CN117720474B - 反应型光转材料、光转封装胶膜和光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光伏技术领域，尤其是涉及一种反应型光转材料、光转封装胶膜和光伏组件。反应型光转材料，包括如下式Ⅰ～式Ⅱ的结构所示化合物中的至少一种：、；R选自、中的至少一种。本发明的反应型光转材料，具有可与封装胶膜的基体树脂的双键或三键，在制备光伏组件的层压过程中，反应型光转材料的双键或三键打开与基体树脂发生交联，使光转材料固定在胶膜中，降低迁移性，同时不影响光转材料的吸电子基团及π‑π共轭结构。
Description
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，尤其是涉及一种反应型光转材料、光转封装胶膜和光伏组件。
背景技术
现有的光转材料主要包括有机荧光粉、稀土有机配合物、稀土无机化合物、CdSe量子点或钙钛矿量子点，大多是直接或与其它添加物共混后加入到胶膜体系中，光转材料在胶膜中处于游离状态。游离状态的光转材料在一定温度下会发生无序迁移的情况；同时在组件端，电池片与电池片之间在串联时存在间隙，为了最大化组件功率，通常HJT组件的正面胶膜采用添加光转材料的EVA或者EPE胶膜，背面胶膜采用高透EVA或者EPE胶膜。这种结构设置，在串联间隙处正面胶膜和背面胶膜直接接触，在正面胶膜与背面胶膜之间形成了一个光转的浓度差，而光转材料处于游离状态，正面胶膜中的光转材料会逐渐迁移到背面，并且迁移到背面的光转材料由于浓度差，也会在背面胶膜中发生扩散运动；同时正面胶膜中由于间隙处的光转材料的浓度减弱，会导致正面胶膜中的光转材料不断向间隙处理扩散，导致正面胶膜整体光转材料浓度下降，进而导致正面的光转能力减弱，组件功率降低。同时电池片间隙的胶膜耐UV性能减弱，间隙处黄变值高于其他部分，影响组件美观。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的一个目的在于提供反应型光转材料，以解决现有技术中存在的光转材料的迁移性所导致的组件功率降低、黄变值高等技术问题。
本发明的另一目的在于提供光转封装胶膜，包括上述反应型光转材料。
本发明的又一目的在于提供光伏组件，包括上述光转封装胶膜。
为了实现本发明的上述目的，本发明一方面提供了反应型光转材料，包括如下式Ⅰ～式Ⅱ的结构所示化合物中的至少一种：
、；
R选自、/>中的至少一种。
本发明另一方面提供了光转封装胶膜，包括上述任意一种所述的反应型光转材料。
在本发明的具体实施方式中，所述光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：基体树脂100份、交联剂0.5～1.5份、助交联剂0.1～1.2份、抗氧剂0.1～0.5份、光稳定剂0.1～1份、偶联剂0.3～1.5份和反应型光转材料0.005～0.3份。
在本发明的具体实施方式中，所述交联剂包括过氧化苯甲酸叔丁酯和过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯。进一步地，所述交联剂中，所述过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯的占比≤20wt%。
在本发明的具体实施方式中，所述助交联剂为三烯丙基异氰脲酸酯。
在本发明的具体实施方式中，所述光转封装胶膜的厚度为0.1～2mm。
本发明还提供了上述任意一种所述的光转封装胶膜的制备方法，包括如下步骤：
将各组分按比例混合均匀，挤出流延成膜。
在本发明的具体实施方式中，所述混合均匀包括：将所述反应型光转材料溶解于有机溶剂中，然后与助交联剂混合，再与其余组分混合。进一步地，所述有机溶剂包括三氯甲烷、二氯甲烷和乙酸乙酯中的至少一种。
本发明又一方面提供了一种光伏组件，包括上述任意一种所述的光转封装胶膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
（1）本发明的反应型光转材料，具有可与封装胶膜的基体树脂的双键或三键，在制备光伏组件的层压过程中，反应型光转材料的双键或三键打开与基体树脂发生交联，使光转材料固定在胶膜中，降低迁移性，同时不影响光转材料的吸电子基团及π-π共轭结构；
（2）采用本发明的反应型光转材料制得的光转封装胶膜，在用于光伏组件时，能够在提高组件功率的同时，减少光转材料的迁移情况及降低间隙处黄变值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1提供的光伏组件在刚制备完成时的背面间隙处在紫外灯照射下照片；
图2为本发明实施例1提供的光伏组件在户外工作6个月后的背面间隙处在紫外灯照射下的照片；
图3为对比例1提供的光伏组件在刚制备完成时的背面间隙处在紫外灯照射下的照片；
图4为对比例1提供的光伏组件在户外工作6个月后的背面间隙处在紫外等照射下的照片。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本发明一方面提供了反应型光转材料，包括如下式Ⅰ～式Ⅱ的结构所示化合物中的至少一种：
、；
R选自、/>中的至少一种。
如在不同实施方式中，本发明的反应型光转材料的结构可以分别如下：
、
、
、
。
本发明的反应型光转材料，具有可与封装胶膜的基体树脂的双键或三键，在制备光伏组件的层压过程中，反应型光转材料的双键或三键打开与基体树脂发生交联，使光转材料固定在胶膜中，降低迁移性。同时根据R结构的设置，光转材料在于基体树脂反应后，不影响光转材料的吸电子基团及π-π共轭结构。
在实际操作中，式Ⅰ结构所示化合物的合成路线可以参考如下：
。
其中，化合物A的制备可以参考现有技术制备得到。然后将化合物A与2-丁烯酸或丙炔酸进行酰胺缩合反应，得到式Ⅰ结构所示化合物。
具体的，式Ⅰ结构所示化合物中的一种的合成及结构表征参考如下：
取化合物A（0.01mol）溶解于80mL DMSO中，降温至0～5℃，加入EDCI（0.048mol）和HOBT（0.048mol），搅拌30min后，加入丙炔酸（0.045mol），升温至室温反应至完全。反应结束后，过滤收集滤液，然后将滤液加入350mL水中，搅拌析出固体，过滤，收集滤饼，得到式Ⅰ结构所示化合物9.36g，产率约为89.2%。
通过核磁、质谱等结构表征验证为目标产物。其中，质谱MS（MALDI-TOF，m/z）：计算值C62H51N9O8，1049.39；测试值1050.14[M+H]+；1H-NMR（DMSO-d6, 500MHz）:δ 7.86（s，2H），7.54（d，J=10Hz，4H），6.50-6.74（m，20H），4.11（t，J=12Hz，8H），3.29（t，J=12Hz，8H），2.72（s，4H）。
式Ⅰ结构所示化合物中的另一种的合成及结构表征参考如下：
取化合物A（0.01mol）溶解于80mL DMSO中，降温至0～5℃，加入EDCI（0.048mol）和HOBT（0.048mol），搅拌30min后，加入2-丁烯酸（0.05mol），升温至室温反应至完全。反应结束后，过滤收集滤液，然后将滤液加入350mL水中，搅拌析出固体，过滤，收集滤饼，得到式Ⅰ结构所示化合物10.21g，产率约为91.7%。
通过核磁、质谱等结构表征验证为目标产物。其中，质谱MS（MALDI-TOF，m/z）：计算值C66H67N9O8，1113.51；测试值1114.47[M+H]+；1H-NMR（DMSO-d6, 500MHz）:δ 7.85（s，2H），7.54（d，J=10Hz，4H），6.50-6.73（m，24H），6.20（d，J=9.8Hz，4H），4.12（t，J=12Hz，8H），3.28（t，J=12Hz，8H），2.06（d，J=6.8Hz，12H）。
在实际操作中，式Ⅱ结构所示化合物的合成路线可以参考如下：
。
其中，化合物B的制备可以参考现有技术制备得到。然后将化合物B与2-丁烯酸或丙炔酸进行酰胺缩合反应，得到式Ⅱ结构所示化合物。
具体的，式Ⅱ结构所示化合物中的一种的合成及结构表征参考如下：
取化合物B（0.01mol）溶解于80mL DMSO中，降温至0～5℃，加入EDCI（0.024mol）和HOBT（0.024mol），搅拌30min后，加入丙炔酸（0.022mol），升温至室温反应至完全。反应结束后，过滤收集滤液，然后将滤液加入350mL水中，搅拌析出固体，过滤，收集滤饼，得到式Ⅱ结构所示化合物6.11g，产率约为84.9%。
通过核磁、质谱等结构表征验证为目标产物。其中，质谱MS（MALDI-TOF，m/z）：计算值C46H37N7O2，719.30；测试值719.95[M+H]+；1H-NMR（DMSO-d6, 500MHz）:δ 7.87（d，J=7.8Hz，4H），7.73-7.77（m，6H），7.39（t，J=9.8Hz，4H），7.26-7.28（m，6H），5.93（s，2H），5.70（s，1H），3.37（t，J=8Hz，4H），2.93（t，J=8Hz，4H），2.69（s，2H）。
式Ⅱ结构所示化合物中的另一种的合成及结构表征参考如下：
取化合物B（0.01mol）溶解于80mL DMSO中，降温至0～5℃，加入EDCI（0.024mol）和HOBT（0.024mol），搅拌30min后，加入2-丁烯酸（0.022mol），升温至室温反应至完全。反应结束后，过滤收集滤液，然后将滤液加入350mL水中，搅拌析出固体，过滤，收集滤饼，得到式Ⅱ结构所示化合物6.48g，产率约为86.2%。
通过核磁、质谱等结构表征验证为目标产物。其中，质谱MS（MALDI-TOF，m/z）：计算值C48H45N7O2，751.36；测试值751.94[M+H]+；1H-NMR（DMSO-d6, 500MHz）:δ 7.86（d，J=7.8Hz，4H），7.72-7.77（m，6H），7.39（t，J=9.8Hz，4H），7.26-7.28（m，6H），6.60（m，2H），6.21（d，J=9.8Hz，2H），5.93（s，2H），5.70（s，1H），3.37（t，J=8Hz，4H），2.93（t，J=8Hz，4H），2.05（d，J=6.8Hz，6H）。
本发明另一方面提供了光转封装胶膜，包括上述任意一种反应型光转材料。
本发明的反应型光转材料，不仅具有光转性能，同时能够与封装胶膜中的基体树脂进行反应交联，将光转材料固定于封装胶膜中，充分发挥光转性能，同时不会发生迁移导致的组件功率降低、黄变值增加等问题。
在本发明的具体实施方式中，光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：基体树脂100份、交联剂0.5～1.5份、助交联剂0.1～1.2份、抗氧剂0.1～0.5份、光稳定剂0.1～1份、偶联剂0.3～1.5份和反应型光转材料0.005～0.3份。
如在不同实施方式中，光转封装胶膜中可包括按重量份数计的如下组分：
交联剂的用量可以为0.5份、0.6份、0.8份、1份、1.2份、1.5份或其中任意两者组成的范围；
助交联剂的用量可以为0.1份、0.2份、0.5份、0.8份、1份、1.2份或其中任意两者组成的范围；
抗氧剂的用量可以为0.1份、0.2份、0.3份、0.4份、0.5份或其中任意两者组成的范围；
光稳定剂的用量可以为0.1份、0.2份、0.5份、0.8份、1份或其中任意两者组成的范围；
偶联剂的用量可以为0.3份、0.5份、0.8份、1份、1.2份、1.5份或其中任意两者组成的范围；
反应型光转材料的用量可以为0.005份、0.008份、0.01份、0.02份、0.05份、0.08份、0.1份、0.15份、0.2份、0.25份、0.3份或其中任意两者组成的范围。
在本发明的具体实施方式中，基体树脂包括EVA树脂或POE树脂。
基体树脂可采用现有封装胶膜所采用的基体树脂。
在本发明的具体实施方式中，交联剂包括过氧化苯甲酸叔丁酯和过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯。
本发明的封装胶膜，采用特定的交联剂配合反应型光转材料配合，过氧化苯甲酸叔丁酯具有适宜的半衰期且氧化性适中，在层压过程中，可减少残留过氧化物对本发明的反应型光转材料的破坏；然而如果仅单独使用过氧化苯甲酸叔丁酯，会使胶膜的交联度不足，因而配合使用过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯，兼顾保证交联度与光转材料的稳定性。
在本发明的具体实施方式中，交联剂中，过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯的占比≤20wt%，如为10wt%～20wt%。
如在不同实施方式中，交联剂中，过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯的占比可以为10wt%、12wt%、15wt%、18wt%、20wt%或其中任意两者组成的范围。通过控制交联剂中的过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯的占比在上述范围内，避免加入量过高不利于胶膜层压时气泡的排出。
在本发明的具体实施方式中，助交联剂为三烯丙基异氰脲酸酯。
通过采用上述助交联剂，配合相应的用量，增大助交联剂与反应型光转材料的接触可能性，进而提高反应型光转材料在胶膜中的固定效果。
其余各助剂的种类可示例性的如下，但不局限于此：
抗氧剂包括受阻酚类抗氧剂和亚磷酸酯类抗氧剂中的任一种或多种；
光稳定剂包括4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶；
偶联剂包括硅烷偶联剂中的至少一种，如含环氧基的硅烷偶联剂，具体的如γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷。
在本发明的具体实施方式中，光转封装胶膜的厚度为0.1～2mm。
如在不同实施方式中，光转封装胶膜的厚度可以为0.1mm、0.2mm、0.5mm、0.8mm、1mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm、2mm或其中任意两者组成的范围。光转封装胶膜的厚度可根据实际需求进行调整。
本发明还提供了上述任意一种光转封装胶膜的制备方法，包括如下步骤：
将各组分按比例混合均匀，挤出流延成膜。
在本发明的具体实施方式中，混合均匀包括：将反应型光转材料溶解于有机溶剂中，然后与助交联剂混合，再与其余组分混合。进一步地，有机溶剂包括三氯甲烷、二氯甲烷和乙酸乙酯中的至少一种。
其中，有机溶剂的用量可根据实际情况进行调整，在将反应型光转材料溶解的情况下，尽量减少有机溶剂的用量。如，有机溶剂的质量可以为反应型光转材料的质量的0.5～3倍，如0.5倍、1倍、1.5倍、2倍、2.5倍、3倍等。
在本发明的具体实施方式中，挤出流延的温度为80～90℃。
如在不同实施方式中，挤出流延的温度可以为80℃、82℃、85℃、88℃、90℃或其中任意两者组成的范围。
本发明又一方面提供了一种光伏组件，包括上述任意一种光转封装胶膜。
在本发明的具体实施方式中，光伏组件包括前板玻璃、背板玻璃和电池片；前板玻璃通过光转封装胶膜连接于电池片，背板玻璃通过高透封装胶膜连接于电池片。
其中，高透封装胶膜是指在290～380nm的透光率≥75%，380～1100nm的透光率≥90.6%的封装胶膜。如可以为鹿山的EV1050G2或者S102，但不局限于此。
在实际操作中，按照光伏组件的结构设置层压结构，然后在一定温度和一定时间的抽真空下进行层压，制成相应光伏组件。在层压过程中，反应型光转材料可以与封装胶膜的基体树脂如EVA等发生交联，使光转材料固定于封装胶膜中，同时不影响光转材料的吸电子基团及π-π共轭结构。
如在层压过程中，加热板的温度可以为138～145℃，抽真空时间可以为5～6min；然后进行若干次加压后，得到光伏组件。加热板的温度、抽真空的时间、加压的参数条件可按照常规进行调整，以得到相应光伏组件即可。
在本发明的具体实施方式中，光伏组件包括依次首尾串联的电池片。
本发明下述实施例中所采用的EVA树脂的型号可以为韩国韩华道达尔-E280PV，但不局限于此。
实施例1
本实施例提供了光转封装胶膜及其制备方法，其中，光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.8份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.2份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.3份反应型光转材料。
其中，本实施例的反应型光转材料的结构式如下：
。
本实施例的光转封装胶膜的制备方法，包括如下步骤：
将0.3份反应型光转材料溶解于0.3份三氯甲烷中，然后与1份三烯丙基异氰脲酸酯混合均匀，再加入EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.8份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.2份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份于混料机中混合均匀，投入流延机中，在80℃条件下经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度为0.5mm的EVA光转封装胶膜。
实施例2
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：
采用等重量的如下结构所示的反应型光转材料替换实施例1中的反应型光转材料。
其中，本实施例的反应型光转材料的结构式如下：
。
实施例3
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：
采用等重量的如下结构所示的反应型光转材料替换实施例1中的反应型光转材料。
其中，本实施例的反应型光转材料的结构式如下：
。
实施例4
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：
采用等重量的如下结构所示的反应型光转材料替换实施例1中的反应型光转材料。
其中，本实施例的反应型光转材料的结构式如下：
。
实施例5
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：光转封装胶膜中反应型光转材料的用量不同。
本实施例的光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.8份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.2份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.005份反应型光转材料。
实施例6
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：光转封装胶膜中反应型光转材料的用量不同。
本实施例的光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.8份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.2份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.1份反应型光转材料。
实施例7
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：光转封装胶膜中交联剂的用量不同。
本实施例的光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.9份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.1份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.3份反应型光转材料。
实施例8
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：光转封装胶膜中交联剂的用量不同。
本实施例的光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.7份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.3份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.3份反应型光转材料。
实施例9
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：光转封装胶膜中交联剂的用量不同。
本实施例的光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯1份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.3份反应型光转材料。
实施例10
本实施例参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：光转封装胶膜中交联剂的用量不同。
本实施例的光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、叔丁基过氧化碳酸-2-乙基已酯1份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份和0.3份反应型光转材料。
对比例1
对比例1参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：
采用等重量的如下结构所示的光转材料替换实施例1中的反应型光转材料。
其中，对比例1的光转材料的结构式如下：
。
对比例2
对比例2参考实施例1的光转封装胶膜及其制备方法，区别仅在于：
采用等重量的如下结构所示的光转材料替换实施例1中的反应型光转材料。
其中，对比例2的光转材料的结构式如下：
。
对比例3
对比例3参考实施例1的封装胶膜及其制备方法，区别在于：封装胶膜中不含反应型光转材料。
对比例3的封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：
EVA树脂100份、过氧化苯甲酸叔丁酯0.8份、过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯0.2份、三烯丙基异氰脲酸酯1份、亚磷酸三（壬基苯基）酯0.5份、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶0.6份和γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷1.5份。
实验例
为了对比说明不同实施例和对比例的封装胶膜的性能差异，将不同实施例和对比例的封装胶膜分别制成待测试的光伏组件样品，参照IEC61215对不同光伏组件的初始组件功率和相同户外条件下工作6个月后的光伏组件功率、间隙处黄变值及组件背面光转材料的迁移距离进行测试。测试结果见表1。
其中，待测试的光伏组件样品包括：上层玻璃、上层光转封装胶膜、电池片、下层高透封装胶膜、下层玻璃，全部都为双玻组件；层压过程中，加热板温度为140℃，抽真空时间为5min排除各层之间的空气，然后进行三次加压，使各层之间相互压紧，第一次加压的压强为-80kPa～-70kPa，持续75s，第二次加压的压强为-50kPa～-40kPa，持续75s，第三次加压的压强为-30kPa～-10kPa，持续10min；解除真空状态，取出层压得到的光伏组件。上层光转封装胶膜为本发明实施例1～10、对比例1～3制得的封装胶膜，其中电池片采用210尺寸HJT电池片，高透封装胶膜为鹿山EV1050G2，最终制成110版型组件，电池片首尾串联，电池片之间存在0.5mm的间隙。
组件背面光转材料的迁移距离是指光伏组件的背面在365nm紫外灯照射下，在相邻电池片间隙之间形成的蓝色荧光带的宽度值。其中，图1～图2分别为采用本发明实施例1的光转封装胶膜制得的待测试的光伏组件样品在刚制备完成时背面间隙处在紫外灯照射下的照片和户外工作6个月后的背面间隙处在紫外灯照射下的照片；图3～图4分别为采用对比例1的光转封装胶膜制得的待测试的光伏组件样品在刚制备完成时背面间隙处在紫外灯照射下的照片和户外工作6个月后的背面间隙处在紫外灯照射下的照片；从图中可知，对比例1的光转封装胶膜中的光转材料在工作后迁移至背面的高透封装胶膜中，并发生了一段位移。
表1 不同封装胶膜对应的光伏组件的性能测试结果
从上述测试结果可知，本发明的反应型光转材料，具有可与封装胶膜的基体树脂的双键或三键，在制备光伏组件的层压过程中，反应型光转材料的双键或三键打开与基体树脂发生交联，使光转材料固定在胶膜中，降低迁移性，同时不影响光转材料的吸电子基团及π-π共轭结构。采用本发明的反应型光转材料制得的光转封装胶膜，在用于光伏组件时，能够在提高组件功率的同时，减少光转材料的迁移情况及降低间隙处黄变值。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.反应型光转材料，其特征在于，包括如下式Ⅰ～式Ⅱ的结构所示化合物中的至少一种：
、；
R选自、/>中的至少一种。
2.光转封装胶膜，其特征在于，包括权利要求1所述的反应型光转材料。
3.根据权利要求2所述的光转封装胶膜，其特征在于，所述光转封装胶膜包括按重量份数计的如下组分：基体树脂100份、交联剂0.5～1.5份、助交联剂0.1～1.2份、抗氧剂0.1～0.5份、光稳定剂0.1～1份、偶联剂0.3～1.5份和反应型光转材料0.005～0.3份。
4.根据权利要求3所述的光转封装胶膜，其特征在于，所述交联剂包括过氧化苯甲酸叔丁酯和过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯。
5.根据权利要求4所述的光转封装胶膜，其特征在于，所述交联剂中，所述过氧化-2-乙基己基碳酸叔戊酯的占比≤20wt%。
6.根据权利要求3所述的光转封装胶膜，其特征在于，所述助交联剂为三烯丙基异氰脲酸酯。
7.根据权利要求3所述的光转封装胶膜，其特征在于，所述光转封装胶膜的厚度为0.1～2mm。
8.权利要求3～7任一项所述的光转封装胶膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将各组分按比例混合均匀，挤出流延成膜。
9.根据权利要求8所述的光转封装胶膜的制备方法，其特征在于，将所述反应型光转材料溶解于有机溶剂中，然后与助交联剂混合，再与其余组分混合；
所述有机溶剂包括三氯甲烷、二氯甲烷和乙酸乙酯中的至少一种。
10.一种光伏组件，其特征在于，包括权利要求3～7任一项所述的光转封装胶膜或权利要求8～9任一项所述的制备方法制得的光转封装胶膜。
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