CN117590693A - 一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用 - Google Patents
一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117590693A CN117590693A CN202311691159.8A CN202311691159A CN117590693A CN 117590693 A CN117590693 A CN 117590693A CN 202311691159 A CN202311691159 A CN 202311691159A CN 117590693 A CN117590693 A CN 117590693A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photon
- refractive index
- high refractive
- monomer
- photoresist composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N bumetrizole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(N2N=C3C=C(Cl)C=CC3=N2)=C1O OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N Tert-Butylhydroquinone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=CC=C1O BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004250 tert-Butylhydroquinone Substances 0.000 claims description 4
- 235000019281 tert-butylhydroquinone Nutrition 0.000 claims description 4
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=C(C)C=C1 PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N ac1mi23b Chemical compound C1C2C3C(COC(=O)C=C)CCC3C1C(COC(=O)C=C)C2 VEBCLRKUSAGCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RSOILICUEWXSLA-UHFFFAOYSA-N bis(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound C1C(C)(C)N(C)C(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)N(C)C(C)(C)C1 RSOILICUEWXSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UJRDRFZCRQNLJM-UHFFFAOYSA-N methyl 3-[3-(benzotriazol-2-yl)-5-tert-butyl-4-hydroxyphenyl]propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CCC(=O)OC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O UJRDRFZCRQNLJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FXIVKZGDYRLHKF-UHFFFAOYSA-N C(C)OP(OC(C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=O)(=O)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C(C)OP(OC(C1=C(C=C(C=C1C)C)C)=O)(=O)C1=CC=CC=C1 FXIVKZGDYRLHKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- WDHYRUBXLGOLKR-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OP(O)(O)=O WDHYRUBXLGOLKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N toluquinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC=C1O CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VTLHIRNKQSFSJS-UHFFFAOYSA-N [3-(3-sulfanylbutanoyloxy)-2,2-bis(3-sulfanylbutanoyloxymethyl)propyl] 3-sulfanylbutanoate Chemical compound CC(S)CC(=O)OCC(COC(=O)CC(C)S)(COC(=O)CC(C)S)COC(=O)CC(C)S VTLHIRNKQSFSJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 abstract description 26
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 8
- 210000000940 dendritic epidermal T lymphocyte Anatomy 0.000 description 7
- LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N diethyldithiocarbamic acid Chemical compound CCN(CC)C(S)=S LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N methyl-cyclopentane Natural products CC1CCCC1 GDOPTJXRTPNYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- -1 micro-lenses Substances 0.000 description 4
- 101000720524 Gordonia sp. (strain TY-5) Acetone monooxygenase (methyl acetate-forming) Proteins 0.000 description 3
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 3
- OXBLVCZKDOZZOJ-UHFFFAOYSA-N 2,3-Dihydrothiophene Chemical compound C1CC=CS1 OXBLVCZKDOZZOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIJYFLXQHDOQGW-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4,6-trioxo-3,5-bis(2-prop-2-enoyloxyethyl)-1,3,5-triazinan-1-yl]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCN1C(=O)N(CCOC(=O)C=C)C(=O)N(CCOC(=O)C=C)C1=O YIJYFLXQHDOQGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000175 2-thienyl group Chemical group S1C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- RQPNXPWEGVCPCX-UHFFFAOYSA-N 3-sulfanylbutanoic acid Chemical compound CC(S)CC(O)=O RQPNXPWEGVCPCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-prop-2-enoyloxyphenyl)propan-2-yl]phenyl] prop-2-enoate Chemical compound C=1C=C(OC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 FHLPGTXWCFQMIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine Substances CC1(C)CCCC(C)(C)N1 RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- ZDHCZVWCTKTBRY-UHFFFAOYSA-N omega-Hydroxydodecanoic acid Natural products OCCCCCCCCCCCC(O)=O ZDHCZVWCTKTBRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用，属于高分子化学材料技术领域。本发明通过将双光子光引发剂、高折射率单体与活性单体混合，再选择混合光固化树脂、添加剂和阻聚剂的方法制备；采用引入高折射率单体解决双光子光刻胶与直写系统折射率不匹配导致的焦斑质量降低的问题，实现光刻胶的折射率可调，从而提高加工精度。本发明还通过引入具有低黄变的双光子光引发剂和具有抗老化效果的添加剂，从而得到具有低黄变的高折射率飞秒激光直写双光子光刻胶，应用于复杂微纳结构、微透镜、光子晶体等诸多基于双光子直写的光学器件的微纳制造。
Description
技术领域
本发明涉及高分子化学材料技术领域，更具体地说，涉及一种低黄变的高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶组合物及制备方法与应用。
背景技术
飞秒激光直写是一种利用光刻胶对飞秒激光的双光子非线性吸收效应实现在光刻胶内部直接刻写的技术，是一种无需真空环境、非接触，通过改变激光焦点大小和位置实现三维纳米尺度分辨率和任意结构设计的无掩膜版加工技术，具有真三维、复杂结构和器件的加工制造能力，在微透镜、光子晶体、微机电系统等域具有广阔的应用前景。
由于飞秒激光直写过程发生在激光聚焦的非线性吸收体积内，这种聚合方式具有非常高的局部化效应，所以激光焦点尺寸和质量对刻写精度及分辨率同样具有非常重要的影响。然而，普通的光刻胶折射率通常在1.4-1.5左右，而直写光学系统的折射率一般为1.5-1.6，甚至更高。由于折射率的差异将导致激光焦点投射进入光刻胶内部后发生焦斑失真，最终导致刻写精度变低，图案粗糙度变大。为了解决该问题，引入高折射率化合物可调节光刻胶的折射率与直写系统匹配，成为一个可行的解决方案。
对此，有专利号为CN1394900、CN102061079A的专利公开了采用修饰后的ZnS填料提高材料折射率的方法，但该法对非均相体系中的填料的粒径尺寸和均匀性要求较高，且容易引起激光散射问题。又有专利号为CN112051710A的专利公开了一种采用具有高折射率的硫醇单体调节体系对上述问题进行改善的方法，但该法存在配方储存稳定性较差的问题。
此外，高折射率配方在双光子飞秒激光直写光学微纳加工领域也有广泛的应用，但现有技术中使用的双光子光引发剂由于含有较大的共轭结构，致使配方颜色明显，且老化过程中的黄变现象明显，这使得高折射率配方在该领域的发展受到了一定的限制。
因此，针对以上问题，亟需研发一种低黄变的高折射率飞秒激光直写双光子光刻胶组合物，该组合物包含稳定剂优异的高折射率的单体，可以调节光刻胶的折射率与直写系统匹配，同时改善配方的黄变问题，使该光刻胶组合物能够更好地应用于复杂微纳结构、微透镜、光子晶体等基于双光子刻写制备微纳光学器件的领域中。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题，本发明的第一目的在于提供一种具有低黄变的高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶组合物，通过将双光子光引发剂、高折射率单体与活性单体混合，再混合或不混合光固化树脂，以及添加剂和阻聚剂的方法制备；本发明第二目的在于提供该光刻胶组合物的制备方法，通过采用引入高折射率单体解决双光子光刻胶与直写系统折射率不匹配导致的焦斑质量降低的问题，并通过引入具有低黄变的双光子引发剂和具有抗老化效果的添加剂，解决老化过程中产生黄变现象的问题；本发明第三目的在于提供该光刻胶组合物的应用，本发明提供的光刻胶组合物应用于复杂微纳结构、微透镜、光子晶体等基于双光子刻写制备微纳光学器件的领域中。
2.技术方案
为解决上述问题，本发明采取如下的技术方案。
一种高折射率双光子光刻胶组合物，由活性单体、高折射率单体、双光子光引发剂、添加剂和阻聚剂组成；按重量百分比计算，包括50-95％的高折射率单体、0.1-4％的双光子光引发剂、0.5-3％的添加剂和0.01-1％的阻聚剂，其余为活性单体；
或者按重量百分比计算，包括1-35％的活性单体、50-95％的高折射率单体、0.1-4％的双光子光引发剂、0.5-3％的添加剂和0.01-1％的阻聚剂，其余为光固化树脂；
其中，活性单体选自季戊四醇三丙烯酸酯(简称：PETA)、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(简称：TCDDA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(简称：TMPTA)、1，6-己二醇二丙烯酸酯(简称：HDDA)、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(简称：TMP(EO)nA)、丙烯酰吗啉(简称：ACMO)、3(乙氧基)双酚A二丙烯酸酯(简称：BPA(EO)3DA)、三(2-羟乙基)异氰尿酸三丙烯酸酯(简称：THEICTA)和四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯(简称：PE1)中的至少一种。
进一步的，活性单体选自季戊四醇三丙烯酸酯(简称：PETA)、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(简称：TCDDA)、丙烯酰吗啉(简称：ACMO)、3(乙氧基)双酚A二丙烯酸酯(简称：BPA(EO)3DA)、四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯(简称：PE1)和三(2-羟乙基)异氰尿酸三丙烯酸酯(简称：THEICTA)中的至少一种。
进一步的，高折射率单体选自式(1-1)至式(1-14)和乙氧化双酚芴二丙烯酸酯(简称：BPEFDA)中的至少一种，式(1-1)至式(1-15)的分子结构如下所示：
其中，R1-R15各自独立地代表氢原子或甲基。
进一步的，高折射率单体选自乙氧化双酚芴二丙烯酸酯(简称：BPEFD A)、式(1-2)、式(1-4)、式(1-5)、式(1-10)和式(1-12)中的至少一种。
进一步的，双光子光引发剂选自式(2-1)、式(2-2)、2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦(简称：TPO)、2，4，6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯(简称：TPO-L)、苯基双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)氧化膦(简称：光引发剂819)、2-(4-甲基苄基)-2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-1-丁酮(简称：光引发剂379)和7-二乙基氨-3-(2-噻吩基)香豆素(简称：DETC)中的至少一种；
其中式(2-1)和式(2-2)的分子结构如下所示：
进一步的，双光子光引发剂选自7-二乙基氨-3-(2-噻吩基)香豆素(简称：DETC)、2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦(简称：TPO)、式(2-1)和式(2-2)中的至少一种。
进一步的，光固化树脂选自聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和磷酸酯丙烯酸酯中的至少一种。
进一步的，光固化树脂选自芳香族聚氨酯丙烯酸酯、脂肪族聚氨酯丙烯酸酯和环氧丙烯酸酯中的至少一种。
进一步的，所述添加剂为抗老化剂，抗老化剂选自Tinuvin 326、Tinuvin 292和Tinuvin 1130中的一种或多种。
进一步的，所述阻聚剂选自对羟基苯甲醚、对苯二酚、2，5-二羟基甲苯、2，6-二叔丁基对甲基苯酚、叔丁基对苯二酚和2，2，6，6-四甲基哌啶氧化物(简称：TEMPO)中的一种或多种。
进一步的，所述阻聚剂选自2，6-二叔丁基对甲基苯酚、叔丁基对苯二酚和2，2，6，6-四甲基哌啶氧化物(简称：TEMPO)中的一种或多种。
根据一种高折射率双光子光刻胶组合物，一种高折射率双光子光刻胶组合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一，在黄光室内，将双光子光引发剂、高折射率单体与活性单体混合搅拌，使双光子光引发剂、高折射率单体溶于活性单体中，得混合物；
步骤二，将步骤一中所得混合物与光固化树脂、添加剂和阻聚剂混合搅拌，使用孔径为0.1-0.45μm的滤膜过滤除杂，得到双光子光刻胶组合物。
进一步的，所述步骤一中的搅拌速度为500-2500r/min，搅拌时间为20-40min。
进一步的，所述步骤二中的搅拌速度为1000-3000r/min，搅拌时间为5-20min。
根据一种高折射率双光子光刻胶组合物，一种高折射率双光子光刻胶组合物的应用，用于基于双光子直写的光学器件的微纳制造。
进一步的，用于复杂微纳结构、微透镜和光子晶体的微纳制造。
3.有益效果
相比于现有技术，本发明的优点在于：
(1)本发明提供的一种低黄变的高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶组合物，采用引入高折射率单体解决双光子光刻胶与直写系统折射率不匹配导致的焦斑质量降低的问题，极大地改善激光焦斑质量，从而提高刻写精度。
(2)本发明提供的一种低黄变的高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶组合物，采用具有低黄变的双光子光引发剂，并引入抗老化剂，可降低配方颜色并改善老化过程中的黄变问题。
(3)本发明供的高折射率配方为均相体系，在室温下具有较好的储存稳定性，特别适用于复杂微纳结构、微透镜、光子晶体等诸多基于双光子直写的光学器件的微纳制造。
附图说明
图1为本发明实施例1中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的线条电镜图；
图2为对比例1中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的线条电镜图；
图3为本发明实施例2中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的线条电镜图；
图4为本发明实施例2中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的线条电镜图局部；
图5为本发明实施例2中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的3D微结构电镜图；
图6为本发明实施例2中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的3D微结构示意电镜图；
图7为本发明实施例3中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的3D微结构电镜图；
图8为本发明实施例4中的光刻胶经飞秒激光光刻实验得到的3D微结构电镜图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
实施例1：
在黄光室内，将0.1wt％的DETC作为双光子光引发剂，50wt％的BPEFD A作为高折射率单体，5wt％的ACMO、16.85wt％的BPA(EO)3DA和2wt％的PE1作为活性单体，在500r/min下混合搅拌40min；然后加入25wt％的芳香族聚氨酯丙烯酸酯(RY2154)作为光固化树脂，1wt％的抗老化剂Tinuvin326作为添加剂，0.05wt％的TEMPO作为阻聚剂，在3000r/min下混合搅拌5min，然后用孔径为0.45μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
实施例2：
在黄光室内，将4wt％的TPO作为双光子光引发剂，5wt％的BPEFDA、22.95wt％的式(1-5)、15wt％的式(1-4)和45wt％的式(1-12)作为高折射率单体，2wt％的PE1作为活性单体，在2500r/min下混合搅拌20min；然后加入1wt％的抗老化剂Tinuvin326作为添加剂，0.05wt％的TEMPO作为阻聚剂，在3000r/min下混合搅拌20min，然后用孔径为0.1μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
实施例3：
在黄光室内，将4wt％的式(2-1)作为双光子光引发剂，50wt％的式(1-2)作为高折射率单体，20wt％的TCDDA、2.99wt％的BPA(EO)3DA、2wt％的PE1和10wt％的THEICTA作为活性单体，在2000r/min下混合搅拌40min；然后加入10wt％的环氧丙烯酸酯(RY1101)作为光固化树脂，1wt％的抗老化剂Tinuvin1130作为添加剂，0.01wt％的叔丁基对苯二酚作为阻聚剂，在2500r/min下混合搅拌20min，然后用孔径为0.22μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
实施例4：
在黄光室内，将4wt％的式(2-2)作为双光子光引发剂，10wt％的式(1-2)和40wt％的式(1-10)作为高折射率单体，27wt％的PETA、2wt％的PE1和5wt％的THEICTA作为活性单体，在1000r/min下混合搅拌30min；然后加入10wt％的脂肪族聚氨酯丙烯酸酯(UV30993)作为光固化树脂，1wt％的抗老化剂Tinuvin292作为添加剂，1wt％的2，6-二叔丁基对甲基苯酚作为阻聚剂，在2500r/min下混合搅拌10min，然后用孔径为0.45μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
对比例1：
在黄光室内，将0.1wt％的DETC作为双光子光引发剂，20wt％的TCDDA、7.85wt％的BPA(EO)3DA、2wt％的PE1和10wt％的THEICTA作为活性单体，在500r/min下混合搅拌40min；然后加入20wt％的芳香族聚氨酯丙烯酸酯(RY2154)、20wt％的脂肪族聚氨酯丙烯酸酯(UV30993)和20wt％的环氧丙烯酸酯(RY1101)作为光固化树脂，0.05wt％的TEMPO作为阻聚剂，在3000r/min下混合搅拌5min，然后用孔径为0.45μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
对比例2：
在黄光室内，将0.1wt％的DETC作为双光子光引发剂，41wt％的BPEFD A和56.85wt％的2，3-二硫代(2-巯基)-1-丙烷硫醇作为高折射率单体，2wt％的PE1作为活性单体，在2500r/min下混合搅拌20min；然后加入0.05wt％的TEMPO作为阻聚剂，在3000r/min下混合搅拌20min，然后用孔径为0.1μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
对比例3：
在黄光室内，将4wt％的式(2-1)作为双光子光引发剂，20wt％的TCD DA、3.95wt％的BPA(EO)3DA、2wt％的PE1和10wt％的THEICTA作为活性单体，在2000r/min下混合搅拌40min；然后加入20wt％的芳香族聚氨酯丙烯酸酯(RY2154)、20wt％的脂肪族聚氨酯丙烯酸酯(UV30993)和20wt％的环氧丙烯酸酯(RY1101)作为光固化树脂，0.05wt％的TEMPO作为阻聚剂，在2500r/min下混合搅拌20min，然后用孔径为0.22μm的滤膜过滤除杂得到高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶。
将实施例1-4中分别采用不同配方比例的双光子光引发剂、高折射率单体、活性单体、光固化树脂、添加剂和阻聚剂制得的双光子光刻胶，与对比例1-3中制得的双光子光刻胶的配方比例制表，得配方组分表1(单位：wt％)：
表1：配方组分(单位：wt％)
测试1：对实施例1-4、对比例1-3所得的双光子光刻胶进行折射率测试。
将实施例1-4和对比例1-3所得的不同光刻胶液体均匀滴在在折射仪的测试棱镜上，控制设备温度在25℃，通过仪器放大镜观察，微调转轴，将镜头的直线对准所观察对象的明暗交界处，读取样品的折射率，多次测量后计算取平均值。
测试2：对实施例1-4、对比例1-3所得的双光子光刻胶进行热储稳定性测试。
将实施例1-4和对比例1-3所得的不同双光子光刻胶放置于10mL玻璃瓶中，添加至玻璃瓶容量的80％左右，放置于50℃的烘箱中，观察光刻胶随热储时间变化是否出现析出、沉淀、凝胶等现象。
将实施例1-4、对比例1-3测得的折射率和热储稳定性结果制表，得折射率和热储稳定性测试结果表2：
| 编号 | 折射率 | 60℃热储稳定性 |
| 实施例1 | 1.57 | 15天正常 |
| 实施例2 | 1.63 | 10天正常 |
| 实施例3 | 1.52 | 15天正常 |
| 实施例4 | 1.55 | 15天正常 |
| 对比例1 | 1.52 | 15天正常 |
| 对比例2 | 1.62 | 3天凝胶 |
| 对比例3 | 1.52 | 15天正常 |
表2：折射率和热储稳定性结果
由表2可知，本发明中所提供的高折射率飞秒激光快速直写双光子光刻胶，通过引入高折射率单体可以实现1.52-1.63的双光子光刻胶折射率调节范围，最高折射率可达1.63；同时本发明所提供的配方在60℃下测试热储稳定性显示，本发明所提供的配方在60℃下储存10天粘度无增粘现象；相比通过硫醇烯体系实现高折射率的对比例2，在热储稳定性测试中出现了3天凝胶的现象，现有技术中引入硫醇烯体系的高折射率单体在提高折射率的同时会影响光刻胶的储存稳定性，而本发明所提供的双光子光刻胶则具备更为优秀的储存稳定性。
测试3：对实施例1-4、对比例1-3所得的双光子光刻胶进行黄变测试。
将实施例1-4和对比例1-3所得的不同光刻胶滴加到玻璃片上，旋涂控制胶层厚度20μm左右，然后置于RW-UVA201-20型汞灯固化机上以8m/min的速度，光强为220mW/cm2的固化条件下曝光不同次数，通过DR100型号色差仪检测胶层经过曝光不同次数的黄变数据。
将实施例1-4、对比例1、3测得的黄变结果制表，得黄变测试结果表3：
| 黄变(Δb) | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 对比例1 | 对比例3 |
| 辐照0次 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 辐照10次 | 2.15 | 1.43 | 1.85 | 1.80 | 2.85 | 1.99 |
| 辐照20次 | 3.61 | 1.66 | 2.31 | 2.15 | 4.31 | 2.61 |
| 辐照30次 | 4.73 | 1.85 | 2.95 | 2.74 | 5.13 | 3.28 |
| 辐照40次 | 5.96 | 2.16 | 3.12 | 2.93 | 6.33 | 3.69 |
表3：黄变测试结果
由表3可知，因双光子聚合中常用的DETC双光子光引发剂颜色较深，故不利于在黄变要求高的光学微纳加工中使用。本发明通过汞灯辐照黄变测试发现，实施例2-4采用TPO、式(2-1)和式(2-2)的双光子光引发剂制备的双光子光刻胶，相比采用DETC的对比例1，黄变明显降低；而将实施例1与对比例1进行对比，实施例1中采用了抗老化剂Tinuvin326作为添加剂，故在采用TPO、式(2-1)和式(2-2)等双光子光引发剂制备光刻胶时，加入抗老化剂作为添加剂可进一步降低涂层黄变。
实验1：对实施例1-4、对比例1所得的双光子光刻胶进行飞秒激光光刻实验。
将实施例1-4、对比例1所得的光刻胶滴加到石英玻璃片上，利用780nm波长的飞秒激光对光刻胶进行曝光，飞秒激光脉冲100fs，激光频率80MHz，采用不同扫描速度和飞秒激光功率进行曝光。然后在室温下，利用丙二醇甲醚醋酸酯浸泡飞秒激光刻写后的光刻胶10min，再用异丙醇浸泡2min，干燥即可得到不同刻写形状的图案，如图1-图8所示。
实施例1的光刻胶折射率为1.57，与实验1中使用的光刻设备的飞秒激光系统折射率匹配性最佳。如图1所示，实施例1中光刻胶所获得的光刻线条刻写精度达到了228.5nm，与如图2所示的对比例1相比，刻写线条精度明显改善，故引入高折射率单体来提高配方折射率能够更好地匹配飞秒激光系统折射率，提升焦斑质量，从而提高刻写精度。
实施例2的光刻胶折射率为1.63，如图3、图4所示，在780nm的飞秒激光下具有较好的双光子刻写效果。如图5-8所示，本发明还进一步研究了实施例2-4中光刻胶的三维双光子刻写效果，结果显示，本发明提高的高折射率飞秒激光直写双光子光刻胶刻写的三维结构形状完好保持。
综上所述，本发明提供的低黄变的高折射率飞秒激光直写双光子光刻胶组合物，首先通过引入高折射率单体，对配方进行调节，使其与飞秒激光直写系统折射率相匹配(折射率最高可达1.63)，从而获得均匀性好的图案形貌；接着通过采用具有低黄变的双光子光引发剂，并引入作为添加剂的抗老化剂，可显著降低配方颜色并改善老化过程中的黄变问题；同时，本发明所提供的光刻胶具有良好的储存稳定性，故本发明所提供的光刻胶在复杂微纳结构、微透镜、光子晶体等基于双光子刻写制备微纳光学器件的领域中具有巨大的应用前景。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (10)
1.一种高折射率双光子光刻胶组合物，其特征在于：按重量百分比计算，包括50-95％的高折射率单体、0.1_4％的双光子光引发剂、0.5-3％的添加剂和0.01-1％的阻聚剂，其余为活性单体；
或者按重量百分比计算，包括1-35％的活性单体、50-95％的高折射率单体、0.1-4％的双光子光引发剂、0.5-3％的添加剂和0.01-1％的阻聚剂，其余为光固化树脂；
其中，活性单体选自季戊四醇三丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、丙烯酰吗啉和四(3-巯基丁酸)季戊四醇酯中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物，其特征在于：高折射率单体选自式(1-1)至式(1-15)中的至少一种，式(1-1)至式(1-15)的分子结构如下所示：
其中，R1-R15各自独立地代表氢原子或甲基。
3.根据权利要求1所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物，其特征在于：双光子光引发剂选自式(2-1)、式(2-2)、2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、2，4，6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、苯基双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)氧化膦和2-(4-甲基苄基)-2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-1-丁酮中的至少一种；
其中式(2-1)和式(2-2)的分子结构如下所示：
4.根据权利要求1所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物，其特征在于：光固化树脂选自聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和磷酸酯丙烯酸酯中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物，其特征在于：所述添加剂为抗老化剂，抗老化剂选自Tinuvin 326、Tinuvin 292和Tinuvin 1130中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物，其特征在于：所述阻聚剂选自对羟基苯甲醚、对苯二酚、2，5-二羟基甲苯、2，6-二叔丁基对甲基苯酚、叔丁基对苯二酚和2，2，6，6-四甲基哌啶氧化物中的一种或多种。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一，在黄光室内，将双光子光引发剂、高折射率单体与活性单体混合搅拌，使双光子光引发剂、高折射率单体溶于活性单体中，得混合物；
步骤二，将步骤一中所得混合物与光固化树脂、添加剂和阻聚剂混合搅拌，使用孔径为0.1-0.45μm的滤膜过滤除杂，得到双光子光刻胶组合物。
8.根据权利要求7所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的搅拌速度为500-2500r/min，搅拌时间为20-40min。
9.根据权利要求7所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的搅拌速度为1000-3000r/min，搅拌时间为5-20min。
10.根据权利要求1-6任意一项所述的一种高折射率双光子光刻胶组合物的应用，其特征在于：用于基于双光子直写的光学器件的微纳制造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311691159.8A CN117590693A (zh) | 2023-12-08 | 2023-12-08 | 一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311691159.8A CN117590693A (zh) | 2023-12-08 | 2023-12-08 | 一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117590693A true CN117590693A (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=89911442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311691159.8A Pending CN117590693A (zh) | 2023-12-08 | 2023-12-08 | 一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117590693A (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050173683A1 (en) * | 2001-03-30 | 2005-08-11 | The Ariz Bd Of Regents On Behalf Of The Univ Of Az | Materials, methods, and uses for photochemical generation of acids and/or radical species |
| CN117130223A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-11-28 | 复旦大学 | 一种高折射率的双光子3d打印用光刻胶、制备方法及应用 |
-
2023
- 2023-12-08 CN CN202311691159.8A patent/CN117590693A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050173683A1 (en) * | 2001-03-30 | 2005-08-11 | The Ariz Bd Of Regents On Behalf Of The Univ Of Az | Materials, methods, and uses for photochemical generation of acids and/or radical species |
| CN117130223A (zh) * | 2023-08-10 | 2023-11-28 | 复旦大学 | 一种高折射率的双光子3d打印用光刻胶、制备方法及应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100991928B1 (ko) | 실리콘 수지 조성물 및 성형체 | |
| CN107325237B (zh) | 一种自由基-阳离子混杂型光固化体系及其应用 | |
| US6335149B1 (en) | High performance acrylate materials for optical interconnects | |
| KR101047703B1 (ko) | 착색 감광성 수지 조성물 및 컬러필터 | |
| US20090324831A1 (en) | Curable resin composition and process for producing cured coating using the same | |
| KR20100127800A (ko) | (메트)아크릴레이트 화합물, 이것을 사용한 경화성 조성물, 광 나노 임프린트용 조성물, 그리고 이들 경화성 조성물의 경화물 및 그 제조 방법 | |
| CN111132963A (zh) | 化合物、组合物、固化物及固化物的制造方法 | |
| US20020094485A1 (en) | Colored photosensitive composition | |
| CN112051710A (zh) | 一种基于巯基烯光点击聚合高折射率飞秒激光光刻胶 | |
| KR20120138678A (ko) | 지환식 에폭시기 함유 경화성 수지 조성물, 그의 제조 방법 및 그의 경화물 | |
| KR102094372B1 (ko) | 알칼리 가용성 수지, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 컬러필터 | |
| KR20110026398A (ko) | 임프린트용 경화성 조성물, 경화물 및 경화물의 제조 방법 | |
| CN117590693A (zh) | 一种高折射率双光子光刻胶组合物及其制备方法、应用 | |
| CN110506235B (zh) | 蓝色感光性树脂组合物、利用其制造的滤色器及图像显示装置 | |
| KR20140055575A (ko) | 착색 감광성 수지 조성물, 컬러필터 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| KR101437158B1 (ko) | 컬러필터용 착색 감광성 수지 조성물, 컬러필터 및 이를 구비한 액정표시장치 | |
| KR20210131560A (ko) | 경화성 수지 조성물, 패턴 및 화상표시장치 | |
| KR101535676B1 (ko) | 착색 감광성 수지 조성물, 컬러필터 및 이를 구비한 액정표시장치 | |
| KR100741297B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 | |
| TWI808703B (zh) | 光敏疊層以及使用其製備電路板之方法 | |
| WO2017195548A1 (ja) | ナノインプリント用光硬化性組成物、及び光学部品の製造方法 | |
| TW202248240A (zh) | 光敏疊層以及使用其製備電路板之方法 | |
| JP2011140611A (ja) | エンボス加工用光硬化性組成物および硬化物 | |
| CN116449648A (zh) | 一种具有高精度和低表面粗糙度的飞秒激光直写光刻胶及其应用 | |
| TW202248241A (zh) | 光敏疊層以及使用其製備電路板之方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |