CN117766628A - 光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：在携氯氧化之前增加前氧化工序，向氢氧合成室中通入氧气，将氢氧合成室内的氮气冲扫干净，使氢氧合成室为富氧状态。本发明通过在进行携氯氧化之前进行前氧化工序，确保DCE气体通入时，可以与过量的氧气进行反应，有效提高DCE反应的完全性，避免残留的DCE气体受高温分解出碳元素附着在石英管内壁而挥发影响产品性能，使产品杂质中杂质含量减少，性能稳定性提高，同时良率也得以提升。
Description
技术领域
本发明涉及光敏二极管芯片的生产技术领域，尤其涉及一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法。
背景技术
在光敏二极管芯片的制造流程中，热氧化技术是非常重要的一道工艺，一层良好的二氧化硅膜层可以确保器件的部分性能不受影响。一方面，氧化层可以作为各道光刻蚀刻的牺牲层；另一方面，在涉及到扩散、离子注入等掺杂工艺时可以作为阻挡层来避免制程期间元素掺杂到不希望的位置。
数年以来，人们发现了各种不同的热氧化技术，例如干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化等技术。为了更好的控制膜层的厚度稳定性及均匀性，又开发了氢氧合成氧化工艺。为了避免工艺进行时环境中的微量金属离子对器件造成的影响，又将DCE(反式二氯乙烯)应用在氧化工艺中，利用其中的氯离子对金属离子进行吸附，降低其对器件的影响。
随着DCE在氧化工艺中的应用逐渐增多，人们发现制成的器件性能的稳定性较差，且良率不高。因此，寻求一种能够解决携氯氯化工艺生产的器件的性能的稳定性和良率的方法，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
基于此，现有技术仍然有待改进。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提出一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，以解决现有的携氯氯化工艺生产的器件性能稳定性差，良率不能满足生产需求的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明一些实施例公开了一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：在携氯氧化之前增加前氧化工序，向氢氧合成室中通入氧气，将氢氧合成室内的氮气冲扫干净，使氢氧合成室为富氧状态。
一些实施例中，前氧化工序中，通入氧气的流量为7600sccm-8400sccm，通气时间为45-75s。
一些实施例中，在前氧化工序之前，还包括：
S11进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上送至炉管内，并通入氮气，保证炉管内为正压状态；
S12升温恒温，以预定的速度升温至预定温度后恒温。
一些实施例中，S11中，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上送至炉管内的送舟温度为700-850℃，进舟速度为20mm/s。
一些实施例中，S12中，升温的速度为13-17℃/min，预定温度为1020-1080℃。
一些实施例中，携氯氧化包括：向氢氧合成室同时通入氢气、氧气和DCE气体，生长氧化层至需要的厚度。
一些实施例中，在携氯氧化工序中，在通入DCE气体和氧气后，向氢氧合成室中通入氧气。
一些实施例中，携氯氧化包括：
S31向氢氧合成室内通入氧气和DCE气体，并维持预定时间；
S32向氢氧合成室内通入氧气，将氢氧合成室内的DCE气体吹扫进炉管内；
S33同时向氢氧合成室内通入氢气和氧气并维持，生长氧化层至需要的厚度。
一些实施例中，S31中，通入氧气和DCE气体时的温度为1000-1100℃，维持时间为8-12min。
一些实施例中，携氯氧化后，还包括：
S4向氢氧合成室内通入氧气预定时间，jiang氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内；
S5：降低炉管内温度至预定温度；
S6：出舟。
采用上述技术方案，本发明至少具有如下有益效果：
本发明提供的一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，通过在进行携氯氧化之前进行前氧化工序，确保DCE气体通入时，可以与过量的氧气进行反应，有效提高DCE反应的完全性，避免残留的DCE气体受高温分解出碳元素附着在石英管内壁而挥发影响产品性能，使产品杂质中杂质含量减少，性能稳定性提高，同时良率也得以提升。
具体实施方式
下面结合实施例对本公开的实施方式作进一步详细描述。以下实施例的详细描述用于示例性地说明本公开的原理，但不能用来限制本公开的范围，本公开可以以许多不同的形式实现，不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
本公开提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
此外，包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。
本公开使用的所有术语与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
本发明一些实施例公开了一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：在携氯氧化之前增加前氧化工序，向氢氧合成室中通入氧气，将氢氧合成室内的氮气冲扫干净，使氢氧合成室为富氧状态。即在进行携氯氧化工序之前通入氧气，使氢氧合成室中充满氧气，维持为富养状态，在前氧化工序中，通入氧气的流量可以为7600sccm-8400sccm，通气时间一般为45-75s。从而使得在进行DCE工序时，通入的DCE气体能够与过量的氧气进行反应，有效提高DCE反应的完全性，避免残留的DCE气体受高温分解出碳元素附着在石英管内壁而挥发影响产品性能，使产品杂质中杂质含量减少，性能稳定性提高，同时良率也得以提升。
本发明一些实施例公开了一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以18-22mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量7600sccm-8400sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以13-17℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量7600sccm-8400sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量7600sccm-8400sccm，通气时间45-75s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤4：氢氧合成，通入氢气6600sccm-7400sccm，氧气4300sccm-4700sccm，维持约1h，同时通入DCE气体240sccm-260sccm进行清洁，生长氧化层至5100±500A。
步骤5：后氧化，通入氧气流量7600sccm-8400sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤6：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤7：出舟，保持出舟温度700-850℃，以18-22mm/s的速度退出炉管。
本实施例通过在进行携氯氧化工序之前增加前氧化工序，使氢氧合成室和炉管内保持在富氧状态，保证通入DCE气体后能够尽量充分地发生反应，有效避免DCE气体的残留量，从而避免DCE气体高温分解产生的碳元素在器件和炉管内壁的附着等积碳情况发生，有效减小积碳产生，使炉管维持较为清洁的状态，避免氧化层生长过程中的碳参杂而导致的性能稳定性差的技术问题，减少积碳对炉管寿命的不良影响。
本发明一些实施例还公开了一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以18-22mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量7600sccm-8400sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以13-17℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量7600sccm-8400sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量7600sccm-8400sccm，通气时间45-75s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤4：DCE清洁，温度设定1000-1100℃，通入氧气7600sccm-8400sccm，DCE气体235sccm-265sccm，维持8-12min。
步骤5：清洁后氧化，通入氧气流量7600sccm-8400sccm，通气时间45-75s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤6：氢氧合成，通入氢气6400sccm-7600sccm，氧气4200sccm-4800sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量7600sccm-8400sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以18-22mm/s的速度退出炉管。
本实施例在通入DCE气体之前和之后，分别增加了前氧化和后氧化工序，前氧化工序的增加所产生的效果与上一实施例相同，在此不做赘述，本实施例通过增加后氧化工序，在通入DCE气体后，及时地通入氧气，将氧氢氧合成室内残留的DCE气体吹扫进炉管内，清除DCE气体残留的基础上，还能有效提升膜层的致密性，较大程度地提升了氧化层的生长质量，提升器件性能的稳定性，增加良率。
实施例1
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤4：DCE清洁，温度设定1050℃，通入氧气8000sccm，DCE气体250sccm，维持10min。
步骤5：清洁后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
实施例2
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以18mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8400sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以17℃/min的速率升温至1020℃，通入氮气流量7600sccm，待温度到达设定值后恒温5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量7600sccm，通气时间75s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤4：DCE清洁，温度设定1100℃，通入氧气8500sccm，DCE气体235sccm，维持8min。
步骤5：清洁后氧化，通入氧气流量7600sccm，通气时间75s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7600sccm，氧气4800sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量8400sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以22mm/s的速度退出炉管。
实施例3
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以22mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量7600sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以13℃/min的速率升温至1080℃，通入氮气流量8400sccm，待温度到达设定值后恒温3min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8400sccm，通气时间45s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤4：DCE清洁，温度设定1000℃，通入氧气7600sccm，DCE气体265sccm，维持12min。
步骤5：清洁后氧化，通入氧气流量8400sccm，通气时间45s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤6：氢氧合成，通入氢气6400sccm，氧气4200sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量7600sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以18mm/s的速度退出炉管。
对比例1
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：DCE清洁，温度设定1050℃，通入氧气8000sccm，DCE气体250sccm，维持10min。
步骤4：清洁后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤5：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤6：后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤7：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤8：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
对比例2
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤4：DCE清洁，温度设定1050℃，通入氧气8000sccm，DCE气体250sccm，维持10min。
步骤5：清洁后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤7：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤8：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
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步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：DCE清洁，温度设定1050℃，通入氧气8000sccm，DCE气体250sccm，维持10min。
步骤4：清洁后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内DCE吹扫进炉管内，确保DCE完全反应无残留。
步骤5：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，生长氧化层5100±500A。
步骤6：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤7：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
经观察和检测发现，实施例1-3在作业10炉以上后方可发现轻微发黑现象，对比例3在作业2炉即出现轻微发黑现象，对比例1和对比例2在作业4-5炉后也发生发黑现象，且实施例1-3的器件良率和稳定性也由于对比例1-3。
实施例1-3和对比例1-3的结果见下表1：
表1
实施例4
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，同时通入DCE气体250sccm进行清洁，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
实施例5
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，同时通入DCE气体250sccm进行清洁，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
实施例6
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，同时通入DCE气体250sccm进行清洁，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
对比例4
一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，包括：
步骤1：进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上，保持送舟温度范围700-850℃，以20mm/s的速度送至炉管内准备工艺，通入氮气流量8000sccm保证管内是正压状态在，避免外界空气进入管内。
步骤2：升温恒温，以15℃/min的速率升温至1020-1080℃，通入氮气流量8000sccm，待温度到达设定值后恒温3-5min，确保管内温度逐渐稳定。
步骤3：前氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间60s，将氢氧合成室内氮气吹扫干净，确保为富氧状态。
步骤6：氢氧合成，通入氢气7000sccm，氧气4500sccm，维持1h，同时通入DCE气体250sccm进行清洁，生长氧化层5100±500A。
步骤7：后氧化，通入氧气流量8000sccm，通气时间10min，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内，同时提升膜层致密性。
步骤8：降温，温度设定700℃，设定机台梯度降温，避免局部区域温差过大。
步骤9：出舟，保持出舟温度700-850℃，以20mm/s的速度退出炉管。
实施例4-6的均在工作8炉以上，废气排气端透明石英内壁才出现轻微发黑现象，对比例4在工作2炉即发生轻微发黑，3炉后发黑现象更加明显。同时，实施例4-6生产得到的器件的良率和稳定性与对比例4相比均有较大提升。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。
Claims (10)
1.一种光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，包括：在携氯氧化之前增加前氧化工序，向氢氧合成室中通入氧气，将氢氧合成室内的氮气冲扫干净，使氢氧合成室为富氧状态。
2.根据权利要求1所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，所述前氧化工序中，通入氧气的流量为7600sccm-8400sccm，通气时间为45-75s。
3.根据权利要求1所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，在前氧化工序之前，还包括：
S11进舟，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上送至炉管内，并通入氮气，保证炉管内为正压状态；
S12升温恒温，以预定的速度升温至预定温度后恒温。
4.根据权利要求3所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，S11中，将装好硅片的石英舟放置于碳化硅浆上送至炉管内的送舟温度为700-850℃，进舟速度为20mm/s。
5.根据权利要求3所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，S12中，升温的速度为13-17℃/min，预定温度为1020-1080℃。
6.根据权利要求1所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，所述携氯氧化包括：向氢氧合成室同时通入氢气、氧气和DCE气体，生长氧化层至需要的厚度。
7.根据权利要求1所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，在携氯氧化工序中，在通入DCE气体和氧气后，向氢氧合成室中通入氧气。
8.根据权利要求1所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，所述携氯氧化包括：
S31向氢氧合成室内通入氧气和DCE气体，并维持预定时间；
S32向氢氧合成室内通入氧气，将氢氧合成室内的DCE气体吹扫进炉管内；
S33同时向氢氧合成室内通入氢气和氧气并维持，生长氧化层至需要的厚度。
9.根据权利要求8所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，S31中，通入氧气和DCE气体时的温度为1000-1100℃，维持时间为8-12min。
10.根据权利要求1所述的光敏二极管生产中改善氧化积碳的工艺方法，其特征在于，携氯氧化后，还包括：
S4向氢氧合成室内通入氧气预定时间，将氢氧合成室内氢气吹扫进炉管内；
S5：降低炉管内温度至预定温度；
S6：出舟。
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