CN117643194A - 发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极、位于第一电极与第二电极之间的量子点发光层以及空穴传输掺杂层。空穴传输掺杂层位于量子点发光层与第二电极之间；空穴传输掺杂层包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同。
Description
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置。
量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)器件具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点，因此在显示领域中得到了广泛的关注。量子点发光二极管器件的基板工作原理是：分别向量子点发光层的两侧注入电子和空穴，这些电子和空穴在量子点发光层中复合后形成激子，最终通过激子发光。
发明内容
一方面，提供一种发光器件。所述发光器件包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层以及空穴传输掺杂层。所述空穴传输掺杂层位于所述量子点发光层与所述第二电极之间；所述空穴传输掺杂层包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，所述至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料的迁移率不同，且在任意两种空穴传输材料中，最高占据分子轨道能级较低的空穴传输材料的迁移率，大于最高占据分子轨道能级较高的空穴传输材料的迁移率。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，且所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级小于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为1：5～5：1。
在一些实施例中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为2：1。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.66倍～5倍。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的2.3倍。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度的取值范围为20nm～50nm。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：第一空穴传输层。所述第一空穴传输层位于所述量子点发光层和所述空穴传输掺杂层之间；其中，所述第一空 穴传输层的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，且大于所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层的迁移率小于或等于所述第一空穴传输材料的迁移率，且大于所述量子点发光层的迁移率。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层包括所述第一空穴传输材料。
在一些实施例中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为2：1。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.33倍～5倍；所述第一空穴传输层的厚度为所述空穴传输掺杂层的厚度的0.06倍～2倍。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层的厚度为所述空穴传输掺杂层的厚度的三分之一。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为10nm～50nm；所述第一空穴传输层的厚度为3nm～20nm。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：第二空穴传输层。所述第二空穴传输层位于所述空穴传输掺杂层和所述第二电极之间；其中，所述第二空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于所述第二电极的最高占据分子轨道能级，且大于或等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
在一些实施例中，所述第二空穴传输层的迁移率小于所述第二电极的迁移率，且大于或等于所述第二空穴传输材料的迁移率。
在一些实施例中，所述第二空穴传输层包括第二空穴传输材料。
在一些实施例中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.1倍～2倍；所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的0.5倍～16.66倍。
在一些实施例中，所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的3倍。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为3nm～20nm；所述第二空穴传输层的厚度为10nm～50nm。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：第一空穴传输层和第二空穴传输层。所述第一空穴传输层位于所述量子点发光层和所述空穴传输掺杂层之间；其中，所述第一空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第一空 穴传输材料的最高占据分子轨道能级，且大于所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级。所述第二空穴传输层位于所述空穴传输掺杂层和所述第二电极之间；其中，所述第二空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于所述第二电极的最高占据分子轨道能级，且大于或等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层的迁移率小于或等于所述第一空穴传输材料的迁移率，且大于所述量子点发光层的迁移率；所述第二空穴传输层的迁移率小于所述第二电极的迁移率，且大于或等于所述第二空穴传输材料的迁移率。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层包括所述第一空穴传输材料；所述第二空穴传输层包括第二空穴传输材料。
在一些实施例中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.1倍～2倍；所述第一空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的0.15倍～6.67倍；所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的0.5倍～16.67倍。
在一些实施例中，所述第一空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的1倍；所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的6倍。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层的厚度为3nm～20nm；所述第一空穴传输层的厚度为3nm～20nm；所述第二空穴传输层的厚度为10nm～50nm。
在一些实施例中，所述空穴传输掺杂层包括堆叠设置的多层子掺杂层；在任意相邻的两层子掺杂层中，靠近所述量子点发光层的子掺杂层中的所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比，大于远离所述量子点发光层的子掺杂层中的所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比。
在一些实施例中，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级为所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级的0.88倍～1.02倍；所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级为所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级的0.82倍～0.97倍。
在一些实施例中，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的取值范围为-6.3eV～-5.9eV；所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的 取值范围为-6eV～-5.5eV。
在一些实施例中，所述第一空穴传输材料的迁移率为所述量子点发光层的迁移率的1倍～10
3倍；所述第二空穴传输材料的迁移率为所述量子点发光层的迁移率的10
2倍～10
4倍。
在一些实施例中，所述第一空穴传输材料的迁移率的取值范围为10
-5cm
2V
-1s
-1～10
-3cm
2V
-1s
-1；所述第二空穴传输材料的迁移率的取值范围为10
-3cm
2V
-1s
-1～10
-2cm
2V
-1s
-1。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料包括以下材料中的至少两种：4,4-bis(carbazole-9-yl)biphenyl、1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene、2,6-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine、4,4',4”-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine、1,1-bis[4-[N,N'-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane、N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine。
在一些实施例中，所述发光器件还包括：空穴注入层和电子传输层。所述空穴注入层位于所述第二电极和所述空穴传输掺杂层之间；所述电子传输层位于所述第一电极和所述量子点发光层之间。
另一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括：衬底以及如上述任一实施例所述的发光器件。所述多个发光器件设置于所述衬底的一侧。
又一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述任一实施例所述的显示面板。
又一方面，提供一种发光器件的制备方法，该发光器件的制备方法包括：在第一电极的一侧形成量子点发光层；在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层，其中，所述空穴传输掺杂层包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，所述至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同；在所述空穴传输掺杂层远离所述量子点发光层的一侧形成第二电极。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，且所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级小于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层的步骤中，采用双源共蒸法在所述第一电极的一侧同时沉积所述第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，以形成所述空穴传输掺杂层。
在一些实施例中，所述在第一电极的一侧形成量子点发光层的步骤之后，还包括：在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成第一空穴传输层。在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层的步骤， 包括：在所述第一空穴传输层远离所述第一电极的一侧形成所述空穴传输掺杂层。
在一些实施例中，在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层的步骤之后，还包括：在所述空穴传输掺杂层远离所述第一电极的一侧形成第二空穴传输层。在所述空穴传输掺杂层远离量子点发光层的一侧形成第二电极的步骤，包括：在所述第二空穴传输层远离所述空穴传输掺杂层的一侧形成所述第二电极。
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的显示装置的结构图；
图2为根据一些实施例的显示面板的结构图；
图3为根据一些实施例的显示面板的截面图；
图4为根据一种实现方式的显示面板的结构图；
图5为根据一些实施例的显示面板的结构图；
图6为根据一些实施例的电流效率随电压变化的示意图；
图7为根据另一些实施例的显示面板的结构图；
图8为根据另一些实施例的电流效率随电压变化的示意图；
图9为根据其他的一些实施例的显示面板的结构图；
图10为根据其他的一些实施例的电流效率随电压变化的示意图；
图11为根据又一些实施例的显示面板的结构图；
图12为根据又一些实施例的电流效率随电压变化的示意图；
图13为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图；
图14为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图；
图15为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图；
图16为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。 基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一些实施例(some embodiments)”、“示例(example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A和B之间的差值”，指的是，A和B中的较大者与A和B中的较小者之间的差值。
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
量子点(Quantum Dots，QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，称为目前新型LED(Light Emitting Diodes，发光二极管)发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
量子点发光二极管的基本工作原理是：分别向量子点发光层的两侧注入 电子和空穴，这些电子和空穴在量子点发光层中复合后形成激子，最终通过激子发光。
然而，电子和空穴的注入量子点发光层的速率不平衡会导致量子点发光层处于带电状态，这样随后的电子和空穴则以非辐射复合的方式进行(俄歇复合)，因此量子点发光二极管的发光效率偏低。
在相关技术中，电子注入效率要大于空穴的注入效率，进而导致电子和空穴的注入量子点发光层的速率不平衡，从而使得量子点发光二极管的发光效率偏低。
图1为根据一些实施例的显示装置2000的结构图。
请参阅图1，本公开的一些实施例提供了一种显示装置2000，显示装置2000包括：显示面板1000。
其中，显示装置2000可以为量子点有机发光二级管显示装置，对应的显示面板1000可以为量子点有机发光二级管显示面板。
图2为根据一些实施例的显示面板1000的结构图。
请参阅图2，本公开的一些实施例提供了一种显示面板1000，该显示面板1000，显示区AA和至少位于显示区AA一侧的周边区BB，在一些示例中，周边区BB围绕显示区AA设置一周。
上述AA区中包括多种颜色的子像素(sub pixel)P；该多种颜色的子像素至少包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色(例如红色、绿色和蓝色)。任意子像素P的区域可通过像素界定层进行限定。
为了方便说明，本申请中上述多个子像素P是以矩阵形式排列为例进行的说明。在此情况下，沿第一方向X排列成一排的子像素P称为同一行子像素，沿第二方向Y排列成一排的子像素P称为同一列子像素。
图3为根据一些实施例的显示面板1000的截面图。
请参阅图3，对于单个子像素P而言，一个子像素P包括发光器件100和像素驱动电路200。其中，像素驱动电路200一般由薄膜晶体管TFT、电容(图中未示出)等电子器件组成。例如，像素驱动电路200可以是由两个薄膜晶体管(一个开关TFT和一个驱动TFT)和一个电容构成的2T1C结构的像素驱动电路；当然，像素驱动电路200还可以是由两个以上的薄膜晶体管(多个开关TFT和一个驱动TFT)和至少一个电容构成的像素驱动电路200。其中，不管像素驱动电路200是何种结构，都必须包括驱动TFT。其中，驱动TFT可以与发光器件100的阳极连接。
其中，显示面板1000中包括多个膜层，下面对显示面板1000中的多个膜层进行介绍。
请参阅图2，显示面板1000中包括依次叠层设置的驱动基板300、发光器件100以及封装层400。
其中，驱动基板300包括衬底310、位于衬底310一侧的像素驱动电路200以及绝缘层320。
其中，发光器件100包括第一电极110、第二电极120以及位于第一电极110和第二电极120之间的量子点发光层130。
其中，第一电极110可以为阴极，此时，第一电极110可以提供电子。而第二电极120为阳极，此时，第二电极120可以提供空穴。
在一些示例中，第一电极110可以位于第二电极120远离衬底310的一侧。
而在另一些示例中，第一电极110可以位于第二电极120与衬底310之间。
而封装层400包括第一封装无机膜410、封装有机膜420和第二封装无机膜430。在一些示例中，第一封装无机膜410和第二封装无机膜430中的每一个可由硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、氧氮化硅(SiON)、锂氟化物等制造。在一些示例中，封装有机膜420可由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯树脂、纤维素树脂等制造。封装层400的层叠结构可不同地变化。
此外，显示面板1000中还包括像素界定层500，像素界定层500位于绝缘层320远离衬底310的一侧，像素界定层500中形成有多个像素开口，而量子点发光层130可以设置于像素开口中。
下面对发光器件100进行介绍。
图4为根据一种实现方式的显示面板1000的结构图。
请参阅图4，本公开提供了一种发光器件100，该发光器件100包括第一电极110、第二电极120、位于第一电极110和第二电极120之间的量子点发光层130。
在一些示例中，第一电极110可以为阴极，阴极可以为导电玻璃，其中，导电玻璃可以包括氧化铟锡(ITO)或掺氟的氧化锡(FTO)等材料。
在一些示例中，第一电极110的厚度的取值范围为：90nm～150nm。示例性的，第一电极110的厚度为120nm。
在一些示例中，第二电极120可以为阳极，阳极可以包括铝(Al)、银(Ag)和铟锌氧化物(IZO)等材料。
在一些示例中，第二电极120的厚度的取值范围为80nm～150nm。示例性的，第二电极120的厚度为120nm。
示例性的，量子点发光层130包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge、C以及具有上述成分的其他纳米尺度材料，例如纳米棒、纳米片。优选的，量子点发光层130为不含镉的量子点。
在一种实现方式中，发光器件100还包括第一空穴传输层140和第二空穴传输层150。其中，第一空穴传输层140和第二空穴传输层150均位于第二电极120和量子点发光层130之间，且第一空穴传输层140位于第二空穴传输层150和量子点发光层130之间。
其中，第二空穴传输层150的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)能级高于第一空穴传输层140的HOMO能级，而第一空穴传输层140的HOMO能级高于量子点发光层130的能级。
其中，两个膜层之间的能级的差值越大，二者之间的势垒越大，而势垒越大，空穴从HOMO能级较高的膜层中跃迁HOMO能级较低的膜层中越困难，即空穴从HOMO能级较高的膜层中跃迁HOMO能级较低的膜层中的数量越少。
因此，第二空穴传输层150与量子点发光层130之间的势垒较高，空穴难以从第二空穴传输层150跃迁至量子点发光层130中。
在上述一些实现方式中，通过在第二空穴传输层150与量子点发光层130之间设置第一空穴传输层140，可以使得空穴先由第二空穴传输层150跃迁至第一空穴传输层140，而后再由第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130。其中，由于第二空穴传输层150与第一空穴传输层140之间的势垒较低，因此，空穴由第二空穴传输层150跃迁至第一空穴传输层140较容易，因此，跃迁至第一空穴传输层140中的空穴的量较多。此外，第一空穴传输层140与量子点发光层130之间的势垒较低，因此，空穴由第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130较容易，因此，跃迁到量子点发光层130中的空穴的量较多，进而提高了空穴注入量子点发光层130的效率，从而可以平衡空穴和电子的注入速率，提高发光器件100的发光效率。
图5为根据一些实施例的显示面板1000的结构图。
请参阅图5，在本公开的一些实施例中，发光器件100还包括空穴传输掺杂层160。空穴传输掺杂层160位于量子点发光层130与第二电极120之间。空穴传输掺杂层160包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同。
两个膜层(或材料)之间的HOMO能级的差值越大，二者之间的势垒越大，空穴从HOMO能级较高的结构中跃迁HOMO能级较低的结构中越困难，即空穴从HOMO能级较高的结构中跃迁HOMO能级较低的结构中的数量越少。反之，两种膜层(或材料)之间的HOMO能级的差值越大，二者之间的势垒越小，空穴从HOMO能级较高的结构中跃迁HOMO能级较低的结构中的数量越多。
在本公开的一些实施例中，空穴传输掺杂层160中包括至少两种空穴传输材料的混合物。此时，第二电极120中的空穴可以依次通过所述至少两种空穴传输材料跃迁至量子点发光层130中。在空穴传输掺杂层160中，空穴先经过HOMO能级较高的空穴传输材料，而后经过HOMO能级较低的空穴传输材料。
在空穴传输掺杂层160，由于上述至少两种空穴传输材料混合，因此，任意HOMO能级相近的两种空穴传输材料之间的接触面积较大，空穴由HOMO能级较高的空穴传输材料跃迁至HOMO能级较低的空穴传输材料中时，空穴的传输速率较高，进而可以提高空穴注入量子点发光层130的速率，使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
在一些示例中，空穴传输掺杂层160中包括两种、三种、四种或者更多种空穴传输材料。
在一些实施例中，至少两种空穴传输材料的迁移率不同，且在任意两种空穴传输材料中，HOMO能级较低的空穴传输材料的迁移率，大于HOMO能级较高的空穴传输材料的迁移率。
其中，迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。迁移率大，载流子运动得快；迁移率小，载流子运动得慢。
其中，两种材料(或膜层)的迁移率越匹配，即两种材料(或膜层)的迁移率越相近。载流子由其中一个材料(或膜层)跃迁至另一个材料(或膜层)时，两种材料(或膜层)的迁移率越匹配，跃迁到另一个材料(或膜层)中的载流子的量越多，即载流子的传输速率越高。
示例性的，在空穴传输掺杂层160中包括两种空穴传输材料。
其中，第二电极120的迁移率较高，在空穴传输的过程中，第二电极120所产生的空穴优先经过HOMO能级较高的空穴传输材料，HOMO能级较高的空穴传输材料的具有较高的迁移率，因此，HOMO能级较高的空穴传输材料的迁移率能够与第二电极120的迁移率匹配，进而可以提高第二电极120与HOMO能级较高的空穴传输材料之间的空穴的传输效率。
而量子点发光层130的迁移率较低。在空穴传输掺杂层160中，空穴由HOMO能级较高的空穴传输材料传输至HOMO能级较低的空穴传输材料后，空穴会由HOMO能级较低的空穴传输材料传输至量子点发光层130中。其中，量子点发光层130的迁移率较低，而HOMO能级较低的空穴传输材料的迁移率相比于HOMO能级较高的空穴传输材料的迁移率要低，因此，HOMO能级较低的空穴传输材料的迁移率与量子点发光层130的迁移率更匹配，进而可以提高HOMO能级较低的空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输效率。
综上，通过提高第二电极120与HOMO能级较低的空穴传输材料之间的空穴的传输效率，以及HOMO能级较高的空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输效率，可以提高空穴的传输效率。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料包括以下材料中的至少两种：4,4-bis(carbazole-9-yl)biphenyl(简称：CBP，中文名称：4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene(简称：mCP)、2,6-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine(简称：26DCzPPy)、4,4',4”-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine(简称：TCTA，中文名称：三(4-咔唑-9-基苯基)胺)、1,1-bis[4-[N,N'-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane(简称：TAPC，中文名称：4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺)、N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine(简称：NPB，中文名称：N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)。
示例性的，第一空穴传输材料可以为TCTA，而第二空穴传输材料可以为NPB。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，且第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级小于第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比的取值范围为1：5～5：1，即在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料的质量为第二空穴传输材料的质量的0.2倍～5倍。
其中，第一空穴传输材料的迁移率低于第二空穴传输材料的迁移率。
通过使得第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比大于或等于1：5，即第一空穴传输材料的质量大于第二空穴传输材料的质量的0.2倍，可以避免空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料的含量过低(例如低于第二空穴传输材料的质量的0.2倍)，导致第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的接触面积过小，进而导致由第一空穴传输材料跃迁至量子点发光层130的空穴的量过少。
此外，通过使得第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比小于或等于5：1，即第一空穴传输材料的质量小于第二空穴传输材料的质量的5倍，可以避免空穴传输掺杂层160中的第二空穴传输材料的含量过低，导致第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积过小，进而导致由第二电极120跃迁至第二空穴传输材料量子点发光层130的空穴的量过少。
其中，发光器件100中包括空穴传输部，在一些实施例中，空穴传输部为单层结构，此时，空穴传输部中仅包括空穴传输掺杂层160，基于此，对空穴传输掺杂层160进行介绍。
在一些实施例中，第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级高于第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为2：1。此时，第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积足够大，进而能够使得第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输效率较大。此外，第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的接触面积足够大，进而能够使得第一空穴传输材料与量子点发光层之间的空穴的传输效率较大。
综上，通过使得第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输效率较大，并且同时保证第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输效率较大，进而能够保证空穴进入量子点发光层130的量，保证空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
请参阅图5，在一些实施例中，空穴传输掺杂层160的厚度H1为量子点发光层130的厚度H2的0.66倍～5倍，即H2≤H1≤5H2。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥0.66H2，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于0.66H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空 穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤5H2，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于5H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过多，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的厚度过大。
在一些实施例中，空穴传输掺杂层160的厚度H1为量子点发光层130的厚度H2的A倍，即H1＝2.3H2。
其中，通过使得H1＝2.3H2，即可以使得空穴传输掺杂层140具有足够的厚度，保证空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料的含量，进而保证空穴传输掺杂层140的空穴传输效率。还可以避免空穴传输掺杂层160的厚度H1过大，导致材料的浪费以及发光器件100的厚度过大。
请参阅图5，在一些实施例中，空穴传输掺杂层160的厚度H1的取值范围为20nm～50nm，即20nm≤H1≤50nm。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥20nm，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于20nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤50nm，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于50nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过大，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的过大。
示例性的，空穴传输掺杂层160的厚度H1为35nm。
在一些示例中，量子点发光层130的厚度H2的取值范围为10nm～30nm，即10nm≤H2≤30nm。
示例性的，量子点发光层130的厚度H2为20nm。当然，量子点发光层的厚度还可以为15nm、17nm、23nm、25nm等，在此不一一列举。
请参阅图5，在一些实施例中，发光器件100还包括空穴注入层(Hole Inject Layer，HIL)170和电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)180，其中，空穴注入层170位于第二电极120和空穴传输掺杂层160之间。而电子传输层180，位于第一电极110和量子点发光层130之间。
通过设置空穴注入层170可以增大空穴的传输效率，进而提高发光器件 100的发光效率。
其中，空穴注入层170的材料包括PEDOT:PSS 4083(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)。除此之外，空穴注入层170的材料还可以包括氧化钼。
在一些示例中，空穴注入层170的厚度的取值范围为5nm～20nm。示例性的，空穴注入层170的厚度为7nm。
而通过设置电子传输层180，可以增大电子的传输效率，进而提高发光器件100的发光效率。
其中，电子传输层180的可以为氧化锌基纳米粒子薄膜或氧化锌薄膜。此外，当电子传输层180为氧化锌基纳米粒子薄膜时，电子传输层180的材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，如镁(Mg)、铟(In)、铝(Al)、镓(Ga)掺杂氧化镁纳米粒子等。
在一些示例中，电子传输层180的厚度的取值范围为：25nm～55nm。示例性的，电子传输层180的厚度为40nm。
在本公开中，对参考发光器件和测试发光器件1进行测试。其中，参考发光器件包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、第一空穴传输层140、第二空穴传输层150、空穴注入层170和第二电极120。其中，第一空穴传输层140的厚度为10nm，材料为TCTA。第二空穴传输层150的厚度为30nm，材料为NPB。
而测试发光器件1包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、空穴传输掺杂层160、空穴注入层170和第二电极120。其中，空穴传输掺杂层160的厚度为35nm，空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料为TCTA，第二空穴传输材料为NPB，且TCTA和NPB的掺杂比例为2：1。
其中，需要说明的是，在参考发光器件和测试发光器件1中，第一电极110的材料均为ITO，厚度均为120nm；电子传输层180的均材料为：氧化锌，厚度均为40nm；量子点发光层130的材料包括：CdS(硫化镉)和CdSe(硒化镉)，其中，CdSe包围在CdS的外部，量子点发光层130的厚度均为20nm，且量子点发光层130均为红色量子点发光层；空穴注入层170的材料均为MoO3(氧化钼)，厚度均为7nm；而第二电极120的材料均为Ag，厚度均为120nm。
经过测试可得到如图6所示的电流效率示意图。
由图6可知，测试发光器件1的电流效率明高于参考发光器件的电流效 率，电流效率越高，该器件的发光效率越高。因此，测试发光器件1的发光效率明高于参考发光器件的发光效率。由此可知，通过在发光器件100中设置空穴传输掺杂层160，可以有效提高发光器件100的发光效率。
在上面的一些实施例中，对空穴传输部包括仅空穴传输掺杂层160的实施例进行了介绍。
图7为根据另一些实施例的显示面板1000的结构图。
请参阅图7，在另一些实施例中，发光器件100还包括第一空穴传输层140。第一空穴传输层140位于量子点发光层130和空穴传输掺杂层160之间。其中，第一空穴传输层140的最高占据分子轨道能级小于或等于第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，且大于量子点发光层130的最高占据分子轨道能级。
其中，通过在量子点发光层130和空穴传输掺杂层160之间设置第一空穴传输层140，空穴会由空穴传输掺杂层160的第一空穴传输材料跃迁入第一空穴传输层140中，而后由第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130。
当第一空穴传输层140的HOMO能级小于第一空穴传输材料的HOMO能级时，第一空穴传输层140的HOMO能级与第一空穴传输材料的HOMO能级之间的差值，小于量子点发光层130的HOMO能级与第一空穴传输材料的HOMO能级之间的差值。因此，第一空穴传输层140与第一空穴传输材料之间的势垒，小于量子点发光层130与第一空穴传输材料之间势垒，因此，相比于空穴从第一空穴传输材料跃迁至量子点发光层130，空穴更容易从第一空穴传输材料跃迁至第一空穴传输层140。同理，量子点发光层130的HOMO能级与第一空穴传输层140之间的HOMO能级的差值，小于量子点发光层130的HOMO能级与第一空穴传输材料的HOMO能级之间的差值。因此，量子点发光层130与第一空穴传输层140之间的势垒小于量子点发光层130与第一空穴传输材料之间势垒。因此，相比于空穴从第一空穴传输材料跃迁至量子点发光层130，空穴更容易从第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130。
因此，通过在量子点发光层130和空穴传输掺杂层160之间设置第一空穴传输层140可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
当第一空穴传输层140的HOMO能级等于第一空穴传输材料的HOMO能级时，可以使得第一空穴传输层140中包括第一空穴传输材料。
在一些实施例中，第一空穴传输层140的迁移率小于或等于第一空穴传输材料的迁移率，且大于量子点发光层130的迁移率。
当第一空穴传输层140的迁移率小于第一空穴传输材料的迁移率时，第一空穴传输层140的迁移率与第一空穴传输材料的迁移率之间的差值，小于量子点发光层130的迁移率与第一空穴传输材料的迁移率之间的差值。因此，第一空穴传输层140的迁移率与第一空穴传输材料的迁移率更匹配，相比于空穴从第一空穴传输材料跃迁至量子点发光层130，空穴更容易从第一空穴传输材料跃迁至第一空穴传输层140。
同理，量子点发光层130的迁移率与第一空穴传输层140之间的迁移率的差值，小于量子点发光层130的迁移率与第一空穴传输材料的迁移率之间的差值。因此，第一空穴传输层140的迁移率与量子点发光层130的迁移率更匹配，相比于空穴从第一空穴传输材料跃迁至量子点发光层130，空穴更容易从第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130。
因此，通过在量子点发光层130和空穴传输掺杂层160之间设置第一空穴传输层140可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
当第一空穴传输层140的迁移率等于第一空穴传输材料的迁移率时，当第一空穴传输层140的中包括第一空穴传输材料。
在一些实施例中，第一空穴传输层140包括第一空穴传输材料。因此，第一空穴传输层140与空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料的能级差值为零。
其中，通过使得第一空穴传输层140包括第一空穴传输材料，可以增大第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的接触面积，进而可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
在一些实施例中，在发光器件100包括第一空穴传输层140和空穴传输掺杂层160的情况下，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为2：1。此时，空穴传输掺杂层160中的第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积足够大，进而能够使得第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输效率较大。此外，空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料与第一空穴传输层140之间的接触面积足够大，从而可以使得较多的空穴由空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料跃迁至第一空穴传输层140，而后有足够的空穴由第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130，进而保证第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的迁移率较大。
综上，通过使得第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输效率较大，并且同时保证第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输效率较大，进而能够保证空穴进入量子点发光层130的量，保证空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
请参阅图7，在一些实施例中，在发光器件100中包括空穴传输掺杂层160和第一空穴传输层140的情况下，空穴传输掺杂层160的厚度H1为量子点发光层130的厚度的0.33倍～5倍，即0.5H2≤H1≤5H2。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥0.33H2，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于0.33H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤5H2，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于5H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过多，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的厚度过大。
请参阅图7，在一些实施例中，在发光器件100中包括空穴传输掺杂层160和第一空穴传输层140的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3为空穴传输掺杂层160的厚度H1的0.06倍～2倍，即0.06H1≤H3≤2H1。
其中，第一空穴传输层140的厚度H3≥0.06H1，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过小(例如小于0.06H1)，而形成量子点发光层130时会形成纳米凸起，若第一空穴传输层140的厚度过小，则会导致第一空穴传输层140的表面不平整，不利于发光器件100的良率。因此，通过使得H3≥0.06H1，可以使得第一空穴传输层140具有足够的厚度，保证第一空穴传输层140具有平整的表面，从而保证发光器件100的良率。
此外，第一空穴传输层140的厚度H3≤2H1，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大(例如大于2H1)，则可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
请参阅图7，在一些实施例中，在发光器件100中包括空穴传输掺杂层160和第一空穴传输层140的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3为空穴传输掺杂层160的厚度H1的三分之一。此时，即可以使得第一空穴传输层140具有足够的厚度，保证第一空穴传输层140具有平整的表面，从而保证发 光器件100的良率。还可以避免第一空穴传输层140的厚度H1过大，导致材料的浪费以及发光器件100的厚度过大。
请参阅图7，在一些实施例中，在发光器件100中包括空穴传输掺杂层160和第一空穴传输层140的情况下，空穴传输掺杂层160的厚度H1为10nm～50nm。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥10nm，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于10nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤50nm，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于50nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过大，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的过大。
示例性的，空穴传输掺杂层160的厚度H1为30nm。
请参阅图7，在一些实施例中，在发光器件100中包括空穴传输掺杂层160和第一空穴传输层140的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3为3nm～20nm，即3nm≤H3≤20nm。
其中，第一空穴传输层140的厚度H3≥3nm，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过小(例如小于3nm)，而形成量子点发光层130时会形成纳米凸起，若第一空穴传输层140的厚度过小，则会导致第一空穴传输层140的表面不平整，不利于发光器件100的良率。因此，通过使得H3≥3nm，可以使得第一空穴传输层140具有足够的厚度，保证第一空穴传输层140具有平整的表面，从而保证发光器件100的良率。
此外，第一空穴传输层140的厚度H3≤20nm，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大(例如大于20nm)，则可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
示例性的，第一空穴传输层140的厚度H3为10nm。
在本公开的一些实施例中，对参考发光器件和测试发光器件2进行测试，其中，参考发光器件包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、第一空穴传输层140、第二空穴传输层150、空穴注入层170和第二电极120。其中，第一空穴传输层140的厚度为10nm，材料为TCTA。第二空穴传输层150的厚度为30nm，材料为NPB。
而测试发光器件2中的空穴传输部包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、第一空穴传输层140、空穴传输掺杂层160、空穴注入层170和第二电极120。其中，第一空穴传输层140的厚度为10nm，第一空穴传输层140的材料为TCTA。空穴传输掺杂层160的厚度为30nm。空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料为TCTA，第二空穴传输材料为NPB，且TCTA和NPB的掺杂比例为2：1。
其中，需要说明的是，在参考发光器件和测试发光器件2中，第一电极110的材料均为ITO，厚度均为120nm；电子传输层180的均材料为：氧化锌，厚度均为40nm；量子点发光层130的材料包括：CdS(硫化镉)和CdSe(硒化镉)，其中，CdSe包围在CdS的外部，量子点发光层130的厚度均为20nm，且量子点发光层130均为红色量子点发光层；空穴注入层170的材料均为MoO3(氧化钼)，厚度均为7nm；而第二电极120的材料均为Ag，厚度均为120nm。
经过测试可得到如图8所示的电流效率示意图。
由图8可知，测试发光器件2的电流效率明高于参考发光器件的电流效率，电流效率越高，该器件的发光效率越高。因此，测试发光器件2的发光效率明高于参考发光器件的发光效率。由此可知，通过在发光器件100中设置第一空穴传输层140和空穴传输掺杂层160，可以有效提高发光器件100的发光效率。
在上面的一些实施例中，对空穴传输部包括第一空穴传输层140和空穴传输掺杂层160的实施例进行了介绍。
图9为根据其他的一些实施例的显示面板1000的结构图。
请参阅图9，在其他的一些实施例中，发光器件100还包括：第二空穴传输层150。第二空穴传输层150位于空穴传输掺杂层160和第二电极120之间。其中，第二空穴传输层150的最高占据分子轨道能级小于第二电极120的最高占据分子轨道能级，且大于或等于第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
在发光器件100还包括空穴注入层170的情况下，第二空穴传输层150位于空穴传输掺杂层160和第二电极120之间。
其中，通过在第二电极120和空穴传输掺杂层160之间设置第二空穴传输层150，空穴会由第二电极120跃迁入第二空穴传输层150中，而后由第二空穴传输层150跃迁至空穴传输掺杂层160的第二空穴传输材料。
当第二空穴传输层150的HOMO能级大于第二空穴传输材料的HOMO 能级时，第二空穴传输层150的HOMO能级与第二电极120的HOMO能级之间的差值，小于第二空穴传输材料的HOMO能级与第二电极120的HOMO能级之间的差值。因此，第二空穴传输层150与第二电极120之间的势垒小于第二空穴传输材料与第二电极120之间势垒。因此，相比于空穴从第二电极120跃迁至第二空穴传输材料，空穴更容易从第二电极120跃迁至第二空穴传输层150。同理，第二空穴传输材料的HOMO能级与第二空穴传输层150的HOMO能级之间的差值，小于第二空穴传输材料的HOMO能级与第二电极120的HOMO能级之间的差值。因此，第二空穴传输材料与第二空穴传输层150之间的势垒，小于第二空穴传输材料与第二电极120之间势垒，因此，相比于空穴从第二电极120跃迁至第二空穴传输材料，空穴更容易第二空穴传输层150从跃迁至第二空穴传输材料。因此，通过在第二电极120和空穴传输掺杂层160之间设置第二空穴传输层150可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入第二电极120的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
当第二空穴传输层150的HOMO能级等于第二空穴传输材料的HOMO能级时，第二空穴传输层150中包括第二空穴传输材料。
在一些实施例中，第二空穴传输层150的迁移率小于第二电极120的迁移率，且大于或等于第二空穴传输材料的迁移率。
当第二空穴传输层150的迁移率大于第二空穴传输材料的迁移率时，第二空穴传输层150的迁移率与第二空穴传输材料的迁移率之间的差值，小于第二电极120的迁移率与第二空穴传输材料的迁移率之间的差值。因此，第二空穴传输层150的迁移率与第二电极120的迁移率更匹配，相比于空穴从第二电极120跃迁至第二空穴传输材料，空穴更容易从第二空穴传输层150跃迁至第二空穴传输材料。同理，第二电极120的迁移率与第二空穴传输层150之间的迁移率的差值，小于第二电极120的迁移率与第二空穴传输材料的迁移率之间的差值。因此，第二空穴传输层150的迁移率与第二电极120的迁移率更匹配，相比于空穴从第二电极120跃迁至第二空穴传输材料，空穴更容易从第二电极120跃迁至第二空穴传输层150。
因此，通过在第二电极120和空穴传输掺杂层160之间设置第二空穴传输层150可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入第二电极120的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
当第二空穴传输层150的迁移率等于第二空穴传输材料的迁移率时，当第二空穴传输层150的中包括第二空穴传输材料。
在一些实施例中，第二空穴传输层150包括第二空穴传输材料。因此，第二空穴传输层150与空穴传输掺杂层160中的第二空穴传输材料的能级差值为零。
其中，通过使得第二空穴传输层150包括第二空穴传输材料，可以增大第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积，进而可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
在一些实施例中，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
此时，空穴传输掺杂层160中的第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积足够大，从而可以使得较多的空穴由第二电极120跃迁至第二空穴传输层150以及第二空穴传输材料中，而后有足够的空穴由第二空穴传输材料跃迁至第一空穴传输材料中，进而保证第二电极120第二空穴传输材料之间的空穴的传输效率较大。此外，空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的接触面积足够大，进而可以保证第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输效率。
综上，通过使得第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输效率较大，并且同时保证第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输效率较大，进而能够保证空穴进入量子点发光层130的量，保证空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
请参阅图9，在一些实施例中，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，空穴传输掺杂层160的厚度H1为量子点发光层130的厚度H2的0.1倍～2倍，即0.1H2≤H1≤2H2。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥0.1H2，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于0.1H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤2H2，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于2H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过多，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传 输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的厚度过大。
请参阅图9，在一些实施例中，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4是空穴传输掺杂层160的厚度H1的0.5倍～16.66倍，即0.5H1≤H4≤16.66H1。
其中，第二空穴传输层150的厚度H4≥0.5H1，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过小(例如小于0.5H1)，导致第二空穴传输材料过少，进而导致第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输速率过小。
此外，第二空穴传输层150的厚度H4≤16.66H1，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大(例如大于16.66H1)，则可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
请参阅图9，在一些实施例中，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4是空穴传输掺杂层160的厚度H1的3倍，即H4＝3H1。
请参阅图9，在一些实施例中，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，空穴传输掺杂层160的厚度H1为3nm～20nm，即3nm≤H1≤20nm。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥3nm，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于3nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤20nm，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于20nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过多，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的厚度过大。
示例性的，空穴传输掺杂层160的厚度H1为10nm。
请参阅图9，在一些实施例中，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4为10nm～50nm，10nm≤H4≤50nm。
其中，第二空穴传输层150的厚度H4≥10nm，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过小(例如小于10nm)，导致第二空穴传输材料过少，进而导致第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输速率过小。
此外，第二空穴传输层150的厚度H4≤50nm，可以避免第二空穴传输层 150的厚度H4过大(例如大于50nm)，则可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
示例性的，发光器件100还包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4为30nm。
在本公开中，对参考发光器件和测试发光器件3进行测试。其中，参考发光器件包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、第一空穴传输层140、第二空穴传输层150、空穴注入层170和第二电极120。其中，第一空穴传输层140的厚度为10nm，材料为TCTA。第二空穴传输层150的厚度为30nm，材料为NPB。
而测试发光器件3中包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、空穴传输掺杂层160、第二空穴传输层150、空穴注入层170和第二电极120。其中，空穴传输掺杂层160的厚度为10nm，空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料为TCTA，第二空穴传输材料为NPB，且TCTA和NPB的质量之比为1：1。第二空穴传输层150的厚度为30nm，材料为NPB。
其中，需要说明的是，在参考发光器件和测试发光器件3中，第一电极110的材料均为ITO，厚度均为120nm；电子传输层180的均材料为：氧化锌，厚度均为40nm；量子点发光层130的材料包括：CdS(硫化镉)和CdSe(硒化镉)，其中，CdSe包围在CdS的外部，量子点发光层130的厚度均为20nm，且量子点发光层130均为红色量子点发光层；空穴注入层170的材料均为MoO3(氧化钼)，厚度均为7nm；而第二电极120的材料均为Ag，厚度均为120nm。
经过测试可得到如图10所示的电流效率示意图。
由图10可知，测试发光器件3的电流效率明高于参考发光器件的电流效率，电流效率越高，该器件的发光效率越高。因此，测试发光器件3的发光效率明高于参考发光器件的发光效率。由此可知，通过在发光器件100中设置第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160，可以有效提高发光器件100的发光效率。
在上面的一些实施例中，对空穴传输部包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的实施例进行了介绍。
图11为根据又一些实施例的显示面板1000的结构图。
请参阅图11，在又一些实施例中，发光器件100还包括：第一空穴传输层140和第二空穴传输层150。其中，第一空穴传输层140位于量子点发光层 130和空穴传输掺杂层160之间。其中，第一空穴传输层140的最高占据分子轨道能级小于或等于第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，且大于量子点发光层130的最高占据分子轨道能级。第二空穴传输层150位于空穴传输掺杂层160和第二电极120之间。其中，第二空穴传输层150的最高占据分子轨道能级小于第二电极120的最高占据分子轨道能级，且大于或等于第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级。
经上文可知，通过在量子点发光层130和空穴传输掺杂层160之间设置第一空穴传输层140，以及在第二电极120和空穴传输掺杂层160之间设置第二空穴传输层150，均可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第一空穴传输层140的迁移率小于或等于第一空穴传输材料的迁移率，且大于量子点发光层130的迁移率；第二空穴传输层150的迁移率小于第二电极120的迁移率，且大于或等于第二空穴传输材料的迁移率。经上文可知，如此设置，可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
在一些实施例中，第一空穴传输层140包括第一空穴传输材料，第二空穴传输层150包括第二空穴传输材料。
通过使得第一空穴传输层140包括第一空穴传输材料，可以增大第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的接触面积，进而可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
通过使得第二空穴传输层150包括第二空穴传输材料，可以增大第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积，进而可以增大空穴的传输效率，从而使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
此时，空穴传输掺杂层160中的第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积足够大，从而可以使得较多的空穴由第二电极120跃迁至第二空穴传输层150以及第二空穴传输材料中，而后有足够的空穴由第二空穴传输 材料跃迁至第一空穴传输材料中，进而保证第二电极120第二空穴传输材料之间的空穴的传输效率较大。
此外，空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料与第一空穴传输层140之间的接触面积足够大，从而可以使得较多的空穴由空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料跃迁至第一空穴传输层140，而后有足够的空穴由第一空穴传输层140跃迁至量子点发光层130，进而保证第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的迁移率较大。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，空穴传输掺杂层160的厚度H1为量子点发光层130的厚度H2的0.1倍～2倍，即0.1H2≤H1≤2H2。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥0.1H2，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于0.1H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤2H2，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于2H2)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过多，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的厚度过大。
在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3是空穴传输掺杂层160的厚度H1的0.15倍～6.67倍，即0.15H1≤H3≤6.67H1。
其中，第一空穴传输层140的厚度H3≥0.15H1，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过小(例如小于0.15H1)，而形成量子点发光层130时会形成纳米凸起，若第一空穴传输层140的厚度过小，则会导致第一空穴传输层140的表面不平整，不利于发光器件100的良率。因此，通过使得H3≥0.15H1，可以使得第一空穴传输层140具有足够的厚度，保证第一空穴传输层140具有平整的表面，从而保证发光器件100的良率。
此外，第一空穴传输层140的厚度H3≤6.67H1，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大(例如大于6.67H1)，则可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4是空穴传输掺杂 层160的厚度H1的0.5倍～16.67倍，即0.5H1≤H4≤16.67H1。
其中，第二空穴传输层150的厚度H4≥0.5H1，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过小(例如小于0.5H1)，导致第二空穴传输材料过少，进而导致第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输速率过小。
此外，第二空穴传输层150的厚度H4≤16.66H1，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大(例如大于16.66H1)，则可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3是空穴传输掺杂层160的厚度H1的1倍，即H3＝H1。此时，即可以使得第一空穴传输层140具有足够的厚度，保证第一空穴传输层140具有平整的表面，从而保证发光器件100的良率。还可以避免第一空穴传输层140的厚度H1过大，导致材料的浪费以及发光器件100的厚度过大。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层的150厚度H4是空穴传输掺杂层160的厚度H1的6倍，即H4＝6H1。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，空穴传输掺杂层160的厚度H1为3nm～20nm。
其中，空传输掺杂层140的厚度H1≥3nm，可以避免空穴传输掺杂层140的厚度H1过小(例如小于3nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少，进而可以避免因第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过少而导致的空穴的传输效率较低，从而可以保证空穴传输掺杂层140的空穴的传输效率。
此外，空传输掺杂层140的厚度H1≤20nm，可以避免空传输掺杂层140的厚度H1过大(例如大于20nm)，导致空传输掺杂层140中的第一空穴传输材料以及第二空穴传输材料过大，从而可以避免材料的浪费，同时避免因空传输掺杂层140的厚度H1过大，导致发光器件100的过大。
示例性的，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，空传输掺杂层140的厚度H1为5nm。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3为3nm～20nm。
其中，第一空穴传输层140的厚度H3≥3nm，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过小(例如小于3nm)，而形成量子点发光层130时会形成纳米凸起，若第一空穴传输层140的厚度过小，则会导致第一空穴传输层140的表面不平整，不利于发光器件100的良率。因此，通过使得H3≥3nm，可以使得第一空穴传输层140具有足够的厚度，保证第一空穴传输层140具有平整的表面，从而保证发光器件100的良率。
此外，第一空穴传输层140的厚度H3≤20nm，可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大(例如大于20nm)，则可以避免第一空穴传输层140的厚度H3过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
示例性的，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第一空穴传输层140的厚度H3为5nm。
在一些实施例中，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4为10nm～50nm。
其中，第二空穴传输层150的厚度H4≥10nm，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过小(例如小于10nm)，导致第二空穴传输材料过少，进而导致第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输速率过小。
此外，第二空穴传输层150的厚度H4≤50nm，可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大(例如大于50nm)，则可以避免第二空穴传输层150的厚度H4过大，导致发光器件100整体的厚度较大。
示例性的，在发光器件100还包括：第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，第二空穴传输层150的厚度H4为30nm。
在本公开中，对参考发光器件和测试发光器件4进行测试，其中，参考发光器件包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、第一空穴传输层140、第二空穴传输层150、空穴注入层170和第二电极120。其中，第一空穴传输层140的厚度为10nm，材料为TCTA。第二空穴传输层150的厚度为30nm，材料为NPB。
而测试发光器件4包括依次叠层设置的第一电极110、电子传输层180、量子点发光层130、第一空穴传输层140、空穴传输掺杂层160、第二空穴传输层150、空穴注入层170和第二电极120。其中，第一空穴传输层140的厚度为5nm，材料为TCTA。而空穴传输掺杂层160的厚度为5nm，空穴传输掺 杂层160中的第一空穴传输材料为TCTA，第二空穴传输材料为NPB，且TCTA和NPB的掺杂比例为1：1。第二空穴传输层150的厚度为40nm，材料为NPB。
其中，需要说明的是，在参考发光器件和测试发光器件4中，第一电极110的材料均为ITO，厚度均为120nm；电子传输层180的均材料为：氧化锌，厚度均为40nm；量子点发光层130的材料包括：CdS(硫化镉)和CdSe(硒化镉)，其中，CdSe包围在CdS的外部，量子点发光层130的厚度均为20nm，且量子点发光层130均为红色量子点发光层；空穴注入层170的材料均为MoO3(氧化钼)，厚度均为7nm；而第二电极120的材料均为Ag，厚度均为120nm。
经过测试可得到如图12所示的电流效率示意图。
由图12可知，测试发光器件4的电流效率明高于参考发光器件的电流效率，电流效率越高，该器件的发光效率越高。因此，测试发光器件4的发光效率明高于参考发光器件的发光效率。由此可知，通过在发光器件100中设置第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160，可以有效提高发光器件100的发光效率。
在一些实施例中，空穴传输掺杂层160的包括堆叠设置的多层子掺杂层。在任意相邻的两层子掺杂层中，靠近量子点发光层130的子掺杂层中的第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比，大于远离量子点发光层130的子掺杂层中的第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比。
因此，在空穴传输掺杂层160中，越靠近量子点发光层130，第一空穴传输材料所占的比例越大，因此，可以增大空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的接触面积，进而增大空穴传输掺杂层160中的第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的空穴的传输速率，进而可以增大注入量子点发光层130中的空穴的量，提高空穴与电子注入平衡，提高发光器件100的发光效率。
而越靠近第二电极120，第二空穴传输材料所占的比例越大。因此，可以增大在空穴传输掺杂层160中第二空穴传输材料与第二电极120之间的接触面积，从而可以增大第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴的传输速率，进而可以增大注入量子点发光层130中的空穴的量，提高空穴与电子注入平衡，提高发光器件100的发光效率。
在上面的一些实施例中，对发光器件100中的膜层结构进行了介绍，接下来对第一空穴传输材料和第二空穴传输材料进行介绍。
在一些实施例中，第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级为量子点 发光层130的最高占据分子轨道能级的0.88倍～1.02倍。
其中，由于第一空穴传输材料的HOMO能级以及量子点发光层130的HOMO能级的取值均为负值。因此，通过使得第一空穴传输材料的HOMO能级大于或等于量子点发光层130的HOMO能级的0.88倍，可以避免第一空穴传输材料的HOMO能级过大，导致第一空穴传输材料的HOMO能级与量子点发光层130的HOMO能级之间的差值过大，即第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的势垒过大，进而可以避免第一空穴传输材料和量子点发光层130之间空穴的传输效率过小。
此外，由于第一空穴传输材料的HOMO能级以及量子点发光层130的HOMO能级的取值均为负值。因此，通过使得第一空穴传输材料的HOMO能级小于或等于量子点发光层130的HOMO能级的1.02倍，进而可以避免第一空穴传输材料的HOMO能级过小，导致第一空穴传输材料的HOMO能级与第二空穴传输材料的HOMO能级之间的差值过大，进而第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的势垒过大，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级为量子点发光层130的最高占据分子轨道能级的0.82倍～0.97倍。
其中，由于第二空穴传输材料的HOMO能级以及量子点发光层130的HOMO能级的取值均为负值。因此，通过使得第二空穴传输材料的HOMO能级大于或等于量子点发光层130的HOMO能级的0.82倍，可以避免第二空穴传输材料的HOMO能级过大，导致第一空穴传输材料的HOMO能级与第二空穴传输材料的HOMO能级之间的差值过大，进而使得第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的势垒过大，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
此外，由于第二空穴传输材料的HOMO能级以及量子点发光层130的HOMO能级的取值均为负值。因此，通过使得第一空穴传输材料的HOMO能级小于或等于量子点发光层130的HOMO能级的0.97倍，可以避免第二空穴传输材料的HOMO能级过小，导致第二空穴传输材料的HOMO能级与第二电极120之间的差值过大，进而使得第二空穴传输材料与第二电极120之间的势垒过大，从而可以避免第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的取值范围为-6.3eV～-5.9eV。
其中，通过使得第一空穴传输材料的HOMO能级小于或等于-5.9eV，可以避免第一空穴传输材料的HOMO能级过大(例如大于-5.9eV)，导致第一空穴传输材料的HOMO能级与量子点发光层130的HOMO能级之间的差值过大，进而使得第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的势垒过大，进而可以避免第一空穴传输材料和量子点发光层130之间空穴的传输效率过小。
此外，通过使得第一空穴传输材料的HOMO能级大于或等于-6.3eV，可以避免第一空穴传输材料的HOMO能级过小(例如小于-6.3eV)，导致第一空穴传输材料的HOMO能级与第二空穴传输材料的HOMO能级之间的差值过大，进而使得第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的势垒过大，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的取值范围为-6eV～-5.5eV。
其中，通过使得第二空穴传输材料的HOMO能级小于或等于-5.5eV，可以避免第二空穴传输材料的HOMO能级过大(例如大于-5.5eV)，导致第一空穴传输材料的HOMO能级与第二空穴传输材料的HOMO能级之间的差值过大，即第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的势垒过大，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
此外，通过使得第一空穴传输材料的HOMO能级大于或等于-6eV，可以避免第二空穴传输材料的HOMO能级过小(例如小于-6eV)，导致第二空穴传输材料的HOMO能级与第二电极120之间的差值过大，进而致第二空穴传输材料与第二电极120之间的势垒过大，从而可以避免第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第一空穴传输材料的迁移率为量子点发光层130的迁移率的1倍～10
3倍。
其中，通过使得第一空穴传输材料的迁移率小于或等于量子点发光层130的迁移率的10
3倍，可以避免第一空穴传输材料的迁移率过大，导致第一空穴传输材料的迁移率与量子点发光层130的迁移率之间的差值过大，即第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的不匹配，进而可以避免第一空穴传输材料和量子点发光层130之间空穴的传输效率过小。
此外，通过使得第一空穴传输材料的迁移率大于或等于量子点发光层130的迁移率的1倍，可以避免第一空穴传输材料的迁移率过小，导致第一空穴传输材料的迁移率与第二空穴传输材料的迁移率之间的差值过大，进而第一空穴传输材料与第二空穴传输材料不匹配，进而可以避免第一空穴传输材料 与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第二空穴传输材料的迁移率为量子点发光层130的迁移率的10
2倍～10
4倍。
其中，通过使得第二空穴传输材料的迁移率小于或等于量子点发光层130的迁移率的10
4倍，可以避免第二空穴传输材料的迁移率过大，导致第二空穴传输材料的迁移率与第一空穴传输材料的迁移率之间的差值过大，进而使得第一空穴传输材料与第二空穴传输材料不匹配，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
此外，通过使得第一空穴传输材料的迁移率大于或等于量子点发光层130的迁移率的10
2倍，可以避免第二空穴传输材料的迁移率过小，导致第二空穴传输材料的迁移率与第二电极120的迁移率之间的差值过大，进而使得第二空穴传输材料与第二电极120不匹配，从而可以避免第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第一空穴传输材料的迁移率的取值范围为10
-5cm
2V
-1s
-1～10
-3cm
2V
-1s
-1。
其中，通过使得第一空穴传输材料的迁移率小于或等于10
-3cm
2V
-1s
-1，可以避免第一空穴传输材料的迁移率过大(例如大于10
-3cm
2V
-1s
-1)，导致第一空穴传输材料的迁移率与量子点发光层130的迁移率之间的差值过大，即第一空穴传输材料与量子点发光层130之间的不匹配，进而可以避免第一空穴传输材料和量子点发光层130之间空穴的传输效率过小。
此外，通过使得第一空穴传输材料的迁移率大于或等于10
-5cm
2V
-1s
-1，可以避免第一空穴传输材料的迁移率过小(例如小于10
-5cm
2V
-1s
-1)，导致第一空穴传输材料的迁移率与第二空穴传输材料的迁移率之间的差值过大，进而第一空穴传输材料与第二空穴传输材料不匹配，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，第二空穴传输材料的迁移率的取值范围为10
-3cm
2V
-1s
-1～10
-2cm
2V
-1s
-1。
其中，通过使得第二空穴传输材料的迁移率小于或等于10
-2cm
2V
-1s
-1，可以避免第二空穴传输材料的迁移率过大(例如大于10
-2cm
2V
-1s
-1)，导致第二空穴传输材料的迁移率与第一空穴传输材料的迁移率之间的差值过大，进而使得第一空穴传输材料与第二空穴传输材料不匹配，进而可以避免第一空穴传输材料与第二空穴传输材料之间的空穴传输效率过小。
此外，通过使得第一空穴传输材料的迁移率大于或等于10
-3cm
2V
-1s
-1， 可以避免第二空穴传输材料的迁移率过小(例如小于10
-3cm
2V
-1s
-1)，导致第二空穴传输材料的迁移率与第二电极120的迁移率之间的差值过大，进而使得第二空穴传输材料与第二电极120不匹配，从而可以避免第二空穴传输材料与第二电极120之间的空穴传输效率过小。
在一些实施例中，空穴传输材料可以为咔唑、三苯胺、咔唑衍生物及三苯胺衍生物等材料。
综上，本公开的一些实施例所提供的发光器件100，通过在发光器件100中设置空穴传输掺杂层160，可以有效提高空穴注入量子点发光层130的效率，从而可以平衡空穴和电子的注入速率，提高发光器件100的发光效率。
而本公开的一些实施例所提供的显示面板1000包括以上一些实施例所提供的发光器件100，因此，而本公开的一些实施例所提供的显示面板1000包括以上一些实施例所提供的发光器件100的全部有益效果，在此不进行赘述。
而本公开的一些实施例所提供的显示装置2000包括以上一些实施例所提供的显示面板1000，因此，而本公开的一些实施例所提供的显示装置2000包括以上一些实施例所提供的显示面板1000的全部有益效果，在此不进行赘述。
本公开的一些实施例还提供了一种发光器件的制备方法，用于以上一些实施例所提供的发光器件100。
图13为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。
请参阅图13，该发光器件的制备方法包括：以下步骤S1～S3。
请再次参阅图5，S1、在第一电极110的一侧形成量子点发光层130。
其中，第一电极110可以为导电玻璃。
在形成量子点发光层130之前可以分别采用水和异丙醇分别对导电玻璃进行清洗，并使用紫外线对其处理5至10分钟。
在形成量子点发光层130时，可以采用旋涂工艺。
S2、在量子点发光层130远离第一电极110的一侧形成空穴传输掺杂层160，其中，空穴传输掺杂层160包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，所述至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同。
其中，在空穴传输掺杂层160，由于上述至少两种空穴传输材料混合，因此，任意HOMO能级相近的两种空穴传输材料之间的接触面积较大，空穴由HOMO能级较高的空穴传输材料跃迁至HOMO能级较低的空穴传输材料中时，空穴的传输速率较高，进而可以提高空穴注入量子点发光层130的速率，使得电子和空穴的注入量子点发光层130的速率更加平衡，从而提高发光器件100的发光效率。
示例性的，可以通过蒸镀工艺形成空穴传输掺杂层160。
S3、在空穴传输掺杂层160远离量子点发光层130的一侧形成第二电极120。
其中，第二电极120可以为铝膜或银膜，其中，铝膜或银膜可以通过蒸镀工艺形成。
此外，第二电极120还可以为铟锌氧化物(IZO)，此时，铟锌氧化物(IZO)可以通过溅射工艺形成。
在步骤S3之后，可以对发光器件100进行封装。示例性的，可以采用紫外固化胶对发光器件100进行封装。
在一些实施例中，所述至少两种空穴传输材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，且第一空穴传输材料的HOMO能级小于所述第二空穴传输材料的HOMO能级。
在S2、在量子点发光层130远离第一电极110的一侧形成空穴传输掺杂层160的步骤中，采用双源共蒸法在第一电极110的一侧同时沉积第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，以形成空穴传输掺杂层160。
其中，“双源共蒸法”指的是，将两个蒸发源均设置于镀膜室中，其中一个蒸发源用于蒸发第一空穴传输材料，而另一个蒸发源用于蒸发第二空穴传输材料，其中，通过改变第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的蒸发温度，可以改变二者的蒸镀速度。
示例性的，在步骤S2中，第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的蒸镀速度之比的取值范围为1：5～5：1，从而可以使得空穴传输掺杂层160中第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的质量之比的取值范围为1：5～5：1。
在一些示例中，空穴传输部中仅包括空穴传输掺杂层160，在步骤S2中，第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的蒸镀速度之比的为2：1。此时，在空穴传输掺杂层中160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为2：1。
图14为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。
请参阅图14，且同时参阅图5，在一些实施例中，S1、在第一电极110的一侧形成量子点发光层130的步骤之前，还包括：S01、在第一电极110的一侧形成电子传输层180。
当电子传输层180为氧化锌基纳米粒子薄膜时，可以旋涂氧化锌纳米粒子，并在80℃～120℃的温度下加热成膜。其中，匀胶机转速设置为500rpm～2500rpm，以调整膜层的厚度。
当电子传输层180为氧化锌薄膜时。在制备氧化锌薄膜时，将1g醋酸锌(或者硝酸锌等)溶于5mL乙醇胺和正丁醇的混合溶液中，以形成锌的前驱体溶液。
而后将上述导电玻璃置于匀胶机，将90μL～120μL锌的前驱体溶液滴加到导电玻璃上，旋涂。将上述导电玻璃置于250℃～300℃的热台上，加热并发溶剂。
步骤S1、在第一电极110的一侧形成量子点发光层130的步骤包括：S11、在电子传输层180背离第一电极110的一侧形成量子点发光层130。
在一些实施例中，S2、在量子点发光层130远离第一电极110的一侧形成空穴传输掺杂层160的步骤之后，还包括S2A、在空穴传输掺杂层160远离量子点发光层130的一侧形成空穴注入层170。
其中，空穴注入层170可以通过旋涂工艺形成。
示例性的，空穴注入层170可以包括PEDOT:PSS 4083(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)。其中，PEDOT的成膜温度为130℃～150℃。而空穴注入层170的厚度可以根据匀胶机转速调控。
此外，也可以通过蒸镀工艺形成空穴注入层170。
在包括S2A的情况下，S3、在空穴传输掺杂层160远离量子点发光层130的一侧形成第二电极120的步骤包括：S31、在空穴注入层170远离空穴传输掺杂层160的一侧形成第二电极120。
图15为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。
请参阅图15，在一些实施例中，S1、在第一电极110的一侧形成量子点发光层130的步骤之后，还包括：S1A、在量子点发光层130远离第一电极110的一侧形成第一空穴传输层140。
示例性的，在步骤S1A中，可以以
的速率在量子点发光层130远离第一电极110的一侧蒸镀第一空穴传输层140。
S2、在量子点发光层130远离第一电极110的一侧形成空穴传输掺杂层160的步骤，包括：S21、在第一空穴传输层140远离第一电极110的一侧形成空穴传输掺杂层160。
在发光器件100包括第一空穴传输层140和空穴传输掺杂层160的情况下，在步骤S2中，第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的蒸镀速度之比为2：1，此时，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为2：1。
图16为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。
请参阅图16，在一些实施例中，S2、在量子点发光层130远离第一电极110的一侧形成空穴传输掺杂层160的步骤之后，还包括：S2B、在空穴传输掺杂层160远离第一电极110的一侧形成第二空穴传输层150。
示例性的，在步骤S2B中，可以以
的速率在量子点发光层130远离第一电极110的一侧蒸镀第二空穴传输层150。
在发光器件100包括第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，在步骤S2中，第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的蒸镀速度之比为1：1，此时，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
在发光器件100包括第一空穴传输层140、第二空穴传输层150和空穴传输掺杂层160的情况下，在步骤S2中，第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的蒸镀速度之比为1：1，此时，在空穴传输掺杂层160中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
其中，可以理解的是，在发光器件100还包括空穴注入层170的情况下，空穴注入层170位于第二空穴传输层150和第二电极120之间。
S3、在空穴传输掺杂层160远离量子点发光层130的一侧形成第二电极120的步骤，包括：S32、在第二空穴传输层150远离空穴传输掺杂层160的一侧形成第二电极120。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (35)
- 一种发光器件，包括：第一电极和第二电极；位于所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层；以及，空穴传输掺杂层，位于所述量子点发光层与所述第二电极之间；所述空穴传输掺杂层包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，所述至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同。
- 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述至少两种空穴传输材料的迁移率不同，且在任意两种空穴传输材料中，最高占据分子轨道能级较低的空穴传输材料的迁移率，大于最高占据分子轨道能级较高的空穴传输材料的迁移率。
- 根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述至少两种空穴传输材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，且所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级小于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为1：5～5：1。
- 根据权利要3所述的发光器件，其中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为2：1。
- 根据权利要4所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.66倍～5倍。
- 根据权利要4或5所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的2.3倍。
- 根据权利要求4～6中任一项所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层的厚度的取值范围为20nm～50nm。
- 根据权利要求3所述的发光器件，还包括：第一空穴传输层，位于所述量子点发光层和所述空穴传输掺杂层之间；其中，所述第一空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，且大于所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级；所述第一空穴传输层的迁移率小于或等于所述第一空穴传输材料的迁移率，且大于所述量子点发光层的迁移率。
- 根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输层包括所述第一空穴传输材料。
- 根据权利要求8或9所述的发光器件，其中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为2：1。
- 根据权利要求8～10中任一项所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.33倍～5倍；所述第一空穴传输层的厚度为所述空穴传输掺杂层的厚度的0.06倍～2倍。
- 根据权利要求8～11中任一项所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输层的厚度为所述空穴传输掺杂层的厚度的三分之一。
- 根据权利要求3所述的发光器件，还包括：第二空穴传输层，位于所述空穴传输掺杂层和所述第二电极之间；其中，所述第二空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于所述第二电极的最高占据分子轨道能级，且大于或等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；所述第二空穴传输层的迁移率小于所述第二电极的迁移率，且大于或等于所述第二空穴传输材料的迁移率。
- 根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述第二空穴传输层包括第二空穴传输材料。
- 根据权利要求13或14所述的发光器件，其中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
- 根据权利要求13～15中任一项所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.1倍～2倍；所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的0.5倍～16.66倍。
- 根据权利要求13～16中任一项所述的发光器件，其中，所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的3倍。
- 根据权利要求3所述的发光器件，还包括：第一空穴传输层，位于所述量子点发光层和所述空穴传输掺杂层之间；其中，所述第一空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级，且大于所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级；所述第一空穴传输层的迁移率小于或等于所述第一空穴传输材 料的迁移率，且大于所述量子点发光层的迁移率；第二空穴传输层，位于所述空穴传输掺杂层和所述第二电极之间；其中，所述第二空穴传输层的最高占据分子轨道能级小于所述第二电极的最高占据分子轨道能级，且大于或等于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；所述第二空穴传输层的迁移率小于所述第二电极的迁移率，且大于或等于所述第二空穴传输材料的迁移率。
- 根据权利要求18所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输层包括所述第一空穴传输材料；所述第二空穴传输层包括第二空穴传输材料。
- 根据权利要求18或19所述的发光器件，其中，在所述空穴传输掺杂层中，所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比为1：1。
- 根据权利要求18～20中任一项所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层的厚度为所述量子点发光层的厚度的0.1倍～2倍；所述第一空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的0.15倍～6.67倍；所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的0.5倍～16.67倍。
- 根据权利要求18～21中任一项所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的1倍；所述第二空穴传输层的厚度是所述空穴传输掺杂层的厚度的6倍。
- 根据权利要求3～22中任一项所述的发光器件，其中，所述空穴传输掺杂层包括堆叠设置的多层子掺杂层；在任意相邻的两层子掺杂层中，靠近所述量子点发光层的子掺杂层中的所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比，大于远离所述量子点发光层的子掺杂层中的所述第一空穴传输材料与所述第二空穴传输材料的质量之比。
- 根据权利要求3～23中任一项所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级为所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级的0.88倍～1.02倍；所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级为所述量子点发光层的最高占据分子轨道能级的0.82倍～0.97倍。
- 根据权利要求3～24中任一项所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的取值范围为-6.3eV～ ﹣5.9eV；所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级的取值范围为-6eV～-5.5eV。
- 据权利要求3～25中任一项所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输材料的迁移率为所述量子点发光层的迁移率的1倍～10 3倍；所述第二空穴传输材料的迁移率为所述量子点发光层的迁移率的10 2倍～10 4倍。
- 据权利要求3～26中任一项所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输材料的迁移率的取值范围为10 -5cm 2V -1s -1～10 -3cm 2V -1s -1；所述第二空穴传输材料的迁移率的取值范围为10 -3cm 2V -1s -1～10 -2cm 2V -1s -1。
- 根据权利要1～27中任一项所述的发光器件，其中，所述至少两种空穴传输材料包括以下材料中的至少两种：4,4-bis(carbazole-9-yl)biphenyl、1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene、2,6-bis(3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)pyridine、4,4',4”-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine、1,1-bis[4-[N,N'-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane、N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine。
- 根据权利要1～28中任一项所述的发光器件，还包括：空穴注入层，位于所述第二电极和所述空穴传输掺杂层之间；电子传输层，位于所述第一电极和所述量子点发光层之间。
- 一种显示面板，包括：衬底；以及，如权利要求1～29中任一项所述的多个发光器件，所述多个发光器件设置于所述衬底的一侧。
- 一种显示装置，包括：如权利要求30所述的显示面板。
- 一种发光器件的制备方法，包括：在第一电极的一侧形成量子点发光层；在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层，其中，所述空穴传输掺杂层包括至少两种空穴传输材料的混合物，其中，所述至少两种空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不同；在所述空穴传输掺杂层远离所述量子点发光层的一侧形成第二电极。
- 根据权利要求32所述的发光器件的制备方法，其中，所述至少两种空穴传输材料包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，且所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级小于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层的步骤中，采用双源共蒸法在所述第一电极的一侧同时沉积所述第一空穴传输材料和第二空穴传输材料，以形成所述空穴传输掺杂层。
- 根据权利要求32或33所述的发光器件的制备方法，其中，所述在第一电极的一侧形成量子点发光层的步骤之后，还包括：在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成第一空穴传输层；所述在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层的步骤，包括：在所述第一空穴传输层远离所述第一电极的一侧形成所述空穴传输掺杂层。
- 根据权利要求32～34中任一项所述的发光器件的制备方法，其中，在所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧形成空穴传输掺杂层的步骤之后，还包括：在所述空穴传输掺杂层远离所述第一电极的一侧形成第二空穴传输层；在所述空穴传输掺杂层远离量子点发光层的一侧形成第二电极的步骤，包括：在所述第二空穴传输层远离所述空穴传输掺杂层的一侧形成所述第二电极。
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