CN117737704A - 薄膜沉积装置 - Google Patents

薄膜沉积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117737704A
CN117737704A CN202311681267.7A CN202311681267A CN117737704A CN 117737704 A CN117737704 A CN 117737704A CN 202311681267 A CN202311681267 A CN 202311681267A CN 117737704 A CN117737704 A CN 117737704A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
cover
shower
film deposition
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311681267.7A
Other languages
English (en)
Inventor
朱双双
刘强
吴兴华
黎微明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Leadmicro Nano Technology Co Ltd
Priority to CN202311681267.7A priority Critical patent/CN117737704A/zh
Publication of CN117737704A publication Critical patent/CN117737704A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

本申请公开了一种薄膜沉积装置,包括:喷淋背板;腔盖,腔盖和喷淋背板固定相连;第二进气管,用于输送惰性气体;第二盖板,盖设于腔盖朝向喷淋背板的一面,第二盖板与腔盖形成吹扫腔,第二进气管的出口与吹扫腔相连。本申请薄膜沉积装置不易在部件表面沉积形成粉尘颗粒污染。

Description

薄膜沉积装置
技术领域
本申请涉及光伏生产技术领域,特别是涉及一种薄膜沉积装置。
背景技术
随着太阳能发电的普及,光伏产品的需求量越来越大,对制造光伏产品的设备要求越来越高。制造光伏产品的设备不仅要增加产能,而且硅片尺寸越来越大,对电池片效率要求也越来越高。
异质结电池片工艺理论效率达到28%以上,是目前理论效率最高的工艺路线,并且该工艺路线工序简单,只有4道工序,比目前主流的PERC(Passivated Emitter and RearCell,射极钝化及背电极)和TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)工艺路线减少5道以上工序,具有极好的发展前景。
异质结电池工艺流程的4道工序分别为制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝网印刷电极。其中非晶硅薄膜可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,等离子体增强化学气相沉积法)来进行沉积。
现有技术中,部分PECVD薄膜沉积设备在进行工艺时容易在部件表面形成粉尘颗粒污染,进而导致有害的打弧放电。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种薄膜沉积装置,能够降低部件表面积累粉尘颗粒的概率。
为解决上述技术问题,本申请提出一种薄膜沉积装置,包括:喷淋背板;腔盖,腔盖和喷淋背板固定相连;第二进气管,用于输送惰性气体;第二盖板,盖设于腔盖朝向喷淋背板的一面,第二盖板与腔盖形成吹扫腔,第二进气管的出口与吹扫腔相连。
其中,腔盖和喷淋背板之间具有第三间隙,第二盖板设有多个吹扫孔,吹扫孔用于将吹扫腔和第三间隙连通。
其中,喷淋背板设置有加热部,加热部用于对喷淋背板、喷淋板与匀流板及其内部气体进行加热。
其中,加热部嵌套于喷淋背板上表面,喷淋背板上表面为喷淋背板朝向腔盖一侧面。
其中,加热部包括引出线,引出线连接有滤波器,用于消除喷淋背板的高频电压与加热部及加热部测温传感器之间的相互影响。
其中,腔盖设置有绝缘套,绝缘套用于防止引出线的高频电压传递到腔盖。
其中,还包括第二连接组件,用于连接腔盖和喷淋背板,第二连接组件包括:第二紧固件;第一绝缘环,第一绝缘环位于腔盖和喷淋背板之间,第二紧固件穿设于腔盖和第一绝缘环固定于喷淋背板;第一隔离件,设于第二紧固件和腔盖之间;第一盖板,设于腔盖背离喷淋背板的一侧,且与第一隔离件相连。
其中,第一绝缘环具有密封结构,用于将喷淋背板与腔盖之间密封。
其中,第二紧固件远离喷淋背板的一侧和第一盖板之间设有第三绝缘环。
其中,第一盖板压紧第三绝缘环。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请提供一种薄膜沉积装置,薄膜沉积装置包括喷淋背板、腔盖、第二进气管和第二盖板。腔盖和喷淋背板固定相连。第二进气管用于输送惰性气体。第二盖板盖设于腔盖朝向喷淋背板的一面。第二盖板与腔盖形成吹扫腔。第二进气管的出口与吹扫腔相连。通过上述设置,惰性气体可以从第二进气管进入到吹扫腔,将工艺气体吹离,防止工艺气体在腔盖下表面沉积形成粉尘颗粒污染,进而降低薄膜沉积装置中产生打弧放电的概率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图,其中:
图1为本实施方式中所提供的一种薄膜沉积装置及其布气机构的结构示意图;
图2为本实施方式中所提供的一种第一连接组件的结构示意图;
图3为本实施方式中所提供的一种绝缘板组的结构示意图;
图4为本实施方式中所提供的一种第三连接组件的结构示意图。
附图标记说明:
1、腔盖;9、第二紧固件;10、第一进气管;11、进气法兰;13、第一绝缘环;14、第二绝缘环;15、第三紧固件;16、绝缘套筒;17、垫片;18、第一绝缘板;19、第二隔离件;20、第二绝缘板;21、第一螺钉;22、喷淋板;23、匀流板;24、凸台;25、第二均气腔;26、喷淋孔;27、第一连接组件;28、匀流孔;29、均气板;30、隔圈;31、第一均气腔;33、喷淋背板;35、第三盖板;36、第一紧固件;37、第二螺钉;38、定位环;39、斜孔;40、进气口;41、垫圈;42、绝缘帽;43、第一尖角;44、第三尖角;45、第二尖角;46、边线;47、边线;48、第一环部;49、第二环部;50、第一空腔;51、第一间隙;52、第二间隙;53、公共边;54、斜边;55、边线;57、第三间隙;
X:第一方向;
Y:第二方向。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,当元件被称为“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的另一个元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中另一个元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1。本申请实施方式提供一种薄膜沉积装置的布气机构,包括沿第一方向X依次设置的喷淋背板33、均气板29、匀流板23和喷淋板22。
其中,喷淋背板33和喷淋板22共同形成喷淋头,均气板29和匀流板23位于喷淋头内。匀流板23和喷淋背板33之间形成第一均气腔31,匀流板23和喷淋板22之间形成第二均气腔25,均气板29设于第一均气腔31内。喷淋背板33在面对均气板29的位置设有第一通孔。均气板29设有贯通的均气孔(图未示)。匀流板23设有贯通的匀流孔28,匀流孔28用于使工艺气体从第一均气腔31进入第二均气腔25。喷淋板22设有贯通的喷淋孔26。
本申请实施方式提供的薄膜沉积装置的布气机构,工艺气体可以依次通过均气孔、匀流孔28和喷淋孔26,进入反应腔内和待加工产品反应,因此本布气机构能够提高布气均匀性,从而提高薄膜沉积均匀性。
在本实施方式中,均气板29的面积大于或等于第一通孔的面积,从而能对第一通孔流出的全部工艺气体进行均气。本实施方式中所述的面积是指垂直于第一方向X的表面的面积。优选的,喷淋背板33、均气板29、匀流板23和喷淋板22的中心线可以重合,从而使布气机构对称分布,使布气更均匀。
优选的,布气机构还包括第一进气管10和进气法兰11。第一进气管10的出口与进气法兰11相连。第一进气管10和进气法兰11位于喷淋背板33背离均气板29的一侧。喷淋背板33的第一通孔和进气法兰11的内壁形成进气口40。在第一方向X上,进气口40的直径逐渐增大,即进气法兰11呈锥形。进气法兰11可以为水冷法兰。均气板29与喷淋背板33之间设有隔圈30,使均气板29与喷淋背板33固定相连。
在本实施方式中,在第一方向X上,均气孔和匀流孔28错开,匀流孔28和喷淋孔26错开,从而能防止局部小孔重叠造成布气不均匀,进一步提高布气均匀性。
工艺气体从第一进气管10经进气法兰11进入进气口40,再进入第一均气腔31。第一进气管10流入的速度较大,工艺气体进入进气法兰11,由于容积逐减扩大,气体向四周扩散,速度减缓,此处形成第一均气层。
工艺气体继续流向均气板29,均气板29与喷淋背板33之间有较小间隙,工艺气体经均气板29阻挡后经该间隙向四周扩散,同时工艺气体也可从均气孔向下扩散,均气板29形成第二均气层。
此后,工艺气体在第一均气腔31内扩散填充,逐步均匀,然后由匀流板23的匀流孔28流入第二均气腔25,匀流板23形成第三均气层。
最后,工艺气体在第二均气腔25内扩散填充,更加均匀,然后由喷淋板22的喷淋孔26喷射而出,均匀流向载板表面的待加工产品,喷淋板22形成第四均气层。
本实施方式通过上述四层均气层,保证了布气机构具有极佳的布气均匀性,从而提高薄膜沉积装置内工艺气体的流场均匀性,提高薄膜沉积均匀性。
在本实施方式中,喷淋板22下表面与载板之间形成均匀等离子场,要求喷淋板22下表面与载板之间间隙均匀,因此对喷淋板22下表面平面度要求较高,喷淋板22变形要小。而喷淋板22面积较大(例如其垂直于第一方向X的表面可以为正方形,边长为2米~5米),且喷淋板22温度较高(例如可以为200~300℃),喷淋板22极易受热变形或者下垂。
因此,布气机构还包括至少两个第一连接组件27。第一连接组件27位于均气板29的周侧,且大致位于匀流板23和喷淋板22的中间位置。第一连接组件27能将匀流板23、喷淋板22以及喷淋背板33固定相连,可以防止匀流板23和喷淋板22的中间部分下垂变形,保证喷淋板22下表面平面度,提高电场均匀性,提高薄膜沉积均匀性。
具体的,如图2所示,第一连接组件27可以包括第一紧固件36。喷淋背板33设有用于安装第一紧固件36的第二通孔,匀流板23设有供第一紧固件36穿设的第三通孔,喷淋板22设有用于安装第一紧固件36的第四通孔。第一紧固件36可以为螺钉或其他具有固定作用的紧固件。喷淋背板33背离喷淋板22的一侧可以设有第三盖板35,第三盖板35覆盖第二通孔,可以对喷淋背板33该处起补强作用。
其中,第四通孔与一个喷淋孔26的位置重合,在该位置安装第一紧固件36会导致该位置工艺气体分布不均匀。因此,喷淋板22在第四通孔的周侧设有至少两个斜孔39,斜孔39的延伸方向与第一方向X相交。斜孔39的一端与匀流板23和喷淋板22之间的空腔(即第二均气腔25)连通,另一端与第四通孔连通,从而工艺气体可以通过斜孔39进气到第一紧固件36下方的喷淋孔26内,消除第一紧固件36带来的影响,保证布气均匀。
此外,为防止第一紧固件36拧紧时将喷淋背板33、匀流板23和喷淋板22压紧变形,第一连接组件27还包括凸台24和定位环38。凸台24位于喷淋背板33和匀流板23之间。在第一方向X上,凸台24的高度大于或等于喷淋背板33和匀流板23之间的距离。凸台24设有供第一紧固件36穿设的第五通孔。定位环38位于匀流板23和喷淋板22之间。在第一方向X上,定位环38的高度大于或等于匀流板23和喷淋板22之间的距离。定位环38设有供第一紧固件36穿设的第六通孔。通过设置凸台24和定位环38,可以在拧紧第一紧固件36的时候将喷淋背板33、匀流板23和喷淋板22相互之间第一方向X的间隙固定,不会被压弯变形。其中,定位环38可以通过第二螺钉37与匀流板23、凸台24固定相连。
在本实施方式中,高频电压从导电板馈入到喷淋背板33,再导通到喷淋板22,喷淋板22下表面与接地的载板形成等离子场。喷淋背板33、喷淋板22及其内部金属件均带有高频电压,极易与周边金属件形成非必要的、有害的打弧放电,特别是在边缘尖角处,因此需要做特殊的绝缘处理。
如图1和图3所示,本布气机构还包括位于喷淋板22和喷淋背板33的周侧的绝缘板组。绝缘板组可以固定安装于喷淋板22。在第一方向X上,绝缘板组的一端和喷淋背板33背离喷淋板22的表面对齐,另一端超出喷淋板22背离喷淋背板33的表面。
具体的,绝缘板组包括第一绝缘板18和第二绝缘板20,第一绝缘板18沿第一方向X延伸,第二绝缘板20垂直于第一方向X延伸。第一绝缘板18和第二绝缘板20具有耐高温特性。第一绝缘板18和第二绝缘板20可以将喷淋板22的边缘和尖角包裹完全,第一绝缘板18和第二绝缘板20互相嵌套的公共边53能包裹喷淋板22的第一尖角43,第二绝缘板20的边线46、47能包裹喷淋板22的第二尖角45,第二绝缘板20的边线47、55能包裹喷淋板22的第三尖角44。第二绝缘板20的斜边54从第二绝缘板20底边至喷淋板22底边平滑过渡,防止对气体流动造成扰动,防止形成涡流等。
进一步地,第二绝缘板20可以通过第一螺钉21安装于喷淋板22。由于第一螺钉21是金属材质,与带高频电压的喷淋板22连接,第一螺钉21也带高频电压。因此该第一螺钉21头部设有螺纹孔,绝缘帽42内部的细长螺纹将绝缘帽42紧固在第一螺钉21头部,对第一螺钉21进行绝缘保护,防止第一螺钉21与底部金属件打弧放电。绝缘帽42和第一螺钉21之间设有垫圈41。
请参阅图1。本申请实施方式还提供一种薄膜沉积装置,包括主体、载板(图未示)和布气机构。其中,布气机构可以为如上任一实施方式中所述的布气机构,本申请在此不再赘述。
主体内具有反应腔(图未示),至少部分布气机构位于反应腔内。主体包括腔盖1,腔盖1和喷淋背板33固定相连。载板用于盛放待加工产品。载板位于反应腔内,且位于喷淋板22背离喷淋背板33的一侧。
在本实施方式中,薄膜沉积装置还包括第二连接组件,用于连接腔盖1和喷淋背板33。第二连接组件包括第二紧固件9、第一绝缘环13、第一隔离件和第一盖板。第二紧固件9可以为螺钉或其他具有固定作用的紧固件。
第一绝缘环13位于腔盖1和喷淋背板33之间,第二紧固件9穿设于腔盖1和第一绝缘环13固定于喷淋背板33。第一隔离件设于第二紧固件9和腔盖1之间。第一盖板设于腔盖1背离喷淋背板33的一侧,且与第一隔离件相连。
第二紧固件9远离喷淋背板33的一侧和第一盖板之间可以设有第三绝缘环。第一隔离件和第三绝缘环对带高频电压的第二紧固件9进行绝缘,防止高频电压导通到腔盖1上。第一盖板对第三绝缘环起压紧作用,同时对腔盖1该处开槽起补强作用。
在本实施方式中,薄膜沉积装置还包括第三连接组件,用于连接腔盖1和喷淋背板33。优选的,第二连接组件位于第一连接组件27的周侧,第二连接组件大致位于喷淋背板33的中间部分。第三连接组件位于喷淋背板33的端部,第二连接组件相对于第三连接组件更靠近第一连接组件27。
如图4所示,第三连接组件包括第三紧固件15、第二绝缘环14、绝缘套筒16和第二隔离件19。第三紧固件15可以为螺钉或其他具有固定作用的紧固件。在本实施方式中,喷淋背板33通过第二紧固件9和第三紧固件15安装紧固在腔盖1。其中,第二紧固件9和第三紧固件15的朝向相反,可以使连接更稳固、方便。
喷淋背板33设有供第三紧固件15穿设的第七通孔。第二绝缘环14位于腔盖1和喷淋背板33之间。第三紧固件15穿设于喷淋背板33和第二绝缘环14固定于腔盖1。绝缘套筒16设于第七通孔内,绝缘套筒16面对喷淋板22一侧的外径大于背离喷淋板22一侧的外径,即绝缘套筒16可以为台阶状。绝缘套筒16的内壁和第三紧固件15在第二方向Y上具有第一间隙51。第二隔离件19设于第三紧固件15和喷淋板22之间。第二方向Y和第一方向X相交。优选的,第二方向Y与第一方向X垂直。在本实施例中,第一方向X为竖直方向,第二方向Y为水平方向。
由于喷淋背板33尺寸校大,喷淋背板33和腔盖1之间温差较大,会有比较大的热变形相对位移。喷淋背板33和腔盖1通过第二连接组件固定连接,该处大致为喷淋背板33的中间位置,因此喷淋背板33的膨胀主要表现在端部/周围,从而第三连接组件设有第一间隙51。
优选的,第三紧固件15和绝缘套筒16之间可以设有垫片17。绝缘套筒16的内壁和垫片17在第二方向Y上设有第二间隙52。喷淋背板33受热膨胀往左位移时,第三紧固件15及垫片17相对固定不动,由于第一间隙51和第二间隙52的存在,会带动绝缘套筒16往左移动,将热膨胀位移释放,防止喷淋背板33及喷淋板22受热膨胀变形受到限制而产生巨大热应力及热变形而导致的自身损坏或其他零件损坏,保证喷淋板22下表面的平面度,提高电场均匀性,提高薄膜沉积均匀性。绝缘套筒16可以是圆形的,从而对360度的热膨胀变形均具有良好的补偿作用。
在本实施方式中,喷淋背板33带高频电压,腔盖1接地,喷淋背板33的高频电压不能传递到腔盖1,因此要在喷淋背板33与腔盖1之间做绝缘处理。第一绝缘环13和第二绝缘环14由耐高温非金属材料制成,防止喷淋背板33与腔盖1之间导通。同时第一绝缘环13具有密封结构,将喷淋背板33与腔盖1之间密封,形成真空密闭区域。
虽然第二绝缘环14是绝缘材料,但时间久了第二绝缘环14外表面会被薄膜沉积,而且膜层具有导电能力,因此第二绝缘环14具有特殊设计。第二绝缘环14包括第一环部48和第二环部49,第二环部49位于第一环部48的周侧,第一环部48和第二环部49之间具有第一空腔50,第一空腔50与第二绝缘环14的外界连通。如此,第一空腔50内部被薄膜沉积的风险大大降低,可以防止第二绝缘环14外表面被薄膜沉积而导通喷淋背板33与腔盖1,保证电场稳定性。
由于喷淋背板33携带高频电压,腔盖1接地,两者不能导通,而第三紧固件15是金属材质,具有导体作用。因此,绝缘套筒16由耐高温绝缘材料制作,防止第三紧固件15将喷淋背板33与腔盖1之间电导通。第二隔离件19安装在第三紧固件15头部与带电喷淋板22之间,将第三紧固件15与喷淋板22绝缘。如此,杜绝了将喷淋背板33及喷淋板22所携带的高频电压传递到腔盖1。
在本实施方式中,喷淋背板33、喷淋板22与匀流板23等部件,在进行工艺时容易被薄膜沉积及形成粉尘颗粒污染,因此喷淋背板33内可以设有加热部,对喷淋背板33、喷淋板22与匀流板23等部件及其内部气体进行加热,一方面可以提高布气机构温度,减少表面薄膜沉积及粉尘附着,另一方面可以将工艺气体在进行工艺之前加热以达到或接近工艺温度,提高薄膜沉积均匀性及薄膜沉积效率,同时降低成本。该加热部可以为嵌套在喷淋背板33上表面的加热器。
同时,由于喷淋背板33带有高频电压,喷淋板22背板加热部的引出线连接滤波器,可以消除喷淋背板33的高频电压与加热部及加热部测温传感器之间的相互影响。腔盖1可以设有绝缘套,引出线穿设所述绝缘套。绝缘套用耐高温绝缘材料制作,防止加热部引出线的高频电压传递到腔盖1。
在本实施方式中,腔盖1和喷淋背板33之间具有第三间隙57。薄膜沉积装置还可以包括第二进气管和第二盖板。第二进气管用于输送惰性气体。第二盖板设于腔盖1朝向喷淋背板33的一面,第二盖板与腔盖1形成吹扫腔。第二进气管的出口与吹扫腔相连。第二盖板设有多个吹扫孔,用于将吹扫腔和第三间隙57连通。
惰性气体从第二进气管进入到吹扫腔,再流动到腔盖1、喷淋背板33与第一绝缘环13之间形成的第三间隙57内,将工艺气体吹离第三间隙57,防止工艺气体在第三间隙57部件表面薄膜沉积形成粉尘颗粒污染,防止腔盖1下表面与喷淋背板33上表面之间打弧放电。
本申请实施方式对主体的形状不作唯一的限定,其可以为长方体、圆柱或其他立体形状。相应的,在第一方向X的垂直方向上,主体的截面可以为长方形、圆形或其他形状。在本实施方式中,该截面可以为正方形,且边长至少为2米。即,反应腔的边长至少为2米。本实施方式具有大面积腔体,从而可以设置大面积的载板和喷淋板22,大面积的载板可以盛放更多待处理物,从而能提高产能、降低成本。
本申请实施方式提供的薄膜沉积装置用于异质结工艺光伏电池片薄膜沉积,该工艺效率达到25%以上,比现有主流工艺及设备效率高,可以极大提高电池片效率。因此本薄膜沉积装置提高了电池片效率,减少了加工工序,降低了设备成本。
需要说明的是,在本说明书的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象,两者之间并不存在先后顺序,也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本说明书的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
本文引用的任何数值都包括从下限值到上限值之间以一个单位递增的下值和上值的所有值,在任何下值和任何更高值之间存在至少两个单位的间隔即可。举例来说,如果阐述了一个部件的数量或过程变量(例如温度、压力、时间等)的值是从1到90,优选从20到80,更优选从30到70,则目的是为了说明该说明书中也明确地列举了诸如15到85、22到68、43到51、30到32等值。对于小于1的值,适当地认为一个单位是0.0001、0.001、0.01、0.1。这些仅仅是想要明确表达的示例,可以认为在最低值和最高值之间列举的数值的所有可能组合都是以类似方式在该说明书明确地阐述了的。
除非另有说明,所有范围都包括端点以及端点之间的所有数字。与范围一起使用的“大约”或“近似”适合于该范围的两个端点。因而,“大约20到30”旨在覆盖“大约20到大约30”,至少包括指明的端点。
描述组合的术语“基本由…构成”应该包括所确定的元件、成分、部件或步骤以及实质上没有影响该组合的基本新颖特征的其他元件、成分、部件或步骤。使用术语“包含”或“包括”来描述这里的元件、成分、部件或步骤的组合也想到了基本由这些元件、成分、部件或步骤构成的实施方式。这里通过使用术语“可以”,旨在说明“可以”包括的所描述的任何属性都是可选的。
多个元件、成分、部件或步骤能够由单个集成元件、成分、部件或步骤来提供。另选地,单个集成元件、成分、部件或步骤可以被分成分离的多个元件、成分、部件或步骤。用来描述元件、成分、部件或步骤的公开“一”或“一个”并不说为了排除其他的元件、成分、部件或步骤。
以上所述仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜沉积装置,其特征在于,包括:
喷淋背板;
腔盖,所述腔盖和所述喷淋背板固定相连;
第二进气管,用于输送惰性气体;
第二盖板,盖设于所述腔盖朝向所述喷淋背板的一面,所述第二盖板与所述腔盖形成吹扫腔,所述第二进气管的出口与所述吹扫腔相连。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述腔盖和所述喷淋背板之间具有第三间隙,所述第二盖板设有多个吹扫孔,所述吹扫孔用于将所述吹扫腔和所述第三间隙连通。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述喷淋背板设置有加热部,所述加热部用于对所述喷淋背板、喷淋板与匀流板及其内部气体进行加热。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述加热部嵌套于所述喷淋背板上表面,所述喷淋背板上表面为所述喷淋背板朝向所述腔盖一侧面。
5.根据权利要求3所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述加热部包括引出线,所述引出线连接有滤波器,用于消除所述喷淋背板的高频电压与所述加热部及所述加热部测温传感器之间的相互影响。
6.根据权利要求5所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述腔盖设置有绝缘套,所述绝缘套用于防止所述引出线的高频电压传递到所述腔盖。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的薄膜沉积装置,其特征在于,还包括第二连接组件,用于连接所述腔盖和所述喷淋背板,所述第二连接组件包括:
第二紧固件;
第一绝缘环,所述第一绝缘环位于所述腔盖和所述喷淋背板之间,所述第二紧固件穿设于所述腔盖和所述第一绝缘环固定于所述喷淋背板;
第一隔离件,设于所述第二紧固件和所述腔盖之间;
第一盖板,设于所述腔盖背离所述喷淋背板的一侧,且与所述第一隔离件相连。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述第一绝缘环具有密封结构,用于将所述喷淋背板与所述腔盖之间密封。
9.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述第二紧固件远离所述喷淋背板的一侧和所述第一盖板之间设有第三绝缘环。
10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述第一盖板压紧所述第三绝缘环。
CN202311681267.7A 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置 Pending CN117737704A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311681267.7A CN117737704A (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311681267.7A CN117737704A (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置
CN202210325415.0A CN114875387B (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置及其布气机构

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210325415.0A Division CN114875387B (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置及其布气机构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117737704A true CN117737704A (zh) 2024-03-22

Family

ID=82670419

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311681267.7A Pending CN117737704A (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置
CN202311676422.6A Pending CN117737703A (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置
CN202210325415.0A Active CN114875387B (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置及其布气机构

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311676422.6A Pending CN117737703A (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置
CN202210325415.0A Active CN114875387B (zh) 2022-03-29 2022-03-29 薄膜沉积装置及其布气机构

Country Status (1)

Country Link
CN (3) CN117737704A (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6302057B1 (en) * 1998-09-15 2001-10-16 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for electrically isolating an electrode in a PECVD process chamber
KR100505367B1 (ko) * 2003-03-27 2005-08-04 주식회사 아이피에스 박막증착용 반응용기
KR100965758B1 (ko) * 2003-05-22 2010-06-24 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
CN1669796B (zh) * 2004-02-23 2012-05-23 周星工程股份有限公司 用于制造显示基板的装置及装配在其中的喷头组合
US20060137608A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Choi Seung W Atomic layer deposition apparatus
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
JP2019054189A (ja) * 2017-09-19 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 成膜装置および成膜方法
CN111304632A (zh) * 2020-03-17 2020-06-19 常州捷佳创精密机械有限公司 喷淋装置及工艺腔

Also Published As

Publication number Publication date
CN117737703A (zh) 2024-03-22
CN114875387B (zh) 2023-11-17
CN114875387A (zh) 2022-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101880868B (zh) 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
US5628829A (en) Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US20110315320A1 (en) Gas distributing device and substrate processing apparatus including the same
US20080295772A1 (en) Chemical vapor deposition apparatus and plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus
CN101265574B (zh) 薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
KR20040100196A (ko) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
KR20090069826A (ko) 기판처리장치
CN102473612B (zh) 等离子体cvd装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法
WO2011153670A1 (zh) 薄膜太阳能电池沉积夹具及信号馈入方法
AU1214199A (en) Plasma chemical vapor deposition apparatus
CN101857953A (zh) 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
CN114875387B (zh) 薄膜沉积装置及其布气机构
KR101844325B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114672768A (zh) 薄膜沉积装置
EP2211369A1 (en) Arrangement for working substrates by means of plasma
JP6662998B2 (ja) プラズマ処理装置
TWI749301B (zh) 腔室組件及反應腔室
KR101351399B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2009142911A2 (en) Robust outlet plumbing for high power flow remote plasma source
CN208857359U (zh) 薄膜制备设备及其反应腔体
US20020006476A1 (en) Apparatus and method for forming a deposited film by means of plasma CVD
CN104211066B (zh) 一种硅粉的制备设备
CN203096170U (zh) 一种石墨烯铜线生产装置
KR20110079507A (ko) 윈도우 히팅 구조를 갖는 기판 처리 장치
CN220317951U (zh) 一种腔室清洗装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination