CN117748288A - 激光器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种激光器。包括：基板和其上的半导体发光结构，基板包括依次堆叠的基底、导电层和焊料层；焊料层位于导电层的中间区域，且导电层位于焊料层的两侧的部分分别形成基板的第一电极和第二电极；导电层中的第一隔离沟将第一电极与导电层的其他部分电隔离且第一隔离沟的长度大于或等于腔长、第二隔离沟将第二电极的部分与导电层的其他部分电隔离以在导电层远离出光口的一侧形成注入区域；半导体发光结构的N面电极与焊料层焊接在一起且P面电极通过引线与第一电极连接，或者半导体发光结构的P面电极与焊料层焊接在一起且N面电极通过引线与第一电极连接。降低高功率激光器的失效率，提升器件的整体可靠性，工艺简单且适用范围广。

Description

激光器

技术领域

本申请涉及激光器技术领域，尤其涉及一种激光器。

背景技术

在光通信系统中，限制光纤通信距离的主要原因之一是传输损耗。1987年，掺饵光纤放大器(Erbium-doped fiber amplifier，EDFA)的诞生对光纤通信领域产生了革命性的影响。由于EDFA需要在线网使用长达数十年时间，因而要求极高的长期可靠性。但EDFA的核心部件之一980nm的大功率泵浦激光器，因出光功率大、功率密度高，长期使用时容易发生光学灾变(Catastrophic optical damage，COD)，导致EDFA模块失效，严重制约了EDFA模块的长期使用寿命。如何提升泵浦激光器的可靠性、降低COMD及COBD失效率对EDFA长期可靠使用亟待解决。

发明内容

有鉴于此，提出了一种激光器，以解决上述技术问题。

第一方面，本申请的实施例提供了一种激光器，包括基板和安装在所述基板上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠的P面电极、P面接触层、P面限制层、有源层、N面限制层、缓冲层、衬底、N面接触层和N面电极，所述基板包括基底、位于所述基底上方的导电层和位于所述导电层上方的焊料层；

所述焊料层位于导电层的中间区域，且所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分形成所述基板的第一电极、所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分形成所述基板的第二电极；

所述导电层中设置有第一隔离沟和第二隔离沟，所述第一隔离沟将所述第一电极与所述导电层的其他部分电隔离且所述第一隔离沟的长度大于或等于所述激光器的腔长，所述第二隔离沟将所述第二电极的部分与所述导电层的其他部分电隔离以在所述导电层远离所述激光器出光口的一侧形成注入区域；

所述半导体发光结构的N面电极与所述焊料层焊接在一起且P面电极通过引线与所述第一电极连接，或者所述半导体发光结构的P面电极与所述焊料层焊接在一起且N面电极通过引线与所述第一电极连接。

在一种可能的实现方式中，与所述第一电极通过引线连接的P面电极或N面电极具有至少一个镂空区域，各所述镂空区域位于所述引线与所述出光口之间。

在一种可能的实现方式中，所述引线的所在区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

在一种可能的实现方式中，所述注入区域的宽度小于所述腔长的一半，所述注入区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

在一种可能的实现方式中，所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第一电极和至少一个功能电极，所述第一电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

在一种可能的实现方式中，所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第二电极和至少一个功能电极，所述第二电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

在一种可能的实现方式中，各所述功能电极用于与所述激光器相关的其他元件连接，

所述其他元件包括以下至少一种：集成电阻、电容、光探测器、光纤安装座、光纤。

在一种可能的实现方式中，所述激光器包括泵浦激光器、可见光波段的半导体激光器中的任意一种。

本申请的这些和其他方面在以下(多个)实施例的描述中会更加简明易懂。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本申请的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本申请的原理。

图1示出掺饵光纤放大器的应用场景示意图。

图2示出相关技术中激光器腔内功率密度分布示意图。

图3示出根据本申请一实施例的激光器的立体结构示意图。

图4示出根据本申请一实施例的激光器中基板2的立体结构示意图。

图5示出根据本申请一实施例的激光器在截面M1处的截面示意图。

图6示出根据本申请一实施例的激光器在截面M2处的截面示意图。

图7示出根据本申请一实施例的激光器俯视图。

图8、图9示出根据本申请一实施例的激光器俯视图。

图10、图11示出根据本申请一实施例的激光器俯视图。

图12示出根据本申请一对照例激光器的俯视图。

图13示出对照例和示例1激光器中有源层的电流密度分布曲线图。

图14示出对照例和示例1激光器中有源层的温度分布曲线图。

图15示出对照例和示例1激光器中有源层的温度分布示意图。

图16示出示例1激光器的大电流PI曲线图。

图17示出对照例激光器的大电流PI曲线图。

具体实施方式

以下将参考附图详细说明本申请的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。

另外，为了更好的说明本申请，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本申请同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本申请的主旨。

图1示出掺饵光纤放大器的应用场景示意图。如图1所示，在光纤通信线路中需要利用多个EDFA对多次对信号进行增强，EDFA的工作模式避免了“光-电-光”转换的延时性和系统复杂性，实现了长距离、大容量、高速率的光纤通信。由于COD是激光器腔面或腔内局部区域吸收谐振腔内部较高的光辐射后，导致该处温度超过其熔点，从而发生局部熔化的一种灾变性破坏。在泵浦激光器器件中，其低反射出光腔面(Anti-reflective coating，AR)以及腔面附近接近1/4腔长长度范围内的有源区是最容易失效的区域；对应失效模式分别为腔面光学灾变(Catastrophic optical mirror damage，COMD)和腔内光学灾变(Catastrophic optical body damage，COBD)。图2示出相关技术中激光器腔内功率密度分布示意图。如图2所示，因低反射出光腔面以及腔面附近接近1/4腔长长度范围内的有源区这些区域功率密度相对更高，更容易发生缺陷的扩展和热失控。

而由于泵浦激光器的产热主要来源于三个方面：1.载流子非辐射复合产热；2.光吸收发热；3.电致发热。因此，有效降低出光腔面附近有源区的发热量即可降低激光器的失效率。光吸收发热与光场强度相关，而载流子非辐射复合发热及电致发热则主要与电流密度相关，因此降低出光腔面的光场强度以及电流密度是提升泵浦激光器长期可靠性的关键。

大功率半导体激光器的COD失效主要机理是激光器芯片内的晶格缺陷产生非辐射复合中心，在复合增强缺陷反应，(Recombination Enhanced Defect Reaction REDR)的作用下，非辐射复合会导致局部热集中和激活能的降低，进而导致缺陷的增殖、扩展、湮灭，产生新的非辐射复合中心，这种正反馈的机制会使缺陷持续扩展，当缺陷扩展至有源区后，较高载流子浓度以及光吸收功率的增加会使局部温度更高，加速REDR效应，导致更多发热和位错网络的形成，最终触发热失控，COD发生。由于激光器出光口附近光吸收更强，缺陷扩展和正反馈速率更快，因此是COD的高发区域。

相关技术中，通过下述方式提升泵浦激光器的长期可靠性：

方式一，量子阱混杂(Quantum well intermixing，QWI)：使用扩散、注入、诱导等工艺手段，使激光器腔面附近的局部量子阱组分原子发生相互扩散，从而增加相应的带隙宽度，减少腔面附近的光吸收，进而降低腔面及腔面附近关键区域的结温。但存在以下缺点：工艺难度大、工艺温度较高(一般超过900℃)，一般会导致激光器本身材料质量的降低(因为QWI的工艺温度已接近量子阱材料的外延生长温度)。

方式二，真空解理镀膜：在高真空环境下进行外延片解理然后原位加盖钝化膜，避免氧和其他杂质对腔面的污染，可显著提高激光器可靠性。但存在以下缺点：真空解理镀膜机设备昂贵，导致激光器的制作成本严重上浮。

为解决上述技术问题，本申请提供一种激光器，通过调整激光器载流子注入浓度的分布，提升激光器器件的整体可靠性，可降低激光器前端关键区域的结温和应力，从而降低高功率激光器COMD和COBD的失效率，工艺简单且效果显著。相比于QWI、真空解理镀膜等相关技术工艺难度更小，且适用范围大可应用于所有大功率激光器中。

为说明本申请实施例所提供的激光器的结构，以下结合图3-图7示出的激光器的不同示意图进行说明。其中，图3示出根据本申请一实施例的激光器的立体结构示意图。图4示出根据本申请一实施例的激光器中基板2的立体结构示意图。图5示出根据本申请一实施例的激光器在截面M1处的截面示意图。图6示出根据本申请一实施例的激光器在截面M2处的截面示意图。图7示出根据本申请一实施例的激光器俯视图。其中，为简明示意，图7中对于俯视图可见的P面接触层12和焊料层20并未示出。

如图3-图7所示，该激光器包括：基板2和安装在所述基板上的半导体发光结构1。半导体发光结构1可以为层结构，可以包括依次堆叠的P面电极11、P面接触层12、P面限制层13、有源层14、N面限制层15、缓冲层16、衬底17、N面接触层18和N面电极19。基板2可以包括基底22、位于所述基底22上方的导电层21和位于所述导电层21上方的焊料层20。

其中，如图3-图7所示，所述焊料层20位于导电层21的中间区域212，且所述导电层21位于所述焊料层20的一侧的部分形成所述基板2的第一电极211、所述导电层21位于所述焊料层20的另一侧的部分形成所述基板2的第二电极213。

如图3-图7所示，所述导电层21中设置有第一隔离沟G1和第二隔离沟G2。所述第一隔离沟G1将所述第一电极211与所述导电层21的其他部分电隔离且所述第一隔离沟G的长度大于或等于所述激光器的腔长L。所述第二隔离沟G2将所述第二电极213的部分与所述导电层21的其他部分电隔离以在所述导电层21远离所述激光器出光口的一侧形成注入区域S，所述注入区域S的宽度W小于所述腔长L的一半。

如图3-图7所示，所述半导体发光结构1的N面电极19与所述焊料层20焊接在一起且P面电极11通过引线31与所述第一电极211连接。或者，所述半导体发光结构1的P面电极11与所述焊料层20焊接在一起且N面电极19通过引线31与所述第一电极211连接(图中未示出)。

在本实施例中，如图3所示，在半导体发光结构1的出光口设置有抗反射镀膜(Anti-reflective coating，AR)、与出光口相对的另一侧设置有高反射镀膜(High-reflective coating，HR)，以使得半导体发光结构1所产生的激光可以从出光口射出。其中，半导体发光结构1内由高反射镀膜、抗反射镀膜和有源层14的作用下形成激射出光的腔体，腔体的长度即为如图4的腔长L。在腔体内部对应于出光口的面即为处于腔体前端的出光腔面，HR为腔体的前端(也可以称为激光器的前端)、AR以及出光口位于腔体的尾端或称后端(也可以称为激光器的尾端或后端)。

其中，如图3-图7所示，第一隔离沟G1可以在腔长方向上贯穿导电层21，以使得第一电极211可以与导电层21的中间区域212之间完全电隔离。如图4所示，注入区域S可以为导电层21的中间区域212与第二电极213之间的连接区域，使得电流可以通过该注入区域S在中间区域212之间第二电极213单向流动。注入区域S可为图4所示从HR位置起、终于靠近HR的某一位置。或者注入区域S也可以为靠近HR一侧的某一位置，第二隔离沟G2包括从出光口开始延伸到到注入区域S的靠近出光口一侧的第一部分以及从注入区域S的靠近HR一侧开始延伸到HR位置的第二部分，注入区域S与第二隔离沟G2之间的的位置关系，从距离出光口由近到远分别为：第二隔离沟G2的第一部分、注入区域S和第二隔离沟G2的第二部分。并且，所述注入区域S位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。如图4、图7所示，Q所在的截面将腔体划分为两侧等长的两部分。注入区域S位于截面Q与HR之间，注入区域S靠近出光口的一侧位于截面Q远离出光口的一侧。

在本实施例中，如图4所示，引线31所在的区域P位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。也即，引线31所在的区域P位于截面Q与HR之间，引线31可以包括多个，多个引线31中离出光口最近的一根引线位于截面Q远离出光口的一侧。可以根据需要对引线31所占据的区域P的尺寸进行设置，本申请对此不作限制。

在一些实施例中，基底22的材料可以为高导热绝缘材料，以实现上方氧化层21中不同电极之间的电隔离(也是电性绝缘，互相之前不能通电)，如氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氮化硅(Si₃N₄)等。

在一些实施例中，导电层21是为了实现电流的导通。在一些实施例中，导电层21可以包括依次堆叠的粘附层、阻挡层和结合层(或者电流承载层)。其中，粘附层靠近基底22、结合层位于最上方、阻挡层位于粘附层和结合层之间。粘附层的材料可以是钛(Ti)、铜(Cu)、钛钨(TiW)等使得导电层能与基底结合紧密、可靠的材料。阻挡层的材料可以是铂(Pt)、铅(Pb)、铬(Cr)等能够阻挡结合层与粘附层发生化学反应、扩散等的材料。结合层的材料可以是金(Au)等导电材料以实现电流导通。

在一些实施例中，焊料层20的材料可以为AuSn等焊料。以保证焊料层20可以与所要焊接在一起的P面电极11或N面电极19之间浸润键合，实现长期可靠的电、热、机械连接。

在一种可能的实现方式中，基板2还可以包括阻焊层，以阻挡焊料层20与导电层21之间发生反应。

为说明本申请图3-图6示出的激光器示例中电流的走向，以下结合图7进行说明：由于P面电极11通过引线31连接到第一电极211，N面电极19焊接到焊接层20上。则通电后，电流从供电的第一电极211经过引线31流向P面电极11，经过P面电极11的电流向下流入有源层14，电流在有源层14中在两端HR和AR的作用下激发出激光后从出光口射出，而后电流继续向下流入N面电极19后从N面电极19下方的焊料层20流入导电层21的中间区域212后，经过注入区域S最终流向第二电极213。其中，由于电流从引线31流入半导体发光结构1，通过限制引线31所在的区域P就可以限制电流流入P面电极11的位置，使得电流从远离出光口、靠近激光器尾端的位置注入。并且，通过调整注入区域S的位置使得电流从远离出光口、靠近激光器尾端的位置注入第二电极213。在一些实施例中，若N面电极19通过引线31连接到第一电极211，P面电极11焊接到焊接层20上，则电流的流向与图7所示的电流流向反向，未免冗余，不予赘述。

这样，通过将引线31和注入区域S设置于靠近激光器尾端、远离出光口的位置，可以减少出光口附近的电流密度/载流子密度，降低了非辐射复合速率、焦耳热、辐射吸收热，使腔内温度分布更加均匀、同时降低出光口附近的REDR反馈速率，使出光口附近关键区域的缺陷扩展速率更慢，延长激光器的寿命，减小泵浦激光器的COD失效率、提升其长期可靠性。

在本实施例中，为均衡激光器中电流密度/载流子密度，降低出光口附近的电流密度，使得叠加光吸收产热后，激光器腔体内温度分布更为均匀，还可以对通过引线31连接到第一电极211的N面电极19或P面电极11进行图案化镂空设置，以使得前端的载流子经过较大范围的横向扩散之后再注入有源层14，进而降低出光口附近的电流密度，使得叠加光吸收产热后，激光器腔体内温度分布更为均匀，降低了出光口的温度及其附近的有源区温度，理论上可显著降低AR COMD的概率和前端腔内COBD的概率。

在一种可能的实现方式中，与所述第一电极211通过引线31连接的P面电极11或N面电极19具有至少一个镂空区域，各所述镂空区域位于所述引线31与所述出光口之间。与所述第一电极211通过引线31连接的P面电极11或N面电极19上所设置的镂空区域可以是一个或多个。镂空区域的形状可以是长方形、梯形、椭圆形等任意形状。与所述第一电极211通过引线31连接的P面电极11或N面电极19上设置有多个镂空区域的情况下，各镂空区域的形状可以相同，也可以不同，还可以部分相同部分不同。设置镂空区域的过程中，可以基于引线31和注入区域S的位置通过模拟电流走向，对所需设置的镂空区域的位置、个数、大小、形状进行设置，以保证前端的载流子/电流经过较大范围的横向扩散之后再注入有源层14。

举例来说，图8、图9示出根据本申请一实施例的激光器俯视图。其中，为简明示意，图8-图9中以P面电极11通过引线31连接到第一电极211为例，对于俯视图可见的P面接触层12和焊料层20并未示出。

如图8所示，可以在P面电极11的靠近截面Q的位置设置一横向条状镂空区域K1(也即条状镂空区域K1的长度方向垂直于腔体方向、且平行于截面Q)，这样从引线31流入P面电极11的电流在向前端流动的过程中会因为条状镂空区域K1的作用，从P面电极11中条状镂空区域K1的两侧流向前端，实现了电流在P面电极11进入有源层14之前的横向扩散，进而降低出光口附近的电流密度。

如图9所示，可以在P面电极11的截面Q与前端之间的区域设置多个横向条状镂空区域K1(也即条状镂空区域K1的长度方向垂直于腔体方向、且平行于截面Q)以及多个纵向条状镂空区域K2(也即条状镂空区域K2的长度方向平行于腔体方向、且垂直于截面Q)，这样从引线31流入P面电极11的电流在向前端流动的过程中会因为条状镂空区域K1、K2的作用，在电流从P面电极11进入有源层14之前实现横向扩散，进而降低出光口附近的电流密度。

图10、图11示出根据本申请一实施例的激光器俯视图。其中，为简明示意，图10-图11中以P面电极11通过引线31连接到第一电极211为例，对于俯视图可见的P面接触层12和焊料层20并未示出。在一种可能的实现方式中，为满足激光器的功能需要，如图10所示，所述导电层21位于所述焊料层20的一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板2的第一电极211和至少一个功能电极214，所述第一电极211和相邻的所述功能电极214之间、相邻的所述功能电极214之间设置有实现电隔离的隔离沟G3。其中，可以在保证第一电极211满足与N面电极或P面电极的引线连接需求的情况下，根据功能电极214所需连接的其他元件的类型和尺寸对各功能电极214的形状和尺寸进行设置，本申请对此不作限制。

在一种可能的实现方式中，如图11所示，所述导电层21位于所述焊料层20的另一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板2的第二电极213和至少一个功能电极215，所述第二电极213和相邻的所述功能电极215之间、相邻的所述功能电极215之间设置有实现电隔离的隔离沟G4。其中，可以在保证第二电极211满足注入区域S的设置需求的情况下，根据功能电极215所需连接的其他元件的类型和尺寸对各功能电极215的形状和尺寸进行设置，本申请对此不作限制。

在一些实施例中，各所述功能电极(包括功能电极214、功能电极215)用于与所述激光器相关的其他元件连接，所述其他元件可以包括以下至少一种：集成电阻、电容、光探测器、光纤安装座(Fiber mount)、光纤。

在本实施例中，上述激光器可以应用于泵浦激光器、可见光波段的半导体激光器等大功率激光器中的任意一种。其中，泵浦激光器可以为激光波长为800nm-1000nm的多模泵浦激光器，例如，980nm的多模泵浦激光器。

为说明本申请实施例所提供的激光器能够使得激光器整体可靠性得到提升，以下结合示例进行说明。图12示出根据本申请一对照例激光器的俯视图。其中，为简明示意，图11中对于俯视图可见的P面接触层12和焊料层20并未示出。且为对照说明提供本申请中图7所示的激光器作为示例1，与图12所示的对照例激光器进行性能仿真测试。图11所示对照例激光器与图7所示示例1激光器的区别在于，二者的注入区域S的设置位置不同，图11所示对照例激光器的注入区域S位于出光口(也即出光腔面)附近。

图13示出对照例和示例1激光器中有源层的电流密度分布曲线图。则参考13可知，对照例激光器的有源层在出光口位置的电流密度远高于示例1激光器的有源层在出光口(也即出光腔面)位置的电流密度。且从有源层的整体电流密度分布来看，相同位置处对照例激光器的电流密度均高于示例1激光器的电流密度。

图14示出对照例和示例1激光器中有源层的温度分布曲线图。图15示出对照例和示例1激光器中有源层的温度分布示意图。则参考14可知，对照例激光器的有源层在出光口(也即出光腔面)位置的温度高于示例1激光器的有源层在出光口(也即出光腔面)位置的温度。且从有源层的整体温度分布来看，靠近出光口(也即出光腔面)一侧相同位置处对照例激光器的温度均高于示例1激光器的温度。且参照图14、图15可知，相比较而言，示例1激光器的有源层的温度分布更为均匀，且示例1激光器的有源层的高温区域相对分散，对照例激光器的高温区域集中在出光口(也即出光腔面)附近。

图16示出示例1激光器的大电流PI曲线图。图17示出对照例激光器的大电流PI曲线图。其中，PI即为Photo-current，光-电流。图16、图17中，PI曲线垂直跌落代表激光器在大电流应力下发生了COMD/COBD失效，PI曲线逐渐跌落代表激光器发生了热饱和(英文thermal rollover，热饱和是指大注入电流导致大量焦耳热的产生，激光器有源层温度上升造成热饱和进而导致光电转换效率的迅速降低)。对比可知图17所示对照例激光器在低温大电流下光功率较大时有大比例COMD/COBD失效(高温大电流下未失效)，而图16所示示例1激光器各种温度和光功率均未发生失效，大电流下仅表现为thermal rollover。说明示例1的设计有效提升了激光器整体极限强度，降低了泵浦激光器的COMD/COBD失效率。

通过上述仿真测试可知，将注入区域S设置于激光器的尾端不但能降低有源层出光口附近的电流密度，还可以均匀有源层中各处的电流密度分布，降低有源层中各处的电流密度，有效提高激光器的整体可靠性。

附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的装置、系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，所述模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。

也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行相应的功能或动作的硬件(例如电路或ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路))来实现，或者可以用硬件和软件的组合，如固件等来实现。

尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看所述附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现所述公开实施例的其它变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其它单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。

以上已经描述了本申请的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (8)

1.一种激光器，其特征在于，包括基板和安装在所述基板上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠的P面电极、P面接触层、P面限制层、有源层、N面限制层、缓冲层、衬底、N面接触层和N面电极，所述基板包括基底、位于所述基底上方的导电层和位于所述导电层上方的焊料层；

所述焊料层位于导电层的中间区域，且所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分形成所述基板的第一电极、所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分形成所述基板的第二电极；

所述导电层中设置有第一隔离沟和第二隔离沟，所述第一隔离沟将所述第一电极与所述导电层的其他部分电隔离且所述第一隔离沟的长度大于或等于所述激光器的腔长，所述第二隔离沟将所述第二电极的部分与所述导电层的其他部分电隔离以在所述导电层远离所述激光器出光口的一侧形成注入区域；

所述半导体发光结构的N面电极与所述焊料层焊接在一起且P面电极通过引线与所述第一电极连接，或者所述半导体发光结构的P面电极与所述焊料层焊接在一起且N面电极通过引线与所述第一电极连接。

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，与所述第一电极通过引线连接的P面电极或N面电极具有至少一个镂空区域，各所述镂空区域位于所述引线与所述出光口之间。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述引线的所在区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述注入区域的宽度小于所述腔长的一半，所述注入区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第一电极和至少一个功能电极，所述第一电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第二电极和至少一个功能电极，所述第二电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

7.根据权利要求5或6所述的激光器，其特征在于，各所述功能电极用于与所述激光器相关的其他元件连接，

所述其他元件包括以下至少一种：集成电阻、电容、光探测器、光纤安装座、光纤。

8.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括泵浦激光器、可见光波段的半导体激光器中的任意一种。