CN117596931A - 显示面板和电子装置 - Google Patents
显示面板和电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117596931A CN117596931A CN202310989280.2A CN202310989280A CN117596931A CN 117596931 A CN117596931 A CN 117596931A CN 202310989280 A CN202310989280 A CN 202310989280A CN 117596931 A CN117596931 A CN 117596931A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diodes
- transparent conductive
- sub
- display area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 264
- 102100035813 E3 ubiquitin-protein ligase CBL Human genes 0.000 description 51
- 101000715390 Homo sapiens E3 ubiquitin-protein ligase CBL Proteins 0.000 description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 32
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 101150039392 CBL3 gene Proteins 0.000 description 22
- 101150058299 Cblc gene Proteins 0.000 description 22
- 102100035275 E3 ubiquitin-protein ligase CBL-C Human genes 0.000 description 22
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 101150041156 CBL1 gene Proteins 0.000 description 14
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- -1 region Substances 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 101000606745 Homo sapiens Pepsin A-4 Proteins 0.000 description 8
- 102100039655 Pepsin A-4 Human genes 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BGKHCLZFGPIKKU-UHFFFAOYSA-N (13E,15S)-15-hydroxy-9-oxo-prosta-10,13-dienoic acid Natural products CCCCCC(O)C=CC1C=CC(=O)C1CCCCCCC(O)=O BGKHCLZFGPIKKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 102100036465 Autoimmune regulator Human genes 0.000 description 4
- 101000928549 Homo sapiens Autoimmune regulator Proteins 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- BGKHCLZFGPIKKU-LDDQNKHRSA-N prostaglandin A1 Chemical compound CCCCC[C@H](O)\C=C\[C@H]1C=CC(=O)[C@@H]1CCCCCCC(O)=O BGKHCLZFGPIKKU-LDDQNKHRSA-N 0.000 description 4
- 101100112467 Rattus norvegicus Cblc gene Proteins 0.000 description 3
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- YBHMPNRDOVPQIN-UHFFFAOYSA-N (13E,15S)-15-Hydroxy-9-oxo-8(12),13-prostadienoic acid Natural products CCCCCC(O)C=CC1=C(CCCCCCC(O)=O)C(=O)CC1 YBHMPNRDOVPQIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100268474 Arabidopsis thaliana PGD3 gene Proteins 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000606728 Homo sapiens Pepsin A-3 Proteins 0.000 description 2
- 101001123331 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-alpha Proteins 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100039657 Pepsin A-3 Human genes 0.000 description 2
- 102100028960 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-alpha Human genes 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- KSIRMUMXJFWKAC-FHJHOUOTSA-N prostaglandin A3 Chemical compound CC\C=C/C[C@H](O)\C=C\[C@H]1C=CC(=O)[C@@H]1C\C=C/CCCC(O)=O KSIRMUMXJFWKAC-FHJHOUOTSA-N 0.000 description 2
- YBHMPNRDOVPQIN-VSOYFRJCSA-N prostaglandin B1 Chemical compound CCCCC[C@H](O)\C=C\C1=C(CCCCCCC(O)=O)C(=O)CC1 YBHMPNRDOVPQIN-VSOYFRJCSA-N 0.000 description 2
- PUIBPGHAXSCVRF-QHFGJBOXSA-N prostaglandin C1 Chemical compound CCCCC[C@H](O)\C=C\C1=CCC(=O)[C@@H]1CCCCCCC(O)=O PUIBPGHAXSCVRF-QHFGJBOXSA-N 0.000 description 2
- ANOICLBSJIMQTA-WXGBOJPQSA-N prostaglandin D3 Chemical compound CC\C=C/C[C@H](O)\C=C\[C@@H]1[C@@H](C\C=C/CCCC(O)=O)[C@@H](O)CC1=O ANOICLBSJIMQTA-WXGBOJPQSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 101100410782 Arabidopsis thaliana PXG1 gene Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100310593 Candida albicans (strain SC5314 / ATCC MYA-2876) SOD4 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 101150000378 IML1 gene Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000986989 Naja kaouthia Acidic phospholipase A2 CM-II Proteins 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- MYHXHCUNDDAEOZ-UHFFFAOYSA-N Prostaglandin A&2% Natural products CCCCCC(O)C=CC1C=CC(=O)C1CC=CCCCC(O)=O MYHXHCUNDDAEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100190148 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PGA2 gene Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- MYHXHCUNDDAEOZ-FOSBLDSVSA-N prostaglandin A2 Chemical compound CCCCC[C@H](O)\C=C\[C@H]1C=CC(=O)[C@@H]1C\C=C/CCCC(O)=O MYHXHCUNDDAEOZ-FOSBLDSVSA-N 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
- H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
- H04M1/0264—Details of the structure or mounting of specific components for a camera module assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
Abstract
公开了显示面板和电子装置。显示面板包括在第一显示区域中的多个第一发光二极管、在于第一显示区域内部并且包括透射区域的第二显示区域中的多个第二发光二极管、在于第一显示区域与第二显示区域之间的第三显示区域中的多个第三发光二极管、在第三显示区域中的多个子像素电路以及电连接到一个子像素电路并且从第三显示区域朝向第二显示区域延伸的透明导电总线,其中发射第一颜色的光的k(k为偶数)个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,并且透明导电总线连接到连接线,该连接线将来自k个第二发光二极管之中的第k/2第二发光二极管的第一电极和第k/2+1第二发光二极管的第一电极彼此连接。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月17日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0102506号韩国专利申请的优先权以及权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式的各方面涉及显示面板和包括显示面板的电子装置的结构。
背景技术
显示面板为可视地显示数据的设备。近来,显示面板的用途和应用已变得多样化。显示面板的厚度和重量在减小,并且因此显示面板的使用范围在扩大。
为了在添加各种功能的同时增加由显示区域占据的面积,正在进行对用于在显示区域内部添加图像显示以外的功能的显示面板的持续研究。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强背景的理解,并且因此在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个实施方式包括在显示区域中包括透射区域的显示面板以及包括显示面板的电子装置的结构。
附加方面将在下面的详细描述中部分地阐述,并且部分地将通过描述而显而易见,或者可通过实践本公开的呈现的实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式,显示面板具有第一显示区域、在第一显示区域内部并且包括透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域与第二显示区域之间的第三显示区域,显示面板包括布置在第一显示区域中的多个第一发光二极管、布置在第二显示区域中的多个第二发光二极管、布置在第三显示区域中的多个第三发光二极管、布置在第三显示区域中并且电连接到多个第二发光二极管和多个第三发光二极管的多个子像素电路以及电连接到来自多个子像素电路之中的一个子像素电路并且从第三显示区域朝向第二显示区域延伸的透明导电总线,其中来自多个第二发光二极管之中的配置为发射第一颜色的光的k个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,其中k为偶数,并且透明导电总线连接到连接线,其中连接线将来自发射第一颜色的光的k个第二发光二极管之中的第k/2第二发光二极管的第一电极和第k/2+1第二发光二极管的第一电极彼此连接。
根据一些实施方式,发射第一颜色的光的k个第二发光二极管的多个第一电极中的每个可包括多个子层。
根据一些实施方式,连接线可一体地联接到来自与连接线连接的第二发光二极管的多个子层之中的一个子层。
根据一些实施方式,连接线可包括结晶的氧化铟锡。
根据一些实施方式,显示面板还可包括定位在透明导电总线与多个第二发光二极管的多个第一电极中的每个之间并且在透明导电总线与连接线之间的至少一个绝缘层,其中连接线可通过至少一个绝缘层的接触孔电连接到透明导电总线。
根据一个或多个实施方式,显示面板具有第一显示区域、在第一显示区域内部并且包括透射区域的第二显示区域以及在第一显示区域与第二显示区域之间的第三显示区域,显示面板包括布置在第一显示区域中的多个第一发光二极管、布置在第二显示区域中的多个第二发光二极管、布置在第三显示区域中的多个第三发光二极管、布置在第三显示区域中并且电连接到多个第二发光二极管和多个第三发光二极管的多个子像素电路、电连接到来自多个子像素电路之中的一个子像素电路并且在第一方向上从第三显示区域朝向第二显示区域延伸的透明导电总线以及电连接到透明导电总线的第一分支透明导电总线(可是指下文中的第一分支导电总线)和第二分支透明导电总线(可是指下文中的第二分支导电总线),其中来自多个第二发光二极管之中的发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,其中k'为大于1的自然数,第一分支透明导电总线电连接到来自发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管之中的第一第二发光二极管的第一电极,并且第二分支透明导电总线电连接到来自发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管之中的第k'第二发光二极管的第一电极。
根据一些实施方式,第一分支透明导电总线和第二分支透明导电总线中的每个可包括透明导电材料。
根据一些实施方式,发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管的多个第一电极中的每个可包括多个子层。
根据一些实施方式,来自发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管之中的第i第二发光二极管的第一电极可通过连接线电连接到来自发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管之中的第i+1第二发光二极管的第一电极,其中i为小于k'且大于0的自然数,并且连接线可一体地联接到来自与连接线连接的第二发光二极管的多个子层之中的一个子层。
根据一些实施方式,连接线可包括结晶的氧化铟锡。
根据一些实施方式,第一分支透明导电总线的长度可大于第二分支透明导电总线的长度,并且第一分支透明导电总线的宽度可大于第二分支透明导电总线的宽度。
根据一些实施方式,显示面板还可包括在第一分支透明导电总线和第二分支透明导电总线上方以及在多个第一电极下方的至少一个绝缘层,其中第一分支透明导电总线可通过至少一个绝缘层的第一接触孔电连接到第一第二发光二极管的第一电极,并且第二分支透明导电总线可通过至少一个绝缘层的第二接触孔电连接到第k'第二发光二极管的第一电极。
根据一个或多个实施方式,电子装置包括根据上述实施方式的显示面板和在显示面板下方的部件。
根据一些实施方式,部件可包括传感器或相机。
附图说明
通过结合附图的下面的描述,本公开的特定实施方式的以上和其它的方面、特征和特性将更显而易见,在附图中:
图1是示意性地示出根据一些实施方式的电子装置的透视图;
图2是示意性地示出根据一些实施方式的电子装置的剖视图;
图3是示意性地示出根据一些实施方式的显示面板的平面视图;
图4是示意性地示出根据一些实施方式的电连接到显示面板的发光二极管的子像素电路的等效电路图;
图5是示出根据一些实施方式的显示面板的第一子像素电路与第一发光二极管之间的电连接的剖视图;
图6是示出根据一些实施方式的显示面板的第二子像素电路与第二发光二极管之间的电连接的剖视图;
图7是根据一些实施方式的布置在显示面板的显示区域中的子像素的平面视图;
图8是根据一些实施方式的显示面板的一部分的平面视图;
图9A是示出根据一些实施方式的图8的显示面板的部分VIII的平面视图;
图9B是示出根据一些实施方式的图8的显示面板的部分VIII的平面视图;
图10是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线彼此电连接的第二子像素电路和第二发光二极管的平面视图;
图11A是示意性地示出根据一些实施方式的显示面板的第二显示区域和第三显示区域的剖视图;
图11B是示意性地示出根据一些实施方式的显示面板的第二显示区域和第三显示区域的剖视图;
图12是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线和分支导电总线彼此电连接的第二子像素电路和第二发光二极管的平面视图;
图13是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线和分支导电总线彼此电连接的第二子像素电路和第二发光二极管的剖视图;以及
图14是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线和分支导电总线彼此电连接的第二子像素电路和第二发光二极管的平面视图。
具体实施方式
本公开可具有各种修改和各种实施方式,并且具体实施方式在附图中示出并且在详细描述中进行详细描述。参照参考附图详细描述的实施方式,根据本公开的实施方式的效果和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而,根据本公开的实施方式不限于以下描述的实施方式,并且可以各种形式实现。
在下文中,将参照附图更详细描述一些实施方式的各方面,并且在下面的参照附图的描述中,类似的附图标记是指类似的元件,并且将省略其冗余描述。
在下面的实施方式中,术语“第一”和“第二”不在限制的意义上使用,并且用于将一个部件与另一部件区分开。
在下面的实施方式中,除非在上下文中具有清楚不同的含义,否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。
在下面的实施方式中,还将理解的是,本文中所使用的术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”说明所陈述的特征或部件的存在,但不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
将理解的是,当层、区或元件被称为“形成”在另一层、区或元件“上”时,其能够直接或间接形成在另一层、区或元件上。也就是说,例如,可存在居间的层、区或元件。
在附图中,为了描述的便利,可能夸大或减小了部件的大小。换句话说,由于附图中的部件的大小和厚度为了解释的便利而被任意地示出,因此本公开不一定限于此。
当特定实施方式可不同地实现时,具体工艺顺序可与描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
在说明书中,“A和/或B”象征仅A、仅B、或A和B两者。此外,“A和B中的至少一个”或“A或B中的至少一个”象征仅A、仅B、或A和B两者。
当层、区、部件或类似物连接到另一层、区、部件或类似物时,该层、区、部件或类似物可直接连接到另一层、区、部件或类似物和/或可在居间的层、区、部件或类似物在其间的情况下间接连接到另一层、区、部件或类似物。例如,在说明书中,当层、区、部件或类似物电连接到另一层、区、部件或类似物时,该层、区、部件或类似物可直接电连接到另一层、区、部件或类似物和/或可在居间的层、区、部件或类似物在其间的情况下间接电连接到另一层、区、部件或类似物。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系上的三个轴,而是可在包括三个轴的更广泛的意义上进行解释。例如,x轴、y轴和z轴可彼此垂直,或者可表示彼此不垂直的不同方向。在下文中,为了描述的便利,x轴、y轴和z轴分别被称为x方向、y方向和z方向,并且x方向可是指+x方向和/或与+x方向相反的方向,且y方向和z方向与此相似。
图1是示意性地示出根据一些实施方式的电子装置1的透视图。
参照图1,电子装置1可包括显示区域DA和定位在显示区域DA外部(例如,在显示区域DA的外围中或在显示区域DA的覆盖区外部)的外围区域PA。显示区域DA可通过子像素来显示图像。外围区域PA为布置在显示区域DA外部并且不显示图像的非显示区域,并且可完全围绕显示区域DA。在外围区域PA中可布置有用于将电信号或电力提供到显示区域DA的驱动器或类似物。在外围区域PA中可布置有为电子装置或印刷电路板可电连接到的区的焊盘。
在下文中,为了描述的便利,电子装置1为智能电话,但根据本公开的实施方式的电子装置1不限于此。电子装置1不仅可应用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置或超移动PC(UMPC)的便携式电子装置,而且可应用于诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌或基于物联网(IoT)的装置的任何类型的产品。此外,根据一些实施方式的电子装置1可应用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置。此外,根据一些实施方式的电子装置1可应用于车辆的面板、布置在车辆的中央仪表板或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的内视镜显示器、或者作为用于车辆的后座的娱乐的、布置在前座的后表面上的显示器。
显示区域DA可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。显示区域DA可通过使用二维排列的子像素来显示图像。子像素可包括布置在第一显示区域DA1中的第一子像素P1、布置在第二显示区域DA2中的第二子像素P2和布置在第三显示区域DA3中的第三子像素P3。
第一显示区域DA1可占据显示区域DA的大部分区域。占据大部分区域可指示第一显示区域DA1的面积等于或大于显示区域DA的面积的约50%。第二显示区域DA2可布置在显示区域DA内部。第二显示区域DA2可由第一显示区域DA1完全围绕。第三显示区域DA3可布置在第一显示区域DA1与第二显示区域DA2之间。第三显示区域DA3可完全围绕第二显示区域DA2,并且可完全由第一显示区域DA1围绕。
第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的每个可具有小于第一显示区域DA1的面积。根据一些实施方式,图1示出了第二显示区域DA2和第三显示区域DA3各自具有圆形形状。根据一些实施方式,第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可各自具有大致矩形形状。
在图1中,当在与电子装置1的顶表面大致垂直或正交的方向上观察时(例如,当在平面视图中观察时),第二显示区域DA2和第三显示区域DA3布置在具有大致矩形形状的显示区域DA的(在+y方向上的)上部中心处,但根据本公开的实施方式不限于此。例如,第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可布置在显示区域DA的右上侧或左上侧处。
第二显示区域DA2可通过第二子像素P2显示图像,并且将光或声音透射通过第二子像素P2之间的区。在下文中,光或声音可经过的区被称为透射区域TA。换句话说,第二显示区域DA2可包括在第二子像素P2之间的透射区域TA。
图2是示意性地示出根据一些实施方式的电子装置1的剖视图。
参照图2,电子装置1可包括显示面板10和与显示面板10重叠的部件20。部件20可布置在第二显示区域DA2中。
部件20可为使用光或声音的电子元件。例如,电子元件可为诸如接近传感器的测量距离的传感器、识别用户的身体的一部分(例如,指纹、虹膜或面部)的传感器、输出光的小灯或拍摄图像的图像传感器(例如,相机)。使用光的电子元件可使用各种波长带的光,诸如可见光、红外光或紫外光。使用声音的电子元件可使用超声波或在另一频带中的声音。
第二显示区域DA2可包括从部件20输出到外部或者从外部朝向部件20行进的光和/或声音可经过的透射区域TA。根据一些实施方式,透射区域TA为光可经过的区,并且可对应于第二子像素P2之间的区。在根据一些实施方式的电子装置1中,当光透射通过包括透射区域TA的第二显示区域DA2时,透光率可等于或大于约10%、等于或大于25%、等于或大于40%、等于或大于50%、等于或大于85%、或者等于或大于90%。
以上参照图1描述的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的每个可通过使用发光二极管来发射光,并且每个发光二极管可布置在显示面板10的显示区域DA中。在这方面,与第一显示区域DA1的第一子像素P1对应的发光二极管可被称为第一发光二极管ED1,与第二显示区域DA2的第二子像素P2对应的发光二极管可被称为第二发光二极管ED2,并且与第三显示区域DA3的第三子像素P3对应的发光二极管可被称为第三发光二极管ED3。第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3可定位在衬底100上。
衬底100可包括诸如玻璃材料或聚合物树脂的绝缘材料,并且在衬底100的后表面上可定位有保护膜PB。衬底100可为刚性衬底或能够弯折、折叠或卷曲的柔性衬底。保护膜PB可包括定位在第二显示区域DA2中的开口PB-OP,以增强透射区域TA的透射率。衬底100的前表面上可定位有包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3的子像素电路层200。
第一发光二极管ED1布置在第一显示区域DA1中,并且电连接到布置在第一显示区域DA1中的第一子像素电路PC1。第一子像素电路PC1可包括晶体管和电连接到晶体管的存储电容器。
第二发光二极管ED2布置在第二显示区域DA2中。第二发光二极管ED2电连接到第二子像素电路PC2,并且第二子像素电路PC2不布置在第二显示区域DA2中,以便增强在第二显示区域DA2中提供的透射区域TA的透射率和透射表面积。第二子像素电路PC2布置在第三显示区域DA3中,并且第二发光二极管ED2可通过透明导电总线CBL电连接到第二子像素电路PC2。
透明导电总线CBL可将第三显示区域DA3的第二子像素电路PC2和第二显示区域DA2的第二发光二极管ED2彼此电连接。透明导电总线CBL可包括透光材料,例如,透明导电氧化物(TCO)。TCO可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。
第三发光二极管ED3布置在第三显示区域DA3中,并且电连接到布置在第三显示区域DA3中的第三子像素电路PC3。第三子像素电路PC3可包括晶体管和电连接到晶体管的存储电容器。
第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3为发射特定颜色的光的发光元件,并且可包括有机发光二极管。根据一些实施方式,第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3可包括无机发光二极管,或者可为包括量子点的发光二极管。
第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3可由封装层300覆盖。封装层300可为包括包含无机绝缘材料的无机封装层和包含有机绝缘材料的有机封装层的薄膜封装层。根据一些实施方式,封装层300可包括第一无机封装层和第二无机封装层以及在第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层。
根据一些实施方式,封装层300可为玻璃材料的封装衬底。在衬底100与封装衬底之间可布置有包括熔料或类似物的密封剂。密封剂可定位在外围区域PA(参照图1)中,同时延伸以围绕显示区域DA的外边缘,从而防止或减少污染物或湿气通过侧表面渗透到第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3中的情况。
在封装层300上可定位有输入检测层400。输入检测层400可根据外部输入(例如,诸如手指或手写笔的对象的触摸事件)来获得坐标信息。输入检测层400可包括触摸电极和连接到触摸电极的走线。输入检测层400可经由互电容方法或自电容方法来检测外部输入。
光学功能层500可包括抗反射层。抗反射层可减小通过覆盖窗600从外部朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可包括延迟器和偏振器。当光学功能层500包括偏振器时,光学功能层500可包括定位在第二显示区域DA2中的开口510,从而增强透射区域TA的透射率。
根据一些实施方式,抗反射层可包括黑色矩阵和滤色器。可考虑从第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3中的每个发射的光的颜色来布置滤色器。当光学功能层500包括黑色矩阵和滤色器时,在与透射区域TA对应的位置处可布置有透光材料。
根据一些实施方式,抗反射层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉,并且因此,可减小外部光的反射率。
覆盖窗600可定位在光学功能层500上。覆盖窗600可通过布置在覆盖窗600与光学功能层500之间的诸如光学透明粘合剂的粘合层而与光学功能层500结合。覆盖窗600可包括玻璃材料或塑料材料。塑料材料可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。
覆盖窗600可包括柔性覆盖窗。例如,覆盖窗600可包括聚酰亚胺和/或超薄玻璃。
图3是示意性地示出根据一些实施方式的显示面板10的平面视图。
参照图3,显示面板10可包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。显示区域DA(例如,第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3)可对应于显示面板10的图像表面。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可与穿过显示区域DA的中心和/或图像表面的中心的虚设线IML间隔开。例如,如图3中所示,第二显示区域DA2的中心和第三显示区域DA3的中心可布置在穿过显示区域DA的中心和/或图像表面的中心的虚设线IML上,但根据一些实施方式,第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的中心可在左方向或右方向上与虚设线IML间隔开。
发光二极管布置在第一显示区域DA1至第三显示区域DA3中,并且分别电连接到发光二极管的子像素电路布置在第一显示区域DA1和第三显示区域DA3中,但不布置在第二显示区域DA2中。例如,电连接到布置在第一显示区域DA1中的第一发光二极管ED1的第一子像素电路PC1布置在第一显示区域DA1中,并且电连接到布置在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2和布置在第三显示区域DA3中的第三发光二极管ED3的第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可布置在第三显示区域DA3中。
换句话说,布置在第三显示区域DA3中的多个子像素电路的一部分(例如,第二子像素电路PC2)可电连接到布置在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2,并且布置在第三显示区域DA3中的多个子像素电路的另一部分(例如,第三子像素电路PC3)可电连接到布置在第三显示区域DA3中的第三发光二极管ED3。在下文中,为了描述的便利,来自布置在第三显示区域DA3中的子像素电路之中的电连接到第二发光二极管ED2的子像素电路被称为第二子像素电路PC2,并且来自布置在第三显示区域DA3中的子像素电路之中的电连接到第三发光二极管ED3的子像素电路被称为第三子像素电路PC3。
第一发光二极管ED1布置在第一显示区域DA1中。从第一发光二极管ED1发射的光对应于参照图1描述的图1的第一子像素P1的光,并且第一发光二极管ED1的位置可为图1的第一子像素P1的位置。例如,第一发光二极管ED1可发射红色光、绿色光或蓝色光。驱动第一发光二极管ED1的第一子像素电路PC1可布置在第一显示区域DA1中并且电连接到第一发光二极管ED1。
第一子像素电路PC1电连接到在第一方向(例如,x方向)上延伸的扫描线SL和在第二方向(例如,y方向)上延伸的数据线DL。在外围区域PA中可布置有用于将信号提供到每个第一子像素电路PC1的第一驱动电路SDRV1和第二驱动电路SDRV2。
第一驱动电路SDRV1可通过扫描线SL将扫描信号施加到第一子像素电路PC1中的每个。第二驱动电路SDRV2可基于在其间的第一显示区域DA1而定位为与第一驱动电路SDRV1相对。第一显示区域DA1的第一子像素电路PC1中的一些可电连接到第一驱动电路SDRV1,并且剩余可电连接到第二驱动电路SDRV2。
在衬底100的一侧处可布置有焊盘PAD。焊盘PAD可不由绝缘层覆盖,但可暴露于电路板30并且连接到电路板30。在电路板30中可布置有控制驱动单元32。
控制驱动单元32可配置为生成发送到第一驱动电路SDRV1和第二驱动电路SDRV2的控制信号。控制驱动单元32可包括数据驱动电路,并且数据驱动电路可配置为生成数据信号。所生成的数据信号可通过布置在显示面板10的外围区域PA中的扇出布线FW和连接到扇出布线FW的数据线DL发送到第一子像素电路PC1。根据一些实施方式,数据驱动电路可布置在衬底100的外围区域PA中。
第二发光二极管ED2布置在第二显示区域DA2中。从第二发光二极管ED2发射的光对应于参照图1描述的图1的第二子像素P2的光,并且第二发光二极管ED2的位置可为图1的第二子像素P2的位置。例如,第二发光二极管ED2可发射红色光、绿色光或蓝色光。
透射区域TA可布置在第二发光二极管ED2之间。根据一些实施方式,第二显示区域DA2的未布置第二发光二极管ED2的区可对应于透射区域TA。为了增加透射区域TA的面积并且增强透射区域TA的透射率,用于驱动第二发光二极管ED2的第二子像素电路PC2可布置在第二显示区域DA2外部的第三显示区域DA3中。多个第二子像素电路PC2的一部分可布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的顶部相邻的局部区中,并且多个第二子像素电路PC2的另一部分可布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的底部相邻的局部区中。
第三显示区域DA3中的第二子像素电路PC2可通过透明导电总线CBL电连接到第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2。第二发光二极管ED2可通过在第二方向(例如,y方向)上延伸的透明导电总线CBL电连接到第二子像素电路PC2。
第三发光二极管ED3可布置在第三显示区域DA3中。从第三发光二极管ED3发射的光对应于参照图1描述的图1的第三子像素P3的光,并且第三发光二极管ED3的位置可为图1的第三子像素P3的位置。例如,第三发光二极管ED3可发射红色光、绿色光或蓝色光。
用于驱动第三发光二极管ED3的第三子像素电路PC3布置在第三显示区域DA3中。第三子像素电路PC3电连接到第三发光二极管ED3,并且可操作第三发光二极管ED3。
第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可电连接到第一驱动电路SDRV1和/或第二驱动电路SDRV2。至少一个第二子像素电路PC2和/或至少一个第三子像素电路PC3可与至少一个第一子像素电路PC1共享扫描线。至少一个第二子像素电路PC2和/或至少一个第三子像素电路PC3可与至少一个第一子像素电路PC1共享数据线。
在外围区域PA中可布置有驱动电压供应线11和公共电压供应线13。驱动电压供应线11可将驱动电压施加到每个子像素电路(例如,第一子像素电路PC1至第三子像素电路PC3中的每个),并且公共电压供应线13可将公共电压施加到每个发光二极管(例如,第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3中的每个)的第二电极(阴极)。
驱动电压供应线11可布置在焊盘PAD与显示区域DA的一侧之间。公共电压供应线13在平面视图中可具有带有一个开放侧的环形形状,并且部分地围绕显示区域DA。驱动电压供应线11可电连接到穿过显示区域DA的驱动电压线PL。
第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3、第一子像素电路PC1至第三子像素电路PC3、焊盘PAD、第一驱动电路SDRV1和第二驱动电路SDRV2、驱动电压供应线11和公共电压供应线13定位在衬底100上。图3中所示的显示面板10的形状可与衬底100的形状基本上相同。因此,包括显示区域DA和外围区域PA的显示面板10可指示衬底100包括显示区域DA和外围区域PA。
图4是示意性地示出根据一些实施方式的电连接到显示面板的发光二极管ED的子像素电路PC的等效电路图。图4的发光二极管ED可对应于以上参照图3描述的第一发光二极管ED1至第三发光二极管ED3,并且图4的子像素电路PC可对应于以上参照图3描述的第一子像素电路PC1至第三子像素电路PC3。
换句话说,图3的第一发光二极管ED1和第一子像素电路PC1的等效电路图、图3的第二发光二极管ED2和第二子像素电路PC2的等效电路图以及图3的第三发光二极管ED3和第三子像素电路PC3的等效电路图可为相同的。如上所述,发光二极管ED可包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。
发光二极管ED可电连接到子像素电路PC。参照图4,子像素电路PC可包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt。根据一些实施方式,子像素电路PC可不包括升压电容器Cbt,并且在下文中,为了描述的便利,子像素电路PC包括升压电容器Cbt。此外,在根据本公开的一些实施方式中,子像素电路PC可在不背离根据本公开的实施方式的精神和范围的情况下包括附加部件或更少部件。
第一晶体管T1至第七晶体管T7中的一些可为n沟道MOSFET(NMOS),并且剩余可为p沟道MOSFET(PMOS)。例如,如图4中所示,第三晶体管T3和第四晶体管T4可为NMOS,并且剩余可为PMOS。根据一些实施方式,第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可为NMOS,并且剩余可为PMOS。替代性地,第一晶体管T1至第七晶体管T7中的仅一个可为NMOS,并且剩余可为PMOS。
第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt可连接到信号线。信号线可包括扫描线SL、发射控制线EL和数据线DL。扫描线SL可包括配置为发送第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1、配置为发送第二扫描信号Sn'的第二扫描线SL2、配置为发送前一扫描信号Sn-1的前一扫描线SLp以及配置为发送下一扫描信号Sn+1的下一扫描线SLn。
驱动电压线PL配置为将驱动电压ELVDD发送到第一晶体管T1,并且第一初始化电压线145和第二初始化电压线165可配置为分别发送第一初始化电压Vint1和第二初始化电压Vint2。
第一晶体管T1可为驱动晶体管。第一晶体管T1的第一栅电极可连接到存储电容器Cst,第一晶体管T1的第一电极可通过第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL,并且第一晶体管T1的第二电极可通过第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的第一电极(例如,阳极)。第一晶体管T1的第一电极和第二电极中的一个可为源电极,并且另一个可为漏电极。第一晶体管T1可根据第二晶体管T2的开关操作将驱动电流Id供给到发光二极管ED。
第二晶体管T2可为开关晶体管。第二晶体管T2的第二栅电极可连接到第一扫描线SL1,第二晶体管T2的第一电极可连接到数据线DL,并且第二晶体管T2的第二电极可连接到第一晶体管T1的第一电极,同时通过第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL。第二晶体管T2的第一电极和第二电极中的一个可为源电极,并且另一个可为漏电极。第二晶体管T2可根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn导通,以执行将发送到数据线DL的数据信号Dm发送到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。
第三晶体管T3可为配置为补偿第一晶体管T1的阈值电压的补偿晶体管。第三晶体管T3的第三栅电极连接到第二扫描线SL2。第三晶体管T3的第一电极通过节点连接线166连接到第一晶体管T1的第一栅电极并且连接到存储电容器Cst的下电极CE1。
第三晶体管T3的第一电极可连接到第四晶体管T4。第三晶体管T3的第二电极可连接到第一晶体管T1的第二电极,同时通过第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的第一电极(例如,阳极)。第三晶体管T3的第一电极和第二电极中的一个可为源电极,并且另一个可为漏电极。
第三晶体管T3可根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'(例如,补偿控制信号)导通,以将第一晶体管T1的第二电极电连接到第一栅电极,从而二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4可为配置为将第一晶体管T1的第一栅电极初始化的第一初始化晶体管。第四晶体管T4的第四栅电极连接到前一扫描线SLp。第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线145。第四晶体管T4的第二电极可连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第三晶体管T3的第一电极和第一晶体管T1的第一栅电极。
第四晶体管T4的第一电极和第二电极中的一个可为源电极,并且另一个可为漏电极。第四晶体管T4可根据通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1导通,并且通过将第一初始化电压Vint1发送到第一晶体管T1的第一栅电极来执行将第一晶体管T1的第一栅电极的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管T5可为操作控制晶体管。第五晶体管T5的第五栅电极可连接到发射控制线EL,第五晶体管T5的第一电极可连接到驱动电压线PL,并且第五晶体管T5的第二电极可连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。第五晶体管T5的第一电极和第二电极中的一个可为源电极,并且另一个可为漏电极。
第六晶体管T6可为发射控制晶体管。第六晶体管T6的第六栅电极可连接到发射控制线EL,第六晶体管T6的第一电极可连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第二电极,并且第六晶体管T6的第二电极可电连接到第七晶体管T7的第二电极和发光二极管ED的第一电极(例如,阳极)。第六晶体管T6的第一电极和第二电极中的一个可为源电极,并且另一个可为漏电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En同步地导通,以将驱动电压ELVDD发送到发光二极管ED,以使得驱动电流Id在发光二极管ED中流动。
第七晶体管T7可为配置为将发光二极管ED的第一电极(例如,阳极)初始化的第二初始化晶体管。第七晶体管T7的第七栅电极连接到下一扫描线SLn。第七晶体管T7的第一电极连接到第二初始化电压线165。第七晶体管T7的第二电极连接到第六晶体管T6的第二电极和发光二极管ED的第一电极(例如,阳极)。第七晶体管T7可根据通过下一扫描线SLn接收的下一扫描信号Sn+1导通,以将第二初始化电压Vint2发送到发光二极管ED的第一电极(例如,阳极),以便将发光二极管ED的第一电极初始化。在图4中,第七晶体管T7连接到下一扫描线SLn,但第七晶体管T7可连接到前一扫描线SLp。
存储电容器Cst可包括下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst的下电极CE1连接到第一晶体管T1的第一栅电极,并且存储电容器Cst的上电极CE2连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可存储与第一晶体管T1的第一栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的差对应的电荷。
升压电容器Cbt包括第三电极CE3和第四电极CE4。第三电极CE3可连接到第一扫描线SL1和第二晶体管T2的第二栅电极,并且第四电极CE4可连接到节点连接线166和第三晶体管T3的第一电极。当供给到第一扫描线SL1的第一扫描信号Sn关断(例如,为关断电平)时,升压电容器Cbt可升高第一节点N1的电压,并且当升高第一节点N1的电压时,可清楚表现黑色等级。
第一节点N1可为第一晶体管T1的第一栅电极、第三晶体管T3的第一电极、第四晶体管T4的第二电极和升压电容器Cbt的第四电极CE4彼此连接的区。
根据一些实施方式,在图4中,第三晶体管T3和第四晶体管T4为NMOS,并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7为PMOS。直接影响显示装置的亮度的第一晶体管T1包括包含有具有高可靠性的多晶硅的半导体层,以使得实现了具有高分辨率的显示装置。
在图4中,第三晶体管T3和第四晶体管T4为NMOS,但根据一些实施方式,第一晶体管T1至第七晶体管T7可为PMOS。在这种情况下,第二晶体管T2和第三晶体管T3可电连接到相同的扫描线。根据一些实施方式,第四晶体管T4和第七晶体管T7也可电连接到相同的扫描线。根据一些实施方式,第四晶体管T4和第七晶体管T7可电连接到相同的初始化电压线。
图5是示出根据一些实施方式的显示面板10的第一子像素电路PC1与第一发光二极管ED1之间的电连接的剖视图。
参照图5,定位在衬底100上的第一子像素电路PC1和在第一子像素电路PC1上的第一发光二极管ED1可定位在显示面板10的第一显示区域DA1中。如以上参照图2所述,衬底100可包括玻璃材料或聚合物树脂。
在衬底100上可定位有缓冲层201。缓冲层201可防止或减少污染物或杂质渗透到晶体管的半导体层中的情况。缓冲层201可包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氧氮化硅或氧化硅),并且可为包括以上无机绝缘材料的单层或多层。
第一子像素电路PC1可布置在缓冲层201上。如以上参照图4所述,第一子像素电路PC1可包括多个薄膜晶体管和存储电容器。在这方面,图5示出了第一晶体管T1、第三晶体管T3、第六晶体管T6和存储电容器Cst。
第一晶体管T1可包括缓冲层201上的第一半导体层A1和与第一半导体层A1的沟道区C1重叠的第一栅电极GE1。第一半导体层A1可包括硅基半导体材料,例如,多晶硅。第一半导体层A1可包括沟道区C1以及布置在沟道区C1的两侧上的第一区B1和第二区D1。第一区B1和第二区D1为包括比沟道区C1高的杂质浓度的区,并且第一区B1和第二区D1中的一个可对应于源区,并且另一个可对应于漏区。
第六晶体管T6可包括缓冲层201上的第六半导体层A6和与第六半导体层A6的沟道区C6重叠的第六栅电极GE6。第六半导体层A6可包括硅基半导体材料,例如,多晶硅。第六半导体层A6可包括沟道区C6以及布置在沟道区C6的两侧上的第一区B6和第二区D6。第一区B6和第二区D6为包括比沟道区C6高的杂质浓度的区,并且第一区B6和第二区D6中的一个可对应于源区,并且另一个可对应于漏区。
第一栅电极GE1和第六栅电极GE6可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料,并且可形成为包括导电材料的单层或多层结构。用于第一半导体层A1与第六半导体层A6之间的电绝缘的第一栅极绝缘层203可定位在第一栅电极GE1和第六栅电极GE6下方。第一栅极绝缘层203可包括无机绝缘材料(诸如氮化硅、氧氮化硅或氧化硅),并且可为包括以上无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst可包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。根据一些实施方式,存储电容器Cst的下电极CE1可包括第一栅电极GE1。换句话说,第一栅电极GE1可包括存储电容器Cst的下电极CE1。例如,第一栅电极GE1可与存储电容器Cst的下电极CE1为一体的。
在存储电容器Cst的下电极CE1与上电极CE2之间可布置有第一层间绝缘层205。第一层间绝缘层205可包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅),并且可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst的上电极CE2可包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料,并且可包括包含有这样的材料的单层或多层结构。
在存储电容器Cst上可定位有第二层间绝缘层207。第二层间绝缘层207可包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅),并且可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
第三晶体管T3的第三半导体层A3可定位在第二层间绝缘层207上。第三半导体层A3可包括氧化物半导体。例如,第三半导体层A3可包括诸如氧化锌、氧化铟锌或氧化镓铟锌的基于锌(Zn)氧化物的材料。根据一些实施方式,第三半导体层A3可包括In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)的半导体,其中诸如铟(In)、镓(Ga)或锡(Sn)的金属包含在ZnO中。
第三半导体层A3可包括沟道区C3以及布置在沟道区C3的两侧上的第一区B3和第二区D3。第一区B3和第二区D3中的一个可对应于源区,并且另一个可对应于漏区。
第三晶体管T3可包括与第三半导体层A3的沟道区C3重叠的第三栅电极GE3。第三栅电极GE3可包括双栅极结构,该双栅极结构包括定位在第三半导体层A3下方的下栅电极G3A和布置在沟道区C3上方的上栅电极G3B。
下栅电极G3A可布置在与存储电容器Cst的上电极CE2相同的层(例如,第一层间绝缘层205)上。下栅电极G3A可包括与存储电容器Cst的上电极CE2相同的材料。
上栅电极G3B可在第二栅极绝缘层209在其间的情况下布置在第三半导体层A3上。第二栅极绝缘层209可包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅或氧氮化硅),并且可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
在上栅电极G3B上可定位有第三层间绝缘层210。第三层间绝缘层210可包括诸如氧氮化硅的无机绝缘材料,并且可包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
在图5中,存储电容器Cst的上电极CE2布置在与第三栅电极GE3的下栅电极G3A相同的层上,但本公开不限于此。根据一些实施方式,存储电容器Cst的上电极CE2可布置在与第三半导体层A3相同的层上,并且包括与第三半导体层A3的第一区B3和第二区D3相同的材料。
第一晶体管T1和第三晶体管T3可通过节点连接线166彼此电连接。节点连接线166可定位在第三层间绝缘层210上。节点连接线166的一侧可连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1,并且节点连接线166的另一侧可连接到第三晶体管T3的第三半导体层A3的第一区B3。
节点连接线166可包括Al、Cu和/或Ti,并且包括包含有以上材料的单层或多层。例如,节点连接线166可具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
在节点连接线166上可定位有第一有机绝缘层211。第一有机绝缘层211可包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可包括丙烯酰、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
数据线DL和驱动电压线PL可定位在第一有机绝缘层211上。数据线DL和驱动电压线PL可包括Al、Cu和/或Ti,并且包括包含有以上材料的单层或多层。例如,数据线DL和驱动电压线PL可具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
在图5中,数据线DL和驱动电压线PL布置在相同的层(例如,第一有机绝缘层211)上,但根据一些实施方式,数据线DL和驱动电压线PL可布置在不同的层上。
在第一有机绝缘层211上可定位有第二有机绝缘层212、第三有机绝缘层213和第四有机绝缘层214。第二有机绝缘层212、第三有机绝缘层213和第四有机绝缘层214可各自包括有机绝缘材料,诸如丙烯酰、BCB、聚酰亚胺或HMDSO。
在第四有机绝缘层214上可定位有第一发光二极管ED1的第一电极221。第一电极221可通过第一接触金属CM1、第二接触金属CM2、第三接触金属CM3和第四接触金属CM4电连接到第六晶体管T6。第一接触金属CM1可形成在与节点连接线166相同的层上,并且包括与节点连接线166相同的材料。第二接触金属CM2可形成在与数据线DL和/或驱动电压线PL相同的层上,并且包括与数据线DL和/或驱动电压线PL相同的材料。第三接触金属CM3和第四接触金属CM4可包括导电材料,例如,金属(例如,非透射金属)或透光导电材料。
第一电极221可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射层。根据一些实施方式,第一电极221还可包括在反射层上和/或下方的导电氧化物层。导电氧化物层可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。根据一些实施方式,第一电极221可包括多个子层。例如,第一电极221可包括第一子层221a、第二子层221b和第三子层221c。第一子层221a、第二子层221b和第三子层221c可分别为ITO层、Ag层和ITO层。
在第一电极221上可定位有堤层215。堤层215包括与第一电极221重叠的开口,并且可覆盖第一电极221的边缘。堤层215可包括有机绝缘材料,诸如聚酰亚胺。
在堤层215上可形成有间隔件217。间隔件217可在同一过程期间与堤层215一起形成,或者通过分开的工艺与堤层215独立地形成。根据一些实施方式,间隔件217可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。根据一些实施方式,堤层215可包括包含有遮光染料的有机绝缘材料,并且间隔件217可包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可包括定位在发射层222b下方的第一功能层222a和/或定位在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可包括发射特定颜色(红色、绿色或蓝色)的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。根据一些实施方式,发射层222b可包括无机材料或量子点。
第二功能层222c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层222a和第二功能层222c可包括有机材料。
发射层222b可形成在第一显示区域DA1中,以通过堤层215的开口与第一电极221重叠。同时,包括在中间层222中的有机材料层(例如,第一功能层222a和第二功能层222c)可完全覆盖图3的显示区域DA。
中间层222可具有包括单个发射层的单堆叠结构,或者包括多个发射层的多堆叠结构。在串联结构的情况下,在多个堆叠之间可布置有电荷生成层(CGL)。
第二电极223可包括具有低功函数的导电材料。例如,第二电极223可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。替代性地,第二电极223还可包括在包括以上材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。第二电极223可完全覆盖图3的显示区域DA。
在第二电极223上可定位有覆盖层225。覆盖层225可包括无机材料或有机材料。覆盖层225可包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。覆盖层225可完全覆盖显示区域DA。
第一发光二极管ED1可由封装层300覆盖。封装层300可包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。根据一些实施方式,封装层300可包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及布置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。封装层300可定位在覆盖层225上。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅之中的一种或多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可为包括以上材料的单层或多层。有机封装层320可包括聚合物类材料。聚合物类材料的实例可包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。根据一些实施方式,有机封装层320可包括丙烯酸酯。
图6是示出根据一些实施方式的显示面板10(例如,参照图3)的第二子像素电路PC2与第二发光二极管ED2之间的电连接的剖视图。
参照图6,衬底100上的第二子像素电路PC2可布置在第三显示区域DA3中,并且电连接到第二子像素电路PC2的第二发光二极管ED2可布置在第二显示区域DA2中。如以上参照图4所述,第二子像素电路PC2可包括多个薄膜晶体管和存储电容器。在这方面,图6示出了第二子像素电路PC2的第六晶体管T6。缓冲层201、第一栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205、第二层间绝缘层207、第二栅极绝缘层209、第三层间绝缘层210和第一有机绝缘层211至第四有机绝缘层214可布置在衬底100上。
第二子像素电路PC2可通过从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸的透明导电总线CBL电连接到第二发光二极管ED2。例如,透明导电总线CBL可在第二方向(例如,y方向)上延伸。透明导电总线CBL可包括透光导电材料。透光导电材料可包括透明导电氧化物(TCO)。TCO可包括导电氧化物,诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IZGO)或氧化铝锌(AZO)。因此,可降低透射区域TA的透光率的劣化。
透明导电总线CBL可通过第五接触金属CM5、第六接触金属CM6和第七接触金属CM7电连接到第二子像素电路PC2的第六晶体管T6。第五接触金属CM5可形成在与图5的第一接触金属CM1相同的层上,并且包括与第一接触金属CM1相同的材料。第六接触金属CM6可形成在与图5的第二接触金属CM2相同的层上,并且包括与第二接触金属CM2相同的材料。第七接触金属CM7可形成在与图5的第三接触金属CM3相同的层上,并且包括与第三接触金属CM3相同的材料。
透明导电总线CBL可电连接到定位在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2的第一电极221。根据一些实施方式,在图6中,第二发光二极管ED2的第一电极221通过第四有机绝缘层214的接触孔电连接到透明导电总线CBL,但本公开不限于此。根据一些实施方式,透明导电总线CBL与第二发光二极管ED2的第一电极221之间的电连接可通过连接相邻的第二发光二极管ED2的第一电极221的连接线来实现。以下将参照图10、图12和图14详细描述上述各种实施方式。
间隔件217和包括与第一电极221重叠的开口的堤层215可定位在第二发光二极管ED2的第一电极221上。此外,如以上参照图5所述,第一功能层222a、发射层222b、第二功能层222c、第二电极223、覆盖层225和封装层300可布置在第一电极221上。如以上参照图5所述,第一电极221可包括包含有ITO的第一子层221a、包含有Ag的第二子层221b和包含有ITO的第三子层221c。
图7是根据一些实施方式的布置在显示面板10(例如,参照图3)的显示区域DA(例如,参照图3)中的子像素的平面视图。参照图7,布置在第一显示区域DA1至第三显示区域DA3中的每个中的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb在平面视图中可具有相同的排列。
根据一些实施方式,第一显示区域DA1至第三显示区域DA3可具有相同的分辨率。换句话说,在第一显示区域DA1中布置的发光二极管的数量和/或面积、在第二显示区域DA2中布置的发光二极管的数量和/或面积以及在第三显示区域DA3中布置的发光二极管的数量和/或面积可每相同面积为相同的。
例如,参照图7,红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以菱形PenTileTM类型排列。在图7中,1N、2N、3N和4N等指示子像素的行,并且1M、2M、3M和4M等指示子像素的列。
例如,多个红色子像素Pr和多个蓝色子像素Pb在第一行1N中交替地排列,多个绿色子像素Pg以特定间隔在相邻的第二行2N中排列,多个蓝色子像素Pb和多个红色子像素Pr在相邻的第三行3N中交替地排列,并且多个绿色子像素Pg以特定间隔在相邻的第四行4N中排列。子像素的这样的排列为重复的。根据一些实施方式,蓝色子像素Pb和红色子像素Pr的大小(或宽度)可大于绿色子像素Pg的大小(或宽度)。蓝色子像素Pb的大小(或宽度)与红色子像素Pr的大小(或宽度)可相同或者彼此不同。
在第一行1N中排列的多个红色子像素Pr和多个蓝色子像素Pb以及在第二行2N中排列的多个绿色子像素Pg未对齐。因此,红色子像素Pr和蓝色子像素Pb在第一列1M中交替地排列,多个绿色子像素Pg以特定间隔在相邻的第二列2M中排列,蓝色子像素Pb和红色子像素Pr在相邻的第三列3M中交替地排列,并且多个绿色子像素Pg以特定间隔在相邻的第四列4M中排列。子像素的这样的排列为重复的。
这样的子像素排列结构可不同地表述为:红色子像素Pr布置在来自使用绿色子像素Pg的中心点作为四边形的中心点的第一虚设四边形VS1的顶点之中的定位在对角线方向上的第一顶点和第三顶点处,并且蓝色子像素Pb布置在为剩余顶点的第二顶点和第四顶点处。
此外,这样的子像素排列结构可不同地表述为:绿色子像素Pg布置在使用红色子像素Pr或蓝色子像素Pb的中心点作为四边形的中心点的第二虚设四边形VS2的每个顶点处。这里,第一虚设四边形VS1和第二虚设四边形VS2可不同地修改为矩形、菱形或正方形。
这样的子像素排列结构被称为菱形PenTileTM类型,并且通过应用通过共享相邻的子像素表现颜色的渲染,可用较少数量的子像素实现高分辨率。
图8是根据一些实施方式的显示面板10(例如,参照图3)的一部分的平面视图。为了描述的便利,图8示出了穿过显示区域DA的信号线,例如,数据线DL和栅极线GL。
参照图8,栅极线GL总体上可在第一方向(例如,x方向)上延伸。栅极线GL可从第三显示区域DA3沿第二显示区域DA2的外侧弯折或弯曲。例如,多个栅极线GL中的一个可从第三显示区域DA3沿第二显示区域DA2的上侧弯折或弯曲,并且多个栅极线GL中的另一个可从第三显示区域DA3沿第二显示区域DA2的下侧弯折或弯曲。例如,基于穿过第二显示区域DA2的中心C的第一虚设线IML1,沿第二显示区域DA2的上侧弯曲的一个栅极线GL和沿第二显示区域DA2的下侧弯曲的另一栅极线GL可为对称的。
图8的栅极线GL可为连接到参照图4描述的图4的子像素电路PC的扫描线SL和/或发射控制线EL。例如,栅极线GL可包括图4的第一扫描线SL1、图4的第二扫描线SL2、图4的前一扫描线SLp、图4的下一扫描线SLn和/或图4的发射控制线EL。换句话说,电连接到布置在第三显示区域DA3中的子像素电路的、图4的第一扫描线SL1、图4的第二扫描线SL2、图4的前一扫描线SLp、图4的下一扫描线SLn和/或图4的发射控制线EL可在第三显示区域DA3中弯折或弯曲,以部分地围绕第二显示区域DA2。
一些数据线DL可完全在第二方向(例如,y方向)上延伸。一些数据线DL可从第三显示区域DA3沿第二显示区域DA2的外侧弯折或弯曲。例如,多个数据线DL中的一个可从第三显示区域DA3沿第二显示区域DA2的左侧弯折或弯曲,并且多个数据线DL中的另一个可从第三显示区域DA3沿第二显示区域DA2的右侧弯折或弯曲。沿第二显示区域DA2的左侧弯曲的一个数据线DL和沿第二显示区域DA2的右侧弯曲的另一数据线DL可基于第二虚设线IML2对称。
如上所述,数据线DL和栅极线GL中的每个不穿过第二显示区域DA2,并且因此可充分确保透射区域TA。
图9A和图9B各自是示出根据一些实施方式的为图8的显示面板10的一部分的部分VIII的平面视图。为了描述的便利,图9A示出了子像素电路,并且图9B示出了电连接到图9A的子像素电路的发光二极管。
参照图9A,子像素电路布置在显示区域DA的第一显示区域DA1和第三显示区域DA3中,但不布置在第二显示区域DA2中。
布置在第一显示区域DA1中的子像素电路(例如,第一子像素电路PC1)可排列为形成行和列。第一子像素电路PC1可在第一方向(例如,x方向)和第二方向(例如,y方向)上以规率间隔排列。根据一些实施方式,与第三显示区域DA3相邻的第一子像素电路PC1可排列为在平面视图中具有阶梯式配置。
布置在第三显示区域DA3中的子像素电路也可排列为形成行和列。布置在第三显示区域DA3中的子像素电路(例如,第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3)可在第三显示区域DA3中排列为形成行和列。第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可形成与布置在第一显示区域DA1中的第一子像素电路PC1的行和列不同的行和列。例如,三个第二子像素电路PC2可形成一个子像素电路组,并且三个第三子像素电路PC3可形成一个子像素电路组。
在第三显示区域DA3中,多个子像素电路组可在第一方向(例如,x方向)和/或第二方向(例如,y方向)上彼此间隔开。在这方面,图9A示出了在第二方向(例如,y方向)上在第一列1A中排列的子像素电路组PGA1至PGA4、在第二列2A中排列的子像素电路组PGB1至PGB4、在第三列3A中排列的子像素电路组PGC1至PGC4、在第四列4A中排列的子像素电路组PGD3和PGD4以及在第五列5A中排列的子像素电路组PGE4。
布置在第三显示区域DA3中的子像素电路组可在第一方向(例如,x方向,子像素电路组的行方向)上彼此间隔开。布置在第三显示区域DA3中的子像素电路组可在第二方向(例如,y方向,子像素电路组的列方向)上彼此间隔开。例如,在图9A中,在同一列中排列的子像素电路组在第二方向(例如,y方向,子像素电路组的列方向)上彼此间隔开,但本公开不限于此。根据一些实施方式,在同一列中排列的子像素电路组可不在第二方向(例如,y方向,子像素电路组的列方向)上彼此间隔开。
布置在第一显示区域DA1和第三显示区域DA3中的子像素电路可驱动布置在第一显示区域DA1至第三显示区域DA3中的发光二极管。
参照图9B,发光二极管可包括布置在第一显示区域DA1中的第一发光二极管ED1、布置在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2以及布置在第三显示区域DA3中的第三发光二极管ED3。
第一发光二极管ED1可包括第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管ED1b。第二发光二极管ED2可包括第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b。第三发光二极管ED3可包括第三红色发光二极管ED3r、第三绿色发光二极管ED3g和第三蓝色发光二极管ED3b。
显示区域DA中的红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管的排列可与以上参照图7描述的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb的排列基本上相同。如图9B中所示,第一显示区域DA1中的第一发光二极管ED1的排列、第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2的排列以及第三显示区域DA3中的第三发光二极管ED3的排列可为相同的。因此,第一显示区域DA1至第三显示区域DA3的分辨率可为相同的。
在显示区域DA中,红色发光二极管和蓝色发光二极管在第一行1N中交替地排列,多个绿色发光二极管以特定间隔在相邻的第二行2N中彼此间隔开,蓝色发光二极管和红色发光二极管在相邻的第三行3N中交替地排列,并且多个绿色发光二极管以特定间隔在相邻的第四行4N中彼此间隔开。
在第一行1N中排列的红色发光二极管和蓝色发光二极管以及在第二行2N中排列的多个绿色发光二极管可未对齐。因此,在显示区域DA中,红色发光二极管和蓝色发光二极管在第一列1M中交替地排列,多个绿色发光二极管以特定间隔在相邻的第二列2M中彼此间隔开,蓝色发光二极管和红色发光二极管在相邻的第三列3M中交替地排列,并且多个绿色发光二极管以特定间隔在相邻的第四列4M中彼此间隔开。子像素(或发光二极管)的这样的排列可为重复的。
发光二极管的排列可如下不同地表述。例如,第一红色发光二极管ED1r可布置在来自使用布置在第一显示区域DA1中的第一绿色发光二极管ED1g的中心点作为四边形的中心点的第一虚设四边形VS1'的顶点之中的定位在对角线方向上的第一顶点和第三顶点处,并且第一蓝色发光二极管ED1b可布置在为剩余顶点的第二顶点和第四顶点处。第一发光二极管ED1的排列结构可不同地表述为:第一绿色发光二极管ED1g布置在使用第一红色发光二极管ED1r或第一蓝色发光二极管ED1b的中心点作为四边形的中心点的第二虚设四边形VS2'的四个顶点中的每个处。
第二显示区域DA2中的第二红色发光二极管ED2r、第二绿色发光二极管ED2g和第二蓝色发光二极管ED2b的排列可与上述第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管ED1b的排列相同。例如,第二红色发光二极管ED2r可布置在来自使用第二绿色发光二极管ED2g的中心点作为四边形的中心点的第一虚设四边形的顶点之中的在第一对角线方向上的顶点中的每个处,并且第二蓝色发光二极管ED2b可布置在第二对角线方向上的顶点中的每个处。此外,第二绿色发光二极管ED2g可布置在使用第二红色发光二极管ED2r或第二蓝色发光二极管ED2b的中心点作为四边形的中心点的第二虚设四边形的四个顶点中的每个处。
第三显示区域DA3中的第三红色发光二极管ED3r、第三绿色发光二极管ED3g和第三蓝色发光二极管ED3b的排列可与上述第一红色发光二极管ED1r、第一绿色发光二极管ED1g和第一蓝色发光二极管ED1b的排列相同。例如,第三红色发光二极管ED3r可布置在来自使用第三绿色发光二极管ED3g的中心点作为四边形的中心点的第一虚设四边形的顶点之中的在第一对角线方向上的顶点中的每个处,并且第三蓝色发光二极管ED3b可布置在第二对角线方向上的顶点中的每个处。此外,第三绿色发光二极管ED3g可布置在使用第三红色发光二极管ED3r或第三蓝色发光二极管ED3b的中心点作为四边形的中心点的第二虚设四边形的四个顶点中的每个处。
第一显示区域DA1的第一发光二极管ED1可电连接到第一显示区域DA1的第一子像素电路PC1。例如,一个第一发光二极管ED1可对应于一个第一子像素电路PC1(一对一对应)。第一红色发光二极管ED1r可电连接到对应的第一子像素电路PC1,第一绿色发光二极管ED1g可电连接到对应的第一子像素电路PC1,并且第一蓝色发光二极管ED1b可电连接到对应的第一子像素电路PC1。
分别布置在第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可电连接到布置在第三显示区域DA3中的子像素电路。在图9B中,为了描述的便利,电连接到第三显示区域DA3的每个子像素电路组的发光二极管(例如,布置在第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的发光二极管)将被称为发光二极管组PXG。每个发光二极管组PXG可包括两个红色发光二极管、两个蓝色发光二极管和四个绿色发光二极管。例如,布置在第二显示区域DA2中的每个发光二极管组PXG可包括两个第二红色发光二极管ED2r、四个第二绿色发光二极管ED2g和两个第二蓝色发光二极管ED2b。布置在第三显示区域DA3中的每个发光二极管组PXG(例如,发光二极管组PXG3)可包括两个第三红色发光二极管ED3r、四个第三绿色发光二极管ED3g和两个第三蓝色发光二极管ED3b。在图9B中,1C至5C指示发光二极管组PXG的列。
在同一列中排列的发光二极管组PXG可分别电连接到在同一列中排列的子像素电路组。
例如,第一列1C的发光二极管组PXG可分别电连接到以上参照图9A描述的第一列1A的子像素电路组PGA1至PGA4。在第一列1C的发光二极管组PXG之中,布置在第三显示区域DA3中的一些发光二极管组PXG可分别电连接到以上参照图9A描述的一些子像素电路组PGA1至PGA3。在第一列1C的发光二极管组PXG之中,布置在第二显示区域DA2中的发光二极管组PXG可电连接到以上参照图9A描述的在第一列1A中排列的子像素电路组PGA4。在第一列1C的发光二极管组PXG之中,布置在第二显示区域DA2中的发光二极管组PXG和在第一列1A中排列的子像素电路组PGA4可通过以上参照图3和图6描述的透明导电总线CBL彼此电连接。
第二列2C的发光二极管组PXG可分别电连接到以上参照图9A描述的第二列2A的子像素电路组PGB1至PGB4。第三列3C的发光二极管组PXG可分别电连接到以上参照图9A描述的第三列3A的子像素电路组PGC1至PGC4。第四列4C的发光二极管组PXG可分别电连接到以上参照图9A描述的第四列4A的子像素电路组PGD3和PGD4。第五列5C的发光二极管组PXG(例如,发光二极管组PXG2)可电连接到以上参照图9A描述的第五列5A的子像素电路组PGE4。
参照图9A和图9B,布置在第三显示区域DA3中的每个子像素电路组包括三个子像素电路,并且三个子像素电路可各自电连接到多个第二发光二极管或多个第三发光二极管(一对多对应)。例如,图9A中所示的每个子像素电路组的三个子像素电路中的一个可电连接到通过第一连接线PWL1彼此连接的两个红色发光二极管(一对二对应),另一子像素电路可电连接到通过第二连接线PWL2彼此连接的四个绿色发光二极管(一对四对应),并且剩余子像素电路可电连接到通过第三连接线PWL3彼此连接的两个蓝色发光二极管(一对二对应)。
例如,在第三显示区域DA3中在第一列1A中排列的一个子像素电路组PGA1、PGA2或PGA3包括三个第三子像素电路PC3。三个第三子像素电路PC3中的一个可电连接到两个第三红色发光二极管ED3r中的一个,并且一个第三红色发光二极管ED3r可通过包括透光导电材料的第一连接线PWL1电连接到另一第三红色发光二极管ED3r。这样,通过第一连接线PWL1彼此电连接的两个第三红色发光二极管ED3r可电连接到一个第三子像素电路PC3。相似地,来自三个第三子像素电路PC3之中的另一第三子像素电路PC3可电连接到通过第二连接线PWL2彼此连接的四个第三绿色发光二极管ED3g,并且来自三个第三子像素电路PC3之中的剩余第三子像素电路PC3可电连接到通过第三连接线PWL3彼此连接的两个第三蓝色发光二极管ED3b。
在第三显示区域DA3中在第一列1A中排列并且与第二显示区域DA2相邻的子像素电路组PGA4可包括三个第二子像素电路PC2。与第二显示区域DA2相邻的子像素电路组PGA4的第二子像素电路PC2可电连接到布置在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2。
在第一列1A中排列并且与第二显示区域DA2相邻的子像素电路组PGA4的三个第二子像素电路PC2可电连接到在第一列1C中排列并且定位在第二显示区域DA2中的发光二极管组PXG的第二发光二极管ED2。例如,在子像素电路组PGA4的三个第二子像素电路PC2之中,一个第二子像素电路PC2可电连接到包括在第二显示区域DA2的发光二极管组PXG1中的两个第二红色发光二极管ED2r,另一第二子像素电路PC2可通过第二透明导电总线CBL2(参照图10)电连接到四个第二绿色发光二极管ED2g,并且剩余第二子像素电路PC2可电连接到两个第二蓝色发光二极管ED2b。
图10是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线彼此电连接的第二子像素电路PC2和第二发光二极管的平面视图。
布置在第三显示区域DA3中的第二子像素电路PC2中的每个可电连接到发射相同颜色的光的k个第二发光二极管,其中k为偶数。在这方面,在图10中,一个第二子像素电路PC2通过第一透明导电总线CBL1电连接到两个第二红色发光二极管ED2r,另一第二子像素电路PC2通过第二透明导电总线CBL2电连接到四个第二绿色发光二极管ED2g,并且另一第二子像素电路PC2通过第三透明导电总线CBL3电连接到两个第二蓝色发光二极管ED2b。
发射相同颜色的光的k个第二发光二极管的第一电极可彼此电连接。k个第二发光二极管顺时针(或逆时针)排列,其中,顺时针的第i第二发光二极管的第一电极可通过连接线电连接到第i+1第二发光二极管的第一电极,其中i为小于k且大于0的自然数。
例如,两个第二红色发光二极管ED2r可通过第一连接线PWL1彼此电连接。例如,一个第二红色发光二极管ED2r的第一电极(例如,阳极)可通过第一连接线PWL1电连接到另一第二红色发光二极管ED2r的第一电极(例如,阳极)。
四个第二绿色发光二极管ED2g可通过第二连接线PWL2彼此电连接。一个第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到另一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。例如,第一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到第二第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。第二第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到第四第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。
两个第二蓝色发光二极管ED2b可通过第三连接线PWL3彼此电连接。例如,一个第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极(例如,阳极)可通过第三连接线PWL3电连接到另一第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极(例如,阳极)。
透明导电总线可从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸。透明导电总线可将第三显示区域DA3的第二子像素电路PC2电连接到布置在第二显示区域DA2中并且发射相同颜色的光的第二发光二极管。透明导电总线的第一部分可电连接到第二子像素电路PC2,并且透明导电总线的第二部分可电连接到连接线,该连接线将来自发射相同颜色的光的k个第二发光二极管之中的第k/2第二发光二极管的第一电极和第k/2+1第二发光二极管的第一电极彼此连接。连接线的宽度可小于透明导电总线的宽度。
例如,第一透明导电总线CBL1可从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸。第一透明导电总线CBL1的定位在第三显示区域DA3中的第一部分可电连接到第二子像素电路PC2,并且第一透明导电总线CBL1的定位在第二显示区域DA2中的第二部分可电连接到将两个第二红色发光二极管ED2r的第一电极彼此连接的第一连接线PWL1。第一连接线PWL1的宽度可小于第一透明导电总线CBL1的宽度。
至少一个绝缘层可布置在第一透明导电总线CBL1的第二部分与第一连接线PWL1之间。第一透明导电总线CBL1的第二部分和第一连接线PWL1可通过形成在至少一个绝缘层中的接触孔CNT彼此电连接。
第一透明导电总线CBL1的第二部分与第一连接线PWL1之间的连接点可为第一连接线PWL1的总长度约1/2的点。换句话说,第一连接线PWL1的与从第一透明导电总线CBL1的第二部分和第一连接线PWL1之间的连接点到第一第二红色发光二极管ED2r的第一电极的距离对应的第一长度可与第一连接线PWL1的与从该连接点到第二第二红色发光二极管ED2r的第一电极的距离对应的第二长度基本上相同。第一连接线PWL1的第一长度和第二长度基本上相同可指示第一长度与第二长度的偏差在约10%内。
第二透明导电总线CBL2可从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸。第二透明导电总线CBL2的定位在第三显示区域DA3中的第一部分可电连接到第二子像素电路PC2,并且第二透明导电总线CBL2的定位在第二显示区域DA2中的第二部分可电连接到将第二第二绿色发光二极管ED2g的第一电极和第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极彼此连接的第二连接线PWL2。第二连接线PWL2的宽度可小于第二透明导电总线CBL2的宽度。
至少一个绝缘层可布置在第二透明导电总线CBL2的第二部分与第二连接线PWL2之间。第二透明导电总线CBL2的第二部分和第二连接线PWL2可通过形成在至少一个绝缘层中的接触孔CNT彼此电连接。
第二透明导电总线CBL2的第二部分与将第二第二绿色发光二极管ED2g和第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极连接的第二连接线PWL2之间的连接点可为第二连接线PWL2的总长度约1/2的点。换句话说,第二连接线PWL2的与从第二透明导电总线CBL2的第二部分和第二连接线PWL2之间的连接点到第二第二绿色发光二极管ED2g的第一电极的距离对应的第一长度可与第二连接线PWL2的与从连接点到第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极的距离对应的第二长度基本上相同。第二连接线PWL2的第一长度和第二长度基本上相同可指示第一长度与第二长度的偏差在约10%内。
第三透明导电总线CBL3可从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸。第三透明导电总线CBL3的定位在第三显示区域DA3中的第一部分可电连接到第二子像素电路PC2,并且第三透明导电总线CBL3的定位在第二显示区域DA2中的第二部分可电连接到将第一第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极和第二第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极彼此连接的第三连接线PWL3。第三连接线PWL3的宽度可小于第三透明导电总线CBL3的宽度。
至少一个绝缘层可布置在第三透明导电总线CBL3的第二部分与第三连接线PWL3之间。第三透明导电总线CBL3的第二部分和第三连接线PWL3可通过形成在至少一个绝缘层中的接触孔CNT彼此电连接。
第三透明导电总线CBL3的第二部分与第三连接线PWL3之间的连接点可为第三连接线PWL3的总长度约1/2的点。换句话说,第三连接线PWL3的与从第三透明导电总线CBL3的第二部分和第三连接线PWL3之间的连接点到第一第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极的距离对应的第一长度可与第三连接线PWL3的与从连接点到第二第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极的距离对应的第二长度基本上相同。第三连接线PWL3的第一长度和第二长度基本上相同可指示第一长度与第二长度的偏差在约10%内。
根据本公开的实施方式,如上所述,透明导电总线电连接到连接线,并且因此可减小通过透明导电总线施加到第二发光二极管的第一电极的电压的电压降。作为本公开的比较例,当透明导电总线电连接到来自发射相同颜色的光的k个第二发光二极管之中的第一第二发光二极管的第一电极并且第i第二发光二极管的第一电极通过连接线连接到第i+1第二发光二极管的第一电极时,施加到第k第二发光二极管的电压可能由于连接线的自电阻而下降。因此,从发射相同颜色的光并且通过连接线连接的k个第二发光二极管发射的光的亮度可能改变。然而,根据本公开的实施方式,如上所述,透明导电总线电连接到将来自发射相同颜色的光的k个第二发光二极管之中的第k/2第二发光二极管的第一电极和第k/2+1第二发光二极管的第一电极彼此连接的连接线,并且因此可防止或减少电压下降的情况。
图11A和图11B各自是示意性地示出根据一些实施方式的显示面板的第二显示区域DA2和第三显示区域DA3的剖视图。为了描述的便利,图11A和图11B示出了来自参照图10描述的第二发光二极管之中的通过第三连接线PWL3连接的两个第二蓝色发光二极管ED2b。
图11A和图11B的第二蓝色发光二极管ED2b可布置在第二显示区域DA2中,并且通过第三透明导电总线CBL3电连接到布置在第三显示区域DA3中的第二子像素电路PC2。一个第二蓝色发光二极管ED2b可通过第三连接线PWL3电连接到发射相同颜色的光的另一第二蓝色发光二极管ED2b。
第三连接线PWL3可定位在与通过第三连接线PWL3彼此连接的第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221相同的层(例如,第四有机绝缘层214)上。第三连接线PWL3可一体地联接到包括在第二蓝色发光二极管ED2b的第一电极221中的每个中的一个子层。根据一些实施方式,如以上参照图5和图6所述,第一电极221可包括第一子层221a、第二子层221b和第三子层221c,并且第三连接线PWL3可与来自第一电极221的子层之中的处于底部的第一子层221a为一体的。第三连接线PWL3可在形成第一电极221的同时一起形成。第一子层221a和第三连接线PWL3可包括相同的材料。
例如,第一子层221a和第三连接线PWL3可包括ITO。根据一些实施方式,第一子层221a和第三连接线PWL3可在显示面板的制造工艺期间结晶,并且因此,第一子层221a和第三连接线PWL3可包括结晶的ITO。
参照图11A,至少一个绝缘层(例如,第四有机绝缘层214)可布置在第三透明导电总线CBL3与第一电极221之间以及第三透明导电总线CBL3与第三连接线PWL3之间。接触孔CNT可形成在第四有机绝缘层214中。第三连接线PWL3可通过第四有机绝缘层214的接触孔CNT电连接到第三透明导电总线CBL3。例如,第三连接线PWL3可通过第四有机绝缘层214的接触孔CNT直接接触第三透明导电总线CBL3。
根据一些实施方式,参照图11B,至少一个绝缘层(例如,第三有机绝缘层213和第四有机绝缘层214)可布置在第三透明导电总线CBL3与第一电极221之间以及第三透明导电总线CBL3与第三连接线PWL3之间。第三连接线PWL3可通过接触孔CNT电连接到第三透明导电总线CBL3。接触孔CNT可包括形成在第三有机绝缘层213中的接触孔CNTa和形成在第四有机绝缘层214中的接触孔CNTb。
第三连接线PWL3可通过形成在第四有机绝缘层214中的接触孔CNTb连接到第八接触金属CM8,并且第八接触金属CM8可通过形成在第三有机绝缘层213中的接触孔CNTa连接到第三透明导电总线CBL3。
参照图10描述的第一透明导电总线CBL1至第三透明导电总线CBL3中的一个的至少一部分可布置在与第一透明导电总线CBL1至第三透明导电总线CBL3中的另一个的至少一部分不同的层上。在这方面,图11A和图11B示出了第二透明导电总线CBL2的至少一部分布置在与第三透明导电总线CBL3不同的层上。例如,如图11A中所示,第二透明导电总线CBL2的一部分可定位在第二有机绝缘层212上。根据一些实施方式,如图11B中所示,第二透明导电总线CBL2的一部分可定位在第三有机绝缘层213上。
根据一些实施方式,第二透明导电总线CBL2的至少一部分可与第三透明导电总线CBL3交叉。在这方面,图11A和图11B示出了第二透明导电总线CBL2的至少一部分在第三显示区域DA3中与第三透明导电总线CBL3交叉,但本公开不限于此。根据一些实施方式,第二透明导电总线CBL2的至少一部分可在第二显示区域DA2中与第三透明导电总线CBL3交叉。
在图11A和图11B中,描述了连接两个第二蓝色发光二极管ED2b的第三连接线PWL3和第三透明导电总线CBL3,但本公开不限于此。连接两个第二红色发光二极管ED2r的图10的第一连接线PWL1和图10的第一透明导电总线CBL1的结构可与参照图11A和图11B描述的结构相同。连接四个第二绿色发光二极管ED2g的图10的第二连接线PWL2和图10的第二透明导电总线CBL2的结构可与参照图11A和图11B描述的结构相同。
例如,图10的第一连接线PWL1和第二连接线PWL2可布置在与第二红色发光二极管ED2r和第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221相同的层(例如,第四有机绝缘层214)上。
以上已参照图6描述了第二红色发光二极管ED2r和第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221。图10的第一连接线PWL1和第二连接线PWL2中的每个可一体地联接到第一电极221的一个子层。在一些实施方式中,图10的第一连接线PWL1和第二连接线PWL2中的每个可定位在与第一电极221的多个子层中的一个(例如,图6的第一子层221a)相同的层上。图10的第一连接线PWL1和第二连接线PWL2可包括结晶的ITO。
例如,图10的第一透明导电总线CBL1和/或第二透明导电总线CBL2可定位在第二有机绝缘层212上或在第三有机绝缘层213上。图10的第一连接线PWL1和/或第二连接线PWL2可各自通过第四有机绝缘层214的接触孔电连接到图10的第一透明导电总线CBL1和/或第二透明导电总线CBL2。替代性地,图10的第一连接线PWL1和/或第二连接线PWL2可通过第三有机绝缘层213和第四有机绝缘层214的接触孔分别电连接到图10的第一透明导电总线CBL1和/或第二透明导电总线CBL2。
图12是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线和分支导电总线彼此电连接的第二子像素电路PC2和第二发光二极管的平面视图。为了描述的便利,图12示出了第二绿色发光二极管ED2g和第二子像素电路PC2通过第二透明导电总线CBL2、第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2彼此电连接。
参照图12,从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸的透明导电总线可电连接到第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2。第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2中的每个的一个端部可电连接到将来自发射相同颜色的光的k'个第二发光二极管之中的第一第二发光二极管的第一电极和第k'第二发光二极管的第一电极彼此连接的连接线。
发射相同颜色的光的k'个第二发光二极管的第一电极可通过连接线彼此电连接,其中k'为大于1的自然数。k'个第二发光二极管顺时针(或逆时针)排列,其中顺时针的第i第二发光二极管的第一电极可通过连接线电连接到第i+1第二发光二极管的第一电极,其中i为小于k'且大于0的自然数。在这方面,图12示出了四个第二绿色发光二极管ED2g通过第二连接线PWL2彼此电连接。第二连接线PWL2的宽度可小于第二透明导电总线CBL2的宽度、第一分支导电总线B-CBL1的宽度和/或第二分支导电总线B-CBL2的宽度。
一个第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到另一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。例如,第一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到第二第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。第二第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。第三第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)可通过第二连接线PWL2电连接到第四第二绿色发光二极管ED2g的第一电极(例如,阳极)。
布置在第三显示区域DA3中的第二子像素电路PC2可电连接到发射相同颜色的光的k'个第二发光二极管。在这方面,图12示出了一个第二子像素电路PC2通过第二透明导电总线CBL2、第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2电连接到四个第二绿色发光二极管ED2g。
第二透明导电总线CBL2可从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸,其中第二透明导电总线CBL2的第一部分可电连接到第二子像素电路PC2,并且第二透明导电总线CBL2的第二部分可电连接到第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2。为了增加第二显示区域DA2的图13的透射区域TA的透射率和/或透射表面积,第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2可包括透明导电材料,例如,TCO。
第一分支导电总线B-CBL1的一部分可电连接到第二透明导电总线CBL2,并且第一分支导电总线B-CBL1的另一部分可电连接到第一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极。第二分支导电总线B-CBL2的一部分可电连接到第二透明导电总线CBL2,并且第二分支导电总线B-CBL2的另一部分可电连接到第k'第二绿色发光二极管ED2g的第一电极。
第一分支导电总线B-CBL1的长度和第二分支导电总线B-CBL2的长度可基本上相同。例如,第一分支导电总线B-CBL1的长度和第二分支导电总线B-CBL2的长度基本上相同可指示长度的偏差在约10%内。
通过上述第二透明导电总线CBL2、第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2的结构,可减小施加到发射相同颜色的光的k'个第二发光二极管的电压的电压降,并且可减小亮度的偏差。
图13是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线和分支导电总线彼此电连接的第二子像素电路PC2和第二发光二极管的剖视图。为了描述的便利,图13示出了通过图12的第二透明导电总线CBL2和第一分支导电总线B-CBL1彼此电连接的第二子像素电路PC2和第一第二绿色发光二极管ED2g。
第二透明导电总线CBL2可电连接到第二子像素电路PC2。在这方面,图13示出了第二透明导电总线CBL2通过第五接触金属CM5和第六接触金属CM6电连接到第二子像素电路PC2的第六晶体管T6。
参照图12和图13,第二透明导电总线CBL2从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸,并且可电连接到第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2。
第二透明导电总线CBL2可布置在与第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2不同的层上。根据一些实施方式,如图13中所示,至少一个绝缘层(例如,第三有机绝缘层213)可布置在第二透明导电总线CBL2与第一分支导电总线B-CBL1之间。
第二透明导电总线CBL2和第一分支导电总线B-CBL1可通过第三有机绝缘层213的接触孔彼此电连接,并且第一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221可通过第四有机绝缘层214的接触孔电连接到第一分支导电总线B-CBL1。
图12的第二分支导电总线B-CBL2的结构可与第一分支导电总线B-CBL1的结构基本上相同。例如,图12的第二分支导电总线B-CBL2与第k第二绿色发光二极管ED2g的第一电极之间的电连接可与图13的第一分支导电总线B-CBL1和第一第二绿色发光二极管ED2g的第一电极221之间的电连接基本上相同。
图12的第二分支导电总线B-CBL2可布置在与第一分支导电总线B-CBL1相同的层(例如,第三有机绝缘层213)上,并且包括与第一分支导电总线B-CBL1相同的材料。根据一些实施方式,第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2可彼此一体地联接。
图14是示出根据一些实施方式的显示面板的通过透明导电总线和分支导电总线彼此电连接的第二子像素电路PC2和第二发光二极管的平面视图。根据图14中所示的实施方式,第一分支导电总线B-CBL1'和第二分支导电总线B-CBL2'的长度和宽度不同于根据图12中所示的实施方式的第一分支导电总线B-CBL1和第二分支导电总线B-CBL2的长度和宽度。由于其它配置基本上相同,因此以下将主要描述差异。
第一分支导电总线B-CBL1'和第二分支导电总线B-CBL2'的长度和宽度可彼此不同。例如,当第一分支导电总线B-CBL1'的长度和第二分支导电总线B-CBL2'的长度的偏差为约10%或更大时,第一分支导电总线B-CBL1'和第二分支导电总线B-CBL2'的宽度可不同。
例如,当第一分支导电总线B-CBL1'的长度大于第二分支导电总线B-CBL2'的长度时,第一分支导电总线B-CBL1'的宽度w1可大于第二分支导电总线B-CBL2'的宽度w2。因此,可减小通过第二透明导电总线CBL2、第一分支导电总线B-CBL1'和第二分支导电总线B-CBL2'从第二子像素电路PC2提供的电压的电压降,并且可减小第二绿色发光二极管ED2g之间的亮度偏差。
根据一些实施方式,可提供可充分确保包括透射区域的第二显示区域的透射率并且可相对均匀地保持图像质量而不受显示区域中的第二显示区域的位置的限制的、具有相对优异质量的显示面板和包括显示面板的电子装置。这样的特性仅为实例,并且根据本公开的实施方式的范围不受以上效果限制。
应理解的是,本文中描述的实施方式应仅被视为描述性意义,并且不出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似的特征或方面。虽然已参照图对一个或多个实施方式进行了描述,但本领域普通技术人员将理解的是,在不背离如由随附权利要求书以及其等同物限定的精神和范围的情况下,其中可进行形式和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种显示面板,具有第一显示区域、在所述第一显示区域内部并且包括透射区域的第二显示区域以及在所述第一显示区域与所述第二显示区域之间的第三显示区域,所述显示面板包括:
多个第一发光二极管,所述多个第一发光二极管在所述第一显示区域中;
多个第二发光二极管,所述多个第二发光二极管在所述第二显示区域中;
多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管在所述第三显示区域中;
多个子像素电路,所述多个子像素电路在所述第三显示区域中,并且电连接到所述多个第二发光二极管和所述多个第三发光二极管;以及
透明导电总线,所述透明导电总线电连接到来自所述多个子像素电路之中的一个子像素电路并且从所述第三显示区域朝向所述第二显示区域延伸,
其中,来自所述多个第二发光二极管之中的配置为发射第一颜色的光的k个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,其中k为偶数,并且
所述透明导电总线连接到连接线,其中所述连接线将来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k个第二发光二极管之中的第k/2第二发光二极管的所述第一电极和第k/2+1第二发光二极管的所述第一电极彼此连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k个第二发光二极管的所述多个第一电极中的每个包括多个子层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述连接线一体地联接到来自与所述连接线连接的所述第二发光二极管的所述多个子层之中的一个子层。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述连接线包括结晶的氧化铟锡。
5.根据权利要求1所述的显示面板,还包括:
至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层在所述透明导电总线与所述多个第二发光二极管的多个第一电极中的每个之间并且在所述透明导电总线与所述连接线之间,
其中,所述连接线通过所述至少一个绝缘层的接触孔电连接到所述透明导电总线。
6.一种显示面板,具有第一显示区域、在所述第一显示区域内部并且包括透射区域的第二显示区域以及在所述第一显示区域与所述第二显示区域之间的第三显示区域,所述显示面板包括:
多个第一发光二极管,所述多个第一发光二极管在所述第一显示区域中;
多个第二发光二极管,所述多个第二发光二极管在所述第二显示区域中;
多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管在所述第三显示区域中;
多个子像素电路,所述多个子像素电路在所述第三显示区域中,并且电连接到所述多个第二发光二极管和所述多个第三发光二极管;
透明导电总线,所述透明导电总线电连接到来自所述多个子像素电路之中的一个子像素电路,并且在第一方向上从所述第三显示区域朝向所述第二显示区域延伸;以及
第一分支透明导电总线和第二分支透明导电总线,所述第一分支透明导电总线和所述第二分支透明导电总线电连接到所述透明导电总线,
其中,来自所述多个第二发光二极管之中的配置为发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,其中k'为大于1的自然数,
所述第一分支透明导电总线电连接到来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第一第二发光二极管的所述第一电极,并且
所述第二分支透明导电总线电连接到来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第k'第二发光二极管的所述第一电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一分支透明导电总线和所述第二分支透明导电总线中的每个包括透明导电材料。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其中,配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管的所述多个第一电极中的每个包括多个子层。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其中,来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第i第二发光二极管的所述第一电极通过连接线电连接到来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第i+1第二发光二极管的所述第一电极,其中i为小于k'且大于0的自然数,并且
所述连接线一体地联接到来自与所述连接线连接的所述第二发光二极管的所述多个子层之中的一个子层。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述连接线包括结晶的氧化铟锡。
11.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述第一分支透明导电总线的长度大于所述第二分支透明导电总线的长度,并且所述第一分支透明导电总线的宽度大于所述第二分支透明导电总线的宽度。
12.根据权利要求6所述的显示面板,还包括:
至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层在所述第一分支透明导电总线和所述第二分支透明导电总线上方并且在所述多个第一电极下方,
其中,所述第一分支透明导电总线通过所述至少一个绝缘层的第一接触孔电连接到所述第一颜色的所述第一第二发光二极管的所述第一电极,并且
所述第二分支透明导电总线通过所述至少一个绝缘层的第二接触孔电连接到所述第一颜色的所述第k'第二发光二极管的所述第一电极。
13.一种电子装置,包括:
显示面板,所述显示面板包括第一显示区域、在所述第一显示区域内部的第二显示区域以及在所述第一显示区域与所述第二显示区域之间的第三显示区域;以及
部件,所述部件在所述显示面板下方,
其中,所述显示面板包括:
多个第一发光二极管,所述多个第一发光二极管在所述第一显示区域中;
多个第二发光二极管,所述多个第二发光二极管在包括透射区域的所述第二显示区域中;
多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管在所述第三显示区域中;
多个子像素电路,所述多个子像素电路布置在所述第三显示区域中,并且电连接到所述多个第二发光二极管和所述多个第三发光二极管;以及
透明导电总线,所述透明导电总线电连接到来自所述多个子像素电路之中的一个子像素电路并且从所述第三显示区域朝向所述第二显示区域延伸,
其中,来自所述多个第二发光二极管之中的配置为发射第一颜色的光的k个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,其中k为偶数,并且
所述透明导电总线连接到连接线,其中所述连接线将来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k个第二发光二极管之中的所述第一颜色的第k/2第二发光二极管的所述第一电极和所述第一颜色的第k/2+1第二发光二极管的所述第一电极彼此连接。
14.根据权利要求13所述的电子装置,其中,配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k个第二发光二极管的所述多个第一电极中的每个包括多个子层,并且所述连接线一体地联接到来自与所述连接线连接的所述第二发光二极管的所述多个子层之中的一个子层。
15.根据权利要求14所述的电子装置,其中,所述连接线包括结晶的氧化铟锡。
16.一种电子装置,包括:
显示面板,所述显示面板包括第一显示区域、在所述第一显示区域内部的第二显示区域以及在所述第一显示区域与所述第二显示区域之间的第三显示区域;以及
部件,所述部件在所述显示面板下方,
其中,所述显示面板包括:
多个第一发光二极管,所述多个第一发光二极管在所述第一显示区域中;
多个第二发光二极管,所述多个第二发光二极管在包括透射区域的所述第二显示区域中;
多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管在所述第三显示区域中;
多个子像素电路,所述多个子像素电路在所述第三显示区域中,并且电连接到所述多个第二发光二极管和所述多个第三发光二极管;
透明导电总线,所述透明导电总线电连接到来自所述多个子像素电路之中的一个子像素电路,并且在第一方向上从所述第三显示区域朝向所述第二显示区域延伸;以及
第一分支透明导电总线和第二分支透明导电总线,所述第一分支透明导电总线和所述第二分支透明导电总线连接到所述透明导电总线,
其中,来自所述多个第二发光二极管之中的配置为发射第一颜色的光的k'个第二发光二极管的多个第一电极彼此电连接,其中k'为大于1的自然数,
所述第一分支透明导电总线电连接到来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第一第二发光二极管的所述第一电极,并且
所述第二分支透明导电总线电连接到来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第k'第二发光二极管的所述第一电极。
17.根据权利要求16所述的电子装置,其中,所述第一分支透明导电总线和所述第二分支透明导电总线中的每个包括透明导电材料。
18.根据权利要求16所述的电子装置,其中,来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第i第二发光二极管的所述第一电极通过连接线电连接到来自配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管之中的第i+1第二发光二极管的所述第一电极,其中i为小于k'且大于0的自然数,
配置为发射所述第一颜色的所述光的所述k'个第二发光二极管的所述多个第一电极中的每个包括多个子层,并且
所述连接线一体地联接到来自与所述连接线连接的所述第二发光二极管的所述多个子层之中的一个子层。
19.根据权利要求16所述的电子装置,其中,所述第一分支透明导电总线的长度大于所述第二分支透明导电总线的长度,并且所述第一分支透明导电总线的宽度大于所述第二分支透明导电总线的宽度。
20.根据权利要求16所述的电子装置,其中,所述部件包括传感器或相机。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220102506A KR20240025086A (ko) | 2022-08-17 | 2022-08-17 | 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기 |
KR10-2022-0102506 | 2022-08-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117596931A true CN117596931A (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=89906532
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322112539.3U Active CN220798943U (zh) | 2022-08-17 | 2023-08-07 | 显示面板和电子装置 |
CN202310989280.2A Pending CN117596931A (zh) | 2022-08-17 | 2023-08-07 | 显示面板和电子装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202322112539.3U Active CN220798943U (zh) | 2022-08-17 | 2023-08-07 | 显示面板和电子装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240065059A1 (zh) |
KR (1) | KR20240025086A (zh) |
CN (2) | CN220798943U (zh) |
-
2022
- 2022-08-17 KR KR1020220102506A patent/KR20240025086A/ko unknown
-
2023
- 2023-08-07 CN CN202322112539.3U patent/CN220798943U/zh active Active
- 2023-08-07 CN CN202310989280.2A patent/CN117596931A/zh active Pending
- 2023-08-09 US US18/447,047 patent/US20240065059A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240065059A1 (en) | 2024-02-22 |
KR20240025086A (ko) | 2024-02-27 |
CN220798943U (zh) | 2024-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11393893B2 (en) | Display device | |
CN111668260A (zh) | 显示面板 | |
KR20220060022A (ko) | 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기 | |
KR20210099706A (ko) | 화소 및 표시장치 | |
US11678537B2 (en) | Display apparatus | |
CN220798943U (zh) | 显示面板和电子装置 | |
CN115132791A (zh) | 显示装置 | |
CN113053946A (zh) | 显示装置 | |
US20240079389A1 (en) | Display panel and electronic apparatus including the same | |
US20230413622A1 (en) | Display panel and electronic apparatus including the same | |
CN117202701A (zh) | 显示面板和电子装置 | |
US20240130184A1 (en) | Display panel and electronic apparatus | |
US11651734B2 (en) | Display panel and display apparatus including the same | |
US20220208924A1 (en) | Display device | |
CN218353027U (zh) | 显示设备 | |
US20230232676A1 (en) | Display apparatus | |
EP4322725A1 (en) | Display panel and electronic device including the same | |
US20230108100A1 (en) | Display panel and electric apparatus | |
US20230386405A1 (en) | Display apparatus | |
US20230380231A1 (en) | Display apparatus | |
KR20240051396A (ko) | 표시 패널 및 전자 기기 | |
KR20230000509A (ko) | 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기 | |
CN113948557A (zh) | 具有透射区域的显示装置 | |
CN117156893A (zh) | 显示装置和包括显示装置的电子装置 | |
CN116648096A (zh) | 显示设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |