CN117836919A - 用于减少基板冷却时间的设备及方法 - Google Patents

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托马斯·阿克曼
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Abstract

本发明描述用于减少冷却腔室中的冷却时间的方法及设备。该方法及设备包括处理腔室、传送腔室、传送腔室中的双搬运传送机器人以及冷却腔室。所使用的双搬运传送机器人将基板在处理腔室与冷却腔室之间传送。将基板移动至冷却腔室中之前基板设置于双搬运传送机器人上的时间量乘以校正因子并将其自原始冷却时间减去，得到调整后冷却时间。单独为在冷却腔室中冷却的每一基板确定调整后冷却时间。

Description

用于减少基板冷却时间的设备及方法
背景
领域
本公开内容的实施方式一般涉及用于处理基板的设备及方法。更具体而言，本公开内容涉及用于在半导体制造工艺期间提高基板的处理量的设备及方法。
相关技术的描述
半导体制造中的许多应用利用一个或多个外延层的沉积。外延沉积是相对慢的工艺，对处理量提出挑战。
随着技术的发展，用于外延沉积应用的功率器件工艺的情况正发生变化。目前的趋势倾向于更薄的外延层以及在每一基板清洁操作之间使基板进行多个沉积操作。
已证明减小外延层厚度可将限制时间因子自外延沉积操作本身转移至基板装载及卸除操作。在一些情况下，由于装载/卸除基板有延迟，因此一个或多个处理腔室长时间处于未使用的状态。
因此，需改良装载/卸除机制，并且需要提高处理量的方法。
概述
在一个实施方式中，描述了适用于半导体制造中的处理基板的方法。该方法包括：用具有两个或两个以上臂的传送机器人自处理腔室移除第一基板；将第一基板移动至传送腔室中；将第一基板移动至冷却腔室中；确定第一基板在传送腔室中的等待时间；取决于等待时间确定冷却因子；使用冷却因子及所确定的原始冷却时间确定调整后冷却时间。
在另一实施方式中，描述了适用于半导体制造中的处理基板的方法。该方法包括以下工艺操作：(a)使用传送机器人的第一臂自处理腔室移除第一基板；(b)将第一基板移动至传送腔室中；(c)将第二基板在传送机器人的第二臂上移动至处理腔室中；(d)将第一基板移动至冷却腔室中；(e)确定第一臂上的第一基板在传送腔室中的等待时间；(f)取决于等待时间确定冷却因子；及(g)使用冷却因子及所确定的原始冷却时间确定调整后冷却时间。
在另一实施方式中，描述了适合在半导体处理期间使用的处理系统。该处理系统包括：传送腔室，包含具有第一臂及第二臂的传送机器人；多个处理腔室，耦接至传送腔室；一个或多个冷却腔室；及控制器，存储指令。控制器中存储的指令实现以下工艺操作：使用传送机器人的第一臂自多个处理腔室中的一者移除第一基板；将第一基板移动至传送腔室中；将第一基板移动至冷却腔室中；确定第一基板在传送腔室中的等待时间；取决于等待时间确定冷却因子；使用冷却因子及所确定的原始冷却时间确定调整后冷却时间。
附图简要说明
为了详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可参考实施方式更特定地描述上文简要概述的本公开内容，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示例示性实施方式，并且因此不应认为其限制本公开内容的范围，因为可承认其他等效的实施方式。
图1是根据一个或多个实施方式的处理系统的平面示意图。
图2是根据一个或多个实施方式的可用于执行沉积工艺的处理腔室的截面示意图。
图3是根据一个或多个实施方式的冷却腔室的截面示意图。
图4A至图4B是根据一个或多个实施方式的传送机器人的示意图。
图5图示根据一个或多个实施方式的冷却基板的方法。
图6图示根据一个或多个实施方式的基板冷却时间与等待时间相关性的图表。
为便于理解，在可能的情况下以使用相同的附图标记来标明图中共同的相同要素。设想一个实施方式的要素及特征可在无进一步叙述的情况下有益地包括于其他实施方式中。
具体描述
本公开内容涉及用于减少处理系统中基板的待处理量(backlog)的设备及方法。更具体而言，本公开内容涉及用于减少冷却腔室中的基板冷却时间的设备及方法。随着处理腔室中处理基板的时间量减少，自处理腔室装载及卸除基板的时间量成为限制因素。实施具有两个或两个以上基板搬运器的传送机器人减少了装载及卸除的时间量。随着装载及卸除时间减少，冷却腔室中冷却基板的时间成为处理系统中的总基板处理量的限制因素。
在传送机器人经配置以保持两个基板的实施方式中，使用第一搬运臂自处理腔室卸除第一基板，同时由第二搬运臂保持第二基板。自处理腔室移除时，第一基板是热的。一旦自处理腔室卸除第一基板，将第二基板插入至处理腔室中。当将第二基板插入至处理腔室中时，第一基板在第一臂上是闲置的。一旦将第二基板装载至处理腔室中，随后将第一基板插入至冷却腔室中。冷却腔室对第一基板执行冷却工艺，同时在处理腔室中处理第二基板。在一些实施方式中，第二基板在处理腔室中的时间量少于第一基板在冷却腔室中的时间量。也在附接至处理系统的另外的处理腔室中处理额外的基板。冷却腔室还用作处理系统的出口路径。因此，随着处理腔室中的每一者中处理额外的基板，基板等待插入至冷却腔室并由其冷却的时间导致处理系统中出现待处理量。
如本文所讨论，调节处理系统中的冷却时间，使得将每一基板在冷却腔室中安置预定的时间。预定时间可为一最小时间，其基于冷却腔室中的温度测量结果增加。预定时间使基板在自冷却腔室卸除之前在预定的温度之下冷却。冷却时间可为约60秒至约80秒的默认值时间，例如约65秒至约75秒。本文描述的实施方式提供减少个别基板的预定时间并提高处理系统的总处理量的方法。
可通过考虑每一基板在传送机器人的搬运臂上的等待时间来减少基板通过冷却腔室的冷却时间。当自处理腔室移除第一基板后用搬运臂保持第一基板时，在传送腔室中冷却第一基板。热基板在传送腔室空间中耗散热，使得基板在置于传送腔室中时基板的温度下降。
基板的冷却是传送腔室的传送腔室空间中的温度及气流条件的副产物。在一些实施方式中，传送腔室包含恒定的氮气净化，使得传送腔室空间充满氮气净化气体，并且传送腔室空间中及包围基板的氮气净化气体的温度是相对恒定的。对于处理系统中处理的每一基板，第一基板在传送至冷却腔室中之前由搬运臂保持的时间量是不同的。搬运臂上的等待时间的变化取决于处理系统的其他部分中的处理顺序。通过追踪每一基板在传送腔室中的传送机器人的搬运臂上的时间量，可单独调整并减少每一基板的冷却时间。
处理系统中的控制器经配置以确定自处理腔室取出热基板后基板中的每一者在传送腔室中的等待时间。还可根据历史处理数据或工艺仿真估计等待时间。利用等待时间减少每一冷却腔室中的总冷却时间。如本文所描述，由控制器确定的等待时间乘以冷却变量(例如安全因子)，以确定冷却因子。冷却变数可为约0.5至约1.0，例如约0.6至约0.8，例如约0.6至约0.7。冷却因子是估计的冷却时间的减少量。自冷却腔室中的总冷却时间减去冷却因子，以形成调整后的冷却工艺。总冷却时间可为预定的冷却时间。如果不补偿冷却因子，则相比于总冷却时间，调整后的冷却工艺具有大体而言较低的每基板冷却时间。已证明调整后的冷却工艺提高处理系统的总处理量。在一些实施方式中，因考虑传送腔室中的冷却引起的处理量提高可将处理系统的处理量提高高达10％。因此，使用本文描述的方法可提高总处理量，同时不增加处理成本。
图1是根据一个或多个实施方式的半导体处理系统100的实例的平面示意图。处理系统100大体而言包括工厂接口102，装载锁定腔室104、106，具有传送机器人118的传送腔室116以及处理腔室124、126、128、130。如本文所详述，可在不暴露于处理系统100之外的环境的情况下，在各个腔室中对处理系统100中的基板加以处理，并在各个腔室之间传送基板。举例而言，可在低压(例如低于或等于约300托)下或在真空环境中在各个腔室中处理基板且在各个腔室之间传送基板，并且在对处理系统100中的基板执行各个工艺之间不破坏低压或真空环境。因此，处理系统100可为基板的某些处理提供集成解决方案。
可根据本文提供的公开内容适当修改的处理系统的实例包括 或/>集成处理系统或位于加州圣克拉拉市的应用材料公司市售的其他合适的处理系统。设想可调适其他处理系统(包括其他制造商的那些处理系统)以自本文描述的方面受益。
在图1图标的实例中，工厂接口102包括对接站140以及布置于对接站140中的工厂接口机器人142以便于基板的传送。将对接站140耦接至一个或多个前开式标准舱(frontopening unified pod；FOUP)144。在一些实例中，每一工厂接口机器人142大体包含布置于各别的工厂接口机器人142的一端上的叶片148，该叶片148经配置以将基板自工厂接口102传送至装载锁定腔室104、106。
装载锁定腔室104、106具有耦接至工厂接口102的各别的端口150、152以及耦接至传送腔室116的各别的端口154、156。传送腔室116具有耦接至处理腔室124、126、128、130的各别的端口170、172、174、176。举例而言，端口154、156、170、172、174、176可为具有狭缝阀的狭缝开口，狭缝阀用于由传送机器人118使基板通过端口以及在各别的腔室之间提供密封以防止气体在各别的腔室之间通过。大体上，任何端口都是打开的，以用于经由其传送基板；否则端口是关闭的。传送机器人118可为双搬运器机器人，使得传送机器人118经配置以同时搬运两个基板。
可将装载锁定腔室104、106，传送腔室116以及处理腔室124、126、128、130流体地耦接至气体及压力控制系统。气体及压力控制系统可包括一个或多个气泵(例如涡轮泵、低温泵、粗调泵等)、气体源、各种阀以及流体地耦接至各个腔室的导管。在操作中，工厂接口机器人142将基板经由端口150或152自FOUP 144传送至装载锁定腔室104或106。气体及压力控制系统随后将装载锁定腔室104或106抽空。气体及压力控制系统进一步维持传送腔室116的内部低压或真空环境(其中可包括惰性气体)。因此，抽空装载锁定腔室104或106有利于在(例如)工厂接口102的大气环境与传送腔室116的低压或真空环境之间传输基板。
装载锁定腔室104、106中的一者或两者经配置以冷却基板。因此，装载锁定腔室104、106可称为冷却(cool-down)腔室或冷却(cooling)腔室。装载锁定腔室104、106经配置以使基板在通过其中。在本文描述的实例中，在处理腔室124、126、128、130中的一者中处理基板之后，可将该基板插入至装载锁定腔室104中。在将基板移动至对接站140之前，在装载锁定腔室104中冷却基板。
处理腔室124、126、128、130可为用于处理基板的任何合适的腔室。在一些实例中，处理系统内包含额外的传送腔室及处理腔室，使得至少一个处理腔室能够执行清洁工艺并且另一处理腔室能执行蚀刻工艺。处理腔室124、126、128、130中的每一者能执行沉积工艺，例如外延生长工艺。清洁腔室可为加州圣克拉拉市的应用材料公司提供的SiCoNiTM预清洁腔室。蚀刻腔室可为加州圣克拉拉市的应用材料公司提供的SelectraTM蚀刻腔室。也考虑其他腔室，包括其他制造商提供的那些腔室。在一些实施方式中，处理腔室124、126、128、130中的一者是与装载锁定腔室104、106分离的冷却(cooling)腔室或冷却(cool-down)腔室。
将系统控制器190耦接至处理系统100，以控制处理系统100或其部件。举例而言，系统控制器190可由直接控制处理系统100的腔室104、106、116、124、126、128、130或由控制与腔室104、106、116、124、126、128、130相关的控制器控制处理系统100的操作。在操作中，系统控制器190实现自各别的腔室收集数据并且获得回馈，以协调处理系统100的性能。
系统控制器190大体而言包括中央处理单元(central processing unit；CPU)192、存储器194及支持电路196。CPU 192可为任何形式的可用于工业环境的通用处理器。存储器194(或非暂时性计算机可读介质)可由CPU 192存取，且可为诸如随机存取存储器(random access memory；RAM)、只读存储器(read only memory；ROM)、软磁盘、硬盘或任何其他形式的本端或远程的数字储存器的内存中的一者或多者。支持电路196耦接至CPU192，可包含高速缓存、时钟电路、输入/输出子系统、电源及类似者。大体可由CPU 192执行作为(例如)软件例程存储于存储器194中(或特定处理腔室的存储器中)的计算机指令代码，在CPU 192的控制下实施本文公开的各个方法。当CPU 192执行计算机指令代码时，CPU192控制腔室以执行根据各个方法的工艺。其他处理系统可呈其他配置。举例而言，可将更多或更少处理腔室耦接至传送设备。
图2是可用于执行沉积工艺的处理腔室200的截面示意图。处理腔室200可用作处理腔室124、126、128、130中的任一者。使用处理腔室200在基板(例如基板202)上生长外延膜。处理腔室200在基板202的顶表面250上形成前驱物的交叉流。
处理腔室200包含上主体256、位于上主体250下方的下主体248、位于上主体256与下主体248之间的流动模块212。上主体256、流动模块212及下主体248形成腔室主体。腔室主体中设置有基板支撑件206、上圆顶208、下圆顶210、多个上部灯241以及多个下部灯243。如图所示，控制器190与处理腔室200连通，且用于控制工艺，例如本文描述的那些工艺。在上圆顶208与下圆顶210之间设置基板支撑件206。多个上部灯241位于上圆顶208与盖子254之间。盖子254包含设置于其中的多个传感器253，其用于测量处理腔室200中的温度。多个下部灯243位于下圆顶210与底板252之间。多个下部灯243形成下部灯组件245。
上圆顶208与下圆顶210之间形成处理空间236。处理空间236包含设置于其中的基板支撑件206。基板支撑件206包含顶表面，将基板202设置于该顶表面上。基板支撑件206连接至轴218。轴218连接至运动组件221。运动组件221包括一个或多个致动器和/或调整装置，致动器和/或调整装置使处理空间236中的轴218和/或基板支撑件206移动和/或调整。运动组件221包含旋转致动器222，旋转致动器222使轴218和/或基板支撑件206围绕处理腔室200的纵轴A旋转。运动组件221进一步包含使基板支撑件206沿z方向升高或降低的垂直致动器224。运动组件包含：倾斜调整装置226，其用于调整基板支撑件206的平面定向；和侧向调整装置228，其用于左右调整轴218及基板支撑件206在处理空间236中的位置。
基板支撑件206可包含设置于其中的升举销孔207。调整升举销孔207的大小以容纳升举销232，从而在执行沉积工艺之前或之后将基板202自基板支撑件206提升。当基板支撑件206自处理位置下降至传送位置时，可将升举销232置于升举销挡板234上。
流动模块212包含多个工艺气体入口214、多个净化气体入口264以及一个或多个排气出口216。将多个处理气体入口214及多个净化气体入口264设置于流动模块212的与一个或多个排气出口216相对的一侧上。将一个或多个导流器246设置于多个处理气体入口214及一个或多个排气出口216下方。将导流器246设置于净化气体入口264上方。在流动模块212的内表面上设置衬垫263，且保护流动模块212不受沉积工艺期间使用的反应气体的影响。安置处理气体入口214及净化气体入口264，使气体平行于处理空间236中布置的基板202的顶表面250而流动。将处理气体入口214流体地连接至处理气体源251。将净化气体入口264流体地连接至净化气体源262。将一个或多个排气出口216流体地连接至排气泵257。处理气体源251及净化气体源262中的任一者可经配置以将一种或多种前驱物或处理气体供应至处理空间236中。
图3是冷却腔室300的截面示意图。冷却腔室300可作为装载锁定腔室104、106中的任一者或两者来使用。在一些实施方式中，冷却腔室300可为处理腔室124、126、128、130中的一者。处理腔室300经配置以冷却基板，例如基板202。将基板202安置于冷却底座304上。冷却底座304经配置以冷却基板202。将冷却底座304设置于腔室主体302中。腔室主体302形成处理空间320。将处理空间320保持于真空中。
将冷却底座304设置于处理空间320中。冷却底座304包含支撑板306。支撑板306是环形板，经配置以支撑基板202的外缘。将基板202的外缘安放在支撑板306的支撑凸部308上。支撑板306的中心部分是打开的。在开口中及基板202的底表面318与冷却底座304的顶表面316之间设置气室314。不直接将基板202设置于冷却底座304的顶表面316上，以避免使基板202的底表面318相对于顶表面250快速冷却。使基板202与冷却底座304分离，以进一步减少基板202受冷却底座304的材料的污染。冷却底座304由例如金属或金属合金的导热材料形成。
将一个或多个冷却元件310经由冷却底座304设置。冷却元件310有助于调节冷却底座304的温度。在一些实施方式中，冷却元件310包含一个或多个冷却通道。一个或多个冷却通道可包含穿过其流动的冷却流体(例如冷却水)。自冷却剂源312提供冷却流体。也将处理空间320保持于相对冷的温度下。冷却底座304及处理空间320中的一者或两者的温度在约200℃以下，例如约100℃以下，例如约75℃以下。
图4A至图4B是传送机器人118的示意图。如图4A所示，将传送机器人118设置于传送腔室116中。传送机器人118包括第一臂408及第二臂410。第一臂408包括第一搬运器412。第二臂410包括第二搬运器414。第一搬运器412及第二搬运器414中的每一者经配置以保持基板，例如基板202。
将第一臂408及第二臂410连接至机器人致动轴406。机器人致动轴406以轴线C为中心。轴线C是第一臂408及第二臂410的移动所围绕的轴线。将机器人致动轴406机械或磁性耦接至致动器404。在一些实施方式中，由磁铁将第一臂408、第二臂410及机器人致动轴406耦接至致动器404，使得将致动器404设置于传送腔室116的真空环境外并且密封性得以提高。致动器404经配置以使机器人致动轴406旋转并移动第一臂408及第二臂410。
将致动器404设置于机器人支撑轴402顶部且与机器人支撑轴402机械地耦接。机器人支撑轴402经配置以支撑传送机器人118。
如图4B所示，将第一臂408及第二臂410中的每一者相对设置，使得将第一臂408及第二臂410设置于机器人致动轴406的相对侧上。可独立操作或非独立操作第一臂408及第二臂410中的每一者。独立操作包括移动第一臂408或第二臂410中的一者，而不同时移动第一臂408或第二臂410中的另一者。非独立操作包括同时移动第一臂408及第二臂410两者，使得将第一臂408及第二臂410围绕轴线C同时致动相同的量。
第一臂408及第二臂410中的每一者包含基板支撑表面420、基板挡板418及两个或两个以上夹持臂416。两个或两个以上夹持臂416经配置以接触基板的任一侧，且将基板保持于基板支撑表面420上适当位置。将基板挡板418设置于第一臂408及第二臂410的距机器人致动轴406最远的远程。基板挡板418是唇缘或凸部，其自基板支撑表面420向上延伸，并且经配置以支撑设置于基板支撑表面420上的基板的向外部分。基板挡板418防止在第一臂408及第二臂410围绕轴线C旋转时基板自基板支撑表面420脱落。
图5图示冷却基板(例如基板202)的方法500。在处理腔室(例如图1的处理腔室124、126、128、130)中处理第一基板之后，执行方法500。处理腔室124、126、128、130可为沉积腔室，例如图2的处理腔室200。在操作502期间，一旦已在处理腔室中的一者或多者中处理第一基板，即由传送机器人(例如传送机器人118)自处理腔室移除第一基板，并将其保持于传送腔室(例如传送腔室116)中。由传送腔室的第一臂自处理腔室移除第一基板。当在沉积操作之后先自处理腔室中的一者移除时，在第一基板处于大于或约250℃的温度下，例如大于或约300℃，例如大于或约350℃，例如大于或约400℃，例如大于或约450℃下时，因此第一基板有时可称为热基板。
当自处理腔室移除第一基板时，将第二基板设置于传送机器人的第二臂上，使得传送机器人在保持第一基板的同时保持第二基板。此前使第二基板位于任何其他处理腔室中或已在另一装载锁定腔室中，例如装载锁定腔室104、106中的一者。
在方法500中，将传送腔室116保持于真空中且使用净化气体不断净化传送腔室116。净化气体可为惰性气体。净化气体可为氦(He)气、氖(Ne)气、氩(Ar)气、氪(Kr)气或氮(N2)气中的一者或组合。将传送腔室116保持于低于约50℃的温度下，例如低于或约45℃，例如低于或约40℃。在一些实施方式中，温度为约20℃至约50℃，例如约25℃至约45℃。
一旦已自处理腔室移除第一基板且将其在第一臂上置于传送腔室中，即使用传送机器人的第二臂将第二基板插入至处理腔室中。在操作504中，将第二基板安置于处理腔室中。当在操作504中将第二基板插入至处理腔室中时，使第一基板保持于传送机器人的第一臂上。当将第一基板保持于传送腔室中的第一臂上，将第一基板被动冷却。传送腔室116的冷却内部空间中的热损失导致第一基板的被动冷却。
在将第二基板插入至处理腔室中之后，第一基板仍存在于传送机器人的第一臂上，直至冷却腔室可用。一旦冷却腔室可用，即在另一操作506期间将第一基板插入至冷却腔室中。将第一基板插入至冷却腔室中包括使用第一臂移动基板且将第一基板放置于冷却腔室中的基板支撑件上。冷却腔室可为装载锁定腔室104、106中的一者。冷却腔室经配置以具有与图3的冷却腔室300类似的架构。
在将第一基板放置于冷却腔室上之后或同时，在操作508期间确定第一基板的冷却因子。冷却因子是第一基板的总冷却时间的偏移值。为确定冷却因子，由控制器190记录将第一基板保持于传送机器人的第一臂上及传送腔室中的时间。第一基板保持于第一臂上的时间包括操作502、操作504及操作506(其中第一基板设置于第一臂上)期间的所有时间。用第一基板保持于传送腔室中的第一臂上的时间量乘以冷却变量。也将冷却变量描述为安全因子。冷却变量是基板在传送腔室中的总空闲时间的乘数。冷却变量及空闲时间的倍数是冷却因子。冷却因子是时间单位。在另一操作508期间，在第一基板移动至冷却腔室之后或在第一基板移动至冷却腔室的同时，确定冷却因子。利用冷却因子表示可自第一基板在冷却腔室中耗用的时间减去的时间量。冷却变量可为小于或等于1的因子，例如约0.5至约1.0，例如约0.6至约0.9，例如约0.6至约0.7，例如约0.7。冷却变量大体小于1，因为第一基板在传送腔室中的冷却速率小于第一基板在冷却腔室中的冷却速率。
在操作508期间确定冷却因子之后，在操作510期间调整第一基板的冷却工艺。在操作510期间调整冷却工艺包括改变至少一个冷却参数，例如在冷却腔室中冷却第一基板的时间。在考虑冷却因子之前，第一基板原本经配置以冷却第一时间量。第一时间量是预定的，对于通过冷却腔室的每一基板是相似的。考虑冷却因子使得在调整后的冷却工艺期间每一基板的经冷却历时调整后冷却时间。每一基板的调整后冷却时间是独立的，且随着每一个别的基板通过冷却腔室，调整后冷却时间有所变化。调整冷却工艺包括自原始冷却时间减去冷却因子。在此实施方式中，调整后冷却时间是原始冷却时间减去冷却因子。冷却因子是传送机器人在传送腔室中的等待时间乘以冷却变量。
一旦在操作510期间调整原始冷却时间，即在操作512期间在冷却腔室中冷却第一基板。在操作512期间，进行第一基板的冷却历时调整后冷却时间。调整后冷却时间少于或等于原始冷却时间。在操作512期间，将第一基板冷却至降低后的温度。降低后的温度低于约50℃，例如低于约45℃，低于约40℃。在一些实施方式中，降低后的温度为约20℃至约50℃，例如约25℃至约45℃。在第一基板移动至另一处理腔室或移出对接站(例如对接站140)之前，降低第一基板的温度。
图6示传送腔室中的基板冷却时间与等待时间相关性的例示性图表600。图表600包括自变量轴602，其说明通过冷却腔室且完成方法500的每一基板的基板数量。如图所示，考虑一组十个基板的冷却数据。十个基板中的每一者按所示的次序运行，且一者的运行紧跟前一者。因变量轴604表示以分钟为单位的时间。所示的时间包括两个数据集。第一数据集是基板存在于传送机器人的搬运器或第一臂上及传送腔室中的等待时间。第二数据集是使用方法500考虑第一基板存在于传送腔室中的时间之后基板在冷却腔室中的冷却时间。
图表600使用0.7的冷却变量。冷却变量乘以总等待时间，并将其自2分钟的原始冷却时间减去。根据基板的开始温度、基板的所需最终温度、每单位时间基板上所需的温度变化以及冷却腔室中的条件，原始冷却时间可变化。如图表600所示，第一基板具有约0.5分钟的等待时间。0.5分钟乘以0.7的冷却变量，并将其自2分钟的原始冷却时间减去，得到1.65分钟的调整后冷却时间。第二基板及第三基板具有与第一基板相似的等待时间及调整后冷却时间。第三基板具有约0分钟的等待时间，因此维持2分钟的总的原始冷却时间。第五基板具有2分钟的等待时间。2分钟乘以0.7的冷却变量，并自2分钟的原始冷却时间减去，得到0.6分钟的调整后冷却时间。使用本文描述的方法后，第六基板、第七基板、第八基板、第九基板及第十基板也表现出冷却时间减少。
通过减少一些基板的冷却时间量，基板传送至冷却腔室中及自冷却腔室传送出的平均速率增大。由于已发现基板的冷却时间是一种限制因素，因此穿过冷却腔室的基板传送速率增大将提高经由总处理系统100的基板的总处理量。
虽然上文涉及本公开内容的实施方式，但可在不脱离基本范围的情况下设计本公开内容的其他及另外的实施方式，下文的权利要求书确定本案的范围。

Claims (20)

1.一种适用于半导体制造的处理基板的方法，包括以下步骤：
使用具有两个或两个以上臂的传送机器人自处理腔室移除第一基板；
将所述第一基板移动至传送腔室中；
将所述第一基板移动至冷却腔室中；
确定所述第一基板在所述传送腔室中的等待时间；
取决于所述等待时间确定冷却因子；和
使用所述冷却因子及确定的原始冷却时间确定调整后冷却时间。
2.如权利要求1所述的方法，其中用所述等待时间乘以冷却变量来得到所述冷却因子。
3.如权利要求2所述的方法，其中自所确定的原始冷却时间减去所述冷却因子来获得所述调整后冷却时间。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述冷却变量为约0.5至约1.0。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述等待时间是自所述处理腔室移除所述第一基板、将所述第一基板移动至所述传送腔室中及将所述第一基板移动至所述冷却腔室期间所述传送机器人保持所述第一基板的时间量。
6.如权利要求1所述的方法，其中所确定的原始冷却时间是预定的定值。
7.如权利要求6所述的方法，其中所确定的原始冷却时间为约60秒至约80秒。
8.一种适用于半导体制造的处理基板的方法，包括以下步骤：
(a)使用传送机器人的第一臂自处理腔室移除第一基板；
(b)将所述第一基板移动至传送腔室中；
(c)将第二基板在所述传送机器人的第二臂上移动至所述处理腔室中；
(d)将所述第一基板移动至冷却腔室中；
(e)确定所述第一臂上的所述第一基板在所述传送腔室中的等待时间；
(f)取决于所述等待时间确定冷却因子；和
(g)使用所述冷却因子及确定的原始冷却时间确定调整后冷却时间。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述步骤(a)在所述步骤(b)之前进行，且所述步骤(b)在所述步骤(c)之前进行。
10.如权利要求8所述的方法，其中使用所述传送腔室中的所述等待时间的历史处理数据或工艺仿真确定所述等待时间。
11.如权利要求8所述的方法，其中由控制器在所述第一基板置于所述冷却腔室之前计算所述第一基板在所述传送腔室中的等待时间来确定所述等待时间。
12.如权利要求8所述的方法，其中自所确定的原始冷却时间减去所述冷却因子来获得所调整后冷却时间。
13.如权利要求8所述的方法，其中所述处理腔室是沉积腔室。
14.一种适用于半导体处理的处理系统，包含：
传送腔室，包括具有第一臂及第二臂的一传送机器人；
多个处理腔室，耦接至所述传送腔室；
一个或多个冷却腔室；和
控制器，存储实现以下工艺操作的指令；
使用所述传送机器人的第一臂自所述多个处理腔室中的一者移除第一基板；
将所述第一基板移动至所述传送腔室中；
将所述第一基板移动至所述冷却腔室中；
确定所述第一基板在所述传送腔室中的等待时间；
取决于所述等待时间确定冷却因子；和
使用所述冷却因子及确定的原始冷却时间确定调整后冷却时间。
15.如权利要求14所述的处理系统，其中所述处理腔室中的至少一者是沉积腔室。
16.如权利要求14所述的处理系统，其中所述第一臂及所述第二臂耦接至致动器且经配置以同时移动。
17.如权利要求14所述的处理系统，其中由一个或多个阀门将所述传送腔室与所述多个处理腔室中的每一者及所述一个或多个冷却腔室分隔。
18.如权利要求14所述的处理系统，其中所述传送腔室用于保持于低于约50℃的温度。
19.如权利要求14所述的处理系统，其中用所述等待时间乘以约0.5至约1.0的冷却变量以得到所述冷却因子，且自所确定的原始冷却时间减去所述冷却因子以得到所述调整后冷却时间。
20.如权利要求14所述的处理系统，其中在自所述处理腔室移除所述第一基板时将第二基板设置于所述传送机器人的所述第二臂上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0706209A3 (en) * 1994-10-06 1996-12-27 Applied Materials Inc Thin film resistance measurement
JP3936030B2 (ja) * 1997-06-23 2007-06-27 東京エレクトロン株式会社 被処理体の回収方法
JP2000164532A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Anelva Corp Ｃｕ配線膜形成方法とＣｕ配線膜形成装置
US20080216077A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Software sequencer for integrated substrate processing system
JP6013792B2 (ja) * 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置
US9595460B2 (en) * 2013-04-10 2017-03-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, recording medium and method of manufacturing semiconductor device
KR102372842B1 (ko) * 2016-04-22 2022-03-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Pecvd 오버레이 개선을 위한 방법
US11088004B2 (en) * 2018-01-30 2021-08-10 Brooks Automation, Inc. Automatic wafer centering method and apparatus
JP7355641B2 (ja) * 2019-12-24 2023-10-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置、および、熱処理方法

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