TWI749301B - 腔室組件及反應腔室 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種腔室組件及反應腔室，該腔室組件包括：電極板，其用於與射頻源電連接，且在電極板中設置有進氣口；勻流部件，其採用絕緣材料製作，且與電極板共同構成勻流空間，進氣口與勻流空間連通，並且在勻流部件上設置有複數出氣口。本發明提供的腔室組件，其避免產生空心陰極放電，從而可以提高電漿的穩定性。

Description

腔室組件及反應腔室
本發明涉及半導體製造技術領域，具體地，涉及一種腔室組件及反應腔室。
在半導體處理領域中，隨著電子元件的幾何尺寸不斷減小以及元件的密集度不斷提高，特徵尺寸和高寬比變得越來越有挑戰性。ALD（Atomic layer deposition，原子層沉積）就是為了應對這種挑戰而提出的一種新的薄膜沉積方法。
在進行ALD製程的過程中，反應氣體被連續的通入載有基底的反應腔中。為了提高反應氣體的活性，通常採用PEALD（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition，電漿增強原子層沉積）製程，該製程相對於普通的ALD製程可以進一步擴充反應前驅體的種類，而且由於電漿具有更高的活性，可以降低整個反應腔的溫度和提高沉積速率。
現有PEALD設備包括反應腔室及設置在反應腔室頂部的腔室組件，該腔室組件用於將射頻功率加載至反應腔室及輸送製程氣體。具體地，第1圖為現有的腔室組件的剖視圖。請參閱第1圖，該腔室組件包括電極板3、勻流板4和進氣嘴1，其中，電極板3藉由匹配器5與射頻電源6電連接。電極板3與勻流板4疊置在一起構成勻流空間。如圖所示，進氣嘴1向上延伸至反應腔室的外部，向下延伸至電極板3，且對應於進氣嘴1的進氣口2而在電極板3中開設有沿其厚度方向貫通電極板3的氣體通道，這樣，進氣嘴1的進氣口2經由該氣體通道而與勻流空間連通，以使製程氣體經由進氣嘴1的進氣口2和電極板3的氣體通道進入電極板3與勻流板4構成的勻流空間。並且，在勻流板4中設置有複數沿其厚度方向貫通勻流板4的出氣口，勻流空間經由該出氣口與反應腔室連通。 在實際應用中，儘管上述腔室組件常應用於PEALD設備，但是其不可避免地存在以下問題：
其一，由於腔室組件中的電極板3和勻流板4均採用導電材料製作且二者直接疊置在一起，因此，在向電極板3加載射頻電壓時，勻流板4也會被加載有射頻電壓，這可能導致在勻流板4的出氣口中的氣體被電離形成電漿，從而容易引起空心陰極放電，造成射頻系統不穩定，影響電漿的穩定性。
其二，進氣嘴1的結構設計也容易引起與進氣嘴1對接的氣體輸送管道的內部起輝和打火，並最終影響電漿的穩定性。
本發明旨在至少解決先前技術中存在的技術問題之一，提出了一種腔室組件及反應腔室，其可以避免產生空心陰極放電，從而可以提高電漿的穩定性。
為實現本發明的目的而提供一種腔室組件，包括： 電極板，該電極板用於與射頻源電連接，且在該電極板中設置有進氣口；以及， 勻流部件，該勻流部件採用絕緣材料製作，且該勻流部件與該電極板之間構成勻流空間，該進氣口與該勻流空間連通，在該勻流部件中設置有複數出氣口。
可選的，該電極板在其徑向上的厚度不同。
可選的，該電極板的上表面為平面；並且在該電極板的徑向上，該電極板的厚度自其中心至邊緣逐漸增大。
可選的，該勻流部件沿其徑向劃分為複數分區；複數該分區中的該出氣口的直徑不同。
可選的，該勻流部件劃分為兩個分區，分別為中心分區和位於該中心分區周圍的邊緣分區；該中心分區中的該出氣口的直徑小於該邊緣分區中的該出氣口的直徑。
可選的，該中心分區的直徑小於或者等於該邊緣分區的外徑的三分之一。
可選的，該中心分區中的該出氣口的直徑的取值範圍在1mm ~2.5mm；該邊緣分區中的該出氣口的直徑的取值範圍在2.6mm ~5mm。
可選的，該勻流部件包括設有該出氣口的勻流板，該勻流板的厚度的取值範圍在2mm ~6mm。
可選的，還包括輸送管路和絕緣部件，其中，該絕緣部件位於該輸送管路和該電極板之間，且在該絕緣部件中設置有進氣通道，該進氣通道分別與該輸送管路和該進氣口連通。
可選的，該進氣通道包括第一通孔和第二通孔，其中，該第二通孔為複數，且圍繞該第一通孔設置。
可選的，該第二通孔的直徑小於該第一通孔的直徑。
可選的，該第一通孔的直徑的取值範圍在20mm ~30mm；該第二通孔的直徑的取值範圍在1mm ~3mm。
可選的，該絕緣部件在垂直於該電極板的方向上的長度不小於40mm。
可選的，還包括加熱組件，該加熱組件設置在該電極板的頂部，且環繞該電極板的圓周方向設置。
可選的，還包括均接地的遮蔽罩和環形上蓋，其中， 該勻流部件安裝在該環形上蓋的內側； 該遮蔽罩設置在該環形上蓋頂部，且與該環形上蓋共同將該電極板和該加熱組件罩在其中。
作為另一個技術方案，本發明還提供一種反應腔室，包括： 本發明提供的上述腔室組件； 腔體，其頂部具有開口，且在該腔體的底部設置有排氣口；該腔室組件設置在該腔體的頂部； 約束環，其設置在該腔體中，用於約束電漿的分佈。 本發明具有以下有益效果：
本發明提供的腔室組件，其將電極板和勻流部件採用不同的材料製作，並且該勻流部件採用絕緣材料製作，這使得在向電極板加載射頻電壓時，勻流部件不會被加載有射頻電壓，從而可以避免勻流部件的出氣口中的氣體被電離形成電漿，進而可以避免產生空心陰極放電問題，從而可以提高電漿的穩定性。
本發明提供的反應腔室，其藉由採用本發明提供的上述腔室組件，避免產生空心陰極放電，從而可以提高電漿的穩定性。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的腔室組件及反應腔室進行詳細描述。
請參閱第2圖，本發明實施例提供的腔室組件，其包括電極板8和勻流部件9，其中，該電極板8用於與射頻源電連接，且在電極板8中設置有進氣口81，用於輸送製程氣體；勻流部件9採用絕緣材料製作，且與電極板8共同構成勻流空間10，進氣口81與該勻流空間10連通，並且在勻流部件9上設置有複數出氣口911，該出氣口911用於將勻流空間10中的製程氣體輸送至反應腔室（圖中未示出）中。由此，製程氣體依次經由進氣口81、勻流空間10和各個出氣口911進入反應腔室。
由於上述電極板8與勻流部件9採用不同的材料製作，並且該勻流部件9採用絕緣材料製作，這使得在向電極板8加載射頻電壓時，勻流部件9不會被加載有射頻電壓，從而可以避免勻流部件9的出氣口911中的氣體被電離形成電漿，進而產生空心陰極放電問題，從而可以提高電漿的穩定性。
絕緣材料較佳為聚醚醚酮（PEEK）、聚醚醯亞胺（ULTEM）等等。這種材料對電漿由激發態重新回到原始態的機率（複合率）也較低，從而可以降低勻流部件的出氣口內部起輝和打火的風險，保證電漿的穩定性。
可選的，電極板8在其徑向（即，第2圖中示出的X方向）上的厚度（即，電極板8在第2圖中示出的Y方向上的厚度）不同。這樣，對應於反應腔室的徑向上的不同區域，電極板8的厚度不同，以使反應腔室內的電場分佈趨於均勻，從而可以提高電漿在反應腔室的徑向上的分佈均勻性。例如，在本實施例中，針對在反應腔室的徑向上的電場分佈不均勻的情況：反應腔室的中心區域的電場強度大於邊緣區域的電場強度，電極板8被設置為中間薄、邊緣厚，具體地，電極板8的上表面82為平面；並且在電極板8的徑向上，電極板8的厚度自其中心至邊緣逐漸增大，換言之，電極板8的下表面83為圓頂形曲面，該圓頂形曲面朝向上表面82凹進。這樣，電極板8的厚度自其中心向邊緣逐漸增大，其阻抗的大小自電極板8的中心向邊緣逐漸增大，從而可以補償電場在反應腔室的徑向上的分佈差異，進而可以提高電漿在反應腔室的徑向上的分佈均勻性。
需要說明的是，在實際應用中，有的蝕刻製程要求被加工工件的表面得到均勻的蝕刻，即，被加工工件的不同區域處的蝕刻深度均勻；有的蝕刻製程要求被加工工件的表面得到不均勻的蝕刻，即，被加工工件的不同區域處的蝕刻深度不一致。因此，為了適應於被加工工件表面的蝕刻形貌的需要，電極板8的下表面82可以採用不同的形狀，以使反應腔室的徑向上的電漿分佈滿足製程要求。例如，對於均勻蝕刻的情況，要求電漿在反應腔室的徑向上的分佈均勻，電極板8的下表面82可以採用本實施例所述的形狀，也可以採用能夠使電漿分佈均勻的其他任意形狀，比如，使電極板8的下表面呈現為椎體形狀（其在電極板8的中心軸所在的平面上的投影成三角形）、錐臺形狀（其在電極板8的中心軸所在的平面上的投影成梯形），等等。對於非均勻蝕刻的情況，要求電漿在反應腔室的徑向上的分佈根據蝕刻形貌的要求而呈現不均勻狀態，比如，使電極板8的下表面呈現為類似於波浪形狀的曲折狀或者彎曲狀。至於電極板8的上表面，其可以為平面形狀，也可以為其他形狀，只要與下表面配合而使電極板8的各個位置處的厚度滿足製程要求即可。
出氣口911的直徑越大，則氣體的流量越大；反之，出氣口911的直徑越小，則氣體的流量越小。基於此，勻流部件9沿其徑向（平行於第2圖中的X方向）劃分為複數分區，複數分區中的出氣口911的直徑不同，以調節對應反應腔室的徑向上的不同區域處的氣流分佈差異，從而可以提高電漿在被加工工件表面上的分佈均勻性，進而改善製程結果。
在本實施例中，針對反應腔室的中心區域和邊緣區域二者的氣體流量差異，即，反應腔室中心區域的氣體流量大於邊緣區域的氣體流量，將勻流部件9劃分為兩個分區，分別為中心分區和位於該中心分區周圍的環形的邊緣分區，並且，中心分區中的出氣口911的直徑小於邊緣分區中的出氣口911的直徑，從而可以補償反應腔室的中心區域和邊緣區域二者的氣體流量差異。較佳的，中心分區中的出氣口911的直徑的取值範圍在1mm~2.5mm，這樣既能夠保證中心分區中的出氣口的氣流流量滿足製程要求，又能夠適當減小中心分區中的出氣口的氣體流量；該邊緣分區中的出氣口911的直徑的取值範圍在2.6mm~5mm，這樣既能夠保證邊緣分區中的出氣口的氣流流量不會過大，又能夠適當增大邊緣分區中的出氣口的氣體流量。
較佳的，中心分區的直徑D1小於或者等於邊緣分區的外徑D2的三分之一，這樣既能夠保證中心分區和邊緣分區中的出氣口的氣流流量均滿足製程要求，又能夠減少反應腔室的中心區域和邊緣區域二者的氣體流量差異。
當然，在實際應用中，也可以自勻流部件9的中心沿反應腔室的徑向將勻流部件9劃分為更多的分區，例如3~5個，且這些分區彼此嵌套。當然，也可以不採用各個分區彼此嵌套的方式，而是其他任意劃分區域的方式，只要能夠實現提高氣流分佈均勻性即可。
在本實施例中，勻流部件9包括連為一體的勻流板91和安裝環92，其中，勻流板91設置在反應腔室的頂部，出氣口911設置在勻流板91上；安裝環92用於將勻流板91固定於反應腔室。藉由使勻流板91和安裝環92連為一體，可以提高結構的穩定性。該勻流板91的厚度的取值範圍在2mm~6mm。需要說明的是，在此所謂“連為一體”，可以是勻流板91和安裝環92一體成型而實現連為一體，也可以是勻流板91和安裝環92各自獨立成型後再連接固定而實現連為一體。
在本實施例中，腔室組件還包括輸送管路13和絕緣部件12，其中，輸送管路13用於輸送來自製程氣體輸送管路142的製程氣體，且其進氣端與用於腔室清洗的遠程電漿源141連接，其出氣端與絕緣部件12連接。絕緣部件12位於輸送管路13和電極板8之間，用於使輸送管路13與電極板8電絕緣，在絕緣部件12中設置有進氣通道121，該進氣通道121分別與輸送管路13和進氣口81連通，這樣，由製程氣體輸送管路142提供的製程氣體依次經由輸送管路13、進氣通道121和進氣口81進入勻流空間10。
借助上述絕緣部件12，既可以將輸送管路13與電極板8電絕緣，同時又因絕緣部件12在垂直於電極板8的方向上具有一定長度而可以增大二者之間的絕緣距離，該絕緣距離越大，則在電極板8中的進氣口中產生打火的風險越小，從而可以提高系統穩定性。
較佳的，絕緣部件12在垂直於電極板8的方向上的長度不小於40mm，這樣既可以保證輸送管路13與電極板8電絕緣之間具有適當的絕緣距離，又不會因絕緣部件12在垂直於電極板8的方向上的長度過長而導致設備整體尺寸過大。進一步較佳的，絕緣部件12在垂直於電極板8的方向上的長度不小於40mm，較佳為40mm~60mm。
請參閱第3A圖，上述進氣通道包括第一通孔121和第二通孔122，其中，第二通孔122為複數，且圍繞第一通孔121設置。藉由借助第一通孔121和複數第二通孔122同時輸送製程氣體，可以適當減小第一通孔121的直徑，同時在第二通孔122的輔助下，可以保證製程氣體的流量滿足要求。第一通孔121的直徑越小，在其中產生電漿的風險就越小，從而可以減小打火風險，提高反應腔室內的電漿穩定性。
可選的，第二通孔122的直徑小於第一通孔121的直徑。由於第二通孔122的直徑較小，在製程氣體同時經過第一通孔121和第二通孔122時，相比於單獨設置第一通孔121，可以增大在絕緣部件12兩端之間產生的氣壓差，該氣壓差越大，在通孔中產生電漿的風險就越小，從而可以減小打火風險，提高反應腔室內的電漿穩定性。
較佳的，第一通孔的直徑的取值範圍在20mm ~30mm；第二通孔122的直徑的取值範圍在1mm~3mm。這既可以保證製程氣體的流量滿足要求，又可以減小在通孔中產生電漿的風險，從而可以減小打火風險，提高反應腔室內的電漿穩定性。
在實際應用中，第一通孔121和第二通孔122可以為直通孔、錐形孔等等。
在本實施例中，如第3B圖所示，絕緣部件12分別與輸送管路13和電極板8密封連接，且在絕緣部件12的進氣通道的兩個端部形成倒角（例如第3B圖示出的第一通孔121兩端的倒角B），以及輸送管路13和進氣口81分別與進氣通道對接的端部形成有倒角。藉由進行倒角處理，可以降低因邊緣尖端而引起的打火風險。
較佳的，腔室組件還包括加熱組件17，該加熱組件17設置在電極板8的頂部，且環繞該電極板8的圓周方向設置，用於對電極板8進行加熱。具體地，加熱組件17包括加熱絲和包覆該加熱絲的絕緣層。借助絕緣層，可以保證加熱絲與電極板8電絕緣。當然，在實際應用中，也可以選用採用絕緣介電質製作的加熱絲，並採用耐腐蝕和導熱性較好的保溫層包覆該加熱絲。保溫層的材料較佳為鋁。另外，加熱組件17可以採用黏接的方式固定在電極板8上。
在本實施例中，加熱組件17包括複數分部，複數分部沿電極板8的圓周方向間隔排布。這樣，可以均勻地加熱電極板8，從而可以提高加熱均勻性，進而提高製程均勻性。
在本實施例中，腔室組件還包括射頻電極11和射頻源，該射頻電極11呈柱狀，且設置在電極板8的頂部，並且位於電極板8的邊緣區域。射頻源包括匹配器15和射頻電源16，匹配器15與射頻電極11電連接。
在本實施例中，腔室組件還包括均接地的遮蔽罩19和環形上蓋18，其中，勻流部件9安裝在環形上蓋18內側；遮蔽罩19設置在環形上蓋18頂部，且與環形上蓋18共同將電極板8、加熱組件17以及射頻電極11等部件罩在其中，即，遮蔽罩19和環形上蓋18共同形成的罩體至少將上述部件的上部和側部包圍，從而避免射頻洩漏至遮蔽罩19和環形上蓋18的外部。較佳的，遮蔽罩19和環形上蓋18的接觸面之間設置有鈹銅簧片，以保證遮罩效果最佳。
在先前技術中，腔室組件包括由內而外層層疊置的複數介電質層，這使得射頻電極需要穿過複數介電質層才能與電極板接觸，導致射頻電極的安裝複雜，且容易出現層間打火現象。為了解決該問題，本申請提供的腔室組件借助遮蔽罩19，可以代替上述複數介電質層的設置，使射頻電極11直接與電極板8接觸，而無需穿過介電質層，從而簡化了射頻電極11的安裝。而且，藉由使射頻電極11直接與電極板8接觸，可以避免因複數介電質層的設置而出現的層間打火現象的發生，從而提高了系統穩定性。
在本實施例中，遮蔽罩19的頂壁呈平板狀，並且，遮蔽罩19的頂壁與電極板8之間的間距D3越大，則射頻功率的利用率越高，基於此，藉由增大間距D3，可以提高射頻功率的利用率。較佳的，間距D3的取值範圍在40mm~100mm。這既可以保證射頻功率的利用率提高，又不會因間距D3過大而導致設備整體尺寸過大。
需要說明的是，在實際應用中，遮蔽罩19可以採用本實施例所述的形狀，也可以採用能夠避免射頻洩漏的其他任意形狀，例如，遮蔽罩19呈穹頂狀等。 綜上所述，本發明實施例提供的腔室組件，具有以下優勢：
其一，由於勻流部件9採用絕緣材料製作，這使得在向電極板8加載射頻電壓時，勻流部件9不會被加載有射頻電壓，從而可以避免勻流部件9的出氣口91中的氣體被電離形成電漿，進而可以避免產生空心陰極放電問題，從而可以提高電漿的穩定性。
其二，對應於反應腔室的徑向上的不同區域，電極板8的厚度不同，以使反應腔室內的電場分佈趨於均勻，從而可以提高電漿在反應腔室的徑向上的分佈均勻性。
其三，針對反應腔室的中心區域和邊緣區域二者的氣體流量差異，將勻流部件9劃分為中心分區和位於該中心分區周圍的環形的邊緣分區，並且，中心分區中的出氣口911的直徑小於邊緣分區中的出氣口911的直徑，從而可以補償反應腔室的中心區域和邊緣區域二者的氣體流量差異。
其四，借助絕緣部件12，既可以將輸送管路13與電極板8電絕緣，同時又因絕緣部件12在垂直於電極板8的方向上具有一定長度而可以增大二者之間的絕緣距離，從而可以降低在電極板8中的進氣口中產生打火的風險，進而可以提高系統穩定性。
其五，加熱組件17包括加熱絲和包覆該加熱絲的絕緣層。借助絕緣層，可以保證加熱絲與電極板8電絕緣，從而可以進一步降低打火風險。
其六，借助遮蔽罩19，可以避免射頻洩漏，同時可以代替複數介電質層的設置，使射頻電極11直接與電極板8接觸，而無需穿過介電質層，從而簡化了射頻電極11的安裝。
其七，藉由增大遮蔽罩19的頂壁與電極板8之間的間距D3，可以提高射頻功率的利用率。
作為另一個技術方案，請參閱第4圖，本發明實施例提供一種反應腔室，其包括本發明前述實施例提供的腔室組件、腔體20和約束環21。
其中，腔體20的頂部具有開口，且在該腔體20的底部設置有排氣口201。腔室組件設置在腔體20的頂部。約束環21設置在腔體20中，用於約束電漿25的分佈。在本實施例中，基座23設置在腔體20內，用於承載被加工工件，並且該基座23是可升降的，且在基座23上升至如第4圖所示的製程位置時，堵塞約束環21的底部開口。在進行製程時，電漿25被約束在基座23上方，約束環21的側壁內側的空間內。
可選的，在約束環21與腔體20之間形成排氣空間22，該排氣空間22與排氣口201連通，製程殘氣依次經由排氣空間22和排氣口201排出反應腔室。勻流部件9設置在約束環21的頂部，且封閉約束環21的頂部開口，自出氣口911流出的氣體進入約束環21中。
另外，在腔體20內還設置有加熱棒24，用於保證腔室內的溫度恆定。該加熱棒24可以為複數，且沿腔體的周向均勻分佈，以能夠均勻地加熱腔體20。
在實際應用中，反應腔室可以為原子層沉積（Atomic layer deposition, 以下簡稱ALD）反應腔室，或者也可以為電漿增強化學的氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）反應腔室等等。
本發明實施例提供的反應腔室，其藉由採用本發明前述實施例提供的腔室組件，不僅可以提高電漿的穩定性，而且還可以提高電漿分佈均勻性。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1‧‧‧進氣嘴2、81‧‧‧進氣口3‧‧‧電極板4、91‧‧‧勻流板5、15‧‧‧匹配器6、16‧‧‧射頻電源8‧‧‧電極板9‧‧‧勻流部件10‧‧‧勻流空間11‧‧‧射頻電極12‧‧‧絕緣部件13‧‧‧輸送管路17‧‧‧加熱組件18‧‧‧環形上蓋19‧‧‧遮蔽罩20‧‧‧腔體21‧‧‧約束環22‧‧‧排氣空間23‧‧‧基座24‧‧‧加熱棒25‧‧‧電漿82‧‧‧上表面83‧‧‧下表面92‧‧‧安裝環121‧‧‧進氣通道、通孔122‧‧‧通孔141‧‧‧遠程電漿源142‧‧‧製程氣體輸送管路201‧‧‧排氣口911‧‧‧出氣口B‧‧‧倒角D1‧‧‧直徑D2‧‧‧外徑D3‧‧‧間距
第1圖為現有的腔室組件的剖視圖； 第2圖為本發明實施例提供的腔室組件的剖視圖； 第3A圖為本發明實施例採用的絕緣件的俯視圖； 第3B圖為沿第3A圖中A-A線的剖視圖； 第4圖為本發明實施例提供的反應腔室的剖視圖。
8‧‧‧電極板
9‧‧‧勻流部件
10‧‧‧勻流空間
11‧‧‧射頻電極
12‧‧‧絕緣部件
13‧‧‧輸送管路
15‧‧‧匹配器
16‧‧‧射頻電源
17‧‧‧加熱組件
18‧‧‧環形上蓋
19‧‧‧遮蔽罩
81‧‧‧進氣口
82‧‧‧上表面
83‧‧‧下表面
91‧‧‧勻流板
92‧‧‧安裝環
121‧‧‧進氣通道
141‧‧‧遠程電漿源
142‧‧‧製程氣體輸送管路
911‧‧‧出氣口
D1‧‧‧直徑
D2‧‧‧外徑
D3‧‧‧間距

Claims (13)

  1. 一種腔室組件，其特徵在於，包括：一電極板，該電極板用於與一射頻源電連接，且在該電極板中設置有一進氣口，其中，該電極板的上表面為平面；並且在該電極板的徑向上，該電極板的厚度自其中心至邊緣逐漸增大；一加熱組件，該加熱組件設置並接觸該電極板的頂部，且環繞該電極板的圓周方向設置；以及，一勻流部件，該勻流部件採用絕緣材料製作，且該勻流部件與該電極板之間構成一勻流空間，該進氣口與該勻流空間連通，在該勻流部件上設置有複數出氣口；其中，該電極板在其徑向上的厚度不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的腔室組件，其中，該勻流部件沿徑向劃分為複數分區；複數該分區中的該出氣口的直徑不同。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的腔室組件，其中，該勻流部件劃分為兩個分區，分別為一中心分區和位於該中心分區周圍的一邊緣分區；該中心分區中的該出氣口的直徑小於該邊緣分區中的該出氣口的直徑。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的腔室組件，其中，該中心分區的直徑小於或者等於該邊緣分區的外徑的三分之一。
  5. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的腔室組件，其中，該中心分區中的該出氣口的直徑的取值範圍在1mm~2.5mm；該邊緣分區中的該出氣口的直徑的取值範圍在2.6mm~5mm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的腔室組件，其中，該勻流部件包括設有該出氣口的勻流板，該勻流板的厚度的取值範圍在2mm~6mm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的腔室組件，其特徵在於，還包括一輸送管路和一絕緣部件，其中，該絕緣部件位於該輸送管路和該電極板之間，且在該絕緣部件中設置有一進氣通道，該進氣通道分別與該輸送管路和該進氣口連通。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的腔室組件，其中，該進氣通道包括一第一通孔和一第二通孔，其中，該第二通孔為複數，且圍繞該第一通孔設置。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的腔室組件，其中，該第二通孔的直徑小於該第一通孔的直徑。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的腔室組件，其中，該第一通孔的直徑的取值範圍在20mm~30mm；該第二通孔的直徑的取值範圍在1mm~3mm。
  11. 如申請專利範圍第7項所述的腔室組件，其中，該絕緣部件在垂直於該電極板的方向上的長度不小於40mm。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的腔室組件，其特徵在於，還包括均接地的一遮蔽罩和一環形上蓋，其中，該勻流部件安裝在該環形上蓋的內側；該遮蔽罩設置在該環形上蓋頂部，且與該環形上蓋共同將該電極板和該加熱組件罩在其中。
  13. 一種反應腔室，其特徵在於，包括： 申請專利範圍第1項至第12項任一項所述的腔室組件；一腔體，其頂部具有一開口，且在該腔體的底部設置有一排氣口；該腔室組件設置在該腔體的頂部；一約束環，其設置在該腔體中，用於約束電漿的分佈。
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