CN117766453A - 转移接头与制作电子装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种转移接头，其包括一电极以及设置于所述电极上的一绝缘层。所述电极包括一第一子电极以及一第二子电极，第一子电极与第二子电极分别具有一上表面及与上表面相对的一下表面，且绝缘层分别接触第一子电极与第二子电极的上表面及下表面，且接触第一子电极的绝缘层的部分与接触第二子电极的绝缘层的另一部分彼此未接触。

Description

转移接头与制作电子装置的方法
本申请是申请日为2019年12月12日、申请号为201911273714.9、发明名称为“制作电子装置的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种转移接头与制作电子装置的方法，特别是一种转移接头与利用转移接头转移发光元件的制作电子装置的方法。
背景技术
电子装置中的元件(例如发光二极管)已朝微型化发展。由于电子装置中的微型元件数量增加，需发展出转移技术来将微型元件进行大量转移。然而，现有的转移技术存在许多缺点，例如转移接头的移动自由度不佳而容易造成拾取不良，或微型元件损坏的问题。
发明内容
根据本发明的一实施例，公开一种转移接头，其包括一电极以及设置于所述电极上的一绝缘层。所述电极包括一第一子电极以及一第二子电极，第一子电极与第二子电极分别具有一上表面及与上表面相对的一下表面，且绝缘层分别接触第一子电极与第二子电极的上表面及下表面，且接触第一子电极的绝缘层的部分与接触第二子电极的绝缘层的另一部分彼此未接触。
根据本发明的另一实施例，公开一种转移接头，其包括一基板、一接头单元以及多个连接元件。接头单元包括一电极以及一悬臂，且所述悬臂支撑所述电极。两个相邻的连接元件设置于基板与接头单元之间。电极与一部分的悬臂悬空在基板上，且悬臂连接于连接元件的其中一者与电极之间。电极在基板的俯视方向上不重叠。
根据本发明的另一实施例，公开一种制作电子装置的方法，其包括以下步骤。在一第一基板上提供多个微型元件；提供一转移接头，其中转移接头包括一电极，其中电极包括一第一子电极以及一第二子电极，第一子电极以及第二子电极彼此错开；分别施加不同电压至所述第一子电极以及所述第二子电极，使所述第一子电极以及所述第二子电极之间产生电场，使得所述电极以及所述多个微型元件中的至少一个之间产生静电感应；以及通过所述转移接头将所述多个微型元件中的所述至少一个从所述第一基板上转移到一第二基板上。
附图说明
图1到图3所示为本发明第一实施例的制作电子装置的方法示意图；
图4所示为本发明第一实施例的一变化实施例的转移接头的剖视示意图；
图5所示为本发明一实施例的电子装置的剖视示意图；
图6所示为本发明第一实施例的接头单元的俯视示意图；
图7所示为本发明第二实施例的接头单元的俯视示意图；
图8所示为本发明第三实施例的接头单元的俯视示意图；
图9所示为本发明第四实施例的接头单元的俯视示意图；以及
图10所示为本发明第五实施例的接头单元的俯视示意图。
附图标记说明：1、1a-电子装置；102-第一基板；104-发光元件；104a-半导体主体；104b、104c-接垫；106、106a-转移接头；106S-拾取面；108、208、308、408、508-接头单元；110、310-电极；110E1、110E2、310E1、310E2-子电极；110S、114S-表面；112、412-悬臂；112a、112b、212a、212b、312a、312b、412a、412b、412c、412d、512a、512b-子悬臂；112L-L形部；112U、212U、512U-U形部；114、126-基板；116-连接元件；IN1、IN2、IN3-绝缘层；116a、OP-开口；118-介电层；120-第二基板；122-保护层；124、CL1、CL2-导电层；128-电路结构层；130、132-电极；134-第一电极；136-第二电极；138-第一半导体层；140-发光层；142-第二半导体层；CP1-连接部；D1-第一方向；D2-第二方向；DE-汲极；G-间距；GE-闸极；ML-材料层；PDL-像素定义层；S1、S2-侧边；SC-半导体层；SE-源极；SP-子部分；TFT-薄膜晶体管；VD-俯视方向；W1、W2、W3、W4、W5-宽度；A-A’-剖线；T1、T2-厚度；US1、US2、US3-上表面；CP-弯折部；C1、C2、C3-连接处。
具体实施方式
下文结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述，且为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的元件可能并非按比例绘制。附图中的各元件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本发明范围。
本发明通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“含有”、“包括”与”具有”等词均为开放式词语，因此应被解释为“含有但不限定为…”之意。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本发明。在附图中，各图式绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构及/或材料的通常性特征。然而，这些图式不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
当相应的构件例如膜层或区域被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
应当理解到，当构件或膜层被称为“连接至”另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为“直接连接至”另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一个或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。
术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求中所使用的序数例如”第一”、”第二”等的用词，以修饰权利要求的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本发明精神的情况下构成另一实施例。
本发明的电子装置可包括显示设备、发光装置、感测装置或拼接装置、其他适合的装置、或上述装置的组合，但不以此为限。显示设备可为可弯折或可挠式显示设备。
图1到图3所示为本发明第一实施例的制作电子装置的方法示意图。如下将对图1到图3进行说明，且请同时参阅图6，图6为本发明第一实施例的接头单元的俯视示意图，其中图1到图3所示的接头单元108可例如为沿着图6的剖线A-A’的剖视示意图，但不以此为限。如图1，首先在第一基板102上提供多个发光元件104。图1到图3所绘示的方法中以三个发光元件104为例，但不以此为限。发光元件104可包括发光二极管(LED)、微型发光二极管(mini-LED或micro-LED)、量子点(quantum dots,QDs)材料、量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料或上述的组合，但不以此为限。发光元件104例如可发射出红光、绿色、蓝光或其它合适的波段光，但不以此为限。详细的发光元件104的层叠将于后续图5所叙述。在一些实施例中，接垫104b及接垫104c可分别作为发光元件104的阳极与阴极，且接垫104b及接垫104c例如设置于半导体主体104a的同一侧，例如为半导体主体104a的邻近第一基板102的一侧，但不限于此。在一些实施例中，第一基板102可例如作为暂时承载发光元件104的基板。第一基板102的材料包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、聚亚酰胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。在一些实施例中，第一基板102可包括硬性基板、软性基板或可挠式基板。在一些实施例中，发光元件104可包括导电图案(于此实施例中，导电图案可比对为半导体主体104a)，用以与转移接头106接触。
接着，如图1到图3所示，通过转移接头106将发光元件104中的至少一个从第一基板102上转移到第二基板120上。在一些实施例中，转移接头106可包括多个接头单元108，用以分别拾取对应的发光元件104。本案举一个接头单元108用以拾取所对应的一个发光元件104为例，但不限于此。在其它实施例中(未绘示)，一个接头单元108例如拾取所对应的多个发光元件104。详细来说，转移接头106(例如接头单元108)可包括电极110以及悬臂112，其中悬臂112连接电极110并用以支撑电极110。在一些实施例中，接头单元108的电极110可例如具有一拾取面106S，拾取面106S例如朝向发光元件104通过电极110将其拾取。在一些实施例中，电极110可包括两个子电极(例如子电极110E1及子电极110E2)，且子电极110E1(可对应权利要求书中的第一子电极与第二子电极的其中一个)和子电极110E2(可对应权利要求书中的第一子电极与第二子电极的其中另一个)错开，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，电极110可例如无区分为两个子电极(即无分第一子电极及第二子电极)，即电极110可例如为一体的结构，但不限于此。
参阅图1到图3，在一些实施例中，电极110及悬臂112可例如包括相同材料，但不限于此。换句话说，电极110及悬臂112可例如一体成形。在一些实施例中，电极110及/或悬臂112的材料例如包括半导体材料、透明导电材料、金属导电材料或上述的组合，但不以此为限。半导体材料例如包括硅、锗或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，电极110及/或悬臂112可包括单层材料或多层材料，但不限于此。在一些实施例中，电极110及/或悬臂112例如由材料层ML(例如为半导体材料)所形成，此材料层ML中可例如掺有掺杂物，使材料层ML可具有导电特性。在一些实施例中，外部线路(未绘示)可提供电压至悬臂112，且此电压可例如通过悬臂112传送至电极110，但不以此为限。在一些实施例中，掺杂物可例如包括N型掺杂物、P型掺杂物或其他合适材料，但不限于此。
参阅图1到图3，转移接头106可包括基板114、连接元件116及/或介电层118，但不限于此。在一些实施例中，基板114可例如软性基板或硬性基板。在一些实施例中，基板114上可选择性包括电路，用以传送电压至电极110，但不以此为限。在一些实施例中，连接元件116例如设置于接头单元108与基板114之间。在一些实施例中，连接元件116可例如与悬臂112连接或接触，以通过连接元件116将悬臂112固定于基板114上，但不限于此。在一些实施例中，相邻的连接元件116之间可形成开口116a。在一些实施例中，在俯视方向VD上，电极110及/或悬臂112可例如重叠于开口116a，使电极110与部分的悬臂112悬空在开口116a上，用以提高电极110与悬臂112的移动自由度。以此，电极110的拾取面106S可具有多方向的移动的自由度或旋转的自由度，提高拾取面106S拾取发光元件104。在一些实施例中，连接元件116的材料例如包括绝缘材料，可例如包括氧化硅、其他合适材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，转移接头106可选择性包括电路板(图未示)，经由电路板将电极110及/或悬臂112电连接到控制元件(或电源)。在一些实施例中(未绘示)，基板114中可形成穿孔(via)，穿孔中例如设有导电材料，悬臂112可例如经由设于穿孔中的导电材料电连接到控制元件(或电源)。在一些实施例中(未绘示)，悬臂112与外部电路(未绘示)之间可通过其它连接的导电线所电性连接。
参阅图1到图3，在一些实施例中，介电层118可例如设置于部分的基板114的表面114S上，表面114S例如为邻近于接头单元108的表面。在一些实施例中，介电层118可设置于悬臂112上。在一些实施例中，表面114S上的介电层118及接头单元108(包括悬臂112及电极110)上的介电层118可彼此相连接，但不限于此。换句话说，表面114S上的介电层118与接头单元108上的介电层118可例如于相同制程中所形成，但不限于此。在一些实施例中，介电层118可例如通过原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术或其它合适的方法来制作。在一些实施例中，介电层118可覆盖于连接元件116、及/或接头单元108。在一些实施例中，通过将介电层118设置于转移接头106的电极110上，可使转移接头106与发光元件104接触时，电极110与发光元件104彼此绝缘。
在一些实施例中，电极110包括子电极110E1及子电极110E2，可通过分别施加不同电压(例如不同极性的电压)至子电极110E1及子电极110E2，使子电极110E1与子电极110E2之间产生电场(例如边界电场)，进而使电极110与发光元件104之间产生静电感应(electrostatic induction)。当电极110与发光元件104之间产生静电感应，发光元件104与转移接头106之间可例如产生感应电荷，用以将发光元件104吸起或拾取。在一些实施例中，施加于子电极110E1与子电极110E2之间的电压差的范围可大于0V且小于或等于110V(0V<电压差≤110V)，但不限于此。在一些实施例中，施加于子电极110E1与子电极110E2之间的电压差的范围可大于或等于10V且小于或等于80V(10V≤电压差≤80V)，但不限于此。
在一些实施例中，介电层118的材料可包括绝缘材料，例如高介电系数的介电材料或其他适合的材料。介电层118的材料可例如包括氧化铝、氧化硅、其他适合的材料或上述的组合，且不以此为限。
参阅图1到图3及图6，在一些实施例中，于剖视方向上，电极110的厚度例如大于悬臂112的厚度，但不限于此。在一些实施例中，电极110与悬臂112例如由同一材料层(例如材料层ML)所形成时，电极110可定义为材料层ML中厚度较厚的部分，而悬臂112则定义为材料层ML中厚度较薄的部分。在一些实施例中(如图1至图6所示)，电极110与悬臂112例如由同一材料层(例如材料层ML)所形成时，电极110可大致对应于中间部分。通过将电极110的厚度设计大于悬臂112的厚度，当转移接头106与发光元件104接触时，电极110可较悬臂112更接近于发光元件104，通过电极110来拾取对应的发光元件104，提高发光元件104转移至第二基板的对位准确性。换句话说，通过将电极110的厚度设计大于悬臂112的厚度，可降低发光元件104被悬臂112误拾取的情况。在一些实施例中，电极110的厚度T1与悬臂112的厚度T2差异可大于或等于20μm且小于或等于70μm(20μm≤T1-T2≤70μm)，但不限于此。在一些实施例中，电极110的厚度T1与悬臂112的厚度T2差异可大于或等于30μm且小于或等于60μm(30μm≤T1-T2≤60μm)，但不限于此。在其它实施例(未绘示)，于剖视方向上，电极110的厚度T1例如大致等于或大于悬臂112的厚度T2，而电极110的材料例如比悬臂112的材料有更高的导电性。
请参阅图4，其所示为本发明第一实施例的一变化实施例的转移接头的剖视示意图。图4的转移接头显示一个接头单元，但不以此为限。图4所示的转移接头106a与图1所示的转移接头106的差异在于，转移接头106a更包括导电层124，导电层124例如设置于电极110的上表面110S与介电层118之间。详细来说，在一些实施例中，当电极110的材料包括半导体材料，且未掺有掺杂物时，可另外通过导电层124的设置，用以使导电层124与发光元件104产生静电感应。在一些实施例中，导电层124可设置于至少部分的悬臂112与介电层118之间。在一些实施例中，导电层124可设置于连接元件116与介电层118之间。
请继续参阅图1到图3。将发光元件104从第一基板102转移到第二基板120上的步骤详细描述如下。如图1所示，移动转移接头106，使转移接头106的不同电极110的拾取面106S分别与欲拾取的发光元件104接触。在一些实施例中，不同发光元件104的上表面(例如远离第一基板102的表面)可例如非位于相同的水平面上。上述的水平面例如为与第一基板102的表面大致平行的表面。举例来说，如图1所示，最左侧的发光元件104的上表面US1与中间的发光元件104的上表面US2例如非位于相同的水平面上。在一些实施例中，发光元件104(例如最右侧的发光元件104)的上表面US3可例如呈倾斜表面(或具有弧形的表面)，即上表面US3可例如未平行于第一基板102的表面。在一些实施例中，悬臂112可具有弯折部，用以提高电极110的拾取面106S的移动自由度，详细弯折部的叙述可参考后续图6说明。通过悬臂112的弯折部设计，在将转移接头106接触发光元件104时，不同的拾取面106S可更自由的配合发光元件104的上表面，提高拾取面106S与对应的发光元件104的接触面积，增加拾取发光元件104的机率。如图2所示，发光元件104例如被吸附在转移接头106的电极110的拾取面106S上，后续可将发光元件104与第一基板102分离。
如图3所示，将转移接头106移至第二基板120上，然后移除电极110上的电压，使发光元件104可脱离转移接头106，而位于第二基板120上。如图1至图3的步骤，形成本实施例的电子装置1，但不限于此，可根据需求增加或删除步骤。
请参阅图5，其所示为本发明一实施例的电子装置的剖视示意图。在将发光元件104设置在第二基板120上后，可选择性设置保护层122于发光元件104与第二基板120上。在一些实施例中，第二基板120可例如包括薄膜晶体管基板或电路板，但不以此为限。举例来说，第二基板120可例如包括基板126及电路结构层128，电路结构层128用以传送讯号至设置于第二基板120上的发光元件104。基板126可包括硬性基板或可挠性基板，基板的材料例如包括玻璃、陶瓷、石英、蓝宝石、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)，或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，基板126可包括硬性基板、软性基板或可挠式基板。在一些实施例中，电路结构层128可包括用于形成闸极GE及/或扫描线(未绘示)的导电层CL1、绝缘层IN1、半导体层SC、绝缘层IN2、以及用于形成源极SE、汲极DE及/或数据线(未绘示)的导电层CL2，但不以此为限。导电层CL1、绝缘层IN1、半导体层SC、绝缘层IN2及导电层CL2可形成多个薄膜晶体管TFT，且发光元件104可电性连接于薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT的类型不限如图5所示的底闸型，也可包括顶闸型、双闸型或其他合适的类型，但不限于此。在一些实施例中，保护层122可例如包括无机材料层、有机材料层或上述的组合，用以降低水气或氧气的影响。在一些实施例中，保护层122例如包括单层或多层的结构。
在一些实施例中，第二基板120可包括电极130、电极132及绝缘层IN3，绝缘层IN3设置于电路结构层128上，电极130与电极132设置于绝缘层IN3上，且电极130通过绝缘层IN3的穿孔与薄膜晶体管TFT电性连接。在一些实施例中，半导体层SC可例如包括金属氧化物、非晶硅、低温多晶硅(low-temperature polysilicon,LTPS)或低温多晶氧化物(low-temperature polycrystalline oxide,LTPO)，但不限于此。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管TFT可包含上述不同材料的半导体层SC，但不限于此。在一些实施例中，第二基板120可包括像素定义层PDL，设置于绝缘层IN3上，且像素定义层PDL具有多个开口OP，发光元件104可设置于开口OP中且电性连接电极130与电极132。
在一些实施例中，发光元件104(例如半导体主体104a)可包括第一电极134、第二电极136、第一半导体层138、发光层140以及第二半导体层142，但不限于此。第一电极134连接于第一半导体层138与接垫104b之间，第二电极136连接于第二半导体层142与接垫104c之间。举例来说，第一半导体层138可包括P型半导体材料及N型半导体材料中的一者，第二半导体层142可包括P型半导体材料及N型半导体材料中的另一者，但不以此为限。在一些实施例中，第二半导体层142可为导电图案，用以与转移接头接触，但不限于此。
需说明的是，虽然图1到图3未绘示出，但本实施例的悬臂112在俯视方向VD上可具有至少一弯折部(如图6所示弯折部CP)。在一些实施例中，于俯视方向VD上，悬臂112可包括L形部、U形部或其他合适的形状部。通过上述设计，可提高悬臂112与所连接的电极110之间的移动自由度或提高电极110(例如拾取面106S)的旋转的自由度。举例来说，当发光元件104的表面高低不同(即位于不同水平面)或具有倾斜表面时，通过如上的悬臂112设计，当转移接头106的拾取面106S接触发光元件104(例如发光元件104的表面)时，转移接头106的拾取面106S可根据所对应的发光元件104的表面情况而有所调变，例如调变转移接头106的拾取面106S的倾斜度或拾取面106S与基板114的距离，提升电极110的拾取面106S与对应的发光元件104的接触面积，提升拾取的机率。
请参阅图6，图6所示为第一实施例的接头单元的俯视示意图，其中图1到图3所示的接头单元108或图4所示的接头单元108可例如为沿着图6的剖线A-A’的剖视示意图，但不以此为限。下文以图1到图3所示的接头单元108为例描述。如图6所示，悬臂112可包括至少两条子悬臂(例如子悬臂112a、子悬臂112b)，子悬臂112a及子悬臂112b例如分别连接于子电极110E1及子电极110E2，通过子悬臂112a及子悬臂112b分别用以支撑子电极110E1及子电极110E2。在一些实施例中，子悬臂112a、子悬臂112b可例如分别连接于电极110的两个相对侧，但不限于此。在一些实施例中，子悬臂112a、电极110及子悬臂112b可例如沿着第一方向D1依序排列，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，接头单元108可包括至少一子悬臂，连接于电极110的至少一侧。在一些实施例中(未绘示)，子电极110E1及子电极110E2可具有弧形边缘。
在一些实施例中，在俯视方向VD上，子悬臂112a及/或子悬臂112b可分别具有至少一弯折部。具体而言，子悬臂112a及/或子悬臂112b可包括至少两个弯折部CP，以形成至少一U形部112U(或ㄩ形部)。在一些实施例中(未绘示)，弯折部CP可根据需求设计成有弧形边缘。在图6所示的接头单元108中，子悬臂112a及/或子悬臂112b可例如具有两个U形部112U，两个U形部112U例如分别朝向相反的方向，例如一个U形部112U的开口处朝上，另一个U形部112U的开口处朝下，但不限于此。其中两个U形部112U可例如彼此连接以形成蜿蜒形状，不限于此，而两个U形部112U例如具有一连接处C3。在一些实施例中，子悬臂112a及子悬臂112b中的至少一个可选择性包括L形部112L，连接于U形部112U与对应的子电极110E1(或子电极110E2)之间，但不限于此。在一些实施例中，将子悬臂112a大致旋转180度后即为子悬臂112b，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，子悬臂112a及子悬臂112b可例如呈镜像对称，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，子悬臂112a及子悬臂112b可例如不对称。一些实施例中，子悬臂112a及子悬臂112b的长度及/或外型可以相同或不同，但不限于此。
在一些实施例中，子悬臂112a与子电极110E1的连接处C1可例如与子悬臂112b与子电极110E2的连接处C2位于不同的水平线上，上述水平线例如平行第一方向D1。在一些实施例中(未绘示)，子悬臂112a与子电极110E1的连接处C1可例如与子悬臂112b与子电极110E2的连接处C2位于相同的水平线上。在一些实施例中，在第一方向D1上，子悬臂112a的宽度W2及/或子悬臂112b的宽度W3可大于或等于50μm且小于或等于200μm(50μm≤W2≤200μm；50μm≤W3≤200μm)，但不限于此。在一些实施例中，在第一方向D1上，子悬臂112a的宽度W2(及/或子悬臂112b的宽度W3)可大于或等于80μm且小于或等于170μm(80μm≤W2≤170μm；80μm≤W3≤170μm)，但不限于此。在一些实施例中，宽度W2与宽度W3可以相同或不同。
在一些实施例中，于俯视方向VD上看，子电极110E1及/或子电极110E2可呈螺旋状，但不限于此。在一些实施例中，于俯视方向VD上看，子电极110E1及/或子电极110E2的形状也可为梳状或其他适合的形状。在一些实施例中，于俯视方向VD上看，框住电极110的外边缘的图型轮廓(如粗虚线的框)可例如包括矩形、圆形、多边形、弧边形或其他合适的形状。图6所示的图型轮廓以矩形为例，子电极110E1及/或子电极110E2可包括多个长度不同的子部分，依序连接成螺旋状，但不限于此。在一些实施例中，子电极110E1及子电极110E2的子部分的数量可相同或不相同。
在一些实施例中，子电极110E1及子电极110E2彼此错开。在一些实施例中，子电极110E1及子电极110E2之间可具有间距G1及间距G2。间距G1例如为子电极110E1及子电极110E2之间于第一方向D1上的最小距离，间距G2例如为子电极110E1及子电极110E2之间于第二方向D2上的最小距离，其中第一方向D1与第二方向D2不同(两者可大致呈垂直)，但不限于此。在一些实施例中，间距G1及间距G2可以相同或不同。在一些实施例中，子电极110E1的侧边S1可邻近于子电极110E2的侧边S2，当于子电极110E1与子电极110E2之间施加不同的电压时，子电极110E1的侧边S1与子电极110E2的侧边S2之间可例如形成一电场(例如边缘电场)。在一些实施例中，随着侧边S1及侧边S2的长度越长，可提高电场，使电极110对发光元件104的吸附力提高。在一些实施例中，间距G1(及/或间距G2)可大于或等于3μm且小于或等于500μm(3μm≤G1≤500μm；3μm≤G2≤500μm)，但不限于此。在一些实施例中，间距G1(及/或间距G2)可大于或等于10μm且小于或等于400μm(10μm≤G1≤400μm；10μm≤G2≤400μm)，但不限于此。在一些实施例中，间距G1(及/或间距G2)可大于或等于100μm且小于或等于300μm(100μm≤G1≤300μm；100μm≤G2≤300μm)，但不限于此。
在一些实施例中，子电极110E1的宽度W4与子电极110E2的宽度W5可例如相同或不同。宽度W4可例如为在垂直子部分(子电极110E1中的其中一子部分)的延伸方向上所量测的最大宽度，而宽度W5可例如在垂直子部分(子电极110E2的其中一子部分)的延伸方向上所量测的最大宽度。在一些实施例中，宽度W4(及/或宽度W5)可大于或等于1μm且小于或等于500um(1μm≤W4≤500μm；1μm≤W5≤500μm)。在一些实施例中，宽度W4(及/或宽度W5)可大于或等于5μm且小于或等于300um(5μm≤W4≤300μm；5μm≤W5≤300μm)。在一些实施例中，在第一方向D1上，电极110的宽度W1可例如与发光元件104的宽度实质上相同，但不限于此。在一些实施例中，在第一方向D1上，电极110的宽度W1可例如大于发光元件104的宽度。在一些实施例中，在第一方向D1上，电极110的宽度W1可例如小于发光元件104的宽度。在一些实施例中，在俯视方向VD上，电极110的面积可例如与发光元件104的面积实质上相同。在一些实施例中，在俯视方向VD上，电极110的面积可例如大于发光元件104的面积。在一些实施例中，在俯视方向VD上，电极110的面积可例如小于发光元件104的面积。
图7所示为本发明第二实施例的接头单元的俯视示意图。如图7所示，接头单元208与图6的接头单元的差异在于子电极110E1及/或子电极110E2例如可分别连接两条子悬臂(例如子悬臂212a及子悬臂212b)，但不限于此。在其他实施例中，子电极所连接的子悬臂数量可根据需求做调整。在一些实施例中，子悬臂212a及/或子悬臂212b可例如连接于子电极110E1(及/或子电极110E2)的侧边部的中间部，但不限于此。
在一些实施例中，子悬臂212a及/或子悬臂212b可分别包括两个U形部212U，两个U形部212U的开口可例如分别朝向不同方向，但不以此为限。
在一些实施例中，连接同一子电极(例如子电极110E1或子电极110E2)的子悬臂212a及子悬臂212b可相对于第一方向D1彼此对称，但不限于此。
图8所示为本发明第三实施例的接头单元的俯视示意图。如图8所示，接头单元308与图6或图7的实施例的接头单元的差异在于子电极310E1及/或子电极310E2在俯视方向VD的形状可例如为梳状。具体来说，子电极310E1及/或子电极310E2可分别具有多个子部分SP及连接部CP1。在一些实施例中，在子电极310E1及/或子电极310E2中，连接部CP1例如与多个子部分SP连接以形成梳状。在一些实施例中，子电极310E1的子部分SP与子电极310E2的子部分SP可例如沿着第一方向D1交替或错位(错开)排列，使子电极310E1的子部分SP与子电极310E2的子部分SP之间可形成电场，以提升电极310的吸附力。在一些实施例中，连接同一子电极(例如子电极310E1或子电极310E2)的子悬臂312a及子悬臂312b可相对于子电极(例如子电极310E1或子电极310E2)彼此对称。在一些实施例中，连接符电极310E1的子悬臂312a可与连接符电极310E2的子悬臂312a彼此对称。在一些实施例中，连接符电极310E1的子悬臂312b可与连接符电极310E2的子悬臂312b彼此对称。
图9所示为本发明第四实施例的接头单元的俯视示意图。如图9所示，接头单元408与第一实施例的接头单元的差异在于悬臂412可包括四个子悬臂(例如子悬臂412a、子悬臂412b、子悬臂412c及子悬臂412d)，分别连接于电极110的四侧边，但不限于此。
在一些实施例中，在俯视方向VD上，子悬臂412a、子悬臂412b、子悬臂412c及/或子悬臂412d的形状可例如为U形(ㄩ形)或L形。在一些实施例中，子悬臂412a、子悬臂412b、子悬臂412c及/或子悬臂412d的开口可例如朝向电极110。在一些实施例中，子悬臂412a、子悬臂412b、子悬臂412c及/或子悬臂412d的至少一端部可连接到电极110。举例来说，子悬臂412a的一端部可连接到子电极110E1，而另一端部与子电极110E1分隔开。子悬臂412b的一端部可连接到子电极110E2，而另一端部与子电极110E2分隔开。在一些实施例中，子悬臂412c的两个端部皆可连接到子电极110E1。在一些实施例中，子悬臂412d的两个端部皆可连接到子电极110E2。
图10所示为本发明第五实施例的接头单元的俯视示意图。如图10所示，接头单元508与上述实施例的接头单元的差异在于分别与子电极110E1、110E2连接的子悬臂512a及子悬臂512b可包括多个U形部512U，且U形部512U的开口分别朝左及右。在一些实施例中，子悬臂512a及/或子悬臂512b的U形部512U可例如相连接而形成蜿蜒形状，且于一端部连接对应的子电极110E1及/或子电极110E2。在一些实施例中，多个子悬臂可根据需求连接于电极的不同角落。在一些实施例中(未绘示)，不同子悬臂可例如分别设置在电极的两个相对侧，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，不同的子悬臂可例如分别设置在电极的邻近两侧。
综上所述，本发明的转移接头由于具有弯折的子悬臂，使得由悬臂支撑的电极不只可在垂直方向上的移动，还可具有旋转的自由度，如此一来可提升对应电极的拾取面与微型元件接触的自由度。以此，当不同微型元件的表面高低不同或具有倾斜表面时，转移接头的拾取面可搭配对应的微型元件的表面，而提升与对应的微型元件的接触面积，以增加拾取的成功率，或者降低对微型元件的破坏。另外，本发明通过图案化电极，使得子电极彼此对应的侧边长度(即边缘电场区域的长度)可增加，因此当子电极之间施加电压差时，可提升电极所提供的吸附力，进而降低拾取不良或遗漏。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种转移接头，其特征在于，包括：
一电极；以及
一绝缘层，设置于所述电极上；
其中所述电极包括一第一子电极以及一第二子电极，
其中所述第一子电极与所述第二子电极分别具有一上表面及与所述上表面相对的一下表面，且所述绝缘层分别接触所述第一子电极与所述第二子电极的所述上表面及所述下表面，且接触所述第一子电极的所述绝缘层的部分与接触所述第二子电极的所述绝缘层的另一部分彼此未接触。
2.根据权利要求1所述的转移接头，其特征在于，还包括一悬臂，所述悬臂支撑所述电极，且所述悬臂包括一U形部。
3.根据权利要求2所述的转移接头，其特征在于，所述悬臂包括一第一子悬臂以及一第二子悬臂，所述第一子悬臂支撑所述第一子电极，且所述第二子悬臂支撑所述第二子电极，且所述第一子电极和所述第二子电极错开。
4.一种转移接头，其特征在于，包括：
一基板；
一接头单元，包括一电极以及一悬臂，所述悬臂支撑所述电极；以及
多个连接元件，其中，两个相邻的所述多个连接元件设置于所述基板与所述接头单元之间；
其中，所述电极与一部分的所述悬臂悬空在所述基板上，且所述悬臂连接于所述多个连接元件的其中一者与所述电极之间；
其中，所述电极与所述多个连接元件的所述其中一者在所述基板的俯视方向上不重叠。
5.根据权利要求4所述的转移接头，其特征在于，于所述基板的俯视方向上，所述悬臂包括一U形部。
6.根据权利要求4所述的转移接头，其特征在于，所述电极包括一第一子电极以及一第二子电极彼此分隔开且彼此电性绝缘。
7.根据权利要求6所述的转移接头，其特征在于，所述第一子电极为梳状或螺旋状。
8.一种制作电子装置的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在一第一基板上提供多个微型元件；
提供一转移接头，其中所述转移接头包括一电极，其中所述电极包括一第一子电极以及一第二子电极，所述第一子电极以及所述第二子电极彼此错开；
分别施加不同电压至所述第一子电极以及所述第二子电极，使所述第一子电极以及所述第二子电极之间产生电场，使得所述电极以及所述多个微型元件中的至少一个之间产生静电感应；以及
通过所述转移接头将所述多个微型元件中的所述至少一个从所述第一基板上转移到一第二基板上。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，分别施加至所述第一子电极以及所述第二子电极的电压之间的差值大于0伏特且小于或等于110伏特。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一子电极以及所述第二子电极之间具有一间隙，且所述间隙大于或等于3微米且小于或等于500微米。
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