CN117641210A - 发声装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发声装置和电子设备,所述发声装置包括外壳、磁路系统及振动系统,所述外壳包括呈夹角设置的第一壳体和第二壳体,所述第一壳体和所述第二壳体围合形成安装腔,所述磁路系统设于所述安装腔内,所述振动系统包括第一振动组件和第二振动组件,所述第一振动组件与所述第一壳体连接,并与所述磁路系统相对,所述第二振动组件与所述第二壳体连接,并与所述磁路系统相对,所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈夹角设置。本发明旨在提供一种振动辐射面相互独立且呈夹角设置的发声装置,该发声装置不仅实现了多功能的应用,还有效提高发声效果,且降低了制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及电声转换技术领域,特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。
背景技术
随着便携式消费类电子产品市场的发展,微型发声器件得到广泛的应用,并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计,对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。
目前智能移动终端中微型扬声器模组的有效频带较窄,音色比较单调,音质较差,且不能满足多方面的功能需求。相关技术中,在智能终端内部放置多个常规发声器件,不仅提高了智能终端的设计难度,而且增加了智能终端的制造成本。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种发声装置和电子设备,旨在提供一种振动辐射面相互独立且呈夹角设置的发声装置,该发声装置不仅实现了多功能的应用,还有效提高发声效果,且降低了制作成本。
为实现上述目的,本发明提出一种发声装置,所述发声装置包括:
外壳,所述外壳包括呈夹角设置的第一壳体和第二壳体,所述第一壳体和所述第二壳体围合形成安装腔;
磁路系统,所述磁路系统设于所述安装腔内,所述磁路系统具有第一磁间隙和第二磁间隙;及
振动系统,所述振动系统包括第一振动组件和第二振动组件,所述第一振动组件与所述第一壳体连接,并与所述磁路系统相对,所述第二振动组件与所述第二壳体连接,并与所述磁路系统相对,所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈夹角设置,所述第二振动组件包括第二音圈,所述第二音圈为扁平音圈,所述第二音圈设于所述第二磁间隙内。
在一实施例中,所述磁路系统包括:
盆架;
第一磁路部分,所述第一磁路部分与所述第一振动组件相对且间隔,所述第一磁路部分包括设于所述盆架面向所述外壳一侧的中心磁路部分和边磁路部分,所述边磁路部分设于所述中心磁路部分的外侧,并与所述中心磁路部分间隔以形成第一磁间隙;及
第二磁路部分,所述第二磁路部分设于所述盆架,与所述第二振动组件相对且间隔,所述第二磁路部分位于部分所述第一磁路部分背向所述第一振动组件的一侧,并与所述第一磁路部分配合形成第二磁间隙。
在一实施例中,所述中心磁路部分包括相连接的中心磁路和第一共用磁路,所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路,所述边磁路位于所述中心磁路的外侧,并间隔形成第一子间隙,所述第二共用磁路位于所述第一共用磁路背向所述中心磁路的一侧,并间隔形成第二子间隙,所述第一子间隙与所述第二子间隙连通,以形成所述第一磁间隙;
所述第二磁路部分包括第一磁铁和第二磁铁,所述第一磁铁与所述第一共用磁路相对且间隔,以形成第三子间隙,所述第二磁铁与所述第二共用磁路相对且间隔,以形成第四子间隙,所述第三子间隙和所述第四子间隙连通,并形成所述第二磁间隙。
在一实施例中,所述第二音圈具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,所述两个长轴边分别位于所述第三子间隙和所述第四子间隙内。
在一实施例中,所述第一共用磁路的厚度大于或等于所述中心磁路的厚度;
且/或,所述第二共用磁路的厚度大于或等于所述边磁路的厚度;
且/或,所述第一磁铁的厚度大于或等于所述中心磁路的厚度;
且/或,所述第二磁铁的厚度大于或等于所述边磁路的厚度;
且/或,所述第一共用磁路和所述中心磁路为一体成型结构或者是分体结构;
且/或,所述第一磁铁和所述第二磁铁为一体成型结构或者相间隔设置;
且/或,所述中心磁路部分和所述边磁路部分均沿所述第一振动组件的振动方向充磁且充磁方向相反,所述第一磁铁和所述第二磁铁均沿所述第一振动组件的振动方向充磁且充磁方向相反,所述第一磁铁和所述中心磁路部分的充磁方向相同。
在一实施例中,所述中心磁路部分包括中心磁路,所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路,所述边磁路位于所述中心磁路的外侧,并间隔形成第一子间隙,所述第二共用磁路位于所述中心磁路的外侧,并间隔形成第二子间隙,所述第一子间隙与所述第二子间隙连通,以形成所述第一磁间隙;
所述第二磁路部分包括第三磁铁,所述第三磁铁具有第一充磁区和第二充磁区,所述第二共用磁路包括第三充磁区和第四充磁区,所述第一充磁区和所述第三充磁区相对且间隔,以形成第五子间隙,所述第二充磁区和所述第四充磁区相对且间隔,以形成第六子间隙,所述第五子间隙和所述第六子间隙连通,并形成所述第二磁间隙。
在一实施例中,所述中心磁路部分、所述边磁路部分及所述第二磁路部分均沿所述第一振动组件的振动方向充磁,所述第一充磁区和所述第三充磁区的充磁方向相同,所述第二充磁区和所述第四充磁区的充磁方向相同,所述第一充磁区和所述第二充磁区的充磁方向相反,所述第一充磁区和所述中心磁路部分的充磁方向相反;
且/或,所述第三磁铁包括相间隔的两部分,所述第一充磁区和所述第二充磁区相间隔;
且/或,所述第二共用磁路包括相间隔的两部分,所述第三充磁区和所述第四充磁区相间隔;
且/或,所述第二音圈具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,所述两个长轴边分别位于所述第五子间隙和所述第六子间隙内。
在一实施例中,所述盆架包括依次连接的第一段、第二段及第三段,所述第一段和所述第三段分别与所述第二段呈夹角设置,并位于所述第二段的相对两侧;部分所述第一磁路部分设于所述第一段,所述第二磁路部分设于所述第三段。
在一实施例中,所述盆架设有泄气孔,所述泄气孔连通所述第一磁间隙和/或所述第二磁间隙,所述发声装置还包括对应所述泄气孔设置的隔离网;
且/或,所述第一段和所述第三段与所述第一壳体平行
在一实施例中,所述第一振动组件包括:
第一振膜,所述第一振膜连接于所述第一壳体;和
第一音圈,所述第一音圈的一端连接于所述第一振膜,所述第一音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内,所述第一音圈为环形音圈;
所述第二振动组件包括:
振膜组件,所述振膜组件连接于所述第二壳体。
在一实施例中,所述振膜组件包括第二振膜和第二球顶,所述第二球顶设于所述第二振膜的中心,所述第二球顶具有向所述第二音圈延伸的连接部,所述连接部与所述第二音圈连接;
且/或,所述振膜组件朝向远离所述磁路系统的一侧或者朝向靠近所述磁路系统的一侧凸出。
在一实施例中,所述第一振动组件用于低音发声,所述第二振动组件用于高音发声;
且/或,所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈垂直设置。
本发明还提出一种电子设备,包括设备壳体和上述所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
本发明技术方案的发声装置通过将外壳设置为夹角设置的第一壳体和第二壳体,使得第一壳体和第二壳体为一体成型结构,并围合形成安装腔,从而利用安装腔安装固定磁路系统的同时,提高外壳的结构强度,同时将振动系统设置有第一振动组件和第二振动组件,使得第一振动组件与第一壳体连接,并与磁路系统相对,第二振动组件与第二壳体连接,并与磁路系统相对,如此利用磁路系统同时为第一振动组件和第二振动组件提供磁场和驱动力,以提高磁场利用率的同时,降低成本和尺寸,进一步将第一振动组件的振动方向与第二振动组件的振动方向设置为呈夹角设置,如此可使得振动系统形成两个相互独立且呈夹角设置的振动辐射面,不仅实现了多功能的应用,还有效提高了发声效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中发声装置的结构示意图;
图2为本发明一实施例中发声装置另一视角的结构示意图;
图3为本发明一实施例中发声装置的分解示意图;
图4为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图;
图5为本发明一实施例中发声装置的部分剖面示意图;
图6为本发明一实施例中第一振动组件的分解示意图;
图7为本发明一实施例中第一振膜的结构示意图;
图8为本发明一实施例中第二振动组件的分解示意图;
图9为本发明一实施例中外壳的分解示意图;
图10为本发明一实施例中外壳的平面示意图;
图11为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图;
图12为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图。
附图标号说明:
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
同时,全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为,包括三个方案,以“A和/或B”为例,包括A方案,或B方案,或A和B同时满足的方案。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
随着便携式消费类电子产品市场的发展,微型发声器件得到广泛的应用,并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计,对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。
而消费者要求智能终端通话时具有隐私保护的功能,音频内容外放时具有足够的响度,欣赏音乐时追求更高的音质表现。但是,常规发声器只能单面发声,不能满足多方面的功能需求。相关技术中,在智能终端内部放置多个常规发声器件,不仅提高了智能终端的设计难度,而且增加了智能终端的制造成本。
基于上述构思和问题,本发明提出一种发声装置100。可以理解的,发声装置100应用于电子设备,电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表或电视等,在此不做限定。
请结合参照图1至图12所示,在本发明实施例中,该发声装置100包括外壳1、磁路系统2及振动系统3,其中,外壳1包括呈夹角设置的第一壳体12和第二壳体13,第一壳体12和第二壳体13围合形成安装腔11,磁路系统2设于安装腔11内,振动系统3包括第一振动组件31和第二振动组件32,第一振动组件31与第一壳体12连接,并与磁路系统2相对,第二振动组件32与第二壳体13连接,并与磁路系统2相对,第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈夹角设置。
在本实施例中,外壳1用于安装、固定、支撑和保护振动系统3、磁路系统2等部件,也即外壳1为振动系统3、磁路系统2等部件提供安装基础。可以理解的,外壳1可以是具有安装腔11的安装壳、壳体或盒体等结构,也即外壳1限定出收容空间,在此不做限定。
如图3和图9所示,外壳1包括呈夹角设置的第一壳体12和第二壳体13。可选地,第一壳体12和第二壳体13为一体成型结构,如此提高外壳1的结构强度和稳定性。可以理解的,第一壳体12和第二壳体13围合形成安装腔11,安装腔11可以是通腔或通槽结构。可选地,第一壳体12和第二壳体13呈垂直设置。
在本实施例中,如图3和图9所示,第一壳体12呈长方形结构,第一壳体12具有相对的两个长边和两个短边,短边的两端分别与两个长边连接,长边的两端分别与两个短边连接。可以理解的,第二壳体13连接于第一壳体12的长边或短边,使得第二壳体13与第一壳体12呈垂直设置。
可以理解的,第二壳体13可选为长方形结构,第二壳体13具有相对的两个长边和两个短边,短边的两端分别与两个长边连接,长边的两端分别与两个短边连接。在本实施例中,第一壳体12和第二壳体13共用一个长边或短边。第一壳体12的两个长边和两个短边限定出第一开口121,第二壳体13的两个长边和两个短边限定出第二开口131,第一开口121和第二开口131分别连通安装腔11。可选地,第一开口121和第二开口131位于外壳1的相邻两个表面。
需要说明的是,外壳1是金属件时,磁路系统2与外壳1采用粘接或焊接固定。在另外的实施例中,外壳1为塑料注塑成型时,磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在外壳1中,或者磁路系统2与外壳1采用粘接固定,然后其他部分再粘接固定,在此不做限定。
在本实施例中,磁路系统2设于外壳1的安装腔11内,并与外壳1的第一壳体12和第二壳体13连接。振动系统3连接于外壳1的第一壳体12和第二壳体13,并与磁路系统2相对。可以理解的,振动系统3的第一振动组件31与第一壳体12连接,并盖合第一开口121,第二振动组件32与第二壳体13连接,并盖合第二开口131,如此外壳1的第一壳体12和第二壳体13、第一振动组件31和第二振动组件32及磁路系统2共同围合形成振动空间。
可以理解的,第一振动组件31与磁路系统2相对,第二振动组件32与磁路系统2相对,使得第一振动组件31和第二振动组件32共用磁路系统2,从而提高磁场利用率的同时,降低发声装置100的成本。在本实施例中,第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈夹角设置。可选地,第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈垂直设置。
在本实施例中,磁路系统2为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场和驱动力,以驱动第一振动组件31和第二振动组件32分别振动发声,从而提高出声效果。
本发明的发声装置100通过将外壳1设置为呈夹角设置的第一壳体12和第二壳体13,并围合形成安装腔11,从而利用安装腔11安装固定磁路系统2,同时将振动系统3设置有第一振动组件31和第二振动组件32,使得第一振动组件31与第一壳体12连接,并与磁路系统2相对,第二振动组件32与第二壳体13连接,并与磁路系统2相对,如此利用磁路系统2同时为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场和驱动力,以提高磁场利用率的同时,降低成本,进一步将第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向设置为呈夹角设置,如此可使得振动系统3形成两个相互独立且呈夹角设置的振动辐射面,不仅实现了多功能的应用,还有效提高了发声效果。
在一实施例中,磁路系统2包括盆架21、第一磁路部分22及第二磁路部分23,其中,第一磁路部分22设于盆架21,并与第一振动组件31相对且间隔,第一磁路部分22设有第一磁间隙221,第二磁路部分23设于盆架21,与第二振动组件32相对且间隔,第二磁路部分23位于部分第一磁路部分22背向第一振动组件31的一侧,并与第一磁路部分22配合形成第二磁间隙231。
在本实施例中,如图3至图5所示,磁路系统2的盆架21为第一磁路部分22和第二磁路部分23提供安装固定基础,第一磁路部分22和第二磁路部分23设置于盆架21面向外壳1的一侧,磁路系统2通过第一磁路部分22和第二磁路部分23与外壳1的第一壳体12和第二壳体13连接。
可以理解的,第一磁路部分22和第二磁路部分23可采用粘结方式连接固定于盆架21上。盆架21可选为导磁板或导磁盆架等结构,在此不做限定。第一磁路部分22和第二磁路部分23可采用粘结、焊接等方式与外壳1的第一壳体12和第二壳体13连接,在此不做限定。
在本实施例中,通过在第一磁路部分22设置第一磁间隙221,从而利用第一磁间隙221为第一振动组件31提供避让和振动空间。通过将第二磁路部分23设置在部分第一磁路部分22背向第一振动组件31的一侧,并与第二振动组件32相对且间隔,使得第二磁路部分23与部分第一磁路部分22配合形成第二磁间隙231,从而利用第二磁间隙231为第二振动组件32提供避让和振动空间的同时,使得第一振动组件31和第二振动组件32共用部分第一磁路部分22,以提高磁路系统2的磁场利用率的同时,有效降低成本。
为了方便安装固定第一磁路部分22和第二磁路部分23,并使得第一磁路部分22和第二磁路部分23分别与第一振动组件31和第二振动组件32相对,在一实施例中,盆架21包括依次连接的第一段211、第二段212及第三段213,第一段211和第三段213分别与第二段212呈夹角设置,并位于第二段212的相对两侧;部分第一磁路部分22设于第一段211,第二磁路部分23设于第三段213。
可选地,第一段211和第三段213与第一壳体12平行,第二段212与第二壳体13平行,使得发声装置100的外观更为规整,便于装配于外部环境。第二磁路部分23进一步可以与第二段212连接,增加第二部分磁路23的连接可靠性。
在本实施例中,如图2至图5所示,盆架21的第一段211、第二段212及第三段213为一体成型结构。可选地,第一段211、第二段212及第三段213形成直角Z形结构,使得盆架21的第一段211和第三段213与第一壳体12平行,第二段212与第二壳体13平行,如此利用第二段212使得第一段211和第三段213之间形成高度差,从而方便利用盆架21的第一段211安装固定第一磁路部分22,利用盆架21的第二段212和第三段213安装固定第二磁路部分23,且使得第二磁路部分23位于第一磁路部分22对应第三段213的部分下方,如此提高结构紧凑性的同时,使得第二振动组件32共用部分第一磁路部分22。
在一实施例中,第一磁路部分22包括中心磁路部分222和边磁路部分223,边磁路部分223设于中心磁路部分222的外侧,并与中心磁路部分222间隔以形成第一磁间隙221。
在一实施例中,如图3至图5所示,第一磁路部分22的部分中心磁路部分222和部分边磁路部分223安装固定于盆架21的第一段211,第一磁路部分22通过边磁路部分223与外壳1的第一壳体12连接固定。可选地,盆架21与中心磁路部分222和边磁路部分223粘结连接,边磁路部分223与外壳1的第一壳体12粘结连接。
可以理解的,中心磁路部分222包括层叠设置的中心磁铁和中心华司,中心磁铁设置于中心华司和盆架21之间,边磁路部分223包括层叠设置的边磁铁和边华司,边磁铁设置于边华司和盆架21之间。可以理解的,边磁路部分223的边华司可以是与外壳1采用粘结连接。可选地,边华司与外壳1为一体成型结构。
在本实施例中,中心华司和边华司可选为导磁板结构。中心磁铁和中心华司的结构轮廓相同,中心磁铁和中心华司可选为板状结构或环状结构,在此不做限定。边磁铁和边华司的结构轮廓相同,边磁铁和边华司可选为板状结构或环状结构,在此不做限定。
可以理解的,边磁路部分223可以是环形结构,环形的边磁路部分223环绕中心磁路部分222,并与中心磁路部分222间隔以形成环形的第一磁间隙221。可选地,边磁路部分223可以呈圆环形,或者呈四边形、五边形、六边形等等多边形状。
当然,边磁路部分223包括多个,多个边磁路部分223间隔且环绕中心磁路部分222设置。
在一实施例中,如图3所示,边磁路部分223包括多个,多个边磁路部分223环绕中心磁路部分222设置,并与中心磁路部分222间隔以形成第一磁间隙221,相邻两个边磁路部分223间隔以形成连通第一磁间隙221的缺口。
在本实施例中,第一磁路部分22的中心磁路部分222和边磁路部分223均沿竖直方向充磁,中心磁路部分222和边磁路部分223的充磁方向相反。可以理解的,中心磁路部分222的中心磁铁和边磁路部分223的边磁铁均沿竖直方向充磁,中心磁铁和边磁铁的充磁方向相反。可以理解的,如此设置可实现优化BL的非线性性能。
可选地,第一磁路部分22的中心磁路部分222和边磁路部分223的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同,也即第一振动组件31沿竖直方向振动。可以理解的,中心磁路部分222的中心磁铁和边磁路部分223的边磁铁的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同,也即中心磁路部分222的中心磁铁和边磁路部分223的边磁铁均沿竖直方向充磁。
在一实施例中,第二磁路部分23与部分中心磁路部分222和部分边磁路部分223相对且间隔,以配合形成第二磁间隙231。
在本实施例中,中心磁路部分222包括相连接的中心磁路2221和第一共用磁路2222,边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232,边磁路2231位于中心磁路2221的外侧,并间隔形成第一子间隙2223,第二共用磁路2232位于第一共用磁路2222背向中心磁路2221的一侧,并间隔形成第二子间隙2233,第一子间隙2223与第二子间隙2233连通,以形成第一磁间隙221;第二磁路部分23包括间隔设置的第一磁铁232和第二磁铁233,第一磁铁232与第一共用磁路2222相对且间隔,以形成第三子间隙234,第二磁铁233与第二共用磁路2232相对且间隔,以形成第四子间隙235,第三子间隙234和第四子间隙235连通,并形成第二磁间隙231。
可选地,第二音圈322为扁平音圈,第二音圈322具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,第二音圈322的两个长轴边分别位于第三子间隙234和第四子间隙235内,且第二音圈322的两个长轴边内的电流方向相反。
在本实施例中,如图3至图5所示,中心磁路部分222的中心磁路2221和第一共用磁路2222可以是一体成型结构,也可以是分体结构通过粘结等方式连接为一体,在此不做限定。可以理解的,中心磁路2221和第一共用磁路2222均包括中心磁铁和中心华司,中心磁路2221和第一共用磁路2222的中心华司可以是一个整体结构,也即中心磁路2221和第一共用磁路2222共用一个中心华司,在此不做限定。
可以理解的,边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232,也即部分边磁路部分223为第二共用磁路2232,另外部分边磁路部分223为边磁路2231。可选地,边磁路部分223的边磁路2231和第二共用磁路2232可以是一体连接结构,也可以是分体设置。
在本实施例中,边磁路部分223包括多个,多个边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232。可选地,边磁路部分223包括四个,一个为第二共用磁路2232,三个为边磁路2231。可以理解的,三个边磁路2231间隔设于中心磁路2221的外侧,并与中心磁路2221间隔形成第一子间隙2223,第二共用磁路2232位于第一共用磁路2222背向中心磁路2221的一侧,并间隔形成第二子间隙2233,且第一子间隙2223与第二子间隙2233连通,以形成第一磁间隙221。
需要说明的是,边磁路2231和第二共用磁路2232均包括层叠设置的边磁铁和边华司,边磁铁设置于边华司和盆架21之间。
可以理解的,第二磁路部分23可以是一个整体结构,也可以是分体结构。作为其中一种实施方式,第二磁路部分23包括间隔设置的第一磁铁232和第二磁铁233,其中,第一磁铁232位于第一共用磁路2222的下方,并与第一共用磁路2222相对且间隔,以形成第三子间隙234,第二磁铁233位于第二共用磁路2232的下方,并与第二共用磁路2232相对且间隔,以形成第四子间隙235,且第三子间隙234和第四子间隙235连通,并形成第二磁间隙231。也可以的,如图11所示,第二磁路部分23是一个整体结构,第一磁铁232为第二磁路部分23的一个充磁区域,第二磁铁233为第二磁路部分23的一个充磁区域。
为了使得磁路系统2能够同时为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场及驱动力,中心磁路部分222和边磁路部分223均沿第一振动组件31的振动方向充磁且充磁方向相反,第一磁铁232和第二磁铁233均沿第一振动组件31的振动方向充磁且充磁方向相反,第一磁铁232和中心磁路部分222的充磁方向相同。
为了确保第二磁路部分23与第一共用磁路2222和第二共用磁路2232配合提供充足的磁场。可选地,第一共用磁路2222的厚度大于或等于中心磁路2221的厚度。可选地,第二共用磁路2232的厚度大于或等于边磁路2231的厚度。可以理解的,第一共用磁路2222和第二共用磁路2232的磁铁厚度大于或等于中心磁路2221和边磁路2231的磁铁厚度。
在本实施例中,如图4和图5所示,第一磁铁232的厚度大于或等于中心磁路2221的厚度。第二磁铁233的厚度大于或等于边磁路2231的厚度。可选地,第一共用磁路2222和第二共用磁路2232沿竖直方向充磁,第一共用磁路2222和第二共用磁路2232的磁铁的充磁方向相反。
可选地,第一磁铁232和第一共用磁路2222沿竖直方向充磁,第一磁铁232和第一共用磁路2222的磁铁的充磁方向相同。第二磁铁233和第二共用磁路2232沿竖直方向充磁,第二磁铁233和第二共用磁路2232的磁铁的充磁方向相同,如此设置可实现优化BL的非线性性能。
可以理解的,第一磁铁232和第一共用磁路2222的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同,也即第一振动组件31沿竖直方向振动。第二磁铁233和第二共用磁路2232的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同。
在一实施例中,第二磁路部分23与部分边磁路部分223相对且间隔,以配合形成第二磁间隙231。
在本实施例中,如图12所示,中心磁路部分222包括中心磁路2221,边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232,边磁路2231位于中心磁路2221的外侧,并间隔形成第一子间隙2223,第二共用磁路2232位于中心磁路2221的外侧,并间隔形成第二子间隙2233,第一子间隙2223与第二子间隙2233连通,以形成第一磁间隙221;
第二磁路部分23包括第三磁铁236,第三磁铁236与第二共用磁路2232相对且之间形成第二磁间隙231。
更具体的,第三磁铁236具有第一充磁区2361和第二充磁区2362,第二共用磁路2232包括第三充磁区237和第四充磁区238,第一充磁区2361和第三充磁区237相对且间隔,以形成第五子间隙,第二充磁区2362和第四充磁区238相对且间隔,以形成第六子间隙,第五子间隙和第六子间隙连通,并形成第二磁间隙231。
可选地,第二音圈322为扁平音圈,第二音圈322具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,第二音圈322的两个长轴边分别位于第五子间隙和第六子间隙内,且第二音圈322的两个长轴边内的电流方向相反。
在本实施例中,中心磁路部分222的中心磁路2221包括中心磁铁和中心华司;边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232,也即部分边磁路部分223为第二共用磁路2232,另外部分边磁路部分223为边磁路2231。可选地,边磁路部分223的边磁路2231和第二共用磁路2232可以是一体连接结构,也可以是分体设置。
在本实施例中,边磁路部分223包括多个,多个边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232。可选地,边磁路部分223包括四个,一个为第二共用磁路2232,三个为边磁路2231。可以理解的,三个边磁路2231间隔设于中心磁路2221的外侧,并与中心磁路2221间隔形成第一子间隙2223,第二共用磁路2232位于第一共用磁路2222背向中心磁路2221的一侧,并间隔形成第二子间隙2233,且第一子间隙2223与第二子间隙2233连通,以形成第一磁间隙221。
需要说明的是,边磁路2231包括层叠设置的边磁铁和边华司,边磁铁设置于边华司和盆架21之间,第二共用磁路2232包括层叠设置的第二共用磁铁和第二共用华司。可以理解的,第二共用磁路2232包括第三充磁区237和第四充磁区238,即第二共用磁铁包括第三充磁区237和第四充磁区238。
在本实施例中,为了使得磁路系统2能够同时为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场及驱动力,中心磁路部分222、边磁路部分223及第二磁路部分23均沿第一振动组件31的振动方向充磁,第一充磁区2361和第三充磁区237的充磁方向相同,第二充磁区2362和第四充磁区238的充磁方向相同,第一充磁区2361和第二充磁区2362的充磁方向相反,第一充磁区2361和中心磁路部分222的充磁方向相反。
可以理解地,第三磁铁236可以是整体结构或者相间隔的两部分,第一充磁区2361和第二充磁区2362对应相邻或者间隔;第二共用磁路2232可以是整体结构或者相间隔的两部分,第三充磁区237和第四充磁区238相间隔。
为了确保发声装置100内振动空间的气压平衡,以保证第一振动组件31和第二振动组件32的振动平衡性。在一实施例中,盆架21设有泄气孔,为了避免杂质或吸音颗粒从泄气孔进入发声装置100内,影响发声装置100的性能,发声装置100还包括对应泄气孔设置的网布。
在一实施例中,如图2和图3所示,第一段211设有第一泄气孔214,发声装置100还包括对应第一泄气孔214设置的第一网布41。可以理解的,第一泄气孔214对应第一磁间隙221和/或两个边磁路部分223之间形成的缺口相对应。
当然,第二段212设有第二泄气孔215,发声装置100还包括对应第二泄气孔215设置的第二网布42。可以理解的,第二泄气孔215对应第二磁间隙231相对应。
在一实施例中,第一振动组件31包括第一振膜311和第一音圈312,其中,第一振膜311连接于第一壳体12,第一音圈312的另一端悬设于第一磁间隙221内。
在本实施例中,如图3、图4、图6和图7所示,第一振膜311包括中央部、环绕中央部设置的折环部以及设于折环部外侧的固定部,固定部与外壳1的第一壳体12连接,以使第一振膜311盖合第一开口121。可以理解的,第一振膜311的中央部、折环部及固定部为一体成型结构。折环部环绕中央部设置,并位于中央部和固定部之间,折环部可以是向上或向下的凸起结构。第一振膜311通过固定部与发声装置100的外壳1的第一壳体12连接固定,以提高外壳1与第一振膜311的连接稳定性和密封性。
可以理解的,为了增大第一振膜311的有效振动面积,固定部可以是折环部的外侧向下或向上延伸形成,以使得固定部与外壳1的内侧壁或外侧壁连接固定。
在一实施例中,第一振膜311设有导电层3111,第一音圈312的一端连接于第一振膜311,第一音圈312的引线与导电层3111电连接。
可选地,第一振膜311呈方形设置,导电层3111可设置于第一振膜311的拐角部分,当然导电层3111也可设置于第一振膜311的长轴边或短轴边等,在此不做限定。
在本实施例中,导电层3111能够实现导电,使得第一音圈312通过导电层3111与外部电路实现电路导通。可以理解的,导电层3111可以通过粘结方式设置于第一振膜311上,也可通过喷涂方式设置于第一振膜311上。可选地,导电层3111涂覆于第一振膜311面向磁路系统2的一侧,例如采用涂膜方式固化后形成涂层结构,在此不做限定。
可以理解的,导电层3111采用能够导电的材质制成。当然,导电层3111也可才基材中掺杂或混入或设置导电材质制作形成,在此不做限定。在本实施例中,第一音圈312的引线可通过导电胶连接于导电层3111,为了提高连接效果,并实现与外部绝缘,再涂覆一层绝缘性的外固定胶,以提高连接稳定性的同时,避免第一音圈312的引线在第一振膜311振动过程中影响第一振膜311的振动效果和发声效果。
可选地,导电层3111的一端位于第一振膜311的中央部,导电层3111的另一端跨过第一振膜311的折环部延伸至固定部。导电层3111具有极佳的顺性,不会影响第一振膜311折环的顺性。第一音圈312通过粘结工艺固定在到导电层3111,实现电气连通。
在本实施例中,第一音圈312可选为方形或者跑道型环状结构,第一音圈312具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,也即第一音圈312的两个短轴边相对且间隔,两个长轴边相对且间隔,使得长轴边和短轴边首尾相连形成环状结构。
在本实施例中,通过在第一振膜311的中央部设置镂空孔,如此可有效减小第一振膜311的整体重量。可选地,中央部的中央位置设置有镂空孔,镂空孔可选为通孔或镂空孔或开口。可选地,镂空孔可以是一个或多个,在此不做限定。
为了加强第一振膜311的结构强度,避免第一振膜311在振动过程中会发生收缩变形量加剧。在一实施例中,第一振动组件31还包括第一球顶314,第一球顶314连接于第一振膜311背向第一音圈312的一侧。可以理解的,通过在第一振膜311的中央部设置第一球顶314,第一球顶314连接于中央部,并遮盖镂空孔,一方面加强第一振膜311的结构强度,另一方面也可避免外部杂质或灰尘通过镂空孔进入发声装置100的内部,同时避免第一振膜311在振动过程中会发生收缩变形量加剧,从而降低发声装置100的THD失真较高,提升音频效果。
在一实施例中,外壳1内设有第一导电嵌件122,第一导电嵌件122用于与外部电路电连接。
在本实施例中,如图2、图3和图9所述,通过在外壳1的第一壳体12内设置第一导电嵌件122,通过第一导电嵌件122实现第一音圈312与外部电路导通。可选地,第一导电嵌件122与外壳1的第一壳体12为一体注塑成型。可选地,导电层3111远离第一音圈312的一端与第一导电嵌件122电连接,通过第一导电嵌件122将外部电路与导电层3111实现导电连接,从而实现第一音圈312与外部电路导通。
可以理解的,第一导电嵌件122设置有内焊盘和外焊盘,外焊盘用于与外部电路焊接连接,内焊盘与导电层3111焊接连接或粘结,在此不做限定。
在一实施例中,如图3、图4和图6所示,第一振动组件31还包括第一定心支片313,第一定心支片313的一端与外壳1连接,第一定心支片313的另一端与第一音圈312远离第一振膜311的一端连接。
在本实施例中,第一定心支片313的一端与外壳1的第一壳体12连接,第一定心支片313的另一端穿过边磁路部分223之间形成的缺口,并与第一音圈312背向第一振膜311的一侧连接。可以理解的,通过设置第一定心支片313,使得第一定心支片313的一端与外壳1的第一壳体12连接,第一定心支片313的另一端与第一音圈312连接,从而利用第一定心支片313平衡和稳定第一音圈312带动第一振膜311的振动,避免第一音圈312带动第一振膜311发生摆动或偏振现象。
可选地,第一定心支片313包括四个,四个第一定心支片313对应磁路系统2的第一磁路部分22的四个缺口设置。在本实施例中,第一定心支片313包括外固定部、内固定部以及连接于外固定部和内固定部之间的弹性部,外固定部连接于外壳1的第一壳体12,内固定部连接于第一音圈312背向第一振膜311的一侧。
在本实施例中,第一定心支片313可采用PI材质制成,在此不做限定。当然,在其他实施例中,第一定心支片313可采用FPCB制成,或者第一定心支片313内设置有导电电路,如此可利用第一定心支片313的一端与第一音圈312的引线导电连接,第一定心支片313的另一端固定在外壳1上,用于与外部电路连接导通,如此利用第一定心支片313将外部电路与第一音圈312连接导通,有效避免第一音圈312的引线在振动过程中发生断线风险。
在一实施例中,第二振动组件32包括振膜组件321和第二音圈322,其中,振膜组件321连接于第二壳体13,第二音圈322设于第二磁间隙231内。
在一实施例中,振膜组件321包括第二振膜3213和第二球顶3214,第二球顶3214设于第二振膜3213的中心,第二球顶3214具有向第二音圈322延伸的连接部,连接部与第二音圈322连接。
可选地,第二振动组件32还包括连接杆323,连接杆323的一端与振膜组件321连接,连接杆323的另一端伸入第二磁间隙231内,并与第二音圈322连接。
在本实施例中,如图3、图4、图5和图8所示,振膜组件321连接于外壳1的第二壳体13背向磁路系统2的第二磁路部分23的一侧,第二音圈322可选为扁平音圈,第二音圈322为方形或者跑道型环状结构。可以理解的,第二音圈322具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,也即第二音圈322的两个短轴边相对且间隔,两个长轴边相对且间隔,使得长轴边和短轴边首尾相连形成环状结构。
可选地,第二音圈322的两个长轴边分别位于第三子间隙234和第四子间隙235内,且第二音圈322的两个长轴边内的电流方向相反。在本实施例中,连接杆323的一端与振膜组件321连接,连接杆323的另一端穿过第二壳体13的第二开口131伸入第二磁间隙231内,并与第二音圈322连接。
在本实施例中,连接杆323用于将第二音圈322的振动传递至振膜组件321,以带动振膜组件321振动发声。可选地,连接杆323为板状、条状或杆状结构,在此不做限定。
在一实施例中,如图3、图4和图8所示,振膜组件321包括安装壳3211、第二振膜3213及第二球顶3214,安装壳3211连接于第二壳体13,第二振膜3213设于安装壳3211,第二振膜3213与安装壳3211为一体成型结构,第二球顶3214设于第二振膜3213面向连接杆323的一侧。
在本实施例中,安装壳3211与第二壳体13采用焊接或粘结方式连接。当然,安装壳3211与第二壳体13也可采用一体成型结构,在此不做限定。可以理解的,安装壳3211呈两端开口的筒状结构,也即安装壳3211对应第二壳体13的第二开口131设有第三开口3212,第二振膜3213设于第三开口3212内,并遮盖第二壳体13的第二开口131。
可选地,安装壳3211和第二振膜3213为一体成型结构。可以理解的,通过设置第二球顶3214,使得第二球顶3214设于第二振膜3213面向连接杆323的一侧,从而进一步加强第二振膜3213的结构强度。
在本实施例中,连接杆323包括两个,两个连接杆323间隔设置。可以理解的,两个连接杆323对称设于第二音圈322的两端,如此可确保第二振膜3213振动的平衡性,以提高振动效果和发声效果。
在一实施例中,如图8所示,连接杆323邻近第二振膜3213的一端弯折形成固定部3231,第二球顶3214对应固定部3231形成有限位槽3215,固定部3231容纳并限位于限位槽3215内。可以理解的,如此设置,可提高连接杆323的连接稳定性,同时对连接杆323实现定位作用。
在一实施例中,如图3、图8和图9所示,外壳1内还设有第二导电嵌件132,第二导电嵌件132用于与外部电路电连接。
可选地,连接杆323邻近第二球顶3214弯折形成定位部3232,第二振动组件32还包括第二定心支片324,第二定心支片324的一端连接于定位部3232,并与第二音圈322的引线电连接,第二定心支片324的另一端与第二导电嵌件132电连接。
在本实施例中,通过在外壳1的第二壳体13内设置第二导电嵌件132,通过第二导电嵌件132将外部电路与第二定心支片324实现导电连接,从而实现第一音圈312通过第二定心支片324与外部电路导通。可选地,第二导电嵌件13与外壳1的第二壳体13为一体注塑成型。
可以理解的,第二导电嵌件132设置有内焊盘和外焊盘,外焊盘用于与外部电路焊接连接,内焊盘与第二定心支片324焊接连接或粘结,在此不做限定。
在本实施例中,通过设置第二定心支片324,从而利用第二定心支片324平衡和稳定第二音圈322带动连接杆323和第二振膜3213的振动,避免第二音圈322和第二振膜3213发生摆动或偏振现象。可选地,第二定心支片324包括两个,两个第二定心支片324与两个连接杆323对应设置。
可以理解的,通过在连接杆323邻近第二球顶3214弯折形成定位部3232,从而利用定位部3232连接第二定心支片324与第二音圈322的引线连接的一端,如此可避免第二音圈322振动过程中,第二定心支片324与第二音圈322的引线发生断裂的风险。
在一实施例中,振膜组件321朝向远离磁路系统2的一侧凸出,也可以的,振膜组件321朝向靠近磁路系统2的一侧凸出。如此,在装配于智能眼镜等电子设备时,可以更好地匹配电子设备的外形,减少对电子设备的空间的占用,根据实际情况灵活选用。
在一实施例中,如图1、图3、图4所示,发声装置100还包括前壳51和第一防尘网52,前壳51对应第一振动组件31设置,第一防尘网52连接于前壳51背向第一振动组件31的一侧。
可以理解的,前壳51的设置有利于保护第一振动组件31的第一振膜311,前壳51设有镂空孔,为了避免杂质等通过镂空孔影响第一振膜311的振动效果,第一防尘网52连接于前壳51背向第一振动组件31的一侧,以通过第一防尘网52有效避免杂质等通过镂空孔进入发声装置100内。
在一实施例中,如图1至图4所示,发声装置100还包括导声管道61和第二防尘网62,导声管道61对应第二振动组件32设置,第二防尘网62连接于导声管道61。可以理解的,导声管道61呈中空结构,也即导声管道61内形成有出声管道,如此可通过导声管道61的出声管道方便将第二振动组件32的第二振膜3213发出的声音顺利传出。
进一步地,第二外壳13的表面设置有热熔柱,导声管道61对应设置有固定部,第二外壳13和导声管道61热熔固定。
可以理解的,设置于第一磁间隙221内的第一音圈312接收到外部变化的交流电信号后,在磁路系统2的第一磁路部分22磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动,带动振动系统3中第一振动组件31的第一振膜311沿竖直方向振动发声。第二音圈322接收到第二定心支片324传递的交流电信号后,充分利用磁路系统2中第二磁路部分23与第一磁路部分22共同形成的第二磁间隙内的磁场力的驱动下沿左右方向做往复切割磁力线的运动,从而实现充分利用磁路系统2的磁场,使得第一音圈312和第二音圈322分别带动第一振膜311和第二振膜3213振动发声,从而有效提高发声装置100的发声效果。
在本发明发声装置100中,第一振动组件31用于低音发声,第二振动组件32用于高音发声,如此,可以拓展发声装置100的频宽,使得发声装置100的音色更丰富,音质更好。
具体地,发声装置100具有分频点F1,发声装置100用于电子设备时,第一振动组件对应的Fh(前腔谐振频率)大于等于4kHz小于等于7kHz,F1>Fh。如此,可以避免在分频点F1处第一振动组件31和第二振动组件32的声波的相位突变,保证分频点F1处第一振动组件31和第二振动组件32的振动方向一致,发声装置100的声压稳定。
可选地,F1大于等于6kHz,如此第一振动组件31和第二振动组件32组合后的发声装置的声压级曲线比较平滑,不会产生较大的波谷,听感自然。
进一步地,分频点F1大于等于6kHz小于等于10kHz,分频点F1可以是6kHz、6.5KHz、7kHz、7.5kHz、8kHz、8.5kHz、9kHz、9.5kHz、10kHz等。如此,第一振动组件31和第二振动组件32的声压级在分频点处可以更好地衔接,音质更丰富、自然。本实施例中的发声装置100的低音深沉有力,高音清晰丰富。
在一实施例中,发声装置100的外壳1内设有导电嵌件,导电嵌件包括第一振动组件31电连接的第一导电嵌件122、与第二振动组件32电连接的第二导电嵌件132以及与第一振动组件31和第二振动组件32同时电连接的共用导电嵌件14。如此设计,巧妙地利用了外壳1的外形结构,减少导电嵌件的注塑个数及工艺,减少外部电连接件(柔性电路板)的尺寸,进一步减少生产成本。
可选地,共用导电嵌件14的一端外露于外壳形成共用焊盘,共用导电嵌件14的另一端包括第一导电支脚141和第二导电支脚142,第一导电支脚141外露于外壳1形成第一子焊盘,第二导电支脚142外露于外壳1形成第二子焊盘,第一子焊盘与第一振动组件31电连接,第二子焊盘与第二振动组件32电连接,共用焊盘与外部电路电连接。
可选地,第一导电嵌件122注塑于第一壳体12,第二导电嵌件132注塑于第二壳体13,共用导电嵌件73设于第一壳体12和第二壳体13的连接区域。
本发明还提出一种电子设备,该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100,发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例,由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
以上所述仅为本发明的可选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (13)
1.一种发声装置,其特征在于,所述发声装置包括:
外壳,所述外壳包括呈夹角设置的第一壳体和第二壳体,所述第一壳体和所述第二壳体围合形成安装腔;
磁路系统,所述磁路系统设于所述安装腔内,所述磁路系统具有第一磁间隙和第二磁间隙;及
振动系统,所述振动系统包括第一振动组件和第二振动组件,所述第一振动组件与所述第一壳体连接,并与所述磁路系统相对,所述第二振动组件与所述第二壳体连接,并与所述磁路系统相对,所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈夹角设置,所述第二振动组件包括第二音圈,所述第二音圈为扁平音圈,所述第二音圈设于所述第二磁间隙内。
2.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于,所述磁路系统包括:
盆架;
第一磁路部分,所述第一磁路部分与所述第一振动组件相对且间隔,所述第一磁路部分包括设于所述盆架面向所述外壳一侧的中心磁路部分和边磁路部分,所述边磁路部分设于所述中心磁路部分的外侧,并与所述中心磁路部分间隔以形成第一磁间隙;及
第二磁路部分,所述第二磁路部分设于所述盆架,与所述第二振动组件相对且间隔,所述第二磁路部分位于部分所述第一磁路部分背向所述第一振动组件的一侧,并与所述第一磁路部分配合形成第二磁间隙。
3.根据权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述中心磁路部分包括相连接的中心磁路和第一共用磁路,所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路,所述边磁路位于所述中心磁路的外侧,并间隔形成第一子间隙,所述第二共用磁路位于所述第一共用磁路背向所述中心磁路的一侧,并间隔形成第二子间隙,所述第一子间隙与所述第二子间隙连通,以形成所述第一磁间隙;
所述第二磁路部分包括第一磁铁和第二磁铁,所述第一磁铁与所述第一共用磁路相对且间隔,以形成第三子间隙,所述第二磁铁与所述第二共用磁路相对且间隔,以形成第四子间隙,所述第三子间隙和所述第四子间隙连通,并形成所述第二磁间隙。
4.根据权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述第二音圈具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,所述两个长轴边分别位于所述第三子间隙和所述第四子间隙内。
5.根据权利要求3所述的发声装置,其特征在于,所述第一共用磁路的厚度大于或等于所述中心磁路的厚度;
且/或,所述第二共用磁路的厚度大于或等于所述边磁路的厚度;
且/或,所述第一磁铁的厚度大于或等于所述中心磁路的厚度;
且/或,所述第二磁铁的厚度大于或等于所述边磁路的厚度;
且/或,所述第一共用磁路和所述中心磁路为一体成型结构或者是分体结构;
且/或,所述第一磁铁和所述第二磁铁为一体成型结构或者相间隔设置;
且/或,所述中心磁路部分和所述边磁路部分均沿所述第一振动组件的振动方向充磁且充磁方向相反,所述第一磁铁和所述第二磁铁均沿所述第一振动组件的振动方向充磁且充磁方向相反,所述第一磁铁和所述中心磁路部分的充磁方向相同。
6.根据权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述中心磁路部分包括中心磁路,所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路,所述边磁路位于所述中心磁路的外侧,并间隔形成第一子间隙,所述第二共用磁路位于所述中心磁路的外侧,并间隔形成第二子间隙,所述第一子间隙与所述第二子间隙连通,以形成所述第一磁间隙;
所述第二磁路部分包括第三磁铁,所述第三磁铁具有第一充磁区和第二充磁区,所述第二共用磁路包括第三充磁区和第四充磁区,所述第一充磁区和所述第三充磁区相对且间隔,以形成第五子间隙,所述第二充磁区和所述第四充磁区相对且间隔,以形成第六子间隙,所述第五子间隙和所述第六子间隙连通,并形成所述第二磁间隙。
7.根据权利要求6所述的发声装置,其特征在于,所述中心磁路部分、所述边磁路部分及所述第二磁路部分均沿所述第一振动组件的振动方向充磁,所述第一充磁区和所述第三充磁区的充磁方向相同,所述第二充磁区和所述第四充磁区的充磁方向相同,所述第一充磁区和所述第二充磁区的充磁方向相反,所述第一充磁区和所述中心磁路部分的充磁方向相反;
且/或,所述第三磁铁包括相间隔的两部分,所述第一充磁区和所述第二充磁区相间隔;
且/或,所述第二共用磁路包括相间隔的两部分,所述第三充磁区和所述第四充磁区相间隔;
且/或,所述第二音圈具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边,所述两个长轴边分别位于所述第五子间隙和所述第六子间隙内。
8.根据权利要求2所述的发声装置,其特征在于,所述盆架包括依次连接的第一段、第二段及第三段,所述第一段和所述第三段分别与所述第二段呈夹角设置,并位于所述第二段的相对两侧;部分所述第一磁路部分设于所述第一段,所述第二磁路部分设于所述第三段。
9.根据权利要求8所述的发声装置,其特征在于,所述盆架设有泄气孔,所述泄气孔连通所述第一磁间隙和/或所述第二磁间隙,所述发声装置还包括对应所述泄气孔设置的隔离网;
且/或,所述第一段和所述第三段与所述第一壳体平行。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述第一振动组件包括:
第一振膜,所述第一振膜连接于所述第一壳体;和
第一音圈,所述第一音圈的一端连接于所述第一振膜,所述第一音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内,所述第一音圈为环形音圈;
所述第二振动组件包括:
振膜组件,所述振膜组件连接于所述第二壳体。
11.根据权利要求10所述的发声装置,其特征在于,所述振膜组件包括第二振膜和第二球顶,所述第二球顶设于所述第二振膜的中心,所述第二球顶具有向所述第二音圈延伸的连接部,所述连接部与所述第二音圈连接;
且/或,所述振膜组件朝向远离所述磁路系统的一侧或者朝向靠近所述磁路系统的一侧凸出。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的发声装置,其特征在于,所述第一振动组件用于低音发声,所述第二振动组件用于高音发声;
且/或,所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈垂直设置。
13.一种电子设备,其特征在于,包括设备壳体和如权利要求1至12中任一项所述的发声装置,所述发声装置设于所述设备壳体。
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