CN117761470A - 屏蔽式绝缘检测结构 - Google Patents

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Abstract

本案揭露一种屏蔽式绝缘检测结构，包含输入源、第一屏蔽层、第二屏蔽层、绝缘层、第一阻抗单元、第二阻抗单元以及检测电路，第一屏蔽层连接于输入源的第一端，第二屏蔽层包含第一子屏蔽层及第二子屏蔽层，第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间间隔设置，绝缘层位于第一屏蔽层及第二屏蔽层之间，第一阻抗单元连接于第一子屏蔽层及输入源的第二端之间，第二阻抗单元连接于第二子屏蔽层及输入源的第二端之间。检测电路连接于第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间，以检测反应第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间电压差的信号。

Description

屏蔽式绝缘检测结构
技术领域
本案涉及一种绝缘检测结构，尤其涉及一种屏蔽式绝缘检测结构。
背景技术
随着配电网向智能电网的演变，为了满足智能电网的要求，电子电力变换器则朝向模块化发展，例如固态变压器，通过模块化的级联和并联，以适应高压智能电网的接入及低压大电流的输出。
而于固态变压器中，有多个位置需进行绝缘处理，例如相间绝缘、模块与模块之间的绝缘、高频变压器中的原边及副边之间的高低压绝缘、辅助供电的中电压侧以及市电的低电压侧之间的绝缘。考虑到装配的紧凑性和高功率密度的维持性，同时还要处理高电压下空气放电的风险，上述绝缘位置可采用屏蔽式固体绝缘方式进行绝缘，而屏蔽式固体绝缘所包覆的是同时含有高压工频分量和高频PWM方波分量的电力电子电路和导体，绝缘老化的问题更为复杂，因此绝缘处的效能监测对于防范绝缘老化带来的击穿风险是至关重要的。
为了监测绝缘处的效能，传统绝缘结构通常包含用以接收单路采样信号的检测回路，以同时检测模块的高频漏电流以及与绝缘阻抗相关联的工频信号，然而，单路的采样信号中模块的高频漏电流远大于与绝缘阻抗相关联的工频信号，而使工频信号无法被识别，造成传统绝缘结构无法轻易取得工频信号，更无法经由工频信号取得绝缘阻抗的信息，使传统绝缘结构的适用性较低。
而为了避免模块的高频漏电流的干扰，另一些传统绝缘结构则通过特定的控制方式，例如于固态变压器中的高频功率器件处于不切换的情况，例如轻载、待机或休眠等情况下，再利用检测回路进行绝缘检测，然而，此种检测方法的便利性较低且成本较高。
因此，如何发展一种屏蔽式绝缘检测结构来解决现有技术所面临的问题，实为本领域急需面对的课题。
发明内容
本案的目的在于提供一种屏蔽式绝缘检测结构，屏蔽式绝缘检测结构的第二屏蔽层区分为两个子屏蔽层，即第一子屏蔽层及第二子屏蔽层，而使屏蔽式绝缘检测结构的电路结构区分为两个支路，且利用检测电路检测反应第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间电压差的信号，即代表本案的屏蔽式绝缘检测结构以两个支路之间的电压差进行绝缘检测，换句话说，本案的屏蔽式绝缘检测结构的两个支路构成桥式差分电路而进行绝缘检测，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构具有较佳的高频噪音抑制能力，而可较佳地取得与绝缘阻抗相关的工频电压信号，进而确认绝缘层的效能，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构的适用性较高。此外，本案的屏蔽式绝缘检测结构不需使用额外的控制方式以进行绝缘检测，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构的便利性较佳且成本较低。
为达上述目的，本案之一较佳实施例为提供一种屏蔽式绝缘检测结构，包含输入源、第一屏蔽层、第二屏蔽层、绝缘层、第一阻抗单元、第二阻抗单元以及检测电路。输入源具有第一端及第二端。第一屏蔽层连接于输入源的第一端。第二屏蔽包含第一子屏蔽层及第二子屏蔽层，第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间间隔设置。绝缘层位于第一屏蔽层及第二屏蔽层之间。第一阻抗单元连接于第一子屏蔽层及输入源的第二端之间。第二阻抗单元连接于第二子屏蔽层及输入源的第二端之间。检测电路连接于第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间，以检测反应第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间电压差的信号。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本案第一实施例的屏蔽式绝缘检测结构的结构示意图。
图1B为图1A所示的屏蔽式绝缘检测结构的等效电路示意图。
图2为于绝缘层正常的情况下，传统绝缘结构以及图1A所示的屏蔽式绝缘检测结构的信号与等效电阻之间的数据比较图。
图3为于绝缘层失效的情况下，传统绝缘结构以及图1A所示的屏蔽式绝缘检测结构的信号的数据比较图。
图4为本案第二实施例的屏蔽式绝缘检测结构的部分结构示意图。
图5为本案第三实施例的屏蔽式绝缘检测结构的部分结构示意图。
图6A-图6D为本案的屏蔽式绝缘检测结构的第一子屏蔽层及第二子屏蔽层的多种实施例的形状示意图。
图7为本案第四实施例的屏蔽式绝缘检测结构的结构示意图。
图8为图1所示的屏蔽式绝缘检测结构的输入源的一种实施例的电路结构示意图。
图9为图1所示的屏蔽式绝缘检测结构的输入源的另一种实施例的电路结构示意图。
其中，附图标记
1、1a：屏蔽式绝缘检测结构
2、2a：输入源
21：第一端
22：第二端
3：第一屏蔽层
4：第二屏蔽层
41：第一子屏蔽层
42：第二子屏蔽层
5：绝缘层
C1：第一等效电容
RT1：第一等效电阻
C2：第二等效电容
RT2：第二等效电阻
6：第一阻抗单元
7：第二阻抗单元
8：检测电路
9：隔离阻抗
A、B、C、D、E、F：节点
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
体现本案特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本案能够在不同的态样上具有各种的变化，其皆不脱离本案的范围，且其中的说明及图示在本质上是当作说明使用，而非用于限制本案。
请参阅图1A及图1B，其中图1A为本案第一实施例的屏蔽式绝缘检测结构的结构示意图，图1B为图1A所示的屏蔽式绝缘检测结构的等效电路示意图。如图1A所示，本实施例的屏蔽式绝缘检测结构1设置于模块或配电装置(未图示)上，且包含输入源2、第一屏蔽层3、第二屏蔽层4、绝缘层5、第一阻抗单元6、第二阻抗单元7及检测电路8。
输入源2可为但不限为外部电网或位于模块内的输入源，输入源信号例如可为直流电压、网侧工频交流电压或变换器内部节点处的交流电压，其中，变换器内部节点处的电压对地的波形中含有交流分量即可构成输入源2，其实施方式可如图8及图9所示，其中图8中的节点A、B、C均可构成输入源2，或者如图9中的节点D、E、F亦均可构成输入源2a，以下以输入源2进行说明。如图1A所示，输入源2具有第一端21及第二端22，其中输入源2的第二端22为近地端，输入源2的第一端21为远地端，于本实施例中，输入源2经由第一端21提供一输入电能，输入源2的第二端22接地。第一屏蔽层3为导电材质所构成，且连接于输入源2的第一端21，而使第一屏蔽层3构成屏蔽式绝缘检测结构1的高压侧。第二屏蔽层4为导电材质所构成，第二屏蔽层4包含第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42，第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间间隔设置而未相互接触。绝缘层5为绝缘材质所构成，且设置于第一屏蔽层3及第二屏蔽层4之间。在一些实施例中，第一屏蔽层3和第二屏蔽层4相对设置。于本实施例中，第一阻抗单元6例如可为电阻、电阻与电感的串/并联结构或者电阻与电容的串/并联结构所构成，且第一阻抗单元6电连接于第一子屏蔽层41及输入源2的第二端22之间，第二阻抗单元7例如可为电阻、电阻与电感的串/并联结构或者电阻与电容的串/并联结构所构成，且第二阻抗单元7电连接于第二子屏蔽层42及输入源2的第二端22之间。根据上述连接方式可知，第一子屏蔽层41经由第一阻抗单元6电连接于输入源2的第二端22，且第二子屏蔽层42经由第二阻抗单元7电连接于输入源2的第二端22，而使包含第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42的第二屏蔽层4构成屏蔽式绝缘检测结构1的低压侧。
由于第二屏蔽层4区分为两个子屏蔽层，即第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42，如图1A所示，位于第一屏蔽层3及第一子屏蔽层41之间的绝缘层5可等效为并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1，其中并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1的阻抗值与工频电压信号具有相关性。位于第一屏蔽层3及第二子屏蔽层42之间的绝缘层5可等效为并联连接的第二等效电容C2及第二等效电阻RT2，其中第二等效电容C2及第二等效电阻RT2的阻抗值与工频电压信号具有相关性。而于等效电路结构方面，如图1B所示，屏蔽式绝缘检测结构1的电路结构包含可构成桥式差分电路的两个支路，即第一支路及第二支路。第一支路包含第一等效电容C1、第一等效电阻RT1及第一阻抗单元6，其中第一等效电容C1及第一等效电阻RT1并联连接而构成第一子支路，第一子支路更与第一阻抗单元6相互串联。第二支路包含第二等效电容C2、第二等效电阻RT2及第二阻抗单元7，其中第二等效电容C2及第二等效电阻RT2并联连接而构成第二子支路，第二子支路更与第二阻抗单元7相互串联。其中，第一支路及第二支路构成的桥式差分电路具有很好的高频噪声抑制能力，与绝缘阻抗相关的工频电压信号可以充分获取。于本实施例中，并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1所构成的第一子支路具有第一并联阻抗值，并联连接的第二等效电容C2及第二等效电阻RT2所构成的第二子支路具有第二并联阻抗值，其中第一并联阻抗值以及第一阻抗单元6的阻抗值之间的比值相等于第二并联阻抗值以及第二阻抗单元7的阻抗值之间的比值，也即绝缘材料正常时，第一支路和第二支路构成的桥式差分电路平衡。当绝缘材质失效时，并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1的阻抗值及/或并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1的阻抗值会产生变化，那么桥式差分电路即失去平衡，工频电压信号的信号大小亦将随之产生变化。
如图1A所示，检测电路8分别电连接于第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42，以检测反应第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间电压差的信号。在一些实施例中，此信号例如是电压、电流等电信号，也可以是可反应第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间电压差的诸如液晶偏转、电化学显色等信号，本发明对此不进行限制，只要此信号为可反应第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间电压差的信号即可。其中，当绝缘层5的效能产生变化，例如失效或效能降低时，并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1的阻抗值及/或并联连接的第一等效电容C1及第一等效电阻RT1的阻抗值产生变化，桥式差分电路失去平衡，工频电压信号发生变化，而第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间的电压差亦产生变化，而检测电路8可根据的反应第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间电压差的信号，进而确认屏蔽式绝缘检测结构1上的绝缘层5失效或效能降低。
请参阅图2及图3并配合图1A及图1B，其中图2为于绝缘层正常的情况下，传统绝缘结构以及图1A所示的屏蔽式绝缘检测结构的信号与等效电阻之间的数据比较图，图3为于绝缘层失效的情况下，传统绝缘结构以及图1A所示的屏蔽式绝缘检测结构的信号的数据比较图。如图2及图3所示，于相同的工况条件下，由于传统绝缘结构的高频信号远高于工频信号，而使得传统绝缘结构的工频信号无法被辨识，例如于图2及图3中仅辨识出传统绝缘结构的高频信号。而本实施例的屏蔽式绝缘检测结构1的高频信号则低于工频信号，而皆可同时被辨识，即代表本实施例的屏蔽式绝缘检测结构1可大幅抑制高频信号对工频信号的影响，进而提高工频信号的信噪比，而可更为准确的根据工频信号所获取的第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间的电压差确认绝缘层5的效能。
由上可知，本案的屏蔽式绝缘检测结构1的第二屏蔽层4区分为两个子屏蔽层，即第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42，而使屏蔽式绝缘检测结构1的电路结构区包含两个支路，且利用检测电路8检测反应第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间电压差的信号，即代表本案的屏蔽式绝缘检测结构1以两个支路之间的电压差进行绝缘检测，换句话说，本案的屏蔽式绝缘检测结构1的两个支路构成桥式差分电路而进行绝缘检测，相较于传统绝缘结构利用单路的采样信号进行绝缘检测，本案的屏蔽式绝缘检测结构1具有较佳的高频噪音抑制能力，而可较佳地取得与绝缘阻抗相关的工频电压信号，进而确认绝缘层5的效能，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构1的适用性较高。此外，本案的屏蔽式绝缘检测结构1不需使用额外的控制方式以进行绝缘检测，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构1的便利性较佳且成本较低。
由于第一等效电容C1及第一等效电阻RT1并联连接，且第二等效电容C2及第二等效电阻RT2并联连接，于一些实施例中，若输入源2所提供的输入电能包含交变信号时，为避免第一等效电阻RT1被第一等效电容C1旁路(及/或第二等效电阻RT2被第二等效电容C2旁路)而无法提供可反应第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间电压差的信号，则屏蔽式绝缘检测结构1需满足下列公式(1)及公式(2)，
其中f为输入源2的交变信号的频率，C1为第一等效电容的电容值，RT1为第一等效电阻的电阻值，C2为第二等效电容的电容值，RT2为第二等效电阻的电阻值。
于一些实施例中，屏蔽式绝缘检测结构1更需满足下列公式(3)及公式(4)，
于一些实施例中，如图1A所示，屏蔽式绝缘检测结构1更包含隔离阻抗9，位于第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间，且于本实施例中，隔离阻抗9与第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间可分别具有间隙，其中隔离阻抗9可利用涂敷、粘贴、喷涂、电镀或蚀刻的方式形成，且隔离阻抗9可为绝缘体、高阻体、半导电体或低阻体。
当然，于一些实施例中，隔离阻抗与第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间可不具有间隙，请参阅图4，其为本案第二实施例的屏蔽式绝缘检测结构的部分结构示意图，于本实施例中，隔离阻抗9更平铺于第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间，且紧密连接于第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间，而使第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42之间未包含任何间隙，且第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42的表面可保持屏蔽连续，以在高压应用场景下避免表面电场集中，并降低局部放电风险。
请参阅图5，其为本案第三实施例的屏蔽式绝缘检测结构的部分结构示意图，于本实施例中，第二子屏蔽层42具有延伸弯曲部，覆盖于部分的第一子屏蔽层41上，因此部分的第二子屏蔽层42覆盖于部分的第一子屏蔽层41上，而使部分的第二子屏蔽层42及部分的第一子屏蔽层41层叠设置，且隔离阻抗9至少部分位于第二子屏蔽层42的延伸弯曲部及部分的第一子屏蔽层41之间，即隔离阻抗9至少部分位于相互层叠的部分的第二子屏蔽层42及部分的第一子屏蔽层41之间，由于第一子屏蔽层41以及第二子屏蔽层42相互层叠，因此第一子屏蔽层41垂直于绝缘层5的投影以及第二子屏蔽层42垂直于绝缘层5的投影为连续，即代表其亦可使第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42的表面保持屏蔽连续，以在高压应用场景下避免表面电场集中，并降低局部放电风险。
于一些实施例中，为了平衡第一支路及第二支路之间的电压，第一等效电容C1的电容值相等于第二等效电容C2的电容值。而为了达到第一等效电容C1的电容值相等于第二等效电容C2的电容值，设置第一子屏蔽层41的表面积相等于第二子屏蔽层42的表面积，举例来说，例如图6A所示，第一屏蔽层3、第二屏蔽层4及绝缘层5形成的三层屏蔽式绝缘结构可构成一壳体，其中第一屏蔽层3位于壳体的内侧，第二屏蔽层4位于壳体的外侧，为了使第一等效电容C1的电容值相等于第二等效电容C2的电容值，使得壳体外侧的第一子屏蔽层41的表面积相等于第二子屏蔽层42的表面积，其中第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42的形状可不作限制，可如图6A-6D中任一图所示，且第一子屏蔽层41、第二子屏蔽层42及隔离阻抗9的设置位置亦可根据需求变换。当然，第一屏蔽层3、第二屏蔽层4及绝缘层5形成的三层屏蔽式绝缘结构并不仅局限于如图6A-6D所示的壳体形状，亦可形成如陶瓷基板、印刷电路板等平板状结构，或者形成如绝缘套管、固封极柱的管状结构，本发明不对其进行限制。
于一些实施例中，输入源2的第一端21为近地端，输入源2的第二端22为远地端，如图7所示，其中图7为本案第四实施例的屏蔽式绝缘检测结构的结构示意图。输入源2经由第二端22提供一输入电能，输入源2的第一端21接地。第一屏蔽层3连接于输入源2的第一端21，而使第一屏蔽层3构成低压侧。第一子屏蔽层41经由第一阻抗单元6电连接于输入源2的第二端22，且第二子屏蔽层42经由第二阻抗单元7电连接于输入源2的第二端22，而使包含第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42的第二屏蔽层4构成高压侧。
于一些实施例中，第二屏蔽层4不仅可区分为两个子屏蔽层，亦可区分为数量更多的子屏蔽层，例如除了第一子屏蔽层41及第二子屏蔽层42外，第二屏蔽层4更可包含另外2N个子屏蔽层，其中N为正整数，而第一子屏蔽层41、第二子屏蔽层42及另外2N个子屏蔽层皆与绝缘层5相接触，且第一子屏蔽层41、第二子屏蔽层42及另外2N个子屏蔽层之间皆为间隔排列设置，其中第一子屏蔽层41、第二子屏蔽层42及另外2N个子屏蔽层的排列方向可平行于第一屏蔽层3的设置方向。为了对应连接另外2N个子屏蔽层而设置另外2N个阻抗单元，另外2N个阻抗单元中的每一阻抗单元电连接于另外2N个子屏蔽层中对应的子屏蔽层及输入源2的第二端22之间，其中每一子屏蔽层与对应的阻抗单元构成一支路，使得屏蔽式绝缘检测结构的电路结构区分为2+2N个支路。
综上所述，本案的屏蔽式绝缘检测结构的第二屏蔽层区分为两个子屏蔽层，即第一子屏蔽层及第二子屏蔽层，而使屏蔽式绝缘检测结构的电路结构区分为两个支路，且利用检测电路检测反应第一子屏蔽层及第二子屏蔽层之间电压差的信号，即代表本案的屏蔽式绝缘检测结构以两个支路之间的电压差进行绝缘检测，换句话说，本案的屏蔽式绝缘检测结构的两个支路构成桥式差分电路而进行绝缘检测，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构具有较佳的高频噪音抑制能力，而可较佳地取得与绝缘阻抗相关的工频电压信号，进而确认绝缘层的效能，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构的适用性较高。此外，本案的屏蔽式绝缘检测结构不需使用额外的控制方式以进行绝缘检测，因此本案的屏蔽式绝缘检测结构的便利性较佳且成本较低。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (16)

1.一种屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，包含：
一输入源，具有一第一端及一第二端；
一第一屏蔽层，连接于该输入源的该第一端；
一第二屏蔽层，包含一第一子屏蔽层及一第二子屏蔽层，该第一子屏蔽层及该第二子屏蔽层之间间隔设置；
一绝缘层，位于该第一屏蔽层及该第二屏蔽层之间；
一第一阻抗单元，连接于该第一子屏蔽层及该输入源的该第二端之间；
一第二阻抗单元，连接于该第二子屏蔽层及该输入源的该第二端之间；以及
一检测电路，连接于该第一子屏蔽层及该第二子屏蔽层之间，以检测反应该第一子屏蔽层及该第二子屏蔽层之间电压差的信号。
2.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该输入源的该第一端为远地端，该输入源的该第二端为近地端。
3.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该输入源的该第一端为近地端，该输入源的该第二端为远地端。
4.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该第一屏蔽层与该第二屏蔽层的该第一子屏蔽层之间具有并联连接的一第一等效电容及一第一等效电阻，该第一屏蔽层与该第二屏蔽层的该第二子屏蔽层之间具有并联连接的一第二等效电容及一第二等效电阻，其中，并联连接的该第一等效电容及该第一等效电阻的阻抗值和该第一阻抗单元的阻抗值的比值相等于并联连接的该第二等效电容及该第二等效电阻的阻抗值和该第二阻抗单元的阻抗值的比值。
5.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该第一屏蔽层与该第二屏蔽层的该第一子屏蔽层之间具有并联连接的一第一等效电容及一第一等效电阻，该第一屏蔽层及该第二屏蔽层的该第二子屏蔽层之间具有并联连接的一第二等效电容及一第二等效电阻，其中：
其中，f为该输入源的一交变信号的频率，C1为该第一等效电容的电容值，RT1为该第一等效电阻的电阻值，C2为该第二等效电容的电容值，RT1为该第二等效电阻的电阻值。
6.如权利要求5所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于：
7.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该屏蔽式绝缘检测结构更包含一隔离阻抗，位于该第一子屏蔽层及该第二子屏蔽层之间。
8.如权利要求7所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该隔离阻抗完全平铺于该第一子屏蔽层及该第二子屏蔽层之间。
9.如权利要求7所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该隔离阻抗利用涂敷、粘贴、喷涂、电镀或蚀刻的方式形成。
10.如权利要求7所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该隔离阻抗为绝缘体、高阻体、半导电体或低阻体。
11.如权利要求7所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，部分的该第二子屏蔽层覆盖于部分的该第一子屏蔽层上，而使部分的该第二子屏蔽层及部分的该第一子屏蔽层层叠设置，其中该隔离阻抗至少部分位于相互层叠的部分的该第二子屏蔽层及部分的该第一子屏蔽层之间。
12.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该第一屏蔽层与该第二屏蔽层的该第一子屏蔽层之间具有一第一等效电容，该第一屏蔽层与该第二屏蔽层的该第二子屏蔽层之间具有一第二等效电容，其中该第一等效电容的电容值相等于该第二等效电容的电容值。
13.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该第一子屏蔽层的表面积相等于该第二子屏蔽层的表面积。
14.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该第二屏蔽层更包含另外2N个子屏蔽层及另外2N个阻抗单元，其中该第一子屏蔽层、该第二子屏蔽层及该另外2N个子屏蔽层之间皆间隔设置，且该另外2N个阻抗单元中的每一该阻抗单元连接于该另外2N个子屏蔽层中对应的该子屏蔽层及该输入源的该第二端之间，其中N为正整数。
15.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该输入源信号为直流电压、电网侧工频交流电压或一变换器的一节点处的交流电压。
16.如权利要求1所述的屏蔽式绝缘检测结构，其特征在于，该第一阻抗单元为电阻、电阻与电感的串/并联结构或者电阻与电容的串/并联结构；以及，该第二阻抗单元为电阻、电阻与电感的串/并联结构或者电阻与电容的串/并联结构。
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