CN117642025A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示面板，该显示面板包括基板、隔断结构、绝缘层、共通层和阴极，隔断结构包括复合隔断层和第一导电层，第一导电层超出复合隔断层的部分与复合隔断层围合成底切结构，复合隔断层包括第二导电层和绝缘层，绝缘层设置于第二导电层的至少一侧面上，通过在第二导电层的侧面设置绝缘层，并使复合隔断层至少在腰部呈凹型设置，以此减小底切结构靠近基板部分的侧刻深度，使底切结构内可以沉积更多的封装材料，因此不仅可以避免阴极与第二导电层接触形成导电通路造成电化学腐蚀，还可以减小封装层在底切结构处的空隙，防止外界环境的水汽和氧气通过封装层在底切结构处的孔隙侵入至显示区，从而可以增强显示面板的封装性能。

Description

显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

柔性有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示面板与传统的刚性显示面板相比，具有自发光、广视角、高对比、低耗电以及极高反应速度等优点。OLED发光材料是一种对水氧极其敏感的有机材料，通常柔性OLED采用薄膜封装(thin filmencapsulation，TFE)技术，一般为无机/有机/无机的多层膜叠加结构，水蒸气透过率(water vapor transmission rate，WVTR)可降到约10-6g/m2·day级别，保证了OLED发光材料正常工作。

目前，屏下摄像OLED显示面板需要在面板上挖孔来放置摄像头，为了保证开孔区的封装性能，需要将该区域的共通层与显示区的共通层隔断，避免水汽通过共通层侧向入侵，再通过薄膜封装对该区域进行封装，保证开孔区的封装性能，延长产品使用寿命。在过渡区通过对金属隔断结构的侧面蚀刻形成底切结构，将共通层在底切结构处进行隔断，形成不连续的共通层，外界水汽无法通过共通层入侵显示区。然而，共通层上方的阴极在金属隔断结构处也会被隔断，阴极为Mg/Ag混合的金属层，在金属隔断结构处隔断后，与金属隔断结构的中间金属Al搭接，形成电路导通。在可靠性测试过程中，水汽与偏光片中的K+进入共通层界面，同时断开的阴极与金属隔断结构的中间金属Al搭接，与显示区的整面阴极导通，输送负电压，形成电化学腐蚀的阴极。水汽在电子作用下生成OH-离子，与TFE无机膜发生生成K₂SiO₃，并且溶于水溶液中，破坏TFE封装层，导致封装失效。此外，由于金属隔断结构侧面的底切结构的侧刻深度较大，无机封装材料仅能覆盖侧刻结构的表面，无法将底切结构完全填充，使得封装层在底切结构处容易形成孔隙，外界环境的水汽和氧气可以通过封装层在底切结构处的孔隙侵入至显示区，水汽进入显示区后与发光材料发生反应，出现孔黑斑/环，严重影响产品使用寿命。

故，有必要提供一种显示面板来改善这一缺陷。

发明内容

本申请的实施例提供了一种显示面板，不仅可以抑制阴极与金属隔断结构的导通电路发生电化学腐蚀，还可以减小封装层在底切结构处的孔隙，从而可以增强显示面板的封装性能，延长可靠性测试时间，提升产品使用寿命。

本申请的实施例提供了一种显示面板，包括开孔区、设置于所述开孔区外围的过渡区以及设置于所述过渡区外围的显示区，所述显示面板还包括：

基板；

隔断结构，设置于所述基板上，所述隔断结构位于所述过渡区，所述隔断结构围绕所述开孔区设置，所述隔断结构包括叠设于所述基板上的复合隔断层和第一导电层，所述复合隔断层的宽度小于所述第一导电层的宽度，所述第一导电层超出所述复合隔断层的部分与所述复合隔断层的侧面围合成底切结构，所述复合隔断层至少在腰部呈凹型设置，所述复合隔断层包括第二导电层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述第二导电层的至少一侧面上；

共通层，包括第一共通部和第二共通部，所述第一共通部与所述第二共通部断开设置，所述第一共通部设置于所述隔断结构背离所述基板的表面上，所述第二共通部设置于所述基板上以及所述底切结构内，所述第一共通部在所述基板上的正投影与所述第二共通部位于所述底切结构内的部分在所述基板上的正投影部分重叠，所述第二共通部与所述底切结构的底面接触；

阴极，包括第一阴极部和第二阴极部，所述第一阴极部设置于所述第一共通部的表面上，所述第二阴极部设置于所述第二共通部的表面上，所述第二阴极部部分设置于所述底切结构内，所述绝缘层将所述第二阴极部与所述第二导电层绝缘隔开；

封装层，连续设置于所述过渡区和所述显示区，所述封装层覆盖所述隔断结构、所述底切结构、所述绝缘层、所述共通层以及所述阴极。

根据本申请一实施例，所述复合隔断层呈凸台状，所述复合隔断层靠近所述第一导电层的部分的宽度小于靠近所述基板的部分的宽度。

根据本申请一实施例，所述第二导电层包括基底部和凸台部，所述凸台部设置于所述基底部与所述第一导电层之间，所述凸台部的宽度小于所述基底部的宽度，所述凸台部的侧面内缩于所述基底部的侧面，所述绝缘层连续覆盖所述基底部的侧面以及所述凸台部的侧面。

根据本申请一实施例，所述绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，所述第二绝缘部设置于所述第一绝缘部背离所述基板的一侧，所述第一绝缘部的宽度大于所述第二绝缘部的宽度，所述第二绝缘部的侧面内缩于所述第一绝缘部的侧面。

根据本申请一实施例，所述绝缘层的宽度由靠近所述基板的一端至远离所述基板的一端逐渐减小。

根据本申请一实施例，所述绝缘层在腰部的宽度小于所述绝缘层靠近所述基板的部分的宽度以及所述绝缘层靠近所述第一导电层的部分的宽度。

根据本申请一实施例，所述绝缘层的宽度由腰部向靠近所述基板的一端和靠近所述第一导电层的一端逐渐增大。

根据本申请一实施例，所述第二阴极部与所述底切结构的侧面接触。

根据本申请一实施例，所述隔断结构还包括第三导电层，所述第三导电层设置于所述复合隔断层与所述基板之间；

其中，所述复合隔断层的宽度小于所述第三导电层的宽度，所述复合隔断层的侧面内缩于所述第三导电层的侧面，所述第二导电层以及所述第三导电层超出所述复合隔断层的部分与所述复合隔断层的侧面围合成所述底切结构。

根据本申请一实施例，所述共通层包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层。

本申请实施例的有益效果：本申请的实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括基板、隔断结构、绝缘层、共通层和阴极，隔断结构包括叠设于基板上的复合隔断层和第一导电层，复合隔断层的宽度小于第一导电层的宽度，第一导电层超出复合隔断层的部分与复合隔断层的侧面围合成底切结构，利用底切结构可以将显示区的共通层和阴极与过渡区的共通层和阴极隔断，防止水汽通过共通层侧向入侵显示区，在此基础上，通过在复合隔断层的第二导电层的侧面上设置绝缘层，并使复合隔断层至少在腰部呈凹型设置，以此减小底切结构靠近基板部分的侧刻深度，使得底切结构内可以沉积更多的封装材料，从而可以减小封装层在底切结构处的孔隙，因此不仅可以利用绝缘层将阴极与第二导电层绝缘隔开，避免阴极与第二导电层接触形成导电通路造成电化学腐蚀，还可以减小封装层在底切结构处的空隙，防止外界环境的水汽和氧气通过封装层在底切结构处的孔隙侵入至显示区，从而可以进一步增强显示面板的封装性能，增加产品的使用寿命。

附图说明

图1为本申请的实施例提供的显示面板的局部平面示意图；

图2为本申请的实施例提供的显示面板沿图1所示的沿A-A’方向的剖面图；

图3为本申请的实施例提供的第一种显示面板在图2中隔断结构处的放大示意图；

图4为本申请的实施例提供的第二种显示面板在图2中隔断结构处的放大示意图；

图5为本申请的实施例提供的第三种显示面板在图2中隔断结构处的放大示意图；

图6a至图6f为本申请的实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

下面结合附图和具体实施例对本申请做进一步的说明。

本申请的实施例提供了一种显示面板，不仅可以抑制阴极与金属隔断结构的导通电路发生电化学腐蚀，还可以减小封装层在底切结构处的孔隙，从而可以增强显示面板的封装性能，延长可靠性测试时间，提升产品使用寿命。

结合图1和图2所示，图1为本申请的实施例提供的显示面板的局部平面示意图，图2为本申请的实施例提供的显示面板沿图1所示的沿A-A’方向的剖面图，显示面板包括开孔区A1、设置于开孔区A1外围的过渡区A2以及设置于过渡区A2外围的显示区A3。开孔区A1用于放置摄像组件并为摄像组件提供获取外界光线的路径，过渡区A2作为开孔区A1和显示区A3之间过渡的区域，用于防止外界环境的水汽通过开孔区A1侵入显示区A3，显示区A3主要用于实现画面图像显示的功能，开孔区A1和过渡区A2均不具备图像显示的功能。

开孔区A1设置有1个透光孔，透光孔在显示面板的厚度方向上可以贯穿显示面板，也可以仅穿透显示面板的部分膜层，但并未贯穿显示面板，摄像组件对应设置于透光孔内或者透光孔下方，摄像组件通过透光孔获取外界光线。

在其中一个实施例中，透光孔的尺寸和形状与开孔区A1的尺寸和形状相同，开孔区A1的形状为圆形，过渡区A2围绕开孔区A1设置，过渡区A2的形状可以视为封闭的环形，显示区A3围绕过渡区A2设置。

在其他一些实施例中，开孔区A1和透光孔的数量不仅限于上述实施例中的1个，也可以为2个及以上，开孔区A1的形状不仅限于上述实施例中的圆形，也可以为椭圆形、长条形、水滴形或者其他非常规形状，过渡区A2和显示区A3的形状与开孔区A1的形状相适配即可。

结合图1和图2所示，显示面板包括基板1和隔断结构2，隔断结构2设置于基板1上，隔断结构2位于过渡区A2，隔断结构2围绕开孔区A1设置，隔断结构2在基板1上的正投影的形状为封闭的环形。

需要说明的是，基板1为阵列基板，基板1包括基底和设置于基底上的无机绝缘层、栅极金属层、有源层和源漏电极层等，基底为柔性基底，基底的材料可以是但不限于聚酰亚胺。隔断结构2设置于基板1上可以指的是隔断结构2设置于基底的表面上，并且与基底的表面直接接触，也可以指的是隔断结构2设置于基底的表面上，隔断结构2与基底的表面之间被无机绝缘层或者其他膜层间隔开。

结合图2和图3所示，图3为本申请的实施例提供的第一种显示面板在图2中隔断结构处的放大示意图，隔断结构2包括叠设于基板上的复合隔断层21和第一导电层22，复合隔断层21在图2所示的A-A’方向上的宽度小于第一导电层22的宽度，第一导电层22超出复合隔断层21的部分与复合隔断层21的侧面围合成底切结构20。

复合隔断层21包括第二导电层211和绝缘层212，绝缘层212设置于所述第二导电层211的至少一侧面上。

在本申请的实施例中，绝缘层212的材料为有机绝缘材料，有机绝缘材料可以为但不限于亚克力系有机材料。

显示面板还包括共通层4，共通层4包括第一共通部41和第二共通部42，第一共通部41与第二共通部42断开设置，第一共通部41设置于隔断结构2背离基板1的表面上，第二共通部42设置于基板1上以及底切结构20内，第一共通部41在基板1上的正投影与第二共通部42位于底切结构20内的部分在基板1上的正投影部分重叠，第二共通部42与底切结构20的底面接触，底切结构20的底面为第三导电层23背离基板1的表面，第一共通部41和第二共通部42的膜层结构和材料相同。

共通层4包括但不限于叠设的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，显示面板还包括多个图案化的发光层，发光层设置于空穴传输层与电子传输层之间。空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层均由整面蒸镀工艺制备而成。在蒸镀形成上述各膜层时，由于隔断结构2靠近开孔区A1的侧面上的底切结构20与其他部分之间存在段差，共通层4无法该段差填平，使得第一共通部41与第二共通部42在底切结构20处断开连接。在此结构下，外界的水汽通过开孔区A1的透光孔侵入至第二共通部42后，由于第一共通部41与第二共通部42断开连接，水汽无法继续侵入第一共通部41，因此也无法通过第二共通部42进一步侵入至显示区A3，从而可以防止水汽侵入至显示区A3对发光材料造成损坏。

结合图2和图3所示，显示面板还包括阴极5，阴极5包括第一阴极部51和第二阴极部52，第一阴极部51与第二阴极部52断开设置，第一阴极部51设置于第一共通部41的表面上，第一阴极部51和第一共通部41均设置于隔断结构2背离基板1的表面上，第二阴极部52设置于第二共通部42的表面上，第二阴极部52部分设置于底切结构20内，第二阴极部52位于底切结构20内的部分与底切结构20的侧面接触，底切结构20的侧面为绝缘层212背离第二导电层211的表面，如此可以使绝缘层212将第二阴极部52与第二导电层211绝缘隔开。

需要说明的是，阴极5也是采用整面蒸镀工艺制备而成，第一阴极部51与第二阴极部52在底切结构20处断开的原理与上述共通层4的第一共通部41和第二共通部42在该处断开的原理相同，此处不做赘述。

结合图3所示，在底切结构20处，由于绝缘层212将第二阴极部52与第二导电层211绝缘隔开，第二阴极部52与第二导电层211无法形成导电通路，从而可以防止产生电化学腐蚀。

显示面板还包括封装层6，封装层6连续设置于过渡区A2和显示区A3，封装层6覆盖隔断结构2、底切结构20、绝缘层212、共通层4以及阴极5。

封装层6为无机封装层和有机封装层叠设的薄膜封装结构，在过渡区A2靠近开孔区A1的区域仅设置有无机封装层，有机封装层被限制在过渡区A2靠近显示区A3的部分区域以及显示区A3内。无机封装层的材料可以是但不限于氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅，无机封装层可以采用化学气相沉积工艺制备。

需要说明的是，图2和图3中仅用一层膜层示意封装层6，在实际应用中，过渡区A2靠近开孔区A1的区域可以具有一层、两层或者多层无机封装层，过渡区A2靠近显示区A3的区域以及显示区A3可以具有两层或者多层无机封装层以及至少一层有机封装层。

结合图3所示，现有显示面板的底切结构20处的底切结构20的侧向深度较大，封装层6仅能覆盖底切结构20的表面，无法将底切结构20完全填充，沉积在底切结构20内的封装层6与沉积在基板1上的封装层6围合，并且在底切结构处形成中空的孔隙a，由于孔隙a的尺寸较大，外界环境的水汽和氧气容易通过孔隙a侵入显示区A3，水汽进入显示区后与发光材料发生反应，出现孔黑斑/环，严重影响产品使用寿命。

在本申请的实施例中，结合图3所示，复合隔断层21至少在腰部呈凹型设置。需要说明的是，腰部指的是复合隔断层21在其厚度方向上的中间部分，复合隔断层21靠近第一导电层22的一端可以视为其顶部，复合隔断层21靠近基板1的一端可以视为其底部。复合隔断层21在腰部呈凹型设置指的是复合隔断层21的腰部相对于复合隔断层的其他部分向内凹陷，即复合隔断层21的其他部分凸出于复合隔断层21的腰部。

由于复合隔断层21的形貌与底切结构20的侧向深度相关，通过使复合隔断层21的腰部呈凹型设置，可以使底切结构20靠近基板1部分的侧向深度大于底切结构20至少在腰部的侧向深度，底切结构20靠近基板1部分的侧向深度减小意味着底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，从而可以减小封装层6在底切结构20处的孔隙a的尺寸，从而可以降低水汽通过封装层6的孔隙a侵入显示区对发光材料造成损坏的风险。

在一些实施例中，复合隔断层21呈凸台状，复合隔断层21靠近第一导电层22的部分的宽度小于靠近基板1的部分的宽度。在此结构下，通过使复合隔断层21呈凸台状，并使复合隔断层21靠近第一导电层22的部分的宽度小于靠近基板1的部分的宽度，可以使底切结构20靠近基板1部分的侧向深度大于底切结构20至少在腰部的侧向深度，底切结构20靠近基板1部分的侧向深度减小意味着底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，从而可以减小封装层6在底切结构20处的孔隙a的尺寸，从而可以降低水汽通过封装层6的孔隙a侵入显示区对发光材料造成损坏的风险。

在其中一个实施例中，结合图3所示，第二导电层211包括基底部2111和凸台部2112，凸台部2112设置于基底部2111与第一导电层22之间，凸台部2112的宽度小于基底部2111的宽度，凸台部2112的侧面内缩于基底部2111的侧面，绝缘层212连续覆盖基底部2111的侧面以及凸台部2112的侧面。

需要说明的是，通过增大基底部2111的宽度，以此减小底切结构20靠近基板1一侧的侧向深度，从而使底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，减小封装层在底切结构20处的孔隙尺寸。在此基础上，进一步限制凸台部2112的宽度小于基底部2111的宽度，并使凸台部2112的侧面内缩于基底部2111的侧面，以此确保底切结构20远离基板1的一侧的段差能够使共通层4和阴极5在底切结构20处断开。

在图3所示的实施例中，绝缘层212各处的宽度相等，仅通过对第二导电层211的基底部2111和凸台部2112的宽度进行差异化设计，使得底切结构20靠近基板1一端的侧向深度小于其远离基板1一端的侧向深度，从而实现在确保共通层4和阴极5在底切结构20处断开的情况下，减小封装层6在底切结构20处的孔隙的效果。

在本申请的实施例中，结合图3所示，绝缘层212由第一绝缘部2121和第二绝缘部2122组成，第二绝缘部2122设置于第一绝缘部2121背离基板1的一侧，第一绝缘部2121设置于基底部2111的侧面，第二绝缘部2122设置于凸台部2112的侧面，第一绝缘部2121与第二绝缘部2122的宽度相等。第一绝缘部2121的侧面与隔断结构2的侧面的最小距离D1小于第二绝缘部2122的侧面与隔断结构2的侧面的最小距离D2。

需要说明的是，第一绝缘部2121和第二绝缘部2122为绝缘层212的不同部分，第一绝缘部2121和第二绝缘部2122为一体结构。绝缘层212与隔断结构2的侧面的最小距离可以视为在设置有绝缘层212后的底切结构20的侧向深度，其中，侧向指的是如图1和图2所示的A-A’方向，也可以认为是透光孔的径向方向。由于第一绝缘部2121与隔断结构2的侧面的最小距离D1小于第二绝缘部2122与隔断结构2的侧面的最小距离D2，可以认为底切结构20靠近基板1部分的侧向深度小于底切结构20远离基板1部分的侧向深度，底切结构20的侧向深度减小意味着底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，从而可以减小封装层6在底切结构20处的孔隙a的尺寸，从而可以降低水汽通过封装层6的孔隙a侵入显示区对发光材料造成损坏的风险。

在一些实施例中，第一绝缘部2121的侧面与隔断结构2的侧面之间的最小距离D1大于100纳米且小于200纳米，第二绝缘部2122的侧面与隔断结构2的侧面之间的最小距离D2大于200纳米且小于350纳米。在此距离范围内，不仅可以共通层4和阴极5在底切结构20处断开，还可以减小封装层6在底切结构20处的孔隙。

在其中一个实施例中，第一绝缘部2121与隔断结构2的侧面的最小距离D1为180纳米，第二绝缘部2122与隔断结构2的侧面的最小距离D2为340纳米。

在其中一个实施例中，第一绝缘部2121与隔断结构2的侧面的最小距离D1为150纳米，第二绝缘部2122与隔断结构2的侧面的最小距离D2为300纳米。

在其中一个实施例中，第一绝缘部2121与隔断结构2的侧面的最小距离D1为110纳米，第二绝缘部2122与隔断结构2的侧面的最小距离D2为纳米210。

在实际应用中，第一绝缘部2121与隔断结构2的侧面的最小距离D1不仅限于上述数值，也可以为101、120、160、190或者199纳米等，仅需要介于100至200纳米之间即可；第二绝缘部2122与隔断结构2的侧面的最小距离D2不仅限于上述数值，也可以为201、220、250、300、340或者349纳米等，仅需要介于200至350纳米之间即可。

在其中一个实施例中，如图3所示，隔断结构2靠近开孔区A1的侧面和隔断结构2靠近显示区AA的侧面均凹设有底切结构20。

在其他一些实施例中，隔断结构2靠近开孔区A1的侧面凹设有底切结构20，隔断结构2靠近显示区AA的侧面不设置底切结构20；或者，隔断结构2靠近开孔区A1的侧面不设置底切结构20，隔断结构2靠近显示区AA的侧面凹设有底切结构20。

在其中一个实施例中，结合图3所示，隔断结构2还包括第三导电层23，第三导电层23设置于复合隔断层21与基板1之间，即隔断结构2为由第三导电层23、复合隔断层21和第一导电层22叠设形成的三层复合结构，第二导电层211的材料为铝，第一导电层22和第三导电层23的材料均为钛。在图3所示的A-A’方向的截面图中，第二导电层211的宽度小于第一导电层22的宽度以及第三导电层23的宽度，复合隔断层21的相对两侧表面均内缩于第一导电层22的侧面以及第三导电层23的侧面，复合隔断层21的侧面与第一导电层22超出复合隔断层21的部分以及第三导电层23超出复合隔断层21的部分围合成底切结构20，绝缘层212设置于底切结构20内，共通层4和阴极5均在底切结构20处断开连接，阴极5的第二阴极部52部分设置于底切结构20内，绝缘层212将位于底切结构20内的第二阴极部52与第二导电层211绝缘隔开，避免第二阴极部52与第二导电层211搭接形成导电通路。

在一些实施例中，第一绝缘部2121的宽度大于第二绝缘部2122的宽度。

如图4所示，图4为本申请的实施例提供的第二种显示面板在图2中隔断结构处的放大示意图，其结构与图3所示的第一种显示面板的结构大致相同，区别在于：图4所示的第二种显示面板并未对第二导电层211靠近基板1的部分和远离基板1的部分的宽度进行差异化设计，而是对绝缘层212的不同部分的宽度进行差异化设计。

具体来说，在图4所示的实施例中，第二导电层211在图2所示的A-A’方向的宽度由靠近基板1的一端至远离基板1的一端逐渐减小，第一绝缘部2121和第二绝缘部2122均贴附于第二导电层211的侧面上，第二绝缘部2122位于第一绝缘部2121背离基板1的一侧，第一绝缘部2121的宽度D3大于第二绝缘部2122的宽度D4。在此结构下，通过增大绝缘层212中靠近基板1的第一绝缘部2121的宽度，以此减小底切结构20靠近基板1一端的侧向深度，从而使底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，减小封装层在底切结构20处的孔隙尺寸。在此基础上，进一步限制第二绝缘部2122的宽度小于第一绝缘部2121的宽度，以此确保底切结构20远离基板1的一侧的段差能够使共通层4和阴极5在底切结构20处断开。

在其中一个实施例中，第二导电层211的侧面与隔断结构2的侧面之间的最小距离大于600纳米且小于1000纳米。在填充绝缘层212后，第一绝缘部2121与隔断结构2的侧面之间的最小距离大于100纳米且小于200纳米，第二绝缘部2122与隔断结构2的侧面之间的最小距离大于200纳米且小于350纳米。

在其中一个实施例中，第一绝缘部2121各处的厚度均相同，第二绝缘部2122各处的厚度相同。

在其中一个实施例中，绝缘层212的厚度由靠近基板1的一端至远离基板1的一端逐渐减小。第一绝缘部2121的厚度并不是均一的，而是由靠近基板1的一端至远离基板1的一端逐渐减小。第二绝缘部2122的厚度也不是均一的，而是由靠近基板1的一端至远离基板1的一端逐渐减小。在此结构下，同样可以实现减小底切结构20靠近基板1一端的侧向深度，从而使底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，减小封装层在底切结构20处的孔隙尺寸，并确保底切结构20远离基板1的一侧的段差能够使共通层4和阴极5在底切结构20处断开的效果。

在一些实施例中，绝缘层212的宽度由腰部向靠近基板1的一端和靠近第一导电层22的一端逐渐增大。绝缘层212还包括第三绝缘部21233，第三绝缘部21233设置于第二绝缘部2122远离第一绝缘部2121的一侧，第二绝缘部2122的宽度小于第一绝缘部2121的宽度以及第三绝缘部21233的宽度。

如图5所示，图5为本申请的实施例提供的第三种显示面板在图2中隔断结构处的放大示意图，其结构与图4所示的第一种显示面板的结构大致相同，区别在于：绝缘层212由第一绝缘部2121、第二绝缘部2122和第三绝缘部21233三部分组成，第二绝缘部2122位于第一绝缘部2121与第三绝缘部21233之间，第二绝缘部2122的宽度小于第一绝缘部2121的宽度以及第三绝缘部21233的宽度，绝缘层212整体呈两端宽中间窄的形态。

在图5所示的结构下，利用宽度较大的第一绝缘部2121和第三绝缘部21233减小底切结构20靠近基板1一端以及远离基板1一端的侧向深度，从而使底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，减小封装层在底切结构20处的孔隙尺寸，在此基础上，减小位于中间部分的第二绝缘部2122的宽度，以此确保底切结构20的段差能够使共通层4和阴极5在底切结构20处断开。

在其中一个实施例中，第一绝缘部2121各处的宽度均相同，第二绝缘部2122各处的宽度相同，第三绝缘部21233各处的宽度均相同。

在其中一个实施例中，绝缘层212的宽度由靠近基板1的一端至远离基板1的一端先逐渐减小再逐渐增大。第一绝缘部2121的宽度由靠近基板1的一端至远离基板1的一端逐渐减小；第二绝缘部2122的宽度可以保持恒定，或者由靠近基板1的一端至远离基板1的一端先逐渐减小再逐渐增大；第三绝缘部21233的宽度由靠近基板1的一端至远离基板1的一端逐渐增大。在此结构下，同样可以实现减小底切结构20靠近基板1一端的侧向深度，从而使底切结构20内可以沉积更多的无机封装材料，减小封装层在底切结构20处的孔隙尺寸，并确保底切结构20远离基板1的一侧的段差能够使共通层4和阴极5在底切结构20处断开的效果。

在一些实施例中，基板1可以具有一层或者多层源漏电极层。当基板1仅具有一层源漏电极层，隔断结构2的第一导电层22、第二导电层211和第三导电层23构成的金属结构与该源漏电极层同层设置，并且隔断结构2与源漏电极层的膜层结构以及材料均相同；当基板1具有2层及以上数量的源漏电极层，隔断结构2的第一导电层22、第二导电层211和第三导电层23构成的金属结构可以与其中任意一层源漏电极层同层设置，并且与该同层设置的源漏电极层的膜层结构以及材料均相同。

在一些实施例中，结合图2所示，显示面板还包括堤坝7，堤坝7设置于基板1上，堤坝7位于过渡区A2，堤坝7围绕开孔区A1设置，堤坝7在基板1上的正投影的形状为封闭环形。

堤坝7可以由有机绝缘层8中的至少一层的材料相同。有机绝缘层8可以包括但不限于像素定义层和至少一层平坦层。例如，堤坝7与像素定义层的材料的相同，堤坝7可以与像素定义层采用同一工艺同步制备而成。堤坝7的材料也可以与平坦层的材料相同；或者，堤坝7至少包括上下至少两个部分，其中一部分平坦层的材料相同，另一部分与像素定义层的材料相同。

显示面板包括多个间隔设置的隔断结构2，至少一个隔断结构2设置于堤坝7靠近显示区A3的一侧，至少一个隔断结构2设置于堤坝7靠近开孔区A1的一侧。

在其中一个实施例中，如图2所示，显示面板包括7个间隔设置的隔断结构2，其中，堤坝7靠近显示区A3的一侧设置有1个隔断结构2，堤坝7靠近开孔区A1的一侧设置有6个隔断结构2。在实际应用中，隔断结构2的总数量以及堤坝7靠近开孔区A1或显示区A3一侧的隔断结构2的数量可以根据需求进行设置，此处不做限制。

在其中一个实施例中，显示面板还包括多个凸台3，凸台3设置于隔断结构2与基板1之间，凸台3可以由缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层等无机绝缘层蚀刻而成。通过在隔断结构2的底部增设凸台3，可以增加隔断结构2的段差，有利于共通层4和阴极5在隔断结构2处断开。

依据本申请上述实施例提供的显示面板，本申请的实施例还提供一种显示面板的制作方法，结合图6a至图6f所示，图6a至图6f为本申请的实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图，显示面板的制作方法包括：

步骤S1：在基板1上形成隔断结构2。

如图6a所示，步骤S1具体包括：在基板1上形成金属层；通过干刻工艺对金属层进行蚀刻，形成隔断结构2。金属层可以为源漏电极层。当显示面板具有多层源漏电极层时，金属层可以为其中任意一层源漏电极层。隔断结构2包括叠设于基板1上的第三导电层23、第二导电层211和第一导电层22。

步骤S2：对隔断结构2的侧面进行刻蚀，形成底切结构20。

如图6b所示，通过湿法刻蚀工艺对隔断结构2的侧面进行刻蚀形成底切结构20，第二导电层211形成基底部2111和凸台部2112，凸台部2112的宽度小于基底部2111的宽度，凸台部2112的侧面内缩于基底部2111的侧面。

步骤S3：在基板1表面沉积一层有机绝缘材料30。

如图6c所示，有机绝缘材料30覆盖基板1和隔断结构2，并且填充底切结构20。

步骤S4：将基板1以及隔断结构2表面的有机绝缘材料30去除，保留底切结构20内的有机绝缘材料，形成绝缘层212。

如图6d所示，绝缘层212覆盖第二导电层211的侧面，绝缘层212与第二导电层211构成复合隔断层21。

步骤S5：蒸镀形成共通层4和阴极5。

如图6e所示，共通层4的第一共通部41位于隔断结构2背离基板1的表面上，第二共通部42位于基板1上以及底切结构20内，第一共通部41和第二共通部42在底切结构20处断开。阴极5的第一阴极部51位于第一共通部41的表面上，第二阴极部52位于第二共通部42的表面上，第二阴极部52部分位于底切结构20内，绝缘层212将第二阴极部52与第二导电层211绝缘隔开。

步骤S6：在基板1上形成封装层6。

如图6f所示，封装层6的无机封装层可以通过等离子体增强化学气相沉积的方式制备，有机封装层可以通过喷墨打印的方式制备。封装层6连续设置于过渡区A2和显示区A3，封装层覆盖共通层4、阴极5、隔断结构2、底切结构20以及绝缘层212。

需要说明的是，本实施例仅以图3所示的第一种显示面板为例，图4和图5所示的显示面板的制作方法与上述方法大致相同，在图4和图5所示的实施例中，可以通过调整曝光/显影/去除工艺，改变绝缘层212的形貌，以使绝缘层212不同部分的厚度呈现差异化。

依据本申请上述实施例提供的显示面板，本申请的实施例还提供一种显示装置，显示装置包括摄像组件和如上述任意一种实施例提供的显示面板，摄像组件对应设置于显示面板的开孔区。显示装置但不仅限于如智能手机、智能手表、台式电脑、笔记本电脑以及电视等显示设备。

本申请实施例的有益效果：本申请的实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括基板、隔断结构、绝缘层、共通层和阴极，隔断结构包括叠设于基板上的复合隔断层和第一导电层，复合隔断层的宽度小于第一导电层的宽度，第一导电层超出复合隔断层的部分与复合隔断层的侧面围合成底切结构，利用底切结构可以将显示区的共通层和阴极与过渡区的共通层和阴极隔断，防止水汽通过共通层侧向入侵显示区，在此基础上，复合隔断层的第二导电层的侧面上设置绝缘层，并使复合隔断层至少在腰部呈凹型设置，以此减小底切结构靠近基板部分的侧刻深度，使得底切结构内可以沉积更多的封装材料，从而可以减小封装层在底切结构处的孔隙，因此不仅可以利用绝缘层将阴极与第二导电层绝缘隔开，避免阴极与第二导电层接触形成导电通路造成电化学腐蚀，还可以减小封装层在底切结构处的空隙，防止外界环境的水汽和氧气通过封装层在底切结构处的孔隙侵入至显示区，从而可以进一步增强显示面板的封装性能，增加产品的使用寿命。

综上所述，虽然本申请以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括开孔区、设置于所述开孔区外围的过渡区以及设置于所述过渡区外围的显示区，所述显示面板还包括：

基板；

隔断结构，设置于所述基板上，所述隔断结构位于所述过渡区，所述隔断结构围绕所述开孔区设置，所述隔断结构包括叠设于所述基板上的复合隔断层和第一导电层，所述复合隔断层的宽度小于所述第一导电层的宽度，所述第一导电层超出所述复合隔断层的部分与所述复合隔断层的侧面围合成底切结构，所述复合隔断层至少在腰部呈凹型设置，所述复合隔断层包括第二导电层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述第二导电层的至少一侧面上；

共通层，包括第一共通部和第二共通部，所述第一共通部与所述第二共通部断开设置，所述第一共通部设置于所述隔断结构背离所述基板的表面上，所述第二共通部设置于所述基板上以及所述底切结构内，所述第一共通部在所述基板上的正投影与所述第二共通部位于所述底切结构内的部分在所述基板上的正投影部分重叠，所述第二共通部与所述底切结构的底面接触；

阴极，包括第一阴极部和第二阴极部，所述第一阴极部设置于所述第一共通部的表面上，所述第二阴极部设置于所述第二共通部的表面上，所述第二阴极部部分设置于所述底切结构内，所述绝缘层将所述第二阴极部与所述第二导电层绝缘隔开；

封装层，连续设置于所述过渡区和所述显示区，所述封装层覆盖所述隔断结构、所述底切结构、所述绝缘层、所述共通层以及所述阴极。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述复合隔断层呈凸台状，所述复合隔断层靠近所述第一导电层的部分的宽度小于靠近所述基板的部分的宽度。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二导电层包括基底部和凸台部，所述凸台部设置于所述基底部与所述第一导电层之间，所述凸台部的宽度小于所述基底部的宽度，所述凸台部的侧面内缩于所述基底部的侧面，所述绝缘层连续覆盖所述基底部的侧面以及所述凸台部的侧面。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部，所述第二绝缘部设置于所述第一绝缘部背离所述基板的一侧，所述第一绝缘部的宽度大于所述第二绝缘部的宽度，所述第二绝缘部的侧面内缩于所述第一绝缘部的侧面。

5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层的宽度由靠近所述基板的一端至远离所述基板的一端逐渐减小。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层在腰部的宽度小于所述绝缘层靠近所述基板的部分的宽度以及所述绝缘层靠近所述第一导电层的部分的宽度。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层的宽度由腰部向靠近所述基板的一端和靠近所述第一导电层的一端逐渐增大。

8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二阴极部与所述底切结构的侧面接触。

9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述隔断结构还包括第三导电层，所述第三导电层设置于所述复合隔断层与所述基板之间；

其中，所述复合隔断层的宽度小于所述第三导电层的宽度，所述复合隔断层的侧面内缩于所述第三导电层的侧面，所述第二导电层以及所述第三导电层超出所述复合隔断层的部分与所述复合隔断层的侧面围合成所述底切结构。

10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述共通层包括层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层。