CN117617561A - 雾化组件、雾化器及电子雾化装置 - Google Patents

雾化组件、雾化器及电子雾化装置 Download PDF

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CN117617561A
CN117617561A CN202211001235.3A CN202211001235A CN117617561A CN 117617561 A CN117617561 A CN 117617561A CN 202211001235 A CN202211001235 A CN 202211001235A CN 117617561 A CN117617561 A CN 117617561A
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China
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heating element
porous
porous portion
atomizer
nebulizer
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CN202211001235.3A
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Inventor
王伟
雷宝灵
曹贺辉
陈明
徐中立
李永海
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Shenzhen FirstUnion Technology Co Ltd
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Shenzhen FirstUnion Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提出一种雾化器、电子雾化装置及用于雾化器的雾化组件;其中,雾化器包括:储液腔,用于存储液体基质;多孔体,具有相背离的第一侧和第二侧;多孔体包括:第一多孔部分,靠近或界定第一侧,并与储液腔流体连通以吸取液体基质;第二多孔部分,靠近或界定第二侧;加热元件,用于加热多孔体内的至少部分液体基质生成气溶胶;加热元件结合于第二多孔部分并背离第一多孔部分。

Description

雾化组件、雾化器及电子雾化装置
技术领域
本申请实施例涉及电子雾化技术领域,尤其涉及一种雾化组件、雾化器及电子雾化装置。
背景技术
烟制品(例如,香烟、雪茄等)在使用过程中燃烧烟草以产生烟草烟雾。人们试图通过制造在不燃烧的情况下释放化合物的产品来替代这些燃烧烟草的制品。
此类产品的示例为加热装置,其通过加热而不是燃烧材料来释放化合物。例如,该材料可为烟草或其他非烟草产品,这些非烟草产品可包含或可不包含尼古丁。作为另一示例,存在有气溶胶提供制品,例如,所谓的电子雾化装置。这些装置通常包含液体,该液体被多孔体陶瓷体吸收,并由形成于多孔陶瓷体表面的电阻加热轨迹加热以使其发生汽化,从而产生可吸入的气溶胶;已知的电阻加热轨迹是由镍铬合金、铁铬铝合金的电阻率较高的金属或合金制备的。
发明内容
本申请的一个实施例提供一种雾化器,包括:
储液腔,用于存储液体基质;
多孔体,具有相背离的第一侧和第二侧;所述多孔体包括:
第一多孔部分,靠近或界定所述第一侧,并与所述储液腔流体连通以吸取液体基质;
第二多孔部分,靠近或界定所述第二侧;
加热元件,用于加热所述多孔体内的至少部分液体基质生成气溶胶;所述加热元件结合于所述第二多孔部分并背离所述第一多孔部分。
在更加优选的实施中,所述加热元件包括二硅化钼和钼。
在更加优选的实施中,所述加热元件中二硅化钼的质量百分数大于钼的质量百分数的3倍。
在更加优选的实施中,所述加热元件至少包括:二硅化钼50~70wt%、钼8~20wt%。
在更加优选的实施中,所述加热元件至少包括:二硅化钼50~70wt%、钼8~20wt%、二氧化硅4~15wt%、硼10~20wt%。
在更加优选的实施中,所述加热元件被布置成是形成或结合于所述第二多孔部分上的薄膜或薄层的形式。
在更加优选的实施中,还包括:
第一电极和第二电极,被布置成结合于所述加热元件上并在所述加热元件的长度方向上引导电流,以用于对所述加热元件供电。
在更加优选的实施中,所述加热元件的厚度介于0.1~0.5mm。
在更加优选的实施中,所述加热元件的方阻介于0.2~1.0Ω/sq/mil。
在更加优选的实施中,所述加热元件的导热系数大于30W/m·K;
和/或,所述第二多孔部分的导热系数大于0.1W/m·K。
在更加优选的实施中,所述第二多孔部分包括多孔硅。
在更加优选的实施中,所述第一多孔部分的孔隙率大于所述第二多孔部分的孔隙率;
和/或,所述第二多孔部分的孔隙率大于所述加热元件的孔隙率。
在更加优选的实施中,所述第一多孔部分的孔隙率介于35~75%;
和/或,所述第二多孔部分的孔隙率介于15~30%;
和/或,所述加热元件的孔隙率介于5~15%。
在更加优选的实施中,所述第一多孔部分的厚度大于所述第二多孔部分的厚度;
和/或,所述第二多孔部分的厚度大于所述加热元件的厚度。
在更加优选的实施中,所述第一多孔部分的厚度介于1.5~4.5mm;
和/或,所述第二多孔部分的厚度介于1.0~1.5mm。
在更加优选的实施中,所述第一多孔部分内的微孔是无序地分布的;
和/或,所述第二多孔部分内的微孔是沿预定方向有序地布置的。
在更加优选的实施中,所述第二多孔部分内的微孔被布置成沿所述第二多孔部分的厚度方向贯穿该第二多孔部分的。
在更加优选的实施中,所述第一多孔部分内的微孔是通过造孔剂烧结形成的;
和/或,所述第二多孔部分内的微孔是通过激光打孔、机械打孔或电化学致孔中的至少一种形成的。
在更加优选的实施中,所述加热元件在所述第二侧基本是完全覆盖所述第二多孔部分的。
本申请的又一个实施例还提出一种雾化器,包括:
储液腔,用于存储液体基质;
多孔体,与所述储液腔流体连通以吸取液体基质;
加热元件,结合于所述多孔体上,并用于加热所述多孔体内的至少部分液体基质生成气溶胶;所述加热元件包括二硅化钼和钼。
本申请的又一个实施例还提出一种电子雾化装置,包括雾化液体基质生成气溶胶的雾化器、以及为所述雾化器供电的电源机构;所述雾化器包括以上所述的雾化器。
本申请的又一个实施例还提出一种用于雾化器的雾化组件,包括:多孔体、以及结合于所述多孔体上的加热元件;其中,
所述多孔体具有相背离的第一侧和第二侧;以及,所述多孔体包括:
第一多孔部分,靠近或界定所述第一侧;
第二多孔部分,靠近或界定所述第二侧;
所述加热元件结合于所述第二多孔部分并背离所述第一多孔部分。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
图1是一个实施例提供的电子雾化装置的示意图;
图2是图1中雾化器一个实施例的示意图;
图3是图2中雾化组件一个视角的示意图;
图4是图3中雾化组件又一个视角的示意图;
图5是图2中雾化组件一个视角的剖面示意图;
图6是又一个实施例的雾化组件的示意图;
图7是又一个实施例的雾化组件的示意图;
图8是又一个实施例的雾化器的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面结合附图和具体实施方式,对本申请进行更详细的说明。
本申请提出一种电子雾化装置,可以参见图1所示,包括存储有液体基质并对其进行汽化生成气溶胶的雾化器100、以及为雾化器100供电的电源组件200。
在一个可选的实施中,比如图1所示,电源组件200包括设置于沿长度方向的一端、用于接收和容纳雾化器100的至少一部分的接收腔270,以及至少部分裸露在接收腔270表面的第一电触头230,用于当雾化器100的至少一部分接收和容纳在电源组件200内时为雾化器100供电。
根据图1所示的优选实施,雾化器100沿长度方向与电源组件200相对的端部上设置有第二电触头21,进而当雾化器100的至少一部分接收于接收腔270内时,第二电触头21通过与第一电触头230接触抵靠进而形成导电。
电源组件200内设置有密封件260,并通过该密封件260将电源组件200的内部空间的至少一部分分隔形成以上接收腔270。在图1所示的优选实施中,该密封件260被构造成沿电源组件200的横截面方向延伸,并且优选是采用具有柔性材质制备,进而阻止由雾化器100渗流至接收腔270的液体基质流向电源组件200内部的控制器220、传感器250等部件。
在图1所示的优选实施中,电源组件200还包括沿长度方向背离接收腔270的另一端的用于供电的电芯210;以及设置于电芯210与容纳腔之间的控制器220,该控制器220可操作地在电芯210与第一电触头230之间引导电流。
在使用中电源组件200包括有传感器250,用于感测雾化器100进行抽吸时产生的抽吸气流,进而控制器220根据该传感器250的检测信号控制电芯210向雾化器100输出电流。
进一步在图1所示的优选实施中,电源组件200在背离接收腔270的另一端设置有充电接口240,用于对电芯210充电。
图2的实施例示出了图1中雾化器100一个实施例的结构示意图,包括:
主壳体10;根据图2所示,该主壳体10大致呈纵长的筒状,当然其内部是中空用于存储和雾化液体基质的必要功能部件;主壳体10具有沿长度方向相对的近端110和远端120;其中,根据通常使用的需求,近端110被配置为作为用户吸食气溶胶的一端,在近端110设置有用于供用户抽吸的吸嘴口A;而远端120被作为与电源组件200进行结合的一端。
进一步参见图2所示,主壳体10的内部设置有用于存储液体基质的储液腔12,以及用于从储液腔12中吸取液体基质并加热雾化液体基质的雾化组件。其中,在图2所示的示意图中,主壳体10内设有沿轴向设置的气溶胶传输管11,该气溶胶传输管11与主壳体10内壁之间的空间形成用于存储液体基质的储液腔12;该气溶胶传输管11相对近端110的第一端与吸嘴口A连通,从而将生成的气溶胶传输至吸嘴口A处吸食。
进一步在一些可选的实施中,气溶胶传输管11与主壳体10是采用可模制材质一体模制的,进而制备后形成的储液腔12朝远端120呈敞口或开口。
进一步参见图2和图3所示,雾化器100还包括有雾化组件30,用于雾化至少部分的液体基质生成气溶胶。具体,雾化组件30包括导液元件例如图2和图3中的多孔体31;以及对多孔体31吸取的液体基质进行加热汽化的加热元件32。以及在一些实施方式中,多孔体31可由多孔陶瓷、多孔玻璃陶瓷、多孔玻璃等刚性毛细元件制成。或者在又一些实施中,多孔体31包括内部具有毛细通道能吸收和传递液体基质的毛细元件。
具体,雾化组件30包括:
沿雾化器100的纵向方向相背的表面310和表面320;表面310是由多孔体31形成或界定的,以用于与储液腔12流体连通,进而吸收液体基质;表面320被用作为雾化面或雾化表面,以用于加热液体基质并释放生成的气溶胶;加热元件32形成于表面320上,或者由加热元件32界定表面320。在使用中,雾化面320是与气溶胶传输管11气流连通的;则雾化面320释放的气溶胶被传输至气溶胶传输管11后,输出至吸嘴口A处供用户抽吸。
其中,在图1至图3所示的实施中,表面310是朝向或毗邻近端110的,表面320是朝向或靠近远端120的。表面310和表面320是相互平行的,且均是平坦的。或者在又一个变化的实施中,表面310和/或表面320是倾斜布置的,或者它们之间呈非零夹角。或者在又一个变化的实施中,表面310和/或表面320是曲面的。
在实施中,表面310通过由密封元件20所界定的液体通道13与储液腔12流体连通,进而吸收液体基质;在使用中,储液腔12的液体基质通过密封元件20的液体通道13传递至表面310上被吸收。
装配后,第二电触头21由远端120贯穿至主壳体10内,并通过抵靠至雾化组件30进而对雾化组件30供电,具体地是对加热元件32供电。
进一步参见图2至图4所示,雾化组件30包括:
基本是片状或块状的多孔体31;表面310位于多孔体31或是由多孔体31的部分表面界定的;
加热元件32,结合于多孔体31上,并且加热元件32是背离表面310的;以及,加热元件32是覆盖多孔体31背离表面310的表面的薄膜或薄层;并且由加热元件32背离多孔体31的表面界定雾化组件30的表面320。
或者在更多的实施例中,多孔体31可以具有更多的形状,例如拱形、杯状、槽形的形状等等。或者例如申请人在中国专利申请公开第CN215684777U号中提供了关于具有内部通道的拱形多孔体的形状,以及度多孔体吸取液体基质和雾化液体基质的配置细节,上述文献全文以参见的方式纳入本文。
在一个具体的实施中,参加图2至图4所示,雾化组件30包括:
电极34,数量是两个;分别靠近表面320的长度方向的两侧布置;电极34采用低电阻率的金属或合金材质制备,例如金、银、铜或它们的合金制备。在使用中,电极34可以是通过将以上金属或合金与有机溶剂混合成浆料例如银浆后,于表面320印刷或涂布后烧结的。
或者在又一些变化的实施中,电极34是独立获取的薄片或贴片的电极片;而后通过贴片、或焊接等方式再结合于表面320上的。
以及在装配后,第二电触头21是抵靠于电极34的,进而通过电极34对加热元件32供电,从而在加热元件32上引导电流。在一些常规的实施中,电极34是圆形、椭圆形、方形等的常规形状。
或者参加图6所示,在又一个变化的实施中雾化组件30上的包括:
第一电极341a和第二电极342a,是间隔布置的;第一电极341a和第二电极342a是形成或结合于加热元件32a界定的表面320a上的;
以及,根据图中,第一电极341a和第二电极342a是分别位于表面320a的长度方向相背离的第一侧和第二侧端的。以及,第一电极341a和第二电极342a是细长的或纵长的,或者是条带状;第一电极341a和第二电极342a是沿表面320a的宽度方向延伸的。第一电极341a和第二电极342a的延伸长度与表面320a的宽度是相同或接近的。则在实施中,通过第一电极341a和第二电极342a在加热元件32a的长度方向上引导流经加热元件32a的电流i,如图6中所述。电流i基本是平行于表面320a流经加热元件32a的。
在实施中,加热元件32/32a内部是具有微孔的。以及,加热元件32是电阻加热元件。
以及在实施中,加热元件32/32a不是由镍铬合金、铁铬铝等常规的电阻性金属或合金的材质制备的。具体地,加热元件32/32a包括二硅化钼和金属单质钼的导电系。加热元件32是包括二硅化钼的导电系,对于减少或消除重金属析出至气溶胶是有利的。以及,加热元件32/32a至少包括:50~70wt%二硅化钼、钼8~20wt%。二硅化钼的质量百分数大于钼的质量百分数的3倍以上。
以及,更加优选的实施中,为调节加热元件32/32a的电阻率和烧结性能,加热元件32/32a还包括玻璃相等成分。例如,加热元件32/32a包括:50~70wt%二硅化钼、钼8~20wt%、二氧化硅4~15wt%、硼10~20wt%。
在更加优选的实施中,加热元件32/32a包括:二硅化钼56~68wt%、钼10~15wt%、二氧化硅5~10wt%、硼10~15wt%。
以及优选地,加热元件32/32a的厚度为0.1~0.5mm;进而将加热元件32/32a的方阻控制于0.2~1.0Ω/sq/mil。其中,术语“方阻”是物理学术语,即方块电阻,通常用于表征较薄的方形导电材料的边到边之间的电阻;通常采用方阻公式R=ρ/d计算;式中,ρ为材料的电阻率,d为薄膜形式的导电材料的厚度。方阻有一个特性,即任意大小的方形边到边的电阻都是一样的,则方阻仅与薄膜形式的导电材料的厚度和自身的材料电阻率因素有关。
以及在又一些更加优选的实施中,进而将加热元件32/32a的方阻控制于0.4~0.6Ω/sq/mil。对于在适合的厚度中,使加热元件32/32a的雾化效率稳定是有利的。
在一些的实施中,加热元件32/32a是通过流延的方式形成薄片或薄膜后结合于多孔体31/31a上烧结一体的。
例如在一个具体的实施中,加热元件32/32a是通过将二硅化钼66.7wt%、钼粉12.5wt%、玻璃粉7.7wt%、硼粉13.1wt%,与占前述粉料的总质量16%的PVA树脂有机助剂混合成浆料后,通过流延设备流延形成大约0.5mm薄片或薄膜,而后于空气气氛下950℃~1000℃中烧结获得的。烧结方阻0.55Ω/sq/mil;印刷电极341a和电极342a后,以6.5W功率下供电,加热元件32/32a对液体基质的雾化效率为2.50mg/s。其中,粉料中二氧化钼粒径为0.5~5μm,钼粉粒径为1~3μm。
又例如在一个具体的实施中,加热元件32/32a是通过将二硅化钼66.7wt%、钼粉12.2wt%、玻璃粉6.7wt%、硼粉14.4wt%,与占前述粉料的总质量10%的PVA树脂有机助剂混合成浆料后,通过流延设备流延形成大约0.5mm薄片或薄膜,而后于空气气氛下950℃~1000℃中烧结获得的。烧结方阻0.47Ω/sq/mil;以6.5W功率下,对液体基质的雾化效率为2.30mg/s。
又例如在一个具体的实施中,加热元件32/32a是通过将二硅化钼66.3wt%、钼粉12.5wt%、玻璃粉6.0wt%、硼粉15.2wt%,与占前述粉料的总质量10%的PVA树脂有机助剂混合成浆料后,通过流延设备流延形成大约0.5mm薄片或薄膜,而后于空气气氛下烧结获得的。烧结方阻0.45Ω/sq/mil;以6.5W功率下,对液体基质的雾化效率为2.15mg/s。
又例如在一个具体的实施中,加热元件32/32a是通过将二硅化钼64.8wt%、钼粉12.2wt%、玻璃粉6.9wt%、硼粉15.9wt%,与占前述粉料的总质量6%的PVA树脂有机助剂混合成浆料后,通过流延设备流延形成大约0.5mm薄片或薄膜,而后于空气气氛下烧结获得的。烧结方阻0.52Ω/sq/mil;以6.5W功率下,对液体基质的雾化效率为2.40mg/s。
进一步参见图2至图5所示,多孔体31包括:
多孔层或多孔部分311,靠近或界定表面310;
多孔层或多孔部分312,背离表面310、并靠近加热元件32。
多孔层或多孔部分311的厚度大于多孔层或多孔部分312的厚度。例如在具体的实施中,多孔层或多孔部分311的厚度为1.5~4.5mm。多孔层或多孔部分312的厚度为1.0~1.5mm。
以及在实施中,多孔层或多孔部分311的孔隙率大于多孔层或多孔部分312的孔隙率。
在一些具体的实施中,多孔层或多孔部分311是多孔陶瓷、多孔玻璃等;以及多孔层或多孔部分311的微孔孔隙是通过造孔剂烧结形成的。制备方式可以将陶瓷粉料与造孔剂和有机助剂混合形成浆料后模具注塑形成生胚后烧结形成;或者制备方式还可以是通过将陶瓷粉料与造孔剂和有机助剂混合形成浆料后,通过流延形成薄膜或薄片,并层叠静压成生胚后烧结形成。一些实施中,多孔层或多孔部分311的孔隙率为35~75%;多孔层或多孔部分311的微孔平均孔径15~50μm,多孔层或多孔部分311的材料为氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化钙、二氧化硅、堇青石等中的至少一种。
在本申请的优选实施中,多孔层或多孔部分312是非陶瓷制备的。例如在实施中,多孔层或多孔部分312是多孔的单质硅而非化合物形态的氧化硅、氮化硅等,对于与加热元件32具有相同的硅元素成分,进而在压制结合或烧结中促使它们粘结一体是有利的。以及,多孔层或多孔部分312的孔隙率为15~30%。
以及在实施中,多孔层或多孔部分311内的微孔是无序地分布的;在配料中造孔剂在浆料中混合后是呈无序地分散的,因而烧结中由造孔剂产生的微孔也是无序地分布的。
以及在实施中,多孔层或多孔部分312内的微孔是有序地布置的;并且多孔层或多孔部分312内的微孔是沿预定方向布置的。具体地,在一些实施中,多孔层或多孔部分312例如多孔硅的微孔,是通过激光打孔、机械打孔、激光蚀刻和电化学阳极氧化结合致孔的方式制备形成的。例如在图5中所示,通过激光打孔在多孔层或多孔部分312内形成的微孔3121是沿厚度方向贯穿多孔层或多孔部分312的。或者微孔3121是从多孔层或多孔部分312靠近多孔层或多孔部分311的第一侧延伸或贯穿至靠近加热元件32的第二侧的。以及,通过这一方式制备的多孔层或多孔部分312内的微孔孔径介于0.2~0.5mm。
或者在又一些常规的变化实施例中,多孔层或多孔部分312也是通过陶瓷粉料与造孔剂烧结形成的。
以及在实施中,多孔层或多孔部分312的导热系数大于0.1W/m·K;以及,包括二硅化钼和钼的加热元件32的导热系数大于30W/m·K。优选地,加热元件32的导热系数介于30~100W/m·K。
以及在实施中,通过以上材料制备的加热元件32的孔隙率为5~15%。以及在实施中,加热元件32的孔隙率小于多孔层或多孔部分312的孔隙率。图5所示的雾化组件30具有相背离的上端侧和下端侧,多孔层或多孔部分311靠近或位于上端侧,加热元件32靠近或位于下端侧;多孔层或多孔部分312位于多孔层或多孔部分311和加热元件32之间;从而沿雾化组件30的上端侧朝向下端侧的方向,多孔层或多孔部分311、多孔层或多孔部分312及加热元件32具有逐渐降低的梯度孔隙率对于产生更加细腻化的气溶胶颗粒提升口感是有利的。
在一些制备中,雾化组件30是通过将多孔层或多孔部分311烧结前的生胚、多孔层或多孔部分312、以及加热元件32流延的薄膜或薄片依次层叠后等静压或胶水粘结固化后,再进行脱脂、排胶等之后一体烧结的。
以及在实施中,加热元件32的孔隙率是小于多孔层或多孔部分312的孔隙率的;使用中对于在雾化面320阻止液体基质的渗漏,以提升锁液效果是有利的。
或者图7示出了又一个实施例中由包括以上二硅化钼和钼的导电材料制备的雾化组件30b的示意图;在该实施例中,雾化组件30b包括:
多孔体31b,例如多孔陶瓷体等,具有相背离的表面310b和表面320b;其中,表面310b被用作为吸收液体基质的吸液面,以及表面320b被作为雾化面;
加热元件32b,结合或形成于多孔体31b的表面320b上,以用于加热雾化液体基质;加热元件32b被布置成是导电轨迹的形式,例如迂回、弯折或图案化的导电轨迹的形式。加热元件32b未完全覆盖表面320b。
加热元件32b包括二硅化钼和钼。更加优选地,加热元件32b至少包括:50~70wt%二硅化钼、钼8~20wt%。二硅化钼的质量百分数大于钼的质量百分数的3倍以上。以及更加优选地,加热元件32b包括:50~70wt%二硅化钼、钼8~20wt%、二氧化硅4~15wt%、硼10~20wt%。
或者图8示出了又一个变化实施例的雾化器100的示意图,在该实施例中,雾化器100包括:
储液腔12c,至少部分由气溶胶输出通道11c界定;以及,储液腔12c是围绕气溶胶输出通道11c的;
雾化组件30c,位于气溶胶输出通道11c内;以及雾化组件30c是沿雾化器100的纵向方向布置的中空的柱状的形状;以及,雾化组件30c包括:多孔体31c和加热元件32c;其中,多孔体31c具有沿径向方向相背离的外侧表面和内侧表面;外侧表面被配置为是与储液腔12c连通的吸液表面如图8中箭头R1所示吸收液体基质,内侧表面被配置为是雾化面;在使用中,释放气溶胶并从气溶胶输出通道11c输出如图8中箭头R2所示;
多孔体31c包括多孔层或多孔部分311c,以及多孔层或多孔部分312c;多孔层或多孔部分311c靠近或界定外侧表面,多孔层或多孔部分312c靠近或界定内侧表面;以及,
加热元件32c,结合于多孔体31c的内侧表面上。
在一些实施中,多孔体31c的多孔层或多孔部分311c例如流延形成的薄膜、多孔层或多孔部分312c例如多孔硅片层叠后,再围绕加热元价32c卷绕成柱状的,并与加热元件32c一体烧结的。在图8中的实施中,加热元件32c可以是螺旋发热丝。
或者在又一些实施中,加热元件32c还可以是独立地通过流延、或沉积等形成的薄膜、导电线路或导电轨迹,再与多孔层或多孔部分311c和多孔层或多孔部分312c依次层叠后再卷绕成柱状,并一体烧结的。
需要说明的是,本申请的说明书及其附图中给出了本申请的较佳的实施例,但并不限于本说明书所描述的实施例,进一步地,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。

Claims (22)

1.一种雾化器,其特征在于,包括:
储液腔,用于存储液体基质;
多孔体,具有相背离的第一侧和第二侧;所述多孔体包括:
第一多孔部分,靠近或界定所述第一侧,并与所述储液腔流体连通以吸取液体基质;
第二多孔部分,靠近或界定所述第二侧;
加热元件,用于加热所述多孔体内的至少部分液体基质生成气溶胶;所述加热元件结合于所述第二多孔部分并背离所述第一多孔部分。
2.如权利要求1所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件包括二硅化钼和钼。
3.如权利要求2所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件中二硅化钼的质量百分数大于钼的质量百分数的3倍。
4.如权利要求2或3所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件包括:二硅化钼50~70wt%、钼8~20wt%。
5.如权利要求4所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件包括:二硅化钼50~70wt%、钼8~20wt%、二氧化硅4~15wt%、硼10~20wt%。
6.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件是形成或结合于所述第二多孔部分上的薄膜或薄层。
7.如权利要求6所述的雾化器,其特征在于,还包括:
第一电极和第二电极,被布置成结合于所述加热元件上并在所述加热元件的长度方向上引导电流,以用于对所述加热元件供电。
8.如权利要求6所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件的厚度介于0.1~0.5mm。
9.如权利要求6所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件的方阻介于0.2~1.0Ω/sq/mil。
10.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件的导热系数大于30W/m·K;
和/或,所述第二多孔部分的导热系数大于0.1W/m·K。
11.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第二多孔部分包括多孔硅。
12.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第一多孔部分的孔隙率大于所述第二多孔部分的孔隙率;
和/或,所述第二多孔部分的孔隙率大于所述加热元件的孔隙率。
13.如权利要求12所述的雾化器,其特征在于,所述第一多孔部分的孔隙率介于35~75%;
和/或,所述第二多孔部分的孔隙率介于15~30%;
和/或,所述加热元件的孔隙率介于5~15%。
14.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第一多孔部分的厚度大于所述第二多孔部分的厚度;
和/或,所述第二多孔部分的厚度大于所述加热元件的厚度。
15.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第一多孔部分的厚度介于1.5~4.5mm;
和/或,所述第二多孔部分的厚度介于1.0~1.5mm。
16.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第一多孔部分内的微孔是无序地分布的;
和/或,所述第二多孔部分内的微孔是沿预定方向有序地布置的。
17.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第二多孔部分内的微孔被布置成沿所述第二多孔部分的厚度方向贯穿该第二多孔部分的。
18.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述第一多孔部分内的微孔是通过造孔剂烧结形成的;
和/或,所述第二多孔部分内的微孔是通过激光打孔、机械打孔或电化学致孔中的至少一种形成的。
19.如权利要求1至3任一项所述的雾化器,其特征在于,所述加热元件在所述第二侧基本是完全覆盖所述第二多孔部分的。
20.一种雾化器,其特征在于,包括:
储液腔,用于存储液体基质;
多孔体,与所述储液腔流体连通以吸取液体基质;
加热元件,结合于所述多孔体上,并用于加热所述多孔体内的至少部分液体基质生成气溶胶;所述加热元件包括二硅化钼和钼。
21.一种电子雾化装置,包括雾化液体基质生成气溶胶的雾化器、以及为所述雾化器供电的电源机构;其特征在于,所述雾化器包括权利要求1至20任一项所述的雾化器。
22.一种用于雾化器的雾化组件,其特征在于,包括:多孔体、以及结合于所述多孔体上的加热元件;其中,
所述多孔体具有相背离的第一侧和第二侧;以及,所述多孔体包括:
第一多孔部分,靠近或界定所述第一侧;
第二多孔部分,靠近或界定所述第二侧;
所述加热元件结合于所述第二多孔部分并背离所述第一多孔部分。
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