CN117717718A - 用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置及使用方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置及使用方法。该多波长激光治疗装置包括：驱动控制电路、电源、光学系统、风冷散热片、输出光纤以及手具，手具包括移动片、凸透镜以及支架，支架作为出光端面用于贴合到皮肤，光学系统包括第一激光芯片、第二激光芯片、第三激光芯片、第一光学镜、第二光学镜以及耦合器，光束经耦合器耦合到输出光纤，并从手具的出光端面出光；其中，第一激光芯片、第二激光芯片、第三激光芯片的出光波长分别为405nm、1064nm或632nm中的一种，用于依次出射405nm、1064nm和632nm波长的光束；移动片用于固定输出光纤的出光端，并且可以在会聚位置和发散位置切换。

Description

用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置及使用方法

技术领域

本发明涉及一种用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置，同时也涉及该多波长激光治疗装置的使用方法，属于医疗器械技术领域。

背景技术

红色毛癣菌是一种人源的皮癣菌，经常感染人类的皮肤和甲，引起常见的皮肤浅部真菌病，为人类甲癣最主要的致病菌。由于日常训练和集体生活习惯，红色毛癣菌致甲癣是野战部队最为常见的皮肤疾病。

目前，临床上经常利用选择性光热作用的原理，采用高能量密度的长脉冲1064nm红外激光作为红色毛癣菌致甲癣的重要治疗手段。选择性光热作用是激光医疗领域最为重要的治疗方法，指的是根据不同组织的生物学特性，选择合适的光学波长、能量、脉宽，以保证对病变组织进行有效治疗的同时，尽量避免对周围正常组织造成损伤。当利用高能近红外激光辐照甲癣部位时，红色毛癣菌自身携带的黑色素将对激光产生强烈的吸收，温度迅速升高，进而导致真菌细胞受热变性死亡。

当前，传统的1064nm长脉冲激光由脉冲氙灯泵浦Nd:YAG固体激光晶体产生，光电转化效率较低，仅有2～3%左右。比如为了产生足够的能量，例如3J的单脉冲能量，需要100～150J的电能注入，从而产生巨大的热量。因此，这种Nd:YAG固体激光设备一般需要借助额外的水箱、水泵、散热器、风扇等水冷系统实现冷却，导致设备体积过大，重量过重。此外，Nd:YAG固体激光设备需要泵浦反射腔、激光谐振腔镜片组、光纤耦合装置等，系统尺寸较大，调试也相对复杂。其中，敏感的激光谐振腔镜片组需要保持严格平行，因此对抗冲击振动及运输较为敏感，不适合野外作业。

此外，由于野外及营地的环境和卫生条件限制，往往无法实时保证完全清洁皮肤表面，体表经常携带较多的细菌病毒等致病菌。因此在激光治疗之前的细菌病毒的消杀、治疗之后的加速康复也是非常必要的。即，需要一种集消杀、治疗和康复为一体的便携式激光治疗装置，用于红色毛癣菌致甲癣的治疗。

发明内容

本发明所要解决的首要技术问题在于提供一种用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种上述多波长激光治疗装置的使用方法。

为实现上述技术目的，本发明采用以下的技术方案：

根据本发明实施例的第一方面，提供一种用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置，包括驱动控制电路、电源、光学系统、风冷散热片、输出光纤以及手具，

所述手具包括移动片、凸透镜以及支架，所述支架作为出光端面用于贴合到皮肤，

所述驱动控制电路由所述电源供电，控制所述光学系统、风冷散热片、移动片和凸透镜，

所述光学系统包括第一激光芯片、第二激光芯片、第三激光芯片、第一光学镜、第二光学镜以及耦合器，

所述光束经耦合器耦合到所述输出光纤，并从所述手具的出光端面出光；

其中，所述第一激光芯片、所述第二激光芯片、所述第三激光芯片的出光波长分别为405nm、1064nm或632nm中的一种，用于依次出射405nm、1064nm和632nm波长的光束，所述405nm用于消杀甲癣表面及周围附着的细菌，所述1064nm用于治疗所述红色毛癣菌致甲癣；所述632nm波长的光束用于康复；

所述移动片用于固定所述输出光纤的出光端，并且可以在会聚位置和发散位置切换，所述移动片位于会聚位置的状态下，所述输出光纤的出光端到所述凸透镜的光心的距离L满足：f＜L＜2f；所述移动片位于发散位置的状态下，所述输出光纤的出光端到所述凸透镜的光心的距离L满足：L＜f。

其中较优地，所述第二激光芯片和所述第三激光芯片均位于所述第一激光芯片和所述耦合器之间，

所述第一激光芯片的出光方向经过所述耦合器的光心，并且与所述输出光纤的中心线对齐，

所述第二激光芯片和所述第三激光芯片的出光方向垂直于所述第一激光芯片的出光方向，并且所述第三激光芯片与所述第二激光芯片相比，到耦合器的距离更近。

其中较优地，所述第一光学镜的光心位于所述第一激光芯片的出光方向，并且所述第一光学镜相对所述第一激光芯片的出光方向倾斜设置。

其中较优地，所述第一光学镜的朝向所述第一激光芯片的入射面，镀有增透膜，以对所述第一激光芯片的出光进行透射；

所述第一光学镜的朝向所述耦合器的出射面，镀有反射膜，以对所述第二激光芯片的出光进行反射。

其中较优地，所述第二光学镜的光心位于所述第一激光芯片的出光方向，并且所述第二光学镜相对所述第一激光芯片的出光方向倾斜设置。

其中较优地，所述第二光学镜的朝向所述第一激光芯片的入射面，镀有增透膜，以对来自所述第一激光芯片的光束和来自所述第二激光芯片的光束进行透射；

所述第二光学镜的朝向所述耦合器的出射面镀有反射膜，以对来自所述第三激光芯片的光束进行反射。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种多波长激光治疗装置的使用方法，包括以下步骤：

S1：利用驱动控制电路，将输出光纤的出光端移动到发散位置；

S2：利用驱动控制电路，对第一激光芯片、第二激光芯片或第三激光芯片之一通电，以发出405nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜发散成大光斑输出；

S3：经第一预设时间后，停止405nm波长的光束，并将输出光纤的出光端移动到会聚位置；

S4：利用驱动控制电路，对第一激光芯片、第二激光芯片或第三激光芯片之一通电，以发出1064nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜会聚成小光斑输出；

S5：经第二预设时间后，停止1064nm波长的光束，并将输出光纤的出光端移动到发散位置；

S6：利用驱动控制电路，对第一激光芯片、第二激光芯片或第三激光芯片之一通电，以发出632nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜发散成大光斑输出，所述大光斑直径大于所述小光斑的直径；

S7：经第三预设时间后，停止632nm波长的光束，并结束。

其中较优地，所述驱动控制电路提供给所述第一激光芯片的电流大于提供给所述第二激光芯片和所述第三激光芯片的电流。

其中较优地，所述第一激光芯片用于提供所述1064nm波长的光束；所述第二激光芯片用于提供所述405nm波长的光束；所述第三激光芯片用于提供所述632nm的波长的光束。

其中较优地，所述第一预设时间为10～60秒，所述第三预设时间为10～30分钟。

与现有技术相比较，本发明通过三种波长分别对红色毛癣菌致甲癣进行消杀、治疗和康复，一次性操作即可使红色毛癣菌致甲癣患者康复，从而减小患者所需就诊次数，适于野外等医疗条件差或治疗时间紧急的应用场景。而且，本发明利用半导体激光芯片提供不同波长的激光，利用锂电池或充电电路供电，有利于实现便携式设计。因此，本发明解决了野外作业人员的红色毛癣菌致甲癣患者医疗难问题。

附图说明

图1为本发明实施例中，用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置的整体结构示意图；

图2A为图1中的光学系统的一种示意图；

图2B为图1中的光学系统的另一种示意图；

图3A为本发明第一实施例中，用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置的光斑调整光路示意图；

图3B为本发明第二实施例中，用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置的光斑调整光路示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明的技术内容进行详细具体的说明。

本发明实施例中的技术构思是利用光学合束镜片组实现在不同时间选择三种波长中的一种，分别用于消毒、治疗和康复。这样就实现一次性操作，完成常规需要在一段时间内分别进行两次操作的治疗和康复效果。因而，特别适于野外这类医疗条件不齐备的情况，也适于由于时间不足而无法分开操作（例如异地就医的情况）的情况，还适于由于病情需要，短时间内就需要完成治疗和康复的情况。

第一实施例

如图1所示，本发明实施例提供的用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置100，包括驱动控制电路1、电源2、光学系统4、风冷散热片5、输出光纤6、手具7。更优选的是，还包括交互屏幕8。

驱动控制电路1从电源2获得供电，并控制光学系统4、风冷散热5、手具7和交互屏幕8。光学系统4用于根据驱动控制电路1的信号，选择输出特定波长的激光，耦合到输出光纤6，以给手具7提供当前需要的波长的激光。

具体而言，结合图2A所示，光学系统4包括第一激光芯片41、第二激光芯片42、第三激光芯片43、第一光学镜44、第二光学镜45以及耦合器46。

为了治疗红色毛癣菌导致的甲癣，需要首先利用405nm的激光进行消毒杀菌；然后利用1064nm的激光进行治疗；最后利用632nm的激光进行加速康复。因此，第一激光芯片41、第二激光芯片42、第三激光芯片43的出光波长分别为405nm、1064nm或632nm中的一种，用于依次出射405nm、1064nm和632nm波长的光束。在本实施例中，第一激光芯片41出光为1064nm激光；第二激光芯片4出光为405nm激光；第三激光芯片43为632nm激光。

第一激光芯片41是用于治疗的激光器，其采用峰值功率数百瓦级别的高功率1064nm半导体激光器，以替代现有技术中的灯泵浦Nd:YAG激光器，能够将1064nm激光的电光效率从2～3%提升到50%以上，并且无需水冷系统。半导体激光器所需供电功率也相应大幅减少。其中1064nm的供电电压为48V以内，驱动电流为30A以下。这样的低电压和大电流条件，可以直接使用高放电倍率的聚合物锂电池组直接放电产生，不需要使用大体积电容器。这就便于实现便携式设计。类似的，第二激光芯片42和第三激光芯片43，分别是500mW以内功率的波长405nm和波长632nm中低功率半导体激光。其中405nm为紫外激光，主要用于细菌和病毒的消杀。632nm红光则是利用光生物学作用，促进组织的修复。这样的设计也有利于实现便携式设计。

如图2B所示，在本实施例中，第一激光芯片41为边发射半导体激光器（简称为EEL），其出光方向与输出光纤6的中心线对齐，以使第一激光芯片41的出光经耦合器46耦合到输出光纤6中。第一激光芯片41通过热沉3固定在封闭的金属壳体40的内部。壳体40与风冷散热片5连接，以对壳体40散热。因此，风冷散热片5能够通过壳体40和热沉3，对第一激光芯片41进行冷却，以减小温漂，也避免灼伤操作者。

第二激光芯片42是边发射半导体激光器，其出光方向垂直于第一激光芯片41的出光方向。而且，第二激光芯片42利用热沉3固定到壳体40。同样利用热沉3和壳体40，由风冷散热片5冷却。

类似的，第三激光芯片43也是边发射半导体激光器，其出光方向垂直于第一激光芯片41的出光方向，并且利用热沉3固定到壳体40，以被风冷散热片5冷却。但是，第三激光芯片43与第二激光芯片42相比，到耦合器46的距离更近。

换言之，第二激光芯片42和第三激光芯片均位于第一激光芯片41和耦合器46之间，其中第一激光芯片41的出光方向经过耦合器46的光心且与输出光纤6的中心线对齐，第二激光芯片42和第三激光芯片的出光方向垂直于第一激光芯片41的出光方向，并且第三激光芯片43与第二激光芯片42相比，到耦合器46的距离更近。

第一光学镜44的光心位于第一激光芯片41的出光方向上，并且第一光学镜44相对第一激光芯片41的出光方向倾斜设置，形成夹角。第一光学镜44的朝向第一激光芯片41的入射面，镀有增透膜，以对第一激光芯片41的出光（具有第一波长，本实施例中为1064nm）进行理论上100%的透射；第一光学镜44的朝向耦合器46的出射面，镀有反射膜，以对第二激光芯片42的出光（具有第二波长，本实施例中为405nm）进行理论上100%的反射。

第二光学镜45的光心位于第一激光芯片41的出光方向，并且第二光学镜45相对第一激光芯片41的出光方向倾斜设置，形成夹角。第二光学镜45的朝向第一激光芯片41的入射面，镀有增透膜，以对来自第一激光芯片41的光束（具有第一波长）和来自第二激光芯片42的光束（具有第二波长，并且不同于第一波长）进行理论上100%的透射。第二光学镜45的朝向耦合器46的出射面镀有反射膜，以对来自第三激光芯片43的光束（具有第三波长，不同于第一波长和第二波长）进行理论上100%的反射。

第一光学镜44和第二光学镜45，共同实现选择不同波长的光束进入耦合镜46。

具体而言，为了实现消杀，驱动控制电路1发出第一信号，使得第一激光芯片41停止出光，第二激光芯片42出光，并且第三激光芯片停止出光。此时，第二激光芯片42的出光，经第一光学镜44的反射，入射到第二光学镜45。经第二光学镜45的透射，入射到耦合器46，被耦合到输出光纤6中。最后经手具7入射到人体表面，对甲癣进行消杀。

为了实现治疗，驱动控制电路1发出第二信号，第一激光芯片41出光，第二激光芯片42和第三激光芯片停止出光。此时，第一激光芯片41的出光光束（1046nm）经过第一光学镜44和第二光学镜45的透射，进入耦合器46，耦合到输出光纤6。此时，用于治疗的第一波长的光束，通过输出光纤6进入手具7，然后入射到人体表面进行治疗。

最后，为了实现加速康复，驱动控制电路1发出第三信号，第一激光芯片41和第二激光芯片42均停止出光，第三激光芯片43出光。此时，第三激光芯片43的出光经第二光学镜45的反射，入射到耦合器46，再经输出光纤6和手具7入射到人体表面。

这样，三束不同波长的激光通过镀有不同波长反射/投射的光学合束镜片（第一光学镜和第二光学镜）进行波长合束，再通过耦合透镜（耦合器），被耦合到输出光纤。

手具7包括移动片81、凸透镜82以及支架83。支架83作为出光端面用于贴合到皮肤，并且支架83在输出光纤的出光方向上有开口，以允许输出光纤的出光经凸透镜82之后从该开口出射到皮肤。

如图3A所示，输出光纤6的入光端固定在壳体40内，与耦合器46耦合在一起；出光端固定在移动片81上。移动片81通过滑轨80固定在壳体40的内壁。滑轨80上设有两个定位件（例如挡块或卡槽等结构），第一定位件A和第二定位件B，以将移动片81定位到图3A中A或B所示的位置。换言之，移动片81在会聚位置（图中A所在位置）和发散位置（图中B所示位置）之间可移动。可以理解，两个定位件不是必需的，也可以采用其他机械结构实现，只需要保证移动片81在会聚位置和发散位置之间可切换，并且能够在两个位置可靠定位，不会发生偏斜或移动即可。

移动片81位于会聚位置的状态下，输出光纤6的出光端到凸透镜82的光心的距离L满足：f＜L＜2f，其中f表示凸透镜的焦距。因此，输出光纤6的出光端出射的光束，经过凸透镜82能够会聚成小光斑，通过支架83的开口照射到甲癣上。在本发明的一个实施例中，小光斑的直径为2～4mm。

移动片81位于发散位置的状态下，输出光纤6的出光端到凸透镜82的光心的距离L满足：L＜f。因此，输出光纤6的出光端出射的光束，经过凸透镜82能够发散成大光斑，并经支架83上的开口照射到甲癣上。在本发明的一个实施例中，大光斑的直径为20～100mm，较优地是30～50mm。

上述两种光斑的设计，一方面是为了提高不同波长的光束的使用效果，另一方面是避免激光辐照过大的人体表面带来的负面作用。具体而言，用405nm波长的激光消杀，或者采用632nm波长的激光进行加速康复，一般是功率在几百毫瓦以下的连续激光；用1064nm波长的激光进行治疗，则数百瓦级的高能脉冲激光，功率远大于405nm波长的激光消杀，或者采用632nm波长的激光的功率。正因为如此，在现有医疗器械的管理制度中，使用1064nm波长的激光进行治疗的设备，在皮肤科使用；采用632nm波长的激光进行加速康复的设备，在理疗科使用。因为医疗器械中低功率和高功率的仪器，具有不同适应症，需要进行分类管理。在审批医疗器械时，不同的两个适应症，需要两次审批过程，会导致产品上市时间延长，所以生产厂商也是分成两个独立设备。另外，高功率的激光仪器只能是经过专业培训的专业人员操作。这些因素都导致高功率（1064nm波长）和低功率（405nm波长和632nm波长）的激光设备不可能被整合在一台设备中。

405nm波长和632nm波长的激光消杀范围大，需要辐照到比甲癣面积更大的表面（需要大光斑），以避免甲癣周围组织的细菌造成术后组织感染。1064nm波长的激光治疗需的峰值功率大，所以不能辐照到甲癣面积之外，所以必需是小光斑，而且是小于指甲面积，常用直径2～4mm的光斑。

在输出光纤6的出光侧，壳体40内部设置有凸透镜82，其光心位于输出光纤的出光方向上，用于对光纤出光进行会聚或发散，从而实现大光斑和小光斑的调整。

在凸透镜82的出光侧，支架83表面有开口，允许光束出射到壳体40之外，以对甲癣表面及其周围进行辐照。支架83作为壳体40的出光端面，用于贴近皮肤表面，使得皮肤表面与凸透镜82的光心之间的距离保持为工作距离（像距）不变。所述大光斑或小光斑的直径，均以支架83处的光斑直径为准。

由于半导体激光器的电光效率极高，系统发热很少，因此半导体激光器仅需要简单的风冷散热片即可完成散热，体积重量均大幅减少。另外，半导体激光器利用晶圆的解理面作为激光器谐振腔，自成一体，无需调节，具有简单可靠、体积小巧、对冲击振动不敏感，因此方便在便携式装置中的集成。

第二实施例

本实施例提供的用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置，与第一实施例的不同之处在于移动片的位置切换的控制方式不同，其余相同。

在第一实施例中，利用驱动控制电路1来控制移动片81的位置切换，即电路控制。本实施例中，利用壳体40外的滑动键9来推动移动片81，从而实现机械控制。

第三实施例

在本发明的第三实施例中，进一步提供第一实施例的多波长激光治疗装置的使用方法，具体包括如下步骤：

S1：利用驱动控制电路1，将输出光纤的出光端移动到发散位置（B）。

本实施例中，采用电路控制来驱动移动片81，使其移动到发散位置（B）处，即使输出光纤6的出光端移动到发散位置。

S2：利用驱动控制电路1，对三个芯片之一通电，以发出405nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜发散成大光斑输出。

本实施例中，使第二激光芯片42发出405nm波长的光束，通过第一光学镜44的反射，入射到第二光学镜45。然后，经第二光学镜45的透射，由耦合器46耦合到输出光纤6中。再经输出光纤6的出光端（此时位于发散位置）入射到凸透镜82。由于此时出光端位于发散位置，即在凸透镜82的焦距f之内，因此输出光纤6出射的光束被凸透镜82发散放大成大光斑，对甲癣表面及其周围进行消杀。此时，以低功率状态进行辐照。

S3：经第一预设时间后，停止405nm波长的光束，并将输出光纤的出光端移动到会聚位置。

在本实施例中，以405nm波长的光束，30mm的大光斑对甲癣表面及其周围进行消杀，辐照时间在10～60秒（第一预设时间）。然后，利用驱动控制电路1，使移动片82移动到会聚位置。

S4：利用驱动控制电路1，对三个芯片之一通电，以发出1064nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜会聚成小光斑输出。

类似的，利用驱动控制电路1，使第一激光芯片41发出1064nm波长的光束，通过第一光学镜44的透射，入射到第二光学镜45。然后，经第二光学镜45的透射，由耦合器46耦合到输出光纤6中。再经输出光纤6的出光端（此时位于会聚位置）入射到凸透镜82。由于此时出光端位于会聚位置，因此输出光纤6出射的光束被凸透镜82会聚成小光斑，仅对甲癣表面进行辐照治疗。

而且，还要利用驱动控制电路1提高第一激光芯片的电流（该电流大于提供给第二激光芯片的电流），以使1064nm波长的光束的能量增加到治疗所需要几百瓦程度（例如300～500W）。

S5：经第二预设时间后，停止1064nm波长的光束，并将输出光纤的出光端移动到发散位置。

在本实施例中，以1064nm波长的光束，直径3mm的小光斑对甲癣表面进行辐照。辐照时间由操作者根据病情决定，例如辐照时间在5～30分钟（第二预设时间）。然后，利用驱动控制电路1，使移动片82移动到发散位置。

S6：利用驱动控制电路1，对三个芯片之一通电，以发出632nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜发散成大光斑输出。

本实施例中，使第三激光芯片43发出632nm波长的光束，通过第二光学镜45的反射，由耦合器46耦合到输出光纤6中。再经输出光纤6的出光端（此时位于发散位置）入射到凸透镜82。由于此时出光端位于发散位置，因此输出光纤6出射的光束被凸透镜82发散放大成大光斑，对甲癣表面及其周围进行辐照。

S7：经第三预设时间后，停止632nm波长的光束，并结束。

在本实施例中，以632nm波长的光束，直径30mm的大光斑对甲癣表面及其周围进行辐照，辐照时间在10～30分钟（第三预设时间）。此时，驱动控制电路1对第三激光芯片提供的电流小于对第一激光芯片提供的电流（即，提供给第一激光芯片的电流最大，以使其具有高功率高能量进行治疗），以低功率状态进行辐照。

综上所述，本发明实施例提供的用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置，集成三种波长，针对野战下的恶劣卫生条件，一次性完成消杀(405nm)、治疗(1064nm)和康复(632nm)过程，减少了门诊次数。而且，采用高电光效率的半导体激光器替代固体激光器，实现了风冷设计以降低能耗，并且实现便携式设计。此外，采用锂电池和充电电路两种设计，以适应多种使用环境，增加电池续航能力。

需要说明的是，上述多个实施例只是举例，各个实施例的技术方案之间可以进行组合，均在本发明的保护范围内。本发明的步骤顺序可以根据实际需要而改变，步骤之间的先后顺序可以改变，串行处理也可以改变为并行处理，不限定于实施例中列举的步骤顺序。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

上面对本发明提供的用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置及使用方法进行了详细的说明。对本领域的一般技术人员而言，在不背离本发明实质内容的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都将构成对本发明专利权的侵犯，将承担相应的法律责任。

Claims (10)

1.一种用于红色毛癣菌致甲癣的多波长激光治疗装置，其特征在于包括驱动控制电路、电源、光学系统、风冷散热片、输出光纤以及手具；其中，

所述手具包括移动片、凸透镜以及支架，所述支架作为出光端面用于贴合到皮肤，

所述驱动控制电路由所述电源供电，控制所述光学系统、风冷散热片、移动片和凸透镜，

所述光学系统包括第一激光芯片、第二激光芯片、第三激光芯片、第一光学镜、第二光学镜以及耦合器，

光束经耦合器耦合到所述输出光纤，并从所述手具的出光端面出光；其中，所述第一激光芯片、所述第二激光芯片、所述第三激光芯片的出光波长分别为405nm、1064nm或632nm中的一种，用于依次出射405nm、1064nm和632nm波长的光束，所述405nm用于消杀甲癣表面及周围附着的细菌和病毒，所述1064nm用于治疗所述红色毛癣菌致甲癣；所述632nm波长的光束用于康复；

所述移动片用于固定所述输出光纤的出光端，并且可在会聚位置和发散位置切换，所述移动片位于会聚位置的状态下，所述输出光纤的出光端到所述凸透镜的光心的距离L满足：f＜L＜2f；所述移动片位于发散位置的状态下，所述输出光纤的出光端到所述凸透镜的光心的距离L满足：L＜f。

2.如权利要求1所述的多波长激光治疗装置，其特征在于：

所述第二激光芯片和所述第三激光芯片均位于所述第一激光芯片和所述耦合器之间，

所述第一激光芯片的出光方向经过所述耦合器的光心，并且与所述输出光纤的中心线对齐，

所述第二激光芯片和所述第三激光芯片的出光方向垂直于所述第一激光芯片的出光方向，并且所述第三激光芯片与所述第二激光芯片相比，到耦合器的距离更近。

3.如权利要求2所述的多波长激光治疗装置，其特征在于：

所述第一光学镜的光心位于所述第一激光芯片的出光方向，并且所述第一光学镜相对所述第一激光芯片的出光方向倾斜设置。

4.如权利要求3所述的多波长激光治疗装置，其特征在于：

所述第一光学镜的朝向所述第一激光芯片的入射面，镀有增透膜，以对所述第一激光芯片的出光进行透射；

所述第一光学镜的朝向所述耦合器的出射面，镀有反射膜，以对所述第二激光芯片的出光进行反射。

5.如权利要求4所述的多波长激光治疗装置，其特征在于：

所述第二光学镜的光心位于所述第一激光芯片的出光方向，并且所述第二光学镜相对所述第一激光芯片的出光方向倾斜设置。

6.如权利要求5所述的多波长激光治疗装置，其特征在于：

所述第二光学镜朝向所述第一激光芯片的入射面，镀有增透膜，以对来自所述第一激光芯片的光束和来自所述第二激光芯片的光束进行透射；

所述第二光学镜朝向所述耦合器的出射面镀有反射膜，以对来自所述第三激光芯片的光束进行反射。

7.如权利要求1～6中任意一项所述的多波长激光治疗装置的使用方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：利用驱动控制电路，将输出光纤的出光端移动到发散位置；

S2：利用驱动控制电路，对第一激光芯片、第二激光芯片或第三激光芯片之一通电，以发出405nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜发散成大光斑输出；

S3：经第一预设时间后，停止405nm波长的光束，并将输出光纤的出光端移动到会聚位置；

S4：利用驱动控制电路，对第一激光芯片、第二激光芯片或第三激光芯片之一通电，以发出1064nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜会聚成小光斑输出；

S5：经第二预设时间后，停止1064nm波长的光束，并将输出光纤的出光端移动到发散位置；

S6：利用驱动控制电路，对第一激光芯片、第二激光芯片或第三激光芯片之一通电，以发出632nm波长的光束，耦合到输出光纤后，经凸透镜发散成大光斑输出，所述大光斑直径大于所述小光斑的直径；

S7：经第三预设时间后，停止632nm波长的光束，并结束。

8.如权利要求7所述的多波长激光治疗装置的使用方法，其特征在于：

所述驱动控制电路提供给所述第一激光芯片的电流大于提供给所述第二激光芯片和所述第三激光芯片的电流。

9.如权利要求8所述的多波长激光治疗装置的使用方法，其特征在于：

所述第一激光芯片用于提供所述1064nm波长的光束；所述第二激光芯片用于提供所述405nm波长的光束；所述第三激光芯片用于提供所述632nm的波长的光束。

10.如权利要求9所述的多波长激光治疗装置的使用方法，其特征在于：

所述第一预设时间为10～60秒，所述第三预设时间为10～30分钟。