模式向CCM模式切换的临界状态时，控制信号NO_RAMP由第一电平跳变为第二电平，其反相信号NO_RAMPB跳变为第一电平，使得晶体管Mp2关断，晶体管Mn6导通，电容C2上的电荷通过晶体管Mn5放电，使得节点B的电压降低，由于流经晶体管Mn7的这一支路的电流为由电流源I3提供的固定电流，且电容放电是一个缓慢的过程，因此，晶体管Mn7的第二端电压和控制端电压逐渐减小，使得晶体管Mn8的第二端电压也会相应的逐渐减小，即流经电阻R3的调节信号的电流会逐渐减小，这样流经晶体管Mn2的充电电流会逐渐增大，使得晶体管Mn2的第二端电压和控制端电压逐渐增大，则晶体管Mn1的第二端电压也会逐渐增大，使得斜坡信号V_RAMP的斜率也会逐渐增大，经过多个周期的累积后，斜坡信号V_RAMP的斜率达到设定阈值，该设定阈值与现有技术斜坡信号的斜率相同。

在功率变换器处于由CCM模式向DCM模式切换的临界状态时，控制信号NO_RAMP由第二电平跳变为第一电平，其反相信号NO_RAMPB跳变为第二电平，使得晶体管Mp2导通，晶体管Mn6关断，此时，电流源I3给电容C2充电，使得晶体管Mn7的第二端电压逐渐增大，同理，晶体管Mn8的第二端电压也会逐渐增大，使得流经电阻R3的调节信号的电流值逐渐增大，则流经晶体管Mn2的充电电流逐渐减小，使得斜坡信号V_RAMP的斜率也会逐渐减小，经过多个周期的累积后，斜坡信号V_RAMP的斜率减小至设定阈值，该设定阈值等于零。

图6示出了根据本发明实施例的斜坡信号产生电路的时序示意图。

参见图6，在t1时刻，控制信号NO_RAMP由高电平跳变为低电平，则在t1时刻之后的第一个周期斜坡信号V_RAMP的斜率较小，之后每个周期斜坡信号V_RAMP的斜率都会增大一点，直至斜坡信号V_RAMP的斜率达到设定阈值。

当控制信号NO_RAMP由低电平跳变为高电平时，斜坡信号V_RAMP的变化也为类似的过程。

本发明实施例提供的功率变换器200及其斜坡信号产生电路201，斜坡信号产生电路201包括斜坡信号产生模块220和调节模块230，斜坡信号产生模块220用于根据控制信号NO_RAMP和控制信号MAIN_ON_SHOT产生周期性的斜坡信号V_RAMP，调节模块230用于根据控制信号NO_RAMP的反相信号V_RAMPB调节斜坡信号V_RAMP的斜率，以使得斜坡信号V_RAMP在至少多个周期内的斜率不同，从而实现功率变换器在DCM模式与CCM模式之间切换时斜坡信号V_RAMP的缓进缓出，保证了功率变化器在DCM模式与CCM模式之间的稳定切换，使功率变换器的输出电压保持稳定。

依照本发明的实施例如上文，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明的保护范围应当以本发明权利要求及其等效物所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种用于功率变换器的斜坡信号产生电路，所述功率变换器包括耦合在输入端和输出端之间的电感和功率晶体管，所述斜坡信号产生电路包括：

斜坡信号产生模块，用于根据第一控制信号和第二控制信号产生周期性的斜坡信号；

调节模块，用于根据所述第一控制信号的反相信号产生调节信号，所述调节信号用于调节所述斜坡信号的斜率，以使得所述斜坡信号在至少多个周期内的斜率不同。

2.根据权利要求1所述的斜坡信号产生电路，其中，所述调节模块配置为，当所述第一控制信号由第一电平切换为第二电平时，控制所述斜坡信号的斜率在至少连续的多个周期内逐渐增大；以及

当所述第一控制信号由所述第二电平切换为所述第一电平时，所述斜坡信号的斜率在至少连续的多个周期内逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的斜坡信号产生电路，其中，所述调节模块还配置为当所述斜坡信号的斜率增大和/或减小到设定阈值时，在之后的多个周期内控制所述斜坡信号的斜率不再变化。

4.根据权利要求2所述的斜坡信号产生电路，其中，所述斜坡信号产生模块包括：

第一电容；

充电电流产生单元，与所述第一电容的第一端连接于第一节点，用于向所述第一电容提供一充电电流；

放电控制单元，用于根据所述第一控制信号和所述第二控制信号控制所述第一电容对地放电，其中，当所述第一控制信号和第二控制信号均为所述第二电平时，所述充电电流对所述第一电容充电，当所述第一控制信号和/或所述第二控制信号为所述第一电平时，所述第一电容对地放电，以在所述第一节点产生三角波的第一电压信号；以及

第一电压跟随单元，用于根据所述第一电压信号产生所述斜坡信号。

5.根据权利要求4所述的斜坡信号产生电路，其中，所述调节模块包括：

第二电容；

上拉单元，与所述第二电容的第一端连接于第二节点，用于根据所述第一控制信号的反相信号向所述第二电容提供上拉电流；

下拉单元，与所述第二节点连接，用于根据所述第一控制信号的反相信号向所述第二电容提供下拉电流；以及

第二电压跟随单元，用于根据所述第二节点处的第二电压信号产生所述调节信号，所述调节信号用于调节所述充电电流的大小，

其中，所述调节模块配置为，当所述第一控制信号的电平切换时，所述上拉单元和所述下拉单元中的一个开启，以在所述第二节点处得到线性变化的第二电压信号。

6.根据权利要求1所述的斜坡信号产生电路，其中，在所述第一控制信号为第二电平时，所述第二控制信号的产生与所述斜坡信号相关，所述第二控制信号为周期性的脉冲信号。

7.根据权利要求5所述的斜坡信号产生电路，其中，

所述放电控制单元包括：或门，两个输入端分别接收所述第一控制信号和所述第二控制信号，输出端提供逻辑信号，

第一晶体管，连接于所述第一节点与地之间，控制端接收所述逻辑信号；

所述充电电流产生单元包括：依次连接于电源电压与所述第一节点的第一电流源和第二晶体管，所述第二晶体管的控制端连接其第一端；

所述第一电压跟随单元包括：依次连接于所述电源电压与接地端之间的第三晶体管、第四晶体管、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第三晶体管的控制端连接其第二端，所述第四晶体管的控制端连接所述第二晶体管的控制端，所述第一电阻和所述第二电阻的公共节点提供所述斜坡信号。

8.根据权利要求7所述的斜坡信号产生电路，其中，

所述上拉单元包括：依次连接于所述电源电压与所述第二节点之间的第二电流源、第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的控制端接收所述第一控制信号的反相信号，所述第六晶体管的控制端连接其第一端；

所述下拉单元包括：依次连接于所述第二节点与接地端之间的第七晶体管和第八晶体管，以及依次连接于所述电源电压与接地端之间的第三电流源和第九晶体管，所述第七晶体管的控制端接收所述第一控制信号的反相信号，所述第八晶体管的控制端连接所述第九晶体管的控制端，所述第九晶体管的控制端还连接其第一端；

所述第二电压跟随单元包括：依次连接于所述第一电流源与所述第二晶体管的公共节点与接地端之间的第十晶体管和第三电阻，所述第十晶体管的控制端连接所述第六晶体管的控制端。

9.根据权利要求8所述的斜坡信号产生电路，其中，所述第三晶体管和所述第五晶体管为PMOS管，所述第一至第二晶体管、所述第四晶体管、所述第六至第十晶体管为NMOS管。

10.一种功率变换器，包括：

输入端和输出端，分别接收输入电压和提供输出电压；

耦合在所述输入端和所述输出端之间的电感和功率晶体管；以及

控制电路，用于产生所述功率晶体管的开关控制信号，在所述功率晶体管的导通状态下采用所述输入电压对所述电感充电，以及在所述功率晶体管的关断状态下所述电感放电，从而所述输出端产生所述输出电压，

其中，所述控制电路包括根据权利要求1至9中任一项所述的斜坡信号产生电路。