CN117748089A - 可折叠电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种可折叠电子设备,包括能够相对开合两个主体以及分别设于两个主体上的主天线单元和寄生天线单元。主天线单元包括辐射枝节和设于辐射枝节两末端之间的接地端口。寄生天线单元包括寄生枝节和回地端口,回地端口设于所述寄生枝节上,且靠近所述寄生枝节的其中一端部或位于所述其中一端部上。寄生枝节在电子设备处于折叠状态时与辐射枝节重叠设置。当电子设备处于折叠状态且主天线单元馈电时,主天线单元与所述寄生天线单元耦合,使寄生枝节上产生的电流与辐射枝节的至少部分区域上产生的电流同向,从而可通过同向叠加的电流来减少辐射枝节的辐射能量损耗,进而可在折叠状态下提升主天线单元的辐射效率,以及提高电子设备的通信性能。
Description
技术领域
本申请涉及天线技术领域,尤其涉及一种可折叠电子设备。
背景技术
随着终端产品形态的不断发展,折叠屏设备(例如折叠屏手机)因其展开状态屏幕显著增大已逐渐被用户广泛使用。但现有的折叠屏手机从展开状态切换为折叠状态时,因为副屏侧主体会直接覆盖在主屏侧主体上,使得主屏侧天线的辐射环境变差,且在副屏侧的金属体和主屏侧天线辐射体之间出现了电流耦合,导致布局在主屏侧的天线的效率下降,尤其是在主屏侧主体和副屏侧主体之间的缝隙较小、主屏侧天线的净空辐射环境也越来越小的情况下,折叠屏手机在折叠状态下的天线性能受到了较大的影响,其中,折叠状态的低频天线的性能受到的影响会更大。因此,如何提高折叠状态下低频天线的效率已成为天线工程技术人员重点关注的问题。
发明内容
本申请提供一种可折叠电子设备,所述电子设备针对布局在所述电子设备的其中一个主体上的低频天线,在所述电子设备的另一个主体上构造出与低频天线在折叠状态下重叠设置的寄生天线单元,使寄生天线单元产生的电流与低频天线的至少部分区域上产生的电流同向,以通过同向叠加的电流来减少低频天线的辐射能量损耗,从而提升低频天线的辐射效率,以及提高所述电子设备的通信性能。
第一方面,本申请提供了一种可折叠电子设备,所述可折叠电子设备包括第一主体、第二主体、主天线单元以及寄生天线单元。所述第一主体和所述第二主体相互连接且能够相对开合。所述主天线单元设于所述第一主体上,所述主天线单元包括辐射枝节、馈电端口和接地端口,所述馈电端口用于给所述辐射枝节馈电。所述辐射枝节包括第一末端和第二末端,所述接地端口设于所述辐射枝节的第一末端和第二末端之间。所述寄生天线单元设于所述第二主体上,所述寄生天线单元包括寄生枝节和回地端口,所述寄生枝节包括第一端部和第二端部,所述回地端口设于所述寄生枝节上,且靠近所述寄生枝节的其中一端部或位于所述其中一端部上。所述寄生枝节在所述电子设备处于折叠状态时与所述辐射枝节重叠设置。当所述电子设备处于折叠状态且所述主天线单元馈电时,所述主天线单元与所述寄生天线单元耦合,使所述寄生枝节上产生的电流与所述辐射枝节的至少部分区域上产生的电流同向。
本申请提供的电子设备针对布局在所述电子设备的第一主体上的主天线单元(低频天线),在所述电子设备的第二主体上构造出与所述主天线单元在折叠状态下重叠设置的寄生天线单元,并使所述寄生天线单元的寄生枝节上产生的电流与所述主天线单元的辐射枝节的至少部分区域上产生的电流同向,从而可通过同向叠加的电流来减少所述辐射枝节的辐射能量损耗,进而可在折叠状态下提升所述主天线单元的辐射效率,以及提高所述电子设备的通信性能。
在一种实施方式中,所述主天线单元的辐射枝节的第一末端和第二末端均为开路端。在所述电子设备处于折叠状态时,所述寄生枝节的第一端部与所述辐射枝节的第一末端相对设置,所述寄生枝节的第二端部与所述辐射枝节的第二末端相对设置。
在一种实施方式中,所述辐射枝节包括位于所述接地端口与所述辐射枝节的第一末端之间的第一辐射区,以及位于所述接地端口与所述辐射枝节的第二末端之间的第二辐射区。所述寄生天线单元的回地端口靠近所述寄生枝节的第二端部或位于所述第二端部上,所述寄生枝节包括位于所述回地端口与所述寄生枝节的第一端部之间的主辐射区。在所述电子设备处于折叠状态且所述主天线单元馈电时,所述主天线单元与所述寄生天线单元耦合,使所述寄生枝节的主辐射区上产生的电流与所述辐射枝节的第一辐射区上产生的电流同向。
在一种实施方式中,所述辐射枝节包括位于所述接地端口与所述辐射枝节的第一末端之间的第一辐射区,以及位于所述接地端口与所述辐射枝节的第二末端之间的第二辐射区。所述寄生天线单元的回地端口靠近所述寄生枝节的第一端部或位于所述第一端部上,所述寄生枝节包括位于所述回地端口与所述寄生枝节的第二端部之间的主辐射区。在所述电子设备处于折叠状态且所述主天线单元馈电时,所述主天线单元与所述寄生天线单元耦合,使所述寄生枝节的主辐射区上产生的电流与所述辐射枝节的第二辐射区上产生的电流同向。
在一种实施方式中,所述寄生天线单元的谐振频率小于所述主天线单元的谐振频率,以在折叠状态下通过所述寄生天线单元来提升所述主天线单元的辐射效率。
在一种实施方式中,所述主天线单元的主谐振模式为1/2波长的共模谐振模式,所述寄生天线单元的谐振模式为1/4波长的谐振模式。
在一种实施方式中,所述寄生天线单元还包括与所述寄生枝节的回地端口电连接的回地结构,所述寄生枝节的回地端口通过所述回地结构接地,所述回地结构用于在所述寄生枝节上构造出一个小阻抗边界。
所述回地结构为包含若干个无源器件的小阻抗电路。可选地,所述回地结构包括并联设置的多条小阻抗电路以及与所述多条小阻抗电路电连接的开关器件,其中,每条小阻抗电路包括若干个无源器件,所述开关器件用于控制所述多条小阻抗电路的通断状态。其中,所述无源器件包括零欧姆电阻、大电容或小电感,从而可在所述寄生枝节上构造出一个小阻抗边界来形成回地点。
在一种实施方式中,所述主天线单元还包括与所述辐射枝节电连接的第一调谐单元,所述第一调谐单元用于调整所述主天线单元的谐振频率,使所述主天线单元工作在预设的目标频段。可以理解的是,通过所述第一调谐单元来调整所述主天线单元的谐振频率,可使所述主天线单元在不同时刻能够覆盖不同的目标频段,例如低频频段中的B28频段、B5频段或B8频段,以满足实际的设计需求。
所述寄生天线单元还包括与所述寄生枝节电连接的第二调谐单元,所述第二调谐单元用于调整所述寄生天线单元的谐振频率,使所述寄生天线单元的谐振频率小于所述主天线单元的谐振频率。可以理解的是,通过所述第二调谐单元来调整所述寄生天线单元的谐振频率,可使所述寄生天线单元的谐振频率能够跟随所述主天线单元的谐振频率的变化而做相应的调整,以满足实际的设计需求。例如使所述寄生天线单元的谐振频率与所述主天线单元的谐振频率保持合适的频率间距,以在折叠状态下提升所述主天线单元的辐射效率。
在一种实施方式中,所述第一主体包括第一金属边框,所述第二主体包括第二金属边框。所述辐射枝节设于所述第一金属边框上,所述寄生枝节设于所述第二金属边框上。
在一种实施方式中,所述第一金属边框上开设有第一缝隙和第二缝隙,所述第一缝隙与所述第二缝隙之间的金属边框构成所述主天线单元的辐射枝节,其中,所述辐射枝节的第一末端与所述第一缝隙相邻,所述辐射枝节的第二末端与所述第二缝隙相邻。
所述第二金属边框上开设有第三缝隙和第四缝隙,所述第三缝隙与所述第四缝隙之间的金属边框上构成所述寄生天线单元的寄生枝节,其中,所述寄生枝节的第一端部与所述第三缝隙相邻,所述寄生枝节的第二端部与所述第四缝隙相邻。
其中,在所述电子设备处于折叠状态时,所述第一缝隙与所述第三缝隙相对设置,所述第二缝隙与所述第四缝隙相对设置。如此,能确保所述寄生枝节与所述辐射枝节在所述电子设备处于折叠状态时能够重叠设置。
在一种实施方式中,所述电子设备还包括连接结构,所述第一主体与所述第二主体通过所述连接结构进行连接。所述第一金属边框包括第一连接段、第二连接段和第三连接段,所述第一连接段与所述连接结构相对设置;所述第二连接段和所述第三连接段分别与所述第一连接段连接,且分别位于所述第一连接段与所述连接结构之间。
在一种实施方式中,所述辐射枝节均呈L形条状。所述第一缝隙开设于所述第一金属边框的第一连接段上,所述第二缝隙开设于所述第一金属边框的第二连接段或第三连接段上。
在一种实施方式中,所述馈电端口设于所述第一连接段上。
可选地,在所述第二缝隙开设于所述第一金属边框的第二连接段上时,所述馈电端口设于所述第二连接段上;在所述第二缝隙开设于所述第一金属边框的第三连接段上时,所述馈电端口设于所述第三连接段上。
在一种实施方式中,所述辐射枝节呈直线条状。所述第一缝隙和所述第二缝隙均开设于所述第一金属边框的第一连接段上,或均开设于所述第一金属边框的第二连接段上,或均开设于所述第一金属边框的第三连接段上。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为可折叠电子设备的一种结构示意图,其中,所述电子设备处于展开状态。
图2为图1所示的电子设备处于折叠状态时的结构示意图。
图3(a)为低频天线的一种应用环境的结构示意图,所述低频天线设置于图1所示的电子设备包含的边框上,其中,所述边框处于展开状态。
图3(b)为图3(a)所示的边框的局部结构的放大示意图,其中,所述边框处于折叠状态。
图4(a)为低频天线的另一种应用环境的结构示意图,所述低频天线设置于图1所示的电子设备包含的边框上,其中,所述边框处于展开状态。
图4(b)为图4(a)所示的边框的局部结构的放大示意图,其中,所述边框处于折叠状态。
图5(a)为图4(a)所示的低频天线在所述电子设备处于展开状态且所述低频天线馈电时的电流分布原理图。
图5(b)为图4(a)所示的低频天线在所述电子设备处于折叠状态且所述低频天线馈电时的电流和电场分布原理图。
图6(a)为图4(a)所示的低频天线在所述电子设备处于展开状态且所述低频天线馈电时的电流分布仿真图。
图6(b)为图4(a)所示的低频天线在所述电子设备处于折叠状态且所述低频天线馈电时的电流分布仿真图。
图7(a)为包含有图4(a)所示的低频天线的电子设备处于折叠状态时的部分结构示意图。
图7(b)为图7(a)所示的结构在所述低频天线馈电时,在图7(a)所示的第一视角V1所呈现的电场分布仿真图。
图7(c)为图7(a)所示的结构在所述低频天线馈电时,在图7(a)所示的第二视角V2所呈现的电场分布仿真图。
图8为图4(a)所示的低频天线分别应用于直板机和折叠机时的辐射效率曲线示意图。
图9(a)为本申请第一实施例提供的天线结构的结构示意图,所述天线结构设置于图1所示的电子设备包含的边框上,其中,所述边框处于展开状态,所述天线结构包括主天线单元和寄生天线单元。
图9(b)为图9(a)所示的边框的局部结构的放大示意图,其中,所述边框处于折叠状态。
图10为本申请第二实施例提供的天线结构的结构示意图,所述天线结构设置于图1所示的电子设备包含的边框上,其中,所述边框处于展开状态。
图11为图9(a)所示的天线结构在所述电子设备处于折叠状态且所述主天线单元馈电时的电流和电场分布原理图。
图12为图9(a)所示的寄生天线单元包含的回地结构的一种电路结构示意图。
图13为本申请第三实施例提供的天线结构的结构示意图,所述天线结构设置于图1所示的电子设备包含的边框上,其中,所述边框处于展开状态。
图14为图13所示的天线结构在所述电子设备处于折叠状态且所述主天线单元馈电时的电流和电场分布原理图。
图15(a)为本申请第四实施例提供的天线结构在电子设备处于折叠状态且主天线单元馈电时的电流和电场分布原理图。
图15(b)为本申请第五实施例提供的天线结构在电子设备处于折叠状态且主天线单元馈电时的电流和电场分布原理图。
图15(c)为本申请第六实施例提供的天线结构在电子设备处于折叠状态且主天线单元馈电时的电流和电场分布原理图。
图15(d)为本申请第七实施例提供的天线结构在电子设备处于折叠状态且主天线单元馈电时的电流和电场分布原理图。
图16为图9(a)所示的天线结构在所述电子设备处于折叠状态且所述主天线单元馈电时的电流分布仿真图。
图17(a)为包含有图9(a)所示的天线结构的电子设备处于折叠状态时的部分结构示意图。
图17(b)为图17(a)所示的结构在所述主天线单元馈电时,在图17(a)所示的第一视角V1所呈现的电场分布仿真图。
图18为图4(a)所示的低频天线以及图9(a)所示的天线结构分别在所述电子设备处于折叠状态下的S参数曲线示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,不能理解为对本申请的限制。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
除非另有定义,本申请所使用的所有的技术和科学术语与本领域技术人员通常理解的含义相同。本申请在说明书中所使用的术语只是为了描述具体实施例的目的,不是旨在限制本申请。
如图1和图2所示,可折叠的电子设备100包括第一主体11和第二主体12,所述第一主体11和所述第二主体12相互连接且能够相对开合,从而使所述电子设备100具有展开和折叠两种使用状态。其中,在展开状态下,如图1所示,所述第一主体11上的第一显示屏21与所述第二主体12上的第二显示屏22能够形成一个完整的显示平面,使所述电子设备100具有一个大面积的显示屏,以实现大屏幕显示的功能,能满足用户的大屏幕显示的使用需求。在折叠状态下,如图2所示,所述第一显示屏21与所述第二显示屏22位于不同的平面上,使所述电子设备100具有小面积的显示屏,同时也能满足用户的便于携带的使用需求。在一种实施方式中,所述第一显示屏21可设置为主屏,而所述第二显示屏22可设置为副屏。在另一种实施方式中,所述第一显示屏21也可设置为副屏,而所述第二显示屏22可设置为主屏。在折叠状态下,所述第一显示屏21和所述第二显示屏22可隐藏在所述电子设备100的内侧,也可暴露在所述电子设备100的外侧,本申请对所述第一显示屏21和所述第二显示屏22在所述电子设备100处于折叠状态时的呈现方式不作限定。所述电子设备100包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴式设备等电子装置。
在本实施例中,所述电子设备100还包括设于所述第一主体11与所述第二主体12之间的连接结构13,所述第一主体11与所述第二主体12通过所述连接结构13进行连接,并且至少一个主体可相对所述连接结构13转动,从而使所述第一主体11与所述第二主体12的使用状态能够在展开状态和折叠状态之间进行切换。其中,所述连接结构13可采用转轴或铰链等结构,本申请对所述连接结构13的具体结构不做限定。
所述电子设备100还包括壳体,所述壳体与所述第一显示屏21、所述第二显示屏22围设成收容腔,以收容所述电子设备100的内部结构,例如电路板组件、电池模组、处理器、射频模块等。其中,所述壳体包括边框30、中框(图未示)和后盖(图未示),所述边框30包括位于所述第一主体11上的第一金属边框31以及位于所述第二主体12上的第二金属边框32,所述第一边框30与所述第一主体11上的中框或后盖固定连接,或者,所述第一边框30与所述第一主体11上的中框或后盖一体成型。相似地,所述第二边框30与所述第二主体12上的中框或后盖固定连接,或者,所述第二边框30与所述第二主体12上的中框或后盖一体成型。如图2和图3(b)所示,在所述电子设备100处于完全折叠的状态时,所述第一主体11和所述第二主体12重叠设置,使得所述第一金属边框31与所述第二金属边框32重叠设置。
应说明的是,图1和图2仅示意性地示出了所述电子设备100包含的一些结构部件,这些结构部件的实际构造和位置不受图1和图2的限制,并且相对于图1和图2中所示出的结构部件,所述电子设备100实际上可以包含更多的结构件,例如所述电子设备100还可包括摄像头、指纹模组、控制器、设于所述第一主体11中的第一电路板71、设于所述第二主体12中的第二电路板72等器件。
在本实施例中,所述电子设备100还具有无线通信功能,相应地,所述电子设备100还包括若干个天线,所述天线用于发射和接收电磁波信号。在一种实施例中,如图1和图3(a)所示,所述天线包括设于所述电子设备100的其中一个主体上的低频天线41,所述低频天线41包括辐射枝节411、馈电端口412、接地端口413和第一调谐单元414。其中,所述馈电端口412用于与一馈源61电连接,所述馈源61用于通过所述馈电端口412给所述辐射枝节411馈电。所述接地端口413与所述第一主体11上的第一地板81电连接,以实现所述辐射枝节411的接地。在所述一种实施例中,所述接地端口413设于所述辐射枝节411的两末端之间。所述第一调谐单元414与所述辐射枝节411电连接,所述第一调谐单元414用于调整所述低频天线41的谐振频率,使所述低频天线41工作在预设的目标频段。在所述一种实施例中,所述目标频段为低频频段,例如低频频段中的B28频段(703MHz-803MHz)、B5频段(824MHz-894MHz)或B8频段(880MHz-960MHz),相应地,所述馈源61给所述辐射枝节411馈入的电磁波信号为低频电信号。本申请中以所述低频天线41工作在B5频段,谐振频率为0.85GHz为例,对所述低频天线41进行介绍。
由于天线为金属材质,其辐射性能容易受到电池、振荡器、摄像头等电子元器件的干扰,或者受到其他金属物件的干扰,因此,在天线的周围空间通常会留出一块干净的空间(简称净空区),以保证天线的辐射性能。本申请中以所述低频天线41设置于所述第一主体11的边缘区域A1(如图1所示)中为例,对所述低频天线41进行介绍。其中,在所述一种实施例中,如图3(a)所示,所述第一金属边框31上开缝形成所述辐射枝节411。
如图2-图3(b)所示,当所述电子设备100处于折叠状态时,所述第一主体11和所述第二主体12会重叠在一起,使所述第二金属边框32覆盖在所述辐射枝节411上,所述第一主体11上的第一地板81和所述第二主体12上的第二地板82会从展开状态变成折叠状态,导致所述低频天线41的净空辐射环境变差。应说明的是,本申请所提及的第一地板81是指由所述第一主体11上的若干个金属部件,例如所述第一主体11上的金属中框、金属后盖、第一电路板71等所构成的组合。同理,所述第二地板82是指由所述第二主体12上的若干个金属部件,例如所述第二主体12上的金属中框、金属后盖、第二电路板72等所构成的组合。为了方便在图3(a)中示意以及便于理解,本申请中以完整的块状等效结构来表示所述第一地板81和所述第二地板82。
由于所述低频天线41受到所述第二主体12上的第二地板82的耦合影响,导致所述低频天线41在折叠状态下的天线辐射性能显著下降。尤其是在折叠的第一主体11和第二主体12之间的间距比较小、所述低频天线41周围的净空区域也比较小的情况下,工作在低频段的天线的性能受到的影响会更明显。
在另一种实施例中,如图4(a)和图4(b)所示,所述第二金属边框32上还开缝形成有导体42,所述导体42在所述电子设备100处于折叠状态时与所述辐射枝节411重叠设置。根据传输线理论和天线辐射理论,在较小净空环境下,若两导体之间的间距较小,在两导体上的电流分布以及在两导体之间的电场分布会直接影响天线的辐射效率。如图5(a)所示,由于所述低频天线41的接地端口413位于所述辐射枝节411的两末端之间,因此,在所述电子设备100处于展开状态且所述低频天线41馈电时,在所述辐射枝节411上产生的电流会在所述接地端口413两侧呈现反向对流模式。
如图5(b)所示,在所述电子设备100处于折叠状态时,由于所述导体42靠近所述辐射枝节411,且两者之间的间距较小,当所述低频天线41馈电时,所述辐射枝节411与所述导体42之间会产生电场耦合,从而在所述导体42上激励出电流,且所述辐射枝节411与所述导体42上的电流方向相反,所述辐射枝节411与所述导体42在两者之间的间隙G0内分别产生的电场同向。
图6(a)为在所述电子设备100处于展开状态且所述低频天线41馈电时进行的仿真效果测试所获得的所述低频天线41的电流分布仿真图。图6(b)为在所述电子设备100处于折叠状态且所述低频天线41馈电时进行的仿真效果测试所获得的所述低频天线41的电流分布仿真图。从图6(a)所示的仿真图可看出,在展开状态下,所述低频天线41的辐射枝节411上的电流分布在所述接地端口413两侧呈现对流模式,即,所述接地端口413两侧的电流方向相反。从图6(b)所示的仿真图可看出,在折叠状态下,所述低频天线41的辐射枝节411上的电流的对流模式不变。同时,与所述辐射枝节411重叠的所述导体42上也产生了反向分布的电流,且在重叠区域内的各个相对位置上,所述导体42上的电流与所述辐射枝节411上的电流反向。结合图5(a)-图6(b)可知,图6(a)的仿真图所示的电流方向与图5(a)的原理图所示的电流方向对应,图6(b)的仿真图所示的电流方向与图5(b)的原理图所示的电流方向对应。
图7(a)为包含有图4(a)所示的低频天线41的电子设备100处于折叠状态时的部分结构示意图。图7(b)为图7(a)所示的结构在所述低频天线41馈电时进行的仿真效果测试在第一视角V1(所述电子设备100的侧边视角)所呈现的电场分布仿真图。图7(c)为图7(a)所示的结构在所述低频天线41馈电时进行的仿真效果测试在第二视角V2(所述电子设备100的底部视角)所呈现的电场分布仿真图。从图7(b)和图7(c)中可看出,在折叠状态下,所述辐射枝节411与所述导体42在两者之间的间隙G0内分别产生的电场同向。结合图5(b)、图7(b)和图7(c)可知,图7(b)和图7(c)的仿真图所示的电场方向与图5(b)的原理图所示的电场方向对应。
结合图5(b)所示的电流和电场分布原理图、图6(b)所示的电流分布仿真图,以及图7(b)-图7(c)所示的电场分布仿真图可知,在折叠状态下,重叠的两导体(所述辐射枝节411与所述导体42)上的电流方向相反,两导体在两者之间的间隙G0内分别产生的电场同向,这种电流和电场分布特点与传输线模式的双导体上的电流和电场分布特点相似,属于封闭场类型,是储能耗能的模式,所述辐射枝节411上的电流会被所述导体42上的电流反向抵消,在所述辐射枝节411和所述导体42之间的间隙G0内产生的电场的能量会被由所述第一主体11、所述第二主体12以及所述连接结构13在折叠状态下共同构造出的腔体储存,从而导致所述低频天线41的辐射效率下降,影响所述电子设备100的通信性能。
图8为所述低频天线41分别应用于直板机和折叠机时进行的仿真效果测试所获得的所述低频天线41的辐射效率曲线示意图。其中,在图8中,标号Rad_11用于指示所述低频天线41应用于直板机时的天线辐射效率曲线,标号Rad_12用于指示所述低频天线41应用于折叠机(例如所述电子设备100)且所述折叠机处于折叠状态时的天线辐射效率曲线。
从图8可明显地看出,在B5频段的频点0.85GHz处,当所述低频天线41应用于直板机时,所述低频天线41的辐射效率为-8.81dB;而当所述低频天线41应用于折叠机且折叠机处于折叠状态时,所述低频天线41的辐射效率下降到-11.27dB。相对于直板机上的低频天线的辐射效率,折叠机处于折叠状态时的低频天线的辐射效率大约下降了2.5dB左右。可见,将同一种天线方案分别应用于直板机和折叠机时,在直板机的应用场景中,所述低频天线41具有较高的辐射效率,而在折叠机的应用场景中,当折叠机处于折叠状态时,所述低频天线41的辐射效率明显变差。
为了改善折叠机处于折叠状态时会使低频天线效率明显变差的问题,本申请的实施例提供了一种天线结构,所述天线结构可应用于图1-图2所示的电子设备100中。如图9(a)所示,本实施例提供的天线结构50包括主天线单元51和寄生天线单元52,其中,所述主天线单元51设于所述电子设备100的其中一个主体上,所述寄生天线单元52设于所述电子设备100的另一个主体上。本申请中以所述主天线单元51设置于所述第一主体11的边缘区域A1(如图1所示)中、所述寄生天线单元52设置于所述第二主体12的边缘区域A2(如图1所示)中为例,对所述天线结构50进行介绍。
所述主天线单元51包括辐射枝节511、馈电端口512、接地端口513和第一调谐单元514,所述辐射枝节511包括第一末端M1和第二末端M2,所述接地端口513设于所述辐射枝节511的第一末端M1和第二末端M2之间。其中,所述主天线单元51的结构和工作原理与图3(a)或图4(a)所示的低频天线41的结构和工作原理相同,所述主天线单元51包括的辐射枝节511、馈电端口512、接地端口513和第一调谐单元514,与所述低频天线41包括的辐射枝节411、馈电端口412、接地端口413和第一调谐单元414一一对应,具体细节请参阅前面的介绍,在此不进行重复赘述。
在本实施例中,所述寄生天线单元52包括寄生枝节521和回地端口522,所述寄生枝节521包括第一端部N1和第二端部N2,所述回地端口522设于所述寄生枝节521上,且靠近所述寄生枝节521的其中一端部或位于所述其中一端部上。在所述电子设备100处于展开状态时,如图9(a)所示,所述寄生枝节521与所述辐射枝节511相对设置在所述电子设备100的两侧。在所述电子设备100处于折叠状态时,如图9(b)所示,所述寄生枝节521与所述辐射枝节511重叠设置。应说明的是,本申请所提及的“重叠”包含部分重叠和完全重叠的情况,例如包括所述辐射枝节511的一端或两端未被所述寄生枝节521覆盖的情况,也包含所述寄生枝节521的一端或两端未被所述辐射枝节511覆盖的情况,还包含所述辐射枝节511的两端与所述寄生枝节521的两端对齐的情况。
在本实施例中,如图9(a)所示,所述辐射枝节511设于所述第一主体11的第一金属边框31上,所述寄生枝节521设于所述第二主体12的第二金属边框32上。具体地,所述第一金属边框31上开设有第一缝隙G1和第二缝隙G2,所述第一缝隙G1与所述第二缝隙G2之间的金属边框构成所述主天线单元51的辐射枝节511。即,所述第一缝隙G1与所述第二缝隙G2用于隔断所述辐射枝节511与所述第一金属边框31的其余结构之间的电连接。其中,所述辐射枝节511的第一末端M1与所述第一缝隙G1相邻,所述辐射枝节511的第二末端M2与所述第二缝隙G2相邻。
所述第二金属边框32上开设有第三缝隙G3和第四缝隙G4,所述第三缝隙G3与所述第四缝隙G4之间的金属边框构成所述寄生天线单元52的寄生枝节521。即,所述第三缝隙G3与所述第四缝隙G4用于隔断所述寄生枝节521与所述第二金属边框32的其余结构之间的电连接。其中,所述寄生枝节521的第一端部N1与所述第三缝隙G3相邻,所述寄生枝节521的第二端部N2与所述第四缝隙G4相邻。
当所述电子设备100处于折叠状态时,如图9(b)所示,所述第一缝隙G1与所述第三缝隙G3相对设置,所述第二缝隙G2与所述第四缝隙G4相对设置。如此,能确保所述寄生枝节521与所述辐射枝节511在所述电子设备100处于折叠状态时能够重叠设置。
其中,各个缝隙G1-G4中内可填充有介质,以确保所述第一金属边框31和所述第二金属边框32的外观的完整性。所述介质可采用塑胶、陶瓷、玻璃等非金属材料,本申请实施例对所述介质的具体材料不做具体限定,本领域的技术人员可根据实际需求选择相应的介质材料。应说明的是,本申请所提及的“相对设置”包括两个缝隙或两个端部等的位置正对的情况,也包括两个缝隙或两个端部等的位置在空间上有小距离偏移的情况。如图9(a)所示,所述第一主体11上的第一地板81(例如中框)在与所述辐射枝节511相邻处还可开设有缝隙S1,以实现所述辐射枝节511与所述第一地板81之间的隔离。同理,所述第二主体12上的第二地板82(例如中框)在与所述寄生枝节521相邻处还可开设有缝隙S2,以实现所述寄生枝节521与所述第二地板82之间的隔离。
在本实施例中,所述第一金属边框31包括第一连接段T1、第二连接段T2和第三连接段T3,其中,所述第一连接段T1与所述连接结构13相对设置。所述第二连接段T2和所述第三连接段T3分别与所述第一连接段T1连接,且分别位于所述第一连接段T1与所述连接结构13之间。所述第二金属边框32包括第四连接段T4、第五连接段T5和第六连接段T6,其中,所述第四连接段T4与所述连接结构13相对设置。所述第五连接段T5和所述第六连接段T6分别与所述第四连接段T4连接,且分别位于所述第四连接段T4与所述连接结构13之间。其中,所述第一连接段T1和所述第四连接段T4可均为所述电子设备100的侧边框,所述第二连接段T2和所述第五连接段T5可均为所述电子设备100的底边框,所述第三连接段T3和所述第六连接段T6可均为所述电子设备100的顶边框。
在第一种实施方式中,如图9(a)所示,所述第一缝隙G1开设于所述第一金属边框31的第一连接段T1上,所述第二缝隙G2开设于所述第一金属边框31的第二连接段T2上,使所述辐射枝节511呈L形条状。相应地,所述第三缝隙G3开设于所述第二金属边框32的第四连接段T4上,所述第四缝隙G4开设于所述第二金属边框32的第五连接段T5上,使所述寄生枝节521也呈L形条状。即,所述辐射枝节511以及所述寄生枝节521分别设于所述电子设备100两侧的底部角落位置。
在所述第一种实施方式中,所述馈电端口512可设于所述第一金属边框31的第一连接段T1上,以形成侧馈来激励所述主天线单元51。可选地,如图10所示,所述馈电端口512也可设于所述第一金属边框31的第二连接段T2上,以形成底馈来激励所述主天线单元51。
可选地,在第二种实施方式中,所述第一缝隙G1可开设于所述第一金属边框31的第一连接段T1上,所述第二缝隙G2可开设于所述第一金属边框31的第三连接段T3上,使所述辐射枝节511呈L形条状。相应地,所述第三缝隙G3可开设于所述第二金属边框32的第四连接段T4上,所述第四缝隙G4可开设于所述第二金属边框32的第六连接段T6上,使所述寄生枝节521呈L形条状。即,所述辐射枝节511以及所述寄生枝节521分别设于所述电子设备100两侧的顶部角落位置。
在所述第二种实施方式中,所述馈电端口512可设于所述第一金属边框31的第一连接段T1上以形成侧馈,或设于所述第一金属边框31的第三连接段T3上以形成顶馈。
可选地,在第三种实施方式中,所述辐射枝节511和所述寄生枝节521均呈直线条状,相应地,所述第一缝隙G1和所述第二缝隙G2均开设于所述第一金属边框31的第一连接段T1上,所述第三缝隙G3和所述第四缝隙G4均开设于所述第二金属边框32的第四连接段T4上。或者,所述第一缝隙G1和所述第二缝隙G2均开设于所述第一金属边框31的第二连接段T2上,所述第三缝隙G3和所述第四缝隙G4均开设于所述第二金属边框32的第五连接段T5上。或者,所述第一缝隙G1和所述第二缝隙G2均开设于所述第一金属边框31的第三连接段T3上,所述第三缝隙G3和所述第四缝隙G4均开设于所述第二金属边框32的第六连接段T6上。
应说明的是,所述辐射枝节511和所述寄生枝节521的形状以及在所述边框30上的具体设置位置可根据实际需求进行相应的调整和变形。
当所述电子设备100处于折叠状态且所述主天线单元51馈电时,如图11所示,所述主天线单元51通过所述辐射枝节511和所述寄生枝节521之间的间隙G0与所述寄生天线单元52耦合,使所述寄生枝节521上产生的电流与所述辐射枝节511的至少部分区域上产生的电流同向。例如,在图11所示的虚线框F1的重叠区域内,所述寄生枝节521上产生的电流与所述辐射枝节511上产生的电流同向。
本申请提供的电子设备100针对布局在所述电子设备100的其中一个主体(例如第一主体11)上的主天线单元51(低频天线),在所述电子设备100的另一个主体(例如第二主体12)上构造出与所述主天线单元51在折叠状态下重叠设置的寄生天线单元52,并使所述寄生天线单元52的寄生枝节521上产生的电流与所述主天线单元51的辐射枝节511的至少部分区域上产生的电流同向,从而可通过同向叠加的电流来减少所述辐射枝节511的辐射能量损耗,进而可在折叠状态下提升所述主天线单元51的辐射效率,以及提高所述电子设备100的通信性能。
具体地,请再次参阅图9(a),在本实施例中,所述寄生天线单元52还包括与所述寄生枝节521的回地端口522电连接的回地结构523,所述寄生枝节521的回地端口522通过所述回地结构523接地,所述回地结构523用于在所述寄生枝节521上构造出一个小阻抗边界。
其中,在一种实施方式中,所述回地结构523为包含若干个无源器件的小阻抗电路,所述无源器件包括零欧姆电阻R1、大电容C1、小电感L1等器件,从而可在所述寄生枝节521上构造出一个小阻抗边界来形成回地点。
可选地,在另一种实施方式中,所述回地结构523可包括并联设置的多条小阻抗电路以及与所述多条小阻抗电路电连接的开关器件,其中,每条小阻抗电路可包括若干个无源器件,所述开关器件可采用单刀多掷开关,或可包括多个开关单元。所述开关器件用于控制所述多条小阻抗电路的通断状态。通过所述开关器件对所述多条小阻抗电路的通断状态的控制,可在所述寄生枝节521上构造出不同阻抗值的小阻抗边界来形成回地点。
例如图12所示,所述回地结构523包括并联设置的第一小阻抗电路D1、第二小阻抗电路D2和第三小阻抗电路D3,其中,所述第一小阻抗电路D1、所述第二小阻抗电路D2和所述第三小阻抗电路D3的一端均与所述回地端口522电连接,所述第一小阻抗电路D1、所述第二小阻抗电路D2和所述第三小阻抗电路D3的另一端均接地。所述开关器件包括第一开关单元K1、第二开关单元K2和第三开关单元K3。所述第一小阻抗电路D1包括零欧姆电阻R1,所述第一开关单元K1串联于所述第一小阻抗电路D1中,以实现对所述第一小阻抗电路D1的通断控制。所述第二小阻抗电路D2包括电容C1,所述第二开关单元K2串联于所述第二小阻抗电路D2中,以实现对所述第二小阻抗电路D2的通断控制。所述第三小阻抗电路D3包括电感L1,所述第三开关单元K3串联于所述第三小阻抗电路D3中,以实现对所述第三小阻抗电路D3的通断控制。通过导通所述第一小阻抗电路D1、所述第二小阻抗电路D2和所述第三小阻抗电路D3中的任一电路,即可在所述寄生枝节521上构造出一个小阻抗边界来形成回地点。
在本实施例中,所述寄生天线单元52的谐振频率小于所述主天线单元51的谐振频率,以在折叠状态下通过所述寄生天线单元52来提升所述主天线单元51的辐射效率。请再次参阅图9(a),所述第一调谐单元514用于调整所述主天线单元51的谐振频率,使所述主天线单元51工作在预设的目标频段。在本实施例中,所述主天线单元51的工作频段为低频频段,即,所述目标频段为低频频段。可以理解的是,通过所述第一调谐单元514来调整所述主天线单元51的谐振频率,可使所述主天线单元51在不同时刻能够覆盖不同的目标频段,例如低频频段中的B28频段、B5频段或B8频段,以满足实际的设计需求。
其中,所述第一调谐单元514一端与所述辐射枝节511电连接,另一端接地。在一种实施方式中,所述第一调谐单元514为包含若干个无源器件的匹配电路。所述无源器件包括零欧姆电阻、电容、电感等器件。可选地,在另一种实施方式中,所述第一调谐单元514可包括并联设置的多条匹配支路以及与所述多条匹配支路电连接的开关器件,其中,每条匹配支路可包括若干个无源器件,所述开关器件可采用单刀多掷开关,或可包括多个开关单元。所述开关器件用于控制所述多条匹配支路的通断状态。通过所述开关器件对所述多条匹配支路的通断状态的控制,可以调整所述第一调谐单元514的阻抗,以实现所述辐射枝节511的电长度的调整,使得所述主天线单元51在不同时刻能够覆盖不同的目标频段。本申请对所述第一调谐单元514的结构不做具体限定,具体可以根据实际设计需求来确定。
所述寄生天线单元52还包括与所述寄生枝节521电连接的第二调谐单元524,所述第二调谐单元524用于调整所述寄生天线单元52的谐振频率,使所述寄生天线单元52的谐振频率接近且小于所述主天线单元51的主谐振频率。可以理解的是,通过所述第二调谐单元524来调整所述寄生天线单元52的谐振频率,可使所述寄生天线单元52的谐振频率能够跟随所述主天线单元51的谐振频率的变化而做相应的调整,以满足实际的设计需求,例如使所述寄生天线单元52的谐振频率与所述主天线单元51的谐振频率保持合适的频率间距,以在折叠状态下提升所述主天线单元51的辐射效率。
其中,所述第二调谐单元524一端与所述寄生枝节521电连接,另一端接地。所述第二调谐单元524与所述寄生枝节521的连接处远离所述寄生枝节521的回地端口522。在一种实施方式中,所述第二调谐单元524为由若干个无源器件构成的匹配电路。所述无源器件包括零欧姆电阻、电容、电感等器件。可选地,在另一种实施方式中,所述第二调谐单元524可包括并联设置的多条匹配支路以及与所述多条匹配支路电连接的开关器件,其中,每条匹配支路可包括若干个无源器件,所述开关器件可采用单刀多掷开关,或可包括多个开关单元。所述开关器件用于控制所述多条匹配支路的通断状态。通过所述开关器件对所述多条匹配支路的通断状态的控制,可以调整所述第二调谐单元524的阻抗,以实现所述寄生枝节521的电长度的调整,使得所述寄生天线单元52的谐振频率接近且小于所述主天线单元51的主谐振频率。
在本实施例中,所述辐射枝节511与所述寄生枝节521在所述电子设备100的两个主体上大致呈对称设置。所述主天线单元51的辐射枝节511的第一末端M1和第二末端M2为开路端/悬空端。如图9(b)所示,在所述电子设备100处于折叠状态时,所述寄生枝节521的第一端部N1与所述辐射枝节511的第一末端M1相对设置,所述寄生枝节521的第二端部N2与所述辐射枝节511的第二末端M2相对设置。
如图11所示,所述主天线单元51的接地端口513在所述辐射枝节511上位于位置P1处,所述辐射枝节511包括位于所述接地端口513与所述辐射枝节511的第一末端M1之间的第一辐射区P1-M1,以及位于所述接地端口513与所述辐射枝节511的第二末端M2之间的第二辐射区P1-M2。
在第一种实施方式中,所述寄生天线单元52的回地端口522在所述寄生枝节521上位于位置P2处。所述寄生天线单元52的回地端口522靠近所述寄生枝节521的第二端部N2或位于所述第二端部N2上,所述寄生枝节521包括位于所述回地端口522与所述寄生枝节521的第一端部N1之间的主辐射区P2-N1。在所述电子设备100处于折叠状态且所述主天线单元51馈电时,所述主天线单元51与所述寄生天线单元52耦合,使所述寄生枝节521的主辐射区P2-N1上产生的电流与所述辐射枝节511的第一辐射区P1-M1上产生的电流同向。
在一种实施方式中,所述主天线单元51的主谐振模式为1/2波长的共模谐振模式,所述寄生天线单元52的谐振模式为1/4波长的谐振模式。由于所述主天线单元51的接地端口513位于所述辐射枝节511的第一末端M1和第二末端M2之间,在所述主天线单元51工作在主谐振模式时,在所述辐射枝节511上产生的电流会在接地端口513两侧呈现反向对流模式。
当所述电子设备100处于折叠状态时,由于所述寄生枝节521靠近所述辐射枝节511,且两者之间的间距较小,同时,所述寄生枝节521的回地端口522还靠近所述辐射枝节511的第二末端M2,而所述辐射枝节511的第二末端M2处于高阻抗状态,存在较强的电场,所述寄生枝节521的回地端口522的位置处于小阻抗状态,因此,所述辐射枝节511上产生的电场和电流会通过所述辐射枝节511的第二末端M2、所述辐射枝节511与所述寄生枝节521之间的间隙G0、以及所述寄生枝节521上的回地端口522耦合到所述寄生枝节521上,从而在所述寄生枝节521的主辐射区P2-N1上激励出1/4波长的谐振模式,使所述主辐射区P2-N1产生同向电流,且主辐射区P2-N1上产生的电流与所述辐射枝节511的第一辐射区P1-M1上产生的电流同向。如此,在图11所示的虚线框F1所示的区域内,所述寄生枝节521的主辐射区P2-N1上的电流与所述辐射枝节511的第一辐射区P1-M1上产生的电流同向,所述主辐射区P2-N1和所述第一辐射区P1-M1在两者之间的间隙G0内产生的电场反向。在图11所示的虚线框F2所示的区域内,所述寄生枝节521的主辐射区P2-N1上的电流与所述辐射枝节511的第二辐射区P1-M2上的电流方向相反,所述主辐射区P2-N1和所述第二辐射区P1-M2在两者之间的间隙G0内产生的电场同向。
可选地,在第二种实施方式中,如图13和图14所示,所述寄生天线单元52的回地端口522靠近所述寄生枝节521的第一端部N1或位于所述第一端部N1上,所述寄生枝节521包括位于所述回地端口522与所述寄生枝节521的第二端部N2之间的主辐射区P2-N2。在所述电子设备100处于折叠状态且所述主天线单元51馈电时,所述主天线单元51与所述寄生天线单元52耦合,使所述寄生枝节521的主辐射区P2-N2上产生的电流与所述辐射枝节511的第二辐射区P1-M2上产生的电流同向。
如上所述,所述辐射枝节511和所述寄生枝节521的形状可根据实际需求进行相应的调整和变形。另外,在其他实施方式中,所述主天线单元51的馈电端口512和接地端口513在所述辐射枝节511上的相对位置也可以根据实际设计需求做相应的调整。例如图15(a)-图15(d)所示,所述辐射枝节511和所述寄生枝节521的形状均可呈直线条状。如图15(a)和图15(c)所示,所述馈电端口512可更靠近所述辐射枝节511的第二末端M2,而所述接地端口513更靠近所述辐射枝节511的第一末端M1。或者,如图15(b)和图15(d)所示,所述馈电端口512可更靠近所述辐射枝节511的第一末端M1,而所述接地端口513更靠近所述辐射枝节511的第二末端M2。应说明的是,图15(a)-图15(d)所示的天线结构的工作原理,与图9(a)-图11或图13-图14所示的天线结构50的工作原理相似,在此不对图15(a)-图15(d)所示的天线结构的工作原理进行赘述。
下面以所述主天线单元51工作在B5频段、主谐振频率为0.85GHz为例,对图9(a)所示的天线结构50的性能进行分析。
图16为在所述电子设备100处于折叠状态且所述主天线单元51馈电时进行的仿真效果测试所获得的天线结构50的电流分布仿真图。从图16所示的仿真图可看出,在折叠状态下,所述主天线单元51的辐射枝节511上的电流分布在所述接地端口513两侧呈现对流模式。所述寄生枝节521上产生了同向电流,且如图16中的白色虚线框F3所示,所述寄生枝节521上的电流方向与所述辐射枝节511上的电流方向相同。
图17(a)为包含有图9(a)所示的天线结构50的电子设备100处于折叠状态时的部分结构示意图。图17(b)为图17(a)所示的结构在所述主天线单元51馈电时进行的仿真效果测试在第一视角V1(所述电子设备100的侧边视角)所呈现的电场分布仿真图。从图17(b)中可看出,在折叠状态下,在图17(b)的虚线框F5所示区域内,所述辐射枝节511与所述寄生枝节521在两者之间的间隙G0内产生的电场反向。
对比图7(b)的虚线框F5所示区域内的电场和图17(b)的虚线框F4所示区域内的电场可知,在折叠状态下,在构造了所述寄生天线单元52之后,在所述辐射枝节511与所述寄生枝节521之间的间隙G0内的部分区域中分布的同向电场变为反向电场。
结合图11所示的电流和电场分布原理图、图16所示的电流分布仿真图,以及图17(b)所示的电场分布仿真图可知,在折叠状态下,重叠的两导体(所述辐射枝节511与所述寄生枝节521)上部分区域的电流方向相反,两导体在两者之间的间隙G0中的部分区域产生的电场反向,这种电流和电场分布特点与天线模式的双导体上的电流和电场分布特点相似,能够实现两导体上的辐射电流的同向叠加,因此能够使天线具有较好的辐射性能,可提升所述电子设备100的通信性能。
图18为图4(a)所示的低频天线41以及图9(a)所示的天线结构50分别在所述电子设备100处于折叠状态下的S参数曲线示意图。其中,所述寄生天线单元52的回地结构523包括零欧姆电阻,即,所述寄生枝节521的回地端口522通过零欧姆电阻接地。标号S11用于指示图4(a)所示的低频天线41在所述电子设备100处于折叠状态下的反射系数曲线,标号S11’用于指示图9(a)所示的天线结构50在所述电子设备100处于折叠状态下的反射系数曲线。标号Rad_21用于指示图4(a)所示的低频天线41在所述电子设备100处于折叠状态下的辐射效率曲线。标号Rad_22用于指示图9(a)所示的天线结构50在所述电子设备100处于折叠状态下的辐射效率曲线。
从图18可看出,所述低频天线41与所述主天线单元51的主谐振频率均在B5频段的频点0.85GHz处。可见,在增加所述寄生天线单元52之后,在所述电子设备100的第二主体12上构造所述寄生天线单元52并不会对所述主天线单元51的主谐振频率产生影响。
在增加所述寄生天线单元52之后,在频点0.65GHz处还出现了一个新的谐振,这是所述寄生天线单元52产生的寄生谐振,即,所述寄生天线单元52的谐振频率在频点0.65GHz处,课件,所述寄生天线单元52的谐振频率接近且略小于所述主天线单元51的主谐振频率。
另外,在相同的辐射空间和相同的低频天线41结构的情况下,在频点0.85GHz处,在增加所述寄生天线单元52之前,所述低频天线41的辐射效率为-11.27dB,而在增加所述寄生天线单元52之后,所述主天线单元51的辐射效率上升到-9.70dB,大约提升了1.6dB左右。可见,在所述电子设备100的第二主体12上增设所述寄生天线单元52,并将所述寄生天线单元52的谐振频率设置为接近且略小于所述主天线单元51的主谐振频率,可在低频频段中提升所述主天线单元51(低频天线)的性能。
可以理解的是,在通过所述第一调谐单元514来将所述主天线单元51的谐振频率调整到其他频段,例如B28频段或B8频段时,所述寄生天线单元52的谐振频率也可以通过所述第二调谐单元524来进行相应的调整,以确保所述主天线单元51的辐射效率在所述电子设备100处于折叠状态时能够得到提升。
综上所述可知,本申请提供的可折叠电子设备100针对主天线单元51的辐射枝节511上产生反向辐射电流的特征,通过构造与主天线单元51在折叠状态下重叠设置的寄生天线单元52,并将所述寄生天线单元52构造成在被激励时能够使寄生枝节521的主辐射区上产生的电流与所述主天线单元51的辐射枝节511的至少部分区域上产生的电流同向的天线结构,从而能够通过同向叠加的电流来减少所述主天线单元51的辐射能量损耗,进而能够有效地提升工作在低频段的所述主天线单元51的辐射效率,同时提高所述电子设备100的通信性能。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟知本领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换方案,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种可折叠电子设备,包括:
第一主体和第二主体,所述第一主体和所述第二主体相互连接且能够相对开合;
主天线单元,设于所述第一主体上,所述主天线单元包括辐射枝节、馈电端口和接地端口,所述馈电端口用于给所述辐射枝节馈电;所述辐射枝节包括第一末端和第二末端,所述接地端口设于所述辐射枝节的第一末端和第二末端之间;以及
寄生天线单元,设于所述第二主体上,所述寄生天线单元包括寄生枝节和回地端口,所述回地端口设于所述寄生枝节上,且靠近所述寄生枝节的一个端部或位于所述寄生枝节的一个端部上;
在所述电子设备处于折叠状态,所述寄生枝节与所述辐射枝节重叠设置,所述主天线单元与所述寄生天线单元耦合,所述寄生枝节上产生的电流与所述辐射枝节的至少部分区域上产生的电流同向,所述寄生天线单元的谐振频率小于所述主天线单元的谐振频率。
2.根据权利要求1所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述主天线单元的辐射枝节的第一末端和第二末端均为开路端;所述寄生枝节包括第一端部和第二端部;
在所述电子设备处于折叠状态,所述寄生枝节的第一端部与所述辐射枝节的第一末端相对设置,所述寄生枝节的第二端部与所述辐射枝节的第二末端相对设置。
3.根据权利要求2所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述辐射枝节包括位于所述接地端口与所述辐射枝节的第一末端之间的第一辐射区,以及位于所述接地端口与所述辐射枝节的第二末端之间的第二辐射区;
所述寄生天线单元的回地端口靠近所述寄生枝节的第二端部或位于所述第二端部上,所述寄生枝节包括位于所述回地端口与所述寄生枝节的第一端部之间的主辐射区;
在所述电子设备处于折叠状态,所述主天线单元与所述寄生天线单元耦合,所述寄生枝节的主辐射区上产生的电流与所述辐射枝节的第一辐射区上产生的电流同向。
4.根据权利要求2所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述辐射枝节包括位于所述接地端口与所述辐射枝节的第一末端之间的第一辐射区,以及位于所述接地端口与所述辐射枝节的第二末端之间的第二辐射区;
所述寄生天线单元的回地端口靠近所述寄生枝节的第一端部或位于所述第一端部上,所述寄生枝节包括位于所述回地端口与所述寄生枝节的第二端部之间的主辐射区;
在所述电子设备处于折叠状态,所述主天线单元与所述寄生天线单元耦合,所述寄生枝节的主辐射区上产生的电流与所述辐射枝节的第二辐射区上产生的电流同向。
5.根据权利要求3或4所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述主天线单元的主谐振模式为1/2波长的共模谐振模式,所述寄生天线单元的谐振模式为1/4波长的谐振模式。
6.根据权利要求3或4所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述寄生天线单元还包括与所述寄生枝节的回地端口电连接的回地结构,所述寄生枝节的回地端口通过所述回地结构接地,所述回地结构用于在所述寄生枝节上构造出一个小阻抗边界;
所述回地结构为包含若干个无源器件的小阻抗电路;或者,所述回地结构包括并联设置的多条小阻抗电路以及与所述多条小阻抗电路电连接的开关器件,其中,每条小阻抗电路包括若干个无源器件,所述开关器件用于控制所述多条小阻抗电路的通断状态;
其中,所述无源器件包括零欧姆电阻、大电容或小电感。
7.根据权利要求3或4所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述主天线单元还包括与所述辐射枝节电连接的第一调谐单元,所述第一调谐单元用于调整所述主天线单元的谐振频率,使所述主天线单元工作在预设的目标频段;
所述寄生天线单元还包括与所述寄生枝节电连接的第二调谐单元,所述第二调谐单元用于调整所述寄生天线单元的谐振频率,使所述寄生天线单元的谐振频率小于所述主天线单元的谐振频率。
8.根据权利要求1所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述第一主体包括第一金属边框,所述第二主体包括第二金属边框;
所述辐射枝节设于所述第一金属边框上,所述寄生枝节设于所述第二金属边框上。
9.根据权利要求8所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述第一金属边框上开设有第一缝隙和第二缝隙,所述第一缝隙与所述第二缝隙之间的金属边框构成所述主天线单元的辐射枝节,其中,所述辐射枝节的第一末端与所述第一缝隙相邻,所述辐射枝节的第二末端与所述第二缝隙相邻;
所述第二金属边框上开设有第三缝隙和第四缝隙,所述第三缝隙与所述第四缝隙之间的金属边框上构成所述寄生天线单元的寄生枝节,其中,所述寄生枝节的第一端部与所述第三缝隙相邻,所述寄生枝节的第二端部与所述第四缝隙相邻;
其中,在所述电子设备处于折叠状态,所述第一缝隙与所述第三缝隙相对设置,所述第二缝隙与所述第四缝隙相对设置。
10.根据权利要求9所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括连接结构,所述第一主体与所述第二主体通过所述连接结构进行连接;所述第一金属边框包括第一连接段、第二连接段和第三连接段,所述第一连接段与所述连接结构相对设置;所述第二连接段和所述第三连接段分别与所述第一连接段连接,且分别位于所述第一连接段与所述连接结构之间。
11.根据权利要求10所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述辐射枝节均呈L形条状;
所述第一缝隙开设于所述第一金属边框的第一连接段上,所述第二缝隙开设于所述第一金属边框的第二连接段或第三连接段上。
12.根据权利要求11所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述馈电端口设于所述第一连接段上;或者
在所述第二缝隙开设于所述第一金属边框的第二连接段上时,所述馈电端口设于所述第二连接段上;在所述第二缝隙开设于所述第一金属边框的第三连接段上时,所述馈电端口设于所述第三连接段上。
13.根据权利要求10所述的可折叠电子设备,其特征在于,所述辐射枝节呈直线条状;
所述第一缝隙和所述第二缝隙均开设于所述第一金属边框的第一连接段上,或均开设于所述第一金属边框的第二连接段上,或均开设于所述第一金属边框的第三连接段上。
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