CN117729811A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：显示面板，设置在收纳部件内；电路基板，与所述显示面板结合；光学层，位于所述显示面板上；传导性层，位于与所述电路基板相向的所述光学层的一面上；以及焊盘，位于所述传导性层与所述电路基板之间，所述传导性层与所述收纳部件相接。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近几年，随着高度关注信息显示，正在持续进行对于显示装置的研究开发。
发明内容
本发明想要解决的课题在于，提供一种可以防止静电的显示装置。
本发明的课题并不限于以上提及的课题，通过以下的记载，本领域技术人员应当能够理解未提及的其他技术课题。
本发明的实施例涉及的显示装置包括：显示面板，设置在收纳部件内；电路基板，与所述显示面板结合；光学层，位于所述显示面板上；传导性层，位于与所述电路基板相向的所述光学层的一面上；以及焊盘，位于所述传导性层与所述电路基板之间，所述传导性层与所述收纳部件相接。
可以是，所述显示面板包括：显示元件层，包括发光元件；滤色器层，位于所述显示元件层上；以及外涂层，位于所述滤色器层上。
可以是，所述传导性层设置在所述光学层与所述外涂层之间。
可以是，所述传导性层通过所述焊盘而与所述电路基板电连接。
可以是，所述收纳部件包括传导性物质。
可以是，所述显示面板包括：显示区域，设置多个像素；以及非显示区域，包围所述显示区域的至少一侧。
可以是，所述显示装置还包括：遮光图案，与所述非显示区域重叠。
可以是，所述遮光图案配置在所述光学层与所述传导性层之间。
可以是，所述显示装置还包括：保护层，至少部分覆盖所述显示面板和所述电路基板。
可以是，所述保护层设置在所述传导性层与所述电路基板之间。
本发明的实施例涉及的显示装置包括：显示面板，设置在收纳部件内；电路基板，与所述显示面板结合；光学层，位于所述显示面板上；传导性层，设置在所述光学层的一面上，与所述收纳部件电连接；以及焊盘，位于所述传导性层与所述电路基板之间，所述光学层包括具有第一厚度的第一区域以及具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二区域，所述光学层的所述第二区域与所述焊盘重叠。
可以是，所述显示装置还包括：遮光图案，与所述光学层的所述第二区域重叠。
可以是，所述遮光图案配置在所述光学层与所述传导性层之间。
可以是，所述显示装置还包括：保护层，设置在所述光学层的所述第二区域与所述电路基板之间。
可以是，所述保护层至少部分覆盖所述传导性层。
可以是，所述显示面板包括：显示元件层，包括发光元件；滤色器层，位于所述显示元件层上；以及外涂层，位于所述滤色器层上。
可以是，所述传导性层设置在所述外涂层与所述光学层之间。
可以是，所述发光元件包括第一半导体层、第二半导体层以及所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层。
可以是，所述收纳部件包括传导性物质。
可以是，所述传导性层与所述收纳部件相接。
其他实施例的具体事项包括于详细说明和附图中。
(发明效果)
根据上述的实施例，通过传导性层，在光学层中产生的静电可以在电路基板和收纳部件中被双重地放电，因此可以最小化由静电引起的损伤。
实施例涉及的效果并不限于以上例示的内容，本说明书内包括更多的各种效果。
附图说明
图1是示意性表示实施例涉及的显示装置的图。
图2是实施例涉及的显示装置的示意性分解立体图。
图3是实施例涉及的显示装置的示意性平面图。
图4是示意性表示实施例涉及的显示面板的剖视图。
图5是以图3的Ⅱ～Ⅱ′线为基准截取的剖视图。
图6是示意性表示实施例涉及的显示面板的剖视图。
图7是示意性表示实施例涉及的像素电路层和显示元件层的剖视图。
图8和图9是以图2的Ⅰ～Ⅰ′线为基准截取的剖视图。
图10是示意性表示实施例涉及的显示模块的剖视图。
图11是示意性表示实施例涉及的发光元件的立体图。
图12是示意性表示实施例涉及的发光元件的剖视图。
具体实施方式
本发明可以实现各种变更且可以具有各种形态，在附图中例示特定实施例，在此进行详细说明。但是，这并不是要将本发明限定于特定的公开形态，应理解为包括本发明的思想和技术范围所包括的所有变更、等同物以及代替物。
说明各附图的同时，对于类似的构成要素使用了类似的符号。在附图中，为了明确说明本发明，比实际情况放大示出了结构物的尺寸。第一、第二等用语可以用于说明各种构成要素，但是所述的构成要素不应限于所述的用语。仅为了将一个构成要素区别于其他构成要素的目的而使用所述的用语。例如，在不超出本发明的权利范围的同时，第一构成要素可以被命名为第二构成要素，类似地，第二构成要素也可以被命名为第一构成要素。
在本申请中，“包括”或者“具有”等用语应理解为是指代说明书上记载的特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者它们的组合的存在，并不是事先排除一个或者其以上的其他特征、数字、步骤、操作、构成要素、部件或者它们的组合的存在或附加可能性。在层、膜、区域、板等部分位于其他部分上的情况下，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间包括其他部分的情况。此外，在本说明书中，在某一层、膜、区域、板等部分形成在其他部分上(on)的情况下，形成的方向并不限于上部方向，包括在侧面方向或下部方向上形成的情况。相反，在层、膜、区域、板等部分位于其他部分下的情况下，不仅包括直接位于其他部分下的情况，还包括其间存在其他部分的情况。
以下，参照附图，详细说明本发明的优选实施例以及优选实施例以外的为了使本领域技术人员容易理解本发明的内容而所需的事项。在以下的说明中，单数的表述在文中没有明确指出仅包括单数的情况下还包括多数的表述。
图1是示意性表示实施例涉及的显示装置的图。图2是实施例涉及的显示装置的示意性分解立体图。图3是实施例涉及的显示装置的示意性平面图。图4是示意性表示实施例涉及的显示面板的剖视图。图5是以图3的Ⅱ～Ⅱ′线为基准截取的剖视图。
参照图1至图5，显示装置DD可以通过显示面(作为一例，显示区域DD_DA)显示图像。
对于显示装置DD而言，只要是如智能电话、电视机、平板PC、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式PC、便携式PC、笔记本计算机、工作站、服务器、PDA、PMP(portablemultimedia player)、MP3播放器、医疗设备、相机或可穿戴装置等这样至少在一面适用了显示面的电子装置，就可以适用本发明。
显示装置DD可以被设置为各种形状，作为一例，可以被设置为具有彼此平行的两对边的矩形的板状，但是本发明并不限于此。在将显示装置DD设置为矩形的板状的情况下，两对边之中的任一对边可以被设置成比另一对边长。在附图中示出了显示装置DD具有由直线形成的带棱角的角部的情况，但是本发明并不限于此。根据实施例，被设置为矩形的板状的显示装置DD也可以具有一个长边与另一个短边相接的角度被倒角(round)的形状。
在本发明的实施例中，为了便于说明，表示显示装置DD为具有一对长边和一对短边的矩形形状的情况，将所述长边的延伸方向表示为第一方向(X轴方向)，将所述短边的延伸方向表示为第二方向(Y轴方向)，将显示装置DD(或基板SUB)的厚度方向表示为第三方向(Z轴方向)。
在本发明的实施例中，显示装置DD的至少一部分可以具有柔性(flexibility)，在具有所述柔性的部分可以被折叠。
显示装置DD可以包括显示图像的显示区域DD_DA以及设置在所述显示区域DD_DA的至少一侧的非显示区域DD_NDA。非显示区域DD_NDA是不显示图像的区域。但是，本发明并不限于此。根据实施例，显示区域DD_DA的形状和非显示区域DD_NDA的形状可以相对地设计。
根据实施例，显示装置DD可以包括感知区域和非感知区域。显示装置DD不仅可以通过感知区域显示图像，还可以感知形成于显示面(或输入面)的触摸输入或者感知从前方入射的光。非感知区域可以包围感知区域，但是这是例示，并不限于此。根据实施例，显示区域DD_DA的一部分区域也可以对应于感知区域。
显示装置DD可以包括窗部WD和显示模块DM。
窗部WD可以配置在显示模块DM的上部而保护显示模块DM免受外部冲击的影响，使由显示模块DM提供的图像透过透过区域TA。窗部WD可以包括透过区域TA和非透过区域NTA。
透过区域TA可以具有与显示装置DD的显示区域DD_DA对应的形状。即，显示在显示装置DD的显示区域DD_DA中的图像可以通过窗部WD的透过区域TA而被外部识别出。
非透过区域NTA可以具有与显示装置DD的非显示区域DD_NDA对应的形状。非透过区域NTA可以是与透过区域TA相比具有相对低的透光率的区域。但是，本发明并不限于此，也可以省略非透过区域NTA。
窗部WD可以具有选自玻璃基板、塑料膜和塑料基板的多层结构。这种多层结构可以通过连续工序或利用了粘接层的粘接工序形成。窗部WD可以是整体或一部分具有柔性。
显示模块DM可以配置在窗部WD与收纳部件BC之间。显示模块DM可以包括显示面板DP、电路基板FB以及光学层(或光学膜)ARU。
显示面板DP可以显示图像。作为显示面板DP，可以使用如将有机发光二极管用作发光元件的有机发光显示面板(organic Light Emitting display panel，OLED panel)、将超小型发光二极管用作发光元件的超小型发光二极管显示面板(micro-LED or nano-LED Display panel)、将量子点(quantum dot)和有机发光二极管用作量子点有机发光显示面板(quantum dot organic light emitting display panel，QD OLED panel)等这样的可自发光的显示面板。作为显示面板DP，可以使用如液晶显示面板(liquid crystaldisplay panel，LCD panel)、电泳显示面板(electro-phoretic display panel，EPDpanel)和电润湿显示面板(electro-wetting display panel，EWD panel)这样的不发光型显示面板。在作为显示面板DP使用不发光型显示面板的情况下，显示装置DD可以具备向显示面板DP供给光的背光单元。
显示面板DP可以包括基板SUB以及设置在基板SUB上的多个像素PXL。
基板SUB大致可以形成为具有矩形形状的一个区域。但是，设置在基板SUB中的区域的数量可以不同于上述的例，基板SUB的形状可以根据设置在基板SUB中的区域而具有不同的形状。
基板SUB可以由如玻璃和树脂(resin)这样的绝缘性材料形成。基板SUB可以由具有柔性(flexibility)的材料形成以便可以被弯曲或折叠，可以具有单层结构或多层结构。例如，作为具有柔性的材料，可以包括聚苯乙烯(polystyrene)、聚乙烯醇(polyvinylalcohol)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate)、聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)、三醋酸纤维素(triacetate cellulose)和醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)之中的至少一种。但是，构成基板SUB的材料并不限于上述的实施例。
基板SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以是设置像素PXL而显示图像的区域，非显示区域NDA可以是不设置像素PXL的区域，可以是不显示图像的区域。为了便于说明，在图3中仅示出了一个像素PXL，但是实质上可以在基板SUB的显示区域DA中设置多个像素PXL。
基板SUB(或显示面板DP)的显示区域DA可以对应于显示装置DD的显示区域DD_DA，基板SUB(或显示面板DP)的非显示区域NDA可以对应于显示装置DD的非显示区域DD_NDA。非显示区域NDA可以对应于显示装置DD的边框(bezel)区域。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧。非显示区域NDA可以包围显示区域DA的周围(或边缘位置)。在非显示区域NDA中可以设置与像素PXL连接的布线部以及与布线部连接且用于驱动像素PXL的驱动部。
布线部可以电连接驱动部与像素PXL。布线部可以是向各像素PXL提供信号且与各像素PXL连接的信号线(作为一例，与扫描线、数据线等连接的扇出(fan-out)线)。
在基板SUB的一面上可以设置多个第一焊盘PD1。第一焊盘PD1可以配置在非显示区域NDA中。
像素PXL可以设置在基板SUB的显示区域DA中。各个像素PXL可以是显示图像的最小单位。像素PXL可以包括射出白色光和/或彩色光的发光元件。各个像素PXL可以射出红色、绿色和蓝色之中的任一种颜色的光，但是并不限于此，可以射出青色、品红色、黄色等颜色的光。
多个像素PXL可以沿着在第一方向(X轴方向)上延伸的行和在与第一方向(X轴方向)交叉的第二方向(Y轴方向)上延伸的列被排列成矩阵形态。但是，像素PXL的排列形态并不特别限于此，可以排列成各种形态。在图中示出了像素PXL具有矩形形状的情况，但是本发明并不限于此，可以变形为各种形状。在提供多个像素PXL时，可以设置成彼此不同的面积(或大小)。例如，射出的光的颜色不同的像素PXL的情况下，可以按各种颜色以不同的面积(或大小)或不同的形状提供像素PXL。
驱动部可以通过布线部向各个像素PXL提供信号和电源，从而控制所述像素PXL的驱动。
如图4所示，显示面板DP可以包括基板SUB、像素电路层PCL、显示元件层DPL以及光变换图案层LCPL。
像素电路层PCL可以设置在基板SUB上，可以包括多个晶体管以及与所述晶体管连接的信号线。例如，各晶体管可以是夹着绝缘层依次层叠了半导体层、栅电极、第一端子和第二端子的形态。半导体层可以包括非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)、低温多晶硅(low temperature poly silicon)和有机半导体。栅电极、第一端子和第二端子可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和钼(Mo)之中的一种，但是本发明并不限于此。像素电路层PCL可以包括一个以上的绝缘层。
在像素电路层PCL上可以配置显示元件层DPL。显示元件层DPL可以包括射出光的发光元件。发光元件例如可以是有机发光二极管，但是本发明并不限于此。根据实施例，发光元件也可以是利用包括无机发光材料的无机发光元件或量子点来变换射出的光的波长而发光的发光元件。
在显示元件层DPL上可以配置光变换图案层LCPL。光变换图案层LCPL可以利用量子点来变换从显示元件层DPL射出的光的波长(或颜色)，利用滤色器来使特定波长(或特定颜色)的光选择性地透过。光变换图案层LCPL可以在设置显示元件层DPL的基底面上通过连续工序形成。
外涂层OC可以构成显示面板DP的最上部层，对此将参照图6后述。外涂层OC可以是由多层膜形成的封装膜的形态。外涂层OC可以包括无机膜和/或有机膜。例如，外涂层OC可以是依次层叠了无机膜、有机膜和无机膜的形态。外涂层OC可以防止外部的空气和水分渗透至显示元件层DPL和像素电路层PCL。
电路基板FB可以与显示面板DP的一端(或一侧面)连接而向显示面板DP提供驱动信号和电压。作为一例，驱动信号可以是用于使显示面板DP显示图像的信号，电压可以是显示面板DP的驱动所需的驱动电压。电路基板FB可以被设置为柔性电路基板(flexibleprinted circuit board，FPCB)。如图2所示，电路基板FB可以沿着显示面板DP的一侧面被折叠，从而位于显示面板DP的背面。电路基板FB可以与传导性层(图8的CL)电连接。由此，传递到传导性层CL的静电可以在电路基板FB中被放电。对于传导性层CL的详细说明将参照图8来后述。
电路基板FB可以处理从印刷电路基板PB输入的各种信号来将其输出到显示面板DP侧。为此，电路基板FB分别附着于显示面板DP和印刷电路基板PB。作为一例，电路基板FB的一端(或一侧面)可以通过传导性粘接部件ACF而与显示面板DP粘接结合，所述电路基板FB的与所述一端相向的另一端(或另一侧面)可以通过其他传导性粘接部件(未图示)而与印刷电路基板PB粘接结合。传导性粘接部件ACF和其他传导性粘接部件可以包括各向异性导电膜(anisotropic conductive film)。
传导性粘接部件ACF可以包括形成在具有粘接性的粘接膜PF内的导电粒子PI。导电粒子PI可以电连接显示面板DP的第一焊盘PD1与电路基板FB的第二焊盘PD2。由此，通过安装在电路基板FB的驱动部DIC传递到第二焊盘PD2的信号或驱动电源的电压可以通过传导性粘接部件ACF被传递到显示面板DP的第一焊盘PD1。
第一焊盘PD1可以设置在位于基板SUB的非显示区域NDA中的焊盘区域中。第二焊盘PD2可以设置在电路基板FB的基底层BSL上。
在电路基板FB上可以设置驱动部DIC。驱动部DIC可以是集成电路(integratedcircuit，IC)。驱动部DIC可以接收从印刷电路基板PB输出的驱动信号，基于接收的驱动信号，可以输出将要提供到像素PXL的信号和驱动电压(或驱动电源)等。上述的信号和驱动电压可以通过电路基板FB上的第二焊盘PD2被传递到显示面板DP上的第一焊盘PD1。
在上述的实施例中说明了驱动部DIC配置在电路基板FB上的情况，但是本发明并不限于此。根据实施例，驱动部DIC也可以配置(或安装)在显示面板DP的基板SUB上。
印刷电路基板PB可以输出显示面板DP的驱动所需的整体的驱动信号和电源信号，从而将它们提供到显示面板DP。印刷电路基板PB可以包括焊盘(未图示)。所述焊盘可以与电路基板FB的焊盘电连接。其结果，所述驱动信号和所述电源信号可以从印刷电路基板PB通过电路基板FB被传递到驱动部DIC。
印刷电路基板PB可以以各种形态构成。例如，印刷电路基板PB可以在由环氧树脂等形成的基底基板的一面或两面至少层叠一层铜箔而构成，还可以在具有柔性的塑料膜的一面或两面至少层叠一层铜箔而构成。印刷电路基板PB也可以由在基底基板的内部形成有铜箔的多层结构形成。
光学层ARU可以位于显示面板DP和电路基板FB上。光学层ARU可以减少外光反射。光学层ARU可以是包括偏振膜和/或相位延迟膜的防反射层。根据光学层ARU的工作原理，可以决定相位延迟膜的数量和相位延迟膜的相位延迟长度(λ/4或λ/2)。
收纳部件BC可以与窗部WD结合。收纳部件BC可以提供显示装置DD的背面，与窗部WD结合而定义内部空间。收纳部件BC可以包括具有相对高的刚性的物质。收纳部件BC可以包括传导性物质。作为一例，收纳部件BC可以包括由铝等传导性物质构成的多个框体和/或板。收纳部件BC可以与传导性层(图8的CL)电连接。由此，传递到传导性层CL的静电可以在收纳部件BC中被放电。对于传导性层CL的详细说明将参照图8后述。
收纳部件BC可以稳定地保护收纳在内部空间中的显示装置DD的构成免受外部冲击的影响。说明了收纳部件BC包括具有高的刚性的物质的情况，但是并不限于此，收纳部件BC可以包括柔性的物质。虽然未图示，但是本发明的实施例涉及的显示装置DD可以具有可被折叠或弯曲的特性。显示装置DD所包括的构成也可以具有柔性性质。
在实施例中，显示装置DD(或显示模块DM)还可以包括至少部分覆盖电路基板FB和显示面板DP的上部保护层(或保护层、保护单元)CRD。
上部保护层CRD可以覆盖电路基板FB和显示面板DP各自的一侧面而防止电路基板FB和显示面板DP各自的焊盘腐蚀等。上部保护层CRD可以覆盖电路基板FB和显示面板DP各自的一侧面而阻断外部的水分或湿气等流入像素PXL。进一步地，上部保护层CRD可以更加牢固地结合粘接结合的电路基板FB与显示面板DP。
在实施例中，上部保护层CRD可以由树脂构成。作为一例，上部保护层CRD可以由包括引发基于热的固化反应的热中和引发剂的热固性树脂构成。根据实施例，上部保护层CRD可以由包括通过紫外线、红外线等这样的光进行交联和固化的光中和引发剂的光固性树脂构成。根据实施例，上部保护层CRD也可以包括遮光性物质。在该情况下，可以防止位于上部保护层CRD的下部的电路基板FB被识别出的情况。在实施例中，上部保护层CRD可以在第三方向(Z轴方向)上与显示面板DP的外涂层OC部分重叠。
图6是示意性表示实施例涉及的显示面板的剖视图。在图6中以显示区域DA为中心简单示出了显示面板DP。
参照图6，在基板SUB上可以配置第一像素PXL1、第二像素PXL2以及第三像素PXL3。第一像素PXL1至第三像素PXL3可以构成一个单位像素，但是并不限于此。
根据实施例，第一像素PXL1至第三像素PXL3可以以彼此不同的颜色发光。作为一例，第一像素PXL1可以是以红色发光的红色像素，第二像素PXL2可以是以绿色发光的绿色像素，第三像素PXL3可以是以蓝色发光的蓝色像素。但是，构成单位像素的像素PXL的颜色、种类和/或数量等没有特别限制，作为一例，各个像素PXL发出的光的颜色可以以各种方式变更。根据实施例，第一像素PXL1至第三像素PXL3可以以彼此相同的颜色发光。例如，第一像素PXL1至第三像素PXL3分别可以是以蓝色发光的蓝色像素。
在本发明的实施例中，只要没有不同的说明，“形成和/或设置在同一层”可以表示在同一工序中形成，“形成和/或设置的不同层”可以表示在不同的工序中形成。
在基板SUB上可以配置像素电路层PCL和显示元件层DPL。为了便于说明，与基板SUB一同示出了像素电路层PCL，但是如参照图4说明的那样，像素电路层PCL可以配置在基板SUB与显示元件层DPL之间。
显示元件层DPL可以包括提供到各个发光区域EMA的发光元件LD。例如，在第一像素区域PXA1内可以设置第一发光元件LD1，在第二像素区域PXA2内可以设置第二发光元件LD2，在第三像素区域PXA3内可以设置第三发光元件LD3。
发光元件LD可以由如有机发光二极管(organic light emitting diode)或量子点(quantum dot)发光二极管这样的无机(inorganic)发光二极管构成。在实施例中，发光元件LD可以是利用了无机结晶结构的材料的超小型(作为一例，小到纳米级别至微型级别程度)大小的发光二极管。发光元件LD可以在各像素PXL内与相邻配置的发光元件LD彼此并联和/或串联连接，但是本发明并不限于此。发光元件LD可以构成各像素PXL的光源。换言之，各个像素PXL可以包括被信号(作为一例，扫描信号和数据信号)和/或电源(作为一例，第一驱动电源和第二驱动电源)驱动的一个以上的发光元件LD。对于像素电路层PCL和显示元件层DPL的具体构成将参照图7后述。
光变换图案层LCPL可以包括色变换层CCL、绝缘层(或折射率变换层)INS0、滤色器层CFL(或滤色器CF)以及外涂层OC。
色变换层CCL可以包括坝部BANK以及第一色变换图案(或第一色保护层)CCL1至第三色变换图案(或第三色变换层)CCL3。
坝部BANK可以配置在显示元件层DPL上。坝部BANK可以位于第一像素PXL1至第三像素PXL3的不发光区域NEA中。坝部BANK可以形成在第一像素PXL1至第三像素PXL3之间以便包围各个发光区域EMA，从而定义第一像素PXL1至第三像素PXL3各自的发光区域EMA。坝部BANK可以起到堤结构物的功能以便防止用于在发光区域EMA中形成第一色变换图案CCL1至第三色变换图案CCL3的溶液流入相邻像素PXL的发光区域EMA或者控制成向各个发光区域EMA供给恒定量的溶液。
在坝部BANK中可以与发光区域EMA对应地形成使显示元件层DPL露出的开口。第一色变换图案CCL1至第三色变换图案CCL3可以配置在坝部BANK各自的开口内。
第一色变换图案CCL1至第三色变换图案CCL3可以包括基底树脂BR、色变换粒子QD以及光散射粒子SCT。基底树脂BR可以是透光率高且对于色变换粒子QD的分散特性出色。例如，基底树脂BR可以包括环氧系树脂、丙烯酸系树脂、Cardo系树脂或酰亚胺系树脂等有机材料。
色变换粒子QD可以将从配置在一个像素PXL中的发光元件LD射出的颜色的光变换为特定颜色的光。作为一例，在第一像素PXL1为红色像素的情况下，第一色变换层CCL1可以包括将从第一发光元件LD1射出的光变换为红色光的红色量子点的第一色变换粒子QD1。作为其他例，在第二像素PXL2为绿色像素的情况下，第二色变换层CCL2可以包括将从第二发光元件LD2射出的光变换为绿色光的绿色量子点的第二色变换粒子QD2。作为又一例，在第三像素PXL3为蓝色像素的情况下，第三色变换层CCL3可以包括将从第三发光元件LD3射出的光变换为蓝色光的蓝色量子点的第三色变换粒子QD3。不同于此，在第三发光元件LD3射出蓝色光的情况下，第三色变换层CCL3也可以不包括第三色变换粒子QD3。
光散射粒子SCT可以具有与基底树脂BR不同的折射率，与基底树脂BR形成光学界面。光散射粒子SCT可以是金属氧化物粒子或有机粒子。根据实施例，也可以省略光散射粒子SCT。
绝缘层INS0可以配置在色变换层CCL上。绝缘层INS0可以在基板SUB上配置在整个面上以便覆盖色变换层CCL(即，坝部BANK以及第一色变换图案CCL1至第三色变换图案CCL3)。
绝缘层INS0可以包括至少三个绝缘层，利用三个绝缘层间的折射率差(或由折射率差引起的全反射)来使从色变换层CCL射出的光(例如，在斜线方向上行进的光)循环。例如，被绝缘层INS0全反射的光可以通过显示元件层DPL(或包括于显示元件层DPL且具有特定反射率的电极)在第三方向(Z轴方向)上被再次反射、或者通过色变换层CCL(例如，光散射粒子SCT)在第三方向(Z轴方向)上被散射。因此，可以提高透过绝缘层INS0而从像素PXL最终射出的光的效率(或外部量子效率、出光效率)或像素PXL的发光亮度。
在实施例中，绝缘层INS0可以包括依次层叠在色变换层CCL上的第一无机膜(或第一高密度膜(first dense film))IOL1、第二无机膜(或低密度膜)IOL2以及第三无机膜(或第二高密度膜(second dense film))IOL3。
第一无机膜IOL1可以配置在色变换层CCL上，防止水分(或在后续工序中所使用的溶液)渗透到下部的色变换层CCL。第二无机膜IOL2可以配置在第一无机膜IOL1上，利用与第一无机膜IOL1的折射率差来全反射从色变换层CCL射出的光(例如，在斜线方向上行进的光)。第三无机膜IOL3可以配置在第二无机膜IOL2上，提高第二无机膜IOL2与上部的滤色器层CFL间的粘接力。
滤色器层CFL可以配置在绝缘层INS0上。滤色器层CFL可以包括使由色变换层CCL变换的特定颜色的光选择性地透过的滤色器物质。滤色器层CFL可以包括红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器。作为一例，在第一像素PXL1为红色像素的情况下，可以在第一像素PXL1上配置使红色光透过的第一滤色器CF1。在第二像素PXL2为绿色像素的情况下，可以在第二像素PXL2上配置使绿色光透过的第二滤色器CF2。在第三像素PXL3为蓝色像素的情况下，可以在第三像素PXL3上配置使蓝色光透过的第三滤色器CF3。
外涂层OC可以配置在滤色器层CFL上。外涂层OC可以配置在基板SUB上的整个面上以便覆盖下部构成，封装显示面板DP的显示区域DA。
图7是示意性表示实施例涉及的像素电路层和显示元件层的剖视图。在图7中将各个电极仅示出为单一膜的电极且将各个绝缘层仅示出为单一膜的绝缘层等简化一个像素PXL来进行了图示，但是本发明并不限于此。
进一步地，在本发明的实施例中，两个构成间的“连接”可以表示包括电连接和物理连接在内来使用的情况。
参照图7，各像素PXL可以包括配置在基板SUB上的像素电路层PCL和显示元件层DPL。
像素电路层PCL可以包括缓冲层BFL、晶体管T以及保护层PSV。
缓冲层BFL可以设置和/或形成在基板SUB上，防止杂质扩散到晶体管T。缓冲层BFL可以是包括无机材料的无机绝缘膜。缓冲层BFL可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)以及如铝氧化物(AlOx)这样的金属氧化物之中的至少一种。缓冲层BFL可以被设置为单一膜，但是也可以被设置为双重膜以上的多重膜。在缓冲层BFL被设置为多重膜的情况下，各层可以由彼此相同的材料形成或者由彼此不同的材料形成。缓冲层BFL也可以根据基板SUB的材料和工序条件等而被省略。
晶体管T可以是控制向发光元件LD提供的驱动电流的驱动晶体管。但是，本发明并不限于此，晶体管T除了驱动晶体管以外，还可以是向驱动晶体管传递信号或执行其他功能的开关晶体管。
晶体管T可以包括半导体图案SCL、栅电极GE、第一端子SE以及第二端子DE。第一端子SE可以是源电极和漏电极之中的任一个电极，第二端子DE可以是其余电极。作为一例，在第一端子SE为源电极的情况下，第二端子DE可以是漏电极。
半导体图案SCL可以设置和/或形成在缓冲层BFL上。半导体图案SCL可以包括与第一端子SE接触的第一接触区域以及与第二端子DE接触的第二接触区域。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。这种沟道区域可以与该晶体管T的栅电极GE重叠。半导体图案SCL可以是由非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly silicon)、低温多晶硅(low temperature poly silicon)、氧化物半导体或有机半导体等形成的半导体图案。沟道区域作为一例可以是未掺杂杂质的半导体图案，可以是本征半导体。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂了杂质的半导体图案。
栅电极GE可以设置和/或形成在栅极绝缘层GI上以便与半导体图案SCL的沟道区域对应。栅电极GE可以被设置在栅极绝缘层GI上而与半导体图案SCL的沟道区域重叠。栅电极GE可以由选自由铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、铝钕(AlNd)、钛(Ti)、铝(Al)、银(Ag)和它们的合金形成的组中的单独或它们的混合物形成单一膜，或者可以为了减小布线电阻而由作为低电阻物质的钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或银(Ag)的双重膜结构或多重膜结构形成。
栅极绝缘层GI可以是包括无机材料的无机绝缘膜。作为一例，栅极绝缘层GI可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和如铝氧化物(AlOx)这样的金属氧化物之中的至少一种。但是，栅极绝缘层GI的材料并不限于上述的实施例，根据实施例，可以适用向栅极绝缘层GI赋予绝缘性的各种物质。作为一例，栅极绝缘层GI也可以由包括有机材料的有机绝缘膜形成。栅极绝缘层GI可以被设置为单一膜，但是也可以被设置为双重膜以上的多重膜。
第一端子SE和第二端子DE分别可以设置和/或形成在第二层间绝缘层ILD2上，通过依次贯通栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的接触孔而与半导体图案SCL的第一接触区域及第二接触区域接触。作为一例，第一端子SE可以与半导体图案SCL的第一接触区域接触，第二端子DE可以与所述半导体图案SCL的第二接触区域接触。第一端子SE和第二端子DE分别可以包括与栅电极GE相同的物质，或者可以包括在作为栅电极GE的构成物质例示的物质中选择出的一种以上的物质。
第一层间绝缘层ILD1可以包括与栅极绝缘层GI相同的物质，或者可以包括在作为栅极绝缘层GI的构成物质例示的物质中选择出的一种以上的物质。
在第一层间绝缘层ILD1上可以设置和/或形成第二层间绝缘层ILD2。第二层间绝缘层ILD2可以是包括无机材料的无机绝缘膜或者包括有机材料的有机绝缘膜。根据实施例，第二层间绝缘层ILD2可以包括与第一层间绝缘层ILD1相同的物质，但是本发明并不限于此。第二层间绝缘层ILD2可以被设置为单一膜，但是也可以被设置为双重膜以上的多重膜。根据实施例，第二层间绝缘层ILD2也可以被省略。
在上述的实施例中，说明了晶体管T的第一端子SE和第二端子DE是通过依次贯通栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2的接触孔而与半导体图案SCL电连接的单独电极的情况，但是本发明并不限于此。根据实施例，晶体管T的第一端子SE可以是与半导体图案SCL的沟道区域相邻的第一接触区域，晶体管T的第二端子DE可以是与半导体图案SCL的沟道区域相邻的第二接触区域。在该情况下，晶体管T的第二端子DE可以通过如桥接电极等这样的单独的连接部件而与像素PXL的发光元件LD电连接。
晶体管T可以由低温多晶硅薄膜晶体管(low temperature polysilicon thinfilm transistor，LTPS TFT)构成，但是本发明并不限于此。根据实施例，晶体管T也可以由氧化物半导体薄膜晶体管构成。在上述的实施例中，以晶体管T为顶栅(top gate)结构的薄膜晶体管的情况为例进行了说明，但是本发明并不限于此，晶体管T的结构可以以各种方式变更。例如，晶体管T也可以是底栅(bottom gate)结构的薄膜晶体管。
像素电路层PCL还可以包括存储施加在晶体管T的栅电极GE与第一端子(或源电极)SE之间的电压的储能电容器以及向所述晶体管T(或像素PXL)提供驱动电压的驱动电压布线等。
在晶体管T上可以设置和/或形成保护层PSV。
保护层PSV可以被设置为包括有机绝缘膜、无机绝缘膜或配置在无机绝缘膜上的有机绝缘膜的形态。无机绝缘膜例如可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和如铝氧化物(AlOx)这样的金属氧化物之中的至少一种。有机绝缘膜例如可以包括丙烯酸系树脂(polyacrylates resin)、环氧系树脂(epoxy resin)、酚醛系树脂(phenolic resin)、聚酰胺系树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesrein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚系树脂(poly-phenylene ethers resin)、聚苯硫醚系树脂(poly-phenylene sulfides resin)以及苯丙环丁烯树脂(benzocyclobutene resin)之中的至少一种。
在保护层PSV上可以设置显示元件层DPL。显示元件层DPL可以包括第一坝部图案BNP1、第二坝部图案BNP2、第一像素电极PEL1、第二像素电极PEL2、发光元件LD、第一连接电极CNE1以及第二连接电极CNE2。显示元件层DPL可以包括第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3。
第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以位于发光区域EMA(参照图6)中，被配置成彼此间隔开。第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以是为了变更第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2各自在第三方向(Z轴方向)上的表面轮廓(或形状)使得将从发光元件LD射出的光引导到显示装置DD的图像显示方向(作为一例，正面方向)上而分别支承所述第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2的支承部件。即，第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以在第三方向(Z轴方向)上变更第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2各自的表面轮廓(或形状)。
第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2分别可以在相应像素PXL的发光区域EMA(参照图6)中被设置和/或形成在与保护层PSV对应的电极之间。例如，第一坝部图案BNK1可以设置和/或形成在保护层PSV与第一像素电极PEL1之间，第二坝部图案BNK2可以设置和/或形成在保护层PSV与第二像素电极PEL2之间。
第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以是包括无机材料的无机绝缘膜或者包括有机材料的有机绝缘膜。根据实施例，第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以包括单一膜的有机绝缘膜和/或单一膜的无机绝缘膜，但是本发明并不限于此。根据实施例，第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2也可以被设置为层叠了一个以上的有机绝缘膜和一个以上的无机绝缘膜的多重膜的形态。但是，第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2的材料并不限于上述的实施例。
第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以具有从保护层PSV的一面(作为一例，上部面)开始沿着第三方向(Z轴方向)越是朝向上部宽度越变窄的梯形形状的截面，但是本发明并不限于此。根据实施例，第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2也可以包括具有从保护层PSV的一面开始沿着第三方向(Z轴方向)越是朝向上部宽度越变窄的半椭圆形状、半圆形状(或半球形状)等截面的曲面。第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2的截面形状并不限于上述的实施例，在能够提高从各个发光元件LD射出的光的效率的范围内可以以各种方式变更。在第一方向(X轴方向)上相邻的第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以配置在保护层PSV的同一面上，在第三方向(Z轴方向)上可以具有彼此相同的高度(或厚度)。
在上述的实施例中，说明了第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以设置和/或形成在保护层PSV上而所述第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2通过与保护层PSV彼此不同的工序形成的情况，但是本发明并不限于此。根据实施例，第一坝部图案BNP1、第二坝部图案BNP2和保护层PSV也可以通过同一工序形成。在该情况下，第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2可以是保护层PSV的一区域。
第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别可以设置和/或形成在重叠的第一坝部图案BNP1和第二坝部图案BNP2上。
第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别可以为了使从发光元件LD射出的光朝向显示装置DD的图像显示方向行进而由反射性材料构成。第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别可以由反射性导电性物质构成。作为导电性物质，可以包括有利于在显示装置DD的图像显示方向上反射从发光元件LD射出的光的不透明金属。作为不透明金属，作为一例可以包括如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)和它们的合金这样的金属。根据实施例，第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别可以包括透明导电性物质。作为透明导电性物质，可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)这样的导电性氧化物、如PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，聚(3,4-乙烯二氧噻吩))这样的导电性高分子等。
在第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别包括透明导电性物质的情况下，还可以追加由用于在显示装置DD的图像显示方向上反射从发光元件LD射出的光的不透明金属形成的单独的导电层。但是，第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2各自的材料并不限于上述的材料。
第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别可以被设置和/或形成为单一膜，但是本发明并不限于此。根据实施例，第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别也可以被设置和/或形成为层叠了金属、合金、导电性氧化物和导电性高分子之中的两种以上的物质的多重膜。第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别也可以为了在向各个发光元件LD的两端部传递信号(或电压)时最小化因信号延迟引起的失真而形成为双重膜以上的多重膜。作为一例，第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别也可以形成为按照铟锡氧化物(ITO)/银(Ag)/铟锡氧化物(ITO)的顺序依次层叠的多重膜。
根据实施例，第一像素电极PEL1可以通过贯通保护层PSV的第一接触孔而与晶体管T电连接，第二像素电极PEL2可以通过贯通保护层PSV的第二接触孔而与像素电路层PCL的驱动电压布线电连接。
第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2分别可以被有效利用为用于从像素电路层PCL的对应的一部分构成接收对齐信号(或对齐电压)来对齐发光元件LD的对齐电极(或对齐布线)。作为一例，第一像素电极PEL1可以从像素电路层PCL的一部分构成接收第一对齐信号(或第一对齐电压)而被有效利用为第一对齐电极(或第一对齐布线)，第二像素电极PEL2可以从像素电路层PCL的其他构成接收第二对齐信号(或第二对齐电压)而被有效利用为第二对齐电极(或第二对齐布线)。
在像素PXL中对齐发光元件LD之后，为了单独(或独立地)驱动像素PXL，可以去除位于相邻的像素PXL之间的第一像素电极PEL1的一部分。
在对齐发光元件LD之后，第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2可以被有效利用为用于驱动发光元件LD的驱动电极。
在发光区域EMA中可以对齐和/或设置至少两个至数十个发光元件LD，但是在发光区域EMA中对齐和/或设置的发光元件LD的数量并不限于此。根据实施例，在发光区域EMA中对齐和/或设置的发光元件LD的数量可以以各种方式变更。
各个发光元件LD可以射出彩色光和/或白色光之中的任一种光。在实施例中，各个发光元件LD可以射出短波段的蓝色光，但是本发明并不限于此。
在第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2上可以设置和/或形成第一绝缘层INS1。
第一绝缘层INS1可以包括由无机材料形成的无机绝缘膜或由有机材料形成的有机绝缘膜。第一绝缘层INS1可以由有利于保护发光元件LD免受像素PXL的像素电路层PCL的影响的无机绝缘膜形成。作为一例，第一绝缘层INS1可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和如铝氧化物(AlOx)这样的金属氧化物之中的至少一种，但是本发明并不限于此。根据实施例，第一绝缘层INS1也可以为了平坦化发光元件LD的支承面而由有机绝缘膜形成。
第一绝缘层INS1可以包括使第一像素电极PEL1的一区域露出的第一开口部OPN1以及使第二像素电极PEL2的一区域露出的第二开口部OPN2。第一绝缘层INS1可以覆盖除了第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2各自的一区域(即，与第一开口部OPN1及第二开口部OPN2对应的区域)以外的其余区域。发光元件LD可以配置(或对齐)在第一像素电极PEL1与第二像素电极PEL2之间的第一绝缘层INS1上。
在发光元件LD上可以设置和/或形成第二绝缘层(或第二绝缘图案)INS2。第二绝缘层INS2可以设置和/或形成在发光元件LD上而部分覆盖发光元件LD的外周面(或表面)。通过第二绝缘层INS2，发光元件LD的活性层不会与外部的导电性物质接触。第二绝缘层INS2可以仅覆盖发光元件LD的外周面(或表面)的一部分而使发光元件LD的两端部露出于外部。
第二绝缘层INS2可以由单一膜或多重膜构成，可以包括含有至少一种无机材料的无机绝缘膜或含有至少一种有机材料的有机绝缘膜。根据实施例，第二绝缘层INS2也可以由包括无机材料的无机绝缘膜或包括有机材料的有机绝缘膜构成。在像素PXL中结束发光元件LD的对齐之后，可以在所述发光元件LD上形成第二绝缘层INS2，从而防止发光元件LD从对齐的位置脱离。
第一连接电极CNE1可以设置在第一像素电极PEL1上，从而通过第一绝缘层INS1的第一开口部OPN1而与第一像素电极PEL1接触或连接。根据实施例，在第一像素电极PEL1上配置盖层(未图示)的情况下，第一连接电极CNE1可以配置在所述盖层上，从而通过所述盖层而与第一像素电极PEL1连接。上述的盖层可以保护第一像素电极PEL1免受在显示装置DD的制造工序时产生的不良等的影响，进一步强化第一像素电极PEL1与位于其下部的像素电路层PCL之间的粘接力。盖层可以包括如铟锌氧化物(IZO)等这样的透明导电性材料(或物质)。
第一连接电极CNE1可以设置和/或形成在发光元件LD的一端部上而与发光元件LD的一端部连接。由此，第一像素电极PEL1和发光元件LD的一端部可以通过第一连接电极CNE1被彼此电连接。
与第一连接电极CNE1类似地，第二连接电极CNE2可以设置在第二像素电极PEL2上，从而通过第一绝缘层INS1的第二开口部OPN2而与第二像素电极PEL2接触或连接。根据实施例，当在第二像素电极PEL2上配置盖层的情况下，第二连接电极CNE2可以配置在所述盖层上，从而通过所述盖层而与第二像素电极PEL2连接。第二连接电极CNE2可以设置和/或形成在发光元件LD的另一端部上而与发光元件LD的另一端部连接。由此，第二像素电极PEL2和发光元件LD的另一端部可以通过第二连接电极CNE2被彼此电连接。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以为了使从发光元件LD射出而被第一像素电极PEL1和第二像素电极PEL2反射的光无损失地朝向显示装置DD的图像显示方向行进而由各种透明导电性物质构成。作为一例，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等这样的各种透明导电性材料(或物质)之中的至少一种，可以实质上构成为透明或半透明以便满足透光度(或透过度)。但是，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的材料并不限于上述的实施例。根据实施例，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2也可以由各种不透明导电性材料(或物质)构成。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2也可以由单一膜或多重膜形成。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的形状并不限于特定形状，在与发光元件LD稳定地电连接的范围内可以以各种方式变更。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2的形状可以考虑与配置在其下部的多个电极的连接关系而以各种方式变更。
第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以在第一方向(X轴方向)上被配置成彼此间隔开。作为一例，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以在第二绝缘层INS2上被配置成在其间隔着一定间隔而彼此间隔开。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以设置在同一层且通过同一工序形成。但是，本发明并不限于此，根据实施例，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2也可以设置在彼此不同的层且通过不同的工序形成。
在第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2上可以设置和/或形成第三绝缘层INS3。第三绝缘层INS3可以是包括无机材料的无机绝缘膜或者包括有机材料的有机绝缘膜。作为一例，第三绝缘层INS3可以具有交替地层叠了至少一个无机绝缘膜和至少一个有机绝缘膜的结构。第三绝缘层INS3可以覆盖整个显示元件层DPL而阻断来自外部的水分或湿气等流入包括发光元件LD的显示元件层DPL。
图8和图9是以图2的Ⅰ～Ⅰ′线为基准截取的剖视图。图9表示在光学层中产生的静电被放电的路径。
参照图8和图9，显示模块DM可以包括显示面板DP、电路基板FB、光学层ARU和/或传导性层CL。
显示面板DP可以包括基板SUB、包括设置在基板SUB上的像素PXL(参照图3和图7)的显示元件层DPL(和像素电路层PCL、色变换层CCL和/或滤色器层CFL)以及覆盖显示元件层DPL的外涂层OC。显示面板DP可以包括位于基板SUB的一面上的第一焊盘PD1。
外涂层OC可以是缓和由配置在其下部的显示面板DP所包括的构成产生的高低差的平坦化层。外涂层OC可以是覆盖显示面板DP而保护像素PXL的保护部件。为此，外涂层OC可以由包括有机材料的有机绝缘膜形成。有机绝缘膜例如可以包括丙烯酸系树脂(polyacrylates resin)、环氧系树脂(epoxy resin)、酚醛系树脂(phenolic resin)、聚酰胺系树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺系树脂(polyimides rein)、不饱和聚酯系树脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚系树脂(polyphenylene ethers resin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylene sulfides resin)和苯丙环丁烯树脂(benzocyclobuteneresin)之中的至少一种。但是，外涂层OC的材料并不限于上述的材料。
电路基板FB可以配置在显示面板DP的一侧上使得设置有第二焊盘PD2的一面与第一焊盘PD1相向。电路基板FB的第二焊盘PD2可以通过传导性粘接部件ACF而与显示面板DP的第一焊盘PD1电连接。电路基板FB可以沿着显示模块DM的一侧面被折叠而位于显示模块DM的背面。
在电路基板FB的下部面可以配置下部保护层(或下部覆盖层、下部保护部件)CFD。下部保护层CFD可以一部分位于附着于显示面板DP的一侧面的电路基板FB的下部以便对应于电路基板FB与显示面板DP的粘接结合部。下部保护层CFD可以覆盖电路基板FB与显示面板DP的粘接结合部。下部保护层CFD可以保护所述粘接结合部，阻断外部的水分和湿气等流入所述粘接结合部而行进至显示面板DP的内部。电路基板FB与显示面板DP的粘接结合部可以是通过传导性粘接部件ACF彼此结合电路基板FB的第二焊盘PD2与显示面板DP的第一焊盘PD1的位置。
下部保护层CFD可以由树脂构成。作为一例，下部保护层CFD可以由包括引发基于热的固化反应的热中和引发剂的热固性树脂构成。根据实施例，下部保护层CFD可以由包括通过如紫外线、红外线等这样的光进行交联和固化的光中和引发剂的光固性树脂构成。
光学层ARU可以设置在显示面板DP和电路基板FB上。光学层ARU可以是用于防止外部光的识别的防反射层。光学层ARU可以覆盖显示面板DP和电路基板FB。光学层ARU可以比显示面板DP(和电路基板FB)更向外侧突出而部分配置在收纳部件BC上。
在光学层ARU与显示面板DP之间可以配置上部保护层CRD。作为一例，上部保护层CRD可以填充在光学层ARU与显示面板DP间隔开的空间中。上部保护层CRD可以配置在光学层ARU与电路基板FB之间。作为一例，上部保护层CRD可以填充在光学层ARU与电路基板FB间隔开的空间中。
上部保护层CRD可以支承光学层ARU。上部保护层CRD可以与下部保护层CFD一同保护显示面板DP与电路基板FB的粘接结合部，阻断外部的水分和湿气等流入所述粘接结合部而行进至显示面板DP的内部。
在光学层ARU的一面上可以配置传导性层CL。作为一例，传导性层CL可以配置在与电路基板FB相向的光学层ARU的一面上。在显示区域DA中，传导性层CL可以配置在光学层ARU与外涂层OC之间。在非显示区域NDA中，传导性层CL可以配置在光学层ARU与电路基板FB之间。传导性层CL可以配置在光学层ARU与上部保护层CRD之间。上部保护层CRD可以设置在传导性层CL与电路基板FB之间，从而至少部分覆盖传导性层CL。
传导性层CL可以起到提供对在光学层ARU中产生的静电进行放电的路径的作用。为此，传导性层CL可以与电路基板FB电连接。作为一例，在传导性层CL与电路基板FB之间可以配置静电焊盘ESDPD。传导性层CL可以通过静电焊盘ESDPD而与电路基板FB电连接。由此，在光学层ARU中产生的静电可以如图9所示那样通过传导性层CL被传递到电路基板FB，从而在电路基板FB中被放电。
为了对在光学层ARU中产生的静电进行双重放电，传导性层CL可以与收纳部件BC电连接。作为一例，传导性层CL可以与收纳部件BC至少部分重叠而与收纳部件BC相接。由此，在光学层ARU中产生的静电可以如图9所示那样通过传导性层CL被传递到收纳部件BC，从而在收纳部件BC中被放电。因此，在光学层ARU中产生的静电可以通过传导性层CL在电路基板FB和收纳部件BC中被双重放电，因此可以最小化由静电引起的损伤。
传导性层CL可以包括透明导电性物质。作为透明导电性物质，可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)这样的导电性氧化物、如PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，聚(3,4-乙烯二氧噻吩))这样的导电性高分子等。
在光学层ARU与传导性层CL之间可以配置遮光图案BM。遮光图案BM可以与非显示区域NDA重叠。遮光图案BM可以防止在非显示区域NDA中电路基板FB等被识别出。
遮光图案BM可以包括如黑色矩阵这样的遮光性物质。作为一例，遮光图案BM可以由陶瓷、金属、有机膜和/或无机膜形成。遮光性物质可以包括基于碳黑、钛黑、硫化铁等的物质，但是遮光性物质并不限于此。
根据上述的实施例，通过传导性层CL，在光学层ARU中产生的静电可以在电路基板FB和收纳部件BC中被双重放电，因此可以最小化由静电引起的损伤。
以下，说明其他实施例。在以下的实施例中，对于与说明过的构成相同的构成使用同一符号，省略或简化重复的内容。
图10是示意性表示实施例涉及的显示模块的剖视图。
参照图10，光学层ARU可以包括具有第一厚度T1的第一区域A1以及具有比第一厚度T1小的第二厚度T2的第二区域A2。光学层ARU的第一区域A1可以与显示区域DA重叠，光学层ARU的第二区域A2可以与非显示区域NDA重叠，但是并不一定限于此。光学层ARU的第二区域A2可以与第一焊盘PD1、第二焊盘PD2和/或静电焊盘ESDPD重叠。如上所述，通过将与第一焊盘PD1、第二焊盘PD2及静电焊盘ESDPD重叠的光学层ARU的第二区域A2的第二厚度T2形成为相对小，从而可以补偿因第一焊盘PD1、第二焊盘PD2及静电焊盘ESDPD引起的高低差来将光学层ARU的上部面形成为平坦。
在光学层ARU的第二区域A2与显示面板DP之间可以配置上部保护层CRD。作为一例，上部保护层CRD可以填充在光学层ARU的第二区域A2与显示面板DP间隔开的空间中。上部保护层CRD可以配置在光学层ARU的第二区域A2与电路基板FB之间。作为一例，上部保护层CRD可以填充在光学层ARU的第二区域A2与电路基板FB间隔开的空间中。
遮光图案BM可以与光学层ARU的第二区域A2重叠。遮光图案BM可以与非显示区域NDA重叠。遮光图案BM可以防止在非显示区域NDA中电路基板FB等被识别出。
图11是示意性表示实施例涉及的发光元件的立体图。图12是示意性表示实施例涉及的发光元件的剖视图。在图11和图12中示出了柱形发光元件LD，但是可适用于上述的显示装置DD中的发光元件LD的种类和/或形状并不限于此。
参照图11和图12，发光元件LD可以包括第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13。
发光元件LD可以形成为沿着一方向延伸的柱形状。发光元件LD可以具有第一端部EP1和第二端部EP2。在发光元件LD的第一端部EP1可以配置第一半导体层11和第二半导体层13之中的一个。在发光元件LD的第二端部EP2可以配置第一半导体层11和第二半导体层13之中的其余一个。例如，在发光元件LD的第一端部EP1可以配置第一半导体层11，在发光元件LD的第二端部EP2可以配置第二半导体层13。
根据实施例，发光元件LD可以是通过蚀刻方式等制造为柱形状的发光元件。在本说明书中，柱形状包括如圆柱或多角柱等这样纵横比大于1的杆形状(rod-like shape)或棒形状(bar-like shape)，其截面的形状并没有限制。
发光元件LD可以具有小到纳米级别至微米级别程度的大小。作为一例，发光元件LD分别可以具有纳米级别至微米级别范围的直径(或宽度)D和/或长度L。但是，发光元件LD的大小并不限于此，根据将利用了发光元件LD的发光装置用作光源的各种装置(作为一例，显示装置等)的设计条件，发光元件LD的大小可以以各种方式变更。
第一半导体层11可以是第一导电型的半导体层。例如，第一半导体层11可以包括p型半导体层。作为一例，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN和AlN之中的至少一种半导体材料，可以包括掺杂了如Mg等这样的第一导电型掺杂剂的p型半导体层。但是，构成第一半导体层11的物质并不限于此，除此以外，也可以是各种物质构成第一半导体层11。
活性层12可以配置在第一半导体层11与第二半导体层13之间。活性层12可以包括单一阱结构、多重阱结构、单一量子阱结构、多重量子阱(multi quantum well，MQW)结构、量子点结构和量子线结构之中的任一种结构，但是并不一定限于此。活性层12可以包括GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN或AlN等，除此以外，也可以是各种物质构成活性层12。
若向发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2施加阈值电压以上的电压，则在活性层12中电子-空穴对结合的同时，发光元件LD会发光。通过利用这种原理来控制发光元件LD的发光，从而可以将发光元件LD用作如显示装置DD的像素PXL这样的各种发光装置的光源。
第二半导体层13可以配置在活性层12上，包括与第一半导体层11不同类型的半导体层。第二半导体层13可以包括n型半导体层。作为一例，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN和AlN之中的任一种半导体材料，包括掺杂了如Si、Ge、Sn等这样的第二导电型掺杂剂的n型半导体层。但是，构成第二半导体层13的物质并不限于此，除此以外，也可以是各种物质构成第二半导体层13。
根据实施例，在发光元件LD的第一端部EP1和/或第二端部EP2上还可以配置电极层。电极层可以包括透明的金属或透明的金属氧化物。作为一例，电极层可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和锌锡氧化物(ZTO)之中的至少一种，但是并不一定限于此。如上所述，在电极层由透明的金属或透明的金属氧化物形成的情况下，由发光元件LD的活性层12生成的光可以通过电极层而被射出到发光元件LD的外部。
在发光元件LD的表面上可以设置绝缘膜INF。绝缘膜INF可以直接配置在第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13的表面上。绝缘膜INF可以使具有彼此不同的极性的发光元件LD的第一端部EP1和第二端部EP2露出。根据实施例，绝缘膜INF可以使与发光元件LD的第一端部EP1及第二端部EP2相邻的第一半导体层11和/或第二半导体层13的侧部露出。
绝缘膜INF可以防止活性层12与第一半导体层11及第二半导体层13以外的传导性物质接触而可能会产生的短路。此外，绝缘膜INF可以最小化发光元件LD的表面缺陷来提高发光元件LD的寿命和发光效率。
绝缘膜INF可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氮化物(AlNx)、铝氧化物(AlOx)、锆氧化物(ZrOx)、铪氧化物(HfOx)和钛氧化物(TiOx)之中的至少一种。例如，绝缘膜INF可以由双层构成，构成所述双层的各层可以包括彼此不同的物质。作为一例，绝缘膜INF可以包括由铝氧化物(AlOx)和硅氧化物(SiOx)构成的双层，但是并不一定限于此。根据实施例，绝缘膜INF也可以被省略。
根据前述的实施例具体记载了本发明的技术思想，但是应注意，所述的实施例是为了说明，并不是用于限定。本领域的技术人员应当能够理解在本发明的技术思想的范围内可以实现各种变形例。
本发明的范围并不限于说明书的详细说明所记载的内容，应仅通过权利要求书来确定。应解释为从权利要求书的意义及范围以及其等同概念导出的所有变更或变形的形态包括于本发明的范围中。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，设置在收纳部件内；
电路基板，与所述显示面板结合；
光学层，位于所述显示面板上；
传导性层，位于与所述电路基板相向的所述光学层的一面上；以及
焊盘，位于所述传导性层与所述电路基板之间，
所述传导性层与所述收纳部件相接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示面板包括：
显示元件层，包括发光元件；
滤色器层，位于所述显示元件层上；以及
外涂层，位于所述滤色器层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述传导性层设置在所述光学层与所述外涂层之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述传导性层通过所述焊盘而与所述电路基板电连接。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述收纳部件包括传导性物质。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示面板包括：显示区域，设置多个像素；以及非显示区域，包围所述显示区域的至少一侧。
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
遮光图案，与所述非显示区域重叠。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述遮光图案配置在所述光学层与所述传导性层之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
保护层，至少部分覆盖所述显示面板和所述电路基板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述保护层设置在所述传导性层与所述电路基板之间。
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