CN117795674A - 半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117795674A
CN117795674A CN202280053235.XA CN202280053235A CN117795674A CN 117795674 A CN117795674 A CN 117795674A CN 202280053235 A CN202280053235 A CN 202280053235A CN 117795674 A CN117795674 A CN 117795674A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor
positioning portion
semiconductor module
positioning
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280053235.XA
Other languages
English (en)
Inventor
榎本一雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of CN117795674A publication Critical patent/CN117795674A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

使结构简单化而廉价，并且容易进行组装作业和安装作业。半导体模块(1)具备：金属底板(11)，其在上表面安装有包括半导体元件(6)的半导体单元(2)；以及壳体(3)，其与金属底板的上表面接合，并包围半导体单元的周围。壳体具有：突起部(34)，其朝向金属底板突出；以及贯通孔(35)，其以在平面视角下至少局部与突起部重叠的方式形成。金属底板具有能够供突起部卡合的贯通孔(11b)。

Description

半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
半导体模块具有设有IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等半导体元件的基板，且利用于换流器装置等。
例如在专利文献1所述的半导体装置中，在散热器的上表面配置有主要的半导体模块。半导体模块的周围被外壳包围。在外壳的上表面设有外壳盖。在外壳盖的上方设有印刷电路板。
而且，在专利文献1中，在外壳的上表面和下表面分别形成有沿铅垂方向延伸的突起部。各突起部作为外壳的位置调整用的调节销发挥功能。例如，在位于外壳的下方的半导体模块的基板和散热器分别形成有贯通孔。外壳的下表面侧的突起部贯穿于各贯通孔。由此，实现外壳相对于半导体模块以及散热器的定位。
同样，在位于外壳的上方的外壳盖和印刷电路板也分别形成有贯通孔。外壳的上表面侧的突起部贯穿于各贯通孔。由此，能够实现外壳盖和印刷电路板相对于外壳的定位。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国特许第9888601号
专利文献2：日本特开2016－51878号公报
专利文献3：日本特开2012－142521号公报
专利文献4：日本特开2010－114257号公报
专利文献5：日本特开2022－74234号公报
专利文献6：国际公开第2018/055667号
专利文献7：日本特开2005－322784号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1中，在外壳的上表面和下表面分别设有多个突起部，因此，外壳整体的形状变得复杂。因此，可能成为整体上成本上升的主要原因。
本发明是鉴于该问题而做成的，其目的之一在于提供能够使结构简单化而廉价，并且容易进行组装作业和安装作业的半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案的半导体模块具备：金属底板，其在上表面安装有包括半导体元件的半导体单元；以及壳体，其与所述金属底板的上表面接合，并包围所述半导体单元的周围，所述壳体具有：第1定位部，其由朝向所述金属底板突出的突起部形成；以及第2定位部，其以在平面视角下至少局部与所述第1定位部重叠的方式由孔或缺口形成，所述金属底板具有能够供所述第1定位部卡合的、由孔或缺口形成的第1卡合部。
发明的效果
根据本发明，能够使结构简单化而廉价，并且容易进行组装作业和安装作业。
附图说明
图1是本实施方式的半导体装置的立体图。
图2是在图1的半导体装置中省略了密封树脂的平面图。
图3是将图2所示的半导体装置沿着X－X线剖切的剖视图。
图4是将图2所示的半导体装置沿着Y－Y线剖切的剖视图。
图5是本实施方式的半导体模块的等效电路图。
图6是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一工序例的立体图。
图7是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一工序例的立体图。
图8是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一工序例的立体图。
图9是将图8所示的工序的局部放大的剖面示意图。
图10是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一工序例的立体图。
图11是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一工序例的立体图。
图12是将图11所示的工序的局部放大的剖面示意图。
图13是表示变形例的半导体装置的变化的示意图。
图14是表示其他变形例的示意图。
具体实施方式
以下，说明能够应用本发明的半导体装置。图1是本实施方式的半导体装置的立体图。图2是在图1的半导体装置中省略了密封树脂的平面图。图3是将图2所示的半导体装置沿着X－X线剖切的剖视图。图4是将图2所示的半导体装置沿着Y－Y线剖切的剖视图。图5是本实施方式的半导体装置的等效电路图。
另外，在以下的附图中，将半导体模块的长边方向定义为X方向，将半导体模块的短边方向定义为Y方向，将高度方向(基板的厚度方向)定义为Z方向。另外，半导体模块的长边方向表示多个半导体单元排列的方向。图示的X、Y、Z的各轴互相正交，而构成右手系。另外，根据情况，有时将X方向称为左右方向，将Y方向称为前后方向，将Z方向称为上下方向。而且，有时将+Z方向称为上方，将－Z方向称为下方。另外，有时将+Z侧的位置称为较高的位置，将－Z侧的位置称为较低的位置。这些方向(前后左右上下方向)以及高低是为了方便说明而使用的用语，因半导体模块的安装姿势，与XYZ方向的各方向的对应关系有时会发生变化。例如，将半导体模块的散热面侧(冷却器侧)称为下表面侧，将其相反侧称为上表面侧。另外，在本说明书中，平面视角是指从Z方向观察半导体模块的上表面或下表面的情况。另外，各附图中的纵横比、各构件彼此的大小关系仅是由示意图进行表示，因此，未必一致。为了便于说明，还假定夸大地表现各构件彼此的大小关系的情况。
本实施方式的半导体装置100例如应用于产业用或车载用的马达的换流器等电力转换装置。如图1至图4所示，半导体装置100通过在安装目标基部10的上表面配置半导体模块1而构成。此外，对半导体模块1而言，安装目标基部10为任意的结构。
安装目标基部10用于将半导体模块1的热向外部释放，形成为平面视角下的矩形形状。半导体模块1通过将四角利用螺栓B拧入于安装目标基部10，从而一体地固定于安装目标基部10。此外，关于安装目标基部10的详细结构，随后叙述。
半导体模块1包括金属底板11、半导体单元2、收纳半导体单元2的壳体3、注入于壳体3内的密封树脂4。
金属底板11具有平面视角下的矩形形状，由预定厚度的板状体形成。金属底板11可以由散热性较佳的金属材料形成，例如由铝、铝合金、铜、铜合金形成。或者，金属底板11可以由铝和碳化硅(Al－SiC)或镁和碳化硅(Mg－SiC)等金属基复合材料形成。
在金属底板11的上表面安装有半导体单元2和壳体3。更具体而言，在金属底板11的上表面中央经由焊锡等接合材料(未图示)接合有半导体单元2。而且，在金属底板11的上表面的外周侧经由粘接剂等接合材料(未图示)接合有壳体3。另外，由金属底板11的上表面和壳体3包围的区域利用密封树脂4密封。这样的金属底板11的上表面可以为平坦。金属底板11的下表面为对作为半导体模块1的安装目标的安装目标基部10而言的被安装面，并且，还作为用于释放半导体模块1的热的散热面(散热区域)发挥功能。金属底板11也可以经由热脂、导热硅脂等导热材料配置于安装目标基部10的上表面。这样的金属底板11的下表面可以为平坦。另外，金属底板11也可以在下表面侧形成有散热片等突起物。金属底板11还可以在内部形成有供制冷剂流动的流路。
在金属底板11，在四角形成有贯通孔11a(参照图3和图6)。贯通孔11a作为将半导体模块1安装于安装目标基部10时的螺栓B的贯穿孔发挥功能。另外，在金属底板11，在预定的贯通孔11a的附近形成有其他的贯通孔11b。贯通孔11b在平面视角下具有圆形形状。另外，贯通孔11b具有与金属底板11的正面垂直的圆筒面。即，贯通孔11b由在Z方向上具有轴线的圆柱形状的空间形成。贯通孔11b以在平面视角下隔着半导体单元2倾斜地相对的方式配置有两个。详细内容随后叙述，贯通孔11b作为壳体3的定位用的卡合部(第1卡合部)发挥功能。
半导体单元2包括层叠基板5和配置于层叠基板5上的两个半导体元件6。在本实施方式中，在一个层叠基板5的上表面，在X方向上排列配置有两个半导体单元2。此外，半导体单元2也可以被称为功率单元。
层叠基板5例如由DCB(Direct Copper Bonding：直接敷铜)基板、AMB(ActiveMetal Brazing：活性金属钎焊)基板或者金属基底基板构成。层叠基板5通过层叠绝缘板50、散热板51、多个布线板52而构成，整体上形成为平面视角下的矩形形状。
具体而言，绝缘板50由具有上表面和下表面的板状体形成，具有在X方向上较长的平面视角下的矩形形状。绝缘板50例如可以由氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氧化锌(ZrO2)等陶瓷材料形成。
另外，绝缘板50例如可以由环氧树脂、聚酰亚胺树脂等热固化性树脂或者在热固化性树脂中使用玻璃、陶瓷材料作为填料而成的复合材料形成。绝缘板50优选具有挠性，例如可以由含有热固化性树脂的材料形成。此外，绝缘板50也可以称为绝缘层或绝缘膜。
散热板51在Z方向上具有预定的厚度，具有在Y方向上较长的平面视角下的矩形形状。散热板51例如由铜、铝等导热性良好的金属板形成。散热板51配置于绝缘板50的下表面。散热板51的下表面经由焊锡等接合材料(未图示)与金属底板11的上表面接合，还作为用于将半导体单元2的热释放的散热面(散热区域)发挥功能。
多个布线板52(本实施方式中，两个)分别具有预定的厚度，并形成为电独立的岛状(例如平面视角下的矩形形状)。两个布线板52在X方向上排列地配置于绝缘板50的上表面。此外，布线板52的形状、个数、配置部位等并不限定于这些情况，而能够适当变更。这些布线板52例如可以由铜、铝等导热性良好的金属板形成。布线板52也可以称为电路板、电路层或电路图案。
在各布线板52的上表面经由焊锡等接合材料(未图示)配置有半导体元件6。接合材料为具有导电性的材料即可，例如，可以是焊锡或金属烧结材料。半导体元件6例如利用硅(Si)等的半导体基板形成为平面视角下的矩形形状。
另外，半导体元件6除了由上述的硅的半导体基板形成以外，还可以由利用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)以及金刚石等的宽带隙半导体基板形成的宽带隙半导体元件(也可以称为宽能隙半导体元件)构成。
半导体元件6也可以使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等开关元件、FWD(FreeWheeling Diode)等二极管。
在本实施方式中，半导体元件6由将IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)元件与FWD(Free Wheeling Diode)元件的功能一体化而成的RC(Reverse Conducting：反向导通)-IGBT元件构成(例如参照图5)。
此外，半导体元件6并不限定于此，也可以通过组合上述的开关元件、二极管等而构成。例如，可以独立地构成IGBT元件和FWD元件。另外，作为半导体元件6，也可以使用对反偏压具有充分的耐性的RB(Reverse Blocking：反向阻断)-IGBT等。
另外，半导体元件6的形状、配置数量、配置部位等能够适当变更。例如，在本实施方式中，如图5所示，可以是，两个半导体元件6中，一侧(X方向正侧)的半导体元件6构成上臂，另一侧(X方向负侧)的半导体元件6构成下臂。
这样构成的半导体元件6在XY面具有上表面和下表面，并在各个面形成有电极。例如，在半导体元件6的上表面形成有主电极60和控制电极61，在半导体元件6的下表面也形成有主电极(未图示)。上表面的主电极60和下表面的主电极为供主电流流动的电极，形成为具有表示半导体元件6的上表面的大部分的面积的平面视角下的矩形形状。另一方面，控制电极61形成为相比于主电极60足够小的平面视角下的矩形形状。例如，在本实施方式中，多个(两个)控制电极61偏向半导体元件6的角部地排列配置。此外，各电极的配置并不限定于此，而能够适当变更。
例如，在半导体元件6为MOSFET元件的情况下，上表面侧的主电极也可以称为源电极，下表面侧的主电极也可以称为漏电极。另外，在半导体元件6为IGBT元件的情况下，上表面侧的主电极也可以称为发射极，下表面侧的主电极也可以称为集电极。
另外，控制电极61可以包含栅极。栅极是用于控制接通和断开主电流的栅的电极。另外，控制电极61可以包括辅助电极。例如，辅助电极可以是与上表面侧的主电极电连接，并成为相对于栅极电位的基准电位的辅助源电极或辅助发射极。另外，辅助电极也可以是测量半导体元件的温度的温度感测电极。这样的形成于半导体元件6的上表面的电极(主电极60和控制电极61)也可以总称为上表面电极，形成于半导体元件6的下表面的电极也可以称为下表面电极。
另外，本实施方式中的半导体元件6可以是在半导体基板沿厚度方向形成有晶体管这样的功能元件的所谓的纵向型的开关元件，另外，也可以是沿面方向形成有这些功能元件的横向型的开关元件。
半导体单元2的周围由壳体3包围。壳体3具有平面视角下的四边环状的筒形状或框形状。壳体3例如由热塑性树脂形成。热塑性树脂例如可列举聚苯硫醚(PPS)树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)树脂、聚丁二酸丁二醇酯(PBS)树脂、聚酰胺(PA)树脂、聚醚醚酮(PEEK)树脂、或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)树脂。也可以在树脂中混入有用于提高强度和/或功能性的无机填料。使用这样的热塑性树脂利用注射成型而成型出壳体3。壳体3也可以称为树脂壳体或树脂部。另外，在壳体3一体地形成有后述的突起部34和贯通孔35。
另外，在由壳体3划定的内部空间填充有密封树脂4。密封树脂4可以填充到其上表面到达壳体3的上端为止。由此，配置于壳体3内的各种结构部件(半导体单元2(层叠基板5和半导体元件6)以及后述的布线构件W1、W2等)被密封。
密封树脂4例如可以由热固化性树脂构成。密封树脂4优选至少包含环氧树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂中的任一者。从绝缘性、耐热性以及散热性的方面来看，密封树脂4例如优选混入有无机填料的环氧树脂。
壳体3形成为在中央具有开口部3a的矩形框状。更具体而言，壳体3具有在X方向上相对的一对侧壁30和在Y方向上相对的一对侧壁31，通过将各个端部连结而形成为矩形框状。一对侧壁31长于一对侧壁30。
在壳体3的四角形成有缺口3b。缺口3b以避开螺栓B的方式形成于与金属底板11的贯通孔11a对应的部位。由此，防止壳体3与螺栓B发生干扰。
在壳体3的内侧空间收纳有上述的半导体单元2。即，半导体单元2收纳于由框状的壳体3划定的空间。壳体3的下端例如经由粘接剂(未图示)粘接于金属底板11的上表面。粘接剂例如优选环氧系或硅酮系的粘接剂。关于壳体3的详细构造，随后叙述。
在壳体3设有外部连接用的主端子(P端子80、N端子81、M端子82)和控制用的控制端子83。更具体而言，在一对侧壁31中的位于Y方向负侧的侧壁31埋入有P端子80和N端子81。P端子80和N端子81在X方向上排列配置。在壳体3(Y方向负侧的侧壁31)设有将P端子80与N端子81分隔的分隔壁32。另外，在一对侧壁31中的位于Y方向正侧的侧壁31埋入有M端子82。
各主端子形成为使金属板在多个部位弯曲而成的曲柄状(参照图4)。例如，P端子80的一端包括具有上表面和下表面的板状部80a。板状部80a在侧壁31的上表面露出，并在中央形成有圆形孔80b。另外，P端子80的另一端包括具有上表面和下表面的板状部80c。板状部80c自侧壁31的内侧面(开口部3a)朝向内侧突出。
同样，N端子81的一端包括具有上表面和下表面的板状部81a。板状部81a在侧壁31的上表面露出，并在中央形成有圆形孔81b。另外，N端子81的另一端包括具有上表面和下表面的板状部81c。板状部81c自侧壁31的内侧面(开口部3a)朝向内侧突出。
同样，M端子82的一端包括具有上表面和下表面的板状部82a。板状部82a在侧壁31的上表面露出，并在中央形成有圆形孔82b。另外，M端子82的另一端包括具有上表面和下表面的板状部82c。板状部82c自侧壁31的内侧面(开口部3a)朝向内侧突出。
上述的P端子80也可以称为正极端子(输入端子)，N端子81也可以称为负极端子(输出端子)，M端子82也可以称为中间端子(输出端子)。这些端子构成供主电流流动的金属布线板。P端子80、N端子81以及M端子82的一端构成能够与外部导体连接的主端子。如上所述，P端子80、N端子81以及M端子82各自的一端(板状部80c、81c、82c)经由预定的布线构件W1与半导体单元2电接合。另外，P端子80、N端子81、M端子82对应于图5的附图标记P、N、M。
这些主端子例如由铜材料、铜合金系材料、铝合金系材料、铁合金系材料等金属材料形成。此外，这些端子的形状、配置部位、个数等并不限定于上述情况，而能够适当变更。
另外，在Y方向正侧的侧壁的上表面形成有向Z方向垂直地突出的一对柱部33。柱部33具有沿着开口部3a在平面视角下在X方向上较长的长条形状。柱部33在X方向上排列配置有两个。在柱部33埋入有多个控制端子83。相对于一个柱部33埋入有两个控制端子83。
控制端子83的一端包括自柱部33的上表面突出并向Z方向上方延伸的销部83a。另外，控制端子83的另一端包括具有上表面和下表面的板状部83b(参照图2)。板状部83b自侧壁31的内侧面(开口部3a)朝向内侧突出。此外，控制端子83的配置数量并不限定于此，而能够适当变更。
控制端子83例如由铜材料、铜合金系材料、铝合金系材料、铁合金系材料等金属材料形成。控制端子83以埋入于壳体3的方式相对于壳体3一体成型(嵌入成型)。
另外，在壳体3，在与各主端子的圆形孔80b、81b、82b的正下方对应的部位形成有预定深度的圆形孔3c。这些圆形孔可以作为用于固定汇流条等外部端子的螺纹孔发挥功能。
另外，在壳体3的背面侧形成有自壳体3的平坦面3d朝向下方突出的突起部34。突起部34与壳体3一体地形成。突起部34配置于与贯通孔11b相对的部位、即在平面视角下与贯通孔11b重叠的部位。突起部34在平面视角下具有圆形形状。例如，突起部34可以是截头圆锥形状。突起部34的突出高度优选低于(小于)金属底板11的厚度。
更具体而言，突起部34包括外表面随着向顶端(Z方向下方)去而缩颈的锥面34a和与锥面34a的顶端相连的平坦面34b。平坦面34b与平坦面3d平行且设于低于平坦面3d的位置。即，通过使平坦面3d、锥面34a以及平坦面34b相连而形成壳体3的背面。
另外，在突起部34的中央形成有在Z方向上贯通的贯通孔35。即，突起部34整体具有顶端变细的圆筒形状。此外，在本实施方式中，以贯通孔35为例进行了说明，但设于突起部34的孔不需要一定为贯通孔35。例如，也可以形成预定深度的孔。在该情况下，设于突起部34的孔的深度深于平坦面3d，更优选的是，深于后述的卡合销12的长度。
另外，突起部34的中心与贯通孔35的中心优选为相同的位置。即，突起部34的中心与贯通孔35的中心在平面视角下重叠。此外，突起部34与贯通孔35之间的位置关系并不限定于此，而能够适当变更。只要突起部34与贯通孔35的至少局部在平面视角下重叠即可。例如，贯通孔35可以包含在突起部34中。
详细内容随后叙述，突起部34的外表面作为壳体3相对于金属底板11的定位(第1定位部)发挥功能，而且，突起部34(贯通孔35)的内表面作为半导体模块1相对于安装目标基部10的定位(第2定位部)发挥功能。此外，突起部34与贯通孔11b优选为在平面视角下突起部34的外接圆的中心与贯通孔35的内切圆的中心一致。
上述的主端子与半导体单元2利用布线构件W1电连接。例如，构成上臂的布线路径的一部分的布线板52与P端子80的板状部80c利用布线构件W1电连接。构成上臂的半导体元件6的主电极60与M端子82的板状部82c利用布线构件W1电连接。
构成下臂的半导体元件6的主电极60与N端子81的板状部81c利用布线构件W1电连接。构成下臂的布线路径的一部分的布线板52与M端子82的板状部82c利用布线构件W1电连接。
这些布线构件W1构成主电流路径的一部分，也可以称为主电流布线构件。布线构件W1可以使用导电线(接合线)。例如，如图4所示，也可以在主电极60上针脚接合。
另外，半导体元件6的控制电极61与控制端子83的板状部83b利用布线构件W2电连接。布线构件W2也可以称为控制布线构件。布线构件W2可以使用导电线(接合线)。
构成上述的布线构件W1、W2的导电线的材质能够使用金、铜、铝、金合金、铜合金、铝合金中的任一者或它们的组合。另外，作为布线构件W1、W2，还能够使用导电线以外的构件。例如，作为布线构件W1、W2，能够使用带。此外，作为布线构件W1，还可以使用金属布线板(也可以称为引线框)。
接着，说明安装目标基部10的结构。安装目标基部10形成为大于半导体模块1(金属底板11)的外形的平面视角下的矩形形状。安装目标基部10由散热性良好的金属形成。安装目标基部10例如由铝、铝合金、铜、铜合金形成。
安装目标基部10的上表面构成供半导体模块1(金属底板11)的下表面安装的安装面。另外，在安装目标基部10，在四角形成有螺纹孔10a(参照图3和图11)。螺纹孔10a形成于与金属底板11的贯通孔11a的正下方对应的部位。螺纹孔10a作为将半导体模块1安装于安装目标基部10时的螺栓B的固定孔发挥功能。
另外，在安装目标基部10，在预定的螺纹孔10a的附近设有卡合销12。卡合销12具有向Z方向正侧突出的圆柱形状。在卡合销12的顶端形成有顶端变细的锥面12a。卡合销12以在平面视角下隔着半导体单元2倾斜地相对的方式设有两个。详细内容随后叙述，卡合销12作为半导体模块1的定位用的卡合部(第2卡合部)发挥功能。此外，卡合销12与贯通孔35优选为中心一致。
安装目标基部10也可以构成包围配置于金属底板11的下表面的多个散热片(未图示)的箱状的冷却套。即，安装目标基部10也可以构成冷却器的一部分。
另外，在组装半导体模块1时，使金属底板11与壳体3对位后进行接合。在该情况下，需要进行彼此的定位。另外，在将半导体模块1安装于安装目标基部10时，也需要半导体模块1与安装目标基部10之间的对位(定位)。
以往以来，组装半导体模块1时的壳体3与金属底板11之间的定位结构和将半导体模块1安装于安装目标基部10时的金属底板11与安装目标基部10之间的定位结构分别单独地设置。因此，由于用于实现定位的结构而使部件形状复杂化，存在成本上升的问题。
于是，本申请发明人着眼于模块组装时的定位结构和模块安装时的定位结构之间的位置关系而想到了本发明。即，本发明的重点在于，利用使两个定位结构一体化而成的单一的定位结构，实现两种定位。由此，能够使结构简单化而廉价，并且能够容易地进行组装作业和安装作业。
以下，参照图6至图12说明本实施方式的半导体装置的详细构造和半导体装置的制造方法。图6、图7、图8、图10、图11是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的一工序例的立体图。图8是从Z方向负侧观察图7所示的工序的立体图。另外，图9是将图8所示的工序的局部放大后的剖面示意图。图9A和图9B表示壳体安装前后的情况，图9C是从Z方向负侧观察图9B的局部剖视图。另外，图12是将图11所示的工序的局部放大后的剖面示意图。图12A和图12B表示模块安装前后的情况，图12C是从Z方向负侧观察图12B的局部剖视图。此外，以下所示的各工序仅表示一个例子，各工序的顺序在不产生矛盾的范围内能够适当变更。
本实施方式的半导体装置的制造方法构成为包括半导体单元安装工序(参照图6)、壳体安装工序(参照图7至图9A－图9C)、接合工序(参照图10A)、密封工序(参照图10B)、模块安装工序(参照图11以及图12A－图12C)。
首先，预先在层叠基板5的上表面安装半导体元件6而形成半导体单元2。半导体元件6经由焊锡等接合材料(未图示)与层叠基板5的上表面接合。由此，形成半导体单元2。
然后，实施半导体单元安装工序。如图6所示，在半导体单元安装工序中，在金属底板11的上表面安装半导体单元2。具体而言，位于层叠基板5的下表面侧的散热板51经由焊锡等接合材料与金属底板11的上表面接合。
接着，实施壳体安装工序。如图7至图9所示，在壳体安装工序中，将金属底板11的上表面与壳体3的下表面经由粘接剂(未图示)接合。此时，突起部34与同该突起部34相对的贯通孔11b卡合，从而突起部34的中心与贯通孔11b的中心一致(图9C)，而将壳体3相对于金属底板11进行定位。在该情况下，贯通孔11b的内径优选与突起部34的基端部分的外径相同，或者大于突起部34的基端部分的外径。
此外，由于突起部34具有顶端变细的锥面34a，因而在将突起部34插入于贯通孔11b时，即使彼此的中心位置偏移，也能够一边使锥面34a与贯通孔11b的边缘接触一边被插入到基端。因此，锥面34a成为引导面而在XY平面上相对移动以使彼此的中心一致，而发挥自对准功能。其结果，能够高精度地实现壳体3相对于金属底板11的定位。
在壳体安装工序中，突起部34作为壳体3的相对于金属底板11的“第1定位部”发挥功能。相对于此，贯通孔11b作为能够供突起部34(第1定位部)卡合的“第1卡合部”发挥功能。
接着，实施接合工序。如图10A所示，在接合工序中，将布线构件W1、W2与预定部位接合。由此，预定的主端子与半导体单元2电连接，并且，预定的控制端子83与预定的控制电极61电连接。
接着，实施密封工序。如图10B所示，在密封工序中，在壳体3的内侧空间填充密封树脂4。密封树脂4以覆盖空间内的各种结构(半导体单元2、布线构件W1、W2、主端子以及控制端子83的局部)的深度被填充。通过使密封树脂4固化，而使这些各种结构成为被密封的状态。由此，完成半导体模块1。
接着，实施模块安装工序。如图11和图12所示，在模块安装工序中，将半导体模块1安装于安装目标基部10。具体而言，首先，以金属底板11的贯通孔11a与安装目标基部10的螺纹孔10a在平面视角下重叠的方式，使半导体模块1在安装目标基部10的上方对位。
此时，壳体3的贯通孔35和安装目标基部10的卡合销12也以在平面视角下重叠的方式定位。然后，通过贯通孔35与卡合销12卡合，从而贯通孔35的中心与卡合销12的中心一致，而将半导体模块1(壳体3)相对于安装目标基部10定位。在该情况下，贯通孔35的内径优选与卡合销12的外径相同，或者大于卡合销12的外径。
此外，由于卡合销12具有顶端变细的锥面12a，因而在卡合销12插入于贯通孔35时，即使彼此的中心位置偏移，也能够一边使锥面12a与贯通孔35的边缘接触一边被插入到基端。因此，锥面12a成为引导面而在XY平面上相对移动以使彼此的中心一致，而发挥自对准功能。
此时，各贯通孔11a的中心和与各贯通孔11a对应的各螺纹孔10a的中心一致，能够高精度地实现半导体模块1(壳体3)相对于安装目标基部10的定位。然后，能够使用螺栓B将安装目标基部10和半导体模块1紧固固定。根据以上方式，成为半导体模块1与安装目标基部10一体化的半导体装置100。
在模块安装工序中，壳体3的贯通孔35作为半导体模块1的相对于安装目标基部10的“第2定位部”发挥功能。相对于此，卡合销12作为能够供贯通孔35(第2定位部)卡合的“第2卡合部”发挥功能。此外，在本实施方式中，通过由贯通孔35形成第2定位部，能够在安装时自壳体3的上表面通过贯通孔35视觉辨认卡合销12。由此，能够提高安装作业性。
如此，在本实施方式中，突起部34(第1定位部)和贯通孔35(第2定位部)以在平面视角下重叠的方式配置。根据该结构，能够仅利用筒状的突起部34实现模块组装时的壳体3的定位(第1定位)和将完成的半导体模块1安装于安装目标基部10时的定位(第2定位)。
即，能够由单一的结构实现两个定位功能。能够使结构简单化而廉价，并且能够容易地进行组装作业和安装作业。另外，能够将定位用的结构所需的空间抑制到最小限度，能够实现装置整体的小型化。此外，突起部34也可以称为第1定位部和第2定位部成对地形成的单一的定位部。
在本实施方式中，单一的定位部(突起部34)以隔着半导体单元2倾斜地相对的方式配置有两个。利用两个定位部，能够防止成为定位对象的结构彼此之间的相对旋转。
另外，突起部34的突出高度优选小于金属底板11的厚度。根据该结构，在将半导体模块1安装于安装目标基部10时，能够防止突起部34与安装面接触。
在上述实施方式中，第1定位部由在平面视角下至少包括圆弧部的圆形形状的突起部34形成。另外，第2定位部由在平面视角下至少包括圆弧部的圆形的贯通孔35形成。而且，突起部34与贯通孔35在平面视角下中心重叠。由此，能够利用筒状的突起部34实现单一的定位部。
然而，突起部34并不限定于此，而能够适当变更。突起部34和贯通孔35也可以在平面视角下中心错开。只要突起部34和贯通孔35在平面视角下重叠即可。与其对应的贯通孔11b和卡合销12也同样地可以中心错开。
另外，在上述实施方式中，说明了突起部34和贯通孔35在平面视角下具有圆形形状的情况，但并不限定于该结构。例如，也可以是图13A和图13B所示的变形例那样的结构。图13A是变形例的突起部34和贯通孔35的平面示意图，图13B是沿着图13A的X1－X1线剖切的截面。在图13A和图13B中，突起部34和贯通孔35具有在平面视角下在X方向上较长的腰圆形状。
具体而言，突起部34除包括上述的平坦面34b以外，还包括一对圆弧部34c和将一对圆弧部34c彼此连结的一对直线部34d。一对圆弧部34c具有半圆形状，并在X方向上相对。一对直线部34d在Y方向上相对。贯通孔35包括一对圆弧部35a和将一对圆弧部35a彼此连结的一对直线部35b。一对圆弧部35a具有半圆形状，并在X方向上相对。一对直线部35b在Y方向上相对。而且，突起部34和贯通孔35为在平面视角下中心重叠的相似形状。在该情况下，优选的是与突起部34卡合的贯通孔11b(第1卡合部)也包括直线部。根据这些结构，能够仅利用单一的突起部34(定位部)抑制部件彼此之间的相对旋转，能够进一步使结构简单化。
另外，在上述实施方式中，说明了第2定位部由孔形成的情况，但并不限定于该结构。例如，如图13C所示，第2定位部也可以由缺口35形成。在图13C中，突起部34形成为使具有半圆形状的圆弧部34c与在圆弧部34c的两端沿Y方向延伸的直线部34d相连而成的平面视角下的U字状。缺口35也同样地形成为使具有半圆形状的圆弧部35a与在圆弧部35a的两端沿Y方向延伸的直线部35b相连而成的平面视角下的U字状。突起部34和贯通孔35为圆弧部34c与圆弧部35a的中心重叠的相似形状。根据这些结构，能够将单一的定位部靠向壳体3的外周地配置，能够进一步使装置整体小型化。
另外，上述实施方式中说明的突起部34成为将平坦面3d与平坦面34b之间利用锥面34a直接连接而成的形状，但并不限定于此，而能够适当变更。例如，如图14A所示，突起部34例如也可以在平坦面3d与锥面34a之间包括垂直面34e。垂直面34e由以相对于平坦面3d(34b)垂直的方式在Z方向上立起的圆筒面形成。垂直面34e连接平坦面3d和锥面34a。
另外，如图14B和图14C所示，也可以在贯通孔35的内表面以自下端侧(突起部34侧)向Z方向上方去而缩径的方式形成有锥面35c。即，锥面35c以随着向下端去而扩径的方式倾斜。如图14B所示，锥面35c也可以形成于贯通孔35的入口(靠突起部34侧的端部)。另外，如图14C所示，还可以在贯通孔35的整个内表面形成锥面35c。利用锥面35c，容易将卡合销12插入。
另外，在上述实施方式中，半导体元件6的个数和配置部位并不限定于上述结构，而能够适当变更。
另外，在上述实施方式中，布线板的个数和布局并不限定于上述结构，而能够适当变更。
另外，在上述实施方式中，设为层叠基板5、半导体元件6形成为平面视角下的矩形形状或方形形状的结构，但并不限定于该结构。这些部件的结构也可以形成为上述形状以外的多边形形状。
另外，说明了本实施方式和变形例，作为其他的实施方式，还可以将上述实施方式和变形例整体或局部地组合。
另外，本实施方式并不限定于上述的实施方式和变形例，也可以在不脱离技术思想的主旨的范围内进行各种变更、置换、变形。而且，若由于技术上的进步或派生的其他技术，而能够以其他的方式来实现技术思想，则也可以使用该方法来实施。因而，权利要求书涵盖了能够包括在技术思想的范围内的全部实施方式。
以下，整理上述的实施方式中的特征点。
上述实施方式的半导体模块具备：金属底板，其在上表面安装有包括半导体元件的半导体单元；以及壳体，其与所述金属底板的上表面接合，并包围所述半导体单元的周围，所述壳体具有：第1定位部，其由朝向所述金属底板突出的突起部形成；以及第2定位部，其以在平面视角下至少局部与所述第1定位部重叠的方式由孔或缺口形成，所述金属底板具有能够供所述第1定位部卡合的、由孔或缺口形成的第1卡合部。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，在平面视角下，所述第2定位部包含于所述第1定位部。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述第1定位部和所述第2定位部成对地形成的单一的定位部至少配置有两个。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，两个所述单一的定位部以隔着所述半导体单元倾斜地相对的方式配置。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述第1定位部由在平面视角下包括圆弧部的突起部形成，所述第2定位部在平面视角下包括圆弧部，所述第1定位部和所述第2定位部在平面视角下各自的圆弧部的中心重叠。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述第2定位部在平面视角下具有圆形形状。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述第1定位部在平面视角下具有圆形形状，所述第1定位部的中心与所述第2定位部的中心在平面视角下重叠。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述第2定位部由在平面视角下包括直线部的缺口形成。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述第1定位部在平面视角下包括直线部。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述突起部的突出高度小于所述金属底板的厚度。
另外，在上述实施方式的半导体模块中，所述突起部具有随着向顶端去而变细的锥面。
另外，上述实施方式的半导体装置具备：上述的半导体模块；以及安装目标基部，其具有供所述半导体模块的下表面安装的安装面，所述安装目标基部在所述安装面上具有能够供所述第2定位部卡合的第2卡合部。
另外，在上述实施方式的半导体装置中，所述第2卡合部配置于与所述第2定位部的正下方对应的部位，并由朝向所述半导体模块延伸的销构成。
另外，在上述实施方式的半导体装置中，所述销在平面视角下具有圆形形状，所述第2定位部的中心与所述销的中心重叠。
另外，在上述实施方式的半导体装置中，所述销形成有随着向顶端去而变细的锥面。
另外，上述实施方式的半导体装置的制造方法包括：壳体安装工序，在该壳体安装工序中，使所述第1定位部与所述第1卡合部卡合而将所述金属底板与所述壳体接合；以及模块安装工序，在该模块安装工序中，使所述第2定位部与所述第2卡合部卡合而将所述半导体模块安装于所述安装目标基部。
产业上的可利用性
如以上说明那样，本发明具有能够使结构简单化而廉价，并且能够容易地进行组装作业和安装作业的效果，特别是对于电装用或产业用的半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法是有用的。
本申请基于2022年2月21日申请的日本特愿2022－025012。其内容全部包含在本说明书中。
附图标记说明
1、半导体模块；2、半导体单元；3、壳体；3a、开口部；3b、缺口；3c、圆形孔；4、密封树脂；5、层叠基板；6、半导体元件；10、安装目标基部；10a、螺纹孔；11、金属底板；11a、贯通孔；11b、贯通孔(第1卡合部)；12、卡合销(第2卡合部)；12a、锥面；30、侧壁；31、侧壁；32、分隔壁；33、柱部；34、突起部(第1定位部)；34a、锥面；34b、平坦面；34c、圆弧部；34d、直线部；35、贯通孔、缺口(第2定位部)；35a、圆弧部；35b、直线部；35c、锥面；50、绝缘板；51、散热板；52、布线板；60、主电极；61、控制电极；80、P端子；80a、板状部；80b、圆形孔；80c、板状部；81、N端子；81a、板状部；81b、圆形孔；81c、板状部；82、M端子；82a、板状部；82b、圆形孔；82c、板状部；83、控制端子；83a、销部；83b、板状部；100、半导体装置；B、螺栓；W1、布线构件；W2、布线构件。

Claims (16)

1.一种半导体模块，其中，
该半导体模块具备：
金属底板，在其上表面安装有包括半导体元件的半导体单元；以及
壳体，其与所述金属底板的上表面接合，并包围所述半导体单元的周围，
所述壳体具有：
第1定位部，其由朝向所述金属底板突出的突起部形成；以及
第2定位部，其以在平面视角下至少局部与所述第1定位部重叠的方式由孔或缺口形成，
所述金属底板具有能够供所述第1定位部卡合的、由孔或缺口形成的第1卡合部。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
在平面视角下，所述第2定位部包含于所述第1定位部。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述第1定位部和所述第2定位部成对地形成的单一的定位部至少配置有两个。
4.根据权利要求3所述的半导体模块，其中，
两个所述单一的定位部以隔着所述半导体单元倾斜地相对的方式配置。
5.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述第1定位部由在平面视角下包括圆弧部的突起部形成，
所述第2定位部在平面视角下包括圆弧部，
所述第1定位部和所述第2定位部在平面视角下各自的圆弧部的中心重叠。
6.根据权利要求5所述的半导体模块，其中，
所述第2定位部在平面视角下具有圆形形状。
7.根据权利要求6所述的半导体模块，其中，
所述第1定位部在平面视角下具有圆形形状，
所述第1定位部的中心与所述第2定位部的中心在平面视角下重叠。
8.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述第2定位部由在平面视角下包括直线部的缺口形成。
9.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述第1定位部在平面视角下包括直线部。
10.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述突起部的突出高度小于所述金属底板的厚度。
11.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
所述突起部具有随着向顶端去而变细的锥面。
12.一种半导体装置，其中，
该半导体装置具备：
权利要求1所述的半导体模块；以及
安装目标基部，其具有供所述半导体模块的下表面安装的安装面，
所述安装目标基部在所述安装面上具有能够供所述第2定位部卡合的第2卡合部。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
所述第2卡合部配置于与所述第2定位部的正下方对应的部位，并由朝向所述半导体模块延伸的销构成。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，
所述销在平面视角下具有圆形形状，所述第2定位部的中心与所述销的中心重叠。
15.根据权利要求13或14所述的半导体装置，其中，
所述销形成有随着向顶端去而变细的锥面。
16.一种半导体装置的制造方法，其为权利要求12～14中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
该半导体装置的制造方法包括：
壳体安装工序，在该壳体安装工序中，使所述第1定位部与所述第1卡合部卡合而将所述金属底板与所述壳体接合；以及
模块安装工序，在该模块安装工序中，使所述第2定位部与所述第2卡合部卡合而将所述半导体模块安装于所述安装目标基部。
CN202280053235.XA 2022-02-21 2022-12-26 半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法 Pending CN117795674A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022025012 2022-02-21
JP2022-025012 2022-02-21
PCT/JP2022/047924 WO2023157482A1 (ja) 2022-02-21 2022-12-26 半導体モジュール、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117795674A true CN117795674A (zh) 2024-03-29

Family

ID=87577964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280053235.XA Pending CN117795674A (zh) 2022-02-21 2022-12-26 半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240178081A1 (zh)
JP (1) JPWO2023157482A1 (zh)
CN (1) CN117795674A (zh)
WO (1) WO2023157482A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2722909B2 (ja) * 1992-01-13 1998-03-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3575401B2 (ja) * 2000-06-23 2004-10-13 株式会社大真空 高周波回路部品
JP3813098B2 (ja) * 2002-02-14 2006-08-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
JP6750416B2 (ja) * 2016-09-14 2020-09-02 富士電機株式会社 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
JP6766744B2 (ja) * 2017-05-10 2020-10-14 株式会社豊田自動織機 半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20240178081A1 (en) 2024-05-30
JPWO2023157482A1 (zh) 2023-08-24
WO2023157482A1 (ja) 2023-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8829534B2 (en) Power semiconductor device
JP6764807B2 (ja) 半導体モジュール
US10903130B2 (en) Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus
JP7159620B2 (ja) 半導体装置、冷却モジュール、電力変換装置及び電動車両
US10903133B2 (en) Method of producing an SMD package with top side cooling
US10699978B2 (en) SMD package with top side cooling
US10163752B2 (en) Semiconductor device
CN111081643A (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
US20210005528A1 (en) Semiconductor module, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor module
US20170194296A1 (en) Semiconductor module
US10699987B2 (en) SMD package with flat contacts to prevent bottleneck
US9721863B2 (en) Printed circuit board including a leadframe with inserted packaged semiconductor chips
US11430707B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
CN112670262A (zh) 半导体模块
CN117795674A (zh) 半导体模块、半导体装置以及半导体装置的制造方法
CN116417418A (zh) 半导体装置和车辆
US20230335450A1 (en) Semiconductor device
US20230069967A1 (en) Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus manufacturing method
WO2023189265A1 (ja) 半導体モジュール
US10784176B1 (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
US20230386966A1 (en) Terminal structure, method for manufacturing terminal structure, and semiconductor apparatus
WO2023189266A1 (ja) 金属配線板
CN111279475A (zh) 半导体装置及其制造方法、以及汽车
US20230369183A1 (en) Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus
CN113496958B (zh) 基板及封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination