CN117706876A - 确定装置、图案形成装置以及用于制造物品的方法 - Google Patents

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Abstract

一种确定装置，能够在抑制装置的生产率降低的情况下确定在基片台上是否有异物，根据本发明的确定装置设置成根据安装在第一基片台上的基片的基片表面的第一检测结果和安装在第二基片台上的基片的基片表面的第二检测结果来确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面的状态。还涉及用于测量基片的基片表面的状态的测量装置、用于在基片上形成图案的图案形成装置、基片处理系统、用于制造物品的方法、确定方法、计算机可读记录介质。

Description

确定装置、图案形成装置以及用于制造物品的方法
技术领域
本发明涉及一种确定装置。
背景技术
通常，在曝光装置中，当在用于保持基片的基片卡盘上有异物时，基片的基片表面在有异物的位置处升高，且基片表面在该位置附近变形，从而降低了叠加精度。
因此，为了抑制叠加精度的降低，曝光装置需要检测和除去在基片卡盘上的异物。
日本专利申请特开No.2015-095602公开了一种确定装置，用于通过获得由基片卡盘保持的参考基片上的焦点测量值以及使得所获得的焦点测量值与参考焦点测量值进行比较而确定在基片卡盘上是否存在异物。
在日本专利申请特开No.2015-095602公开的确定装置中，当需要确定在曝光装置中的基片卡盘上是否存在异物时，通过中断曝光装置中的曝光处理而使用参考基片来执行确定处理。
因此，可以在曝光装置中执行曝光处理的时间减少了，从而降低了生产率。
发明内容
本发明的目的是提供一种确定装置，其能够在抑制装置生产率降低的情况下确定在基片台上是否有异物。
根据本发明的确定装置设置成根据安装在第一基片台上的基片的基片表面的第一检测结果和安装在第二基片台上的基片的基片表面的第二检测结果来确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面的状态。
通过下面参考附图对示例实施例的说明，将清楚本发明的其他特征。
附图说明
图1A是设有根据本发明的确定装置的基片处理系统的方框图。
图1B是在本发明中使用的测量装置的示意剖视图。
图1C是在本发明中使用的曝光装置的示意剖视图。
图2是表示在根据本发明的确定装置中的处理的流程图。
图3A是表示由根据本发明的确定装置获得的检测结果的实例的曲线图。
图3B是表示由根据本发明的确定装置获得的检测结果的实例的曲线图。
具体实施方式
下面将参考附图详细介绍根据本发明的确定装置。应当注意，下面所示的附图以与实际比例不同的比例来绘制，以便于理解本发明。
而且，与基片4的基片表面垂直的方向定义为Z方向，在与基片表面平行的平面中彼此正交的两个方向定义为X方向和Y方向。
通常，使用扫描曝光装置，该扫描曝光装置通过用曝光用光照射基片的基片表面来相对地扫描基片和原件而在基片上执行曝光处理。
在扫描曝光装置中，当在基片表面上的预定曝光区域进行曝光时，通常在预定曝光区域沿扫描方向来回测量多个位置处焦点值。
具体地说，从焦点检测系统的光发射单元发射的多个检测光束在曝光区域中的多个位置处反射，然后由焦点检测系统的光接收单元来接收。
接下来，根据多个检测光束在光接收单元的光接收表面上的相应入射位置而获得曝光区域中的多个位置的各高度(即各焦点测量值)。
然后，根据在曝光区域中的多个位置中的各位置处测量的高度，控制用于保持基片的基片台的位置，使得曝光区域的形状与投影光学系统的图像平面重合。
如上所述，在通常的处理中，由焦点检测系统获得的焦点测量值根据在基片表面上的位置而逐渐变化。
另一方面，当在基片表面上或在用于将基片保持在基片台上的基片卡盘上有异物时，基片表面的高度(即焦点测量值)在异物存在的位置处急剧变化。
而且，在半导体制造场所非常注意在基片卡盘上的异物，并周期性地清洁基片卡盘，或者在一些情况下更换基片卡盘。
通常，用于确定基片表面上或基片卡盘上是否存在异物的各种技术是已知的。
例如，已知一种曝光装置，该曝光装置可以通过获得多个基片的焦点测量值来确定基片卡盘上是否存在异物，这些基片包括正常曝光基片和用于检查异物的参考基片，以便对它们相互比较。
不过，由于曝光装置执行获得多个基片的每个焦点测量值的处理，因此减少了曝光装置可以执行曝光处理的时间，从而降低了生产率。
而且，已知一种压印装置，该压印装置能够通过使用图像拾取单元来拾取图案表面的图像而检测存在于模具的图案表面上的异物。
而且，已知一种压印装置，该压印装置能够通过使用图像拾取单元来拾取由基片卡盘保持的基片的后表面的图像而检测存在于基片卡盘上的异物。
不过，由于需要重新提供图像拾取单元，因此这种压印装置的尺寸和成本增加。
本发明的目的是提供一种能够以高生产率来检测存在于基片卡盘上的异物的确定装置。
图1A表示了设有根据本发明的确定装置20的基片处理系统50(半导体制造装置系统)的框图。
而且，图1B和1C分别表示了设置在基片处理系统50中的对齐/焦点测量装置(下文中称为“测量装置”)1和曝光装置7的示意剖视图。
如图1B所示，测量装置1包括对齐瞄准器2、焦点检测系统3(表面位置检测器、检测单元)、基片卡盘5(第一基片卡盘)和基片台6(第一基片台)。
对齐瞄准器2通过检测在基片4的基片表面上形成的对齐标记(未示出)而测量基片4在XY平面中的位置。
焦点检测系统3包括光发射单元3a例如发光二极管(LED)和光接收单元3b例如电荷耦合器件(CCD)。
在焦点检测系统3中，检测光从光发射单元3a发射，以便沿与基片4的基片表面不平行且不垂直的方向倾斜地入射在基片表面上。然后，由基片表面反射的检测光由光接收单元3b接收。
这时，可以根据检测光在光接收单元3b的光接收表面上的入射位置来测量基片表面沿Z方向的高度，即基片4的表面位置(焦点)。
基片卡盘5(第一基片卡盘)设置成通过真空抽吸来吸住和保持基片4。
基片台6设置成保持基片卡盘5，并且能够运动，以便至少沿X方向、Y方向和Z方向定位基片4。
利用上述结构，测量装置1可以测量基片4的表面状态，即基片表面的状态。
特别是，当在前一步骤中已经在基片4的基片表面上形成基底图案时，对齐瞄准器2和焦点检测系统3可以用于测量基片4的基片表面上的变形量、凹凸形状等。
也就是说，例如测量装置1可以是用于在曝光装置7执行曝光处理之前测量基片4的基片表面上的变形量、凹凸形状等的测量装置。
如图1C所示，曝光装置7包括投影光学系统9、对齐瞄准器10、焦点检测系统11(表面位置检测器、检测单元)、基片卡盘13(第二基片卡盘)和基片台14(第二基片台)。
投影光学系统(缩小投影光学系统)9设置成将从照明光学系统(未示出)发射的穿过掩模片(掩模)8的曝光用光引导至基片4。
焦点检测系统11包括光发射单元11a和光接收单元11b，并有与焦点检测系统3相同的结构。
而且，对齐瞄准器10、基片卡盘13(第二基片卡盘)和基片台14分别有与对齐瞄准器2、基片卡盘5和基片台6相同的结构，因此省略它们的说明。
在曝光装置7中，穿过掩模片8的曝光用光被引导至基片4的基片表面上，以便将图案转印(缩小投影)至基片表面上，该掩模片8安装在掩模片台(未示出)上，电路图案(图案)画在(形成在)该掩模片台(未示出)上。
图2表示了在根据本发明的确定装置20中的处理的流程图。
应当注意，流程图中的各步骤例如由设置在确定装置20中的控制器(未示出)来控制。
首先，测量装置1对基片4的基片表面执行预定测量，然后从测量装置1获得测量结果(第一检测结果)(步骤S1)。
在步骤S1中，例如，通过使用焦点检测系统3来测量在基片4的基片表面上的各位置(x，y)处的焦点值F1(高度Z，表面位置)。
接下来，基片4通过传送单元(未示出)而从测量装置1传送至曝光装置7(步骤S2)，曝光装置7执行对基片4的基片表面的预定测量，然后从曝光装置7获得测量结果(第二检测结果)(步骤S3)。
在步骤S3中，例如，通过使用焦点检测系统11来测量在基片4的基片表面上的各位置(X，Y)处的焦点值F2(高度Z，表面位置)。
然后，对在步骤S1中获得的测量结果和在步骤S3中获得的测量结果彼此比较(步骤S4)。
图3A和3B分别表示了在步骤S1中从测量装置1获得的测量结果和在步骤S3中从曝光装置7获得的测量结果的实例。
具体地说，图3A表示了在测量装置1中的基片4的基片表面上沿X方向的预定位置X0和沿Y方向的各位置处的焦点值F1(X0，Y)。
而且，图3B表示了在曝光装置7中的基片4的基片表面上沿X方向的预定位置X0和沿Y方向的各位置处的焦点值F2(X0，Y)。
如图3A及3B中所示，焦点值F1(X0，Y)和焦点值F2(X0，Y)彼此不同。
具体地说，在焦点值F2(X0，Y)中检测到在位置Y0附近的快速增加，这在焦点值F1(X0，Y)中未检测到。
应当注意，基片4的基片表面的位置变得更高，换句话说，基片表面沿Z方向进一步向正侧移位，又换句话说，沿Z方向在焦点检测系统3和基片表面之间的距离变得更小，由焦点检测系统3测量的焦点值F1变得更大。这也适用于焦点检测系统11。
假设在基片4的基片表面上没有发生变化，例如，当基片4通过传送单元(未示出)而从测量装置1传送至曝光装置7时在基片4的基片表面上没有新出现异物。
这时，焦点值F2(X0，Y)在位置Y0附近的这种快速增加意味着测量装置1的基片卡盘5和曝光装置7的基片卡盘13的表面的状态在位置(X0，Y0)处彼此不同。
也就是说，由于在基片4的基片表面的位置(X0，Y0)处的高度Z由于在曝光装置7的基片卡盘13的表面上存在异物例如灰尘或污垢而增加，所以在位置Y0附近的焦点值F2(X0，Y)增加。
应当注意，假设在根据本发明的确定装置20中在测量装置1的基片卡盘5和曝光装置7的基片卡盘13的相应表面上的相同位置处没有异物。
因此，在步骤S4中，计算在焦点值F2和焦点值F1之间的差值F2-F1，以便使它与在基片4的基片表面上的各位置处的阈值F0(预定阈值)进行比较。
具体地说，在步骤S4中，确定差值的绝对值|F2-F1|在基片4的基片表面上的各位置处是否小于阈值F0。
当在基片4的基片表面上的任何位置处|F2-F1|小于阈值F0(步骤S4中的“是”)时，处理进行到步骤S5。
在这种情况下，例如，确定在测量装置1的基片卡盘5和曝光装置7的基片卡盘13中的每一个的、安装了基片4的区域上没有异物，且曝光装置7在基片4上执行曝光处理(步骤S5)。
另一方面，例如，当在基片4的基片表面上沿X方向的预定位置X0和沿Y方向的预定位置Y0处|F2-F1|等于或大于阈值F0(步骤S4中的“否”)时，处理进入步骤S6。
在步骤S6中，确定在基片4的基片表面上的位置(X0，Y0)处差值F2-F1是否等于或大于阈值F0。
当在基片4的基片表面上的位置(X0，Y0)处差值F2-F1等于或大于阈值F0时，如在图3A和3B的实例中(步骤S6中的“是”)，确定在曝光装置7的基片卡盘13的表面上的位置(X0，Y0)处有异物。然后，通过使用清洁单元(未示出)来清洁基片卡盘13的表面(步骤S7)。
另一方面，当在基片4的基片表面上的位置(X0，Y0)处的差值F2-F1不等于或大于阈值F0(步骤S6中的“否”)时，确定差值F2-F1等于或小于-F0，即在基片4的基片表面上的位置(X0，Y0)处的差值F2-F1等于或大于阈值F0。因此，确定在测量装置1的基片卡盘5的表面上的位置(X0，Y0)处有异物，且通过使用清洁单元(未示出)来清洁基片卡盘5的表面(步骤S8)。
如上所述，根据本发明的确定装置20获得关于安装在测量装置1的基片卡盘5上的基片4的基片表面的第一检测结果。
而且，它获得关于安装在曝光装置7的基片卡盘13上的基片4的基片表面的第二检测结果。
然后，根据第一检测结果和第二检测结果，可以确定在基片卡盘5和基片卡盘13的相应表面的状态中的异常，例如异物的存在。
因此，与传统装置相比，根据本发明的确定装置20能够减少安装在基片卡盘13上的基片的数量(以便检查曝光装置7的基片卡盘13的表面的状态)和基片表面的检测次数。
因此，可以抑制能够执行曝光处理的时间(即曝光装置7中的生产率)的减少。
尽管根据本发明的确定装置20通过使用焦点检测系统来获得在基片4的基片表面上的各位置处的高度(焦点)的检测数据，但是本发明并不局限于此。
也就是说，例如，根据本发明的确定装置20可以通过使用图像拾取单元从获得的图像数据中视觉检测在基片4的基片表面上的预定位置处的凸起等而拾取基片4的基片表面的图像，从而获得基片表面的图像数据。
而且，高度Z增加，因此，在上面的说明中，焦点值F由于在基片卡盘的表面上存在异物而在基片4的基片表面上的预定位置(X0，Y0)处增加，本发明并不局限于此。
也就是说，根据本发明的确定装置20可以检测到高度Z减小，因此，焦点值F由于在基片卡盘的表面上存在凹口(例如划痕)而在基片4的基片表面上的预定位置(X0，Y0)处减小。
例如，当在步骤S6中确定在位置(X0，Y0)处差值F2-F1等于或大于阈值F0时，原因可能不是在曝光装置7的基片卡盘13的表面上的异物，而是形成于测量装置1的基片卡盘5的表面上的凹口。
这时，即使当在步骤S7中清洁了基片卡盘13的表面时，仍然在步骤S6中确定在位置(X0，Y0)处差值F2-F1等于或大于阈值F0。
在这种情况下，可以确定在测量装置1的基片卡盘5的表面上有凹口，以便指示测量装置1更换基片卡盘5。
而且，基片4通过传送单元(未示出)而在测量装置1的基片卡盘5上的传送位置和基片4通过传送单元(未示出)而在曝光装置7的基片卡盘13上的传送位置可以彼此不同。
换句话说，安装在基片卡盘5上的基片4的基片表面在XY平面中相对于焦点检测系统3的相对位置和安装在基片卡盘13上的基片4的基片表面在XY平面中相对于焦点检测系统11的相对位置可以彼此不同。
这时，在安装于基片卡盘5上的基片4的基片表面上的各位置(X，Y)处的焦点值F1和在安装于基片卡盘13上的基片4的基片表面上的各位置(X，Y)处的焦点值F2彼此不同。
在这种情况下，预先测量基片4通过传送单元(未示出)而在测量装置1的基片卡盘5上的传送位置和基片4通过传送单元(未示出)而在曝光装置7的基片卡盘13上的传送位置。
然后，可以根据在测量的传送位置之间的差值来校正当基片4安装在基片卡盘5上时基片表面的位置和当基片4安装在基片卡盘13上时基片表面的位置中的至少一个。
换句话说，在对在步骤S1中获得的测量数据的XY坐标系统和在步骤S3中获得的测量数据的XY坐标系统中的至少一个进行校正之后，可以在每一位置(X，Y)处计算焦点值的差值F2-F1。
而且，当确定在测量装置1的基片卡盘5的表面上有异物时，根据本发明的确定装置20可以通过使用图像拾取单元来拾取基片卡盘5的表面的图像而获得基片卡盘5的表面的图像，以便提高确定的精度。
类似地，当确定在曝光装置7的基片卡盘13的表面上有异物时，根据本发明的确定装置20可以通过使用图像拾取单元来拾取基片卡盘13的表面的图像而获得基片卡盘13的表面的图像，以便提高确定的精度。
如上所述，由根据本发明的确定装置20获得的焦点值的差值F2-F1与在安装于基片卡盘5上的基片4的基片表面的高度和安装于基片卡盘13上的基片4的基片表面的高度之间的差值相对应。
也就是说，焦点值的差值与存在于基片卡盘5和基片卡盘13中的一个上的异物的尺寸相对应。
因此，可以相对于焦点值的差值提供与异物的多个尺寸相对应的多个阈值，以便在焦点值的差值只超过相对小的阈值(即存在的异物较小)时执行并不进行清洁的确定处理。
尽管上面已经介绍了用于确定在测量装置1的基片卡盘5和曝光装置7的基片卡盘13的相应表面上的异物的存在的确定装置20，但是本发明并不局限于此。
也就是说，根据本发明的确定装置20可以类似地确定在具有两级结构的曝光装置中设置的第一级的基片卡盘和第二级的基片卡盘的相应表面上是否存在异物。
而且，根据本发明的确定装置20可以类似地确定在第一曝光装置的基片卡盘和第二曝光装置的基片卡盘的相应表面上是否存在异物。
而且，根据本发明的确定装置20可以类似地确定在三个或更多基片卡盘的相应表面上是否存在异物。
另外，根据本发明的确定装置20可以类似地确定在部件(构件)表面(基片安装在该表面上)上是否存在异物，而不是在基片卡盘上。
尽管上面已经介绍了用于确定在曝光装置7的基片卡盘13的表面上是否存在异物的确定装置20，但是本发明并不局限于此。
也就是说，根据本发明的确定装置20可以确定在图案形成装置(例如压印装置或绘图装置)中设置的基片卡盘的表面上是否存在异物。
这里提及的压印装置是这样的装置，它使得供给至基片和模具上的压印材料彼此接触，然后将固化能量施加至压印材料，以便形成固化产品的图案，模具的图案转印至所述固化产品的图案。
而且，这里提及的绘图装置是这样的装置，它通过使用带电粒子束(电子束)或激光束来在基片上绘图而在基片上形成图案(潜像图案)。
在上述说明中，尽管根据本发明的确定装置20独立于各测量装置1和曝光装置7地设置，但是本发明并不局限于此。
也就是说，根据本发明的确定装置20可以包含在测量装置1或曝光装置7中。
而且，尽管根据本发明的确定装置20通过使用相同基片4来确定测量装置1的基片卡盘5和曝光装置7的基片卡盘13中的每一个上是否存在异物，但是本发明并不局限于此，可以使用多个基片。
例如，首先，在多个基片中的每一个安装于测量装置1的基片卡盘5上的状态下，获得在相应基片表面上的各位置处的焦点值。
然后，例如，当通过使得相应基片表面上的各位置处的焦点值彼此比较，在多个基片表面上的相同位置处的焦点值等于或大于阈值时，可以确定在基片卡盘5上的该位置处存在异物。
这样，当确定在测量装置1的基片卡盘5上有异物时，清洁基片卡盘5的表面。
然后，例如，当在步骤S4中在基片4的基片表面上的预定位置(X0，Y0)处|F2-F1|等于或大于阈值F0时，通过执行图2所示的处理，可以确定在曝光装置7的基片卡盘13上有异物。
也就是说，在这种情况下，可以指示曝光装置7清洁基片卡盘13的表面，而并不执行步骤S6中的处理。
而且，通过将多个基片中的每一个安装在测量装置1的基片卡盘5上以获得在相应基片表面上的各位置处的焦点值，可以获得存在于各基片的基片表面上的异物的位置。
这还可以提高确定在测量装置1的基片卡盘5和曝光装置7的基片卡盘13中的每一个上的异物的存在的准确度。
尽管上面已经介绍了优选实施例，但是本发明并不局限于这些实施例，在本发明的主旨范围内可以进行各种变化和改变。
另外，尽管上面已经介绍了根据本发明的确定装置，但是用于确定异物的存在的方法、用于执行该方法的程序以及记录该程序的计算机可读记录介质也包含在本发明的范围内。
根据本发明，可以提供一种确定装置，该确定装置能够确定在基片台上是否存在异物，且抑制装置生产率的降低。
【制造物品的方法】
根据本发明的用于制造物品的方法适合于制造包括微器件(例如具有微结构的半导体器件或元件)的物品。
根据本发明的用于制造物品的方法包括通过使用曝光装置7而在施加于基片的光致抗蚀剂上形成潜像图案的步骤(曝光基片的曝光步骤)。
而且，根据本发明的用于制造物品的方法包括显影基片的显影步骤(处理步骤)，潜像图案在曝光步骤中形成于该显影基片上。
而且，用于制造根据本发明的物品的方法包括在显影步骤中显影的基片上进行的其他众所周知的制造步骤(氧化、成膜、气相沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、光致抗蚀剂剥离、切割、粘合、包装等)。
与常规方法相比，根据本发明的用于制造物品的方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面很有利。
尽管已经参考示例实施例介绍了本发明，但是应当理解，本发明并不局限于公开的示例实施例。附加权利要求的范围应当符合最广义的解释，以便覆盖所有这些变化形式以及等效的结构和功能。

Claims (18)

1.一种确定装置，其设置成根据安装在第一基片台上的基片的基片表面的第一检测结果和安装在第二基片台上的基片的基片表面的第二检测结果来确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面的状态。
2.根据权利要求1所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成根据当基片安装在第一基片台上时基片表面的各位置处的高度以及当基片安装在第二基片台上时基片表面的各位置处的高度来确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面上是否有异物。
3.根据权利要求2所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成使得检测单元检测当基片安装在第一基片台上时基片表面上的各位置处的焦点值以及当基片安装在第二基片台上时基片表面上的各位置处的焦点值。
4.根据权利要求3所述的确定装置，其中：检测单元设置成通过沿与所述基片的基片表面不平行且不垂直的方向朝向基片表面发射出检测光并且接收由基片表面反射的检测光而检测焦点值。
5.根据权利要求3所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成计算在当基片安装于第一基片台上时基片表面上的各位置处的焦点值以及当基片安装于第二基片台上时基片表面上的各位置处的焦点值之间的差值，以便根据计算的差值来确定在第一基片台和第二基片台中的每一个的表面上是否有异物。
6.根据权利要求5所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成当计算的差值的绝对值在基片表面上的任何位置处小于预定阈值时确定在第一基片台和第二基片台中的每一个的表面上没有异物。
7.根据权利要求5所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成：当在基片安装于第一基片台上时在预定位置处获得的焦点值比在基片安装于第二基片台上时在预定位置处获得的焦点值大预定阈值或更多时，确定在与第一基片台的表面上的基片表面的预定位置相对应的位置处有异物，而当在基片安装于第二基片台上时在预定位置处获得的焦点值比在基片安装于第一基片台上时在预定位置处获得的焦点值大预定阈值或更多时，确定在与第二基片台的表面上的预定位置相对应的位置处有异物。
8.根据权利要求7所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成：当确定在第一基片台的表面上有异物时使得清洁单元清洁第一基片台的表面，而当确定在第二基片台的表面上有异物时使得清洁单元清洁第二基片台的表面。
9.根据权利要求5所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成：当计算差值时，根据基片通过传送单元而传送至第一基片台的传送位置和基片通过传送单元而传送至第二基片台的传送位置来对当基片安装在第一基片台上时基片表面的位置和当基片安装在第二基片台上时基片表面的位置中的至少一个进行校正。
10.根据权利要求1所述的确定装置，其中：
基片通过由设置在第一基片台上的第一基片卡盘吸附保持而安装在第一基片台上，以及
基片通过由设置在第二基片台上的第二基片卡盘吸附保持而安装在第二基片台上。
11.根据权利要求1所述的确定装置，其中：所述确定装置设置成：当确定在第一基片台的表面上有异常时使得图像拾取单元拾取第一基片台的表面的图像，而当确定在第二基片台的表面上有异常时使得图像拾取单元拾取第二基片台的表面的图像。
12.根据权利要求1所述的确定装置，其中：第一检测结果和第二检测结果中的每一个包括在基片表面上的各位置处的焦点值的检测数据和基片表面的图像数据中的至少一个。
13.一种用于测量基片的基片表面的状态的测量装置，包括：
所述第一基片台，基片安装在所述第一基片台上；以及
根据权利要求1至12中任意一项所述的确定装置。
14.一种用于在基片上形成图案的图案形成装置，包括：
所述第二基片台，基片安装在是第二基片台上；以及
根据权利要求1至12中任意一项所述的确定装置。
15.一种基片处理系统，包括：
测量装置，所述测量装置设置成测量所述基片的基片表面的状态，所述测量装置包括第一基片台，基片安装在所述第一基片台上；
图案形成装置，所述图案形成装置设置成在所述基片上形成图案，所述图案形成装置包括第二基片台，基片安装在所述第二基片台上；以及
根据权利要求1至12中任意一项所述的确定装置。
16.一种用于制造物品的方法，包括：
通过使用根据权利要求14所述的图案形成装置而在所述基片上形成图案；以及
对图案形成于其上的所述基片进行处理，以便获得物品。
17.一种确定方法，包括：根据安装在第一基片台上的基片的基片表面的第一检测结果和安装在第二基片台上的基片的基片表面的第二检测结果来确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面的状态。
18.一种计算机可读记录介质，其记录用于使计算机确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面的状态的程序，该程序使计算机执行：根据安装在第一基片台上的基片的基片表面的第一检测结果和安装在第二基片台上的基片的基片表面的第二检测结果来确定第一基片台和第二基片台中的每一个的表面的状态。
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