CN117742101A - 静电荷图像显影剂、处理盒、图像形成装置及图像形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种静电荷图像显影剂、处理盒、图像形成装置及图像形成方法，所述静电荷图像显影剂包含：调色剂粒子；二氧化硅粒子，其外添于所述调色剂粒子，并且含有包含钼元素的含氮元素化合物，通过荧光X射线分析而测定的该钼元素的Net强度与二氧化硅粒子中的硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.035以上且0.45以下；及载体，其相对介质损耗因数为0.5以上且2.0以下。

Description

静电荷图像显影剂、处理盒、图像形成装置及图像形成方法

技术领域

本公开涉及一种静电荷图像显影剂、处理盒、图像形成装置及图像形成方法。

背景技术

在日本特开2005-257993号公报中，公开了一种载体，其由磁性核粒子及涂布其表面的载体涂布材料构成，该载体的特征在于，该载体的介质损耗因数ε"/介质常数ε'所表示的损耗角正切tanδ满足以下的关系式：

a/b＜6.5，及

0.05＜c＜20

(在此，a为测定温度30℃下的频率DEFreq[Hz]：1×10²时的DELoss值，b为测定温度30℃下的频率DEFreq[Hz]：1×10⁶时的DELoss值，c为测定温度150℃下的频率DEFreq[Hz]：1×10²时的DELoss值)。

在日本特开2005-316057号公报中，公开了一种双组分系显影剂，其至少具有：第一调色剂，含有至少含有粘结树脂及着色剂的第一调色剂粒子和第一外添剂；及第一磁性载体，并且用于一边补充含有第二调色剂和第二磁性载体的补充剂一边进行显影的显影方法中，该双组分系显影剂的特征在于，上述第一调色剂相对于第一调色剂粒子100质量份含有至少0.5质量份以上的个数平均粒径为50nm以上的第一二氧化硅粒子，在上述双组分系显影剂的介质损耗因数ε"/介质常数ε'所表示的损耗角正切tanδ中，频率2000Hz的损耗角正切tanδ1及2×10⁵Hz的损耗角正切tanδ2满足下述式

0.06≤tanδ1(2000Hz)≤0.13

0.04≤tanδ2(2×10⁵Hz)≤0.10。

发明内容

在外部环境、尤其在高温高湿下，有时在带电的调色剂与载体之间发生电荷泄漏，无法保持高带电。通过减小载体的介质损耗因数，可实现高带电且带电保持。在此，在如极度提高图像浓度的印刷中，需要提高显影时的电场。但是，若提高电场，则在磁刷与图像保持体之间容易局部产生由载体引起的放电，调色剂不会附着于该放电部分上，有时在印刷物上出现白点。

本公开的目的在于，提供一种静电荷图像显影剂，在包含外添有二氧化硅粒子的调色剂粒子和载体的静电荷图像显影剂等中，即使在进行如极度提高图像浓度的印刷的情况下，也可以抑制高温高湿下的电荷泄漏，从而抑制白点产生。

根据本公开的第一方案，提供一种静电荷图像显影剂，其包含：调色剂粒子；二氧化硅粒子，其外添于所述调色剂粒子，并且含有包含钼元素的含氮元素化合物，通过荧光X射线分析而测定的该钼元素的Net强度与二氧化硅粒子中的硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.035以上且0.45以下；及载体，其相对介质损耗因数为0.5以上且2.0以下。

根据本公开的第二方案，在基于所述第一方案的所述静电荷图像显影剂中，所述载体由铁氧体构成，该铁氧体包含钛及锆中的至少一个。

根据本公开的第三方案，在基于所述第一或第二方案的所述静电荷图像显影剂中，所述载体的相对介质损耗因数为0.7以上且1.7以下。

根据本公开的第四方案，在基于所述第二或第三方案的所述静电荷图像显影剂中，所述铁氧体还包含锰及镁。

根据本公开的第五方案，在基于所述第一至第四方案中的任一个的所述静电荷图像显影剂中，所述二氧化硅粒子与所述载体的重量比(二氧化硅/载体)为0.03以上且0.15以下。

根据本公开的第六方案，在基于所述第一至第五方案中的任一个的所述静电荷图像显影剂中，所述钼元素的Net强度与所述硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.10以上且0.30以下。

根据本公开的第七方案，在基于所述第一至第六方案中的任一个的所述静电荷图像显影剂中，所述包含钼元素的含氮元素化合物为包含钼元素的季铵盐。

根据本公开的第八方案，在基于所述第一至第七方案中的任一个的所述静电荷图像显影剂中，所述二氧化硅粒子的个数平均粒径为10nm以上且100nm以下。

根据本公开的第九方案，在基于所述第八方案的所述静电荷图像显影剂中，所述二氧化硅粒子具有：二氧化硅母粒；及结构体，包覆所述二氧化硅母粒的至少一部分的表面，由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成，并且在该三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有所述包含钼元素的含氮元素化合物。

根据本公开的第十方案，提供一种装卸于图像形成装置的处理盒，具备显影构件，其容纳基于所述第一至第九方案中的任一个的静电荷图像显影剂，并且通过该静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像。

根据本公开的第十一方案，提供一种图像形成装置，其具备：图像保持体；充电构件，其使所述图像保持体的表面带电；静电荷图像形成构件，其在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；显影构件，其容纳基于所述第一至第九方案中的任一个的所述静电荷图像显影剂，并且通过该静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；转印构件，其将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及定影构件，其对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

根据本公开的第十二方案，提供一种图像形成方法，其包括：充电工序，使图像保持体的表面带电；静电荷图像形成工序，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；显影工序，通过基于所述第一至第九方案中的任一个的所述静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；转印工序，将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及定影工序，对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

(效果)

根据所述第一方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，在包含外添有二氧化硅粒子的调色剂粒子和载体的静电荷图像显影剂等中，即使在进行如极度提高图像浓度的印刷的情况下，也能够抑制高温高湿下的电荷泄漏，从而抑制白点产生。

根据所述第二方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述载体由铁氧体构成且该铁氧体不包含钛或锆的情况，载体的相对介质损耗因数得到调整，并且具有适当的带电性。

根据所述第三方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述载体的相对介质损耗因数小于0.7或超过1.7的情况，载体具有良好的带电性，可抑制电荷泄漏的产生。

根据所述第四方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述载体中的铁氧体不包含锰及镁中的任一个的情况，载体的相对介质损耗因数得到调整，并且具有适当的带电性。

根据所述第五方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述二氧化硅粒子与所述载体的重量比(二氧化硅/载体)小于0.03或超过0.15的情况，成为二氧化硅粒子中的优选的带电量，能够抑制由载体引起的电荷泄漏。

根据所述第六方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述钼元素的Net强度与所述硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)小于0.10或超过0.30的情况，使二氧化硅粒子中的带电范围变窄，在抑制电荷泄漏的同时抑制图像的白点产生。

根据所述第七方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述包含钼元素的含氮元素化合物不是包含钼元素的季铵盐的情况，二氧化硅粒子的带电分布变窄。

根据所述第八方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述二氧化硅粒子的个数平均粒径小于10nm或超过100nm的情况，在载体与二氧化硅粒子之间产生适当的排斥，带电稳定。

根据所述第九方案，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述二氧化硅粒子的结构体不是包覆二氧化硅母粒的至少一部分的表面、由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成、并且在所述三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有所述含氮元素化合物的结构体的情况，能够使二氧化硅粒子中的带电分布变窄。

根据所述第十、第十一或第十二方案，能够提供一种可应用静电荷图像显影剂的处理盒、图像形成装置或图像形成方法，在包含外添有二氧化硅粒子的调色剂粒子和载体的静电荷图像显影剂等中，即使在进行如极度提高图像浓度的印刷的情况下，也能够抑制高温高湿下的电荷泄漏，从而抑制白点产生。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的图像形成装置的一例的概略结构图；

图2是表示装卸于本实施方式所涉及的图像形成装置的处理盒的一例的概略结构图。

具体实施方式

以下，对发明的实施方式进行说明。这些说明及实施例等例示实施方式，并不是限定发明的范围。

在本发明中，关于表示数值范围的“○○以上且○○以下”或“○○～○○”的记载，除非另有特别说明，则表示包含所记载的上限及下限的数值范围。另外，在本公开中提及组合物中的各成分的量的情况下，在组合物中存在多种与各成分对应的物质时，除非另有特别说明，则表示存在于组合物中的该多种物质的合计量。

在本公开中，有时将“静电荷图像显影剂”简单记载为“显影剂”，有时将“静电荷图像显影用载体”简单记载为“载体”，有时将“静电荷图像显影用调色剂”简单记载为“调色剂”。

在本说明书中，关于二氧化硅粒子的特性的测定，从调色剂中分离而实施。从调色剂中分离二氧化硅粒子的方法并无特别限制，但是例如通过如下分离处理从调色剂中分离二氧化硅粒子，并对所获得的二氧化硅粒子实施特性的测定。

-分离处理-

使调色剂2g分散于0.2质量％的Triton X-100(Sigma-Aldrich公司制)水溶液50g中，使用超音波均质机US-300T(株式会社日本精机制作所(NIHONSEIKI KAISHA LTD.)制)在20℃、85WATT的条件下对分散液施加30分钟以上之后，将分散液高速离心分离，并将上清液在80℃下进行真空干燥，从而获得二氧化硅粒子。

＜静电荷图像显影剂＞

本实施方式所涉及的静电荷图像显影剂包含：

调色剂粒子；

二氧化硅粒子(以下，也简称为“特定二氧化硅粒子”)，其外添于所述调色剂粒子，并且含有包含钼元素的含氮元素化合物，通过荧光X射线分析而测定的所述钼元素的Net强度与二氧化硅粒子中的硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.035以上且0.45以下；及

载体，其相对介质损耗因数为0.5以上且2.0以下。

本实施方式所涉及的显影剂通过在所述特定的载体和调色剂粒子中外添所述特定二氧化硅粒子，能够抑制尤其在高温高湿的条件下容易产生的白点的产生。作为其机理，推测如下。

尤其，在外部环境为高温高湿的条件下，有时在带电的调色剂与载体之间发生电荷泄漏，无法保持高带电。通过如本实施方式的载体那样减小相对介质损耗因数，能够实现高带电且带电保持。在此，在如极度提高图像浓度的印刷中，需要提高显影时的电场。但是，若提高电场，则在磁刷与图像保持体之间容易局部产生由载体引起的放电，有时调色剂不会附着于该放电部分上，在印刷物上出现白点。

另一方面，特定二氧化硅粒子含有包含钼元素的含氮元素化合物。由于源自该氮元素的正电荷和以钼为主体的介电性高，能够抑制过度的高带电，并且能够适当地赋予带电，因此显影剂的带电稳定。其结果，认为通过组合相对介质损耗因数比通常低的本实施方式的载体和特定二氧化硅粒子，能够由特定二氧化硅粒子抑制由载体引起的电荷泄漏。

另外，钼具有适合本效果的离子半径，其他金属无法获得充分的效果，未发现电荷泄漏抑制效果。

以下，对本实施方式所涉及的调色剂进行详细说明。

本实施方式所涉及的调色剂构成为包含调色剂粒子和外添剂。

(调色剂粒子)

调色剂粒子包含粘结树脂。调色剂粒子可以根据需要包含着色剂、脱模剂、其他添加剂。

-粘结树脂-

作为粘结树脂，例如可举出由苯乙烯类(例如，苯乙烯、对氯苯乙烯、α-甲基苯乙烯等)、(甲基)丙烯酸酯类(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯等)、烯属不饱和腈类(例如，丙烯腈、甲基丙烯腈等)、乙烯基醚类(例如，乙烯基甲基醚、乙烯基异丁基醚等)、乙烯基酮类(例如，乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、乙烯基异丙烯基酮等)、烯烃类(例如，乙烯、丙烯、丁二烯等)等单体的均聚物或将这些单体组合两种以上而获得的共聚物构成的乙烯基系树脂。

作为粘结树脂，例如也可举出环氧树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、聚醚树脂、改性松香等非乙烯基系树脂、它们与所述乙烯基系树脂的混合物或在它们共存的条件下将乙烯基系单体聚合而获得的接枝聚合物等。

这些粘结树脂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

作为粘结树脂，优选为聚酯树脂。

作为聚酯树脂，例如可举出公知的聚酯树脂。

作为聚酯树脂，例如可举出多元羧酸和多元醇的缩聚物。另外，作为聚酯树脂，可以使用市售品，也可以使用合成的树脂。

作为多元羧酸，例如可举出脂肪族二羧酸(例如，草酸、丙二酸、马来酸、富马酸、柠康酸、衣康酸、戊烯二酸、琥珀酸、烯基琥珀酸、己二酸、癸二酸等)、脂环式二羧酸(例如，环己烷二羧酸等)、芳香族二羧酸(例如，对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、萘二甲酸等)、它们的酸酐或它们的低级(例如，碳原子数1以上且5以下)烷基酯。其中，作为多元羧酸，例如优选为芳香族二羧酸。

就多元羧酸而言，可以与二羧酸一起并用具有交联结构或支链结构的三元以上的羧酸。作为三元以上的羧酸，例如可举出偏苯三酸、苯均四酸、它们的酸酐或它们的低级(例如，碳原子数1以上且5以下)烷基酯等。

多元羧酸可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

作为多元醇，例如可举出脂肪族二醇(例如，乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、新戊二醇等)、脂环式二醇(例如，环己二醇、环己烷二甲醇、氢化双酚A等)、芳香族二醇(例如，双酚A的环氧乙烷加成物、双酚A的环氧丙烷加成物等)。其中，作为多元醇，例如优选为芳香族二醇、脂环式二醇，更优选为芳香族二醇。

作为多元醇，可以与二醇一起并用具有交联结构或支链结构的三元以上的多元醇。作为三元以上的多元醇，例如可举出丙三醇、三羟甲基丙烷、季戊四醇。

多元醇可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

聚酯树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为50℃以上且80℃以下，更优选为50℃以上且65℃以下。

关于玻璃化转变温度，由通过差示扫描热量测定(DSC)而获得的DSC曲线求出，更具体地说，根据JIS K 7121-1987“塑料的转变温度测定方法”的玻璃化转变温度的求法中所记载的“外推玻璃化转变起始温度”来求出。

聚酯树脂的重均分子量(Mw)优选为5,000以上且1,000,000以下，更优选为7,000以上且500,000以下。聚酯树脂的数均分子量(Mn)优选为2,000以上且100,000以下。聚酯树脂的分子量分布Mw/Mn优选为1.5以上且100以下，更优选为2以上且60以下。

关于聚酯树脂的重均分子量及数均分子量，通过凝胶渗透色谱法(GPC)来测定。关于通过GPC进行的分子量测定，作为测定装置，使用东曹(TOSOH CORPORATION)制GPC·HLC-8120GPC，使用东曹制管柱·TSKgel SuperHM-M(15cm)，并用THF溶剂进行。关于重均分子量及数均分子量，使用根据其测定结果由单分散聚苯乙烯标准试样制作的分子量校准曲线来计算。

关于聚酯树脂，通过公知的制造方法来获得。具体地说，例如通过如下方法来获得：将聚合温度设为180℃以上且230℃以下，根据需要对反应系统内进行减压，一边去除缩合时产生的水和醇，一边进行反应。

另外，在原料的单体在反应温度下不溶解或不相容的情况下，可以添加高沸点的溶剂作为助溶剂使其溶解。此时，缩聚反应在蒸馏去除助溶剂的同时进行。在共聚反应中存在相容性差的单体的情况下，可以在预先使相溶性差的单体和要与该单体进行缩聚的酸或醇缩合之后，与主成分一起进行缩聚。

作为粘结树脂的含量，例如相对于调色剂粒子整体优选为40质量％以上且95质量％以下，更优选为50质量％以上且90质量％以下，进一步优选为60质量％以上且85质量％以下。

-着色剂-

作为着色剂，例如可举出炭黑、铬黄、汉撒黄、联苯胺黄、还原黄、喹啉黄、颜料黄、永久橙GTR、吡唑啉酮橙、伏尔甘橙、万赤洋红、永久红、亮胭脂红3B、亮胭脂红6B、杜邦油红、吡唑啉酮红、立索红、罗丹明B色淀、色淀红C、颜料红、孟加拉玫瑰红、苯胺蓝、群青蓝、铜油蓝、氯化亚甲基蓝、酞菁蓝、颜料蓝、酞菁绿、孔雀石绿草酸盐等各种颜料、或吖啶系、呫吨系、偶氮系、苯醌系、吖嗪系、蒽醌系、硫靛系、二噁嗪系、噻嗪系、偶氮甲碱系、靛青系、酞菁系、苯胺黑系、聚甲炔系、三苯基甲烷系、二苯基甲烷系、噻唑系等各种染料等。

着色剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

着色剂可以根据需要来使用经表面处理的着色剂，也可以与分散剂并用。另外，着色剂可以并用多种。

作为着色剂的含量，例如相对于调色剂粒子整体优选为1质量％以上且30质量％以下，更优选为3质量％以上且15质量％以下。

-脱模剂-

作为脱模剂，例如可举出烃系蜡；巴西棕榈蜡、米糠蜡、小烛树蜡等天然蜡；褐煤蜡等合成或矿物/石油系蜡；脂肪酸酯、褐煤酸酯等酯系蜡；等。脱模剂并不限定于此。

脱模剂的熔融温度优选为50℃以上且110℃以下，更优选为60℃以上且100℃以下。

另外，关于熔融温度，根据JIS K 7121-1987“塑料的转变温度测定方法”的熔融温度的求法中所记载的“熔融峰温度”，由通过差示扫描热量测定(DSC)而获得的DSC曲线求出。

脱模剂的含量相对于调色剂粒子整体优选为1质量％以上且20质量％以下，更优选为5质量％以上且15质量％以下。

-其他添加剂-

作为其他添加剂，例如可举出磁性体、电荷控制剂、无机粉体等公知的添加剂。这些添加剂作为内添剂包含于调色剂粒子中。

-调色剂粒子的特性等-

调色剂粒子可以为单层结构的调色剂粒子，也可以为由芯部(核粒子)和包覆芯部的包覆层(壳层)构成的所谓的核/壳结构的调色剂粒子。

在此，核/壳结构的调色剂粒子例如优选由构成为包含粘结树脂、根据需要包含着色剂及脱模剂等其他添加剂的芯部和构成为包含粘结树脂的包覆层构成。

作为调色剂粒子的体积平均粒径(D50v)，优选为2μm以上且10μm以下，更优选为4μm以上且8μm以下。

另外，关于调色剂粒子的各种平均粒径及各种粒度分布指标，使用CoulterMultisizer II(贝克曼库尔特公司(Beckman Coulter,Inc.)制)，并使用ISOTON-II(贝克曼库尔特公司制)作为电解液来测定。

在测定时，作为分散剂，在表面活性剂(优选为烷基苯磺酸钠)的5％水溶液2ml中添加0.5mg以上且50mg以下的测定试样。将其添加到电解液100ml以上且150ml以下中。

关于悬浮有试样的电解液，用超声波分散器进行1分钟的分散处理，通过CoulterMultisizer II，使用孔径为100μm的孔测定粒径为2μm以上且60μm以下的范围内的粒子的粒度分布。另外，要采样的粒子数为50000个。

以所测定的粒度分布为基础对分割出的粒度范围(通道)从小径侧分别描绘体积、数量的累计分布，将成为累计16％的粒径定义为体积粒径D16v、数均粒径D16p，将成为累计50％的粒径定义为体积平均粒径D50v、累计数均粒径D50p，将成为累计84％的粒径定义为体积粒径D84v、数均粒径D84p。

使用它们，由(D84v/D16v)^1/2计算体积粒度分布指标(GSDv)，由(D84p/D16p)^1/2计算数均粒度分布指标(GSDp)。

作为调色剂粒子的平均圆度，优选为0.950以上且0.990以下，更优选为0.957以上且0.980以下。

关于调色剂粒子的平均圆度，用希森美康公司(Sysmex Corporation)制FPIA-3000进行测定。在本装置中，采用通过流动式图像分析法测定分散于水等中的粒子的方式，所抽吸的粒子悬浮液被引导至扁平鞘流池(flat sheath flow cell)，用鞘液形成扁平的试样流。通过向该试样流照射频闪光，通过时的粒子通过物镜被CCD(Charge CoupledDevice：电荷耦合元件)相机拍摄作为静止图像。对所拍摄的粒子图像进行二维图像处理，并根据投影面积和周长来计算圆度。关于圆度，分别对至少4,000个以上进行图像分析，并进行统计处理，从而求出平均圆度。

·式：圆度＝圆当量直径周长/周长＝[2×(Aπ)^1/2]/PM

在上式中，A表示投影面积，PM表示周长。

另外，在测定中，使用HPF模式(高分辨率模式)，稀释倍率设为1.0倍。并且，在数据分析时，为了去除测定噪声，将圆度分析范围设在0.40以上且1.00以下的范围内。

(外添剂)

外添于调色剂粒子的外添剂包含特定二氧化硅粒子。

特定二氧化硅粒子含有包含钼元素的含氮元素化合物，通过荧光X射线分析而测定的所述钼元素的Net强度与二氧化硅粒子中的硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.035以上且0.45以下。

-包含钼元素的含氮元素化合物-

特定二氧化硅粒子包含含氮元素化合物，该含氮元素化合物还包含钼元素。如后述，该含氮元素化合物尤其优选吸附于三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上。

从通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，包含钼元素的含氮元素化合物优选为选自由包含钼元素的季铵盐(尤其是季铵的包含钼元素的盐)及季铵盐与包含钼元素的金属氧化物的混合物组成的组中的至少一种。

通过使含氮元素化合物包含钼元素，提高氮元素的活性，即使含氮元素化合物存在于细孔内部而不是二氧化硅粒子的最表面，也能够适当地显现氮元素的正带电性。因此，在带电时，带电分布窄，带电分布的维持性也容易变高。其结果，容易实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。并且，通过与后述载体的组合，能够抑制电荷泄漏，也能够抑制印刷中的白点产生。

尤其，在季铵的包含钼元素的盐中，包含作为阴离子的钼元素的阴离子与作为阳离子的季铵阳离子的键合较强，因此提高带电分布维持性。其结果，容易实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

作为包含钼元素的季铵盐，可举出[N⁺(CH)₃(C₁₄C₂₉)₂]₄Mo₈O₂₈ ^4-、[N⁺(C₄H₉)₂(C₆H₆)₂]₂Mo₂O₇ ^2-、[N⁺(CH₃)₂(CH₂C₆H₆)(CH₂)₁₇CH₃]₂MoO₄ ^2-、[N⁺(CH₃)₂(CH₂C₆H₆)(CH₂)₁₅CH₃]₂MoO₄ ^2-等。

作为包含钼元素的金属氧化物，可举出钼氧化物(三氧化钼、二氧化钼、Mo₉O₂₆)、碱金属钼酸盐(钼酸锂、钼酸钠、钼酸钾等)、钼碱土类金属盐(钼酸镁、钼酸钙等)、其他复合氧化物(Bi₂O₃·2MoO₃、γ-Ce₂Mo₃O₁₃等)。

在此，在应用包含钼元素的含氮元素化合物作为含氮元素化合物的情况下，从通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像抑制、调色剂飞散抑制的观点及通过抑制电荷泄漏来控制白点的观点出发，通过荧光X射线分析而测定的钼元素的Net强度与硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)设为0.035以上且0.45以下。该比率优选为0.07以上且0.32以下，更优选为0.10以上且0.30以下。

从通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，钼元素的Net强度优选为5kcps以上且75kcps以下、7kcps以上且50kcps以下、8kcps以上且55kcps以下或10kcps以上且40kcps以下。

钼元素及硅元素的Net强度如下测定。

使用压缩成型机，以6t的荷载加压60秒来压缩二氧化硅粒子约0.5g，从而制作直径50mm且厚度2mm的圆盘。将该圆盘作为试样，使用扫描式荧光X射线分析装置(XRF-1500、(株)岛津制作所(SHIMADZU CORPORATION)制)，在下述条件下进行定性定量元素分析，分别求出钼元素及硅元素的Net强度(单位：kilo counts per second，kcps)。

·管电压：40kV

·管电流：90mA

·测定面积(分析直径)：直径

·测定时间：30分钟

·对阴极：铑

-含氮元素化合物的检测及含量-

特定二氧化硅粒子在300℃以上且600℃以下的范围内的温度区进行加热时被检测出含氮元素化合物。具体地说，例如如下。

在含氮元素化合物的检测中，例如利用将He用作载气的加热炉式坠落型热分解气相色谱质谱分析仪。包含钼元素的含氮元素化合物能够在惰性气体中的300℃以上且600℃以下的热分解温度条件下检测。具体地说，能够将0.1mg以上且10mg以下的二氧化硅粒子导入到热分解气相色谱质谱分析仪中，并根据检测出的峰的MS光谱来确认是否含有包含钼元素的含氮元素化合物。

从通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，包含钼元素的含氮元素化合物的含量相对于二氧化硅粒子以氮元素换算为0.005质量％以上且0.5质量％以下。优选为0.05质量％以上且0.4质量％以下，更优选为0.1质量％以上且0.3质量％以下。

并且，以氮元素换算的包含钼元素的含氮元素化合物的含量如下测定。

使用氧/氮分析装置(例如(株)堀场制作所(HORIBA,Ltd.)制的EMGA-920)，以累计时间45秒进行测定，从而获得氮元素的存在量N的比例(N/Si)。另外，作为试样预处理，用真空干燥机在100℃下干燥24小时以上，从而预先从二氧化硅粒子中去除氨等杂质。

-包含钼元素的含氮元素化合物的提取量-

基于氨/甲醇混合溶液的包含钼元素的含氮元素化合物的提取量X相对于二氧化硅粒子100质量％为0.1质量％以上，含氮元素化合物的提取量X和基于水的含氮元素化合物的提取量Y(与X相同地，相对于二氧化硅粒子100质量％的质量％)优选满足式：Y/X＜0.3。

即，包含钼元素的含氮元素化合物为难以溶解于水中的性质，即难以吸附空气中的水分。

在含有包含钼元素的含氮元素化合物的二氧化硅粒子中，若该化合物吸附水分，则带电分布扩展，并且包含钼元素的含氮元素化合物容易从二氧化硅粒子脱落。

但是，在含有难以吸附空气中的水分的包含钼元素的含氮元素化合物的二氧化硅粒子中，即使在空气中存在大量水分(在高湿度下)，带电分布也不易扩展，并且含氮元素化合物也不易脱落，容易维持窄的带电分布。其结果，容易通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

包含钼元素的含氮元素化合物的提取量X相对于二氧化硅粒子100质量％优选为0.25质量％以上。其中，包含钼元素的含氮元素化合物的提取量X的上限由于表面张力的关系而溶液难以浸透到细孔内部，包含钼元素的含氮元素化合物的一部分不溶解而残留，因此例如为6.5质量％以下。

包含钼元素的含氮元素化合物的提取量X与该化合物的提取量Y之比“Y/X”优选小于0.3，更优选为0.15以下。其中，比“Y/X”的下限理想地为0，但是由于X及Y的测定误差范围在±1％的范围左右，因此例如为0.01以上。

在此，包含钼元素的含氮元素化合物的提取量X及Y如下测定。

首先，用热重/质谱分析装置(例如，NETZSCH日本株式会社制气相色谱质谱分析仪)在保持400℃的条件下对测定对象的二氧化硅粒子进行分析，测定碳原子数至少为1以上的烃与氮原子共价键合而成的化合物相对于二氧化硅粒子的质量分数的积算，并将其设为W1。

另一方面，在液温25℃的氨/甲醇溶液(Sigma-Aldrich公司制、氨/甲醇的质量比＝1/5.2)30质量份中添加测定对象的二氧化硅粒子1质量份，进行30分钟超声波处理之后，分离二氧化硅粉体和提取液。将分离出的二氧化硅粒子用真空干燥机在100℃下干燥24小时，并用热重/质谱分析装置在保持400℃的条件下测定碳原子数至少为1以上的烃与氮原子共价键合而成的化合物相对于二氧化硅粒子的质量分数，并将其设为W2。

然后，通过下述式来计算含氮元素化合物的提取量X。

·式：X＝W1-W2

并且，在液温25℃的水30质量份中添加测定对象的二氧化硅粒子1质量份，并进行30分钟的超声波处理之后，分离二氧化硅粒子和提取液。将分离出的二氧化硅粒子用真空干燥机在100℃下干燥24小时，并用热重/质谱分析装置在保持400℃的条件下测定碳原子数至少为1以上的烃与氮原子共价键合而成的化合物相对于二氧化硅粒子的质量分数，并将其设为W3。

然后，通过下述式来计算包含钼元素的含氮元素化合物的提取量Y。

·式：Y＝W1-W3

-细孔体积-

在特定二氧化硅粒子中，在将由350℃煅烧前后的氮气吸附法的细孔分布曲线求出的细孔径为1nm以上且50nm以下的细孔体积分别设为A及B时，优选B/A为1.2以上且5以下，并且B为0.2cm³/g以上且3cm³/g以下。

在特定二氧化硅粒子中，350℃煅烧后的细孔体积B与350℃煅烧前的细孔体积A之比B/A优选为1.2以上且5以下。若B/A过小，则存在含氮元素化合物容易脱离且无法获得带电持续效果的倾向，若B/A过大，则存在含氮元素化合物过于进入二氧化硅粒子的内部而静电排斥不足且附着力减少效果不足的倾向，从这一观点出发，B/A更优选为1.5以上且4.5以下，进一步优选为2.5以上且3.5以下。

350℃煅烧后的细孔体积B优选为0.2cm³/g以上且3cm³/g以下，但是若过小，则存在含氮元素化合物容易脱离且无法获得带电持续效果的倾向，若过大，则存在含氮元素化合物过于进入二氧化硅粒子的内部而静电排斥不足且附着力减少效果不足的倾向，从这一观点出发，更优选为0.5cm³/g以上且2.5cm³/g以下，进一步优选为1.0cm³/g以上且2.0cm³/g以下。

从氮元素的容易渗入且维持适当的静电排斥的效果的观点出发，350℃煅烧前的细孔体积A优选为0.1cm³/g以上且0.9cm³/g以下，更优选为0.3cm³/g以上且0.7cm³/g以下，进一步优选为0.4cm³/g以上且0.6cm³/g以下。

具体地说，350℃煅烧如下实施。

在氮气环境下，以10℃/分钟的升温速度将测定对象的二氧化硅粒子升温至350℃，并在350℃下保持3小时。之后，以10℃/分钟的降温速度冷却至室温(25℃)。

细孔体积如下测定。

首先，将测定对象的二氧化硅粒子冷却至液氮温度(-196℃)，并导入氮气，通过定容法或重量法求出其吸附量。缓慢增加所导入的氮气的压力，通过描绘相对于各平衡压力的氮气的吸附量来制作吸附等温线。通过BJH法的计算式，由该吸附等温线求出纵轴用频度表示且横轴用细孔径表示的细孔径分布曲线。

然后，由所获得的细孔径分布曲线求出纵轴用体积表示且横轴用细孔径表示的累计细孔容积分布。根据所获得的累计细孔容积分布，对细孔径在1nm以上且50nm以下的范围内的细孔容积进行累计，将其设为“细孔径为1nm以上且50nm以下的细孔体积”。

-CP/MAS NMR光谱-

在特定二氧化硅粒子中，在Si-CP/MAS NMR光谱中的化学位移为-50ppm以上且-75ppm以下的范围内观测到的信号的积分值C与在化学位移为-90ppm以上且-120ppm以下的范围内观测到的信号的积分值D的比率C/D优选为0.10以上且0.75以下，但是从通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，更优选为0.12以上且0.45以下，进一步优选为0.15以上且0.40以下。

从二氧化硅粒子的带电分布窄化及图像污点抑制的观点出发，在将Si-CP/MASNMR光谱的所有信号的积分值设为100％时，在化学位移为-50ppm以上且-75ppm以下的范围内观测到的信号的积分值C的比例(Signal ratio：信号比)优选为5％以上，更优选为7％以上。另外，信号的积分值C的比例的上限例如为60％以下。

关于Si-CP/MAS NMR光谱，通过在下述条件下实施基于核磁共振光谱分析法的测定来获得。

·分光器：AVANCE300(Bruker公司制)

·共振频率：59.6MHz

·测定核：²⁹Si

·测定法：CPMAS法(使用Bruker公司的标准脉冲序列(pulse sequence)cp.av)

·等待时间：4秒

·接触时间：8毫秒

·累计次数：2048次

·测定温度：室温(实测值25℃)

·观测中心频率：-3975.72Hz

·MAS转速：7.0mm-6kHz

·基准物质：六甲基环三硅氧烷

-二氧化硅粒子的结构-

特定二氧化硅粒子含有包含钼元素的含氮元素化合物。

作为具体例可举出如下结构：特定二氧化硅粒子具有二氧化硅母粒，该二氧化硅母粒的至少一部分的表面被三官能硅烷偶联剂的反应产物包覆，并且在所述反应产物的至少一部分上吸附有包含钼元素的含氮元素化合物。通过形成所述结构，能够控制上述细孔体积特性、上述Si-CP/MASNMR光谱特性。并且，也能够控制后述疏水化度及OH基量。

并且，在特定二氧化硅粒子中，可以在所述结构的表面上具有疏水化处理结构体。

-二氧化硅母粒-

二氧化硅母粒为其至少一部分的表面成为形成结构体的对象的二氧化硅粒子，所述结构体由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成，并且在三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有含氮元素化合物。

作为二氧化硅母粒，例如可举出干式二氧化硅粒子、湿式二氧化硅粒子。

作为干式二氧化硅粒子，可举出使硅烷化合物燃烧而获得的燃烧法二氧化硅(气相二氧化硅)、使金属硅粉爆炸燃烧而获得的爆燃法二氧化硅。

作为湿式二氧化硅粒子，可举出通过硅酸钠与无机酸的中和反应而获得的湿式二氧化硅粒子(在碱条件下合成/凝集的沉淀法二氧化硅粒子、在酸性条件下合成/凝集的凝胶法二氧化硅粒子)、通过使酸性硅酸成为碱性并进行聚合而获得的胶体二氧化硅粒子(硅溶胶粒子)通过有机硅烷化合物(例如，烷氧基硅烷)的水解而获得的溶胶凝胶法二氧化硅粒子。

其中，作为二氧化硅母粒，从通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，优选为溶胶凝胶法二氧化硅粒子。

-三官能硅烷偶联剂的反应产物-

由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的吸附结构为低密度且与含氮元素化合物的亲和性高的结构，因此含氮元素化合物容易吸附到细孔的深处，含氮元素化合物的吸附量(即，含量)变多。通过使具有正带电性的含氮元素化合物附着于具有负带电性的二氧化硅表面上，产生抵消过度的负带电的效果。并且，含氮元素化合物吸附于低密度结构内部而不是二氧化硅粒子的最表面，因此防止正带电性变得过强而带电分布扩展，并仅抵消过度的负带电，从而带电分布的窄化进一步得到提高。其结果，更容易通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

作为三官能硅烷偶联剂的反应产物，例如可举出下述通式(TA)中将OR²取代为OH基的反应产物；将OR²取代为OH基的基团彼此缩聚而获得的反应产物；将OR²取代为OH基的基团与二氧化硅粒子的SiOH基缩聚而获得的反应产物。并且，这些三官能硅烷偶联剂的反应产物包含OR²全部或一部分被取代的反应产物、全部或一部分缩聚而获得的反应产物。

三官能硅烷偶联剂为不含N(氮)的非含氮元素化合物。

具体地说，作为三官能硅烷偶联剂，可举出下述通式(TA)所表示的三官能硅烷偶联剂。

通式(TA)：R¹-Si(OR²)₃

通式(TA)中，R¹表示碳原子数1以上且20以下的饱和或不饱和的脂肪族烃基或者碳原子数6以上且20以下的芳香族烃基，R²表示卤原子或烷氧基。多个R²可以为相同的基团，也可以为不同的基团。

R¹所表示的脂肪族烃基可以为直链状、支链状及环状中的任一种，但是优选为直链状或支链状。脂肪族烃基优选为碳原子数1以上且20以下，更优选为碳原子数1以上且18以下，进一步优选为碳原子数1以上且12以下，进一步优选为碳原子数1以上且10以下。脂肪族烃基可以为饱和及不饱和中的任一种，但是优选为饱和脂肪族烃基，更优选为烷基。

作为饱和脂肪族烃基，可举出直链状烷基(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基、十六烷基、二十烷基等)、支链状烷基(异丙基、异丁基、异戊基、新戊基、2-乙基己基、叔丁基、叔戊基、异十五烷基等)、环状烷基(环丙基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、三环癸基、降冰片基、金刚烷基等)等。

作为不饱和脂肪族烃基，可举出烯基(乙烯基(ethenyl)、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、1-丁烯基、1-己烯基、2-十二烯基、戊烯基等)、炔基(乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、3-己炔基、2-十二炔基等)等。

R¹所表示的芳香族烃基优选为碳原子数6以上且20以下，更优选为碳原子数6以上且18以下，进一步优选为碳原子数6以上且12以下，进一步优选为碳原子数6以上且10以下。

作为芳香族烃基，可举出亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基(terphenylene)、萘基、蒽基等。

作为R²所表示的卤原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。作为卤原子，优选为氯原子、溴原子或碘原子。

作为R²所表示的烷氧基，可举出碳原子数1以上且10以下(优选为1以上且8以下，更优选为1以上且4以下)的烷氧基。作为烷氧基，可举出甲氧基、乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、正丁氧基、正己氧基、2-乙基己氧基及3,5,5-三甲基己氧基等。烷氧基也包含被取代的烷氧基。作为能够取代为烷氧基的取代基，可举出卤原子、羟基、氨基、烷氧基、酰胺基及羰基等。

通式(TA)所表示的三官能硅烷偶联剂优选为R¹为碳原子数1以上且20以下的饱和脂肪族烃基且R²为卤原子或烷氧基的三官能硅烷偶联剂。

作为三官能硅烷偶联剂，例如可举出如下偶联剂：

乙烯基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、邻甲基苯基三甲氧基硅烷、对甲基苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、癸基三氯硅烷、苯基三氯硅烷(以上，R¹为未被取代的脂肪族烃基或未被取代的芳香族烃基的化合物)；

3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油基氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(以上，R¹为被取代的脂肪族烃基或被取代的芳香族烃基的化合物)；等。

三官能硅烷偶联剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

其中，从通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，作为三官能硅烷偶联剂，优选为烷基三烷氧基硅烷，更优选为在通式(TA)中，R¹表示碳原子数1以上且20以下(优选为碳原子数1以上且15以下)的烷基且R²表示碳原子数1以上且2以下的烷基的烷基三烷氧基硅烷。

从通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的结构体的附着量相对于二氧化硅粒子优选为5.5质量％以上且30质量％以下，更优选为7质量％以上且22质量％以下。

包含钼元素的含氮元素化合物优选吸附于三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上。

(疏水化处理结构体)

疏水化处理结构体为疏水化处理剂反应而获得的结构体。

作为疏水化处理剂，例如可应用有机硅化合物。

作为有机硅化合物，例如可举出如下化合物：

甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、三甲基氯硅烷、三甲基甲氧基硅烷等具有低级烷基的烷氧基硅烷化合物或卤代硅烷化合物；

乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等具有乙烯基的烷氧基硅烷化合物；

2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷等具有环氧基的烷氧基硅烷化合物；

对苯乙烯基三甲氧基硅烷、对苯乙烯基三乙氧基硅烷等具有苯乙烯基的烷氧基硅烷化合物；

N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等具有氨基烷基的烷氧基硅烷化合物；

3-异氰酸酯丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷等具有异氰酸酯烷基的烷氧基硅烷化合物；

六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷等硅氮烷化合物；等。

(二氧化硅粒子的特性)

-疏水化度-

从通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制的观点出发，特定二氧化硅粒子的疏水化度优选为10％以上且60％以下，更优选为20％以上且55％以下，进一步优选为28％以上且53％以下。

若二氧化硅粒子的疏水化度为10％以下，则由于三官能硅烷偶联剂的反应生成而结构体的包覆量变低，含氮元素化合物的含量减少。因此，带电分布容易扩展。

另一方面，若二氧化硅粒子的疏水化度超过60％，则由于三官能硅烷偶联剂的反应生成而结构体的密度变高，细孔也少，含氮元素化合物的含量减少。因此，带电分布容易扩展。其结果，难以通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

二氧化硅粒子的疏水化度如下测定。

在去离子水50ml中加入作为试样的二氧化硅粒子0.2质量％，一边用磁搅拌器进行搅拌，一边从滴定管滴加甲醇，求出试样总量沉淀的终点的甲醇-水混合溶液中的甲醇质量分数作为疏水化度。

-个数平均粒径及个数粒度分布指标-

特定二氧化硅粒子的个数平均粒径优选为10nm以上且100nm以下，更优选为10nm以上且80nm以下，更优选为10nm以上且70nm以下。

若二氧化硅粒子的个数平均粒径在上述范围内，则与载体的接触良好，电荷泄漏被适当地调整，从而抑制白点。(若小于10nm，则容易埋在调色剂表面或其他外添中，难以发挥效果。若大于100nm，则难以被调色剂保持，难以发挥效果。)

特定二氧化硅粒子的个数粒度分布指标优选为1.1以上且2.0以下，更优选为1.15以上且1.6以下。

若特定二氧化硅粒子的个数粒度分布指标在上述范围内，则带电量趋于变大的粗粉及带电量趋于变小的细粉少，容易实现带电分布的窄化。其结果，容易通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

在此，二氧化硅粒子的个数平均粒径及个数粒度分布指标如下测定。

用扫描式电子显微镜(SEM)以40,000倍观察二氧化硅粒子，用图像处理分析软件WinRoof(三谷商事株式会社(MITANI CORPORATION)制)分析所观察的二氧化硅粒子的图像，并求出至少200个粒子的圆当量直径。然后，从小径侧描绘各个粒子的个数的累积分布，并求出从小径侧计成为累计50％的粒径、个数平均粒径。

并且，将从小径侧计成为累计84％的粒径D84除以成为累计16％的粒径D16而获得的值的平方根定义为“个数粒度分布指标”(GSD)。即，个数粒径分布指标(GSD)＝(D84/D16)^0.5。

-圆度-

特定二氧化硅粒子的平均圆度优选为0.60以上且0.96以下，更优选为0.70以上且0.92以下，进一步优选为0.75以上且0.90以下。

若二氧化硅粒子的平均圆度在上述范围内，则比表面积大，容易产生过度的带电，但即使特定二氧化硅粒子的平均圆度在上述范围内，也能够实现带电分布的窄化。其结果，即使特定二氧化硅粒子的平均圆度在上述范围内，也容易通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

在此，二氧化硅粒子的圆度如下测定。

用扫描式电子显微镜(SEM)以40,000倍观察二氧化硅粒子，用图像处理分析软件WinRoof(三谷商事株式会社制)分析所观察的二氧化硅粒子的图像，并求出至少200个粒子的圆度，将其算术平均以计算平均圆度。

另外，关于圆度，通过以下式来计算。

圆度＝圆当量直径周长/周长＝[2×(Aπ)^1/2]/PM

在上式中，A表示投影面积，PM表示周长。

-体积电阻率-

特定二氧化硅粒子的体积电阻率(即，350℃煅烧前的体积电阻率)优选为1.0×10⁷Ω·cm以上且1.0×10^11.5Ω·cm以下，更优选为1.0×10⁸Ω·cm以上且1.0×10¹¹Ω·cm以下。

若特定二氧化硅粒子的体积电阻率在上述范围内，则含氮元素化合物的含量多，不易产生过度的带电，容易实现带电分布的窄化。其结果，容易通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

在特定二氧化硅粒子中，在将350℃煅烧前后的二氧化硅粒子的体积电阻率分别设为Ra及Rb时，Ra/Rb优选为0.01以上且0.8以下，更优选为0.015以上且0.6以下。

若Ra/Rb在上述范围内，则含氮元素化合物的含量多，不易产生过度的带电，容易实现带电分布的窄化。其结果，容易通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

350℃煅烧如上所述实施。

另一方面，体积电阻率如下测定。另外，测定环境设为温度20℃、湿度50％RH。

在配置有20cm²的电极板的圆形夹具的表面上以成为1mm以上且3mm以下左右的厚度的方式载置作为测定对象的二氧化硅粒子，从而形成二氧化硅粒子层。在其上载置与上述相同的20cm²的电极板以夹住二氧化硅粒子层。为了消除二氧化硅粒子之间的空隙，在载置于二氧化硅粒子层上的电极板上施加0.4MPa的压力之后，测定二氧化硅粒子层的厚度(cm)。二氧化硅粒子层上下的两个电极与阻抗分析仪(Solartron Analytical公司制)连接，并测定频率10^-3Hz以上且10⁶Hz以下，从而获得奈奎斯特图。假设存在体电阻、粒子界面电阻及电极接触电阻这三种电阻成分，将其拟合到等效电路中，并求出体电阻R。

二氧化硅粒子的体积电阻率(Ω·cm)的计算式如下式所示。

·式：ρ＝R/L

式中，ρ表示二氧化硅粒子的体积电阻率(Ω·cm)，R表示体电阻(Ω)，L表示二氧化硅粒子层的厚度(cm)。

(OH基量)

在特定二氧化硅粒子中，通过西尔斯法测定的OH基量优选为0.2个/nm²以上且5.5个/nm²以下，从通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现灰雾抑制、污尘抑制及细线再现性降低抑制的观点出发，更优选为0.2个/nm²以上且4个/nm²以下，进一步优选为0.2个/nm²以上且3个/nm²以下。

关于通过西尔斯法测定的OH基量，能够通过将由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的结构形成于二氧化硅母粒上来调整至上述范围。

通过将阻碍含氮元素化合物的吸附的OH基量减少至上述范围，含氮元素化合物容易进入二氧化硅粒子的细孔(例如，后述吸附层的细孔)的深处。并且，对含氮元素化合物的疏水性相互作用发挥作用而对二氧化硅粒子的附着力变强。因此，含氮元素化合物的吸附量增加。除此以外，含氮元素化合物变得难以脱落。因此，因含氮元素化合物而带电分布的窄化得到提高，并且窄的带电分布的维持性也得到提高。其结果，容易通过二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

并且，通过将OH基量减少至上述范围，带电特性的环境依赖性变低，无论在哪种环境下(尤其是容易产生过度的负带电化的低温低湿环境下)，均容易通过含氮元素化合物来实现带电分布的窄化。其结果，容易通过在特定条件下的二氧化硅粒子的带电分布窄化来实现图像污点抑制、调色剂飞散抑制。

关于OH基量，通过西尔斯法进行测定。具体地说，如下。

将二氧化硅粒子1.5g添加到纯水50g和乙醇50g混合液中，用超声波均质机搅拌2分钟，从而制作分散液。在25℃的环境下，一边进行搅拌，一边滴加1.0g的0.1mol/L的盐酸水溶液，从而获得试验液。将所获得的试验液加入自动滴定装置中，实施使用0.01mol/L的氢氧化钠水溶液的电位滴定，从而制作滴定曲线的微分曲线。将滴定曲线的微分值成为1.8以上的拐点中0.01mol/L氢氧化钠水溶液的滴定量变得最多的滴定量设为H。

使用下述式来计算二氧化硅粒子的表面硅烷醇基密度ρ(个/nm²)。

式：ρ＝((0.01×H-0.1)×NA/1000)/(U×S_BET×10¹⁸)

式中，符号的详细内容如下。

H：滴定曲线的微分值成为1.8以上的拐点中0.01mol/L氢氧化钠水溶液的滴定量变得最多的滴定量

NA：阿伏加德罗常数

U：二氧化硅粒子量(1.5g)

S_BET：二氧化硅粒子的比表面积(m²/g)

关于二氧化硅粒子的比表面积，通过BET式的氮气吸附法三点法进行测定。另外，平衡相对压力设为0.3。

-特定二氧化硅粒子的制造方法-

特定二氧化硅粒子的制造方法的一例包括如下工序：

第一工序，在二氧化硅母粒的至少一部分的表面上形成由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的结构体；及

第二工序，使包含钼元素的含氮元素化合物吸附于三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上。

在特定二氧化硅粒子的制造方法中，可以在第二工序之后或第二工序期间，进一步包括对具有结构体的二氧化硅母粒进行疏水化处理的第三工序，所述结构体包覆二氧化硅母粒的至少一部分的表面，由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成，并且在所述三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有包含钼元素的含氮元素化合物。

以下，对特定二氧化硅粒子的制造方法的工序进行详细说明。

[准备工序]

首先，对准备二氧化硅母粒的工序进行说明。

作为准备工序，例如可举出如下工序等：

(i)混合包含醇的溶剂和二氧化硅母粒来准备二氧化硅母粒悬浮液的工序

(ii)通过溶胶凝胶法将二氧化硅母粒进行造粒而获得二氧化硅母粒悬浮液的工序。

作为用于所述(i)的二氧化硅母粒，可举出溶胶凝胶二氧化硅粒子(通过溶胶凝胶法而获得的二氧化硅粒子)、水性胶体二氧化硅粒子、醇性二氧化硅粒子、通过气相法而获得的气相二氧化硅粒子、熔融二氧化硅粒子等。

用于所述(i)的包含醇的溶剂可以为醇的单独溶剂，也可以为醇与其他溶剂的混合溶剂。作为醇，例如可举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、丁醇等低级醇。作为其他溶剂，可举出水；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、乙酸溶纤剂等溶纤剂类；二噁烷、四氢呋喃等醚类等醚类；等。在混合溶剂的情况下，醇的比例优选为80质量％以上，更优选为85质量％以上。

工序(ii)优选为通过溶胶凝胶法将二氧化硅母粒进行造粒而获得二氧化硅母粒悬浮液的工序。

更具体地说，工序(ii)例如优选为包括如下工序的溶胶凝胶法：

碱催化剂溶液准备工序，准备在包含醇的溶剂中包含碱催化剂的碱催化剂溶液；及

二氧化硅母粒生成工序，向碱催化剂溶液中供给四烷氧基硅烷及碱催化剂而生成二氧化硅母粒。

碱催化剂溶液准备工序优选为准备包含醇的溶剂并混合该溶剂和碱催化剂而获得碱催化剂溶液的工序。

包含醇的溶剂可以为醇的单独溶剂，也可以为醇与其他溶剂的混合溶剂。作为醇，例如可举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、丁醇等低级醇。作为其他溶剂，可举出水；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、乙酸溶纤剂等溶纤剂类；二噁烷、四氢呋喃等醚类；等。在混合溶剂的情况下，醇的比例优选为80质量％以上，更优选为85质量％以上。

碱催化剂为用于促进四烷氧基硅烷的反应(水解反应和缩合反应)的催化剂，例如可举出氨、尿素、单胺等碱性催化剂，尤其优选为氨。

碱催化剂溶液中的碱催化剂的浓度优选为0.5mol/L以上且1.5mol/L以下，更优选为0.6mol/L以上且1.2mol/L以下，进一步优选为0.65mol/L以上且1.1mol/L以下。

二氧化硅母粒生成工序为向碱催化剂溶液中分别供给四烷氧基硅烷和碱催化剂以使四烷氧基硅烷在碱催化剂溶液中进行反应(水解反应和缩合反应)来生成二氧化硅母粒的工序。

在二氧化硅母粒生成工序中，在四烷氧基硅烷的供给初期通过四烷氧基硅烷的反应而生成核粒子之后(核粒子生成阶段)，经该核粒子的生长(核粒子生长阶段)而生成二氧化硅母粒。

作为四烷氧基硅烷，例如可举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等。从反应速度的可控性或所生成的二氧化硅母粒的形状的均匀性的观点出发，优选为四甲氧基硅烷或四乙氧基硅烷。

作为向碱催化剂溶液中供给的碱催化剂，例如可举出氨、尿素、单胺、季铵盐等碱性催化剂，尤其优选为氨。与四烷氧基硅烷一起供给的碱催化剂与预先包含于碱催化剂溶液中的碱催化剂可以为相同种类，也可以为不同种类，但是优选为相同种类。

向碱催化剂溶液中分别供给四烷氧基硅烷和碱催化剂的供给方式可以为连续供给的方式，也可以为间歇供给的方式。

在二氧化硅母粒生成工序中，碱催化剂溶液的温度(供给时的温度)优选为5℃以上且50℃以下，更优选为15℃以上且45℃以下。

[第一工序]

在第一工序中，形成由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的结构。

具体地说，第一工序例如为如下工序：在二氧化硅母粒悬浮液中添加三官能硅烷偶联剂，使三官能硅烷偶联剂在二氧化硅母粒的表面上进行反应而形成由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的结构体。三官能硅烷偶联剂通过三官能硅烷偶联剂的官能团彼此、三官能硅烷偶联剂的官能团与二氧化硅粒子表面的OH基进行反应而形成由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成的结构体。

三官能硅烷偶联剂的反应如下实施：将三官能硅烷偶联剂添加到二氧化硅母粒悬浮液中之后，一边搅拌悬浮液，一边进行加热。

具体地说，例如将悬浮液加热至40℃以上且70℃以下，添加三官能硅烷偶联剂之后进行搅拌。持续搅拌的时间优选为10分钟以上且24小时以下，更优选为60分钟以上且420分钟以下，进一步优选为80分钟以上且300分钟以下。

[第二工序]

在第二工序中，使含氮元素化合物吸附于三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上。

具体地说，在第二工序中，首先，例如在二氧化硅母粒悬浮液中添加含氮元素化合物，例如在20℃以上且50℃以下的温度范围内进行搅拌。由此，含氮元素化合物吸附于三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上。

在第二工序中，例如可以将包含含氮元素化合物的醇溶液添加到二氧化硅母粒悬浮液中。

醇与二氧化硅母粒悬浮液中所包含的醇可以为相同种类，也可以为不同种类，但是更优选为相同种类。

在包含含氮元素化合物的醇溶液中，含氮元素化合物的浓度优选为0.05质量％以上且10质量％以下，更优选为0.1质量％以上且6质量％以下。

[第三工序]

在第三工序中，在第二工序之后或第二工序期间，对具有在三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有含氮元素化合物的结构体的二氧化硅母粒进行疏水化处理。

具体地说，在第三工序中，例如在形成有所述结构体的二氧化硅母粒悬浮液中添加含氮元素化合物之后，添加疏水化处理剂。

疏水化处理剂通过疏水化处理剂的官能团彼此、疏水化处理剂官能团与二氧化硅母粒的OH基进行反应而形成疏水化处理层。

疏水化处理剂的反应如下实施：将三官能硅烷偶联剂添加到二氧化硅母粒悬浮液中之后，一边搅拌悬浮液，一边进行加热。

具体地说，例如将悬浮液加热至40℃以上且70℃以下，添加疏水化处理剂之后进行搅拌。持续搅拌的时间优选为10分钟以上且24小时以下，更优选为20分钟以上且120分钟以下，进一步优选为20分钟以上且90分钟以下。

[干燥工序]

在特定二氧化硅粒子的制造方法中，优选在实施第二工序或第三工序之后，实施从悬浮液中去除溶剂的干燥工序。另外，干燥工序可以在第二工序或第三工序期间实施。

关于干燥，例如可举出热干燥、喷雾干燥、超临界干燥。

关于喷雾干燥，能够通过使用市售的喷雾干燥机(有圆盘旋转式和喷嘴式等)的以往公知的方法来进行。例如，在热风气流中以0.2升/小时以上且1升/小时以下的速度喷射喷雾液来进行。此时，热风的温度优选在入口温度为70℃以上且400℃以下而出口温度为40℃以上且120℃以下的范围内。在此，若入口温度小于70℃，则分散液中所包含的固体成分的干燥变得不充分。并且，若入口温度超过400℃，则在喷雾干燥时粒子的形状发生扭曲。并且，若出口温度小于40℃，则固体成分的干燥程度差而附着于装置内。更优选的入口温度在100℃以上且300℃以下的范围内。

喷雾干燥时的二氧化硅母粒悬浮液的二氧化硅粒子浓度以固体成分计优选在10质量％以上且30质量％以下的范围内。

关于超临界干燥，通过用超临界流体去除溶剂，粒子之间的表面张力不易发挥作用，悬浮液中所包含的一次粒子在其凝集受到抑制的状态下被干燥。因此，容易获得粒径的均匀性高的二氧化硅粒子。

作为用作超临界流体的物质，可举出二氧化碳、水、甲醇、乙醇、丙酮等。从处理效率的观点和抑制粗大粒子的产生的观点出发，溶剂去除工序优选为使用超临界二氧化碳的工序。

具体地说，超临界干燥例如通过以下操作来进行。

在密闭反应器中容纳悬浮液，接着导入液化二氧化碳之后，加热密闭反应器，并且用高压泵使密闭反应器内升压，从而使密闭反应器内的二氧化碳成为超临界状态。然后，使液化二氧化碳流入密闭反应器中，并使超临界二氧化碳从密闭反应器中流出，从而在密闭反应器内向悬浮液流通超临界二氧化碳。在向悬浮液流通超临界二氧化碳的期间，溶剂溶解于超临界二氧化碳中，从而溶剂与向密闭反应器外流出的超临界二氧化碳一起被去除。

上述密闭反应器内的温度及压力设为使二氧化碳成为超临界状态的温度及压力。在二氧化碳的临界点为31.1℃/7.38MPa的情况下，例如设为温度40℃以上且200℃以下/压力10MPa以上且30MPa以下的温度及压力。

超临界干燥中的超临界流体的流量优选为80mL/秒以上且240mL/秒以下。

优选对所获得的特定二氧化硅粒子根据需要进行分解粉碎或筛分来去除粗大粒子或凝集物。关于分解粉碎，例如用喷磨机、振动磨机、球磨机、针磨机等干式粉碎装置来进行。关于筛分，例如用振动筛、风力筛分机等来进行。

特定二氧化硅粒子的外添量(含量)例如相对于调色剂粒子优选为0.25质量％以上且2.0质量％以下，更优选为0.5质量％以上且1.5质量％以下。

-其他外添剂-

外添剂可以并用除特定二氧化硅粒子以外的其他外添剂。

作为其他外添剂，可举出除特定二氧化硅粒子以外的其他无机粒子、有机粒子。

作为其他无机粒子，例如可举出二氧化硅、氧化铝、氧化钛、钛酸钡、钛酸镁、钛酸钙、钛酸锶、氧化锌、氧化铬、氧化铈、氧化镁、氧化锆、碳化硅、氮化硅等粒子。

其他无机粒子的表面优选实施疏水化处理。关于疏水化处理，例如通过将无机粒子浸渍于疏水化处理剂中等来进行。疏水化处理剂并无特别限制，例如可举出硅烷系偶联剂、硅油、钛酸酯系偶联剂、铝系偶联剂等。它们可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

作为疏水化处理剂的量，例如通常相对于其他无机粒子100质量份为1质量份以上且10质量份以下。

作为有机粒子，可举出树脂粒子(聚苯乙烯、聚甲基甲基丙烯酸酯(PMMA)、三聚氰胺树脂等树脂粒子)等。

作为其他外添剂的外添量(含量)，例如相对于调色剂粒子优选为0.05质量％以上且5.0质量％以下，更优选为0.5质量％以上且3.0质量％以下。

(调色剂的制造方法)

接着，对本实施方式所涉及的调色剂的制造方法进行说明。

关于本实施方式所涉及的调色剂，可通过在制造调色剂粒子之后根据需要对调色剂粒子外添外添剂来获得。

关于调色剂粒子，可以通过干式制法(例如，混炼粉碎法等)、湿式制法(例如，凝集聚结法、悬浮聚合法、溶解悬浮法等)中的任一种方法来制造。调色剂粒子的制法并不特别限于这些制法，可以采用周知的制法。

其中，优选通过凝集聚结法来获得调色剂粒子。

具体地说，例如在通过凝集聚结法来制造调色剂粒子的情况下，经如下工序来制造调色剂粒子：准备分散有作为粘结树脂的树脂粒子的树脂粒子分散液的工序(树脂粒子分散液准备工序)；在树脂粒子分散液中(在根据需要混合其他粒子分散液之后的分散液中)，使树脂粒子(根据需要，其他粒子)凝集而形成凝集粒子的工序(凝集粒子形成工序)；及对分散有凝集粒子的凝集粒子分散液进行加热以使凝集粒子融合/聚结而形成调色剂粒子的工序(融合/聚结工序)。

以下，对各工序的详细内容进行说明。

另外，在以下说明中，对获得包含着色剂及脱模剂的调色剂粒子的方法进行说明，但是着色剂、脱模剂根据需要来使用。当然也可以使用除着色剂、脱模剂以外的其他添加剂。

-树脂粒子分散液准备工序-

首先，与分散有成为粘结树脂的树脂粒子的树脂粒子分散液一起准备例如分散有着色剂粒子的着色剂粒子分散液、分散有脱模剂粒子的脱模剂粒子分散液。

在此，关于树脂粒子分散液，例如通过用表面活性剂使树脂粒子分散于分散介质中来制备。

作为树脂粒子分散液中所使用的分散介质，例如可举出水系介质。

作为水系介质，例如可举出蒸馏水、去离子水等水、醇类等。它们可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

作为表面活性剂，例如可举出硫酸酯盐系、磺酸盐系、磷酸酯系、皂系等阴离子表面活性剂；胺盐型、季铵盐型等阳离子表面活性剂；聚乙二醇系、烷基酚环氧乙烷加成物系、多元醇系等非离子系表面活性剂等。其中，尤其可举出阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂。非离子系表面活性剂也可以与阴离子表面活性剂或阳离子表面活性剂并用。

表面活性剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

在树脂粒子分散液中，作为使树脂粒子分散于分散介质中的方法，例如可举出旋转剪切型均质机或具有介质的球磨机、砂磨机、戴诺磨(Dyno-mill)等通常的分散方法。并且，根据树脂粒子的种类，例如也可以使用转相乳化法使树脂粒子分散于树脂粒子分散液中。

另外，转相乳化法是指如下方法：将要分散的树脂溶解于可溶解该树脂的疏水性有机溶剂中，在有机连续相(O相)中添加碱并进行中和之后，投入水介质(W相)，由此进行由W/O至O/W的树脂的转换(所谓的转相)，将其不连续相化，从而使树脂在水介质中以粒子状分散。

作为分散于树脂粒子分散液中的树脂粒子的体积平均粒径，例如优选为0.01μm以上且1μm以下，更优选为0.08μm以上且0.8μm以下，进一步优选为0.1μm以上且0.6μm以下。

另外，关于树脂粒子的体积平均粒径，使用通过激光衍射式粒度分布测定装置(例如，(株)堀场制作所制、LA-700)的测定而获得的粒度分布，对分割出的粒度范围(通道)从小粒径侧描绘体积的累计分布，并测定相对于所有粒子成为累计50％的粒径作为体积平均粒径D50v。另外，其他分散液中的粒子的体积平均粒径也同样地进行测定。

作为树脂粒子分散液中所包含的树脂粒子的含量，例如优选为5质量％以上且50质量％以下，更优选为10质量％以上且40质量％以下。

另外，以与树脂粒子分散液相同的方式，例如还制备着色剂粒子分散液、脱模剂粒子分散液。即，关于树脂粒子分散液中的粒子的体积平均粒径、分散介质、分散方法及粒子的含量，分散于着色剂粒子分散液中的着色剂粒子及分散于脱模剂粒子分散液中的脱模剂粒子也是相同的。

-凝集粒子形成工序-

接着，与树脂粒子分散液一起混合着色剂粒子分散液和脱模剂粒子分散液。

然后，在混合分散液中，使树脂粒子、着色剂粒子及脱模剂粒子异质凝集而形成具有接近目标调色剂粒子直径的直径且包含树脂粒子、着色剂粒子及脱模剂粒子的凝集粒子。

具体地说，例如，在混合分散液中添加凝集剂，并且将混合分散液的pH调整为酸性(例如，pH为2以上且5以下)，根据需要添加分散稳定剂之后，加热至树脂粒子的玻璃化转变温度(具体地说，例如为树脂粒子的玻璃化转变温度-30℃以上且玻璃化转变温度-10℃以下)的温度，使分散于混合分散液中的粒子凝集而形成凝集粒子。

在凝集粒子形成工序中，例如也可以在用旋转剪切型均质机搅拌混合分散液的同时，在室温(例如，25℃)下添加上述凝集剂，将混合分散液的pH调整为酸性(例如，pH为2以上且5以下)，根据需要添加分散稳定剂之后，进行上述加热。

作为凝集剂，例如可举出与用作添加到混合分散液中的分散剂的表面活性剂相反极性的表面活性剂、无机金属盐、二价以上的金属络合物。尤其，在将金属络合物用作凝集剂的情况下，表面活性剂的使用量减少，带电特性得到提高。

可以根据需要来使用与凝集剂的金属离子形成络合物或相似的键的添加剂。作为该添加剂，优选使用螯合剂。

作为无机金属盐，例如可举出氯化钙、硝酸钙、氯化钡、氯化镁、氯化锌、氯化铝、硫酸铝等金属盐及聚氯化铝、聚氢氧化铝、多硫化钙等无机金属盐聚合物等。

作为螯合剂，可以使用水溶性螯合剂。作为螯合剂，例如可举出酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸等羟基羧酸、亚氨基二乙酸(IDA)、次氮基三乙酸(NTA)、乙二胺四乙酸(EDTA)等。

作为螯合剂的添加量，例如相对于树脂粒子100质量份优选为0.01质量份以上且5.0质量份以下，更优选为0.1质量份以上且小于3.0质量份。

-融合/聚结工序-

接着，将分散有凝集粒子的凝集粒子分散液例如加热至树脂粒子的玻璃化转变温度以上(例如，比树脂粒子的玻璃化转变温度高10至30℃的温度以上)，使凝集粒子融合/聚结而形成调色剂粒子。

经以上工序获得调色剂粒子。

另外，也可以经如下工序来制造调色剂粒子：在获得分散有凝集粒子的凝集粒子分散液之后，进一步混合该凝集粒子分散液和分散有树脂粒子的树脂粒子分散液，以使树脂粒子进一步附着于凝集粒子的表面上的方式凝集而形成第二凝集粒子；及对分散有第二凝集粒子的第二凝集粒子分散液进行加热以使第二凝集粒子融合/聚结而形成核/壳结构的调色剂粒子。

在此，在结束融合/聚结工序之后，使形成于溶液中的调色剂粒子经公知的清洗工序、固液分离工序、干燥工序而获得干燥状态的调色剂粒子。

从带电性的观点出发，清洗工序优选充分实施用去离子水进行的置换清洗。并且，固液分离工序并无特别限制，但是从生产率的观点出发，优选实施抽吸过滤、加压过滤等。并且，干燥工序的方法也无特别限制，但是从生产率的观点出发，优选实施冷冻干燥、气流干燥、流化干燥、振动型流化干燥等。

并且，本实施方式所涉及的调色剂例如通过对所获得的干燥状态的调色剂粒子添加外添剂并进行混合来制造。关于混合，例如优选通过V混合机、亨舍尔混合机、罗地格混合机等来进行。而且，根据需要，可以使用振动筛分机、风力筛分机等来去除调色剂的粗大粒子。

(载体)

以下，对本实施方式所涉及的载体进行详细说明。

本实施方式所涉及的载体的相对介质损耗因数为0.5以上且2.0以下。只要相对介质损耗因数在所述范围内，则作为载体，并无特别限制，可举出公知的载体。作为载体，例如可举出用包覆树脂包覆由磁性粉构成的芯材的表面而获得的包覆载体；使磁性粉在基体树脂中分散/配制而获得的磁性粉分散型载体；使树脂含浸于多孔磁性粉中而获得的树脂含浸型载体；等。

另外，磁性粉分散型载体及树脂含浸型载体也可以为以该载体的构成粒子为芯材并用包覆树脂包覆该芯材而获得的载体。

芯材容易调整载体的相对介质损耗因数，因此优选为粒子状的磁性粉、即磁性粒子。

磁性粒子的体积平均粒径例如优选为20μm以上且50μm以下。

作为磁性粒子，例如可举出铁、镍、钴等磁性金属、铁氧体、磁铁矿等磁性氧化物等。

在本实施方式中，芯材的磁性粒子优选含有由下述式(1)表示的铁氧体。通过使磁性粒子包含式(1)所表示的铁氧体，容易将本实施方式的载体的相对介质损耗因数调整至优选范围。

(MO)_j(Fe₂O₃)_k式(1)

在式(1)中，k表示1.20以上且1.45以下的数值，j表示3-2k的数值。M表示金属元素，作为该金属元素，至少包含Mg。

相对于铁氧体的组成比Fe:M＝2:1，增加Fe，从而提高介电性。因此，在式(1)中，k优选为1.20以上且1.45以下的数值，进一步优选为1.25以上且1.30以下的数值。

作为式(1)的M，以Mg为主体，但是也可以组合选自由Ti、Zr、Mn、Sr、Si、Li、Ca、Sn、Cu、Zn及Ba组成的组中的至少一种。从提高载体的介电性且减少显影剂中的电荷泄漏的观点出发，Mg的含量相对于Fe的1摩尔优选为0.04摩尔以上且0.20摩尔以下，进一步优选为0.07摩尔以上且0.15摩尔以下。从提高载体的介电性且减少显影剂中的电荷泄漏的观点出发，除Mg以外，还可以含有Mn，在与Mg并用时Mn的含量相对于Fe的1摩尔优选为0.002摩尔以上且0.05摩尔以下，进一步优选为0.003摩尔以上且0.004摩尔以下。

并且，优选含有Ti、Zr。随着Fe的增加，氧化铁被铁氧体化，晶体生长而介电性变高，但是由于铁氧体具有导电性，因此在介电性变高的同时电阻变低，容易产生电荷泄漏。由于Ti、Zr的存在，电荷泄漏得到抑制，并且对介电性的不良影响少。

Ti的含量相对于Fe的1摩尔优选为0.02摩尔以上且0.05摩尔以下，进一步优选为0.03摩尔以上且0.04摩尔以下。并且，Zr的含量相对于Fe的1摩尔优选为0.014摩尔以上且0.018摩尔以下，进一步优选为0.0153摩尔以上且0.016摩尔以下。Ti和Zr可以含有一个，但是也可并用。

而且，也可含有Sr、Si等其他金属元素。其他金属元素的含量相对于Fe的1摩尔优选为0.001摩尔以上且0.03摩尔以下，进一步优选为0.003摩尔以上且0.02摩尔以下。

如上所述，通过选择各金属，能够调整载体的相对介质损耗因数。

在本实施方式中，磁性粒子中所包含的铁氧体的组成及磁性粒子中所包含的相对于Fe的1摩尔的Mg、Mn、Ti、Zr等金属的含量通过下述方法来确定。

能够通过荧光X射线来确定构成元素。并且，从定量分析中使用校准曲线测定含量。通过将所获得的含量除以原子量而获得摩尔数，能够从其比获得各自与Fe的摩尔比。

在本实施方式中，作为载体中所使用的包覆树脂及基体树脂，例如可举出聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚氯乙烯、聚乙烯醚、聚乙烯酮、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、苯乙烯-丙烯酸酯共聚物、构成为包含有机硅氧烷键的直链硅酮树脂或其改性产物、氟树脂、聚酯、聚碳酸酯、酚醛树脂、环氧树脂等。

另外，在包覆树脂及基体树脂中可以包含导电性粒子等其他添加剂。

作为导电性粒子，可举出金、银、铜等金属、炭黑、氧化钛、氧化锌、氧化锡、硫酸钡、硼酸铝、钛酸钾等粒子。

在此，为了用包覆树脂包覆芯材的表面，可举出用将包覆树脂及根据需要添加的各种添加剂溶解于适当的溶剂中而获得的包覆层形成用溶液包覆的方法等。作为溶剂，并无特别限定，只要考虑所使用的包覆树脂、涂布适合性等来选择即可。

作为具体的树脂包覆方法，可举出将芯材浸渍于包覆层形成用溶液中的浸渍法、在芯材表面上喷涂包覆层形成用溶液的喷涂法、在用流动空气使芯材浮游的状态下喷涂包覆层形成用溶液的流化床法、在捏合涂布机中混合载体的芯材和包覆层形成用溶液并去除溶剂的捏合涂布法等。

另外，从在二氧化硅粒子与载体之间产生适当的排斥、维持稳定的带电特性、抑制电荷泄漏的观点出发，特定二氧化硅粒子与载体的质量比(二氧化硅/载体)优选为0.03以上且0.15以下，更优选为0.05以上且0.12以下，进一步优选为0.07以上且0.10以下。

并且，调色剂与载体的混合比(质量比)优选为调色剂:载体＝1:100至30:100，更优选为3:100至20:100。

＜图像形成装置、图像形成方法＞

对本实施方式所涉及的图像形成装置/图像形成方法进行说明。

本实施方式所涉及的图像形成装置具备：图像保持体；充电构件，其使图像保持体的表面带电；静电荷图像形成构件，其在带电的图像保持体的表面上形成静电荷图像；显影构件，其容纳静电荷图像显影剂，并且通过静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；转印构件，其将形成于图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及定影构件，其对转印到记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。并且，作为静电荷图像显影剂，应用本实施方式所涉及的静电荷图像显影剂。

在本实施方式所涉及的图像形成装置中，实施包括如下工序的图像形成方法(本实施方式所涉及的图像形成方法)：充电工序，使图像保持体的表面带电；静电荷图像形成工序，在带电的图像保持体的表面上形成静电荷图像；显影工序，通过本实施方式所涉及的静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；转印工序，将形成于图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及定影工序，对转印到记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

本实施方式所涉及的图像形成装置应用如下公知的图像形成装置：将形成于图像保持体的表面上的调色剂图像直接转印到记录媒体上的直接转印方式的装置；将形成于图像保持体的表面上的调色剂图像一次转印到中间转印体的表面上，并将转印到中间转印体的表面上的调色剂图像二次转印到记录媒体的表面上的中间转印方式的装置；具备在转印调色剂图像之后清洁带电前的图像保持体的表面的清洁构件的装置；具备在转印调色剂图像之后在带电之前向图像保持体的表面照射除电光来进行除电的除电构件的装置；等。

在本实施方式所涉及的图像形成装置为中间转印方式的装置的情况下，转印构件例如应用具有如下构件的结构：中间转印体，其将调色剂图像转印到表面上；一次转印构件，其将形成于图像保持体的表面上的调色剂图像一次转印到中间转印体的表面上；及二次转印构件，其将转印到中间转印体的表面上的调色剂图像二次转印到记录媒体的表面上。

在本实施方式所涉及的图像形成装置中，例如，包括显影构件的部分可以为在图像形成装置上装卸的盒结构(处理盒)。作为处理盒，例如优选使用具备容纳本实施方式所涉及的静电荷图像显影剂的显影构件的处理盒。

以下，对本实施方式所涉及的图像形成装置的一例进行说明，但是并不限定于此。在以下说明中，对图中所示的主要部分进行说明，并省略其他部分的说明。

图1是表示本实施方式所涉及的图像形成装置的概略结构图。

图1所示的图像形成装置具备输出基于经分色的图像数据的黄色(Y)、品红色(M)、青色(C)、黑色(K)的各颜色的图像的电子照相方式的第一至第四图像形成单元10Y、10M、10C、10K(图像形成构件)。这些图像形成单元(以下，有时简称为“单元”)10Y、10M、10C、10K以在水平方向上彼此隔开预先设定的距离的方式并列设置。这些单元10Y、10M、10C、10K可以为在图像形成装置上装卸的处理盒。

在各单元10Y、10M、10C、10K的上方，以经过各单元的方式延伸设置有中间转印带(中间转印体的一例)20。中间转印带20设置成缠绕在与中间转印带20的内表面接触的驱动辊22及支承辊24上，并且沿从第一单元10Y朝向第四单元10K的方向行进。支承辊24被未图示的弹簧等向远离驱动辊22的方向施力，从而对缠绕在两者上的中间转印带20施加张力。在中间转印带20的图像保持面侧，以与驱动辊22对置的方式设置有中间转印带清洁装置30。

容纳于调色剂盒8Y、8M、8C、8K中的黄色、品红色、青色、黑色的各调色剂分别供给至各单元10Y、10M、10C、10K的显影装置(显影构件的一例)4Y、4M、4C、4K。

第一至第四单元10Y、10M、10C、10K具有相等的结构及动作，因此在此以配设于中间转印带行进方向的上游侧的形成黄色图像的第一单元10Y为代表进行说明。

第一单元10Y具有作为图像保持体而发挥作用的感光体1Y。在感光体1Y的周围依次配置有：充电辊(充电构件的一例)2Y，其使感光体1Y的表面带预先设定的电位的电；曝光装置(静电荷图像形成构件的一例)3，其用基于经分色的图像信号的激光束3Y对带电的表面进行曝光而形成静电荷图像；显影装置(显影构件的一例)4Y，其向静电荷图像供给带电的调色剂以将静电荷图像显影；一次转印辊(一次转印构件的一例)5Y，其将显影后的调色剂图像转印到中间转印带20上；及感光体清洁装置(图像保持体清洁构件的一例)6Y，其在一次转印之后去除残留在感光体1Y的表面上的调色剂。

一次转印辊5Y配置于中间转印带20的内侧，并且设置于与感光体1Y对置的位置上。各单元的一次转印辊5Y、5M、5C、5K上分别连接有施加一次转印偏压的偏压电源(未图示)。各偏压电源在未图示的控制部的控制下改变施加于各一次转印辊的转印偏压的值。

以下，对在第一单元10Y中形成黄色图像的动作进行说明。

首先，在进行动作之前，通过充电辊2Y使感光体1Y的表面充电至-600V至-800V的电位。

感光体1Y通过在导电性(例如，20℃下的体积电阻率为1×10^-6Ω·cm以下)的基体上层叠感光层而形成。通常，该感光层为高电阻(一般的树脂的电阻)，但是具有在照射激光束时被照射激光束的部分的电阻率发生变化的性质。因此，根据从未图示的控制部发送过来的黄色用图像数据从曝光装置3向带电的感光体1Y的表面照射激光束3Y。由此，黄色图像图案的静电荷图像形成于感光体1Y的表面上。

静电荷图像为通过带电而形成于感光体1Y的表面上的图像，并且为所谓的负潜像，其如下形成：用激光束3Y来降低感光层的被照射部分的电阻率，从而使感光体1Y的表面的带电的电荷流动，另一方面，使未照射激光束3Y的部分的电荷残留。

形成于感光体1Y上的静电荷图像随着感光体1Y的行进而旋转至预先设定的显影位置。然后，在该显影位置，通过显影装置4Y将感光体1Y上的静电荷图像显影为调色剂图像，并使其可视化。

在显影装置4Y内，例如容纳有至少包含黄色调色剂和载体的静电荷图像显影剂。黄色调色剂通过在显影装置4Y的内部进行搅拌而摩擦带电，并且带有与感光体1Y上所带的电荷相同极性(负极性)的电荷而保持在显影剂辊(显影剂保持体的一例)上。然后，通过使感光体1Y的表面经过显影装置4Y，黄色调色剂静电附着于感光体1Y表面上的被除电的潜像部上，从而潜像被黄色调色剂显影。形成有黄色调色剂图像的感光体1Y继续以预先设定的速度行进，从而在感光体1Y上显影的调色剂图像被传送至预先设定的一次转印位置上。

若感光体1Y上的黄色调色剂图像被传送至一次转印位置上，则一次转印偏压被施加于一次转印辊5Y上，从感光体1Y朝向一次转印辊5Y的静电力作用于调色剂图像，从而将感光体1Y上的调色剂图像转印到中间转印带20上。此时施加的转印偏压为与调色剂的极性(-)相反极性的(+)极性，在第一单元10Y中，由控制部(未图示)例如控制为+10μA。

另一方面，残留在感光体1Y上的调色剂被感光体清洁装置6Y去除并回收。

施加于第二单元10M之后的一次转印辊5M、5C、5K上的一次转印偏压也以第一单元为基准来控制。

如此，通过第一单元10Y转印黄色调色剂图像之后的中间转印带20以经过第二至第四单元10M、10C、10K的方式依次进行传送，并以叠加各颜色的调色剂图像的方式进行多次转印。

经过第一至第四单元多次转印四种颜色的调色剂图像之后的中间转印带20到达由中间转印带20、与中间转印带的内表面接触的支承辊24及配置于中间转印带20的图像保持面侧的二次转印辊(二次转印构件的一例)26构成的二次转印部。另一方面，在预先设定的时刻将记录纸(记录媒体的一例)P经由供给机构供给至二次转印辊26与中间转印带20接触的间隙中，并将二次转印偏压施加于支承辊24。此时施加的转印偏压为与调色剂的极性(-)相同极性的(-)极性，从中间转印带20朝向记录纸P的静电力作用于调色剂图像，从而将中间转印带20上的调色剂图像转印到记录纸P上。此时的二次转印偏压根据由检测二次转印部的电阻的电阻检测构件(未图示)检测出的电阻来确定，其是电压控制的。

转印调色剂图像之后的记录纸P被传送至定影装置(定影构件的一例)28中的一对定影辊的压接部(压合部)，将调色剂图像定影到记录纸P上，从而形成定影图像。完成彩色图像的定影后的记录纸P朝向排出部传送，从而结束一连串的彩色图像形成动作。

作为转印调色剂图像的记录纸P，例如可举出电子照相方式的复印机、打印机等中所使用的普通纸。作为记录媒体，除记录纸P以外，还可举出OHP片材等。

为了进一步提高定影后的图像表面的平滑性，优选记录纸P的表面也平滑，例如优选使用将普通纸的表面用树脂等涂布而获得的涂布纸、印刷用铜版纸等。

＜处理盒＞

对本实施方式所涉及的处理盒进行说明。

本实施方式所涉及的处理盒具备显影构件，所述显影构件容纳本实施方式所涉及的静电荷图像显影剂，并且通过静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像，所述处理盒装卸于图像形成装置。

本实施方式所涉及的处理盒可以为具备显影构件和根据需要设置的例如选自图像保持体、充电构件、静电荷图像形成构件及转印构件等其他构件中的至少一个的结构。

以下，示出本实施方式所涉及的处理盒的一例，但是并不限定于此。在以下说明中，对图中所示的主要部分进行说明，并省略其他部分的说明。

图2是表示本实施方式所涉及的处理盒的一例的概略结构图。

图2所示的处理盒200例如构成为通过设置有安装导轨116及用于曝光的开口部118的框体117将感光体107(图像保持体的一例)、设置于感光体107的周围的充电辊108(充电构件的一例)、显影装置111(显影构件的一例)及感光体清洁装置113(清洁构件的一例)组合成一体并保持，从而作成盒。

在图2中，109表示曝光装置(静电荷图像形成构件的一例)，112表示转印装置(转印构件的一例)，115表示定影装置(定影构件的一例)，300表示记录纸(记录媒体的一例)。

[实施例]

以下，通过实施例对发明的实施方式进行详细说明，但是发明的实施方式并不限定于这些实施例。在以下说明中，除非另有特别说明，则“份”、“％”以质量为基准。

＜调色剂粒子的制作＞

(调色剂粒子(1))

-非晶性聚酯树脂的合成-

·双酚A环氧乙烷加成物〔富士胶片和光纯药(株)(FUJIFILM Wako PureChemical Corporation制〕：150份

·双酚A环氧丙烷加成物〔富士胶片和光纯药(株)制〕：250份

·四聚丙烯基烯琥珀酸酐〔富士胶片和光纯药(株)制〕：130份

·对苯二甲酸〔富士胶片和光纯药(株)制〕：100份

·偏苯三酸〔富士胶片和光纯药(株)制〕：15份

向具备搅拌器、温度计、冷凝器及氮气导入管的反应容器中投入上述单体成分，将反应容器内用干燥氮气置换之后，相对于所述单体成分的合计量投入了0.3％的二辛酸锡。在氮气流下将温度经1小时升温至235℃，并反应3小时，将反应容器内减压至10.0mmHg，并进行搅拌反应，在成为所期望的分子量的时点结束了反应。

所获得的非晶性聚酯树脂的玻璃化转变温度为61℃，重均分子量为42,000，酸值为13mgKOH/g。

-非晶性聚酯树脂分散液的制备-

·非晶性聚酯树脂：100份

·甲基乙基酮：60份

·异丙醇：10份

向具备搅拌机的反应容器中投入上述成分，并在60℃下使其溶解。确认溶解之后，将反应容器冷却至35℃之后，添加了10％氨水溶液3.5份。

接着，将去离子水300份经3小时滴加到反应容器中，从而制作了聚酯树脂分散液。接着，用蒸发器去除甲基乙基酮以及异丙醇，从而获得了非晶性聚酯树脂分散液。

-着色剂粒子分散液的制备-

·青色颜料〔Pigment Blue(颜料蓝)15:3、大日精化工业(株)(DainichiseikaColor&Chemicals Mfg.Co.,Ltd.)制〕：10份

·阴离子性表面活性剂〔NEOGEN SC、第一工业制药(株)(DKS Co.Ltd.)制〕：2份

·去离子水：80份

混合上述成分，并用高压冲击式分散机ULTIMAIZER〔HJP30006、速技能机械有限公司(Sugino Machine Limited)制〕分散1小时，从而获得体积平均粒径180nm、固体成分20％的着色剂粒子分散液。

-脱模剂粒子分散液的制备-

·石蜡〔HNP 9、日本精蜡(株)(NIPPON SEIRO CO.,LTD.)制〕：50份

·阴离子性表面活性剂〔NEOGEN SC、第一工业制药(株)制〕：2份

·去离子水：200份

将上述成分加热至120℃，用IKA公司制、ULTRA TURRAX T50进行混合并分散之后，用压力吐出型均质机进行分散处理，从而获得了体积平均粒径200nm、固体成分20％的脱模剂粒子分散液。

-调色剂粒子(1)的制作-

·非晶性聚酯树脂粒子分散液：210份

·着色剂粒子分散液：25份

·脱模剂粒子分散液：30份

·聚氯化铝：0.4份

·去离子水：100份

将上述成分投入到不锈钢制烧瓶中，使用IKA公司制的ULTRA TURRAX进行混合并分散之后，一边在加热用油浴中搅拌烧瓶，一边加热至48℃。在48℃下保持25分钟之后，向其中缓慢追加了70份的与上述相同的聚酯树脂分散液。

之后，使用浓度0.5mol/L的氢氧化钠水溶液，将体系内的pH调整为8.0之后，密封不锈钢制烧瓶，并磁力密封搅拌轴的密封，一边持续搅拌，一边加热至90℃，并保持了3小时。反应结束之后，以2℃/分钟的降温速度进行冷却，并进行过滤，用去离子水清洗之后，通过布氏漏斗式抽吸过滤进行了固液分离。再用30℃的去离子水3L将其再分散，以15分钟300rpm进行了搅拌并清洗。再反复进行6次该清洗操作，在滤液的pH成为7.54且导电率成为6.5μS/cm时，通过布氏漏斗式抽吸过滤，使用No.5A滤纸进行了固液分离。接着，将真空干燥持续12小时，从而获得了调色剂粒子(1)。

调色剂粒子(1)的体积平均粒径(D50v)为6.1μm，平均圆度为0.965。

＜外添剂的制作＞

[二氧化硅粒子的制备]

-碱催化剂溶液的准备-

向具备金属制搅拌棒、滴加喷嘴及温度计的玻璃制反应容器中加入甲醇950份和表1所示的量及浓度的氨水(NH₄OH)，并进行搅拌混合，从而获得了碱催化剂溶液。

-通过溶胶凝胶法进行的二氧化硅母粒的造粒-

将碱催化剂溶液的温度调整为40℃，并对碱催化剂溶液进行了氮气置换。接着，一边搅拌碱催化剂溶液，一边同时滴加表1所示的量的四甲氧基硅烷(TMOS)和催化剂(NH₃)浓度7.9％的氨水(NH₄OH)124份，从而获得了二氧化硅母粒悬浮液。

-三官能硅烷偶联剂的添加-

将二氧化硅母粒悬浮液加热至40℃，一边搅拌，一边在悬浮液中添加了表1所示的量的甲基三甲氧基硅烷(MTMS)作为三官能硅烷偶联剂。之后，持续搅拌120分钟，使三官能硅烷偶联剂进行反应，从而形成了吸附结构。

-含氮元素化合物的添加-

使用表1中所记载的量的以下详细记载的含氮元素化合物TP-415或正十六烷基三甲基溴化铵，并用丁醇进行了稀释，从而制作出醇溶液。

TP-415：[N⁺(CH)₃(C₁₄C₂₉)₂]₄Mo₈O₂₈ ^4-(N,N-Dimethyl-N-tetradecyl-1-tetradecanaminium(双十四烷基二甲基铵)，hexa-μ-oxotetra-μ3-oxodi-μ5-oxotetradecaoxooctamolybdate(六-μ-氧代四-μ3-氧代二-μ5-氧代十四氧代八钼酸盐)(4-)(4：1)保土谷化学工业公司(HODOGAYA CHEMICAL CO.,LTD.)制

接着，将用丁醇稀释含氮元素化合物而获得的醇溶液添加到悬浮液中。此时，关于醇溶液的添加，以使含氮元素化合物的份数相对于二氧化硅母粒悬浮液的固体成分100份成为表1所示的量的方式进行。接着，在30℃下搅拌100分钟，从而获得了包含含氮元素化合物的悬浮液。

-干燥-

接着，在反应槽中容纳300质量份的悬浮液，一边搅拌，一边加入CO₂，将反应槽内升温升压至150℃、压力15Mpa。在维持温度和压力的状态下，一边搅拌，一边使CO₂以流量5L/min流入及流出。之后，经120分钟去除溶剂，从而获得了二氧化硅粒子A-1～A-13。

[表1]

＜二氧化硅粒子的评价＞

关于所获得的二氧化硅粒子的下述特性，通过已叙述的方法进行了测定。将各二氧化硅粒子的测定值记载于表1中。

·个数平均粒径(在表中，表述为“平均粒径”。)

·平均圆度

·以氮元素换算的含氮元素化合物的含量(在表中，表述为“N含量(N元素换算)”。)

·通过荧光X射线分析而测定的钼元素的Net强度与硅元素的Net强度的比率(在表中，表述为“Mo/Si”。)

＜载体芯材的制作＞

(铁氧体粒子的制作)

混合表2中所记载的量的铁氧体材料，并使用湿式球磨机进行了10小时的混合及粉碎。接着，用喷雾干燥器造粒并进行干燥。接着，使用回转窑在900℃下进行了6小时的预煅烧1。用湿式球磨机将通过预煅烧1所获得的预煅烧物粉碎2小时，以使平均粒径成为2μm之后，进一步用喷雾干燥器进行造粒并干燥，接着，使用回转窑在950℃下进行了6小时的预煅烧2。用湿式球磨机将通过预煅烧2所获得的预煅烧物粉碎5小时，以使平均粒径成为5μm之后，进一步用喷雾干燥器进行造粒并干燥，接着，用表2中所记载的温度的电炉进行了5小时的煅烧。煅烧之后，经分解粉碎工序、分级工序，从而获得了粒径约35μm的铁氧体粒子1～9。

＜载体1的制作＞

·甲苯：14份

·异丙醇：4份

·甲基丙烯酸环己酯(平均分子量Mw 5万)：2份

·炭黑VXC72(Cabot Corporation制)：0.2份

用搅拌器将上述成分搅拌10分钟而制备使其分散的包覆液，接着将该包覆液和100份的铁氧体粒子1加入真空脱气型捏合机中，在60℃下搅拌30分钟之后，一边进一步进行加温，一边进行减压而脱气并干燥，从而获得了载体1。

＜载体2～9的制作＞

分别使用100份的铁氧体粒子2～9来代替铁氧体粒子1，除此以外，以与载体1相同的方式获得了载体2～9。

＜载体粒子的评价＞

将以调色剂比率8％混合调色剂粒子(1)和各载体而获得的测定用显影剂压缩成型成厚度5mm，接着用Wayne Kerr Electronics制LCR测试仪，在6KHz、5V(RSM)的条件下测定相对介质损耗因数，并将其记载于表2中。并且，关于铁氧体粒子1～9的详细组成，记载于表3中。

[表2]

[表3]

＜显影剂的制作＞

在调色剂粒子(1)100份中以成为表4中所记载的调色剂中的二氧化硅量的方式添加表4所示的种类的二氧化硅粒子(外添剂)，并用亨舍尔混合机以搅拌圆周速度30m/sec混合15分钟，从而获得了各实施例、比较例的调色剂。

将所获得的各调色剂和载体1～9以成为表4中所记载的“显影剂中的调色剂比例”的比例加入V混合机中，并搅拌20分钟，从而获得了实施例1～实施例21、比较例1～比较例4各自的显影剂。将各显影剂中的二氧化硅与载体的重量比(二氧化硅/载体)记载于表4中。

＜白点产生评价＞

关于实施例1～实施例21、比较例1～比较例4的各显影剂，使用DocuCentreColor400CP(富士胶片商业创新株式会社制)，在25℃、15％RH的条件下进行了100张的白纸印刷。接着，将速度减半的模式10cm见方的实心印刷实施10张，并计数了10张的图像中的白点(脱色)的数量。

将各实施例、比较例中的白点数和基于下述基准的判定记载于表4中。另外，可允许的评价为A及B。

-评价基准-

A：白点数0～1

B：白点数2～4

C：白点数5以上

如表4所示，可知在使用实施例的显影剂的印刷中抑制白点的产生。

[表4]

(附记)

(((1)))

一种静电荷图像显影剂，其包含：

调色剂粒子；

二氧化硅粒子，其外添于所述调色剂粒子，并且含有包含钼元素的含氮元素化合物，通过荧光X射线分析而测定的该钼元素的Net强度与二氧化硅粒子中的硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.035以上且0.45以下；及

载体，其相对介质损耗因数为0.5以上且2.0以下。

(((2)))

根据(((1)))所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述载体由铁氧体构成，该铁氧体包含钛及锆中的至少一个。

(((3)))

根据(((1)))或(((2)))所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述载体的相对介质损耗因数为0.7以上且1.7以下。

(((4)))

根据(((2)))或(((3)))所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述铁氧体还包含锰及镁。

(((5)))

根据(((1)))至(((4)))中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述二氧化硅粒子与所述载体的重量比(二氧化硅/载体)为0.03以上且0.15以下。

(((6)))

根据(((1)))至(((5)))中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述钼元素的Net强度与所述硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.10以上且0.30以下。

(((7)))

根据(((1)))至(((6)))中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述包含钼元素的含氮元素化合物为包含钼元素的季铵盐。

(((8)))

根据(((1)))至(((7)))中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述二氧化硅粒子的个数平均粒径为10nm以上且100nm以下。

(((9)))

根据(((8)))所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述二氧化硅粒子具有：

二氧化硅母粒；及

结构体，其包覆所述二氧化硅母粒的至少一部分的表面，由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成，并且在该三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有所述包含钼元素的含氮元素化合物。

(((10)))

一种装卸于图像形成装置的处理盒，具备

显影构件，其容纳(((1)))至(((9)))中任一项所述的静电荷图像显影剂，并且通过该静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像。

(((11)))

一种图像形成装置，其具备：

图像保持体；

充电构件，其使所述图像保持体的表面带电；

静电荷图像形成构件，其在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；

显影构件，其容纳(((1)))至(((9)))中任一项所述的静电荷图像显影剂，并且通过该静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；

转印构件，其将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及

定影构件，其对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

(((12)))

一种图像形成方法，其包括：

充电工序，使图像保持体的表面带电；

静电荷图像形成工序，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；

显影工序，通过(((1)))至(((9)))中任一项所述的静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；

转印工序，将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及

定影工序，对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

根据(((1)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，在包含外添有二氧化硅粒子的调色剂粒子和载体的静电荷图像显影剂等中，即使在进行如极度提高图像浓度的印刷的情况下，也能够抑制高温高湿下的电荷泄漏，从而抑制白点产生。

根据(((2)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述载体由铁氧体构成且该铁氧体不包含钛或锆的情况，载体的相对介质损耗因数得到调整，并且具有适当的带电性。

根据(((3)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述载体的相对介质损耗因数小于0.7或超过1.7的情况，载体具有良好的带电性，能够抑制电荷泄漏的产生。

根据(((4)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述载体中的铁氧体不包含锰及镁中的任一个的情况，载体的相对介质损耗因数得到调整，并且具有适当的带电性。

根据(((5)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述二氧化硅粒子与所述载体的重量比(二氧化硅/载体)小于0.03或超过0.15的情况，成为二氧化硅粒子中的优选的带电量，能够抑制由载体引起的电荷泄漏。

根据(((6)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述钼元素的Net强度与所述硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)小于0.10或超过0.30的情况，使二氧化硅粒子中的带电范围变窄，在抑制电荷泄漏的同时抑制图像的白点产生。

根据(((7)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述包含钼元素的含氮元素化合物不是包含钼元素的季铵盐的情况，二氧化硅粒子的带电分布变窄。

根据(((8)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述二氧化硅粒子的个数平均粒径小于10nm或超过100nm的情况，在载体与二氧化硅粒子之间产生适当的排斥，带电稳定。

根据(((9)))的发明，能够提供一种静电荷图像显影剂，其相较于所述二氧化硅粒子的结构体不是包覆二氧化硅母粒的至少一部分的表面、由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成、并且在所述三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有所述含氮元素化合物的结构体的情况，能够使二氧化硅粒子中的带电分布变窄。

根据(((10)))、(((11)))或(((12)))的发明，能够提供一种可应用静电荷图像显影剂的处理盒、图像形成装置或图像形成方法，在包含外添有二氧化硅粒子的调色剂粒子和载体的静电荷图像显影剂等中，即使在进行如极度提高图像浓度的印刷的情况下，也能够抑制高温高湿下的电荷泄漏，从而抑制白点产生。

Claims (12)

1.一种静电荷图像显影剂，其特征在于，包含：

调色剂粒子；

二氧化硅粒子，其外添于所述调色剂粒子，并且含有包含钼元素的含氮元素化合物，通过荧光X射线分析而测定的该钼元素的Net强度与二氧化硅粒子中的硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.035以上且0.45以下；及

载体，其相对介质损耗因数为0.5以上且2.0以下。

2.根据权利要求1所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述载体由铁氧体构成，该铁氧体包含钛及锆中的至少一个。

3.根据权利要求1或2所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述载体的相对介质损耗因数为0.7以上且1.7以下。

4.根据权利要求2或3所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述铁氧体还包含锰及镁。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述二氧化硅粒子与所述载体的重量比(二氧化硅/载体)为0.03以上且0.15以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述钼元素的Net强度与所述硅元素的Net强度的比率(Mo/Si)为0.10以上且0.30以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述包含钼元素的含氮元素化合物为包含钼元素的季铵盐。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述二氧化硅粒子的个数平均粒径为10nm以上且100nm以下。

9.根据权利要求8所述的静电荷图像显影剂，其中，

所述二氧化硅粒子具有：

二氧化硅母粒；及

结构体，包覆所述二氧化硅母粒的至少一部分的表面，由三官能硅烷偶联剂的反应产物构成，并且在该三官能硅烷偶联剂的反应产物的细孔的至少一部分上吸附有所述包含钼元素的含氮元素化合物。

10.一种装卸于图像形成装置的处理盒，其特征在于，具备

显影构件，其容纳权利要求1至9中任一项所述的静电荷图像显影剂，并且通过该静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像。

11.一种图像形成装置，其特征在于，具备：

图像保持体；

充电构件，其使所述图像保持体的表面带电；

静电荷图像形成构件，其在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；

显影构件，其容纳权利要求1至9中任一项所述的静电荷图像显影剂，并且通过该静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；

转印构件，其将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及

定影构件，其对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

12.一种图像形成方法，其特征在于，包括：

充电工序，使图像保持体的表面带电；

静电荷图像形成工序，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；

显影工序，通过权利要求1至9中任一项所述的静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；

转印工序，将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；及

定影工序，对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。