CN117641207A - 发声装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种发声装置和电子设备，所述发声装置包括外壳、磁路系统及振动系统，所述外壳包括呈夹角设置的第一壳体和第二壳体，所述第一壳体和所述第二壳体围合形成安装腔，所述磁路系统设于所述安装腔内，所述振动系统包括第一振动组件和第二振动组件，所述第一振动组件与所述第一壳体连接，并与所述磁路系统相对，所述第二振动组件与所述第二壳体连接，并与所述磁路系统相对，所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈夹角设置。本发明旨在提供一种振动辐射面相互独立且呈夹角设置的发声装置，该发声装置不仅实现了多功能的应用，还有效提高发声效果，且降低了制作成本。

Description

发声装置和电子设备

技术领域

本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。

背景技术

随着便携式消费类电子产品市场的发展，微型发声器件得到广泛的应用，并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计，对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。目前智能移动终端中微型扬声器模组的有效频带较窄，音色比较单调，音质较差，且不能满足多方面的功能需求。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种振动辐射面相互独立且呈夹角设置的发声装置，该发声装置不仅实现了多功能的应用，还有效提高发声效果，且降低了制作成本。

为实现上述目的，本发明提出一种发声装置，所述发声装置包括

外壳，所述外壳包括呈夹角设置的第一壳体和第二壳体，所述第一壳体和所述第二壳体围合形成安装腔；

磁路系统，所述磁路系统设于所述安装腔内；及

振动系统，所述振动系统包括第一振动组件和第二振动组件，所述第一振动组件与所述第一壳体连接，并与所述磁路系统相对，所述第二振动组件与所述第二壳体连接，并与所述磁路系统相对，所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈夹角设置；其中

所述磁路系统包括盆架以及设于所述盆架的第一磁路部分和第二磁路部分，所述第一磁路部分与所述第一振动组件相对且间隔，所述第二磁路部分与所述第二振动组件相对且间隔；

所述第一磁路部分包括中心磁路部分和边磁路部分，所述边磁路部分包括多个，多个所述边磁路部分间隔设于所述中心磁路部分的外侧，并与所述中心磁路部分间隔以形成第一磁间隙，所述第二磁路部分位于部分所述第一磁路部分背向所述第一振动组件的一侧，并与所述第一磁路部分配合形成第二磁间隙；所述磁路系统沿所述第一振动组件的振动方向的尺寸小于其沿所述第二振动组件的振动方向的尺寸。

在一实施例中，所述第二磁路部分与所述边磁路部分相对且之间形成第二磁间隙，所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路，所述边磁路位于所述中心磁路的外侧，并间隔形成第一子间隙，所述第二共用磁路位于所述中心磁路的外侧，并间隔形成第二子间隙，所述第一子间隙与所述第二子间隙连通，以形成所述第一磁间隙；

所述第二磁路部分包括第三磁铁，所述第三磁铁与所述第二共用磁路相对且之间形成所述第二磁间隙。

在一实施例中，所述第二共用磁路的厚度小于等于所述边磁路的厚度。

在一实施例中，所述第二共用磁路包括第二共用华司，所述第三磁铁与所述第二共用华司相对且间隔形成所述第二磁间隙，所述第二共用华司的厚度小于所述边磁路的厚度；

或者，所述边磁路包括第一边华司及设于第一边华司靠近所述盆架一侧的第一边磁铁，所述第二共用磁路包括第二共用华司及设于所述第二共用华司的靠近所述盆架一侧的第二共用磁铁，所述第三磁铁与所述第二共用磁铁相对且间隔，且之间形成所述第二磁间隙，所述第二共用磁铁的厚度小于所述第一边磁铁的厚度；

或者，所述边磁路包括第一边华司及设于第一边华司靠近所述盆架一侧的第一边磁铁，所述第二共用磁路包括第二共用华司及设于所述第二共用华司靠近所述盆架的第二共用磁铁，所述第二共用磁铁包括主体部以及由所述主体部靠近所述第二子间隙的一端弯折延伸的延伸部，所述延伸部与所述第三磁铁或者所述盆架相抵接，所述主体部与所述第二共用磁路之间形成所述第二磁间隙，所述第二共用磁铁的厚度小于等于所述第一边磁铁的厚度。

在一实施例中，所述第三磁铁的厚度小于等于所述边磁路部分的厚度。

在一实施例中，所述盆架包括依次连接的第一段、第二段及第三段，所述第一段和所述第三段分别与所述第二段呈夹角设置，并位于所述第二段的相对两侧；部分所述第一磁路部分设于所述第一段，所述第二磁路部分设于所述第三段。

在一实施例中，所述第一振动组件包括：

第一振膜，所述第一振膜连接于所述第一壳体；

第一音圈，所述第一音圈的一端连接于所述第一振膜，所述第一音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内。

在一实施例中，所述第二振动组件包括：

第二振膜，所述第二振膜连接于所述第二壳体；

第二音圈，所述第二音圈为扁平音圈，所述第二音圈包括首尾连接的两个长轴边及两个短轴边，每一所述短轴边设于两个所述长轴边之间，其中一所述长轴边连接于所述第二振膜，另一所述长轴边设于所述第二磁间隙内。

在一实施例中，所述第一振动组件用于低音发声，所述第二振动组件用于高音发声；

且/或，所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈垂直设置。

本发明还提出一种电子设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。

本发明技术方案的发声装置通过将振动系统设置有第一振动组件和第二振动组件，使得第一振动组件与磁路系统相对，第二振动组件与磁路系统相对，如此利用磁路系统同时为第一振动组件和第二振动组件提供磁场和驱动力，以提高磁场利用率的同时，降低成本和尺寸，进一步将第一振动组件的振动方向与第二振动组件的振动方向设置为呈夹角设置，如此可使得振动系统形成两个相互独立且呈夹角设置的振动辐射面，不仅实现了多功能的应用，还有效提高了发声效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中发声装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例中发声装置另一视角的结构示意图；

图3为本发明一实施例中发声装置的分解示意图；

图4为本发明一实施例中发声装置的进一步分解示意图；

图5为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图6为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图7为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图8为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图9为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图；

图10为本发明一实施例中外壳的分解示意图；

图11为本发明一实施例中外壳的平面示意图；

图12为本发明一实施例中第二音圈的平面示意图；

图13为本发明一实施例中发声装置和导声管道的分离示意图；

图14为本发明一实施例中发声装置和电子设备组合剖面图；

图15为本发明一实施例中发声装置和电子设备组合剖面图；

图16为本发明一实施例中发声装置的剖面示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

随着便携式消费类电子产品市场的发展，微型发声器件得到广泛的应用，并且随着便携式终端电子产品的多功能和小型化设计，对微型发声器的振动声学性能提出了更高的要求。目前智能移动终端中微型扬声器模组的有效频带较窄，音色比较单调，音质较差，且不能满足多方面的功能需求。

基于上述构思和问题，本发明提出一种发声装置100。可以理解的，发声装置100应用于电子设备，电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表或电视等，在此不做限定。

请结合参照图1至图16所示，在本发明实施例中，该发声装置100包括磁路系统2及振动系统3，振动系统3包括第一振动组件31和第二振动组件32，第一振动组件31与磁路系统2相对，第二振动组件32与磁路系统2相对，第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈夹角设置。

本发明的发声装置100通过将振动系统3设置有第一振动组件31和第二振动组件32，使得第一振动组件31与磁路系统2相对，第二振动组件32与磁路系统2相对，如此利用磁路系统2同时为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场和驱动力，以提高磁场利用率的同时，降低成本，进一步将第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向设置为呈夹角设置，如此可使得振动系统3形成两个相互独立且呈夹角设置的振动辐射面，不仅实现了多功能的应用，还有效提高了发声效果。

在一实施例中，发声装置100还包括外壳1，外壳1具有第一安装面123和第二安装面135，第一振动组件31连接于第一安装面123，第二振动组件32连接于第二安装面135。外壳1用于支撑固定磁路系统2及振动系统3。可以理解地，在其他实施例中，磁路系统2也可以具有支撑固定第一振动组件31和第二振动组件32的支撑部分。

可选地，如图3至图9、图16所示，外壳1包括呈夹角设置的第一壳体12和第二壳体13，第一壳体12和第二壳体13围合形成安装腔，磁路系统2设于安装腔内，第一壳体12具有第一安装面123，第二壳体13具有第二安装面135，第一振动组件31连接于第一壳体12的第一安装面123，并与磁路系统2相对，第二振动组件32连接于第二壳体13的第二安装面135，并与磁路系统2相对，第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈夹角设置。可选地，第一壳体12和第二壳体13为一体成型结构，如此提高外壳1的结构强度和稳定性。可以理解的，第一壳体12和第二壳体13围合形成安装腔，安装腔可以是通腔或通槽结构。可选地，第一壳体12和第二壳体13呈垂直设置。

在本实施例中，第一壳体12呈长方形结构，第一壳体12具有相对的两个长边和两个短边，短边的两端分别与两个长边连接，长边的两端分别与两个短边连接。可以理解的，第二壳体13连接于第一壳体12的长边或短边，使得第二壳体13与第一壳体12呈垂直设置。

可以理解的，第二壳体13可选为长方形结构，第二壳体13具有相对的两个长边和两个短边，短边的两端分别与两个长边连接，长边的两端分别与两个短边连接。在本实施例中，第一壳体12和第二壳体13共用一个长边或短边，即第一壳体12和第二壳体13具有共用的共用边。第一壳体12的两个长边和两个短边限定出第一开口121，第二壳体13的两个长边和两个短边限定出第二开口131，第一开口121和第二开口131分别连通安装腔。可选地，第一开口121和第二开口131位于外壳1的相邻两个表面。

需要说明的是，外壳1是金属件时，磁路系统2与外壳1采用粘接或焊接固定。在另外的实施例中，外壳1为塑料注塑成型时，磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在外壳1中，或者磁路系统2与外壳1采用粘接固定，然后其他部分再粘接固定，在此不做限定。

在本实施例中，磁路系统2设于外壳1的安装腔内，并与外壳1的第一壳体12和第二壳体13连接。振动系统3连接于外壳1的第一壳体12和第二壳体13，并与磁路系统2相对。可以理解的，振动系统3的第一振动组件31与第一壳体12连接，并盖合第一开口121，第二振动组件32与第二壳体13连接，并盖合第二开口131，如此外壳1的第一壳体12和第二壳体13、第一振动组件31和第二振动组件32及磁路系统2共同围合形成振动空间。

可以理解的，第一振动组件31与磁路系统2相对，第二振动组件32与磁路系统2相对，使得第一振动组件31和第二振动组件32共用磁路系统2，从而提高磁场利用率的同时，降低发声装置100的成本。在本实施例中，第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈夹角设置。可选地，第一振动组件31的振动方向与第二振动组件32的振动方向呈垂直设置。

在本实施例中，磁路系统2为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场和驱动力，以驱动第一振动组件31和第二振动组件32分别振动发声，从而提高出声效果。

本发明的发声装置100通过将外壳1设置为呈夹角设置的第一壳体12和第二壳体13，并围合形成安装腔，从而利用安装腔安装固定磁路系统2和振动系统3，简化发声装置100的设计及组装工序，便于生产。

在一实施例中，磁路系统2沿第一振动组件31的振动方向的尺寸小于其沿第二振动组件32的振动方向的尺寸，如此可以减小发声装置100的尺寸，便于发声装置100的微型化设计。

在一实施例中，磁路系统2包括盆架21、第一磁路部分22及第二磁路部分23，其中，第一磁路部分22设于盆架21，并与第一振动组件31相对且间隔，第一磁路部分22设有第一磁间隙221，第二磁路部分23设于盆架21，与第二振动组件32相对且间隔，第二磁路部分23位于部分第一磁路部分22背向第一振动组件31的一侧，并与第一磁路部分22配合形成第二磁间隙231。

在本实施例中，如图5至图9、图16所示，磁路系统2的盆架21为第一磁路部分22和第二磁路部分23提供安装固定基础，第一磁路部分22和第二磁路部分23设置于盆架21面向外壳1的一侧，磁路系统2通过第一磁路部分22和第二磁路部分23与外壳1的第一壳体12和第二壳体13连接。

可以理解的，第一磁路部分22和第二磁路部分23可采用粘结方式连接固定于盆架21上。盆架21可选为导磁板或导磁盆架21等结构，在此不做限定。第一磁路部分22和第二磁路部分23可采用粘结、焊接等方式与外壳1的第一壳体12和第二壳体13连接，在此不做限定。

在本实施例中，通过在第一磁路部分22设置第一磁间隙221，从而利用第一磁间隙221为第一振动组件31提供避让和振动空间。通过将第二磁路部分23设置在部分第一磁路部分22背向第一振动组件31的一侧，并与第二振动组件32相对且间隔，使得第二磁路部分23与部分第一磁路部分22配合形成第二磁间隙231，从而利用第二磁间隙231为第二振动组件32提供避让和振动空间的同时，使得第一振动组件31和第二振动组件32共用部分第一磁路部分22，以提高磁路系统2的磁场利用率的同时，有效降低成本。

为了方便安装固定第一磁路部分22和第二磁路部分23，并使得第一磁路部分22和第二磁路部分23分别与第一振动组件31和第二振动组件32相对，在一实施例中，盆架21包括依次连接的第一段211、第二段212及第三段213，第一段211和第三段213分别与第二段212呈夹角设置，并位于第二段212的相对两侧；部分第一磁路部分22设于第一段211，第二磁路部分23设于第三段213。

在本实施例中，如图2、图5至图9、图16所示，盆架21的第一段211、第二段212及第三段213为一体成型结构。可选地，第一段211、第二段212及第三段213形成Z形结构，如此利用第二段212使得第一段211和第三段213之间形成高度差，从而方便利用盆架21的第一段211安装固定第一磁路部分22，利用盆架21的第二段212和第三段213安装固定第二磁路部分23，且使得第二磁路部分23位于第一磁路部分22对应第三段213的部分下方，如此提高结构紧凑性的同时，使得第二振动组件32共用部分第一磁路部分22。

可选地，第一段211和第三段213与第一壳体12平行，或者第二段212与第二壳体13平行，使得发声装置100的外观更为规整，便于装配于外部环境。第二磁路部分23进一步可以与第二段212连接，增加第二部分磁路的连接可靠性。

在本发明发声装置100中，第一磁路部分22包括中心磁路部分222和边磁路部分223，边磁路部分223设于中心磁路部分222的外侧，并与中心磁路部分222间隔以形成第一磁间隙221。

如图3至图9、图16所示，第一磁路部分22的部分中心磁路部分222和部分边磁路部分223安装固定于盆架21的第一段211，第一磁路部分22通过边磁路部分223与外壳1的第一壳体12连接固定。可选地，盆架21与中心磁路部分222和边磁路部分223粘结连接，边磁路部分223与外壳1的第一壳体12粘结连接。

可以理解的，中心磁路部分222包括层叠设置的中心磁铁和中心华司，中心磁铁设置于中心华司和盆架21之间，边磁路部分223包括层叠设置的边磁铁和边华司，边磁铁设置于边华司和盆架21之间。可以理解的，边磁路部分223的边华司可以是与外壳1采用粘结连接。可选地，边华司与外壳1为一体成型结构。

在本实施例中，中心华司和边华司可选为导磁板结构。中心磁铁22211和中心华司的结构轮廓相同，中心磁铁和中心华司可选为板状结构或环状结构，在此不做限定。边磁铁和边华司的结构轮廓相同，边磁铁和边华司可选为板状结构或环状结构，在此不做限定。

可以理解的，边磁路部分223可以是环形结构，环形的边磁路部分223环绕中心磁路部分222，并与中心磁路部分222间隔以形成环形的第一磁间隙221。可选地，边磁路部分223可以呈圆环形，或者呈四边形、五边形、六边形等等多边形状。

当然，边磁路部分223包括多个，多个边磁路部分223间隔且环绕中心磁路部分222设置。

在一实施例中，边磁路部分223包括多个，多个边磁路部分223环绕中心磁路部分222设置，并与中心磁路部分222间隔以形成第一磁间隙221，相邻两个边磁路部分223间隔以形成连通第一磁间隙221的缺口。

在一实施例中，第一磁路部分22的中心磁路部分222和边磁路部分223均沿竖直方向充磁，中心磁路部分222和边磁路部分223的充磁方向相反。可以理解的，中心磁路部分222的中心磁铁22211和边磁路部分223的边磁铁22311均沿竖直方向充磁，中心磁铁22211和边磁铁22311的充磁方向相反。可以理解的，如此设置可实现优化BL的非线性性能。

可选地，第一磁路部分22的中心磁路部分222和边磁路部分223的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同，也即第一振动组件31沿竖直方向振动。可以理解的，中心磁路部分222的中心磁铁和边磁路部分223的边磁铁的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同，也即中心磁路部分222的中心磁铁和边磁路部分223的边磁铁均沿竖直方向充磁。

在一实施例中，第二磁路部分23与部分中心磁路部分222和部分边磁路部分223相对且间隔，以配合形成第二磁间隙231。可以理解地，第二磁路部分23与部分中心磁路部分222相对且间隔，以形成第三子间隙，第二磁路部分23与部分边磁路部分223相对且间隔，以形成第四子间隙，第三子间隙和第四子间隙连通，并形成第二磁间隙231。

在本实施例中，中心磁路部分222包括相连接的中心磁路2221和第一共用磁路2222，边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232，边磁路2231位于中心磁路2221的外侧，并间隔形成第一子间隙2211，第二共用磁路2232位于第一共用磁路2222背向中心磁路2221的一侧，并间隔形成第二子间隙2212，第一子间隙2211与第二子间隙2212连通，以形成第一磁间隙221，第二磁路部分23与第一共用磁路2222相对且间隔，以形成第三子间隙，第二磁路部分23与第二共用磁路2232相对且间隔，以形成第四子间隙，第三子间隙和第四子间隙连通，并形成第二磁间隙231。

可选地，第二磁路部分23可以是一个整体结构，也可以是分体结构。作为其中一种实施方式，如图16所示，第二磁路部分23包括间隔设置的第一磁铁233和第二磁铁234，其中，第一磁铁233位于第一共用磁路2222的下方，并与第一共用磁路2222相对且间隔，以形成第三子间隙，第二磁铁234位于第二共用磁路2232的下方，并与第二共用磁路2232相对且间隔，以形成第四子间隙，且第三子间隙和第四子间隙连通，并形成第二磁间隙231。

在其他实施方式中，第二磁路部分23是一个整体结构，第一磁铁233为第二磁路部分23的一个充磁区域，第二磁铁234为第二磁路部分23的一个充磁区域。

在本实施例中，中心磁路部分222的中心磁路2221和第一共用磁路2222可以是一体成型结构，也可以是分体结构通过粘结等方式连接为一体。可以理解的，中心磁路2221和第一共用磁路2222均包括中心磁铁22211和中心华司22212，中心磁路2221和第一共用磁路2222的中心华司可以是一个整体结构，也即中心磁路2221和第一共用磁路2222共用一个中心华司，在此不做限定。

可以理解的，边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232，也即部分边磁路部分223为第二共用磁路2232，另外部分边磁路部分223为边磁路2231。可选地，边磁路部分223的边磁路2231和第二共用磁路2232可以是一体连接结构，也可以是分体设置。

在本实施例中，边磁路部分223包括多个，多个边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232。可选地，边磁路部分223包括四个，一个为第二共用磁路2232，三个为边磁路2231。可以理解的，三个边磁路2231间隔设于中心磁路2221的外侧，并与中心磁路2221间隔形成第一子间隙2211，第二共用磁路2232位于第一共用磁路2222背向中心磁路2221的一侧，并间隔形成第二子间隙2212，且第一子间隙2211与第二子间隙2212连通，以形成第一磁间隙221。

需要说明的是，边磁路2231和第二共用磁路2232均包括层叠设置的边磁铁和边华司，边磁铁设置于边华司和盆架21之间。

为了使得磁路系统2能够同时为第一振动组件31和第二振动组件32提供磁场及驱动力，中心磁路部分222和边磁路部分223均沿第一振动组件31的振动方向充磁且充磁方向相反，第一磁铁233和第二磁铁234均沿第一振动组件31的振动方向充磁且充磁方向相反，第一磁铁233和中心磁路部分222的充磁方向相同。

为了确保第二磁路部分23与第一共用磁路2222和第二共用磁路2232配合提供充足的磁场，可选地，第一共用磁路2222的厚度大于或等于中心磁路2221的厚度。可选地，第二共用磁路2232的厚度大于或等于边磁路2231的厚度。可以理解的，第一共用磁路2222和第二共用磁路2232的磁铁厚度大于或等于中心磁路2221和边磁路2231的磁铁厚度。

在本实施例中，第一磁铁233的厚度大于或等于中心磁路2221的厚度，第二磁铁234的厚度大于或等于边磁路2231的厚度。可选地，第一共用磁路2222和第二共用磁路2232沿竖直方向充磁，第一共用磁路2222和第二共用磁路2232的磁铁的充磁方向相反。

可选地，第一磁铁233和第一共用磁路2222沿竖直方向充磁，第一磁铁233和第一共用磁路2222的磁铁的充磁方向相同。第二磁铁234和第二共用磁路2232沿竖直方向充磁，第二磁铁234和第二共用磁路2232的磁铁的充磁方向相同，如此设置可实现优化BL的非线性性能。

可以理解的，第一磁铁233和第一共用磁路2222的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同，也即第一振动组件31沿竖直方向振动。第二磁铁234和第二共用磁路2232的充磁方向与第一振动组件31的振动方向相同。

在一实施例中，第二磁路部分23与部分边磁路部分223相对且之间形成第二磁间隙231。如图3至图9所示，中心磁路部分222包括中心磁路2221，边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232，边磁路2231位于中心磁路2221的外侧，并间隔形成第一子间隙2211，第二共用磁路2232位于中心磁路2221的外侧，并间隔形成第二子间隙2212，第一子间隙2211与第二子间隙2212连通，以形成第一磁间隙221；第二磁路部分23与第二共用磁路2232且形成第二磁间隙231。

本实施例中，边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232，也即部分边磁路部分223为第二共用磁路2232，另外部分边磁路部分223为边磁路2231。可选地，边磁路部分223的边磁路2231和第二共用磁路2232可以是一体连接结构，也可以是分体设置。

在本实施例中，边磁路部分223包括多个，多个边磁路部分223包括边磁路2231和第二共用磁路2232。可选地，边磁路部分223包括四个，一个为第二共用磁路2232，三个为边磁路2231。可以理解的，三个边磁路2231间隔设于中心磁路2221的外侧，并与中心磁路2221间隔形成第一子间隙2211，第二共用磁路2232间隔设于中心磁路2221的外侧，并与中心磁路2221间隔形成第二子间隙2212，且第一子间隙2211与第二子间隙2212连通，以形成第一磁间隙221。可选地，第二共用磁路2232的厚度小于等于边磁路2231的厚度。

需要说明的是，中心磁路2221包括层叠设置的中心磁铁22211和中心华司22212，中心磁铁22211设置于中心华司22212和盆架21之间，边磁路2231包括层叠设置的第一边磁铁22311和第一边华司22312，第一边磁铁22311设置于第一边华司22312和盆架21之间，第二共用磁路2232包括第二共用华司22322，第一边华司22312、第二共用华司22322均与中心华司22212相对设置。

在一实施例中，第二磁路部分23包括第三磁铁232，第三磁铁232与第二共用磁路2232相对且之间形成第二磁间隙231。

在本实施例中，第二共用磁路2232可以有多种设置方式。如图7所示，为了减薄发声装置100的厚度尺寸，第二共用磁路2232可以只包括第二共用华司22322，第三磁铁232与第二共用华司22322相对且间隔，二者之间形成第二磁间隙231。可以理解的，第二共用华司22322和中心华司22212相对，第二共用华司22322的厚度小于边磁路2231的厚度。

或者，如图6所示，为了提升第二磁间隙231的磁场强度，第二共用磁路2232包括第二共用华司22322以及设于第二共用华司22322靠近盆架21一侧的第二共用磁铁22321，第三磁铁232与第二共用磁铁22321相对且间隔，二者之间形成第二磁间隙231。可选地，第二共用磁铁22321的厚度小于第一边磁铁22311的厚度，如此，仍然可以使得发声装置100的具有较小的厚度尺寸。

还可以地，如图5所示，为了进一步弥补第二子磁间隙的磁场损失，第二共用磁路2232包括第二共用华司22322以及设于第二共用华司22322靠近第二磁路部分23的第二共用磁铁22321，第二共用磁铁22321包括主体部22323以及由主体部22323靠近第二子间隙2212的一端弯折延伸的延伸部22324，延伸部22324与第三磁铁232或者盆架21相抵接，主体部22323与第三磁铁232之间形成第二磁间隙231。可选地，第二共用磁铁22321的厚度小于等于第一边磁铁22311的厚度。

在其他实施例中，第二磁间隙231也可以有不同的形成方式。可选地，第二共用磁路2232包括第二共用磁铁22321，第三磁铁232包括第二主体部以及由第二主体部靠近第二子间隙2212的一端弯折延伸的第二延伸部，第二延伸部与第二共用磁铁22321相抵接，第二主体部与第二共用磁铁22321之间形成第二磁间隙231。

在一实施例中，第三磁铁232的厚度小于等于边磁路2231的厚度，既可以为第二磁间隙231提供足够的磁场强度，又可以减小发声装置100的高度尺寸。

为了确保发声装置100内振动空间的气压平衡，以保证第一振动组件31和第二振动组件32的振动平衡性。在一实施例中，盆架21设有泄气孔214，为了避免杂质或吸音颗粒从泄气孔214进入发声装置100内，影响发声装置100的性能，发声装置100还包括对应泄气孔214设置的透气隔离件4。

在一实施例中，如图3和图4所示，泄气孔214设于第一段211的四角位置，泄气孔214对应第一磁间隙221和/或两个边磁路部分223之间形成的缺口。

在一实施例中，第一振动组件31包括第一振膜311和第一音圈312，其中，第一振膜311连接于第一壳体12，第一音圈312环绕中心磁路部分222，第一音圈312的一端与振膜连接，另一端悬设于第一磁间隙221内。

在本实施例中，第一振膜311包括中央部、环绕中央部设置的折环部以及设于折环部外侧的固定部，固定部与外壳1的第一壳体12连接，以使第一振膜311盖合第一开口121。可以理解的，第一振膜311的中央部、折环部及固定部为一体成型结构。折环部环绕中央部设置，并位于中央部和固定部之间，折环部可以是向上或向下的凸起结构。第一振膜311通过固定部与发声装置100的外壳1的第一壳体12连接固定，以提高外壳1与第一振膜311的连接稳定性和密封性。

可以理解的，为了增大第一振膜311的有效振动面积，固定部可以是折环部的外侧向下或向上延伸形成，以使得固定部与外壳1的内侧壁或外侧壁连接固定。

在一实施例中，第一振膜311设有导电层，第一音圈312的一端连接于第一振膜311，第一音圈312的引线与导电层电连接，导电层远离第一音圈312的一端与外壳1中的第一导电嵌件122电连接，通过第一导电嵌件122将外部电路与导电层实现导电连接，从而实现第一音圈312与外部电路导通。

可选地，第一振膜311呈方形设置，导电层可设置于第一振膜311的拐角部分，当然导电层也可设置于第一振膜311的长轴边或短轴边等，在此不做限定。

在本实施例中，导电层能够实现导电，使得第一音圈312通过导电层与外部电路实现电路导通。可以理解的，导电层可以通过粘结方式设置于第一振膜311上，也可通过喷涂方式设置于第一振膜311上。可选地，导电层涂覆于第一振膜311面向磁路系统2的一侧，例如采用涂膜方式固化后形成涂层结构，在此不做限定。

在本实施例中，第一音圈312可选为方形或者跑道型环状结构，第一音圈312具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边，也即第一音圈312的两个短轴边相对且间隔，两个长轴边相对且间隔，使得长轴边和短轴边首尾相连形成环状结构。

在本实施例中，通过在第一振膜311的中央部设置镂空孔，如此可有效减小第一振膜311的整体重量。可选地，中央部的中央位置设置有镂空孔，镂空孔可选为通孔或镂空孔或开口。可选地，镂空孔可以是一个或多个，在此不做限定。

为了加强第一振膜311的结构强度，避免第一振膜311在振动过程中会发生收缩变形量加剧。在一实施例中，第一振动组件31还包括第一球顶314，第一球顶314连接于第一振膜311背向第一音圈312的一侧。可以理解的，通过在第一振膜311的中央部设置第一球顶314，第一球顶314连接于中央部，并遮盖镂空孔，一方面加强第一振膜311的结构强度，另一方面也可避免外部杂质或灰尘通过镂空孔进入发声装置100的内部，同时避免第一振膜311在振动过程中会发生收缩变形量加剧，从而降低发声装置100的THD失真较高，提升音频效果。

在一实施例中，如图4所示，第一振动组件31还包括第一定心支片313，第一定心支片313的一端与外壳1连接，第一定心支片313的另一端与第一音圈312远离第一振膜311的一端连接。

在本实施例中，第一定心支片313的一端与外壳1的第一壳体12连接，第一定心支片313的另一端与第一音圈312背向第一振膜311的一侧连接。可以理解的，通过设置第一定心支片313，使得第一定心支片313的一端与外壳1的第一壳体12连接，第一定心支片313的另一端与第一音圈312连接，从而利用第一定心支片313平衡和稳定第一音圈312带动第一振膜311的振动，避免第一音圈312带动第一振膜311发生摆动或偏振现象。

可选地，第一定心支片313包括四个，四个第一定心支片313对应磁路系统2的第一磁路部分22的四个缺口设置。或者，第一定心支片313包括两个，两个第一定心支片313设置于第一音圈312的短轴两侧。在本实施例中，第一定心支片313包括外固定部、内固定部以及连接于外固定部和内固定部之间的弹性部，外固定部连接于外壳1的第一壳体12，内固定部连接于第一音圈312。

第一定心支片313可采用PI材质制成，或者，第一定心支片313可采用FPCB制成，或者第一定心支片313内设置有导电电路，如此可利用第一定心支片313的一端与第一音圈312的引线导电连接，第一定心支片313的另一端固定在外壳1上，用于与外部电路连接导通，如此利用第一定心支片313将外部电路与第一音圈312连接导通，有效避免第一音圈312的引线在振动过程中发生断线风险。

在一实施例中，如图3至图9、图16所示，第二振动组件32包括第二振膜321和第二音圈323，其中，第二振膜321连接于第二壳体13，并且具有与第二音圈323连接的连接区域3221。

在本实施例中，第二音圈323可选为扁平音圈，第二音圈323为方形或者跑道型环状结构。可以理解的，第二音圈323具有首尾连接的两个长轴边和两个短轴边，每一短轴边设于两个长轴边之间，也即第二音圈323的两个短轴边相对且间隔，两个长轴边相对且间隔，使得长轴边和短轴边首尾相连形成环状结构。

在一实施例中，如图16所示，第二磁路部分23与部分中心磁路部分222和部分边磁部分相对且间隔形成第二磁间隙231，第二音圈323设于第二磁间隙231内，即第二音圈323的两个长轴边均设于第二磁间隙231内。

更具体地，第二磁路部分23与部分中心磁路部分222相对且间隔，以形成第三子间隙，第二磁路部分23与部分边磁路部分223相对且间隔，以形成第四子间隙，第三子间隙和第四子间隙连通，并形成第二磁间隙231，第二音圈323的其中一个长轴边设于第三子间隙，另一个长轴边设于第四子间隙内。

在一实施例中，如图3至图9所示，第二磁路部分23与部分边磁部分相对且间隔形成第二磁间隙231，第二音圈323的其中一个长轴边连接于第二振膜321，另一个长轴边设于第二磁间隙231内。

在一实施例中，如图5至图7、图9所示，第二音圈323所在平面与第一振动组件31的振动方向垂直，即第二音圈323所在的平面和第一安装面123平行。如此设计，使得边磁路部分223和第二磁路部分23的磁路外形更为规整，减少磁路系统2的生产及组装成本。

在一实施例中，如图3至图9所示，第一壳体12和所述第二壳体13具有共用的共用边133，定义第一振动组件31沿第一方向振动，第二壳体13包括沿第一方向分布的共用边133和第一边134，沿第一方向，共用边133的外边缘具有超出磁路系统2并用于安装第一振膜311的第一延伸部1331，第一边134的外边缘与磁路系统2齐平；定义第二振动组件32沿第二方向振动，共用边133和第一边134相背离的一侧沿第二方向延伸设置有用于安装第二振膜321的第二延伸部1332，连接区域3221偏离第二振膜321沿第一方向的中心位置且位于中心位置远离所述第一振动组件31的一侧。

可以理解地，在本实施例中，在第二方向上，第二振膜321靠近盆架21的一侧边缘与磁路系统2大致齐平，远离磁路系统2的边缘可以延伸固定至固定边的第二延伸部1332，如此，在保证第二音圈323合适位置的前提下，尽可能增大第二振膜321的振动面积，提升第二振膜321的发声性能。

在一实施例中，为了提升第二振膜321的结构强度，第二振膜321还包括第二球顶322，第二球顶322设于第二振膜321的中心，第二音圈323与第二球顶322连接，第二球顶322具有与第二音圈323连接的连接区域3221。可以理解地，连接区域3221位于第二球顶322的中心位置远离第一振动组件31的一侧。

当然，在其他实施例中，第二音圈323的所在的平面和第二安装面135呈垂直设置。如此可以调整第二音圈323在第二振膜321的中心位置，使得第二振膜321关于第二音圈323呈对称结构，提升其发声效果。

具体地，边磁路部分223具有朝向第二磁路部分23的第一表面，第二磁路部分23具有朝向边磁路部分223的第二表面，第一表面和第二表面均倾斜设置且相互平行，二者之间形成第二磁间隙231，第二磁间隙231的延伸方向与第二安装面135呈垂直设置。

在一实施例中，第二音圈323的内径的长宽比小于等于20，以降低第二音圈323的工艺绕制难度。可选地，第二音圈323包括两个，每个第二音圈323的内径的长宽比均小于等于20，第二音圈323沿第二音圈323的长轴方向分布。可以理解地，第二音圈323沿第二磁间隙231的长度方向分布。

在一实施例中，第二振膜321朝向远离磁路系统2的一侧凸出，也可以的，第二振膜321朝向靠近磁路系统2的一侧凸出。如此，在发声装置100装配于智能眼镜等电子设备时，可以更好地匹配电子设备的外形，减少对电子设备的空间的占用，根据实际情况灵活选用。

在一实施例中，如图13至图14、图16所示，发声装置100还包括导声管道61，导声管道61对应第二振动组件32设置。可以理解的，导声管道61呈中空结构，如此可通过导声管道61将第二振动组件32的第二振膜321发出的声音顺利传出，提升第二振动组件32的发声效果。

进一步地，如图13至图14所示，第一壳体12和第二壳体13垂直设置，导声管道61远离第二振动组件32的一侧为倾斜面，倾斜面与第二壳体13之间具有夹角。如此，便于发声装置100和外部器件装配，例如和电子设备进行装配时，在对第一壳体12的安装面施力装配的同时，导声管道61的倾斜面也能受力紧固，提高了发声装置100在装配时的可操作性。进一步地，倾斜面靠近第一振动组件31的一端与第二振动组件32的距离小于倾斜面远离第一振动组件31的一端与第二振动组件32之间的距离。

如图14所示，电子设备的设备壳体7的内壁设分别与第一安装面123和倾斜面对应的第一装配面71和第二装配面72，第一装配面71和第二装配面72之间的夹角大于90°，第一装配面71与第一安装面123之间以及第二装配面72与倾斜面之间密封连接。可以理解地，在对第一安装面123施力装配，进行其与第一装配面71之间的密封时，由于倾斜面呈倾斜设置，倾斜面也能受力紧固，提升了其与第二装配面72之间的密封性能，如此，提高了发声装置100在装配时的可操作性。

可以理解地，导声管道61远离第二振动组件32的表面设有密封泡棉62，提升导声管道61和外部器件之间的密封性，提升发声装置100的音质效果。

进一步地，第二外壳1的表面设置有热熔柱，导声管道61对应设置有固定部，第二外壳1和导声管道61热熔固定，以提升导声管道61的安装可靠性。

当然，在发声装置100的其他实施例中，如图15所示，发声装置100也可以不设置导声管道61，可以将第一安装面123呈水平设置，第二安装面135呈倾斜设置，即第一安装面123和第二安装面135之间的夹角大于90°，以提升装配可操作性。如此，通过将第二安装面135倾斜设置，也可以提升发声装置100的装配可操作性。

在本发明发声装置100中，设置于第一磁间隙221内的第一音圈312接收到外部变化的交流电信号后，在磁路系统2的第一磁路部分22磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动，带动振动系统3中第一振动组件31的第一振膜311沿竖直方向振动发声。第二音圈323接收到外部电路的交流电信号后，充分利用磁路系统2中第二磁路部分23与第一磁路部分22共同形成的第二磁间隙231内的磁场力的驱动下沿左右方向做往复切割磁力线的运动，从而实现充分利用磁路系统2的磁场，使得第一音圈312和第二音圈323分别带动第一振膜311和第二振膜321振动发声，从而有效提高发声装置100的发声效果。

在本发明发声装置100中，第一振动组件31用于低音发声，第二振动组件32用于高音发声，如此，可以拓展发声装置100的频宽，使得发声装置100的音色更饱满、圆润。

具体地，发声装置100具有分频点F1，发声装置100用于电子设备时，第一振动组件31对应的Fh(前腔谐振频率)大于等于4kHz小于等于7kHz，F1＞Fh。如此，可以避免在分频点F1处第一振动组件31和第二振动组件32的声波的相位突变，保证分频点F1处第一振动组件31和第二振动组件32的振动方向一致，发声装置100的声压稳定。

可选地，F1大于等于6kHz，如此第一振动组件31和第二振动组件32组合后的发声装置100的声压级曲线比较平滑，不会产生较大的波谷，听感自然。

进一步地，分频点F1大于等于6kHz小于等于10kHz，分频点F1可以是6kHz、6.5KHz、7kHz、7.5kHz、8kHz、8.5kHz、9kHz、9.5kHz、10kHz等。如此，第一振动组件31和第二振动组件32的声压级在分频点处可以更好地衔接，音质更丰富、自然。本实施例中的发声装置100的低音深沉有力，高音清晰丰富。

在一实施例中，发声装置100的外壳1内设有导电嵌件，导电嵌件包括第一导电嵌件122和第二导电嵌件132，第一导电嵌件122和第二导电嵌件132均与外部电路电连接。

如图10和图11所示，第一导电嵌件122电连接第一振动组件31和外部电路、第二导电嵌件132电连接第二振动组件32和外部电路，如此实现第一音圈312和第二音圈323与外部电路的电连接。具体的，第一导电嵌件122的两端外露于外壳1形成第一内焊盘1221和第一外焊盘，第二导电嵌件132的两端外露于外壳1形成第二内焊盘1321和第二外焊盘，第一内焊盘1221电连接第一振动组件31，第二内焊盘1321电连接第二振动组件32，第一外焊盘和第二外焊盘均电连接外部电路。

作为其中一种实施方式，其中一第一外焊盘通过电连接件5与一第二外焊盘电连接并与外部电路电连接。即其中一第二外焊盘形成共用外焊盘14，外部电路通过此共用外焊盘14同时与第一音圈312和第二音圈323电连接。可选地，第一导电嵌件122设于第一壳体12，第二导电嵌件132设于第二壳体13。如此设计，减少工艺和物料成本，便于量产。

在其他实施方式中，其中一第一导电嵌件122与一第二导电嵌件132靠近，并且其第一外焊盘和第二外焊盘为一体成型结构形成共用外焊盘14，外部电路通过此共用外焊盘14同时与第一音圈312和第二音圈323电连接。

可选地，相互靠近的第一导电嵌件122和第二导电嵌件132设于第一壳体12和第二壳体13的连接区域3221。如此设计，巧妙地利用了外壳1的外形结构，减少导电嵌件的注塑个数及工艺，减少外部电连接件5(柔性电路板)的尺寸，进一步减少生产成本。

本发明还提出一种电子设备，该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种发声装置，其特征在于，所述发声装置包括：

外壳，所述外壳包括呈夹角设置的第一壳体和第二壳体，所述第一壳体和所述第二壳体围合形成安装腔；

磁路系统，所述磁路系统设于所述安装腔内；及

振动系统，所述振动系统包括第一振动组件和第二振动组件，所述第一振动组件与所述第一壳体连接，并与所述磁路系统相对，所述第二振动组件与所述第二壳体连接，并与所述磁路系统相对，所述第一振动组件的振动方向与所述第二振动组件的振动方向呈夹角设置；其中

所述磁路系统包括盆架以及设于所述盆架的第一磁路部分和第二磁路部分，所述第一磁路部分与所述第一振动组件相对且间隔，所述第二磁路部分与所述第二振动组件相对且间隔；

所述第一磁路部分包括中心磁路部分和边磁路部分，所述边磁路部分包括多个，多个所述边磁路部分间隔设于所述中心磁路部分的外侧，并与所述中心磁路部分间隔以形成第一磁间隙，所述第二磁路部分位于部分所述第一磁路部分背向所述第一振动组件的一侧，并与所述第一磁路部分配合形成第二磁间隙；所述磁路系统沿所述第一振动组件的振动方向的尺寸小于其沿所述第二振动组件的振动方向的尺寸。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述第二磁路部分与所述边磁路部分相对且之间形成第二磁间隙，所述边磁路部分包括边磁路和第二共用磁路，所述边磁路位于所述中心磁路的外侧，并间隔形成第一子间隙，所述第二共用磁路位于所述中心磁路的外侧，并间隔形成第二子间隙，所述第一子间隙与所述第二子间隙连通，以形成所述第一磁间隙；

所述第二磁路部分包括第三磁铁，所述第三磁铁与所述第二共用磁路相对且之间形成所述第二磁间隙。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述第二共用磁路的厚度小于等于所述边磁路的厚度。

4.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述第二共用磁路包括第二共用华司，所述第三磁铁与所述第二共用华司相对且间隔形成所述第二磁间隙，所述第二共用华司的厚度小于所述边磁路的厚度；

或者，所述边磁路包括第一边华司及设于第一边华司靠近所述盆架一侧的第一边磁铁，所述第二共用磁路包括第二共用华司及设于所述第二共用华司的靠近所述盆架一侧的第二共用磁铁，所述第三磁铁与所述第二共用磁铁相对且间隔，且之间形成所述第二磁间隙，所述第二共用磁铁的厚度小于所述第一边磁铁的厚度；

或者，所述边磁路包括第一边华司及设于第一边华司靠近所述盆架一侧的第一边磁铁，所述第二共用磁路包括第二共用华司及设于所述第二共用华司靠近所述盆架的第二共用磁铁，所述第二共用磁铁包括主体部以及由所述主体部靠近所述第二子间隙的一端弯折延伸的延伸部，所述延伸部与所述第三磁铁或者所述盆架相抵接，所述主体部与所述第二共用磁路之间形成所述第二磁间隙，所述第二共用磁铁的厚度小于等于所述第一边磁铁的厚度。

5.根据权利要求3所述的发声装置，其特征在于，所述第三磁铁的厚度小于等于所述边磁路部分的厚度。

6.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述盆架包括依次连接的第一段、第二段及第三段，所述第一段和所述第三段分别与所述第二段呈夹角设置，并位于所述第二段的相对两侧；部分所述第一磁路部分设于所述第一段，所述第二磁路部分设于所述第三段。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动组件包括：

第一振膜，所述第一振膜连接于所述第一壳体；和

第一音圈，所述第一音圈的一端连接于所述第一振膜，所述第一音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第二振动组件包括：

第二振膜，所述第二振膜连接于所述第二壳体；

第二音圈，所述第二音圈为扁平音圈，所述第二音圈包括首尾连接的两个长轴边及两个短轴边，每一所述短轴边设于两个所述长轴边之间，其中一所述长轴边连接于所述第二振膜，另一所述长轴边设于所述第二磁间隙内。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述第一振动组件用于低音发声，所述第二振动组件用于高音发声；

且/或，所述第一振动组件的振动方向和所述第二振动组件的振动方向呈垂直设置。

10.一种电子设备，其特征在于，包括设备壳体和如权利要求1至9中任一项所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。