CN117693226A - 发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

发光器件及其制备方法、显示装置 Download PDF

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CN117693226A CN202211704500.4A CN202211704500A CN117693226A CN 117693226 A CN117693226 A CN 117693226A CN 202211704500 A CN202211704500 A CN 202211704500A CN 117693226 A CN117693226 A CN 117693226A
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余磊
付东
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Abstract

本发明涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置，所述发光器件包括依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、界面层、发光层和第二电极；所述界面层的材料包括具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒。该发光器件的发光效率高。

Description

发光器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域，特别一种发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)等发光器件是将电流转换为光的器件，可以通过调控发光物质的种类及其的组成比来表现各种颜色，已经被应用于各种装置，例如显示装置的背光单元、电子标牌、显示装置和家用电器等。
有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)等发光器件都是通过载流子的注入和复合而致发光，主要过程为：阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光物质最终产生可见光。
然而，随着人们对显示装置的效率及寿命要求的提高，传统的发光器件的发光效率难以满足人们的需求。因此，传统技术仍有待改进。
发明内容
基于此，本发明提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，旨在提高发光器件的发光的效率。
在本发明的第一方面，提供一种发光器件，包括依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、界面层、发光层和第二电极；
所述界面层的材料包括具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒。
上述发光器件中，在空穴注入层与发光层之间设有界面层，界面层的材料包括具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒，可以与发光层之间形成局域的等离子共振增强的作用，进而可以提升发光器件的发光效率。
在其中一些实施例中，所述界面层具有凹凸结构。
界面层具有凹凸结构，如此可以使其上面的其他功能层相应地形成带有凹凸形态的曲面膜层结构，减少了全发射，增加光取出率，进一步提升发光器件的发光效率。
在其中一些实施例中，所述界面层的厚度不均匀，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自1nm～100nm；
可选地，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自1nm～10nm；
可选地，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自2nm～10nm；
可选地，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自2nm～5nm。
在其中一些实施例中，所述界面层的表面粗糙度的均方根值≥2.5nm；
可选地，所述界面层的表面粗糙度的均方根值为2.5nm～4nm。
在其中一些实施例中，所述纳米颗粒的平均粒径范围为3nm～10nm；和/或，
所述纳米颗粒包括金属纳米颗粒；
可选地，所述金属纳米颗粒选自Cu、Al、Au、Ag、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的至少一种。
在其中一些实施例中，所述发光器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述界面层与所述发光层之间。
在其中一些实施例中，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；所述过渡金属氧化物选自NiO、MoO2、WO3、CuO中的一种或多种，所述过渡金属硫系化合物选自MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS中的一种或多种；和/或
所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、Spiro-NPB、Spiro-TPD、掺杂或非掺杂的NiO、MoO3、WO3、V2O5、P型氮化镓、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS、CuSCN中的一种或多种；和/或
所述发光层的材料为量子点或有机发光材料中的至少一种；所述量子点包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核包括所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和所述单一结构量子点中的至少一种；所述有机发光材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种。
在其中一些实施例中，所述发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层位于所述发光层和所述第二电极之间，所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层中的至少一种；和/或
所述发光器件还包括光取出层，所述光取出层位于所述第二电极远离所述电子功能层的一侧。
在其中一些实施例中，所述电子传输层的材料包括二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(TSPO1)、n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、CsF、LiFCsCO3中的一种或多种
所述电子注入层的材料包括三(8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉代锂、2-(4-联苯基))-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4恶二唑、3-(4-联苯)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑、螺-PBD、双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚)铝、(2,2',2-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑、苯并噻唑、2-[4-(9,10-二-2-萘2-基-2-蒽-2-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的一种或多种；
所述光取出层的材料包括SnO2、TiO2、ZrO2、铟锌氧化物、HfO2及ZnO2中的至少一种。
在其中一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极的材料分别独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物中的至少一种；
可选地，所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂的ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种；
所述第一电极和/或所述第二电极选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
本发明的第二方面，提供一种发光器件的制备方法，包括以下制备步骤：
提供设有第一电极的基板，在所述第一电极的表面形成空穴注入层；
采用界面层材料在所述空穴注入层远离所述第一电极的一侧形成界面层；
在所述界面层远离所述空穴注入层的一侧依次形成发光层和第二电极，得到所述发光器件；
或，所述发光器件的制备方法包括以下制备步骤：
提供设有第二电极的基板，在所述第二电极的表面形成发光层；
采用界面层材料在所述发光层远离所述第二电极的一侧形成界面层；
在所述界面层远离所述发光层的一侧依次形成空穴注入层和第一电极，得到所述发光器件；
其中，所述界面层材料包括具有表面等离子体共振增强作用的纳米颗粒。
在其中一些实施例中，所述形成界面层的步骤如下：
采用所述界面层材料进行蒸镀，形成具有凹凸结构的所述界面层；或
将所述纳米颗粒制成油墨，采用所述油墨进行微液滴定点打印，形成不平整图案，得到具有凹凸结构的所述界面层。
本发明的第三方面，提供一种显示装置，包括第一方面的发光器件。
上述发光器件的发光效率高，有利于提高显示装置的效率及其寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案、更完整地理解本申请及其有益效果，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。还需说明的是，附图均采用简化的形式绘制，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明。附图所示的每一部件的各种尺寸是任意示出的，可能是精准的，也可能是未按实际比例绘制。比如，为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的尺寸。如无特别说明，图中各个部件并非按比例绘制。本发明并没有限定每个部件的每种尺寸。
图1为一实施方式的发光器件的结构图；
图2为图1所示的发光器件的效果示意图。
附图标记说明：
1、发光器件；10、第一电极；11、空穴注入层；12、界面层；121、纳米颗粒；13、空穴传输层；14、发光层；15、电子传输层；16、第二电极；17、光取出层；18、封装层。
具体实施方式
下面结合附图、实施方式和实施例，对本发明作进一步详细的说明。应理解，这些实施方式和实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，提供这些实施方式和实施例的目的是使对本发明公开内容理解更加透彻全面。还应理解，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式和实施例，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下作各种改动或修改，得到的等价形式同样落于本发明的保护范围。例如，作为一个实施方式的部分而说明或描述的特征可以以合适的方式组合于另一实施方式中，以产生新的实施方式。此外，在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为充分地理解，应理解，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述实施方式和实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
术语
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本文所使用的术语“和/或”、“或/和”、“及/或”的选择范围包括两个或两个以上相关所列项目中任一个项目，也包括相关所列项目的任意的和所有的组合，所述任意的和所有的组合包括任意的两个相关所列项目、任意的更多个相关所列项目、或者全部相关所列项目的组合。需要说明的是，当用至少两个选自“和/或”、“或/和”、“及/或”的连词组合连接至少三个项目时，应当理解，在本申请中，该技术方案毫无疑问地包括均用“逻辑与”连接的技术方案，还毫无疑问地包括均用“逻辑或”连接的技术方案。比如，“A及/或B”包括A、B和A和B的组合三种并列方案。又比如，“A，及/或，B，及/或，C，及/或，D”的技术方案，包括A、B、C、D中任一项(也即均用“逻辑或”连接的技术方案)，也包括A、B、C、D的任意的和所有的组合，也即包括A、B、C、D中任两项或任三项的组合，还包括A、B、C、D的四项组合(也即均用“逻辑与”连接的技术方案)。
在本申请中，当用至少两个选自“和/或”、“或/和”、“及/或”的连词组合连接至少三个特征时，相当于“具备一个或多个特征”的表述方式，比如，“TA，及/或，TB，及/或，TC，及/或，TD”相当于“具备如下的一个或多个特征：TA、TB、TC和TD”。
本发明中涉及“多个”、“多种”、“多次”等，如无特别限定，指在数量上大于2或等于2。例如，“一种或多种”表示一种或大于等于两种。
本文中所使用的“其组合”、“其任意组合”、“其任意组合方式”等中包括所列项目中任两个或任两个以上项目的所有合适的组合方式。
本文中，“合适的组合方式”、“合适的方式”、“任意合适方式”等中所述“合适”，以能够实施本发明的技术方案、解决本发明的技术问题、实现本发明预期的技术效果为准。
本文中，“优选”、“更好”、“更佳”、“为宜”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。如果一个技术方案中出现多处“优选”，如无特别说明，且无矛盾之处或相互制约关系，则每项“优选”各自独立。
本发明中，“进一步”、“更进一步”、“特别”等用于描述目的，表示内容上的差异，但并不应理解为对本发明保护范围的限制。
本发明中，“可选地”、“可选的”、“可选”，指可有可无，也即指选自“有”或“无”两种并列方案中的任一种。如果一个技术方案中出现多处“可选”，如无特别说明，且无矛盾之处或相互制约关系，则每项“可选”各自独立。
本发明中，“第一方面”、“第二方面”、“第三方面”、“第四方面”等中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅用于描述目的，不能理解为指示或暗示相对重要性或数量，也不能理解为隐含指明所指示的技术特征的重要性或数量。而且“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等仅起到非穷举式的列举描述目的，应当理解并不构成对数量的封闭式限定。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间(也即数值范围)，如无特别说明，该数值区间内可选的数值的分布视为连续，且包括该数值区间的两个数值端点(即最小值及最大值)，以及这两个数值端点之间的每一个数值。如无特别说明，当数值区间仅仅指向该数值区间内的整数时，包括该数值范围的两个端点整数，以及两个端点之间的每一个整数，相当于直接列举了每一个整数。当提供多个数值范围描述特征或特性时，可以合并这些数值范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之数值范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。该数值区间中的“数值”可以为任意的定量值，比如数字、百分比、比例等。“数值区间”允许广义地包括百分比区间、比例区间、比值区间等数值区间类型。
本发明中的温度参数，如无特别限定，既允许为恒温处理，也允许在一定温度区间内存在变动。应当理解的是，所述的恒温处理允许温度在仪器控制的精度范围内进行波动。允许在如±5℃、±4℃、±3℃、±2℃、±1℃的范围内波动。
本发明中，术语“室温”或“常温”一般指4℃～35℃，例如20℃±5℃。在本发明的一些实施例中，“室温”或“常温”是指10℃～30℃。在本发明的一些实施例中，“室温”或“常温”是指20℃～30℃。
在本发明中，涉及数据范围的单位，如果仅在右端点后带有单位，则表示左端点和右端点的单位是相同的。比如，3～5h表示左端点“3”和右端点“5”的单位都是h(小时)。
在本发明提及的所有文献都在本申请中引用作为参考，就如同每一篇文献被单独引用作为参考那样。除非和本申请的发明目的和/或技术方案相冲突，否则，本发明涉及的引用文献以全部内容、全部目的被引用。本发明中涉及引用文献时，相关技术特征、术语、名词、短语等在引用文献中的定义也一并被引用。本发明中涉及引用文献时，被引用的相关技术特征的举例、优选方式也可作为参考纳入本申请中，但以能够实施本发明为限。应当理解，当引用内容与本申请中的描述相冲突时，以本申请为准或者适应性地根据本申请的描述进行修正。
本发明实施例说明书中所提到的相关成分的质量或重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间质量或重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的质量或重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的单位。
传统的发光器件的发光效率难以满足人们的需求，技术人员聚焦于开发新的发光效率高的发光材料，但难有重大突破。
一些技术中通过在空穴注入层或其他功能层中加入Ag等具有等离子共振增强作用的功能粒子，以与发光层之间形成局域的等离子共振增强的作用，提高器件效率。
然而，本申请的技术人员在长期的生产研究过程中发现：传统的在空穴注入层等功能层直接加入Ag的方案，会减弱曲面膜层结构的形成，不利于器件发光效率的提升。
基于此，本申请的技术人员另辟蹊径，创造性地提出直接在空穴注入层和发光层之间设置具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒的界面层，以提高器件发光效率，在经过大量实验探究后获得本申请的技术方案。
在本发明的第一方面，提供一种发光器件，包括依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、界面层、发光层和第二电极；所述界面层的材料包括具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒。
上述发光器件中，在空穴注入层与发光层之间设有界面层，界面层的材料包括具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒，可以与发光层之间形成局域的等离子共振增强的作用，进而可以提升发光器件的发光效率。
在其中一些实施例中，上述界面层具有凹凸结构。
界面层具有凹凸结构，如此可以使其上面的其他功能层相应地形成带有凹凸形态的曲面膜层结构，减少了全发射，增加光取出率，进一步提升发光器件的发光效率。
在其中一些实施例中，面层的厚度不均匀，界面层中各处的厚度分别独立地选自1nm～100nm。
可理解，界面层中各处的厚度不完全相同，至少有两处不同；厚度相对较厚的形成凸形态，厚度相对较厚的形成凸形态。
可选地，界面层中各处的厚度分别独立地选自1nm～10nm。
可选地，界面层中各处的厚度分别独立地选自2nm～10nm。
可选地，界面层层中各处的厚度分别独立地选自2nm～5nm。
技术人员在实际实验过程中发现：在制备时，界面层各处的厚度越厚，界面层整体越趋于平整，进一步调控界面层中各处的厚度，以使界面层的不平整增加。
在其中一些实施例中，界面层的表面粗糙度的均方根值≥2.5nm。
可选地，界面层的表面粗糙度的均方根值为2.5nm～4nm。
表面粗糙度是表征微观不平整度的常用手段，进一步地粗糙度的均方根值，又称为RMS，是指：测试待测对象得到的一组统计数据的平方的平均值，然后计算该平均值的平方根得出的数据，代表区域内各点偏离该区域平均高度位置的均方根根值，表面粗糙度的RMS越大，说明不平整度越高。
表面粗糙度可采用本领域常规的测试表面粗糙度的测试方法测试，包括但不限于：参照标准GB1031-83进行。
在其中一些实施例中，纳米颗粒的平均粒径范围为3nm～10nm。
在其中一些实施例中，纳米颗粒包括金属纳米颗粒。
可选地，金属纳米颗粒选自Cu、Al、Au、Ag、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的至少一种。
在其中一些实施例中，金属纳米颗粒包括Ag。
在其中一些实施例中，发光器件还包括空穴传输层，空穴传输层位于界面层与发光层之间。
将空穴传输层设于界面层与发光层之间，可进一步避免纳米颗粒对发光层中的发光材料的淬灭作用，进一步提高器件的发光效率。
在其中一些实施例中，上述空穴注入层的材料可采用本领域常用的空穴注入材料；此处对空穴注入材料进行举例说明，包括但不限于：选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；所述过渡金属氧化物选自NiO、MoO2、WO3、CuO中的一种或多种，所述过渡金属硫系化合物选自MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS中的一种或多种。
在其中一些实施例中，上述发光层的材料可选用本领域常用的发光材料，包括量子点或有机发光材料中的至少一种。
量子点包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb中的至少一种，I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；核壳结构的量子点的核包括上述单一结构量子点中的任意一种，核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和上述单一结构量子点中的至少一种。
在其中一些实施例中，无机发光量子点材料发出的光的波长为390nm～780nm。
在其中一些实施例中，无机发光量子点材料的平均粒径为1nm～20nm。
可选地，量子点表面修饰配体；可选地，配体为酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂、聚乙烯基吡啶中的一种或多种。
可选地，酸配体包括十酸、十一烯酸、十四酸、油酸和硬脂酸中的一种或多种；硫醇配体包括八烷基硫醇、十二烷基硫醇和十八烷基硫醇中的一种或多种；胺配体包括油胺、十八胺和八胺中的一种或多种；(氧)膦配体包括三辛基膦、三辛基氧膦的一种或多种。
可选地，有机发光材料可以采用本领域常用的电致发光有机发光材料，包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种。
空穴传输层的材料可采用本领域常规的空穴传输材料。此处对空穴传输的材料进行举例说明，非限制性实例可包括：聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、Spiro-NPB、Spiro-TPD、掺杂或非掺杂的NiO、MoO3、WO3、V2O5、P型氮化镓、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS、CuSCN中的一种或多种。
在其中一些实施例中，发光器件还包括电子功能层，电子功能层位于所述发光层和第二电极之间。
在其中一些实施例中，电子功能层包括电子传输层。
在其中一些实施例中，电子传输层的材料可采用本领域常用的电子传输材料。
此处对电子传输层的材料进行举例说明，非限制性实例可包括：二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(TSPO1)、n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiFCsCO3或它们的基于金属元素掺杂的半导体材料中的一种或多种；可选选为，ZnO或Mg掺杂的ZnO。
在其中一些实施例中，上述电子注入层的材料可采用本领域常用的电子注入材料；此处对电子注入材料进行举例说明：包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、Liq(8-羟基喹啉代锂)、PBD(2-(4-联苯基))-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4恶二唑)、TAZ(3-(4-联苯)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2,2',2-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑、苯并噻唑、ZADN(2-[4-(9,10-二-2-萘2-基-2-蒽-2-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)和4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)中的一种或多种。
在其中一些实施例中，上述第一电极和所述第二电极的材料分别独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物。
可选地，铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)、铝掺杂氧化镁(AMO)中的一种或多种。
可选地，第一电极和/或所述第二电极选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
可选地，上述第二电极材料选自Ag或Al、Cu、Mg中的至少一种；第一电极材料选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种或多种。
在其中一些实施例中，发光器件还包括光取出层，光取出层位于第二电极远离发光层的一侧或位于第一电极远离空穴注入层的一侧。
可理解，当光取出层位于第二电极远离发光层的一侧，此时发光器件为正置发光器件，当位于第一电极远离空穴注入层的一侧时，此时发光器件为倒置发光器件。
进一步地，当发光器件还包括电子功能层时，光取出层位于第二电极远离电子功能层的一侧。
光取出层可以有效减少发光器件中的全反射效应，提高光耦合到器件前向外部空间的比例，进而提高器件的性能，可有效提升器件出光率。
在其中一些实施例中，光取出层的组分包括光提取材料，可采用本领域常规的光提取材料，包括有机类光提取材料和无机类光提取材料中的至少一种。
有机类光提取材料的非限制性实例包括但不限于：SnO2、TiO2、ZrO2、铟锌氧化物、HfO2以及ZnO2中的至少一种。在其中一些实施例中，发光器件还包括基板，基板位于第一电极远离空穴注入层的一侧或位于第二电极远离发光层的一侧。
可理解，当光取出层位于第二电极远离发光层的一侧时，基板位于第一电极远离空穴注入层的一侧，此时为正置发光器件；当光取出层位于第一电极远离空穴注入层的一侧时，基板位于第二电极远离发光层的一侧，此时发光器件为倒置发光器件。
基板可以采用本领域常用的基板材料制备，可以是刚性的或弹性的；可选地，基板可以是塑料，金属，半导体晶片或玻璃。最好是基板有一个平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基板是柔性的，可选于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度Tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的柔性基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。
在其中一些实施例中，基板采用ITO导电基板；进一步地，图案化的ITO导电基板可直接充当电极，可在市场上买到。
在其中一些实施例中，上述发光器件还包括封装层，封装层设于光提取层远离第二电极的一侧。
封装层可采用本领域常用的封装材料制备，包括但不限于：环氧树脂、及各类硬化性树脂、SiNx等无机材料，在此不再赘述。
请参考图1，图1为本申请一实施方式的发光器件1的结构图，包括依次层叠设置的第一电极10、空穴注入层11、界面层12；空穴传输层13、发光层14、电子传输层15、第二电极16、光取出层17、封装层18。
请继续参考图2，图2为图1所示的发光器件1的效果示意图，发光器件中1，在空穴注入层11与空穴传输层13之间设有界面层12，一方面，界面层12的组分包括具有表面等离子共振增强作用的纳米颗粒121，可以与发光层14之间形成局域的等离子共振增强的作用；另一方面，界面层12具有凹凸结构，如此可以使其上面的其他功能层相应地形成带有凹凸形态的曲面膜层结构，减少了全发射，增加光取出率，进而可以提升发光器件的发光效率。
本发明的第二方面，提供一种发光器件的制备方法，包括以下制备步骤S10～S30。
S10、提供设有第一电极的基板，在第一电极的表面形成空穴注入层。
S20、采用界面层材料在空穴注入层远离所述第一电极的一侧形成界面层。
S30、在界面层远离所述空穴注入层的一侧依次形成发光层和第二电极，得到发光器件。
可理解，步骤S10～S30制得的发光器件为正置发光器件。
或，包括以下制备步骤S40～S60。
S40、提供设有第二电极的基板，在第二电极的表面形成发光层。
S50、采用界面层材料在所述发光层远离所述第二电极的一侧形成界面层。
S60、在界面层远离所述发光层的一侧依次形成空穴注入层和第一电极，得到发光器件。
可理解，步骤S40～S60制得的发光器件为倒置发光器件。
上述界面层材料包括具有表面等离子体共振增强作用的纳米颗粒。如此形成的界面层的材料包括具有表面等离子体共振增强作用的纳米颗粒。
在其中一些实施例中，步骤S20或S50中形成界面层的步骤如下：
采用界面层材料进行蒸镀，形成具有凹凸结构的界面层。
采用界面层材料进行蒸镀时，由于纳米颗粒自由能较大，一般大于空穴注入层的表面自由能，浸润性较差，因此，容易形成厚薄不一的凹凸结构。
或，将界面层材料制成油墨，采用油墨进行微液滴定点打印，形成不平整图案，得到具有凹凸结构的界面层。
具体地，采用微液滴定点打印时，通过在像素坑内形成不平整图案，如此可得到具有凹凸结构的界面层。
可选地，在打印前对空穴注入层进行氟化处理，使其表面变成疏水表面，从而更有利于墨水的微液滴在像素内图案化分布。
进一步地，界面层的厚度分布可通过墨水浓度进行调节。
进一步地，在将界面层材料制成油墨时，油墨中界面层材料的质量占比为0.25％～5％；可选地，制备油墨采用的溶剂选自苯甲醇。
上述基板、电子功能层、发光层、空穴传输层、空穴注入层等功能层的材料同上所述，在此不再赘述。
上述电子功能层、发光层、空穴传输层、空穴注入层等功能层的制备方法可采用本领域常规的制备方法，包括：溶液法或蒸镀法；可选地，溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。进一步地，印刷法包括但不限于：喷墨印刷。
具体地，采用溶液法时，制备油墨的溶剂可为有机溶剂，包括但不限于如下溶剂：
脂肪族醚的有机溶剂，可优选自(但不限制于)：戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。
芳族基团有机溶剂的例子有：苯、萘、蒽、菲、二萘嵌苯、并四苯、芘、苯并芘、三亚苯、苊、芴、及其衍生物。
具体地，杂芳族基团有机溶剂的例子有：呋喃、苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、吡咯、吡唑、三唑、咪唑、噁唑、噁二唑、噻唑、四唑、吲哚、咔唑、吡咯并咪唑、吡咯并吡咯、噻吩并吡咯、噻吩并噻吩、呋喃并吡咯、呋喃并呋喃、噻吩并呋喃、苯并异噁唑、苯并异噻唑、苯并咪唑、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、喹啉、异喹啉、邻二氮萘、喹喔啉、菲啶、伯啶、喹唑啉、喹唑啉酮、及其衍生物。：1-四氢萘酮、3-苯氧基甲苯、苯乙酮、1-甲氧基萘、对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1,4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1,2,3,4-四甲苯、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、1-甲基萘、1,2,4-三氯苯、1,3-二丙氧基苯、4,4-二氟二苯甲烷、二苯醚、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α,α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、二苄醚等。
在另一些实施方案中，有机溶剂包括(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
可理解，制备油墨的溶剂可以是上述单一溶剂中的任意一种，也可以是上述两种及以上的溶剂混合而成的混合液。
制备油墨时还可以加入一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。
油墨的溶剂及浓度，粘度等的详细信息请参见Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册:技术和生产方法》(Handbook of Print Media:Technologies and ProductionMethods),ISBN 3-540-67326-1。
本发明的第三方面，提供一种显示装置，包括上述的发光器件。
上述发光器件的发光效率高，有利于提高显示装置的效率及其寿命。
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，优先参考本发明中给出的指引，还可以按照本领域的实验手册或常规条件，还可以按照制造厂商所建议的条件，或者参考本领域已知的实验方法。
下述的具体实施例中，涉及原料组分的量度参数，如无特别说明，可能存在称量精度范围内的细微偏差。涉及温度和时间参数，允许仪器测试精度或操作精度导致的可接受的偏差。
具体实施例
以下提供一些具体实施例。
实施例1
(1)有机发光二极管的制备，结构参照图1，具体制备过程如下：
(1)提供ITO基板，依次进行水洗，烘干，形成第一电极10；
(2)在第一电极10上，在R/G/B子像素内分别打印100nm/70nm/40nm厚度的空穴注入材料(PEDOT:PSS)，真空干燥成膜之后进行加热120℃，15min，形成空穴注入层11；
(3)在空穴注入层11上通过蒸镀Ag形成厚度在1～5nm波动的界面层12；界面层的表面粗糙度的均方根值RMS为2.5nm。
(4)在界面层12上，R/G/B子像素内分别打印空穴传输材料CBP，真空干燥成膜之后，180℃加热30min，分别形成厚度为110nm/100nm/90nm的空穴传输层13；
(5)在空穴传输层13上，R/G/B子像素内分别采用R(红)、G(绿)、B(蓝)发光量子点油墨打印，真空干燥成膜之后，140℃加热15min，分别形成厚度为80nm/60nm/40nm的发光层14，其中发光油墨添加8wt％的1-氯奈作为溶剂。
(6)在发光层14上使用掺杂的电子传输材料共蒸镀一层30nm厚的电子传输层15，其中电子传输材料为TSPO1:Liq，两者重量比为5:5，两者蒸镀速率都控制为真空度为2×10-4Pa；
(7)在电子传输层15上蒸镀一层15nm厚的半透明Mg:Ag合金，其中Mg:Ag的重量比为1:9，两者蒸镀速率分别控制为和/>真空度为2×10-4Pa，形成第二电极16；
(8)在第二电极16上使用低温溅射的方式在半透明阴极上沉积一层70nm的IZO薄膜，溅射功率控制在5kw,工艺压力控制在1pa，形成光取出层17；
(9)在光取出层17以CVD工艺和IJP工艺形成三层交叠的封装膜：SiNx、有机薄膜、SiNx，各层厚度分别为1μm、10μm、1μm，形成封装层18。
3、有机发光二极管的性能测试：
1、对有机发光二极管的外量子效率进行测试。
对比例1
对比例1与实施例1基本相同，不同之处仅在于：对比例1中省略了实施例1中的步骤(3)，在步骤(2)中直接将Ag与空穴注入材料混合打印。
其他步骤与实施例1相同。
对比例1中是传统的在空穴注入层等功能层直接加入Ag的方案，会减弱曲面膜层结构的形成，不利于器件发光效率的提升，本申请的发光器件减少了全发射，增加光取出率，进而可以提升发光器件的发光效率。
以上各实施方式和实施例的各技术特征可以进行任意合适方式的组合，为使描述简洁，未对上述实施方式和实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为在本说明书记载的范围中。
以上各实施例仅表达了本发明的几种实施方式，便于具体和详细地理解本发明的技术方案，但并不能因此而理解为对本发明保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。此外应理解，在阅读了本发明的上述讲授内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，得到的等价形式同样落于本发明的保护范围。还应当理解，本领域技术人员在本发明提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验得到的技术方案，均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims (13)

1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极、空穴注入层、界面层、发光层和第二电极；
所述界面层的材料包括具有表面等离子体共振增强作用的纳米颗粒。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述界面层具有凹凸结构。
3.如权利要求1～2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述界面层的厚度不均匀，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自1nm～100nm；
可选地，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自1nm～10nm；
可选地，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自2nm～10nm；
可选地，所述界面层中各处的厚度分别独立地选自2nm～5nm。
4.如权利要求1～2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述界面层的表面粗糙度的均方根值≥2.5nm；
可选地，所述界面层的表面粗糙度的均方根值为2.5nm～4nm。
5.如权利要求1～2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述纳米颗粒的平均粒径范围为3nm～10nm；和/或，
所述纳米颗粒包括金属纳米颗粒；
可选地，所述金属纳米颗粒选自Cu、Al、Au、Ag、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的至少一种。
6.如权利要求1～2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述界面层与所述发光层之间。
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、酞菁铜、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；所述过渡金属氧化物选自NiO、MoO2、WO3、CuO中的一种或多种，所述过渡金属硫系化合物选自MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS中的一种或多种；和/或
所述空穴传输层的材料选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4’-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、Spiro-NPB、Spiro-TPD、掺杂或非掺杂的NiO、MoO3、WO3、V2O5、P型氮化镓、CrO3、CuO、MoS2、MoSe2、WS3、WSe3、CuS、CuSCN中的一种或多种；和/或
所述发光层的材料为量子点或有机发光材料中的至少一种；所述量子点包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核包括所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和所述单一结构量子点中的至少一种；所述有机发光材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种。
8.如权利要求1～2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括电子功能层，所述电子功能层位于所述发光层和所述第二电极之间，所述电子功能层包括电子传输层和电子注入层中的至少一种；和/或
所述发光器件还包括光取出层，所述光取出层位于所述第二电极远离所述发光层的一侧或位于所述第一电极远离所述空穴注入层的一侧。
9.如权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括二苯基[4-(三苯基硅烷基)苯基]氧膦(TSPO1)、n型ZnO、TiO2、SnO、Ta2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、CsF、LiFCsCO3中的一种或多种；和/或
所述电子注入层的材料包括三(8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉代锂、2-(4-联苯基))-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4恶二唑、3-(4-联苯)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑、螺-PBD、双(2-甲基-8-喹啉酸)-4-(苯基苯酚)铝、(2,2',2-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑、恶二唑、三唑、菲咯啉、苯并恶唑、苯并噻唑、2-[4-(9,10-二-2-萘2-基-2-蒽-2-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的一种或多种；和/或
所述光取出层的材料包括SnO2、TiO2、ZrO2、铟锌氧化物、HfO2及ZnO2中的至少一种。
10.如权利要求1～2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料分别独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物中的至少一种；
可选地，所述金属氧化物包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种；
可选地，所述第一电极和/或所述第二电极选自掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
11.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
提供设有第一电极的基板，在所述第一电极的表面形成空穴注入层；
采用界面层材料在所述空穴注入层远离所述第一电极的一侧形成界面层；
在所述界面层远离所述空穴注入层的一侧依次形成发光层和第二电极，得到所述发光器件；
或，所述发光器件的制备方法包括以下制备步骤：
提供设有第二电极的基板，在所述第二电极的表面形成发光层；
采用界面层材料在所述发光层远离所述第二电极的一侧形成界面层；
在所述界面层远离所述发光层的一侧依次形成空穴注入层和第一电极，得到所述发光器件；
其中，所述界面层材料包括具有表面等离子体共振增强作用的纳米颗粒。
12.如权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述形成界面层的步骤如下：
采用所述界面层材料进行蒸镀，形成具有凹凸结构的所述界面层；或
将所述界面层材料制成油墨，采用所述油墨进行微液滴定点打印，形成不平整图案，得到具有凹凸结构的所述界面层。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～10任一项所述的发光器件。
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