CN117581479A - 滤波器装置及多工器 - Google Patents

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CN117581479A CN202280045558.4A CN202280045558A CN117581479A CN 117581479 A CN117581479 A CN 117581479A CN 202280045558 A CN202280045558 A CN 202280045558A CN 117581479 A CN117581479 A CN 117581479A
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奥出贵之
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Abstract

提供能够在宽频带中对信号进行滤波的小型的滤波器装置。滤波器装置(10)具备:压电基板(201);电介质层(202),设置在压电基板(201)上;IDT电极(203),设置在电介质层(202)上;IDT电极(205),在沿着压电基板(201)的主面的弹性波传播方向(P)上与IDT电极(203)排列地设置于在压电基板(201)上未设置电介质层(202)的区域上;反射器(2041),在IDT电极(205)侧与IDT电极(203)相邻地设置在电介质层(202)上;以及反射器(2061),在IDT电极(203)侧与IDT电极(205)相邻地直接设置在压电基板(201)上,电介质层(202)具有端部(2021),在从压电基板(201)与电介质层(202)的层叠方向观察的俯视下,该端部(2021)位于反射器(2041)与反射器(2061)之间。

Description

滤波器装置及多工器
技术领域
本发明涉及滤波器装置及多工器。
背景技术
存在一种滤波器装置,该滤波器装置具有利用声表面波(Surface AcousticWave:SAW)对信号进行滤波的声表面波元件(SAW谐振器)。滤波器装置被要求宽频带的频带特性以及尺寸小。在专利文献1中,示出一种通过减小SAW谐振器的反谐振频率与谐振频率之差而能够实现滤波器装置的小型化的SAW谐振器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005-260909号公报
发明内容
发明要解决的问题
根据专利文献1所记载的SAW谐振器,当能够实现滤波器装置的小型化时,滤波器装置的SAW谐振器间的间隔变小。通过将SAW谐振器彼此设置在接近的位置,从而从一个SAW谐振器泄漏的声表面波有时到达在声表面波传播方向上设置的另一个SAW谐振器。
到达另一个SAW谐振器的声表面波使该SAW谐振器的频率特性变化。通过频率特性发生变化,具有该SAW谐振器的滤波器装置的通带有时变窄。
本发明是鉴于这样的情况而完成的,其目的在于,提供一种能够在宽频带中对信号进行滤波的小型的滤波器装置。
用于解决问题的手段
本发明的一方面的滤波器装置具备:压电基板;电介质层,其设置在压电基板上;第一IDT电极,其设置在电介质层上;第二IDT电极,其在沿着压电基板的主面的第一方向上与第一IDT电极排列地设置于在压电基板上未设置电介质层的区域上;第一反射器,其在第二IDT电极侧与第一IDT电极相邻地设置在电介质层上;以及第二反射器,其在第一IDT电极侧与第二IDT电极相邻地设置于在压电基板上未设置电介质层的区域上,电介质层具有端部,在从压电基板与电介质层的层叠方向观察的俯视下,该端部位于第一反射器与第二反射器之间。
发明效果
根据本发明,能够提供能够在宽频带中对信号进行滤波的小型的滤波器装置。
附图说明
图1是第一实施方式的滤波器装置的电路图。
图2是用于说明第一实施方式的滤波器的布局图。
图3是图2的III-III剖面中的剖视图。
图4是第一实施方式的滤波器装置的布局图。
图5是第二实施方式的滤波器装置的电路图。
图6是用于说明第三实施方式的滤波器的布局图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式详细进行说明。需要说明的是,针对相同的要素标注相同的标记,尽量省略重复的说明。
对第一实施方式进行说明。图1示出第一实施方式的滤波器装置10的电路图。滤波器装置10具有谐振器101、102、103、104、105、106、107、108。滤波器装置10具有将输入端子1001(第一端子或第三端子)与输出端子1002(第二端子或第四端子)连接的线路P1(第一线路或第三线路)。
谐振器101、103、105、108串联连接地设置于线路P1。滤波器装置10具有从线路P1(第一线路)分支并将线路P1与接地连接的线路P21(第二线路)。谐振器102设置于线路P21。滤波器装置10具有从线路P1(第三线路)分支并将线路P1与接地连接的线路P22(第四线路)。谐振器108设置于线路P22。另外,谐振器104、106分别设置在线路P1与接地之间。
滤波器装置10是将向输入端子1001输入的无线电频率信号中的规定频带中的无线电频率信号从输出端子1002输出的带通滤波器。或者,滤波器装置10也可以是输出将规定频带中的无线电频率信号衰减后的无线电频率信号的带阻滤波器。
谐振器101、102、103、104、105、106、107、108是通过声表面波(SAW)的激励及接收而具有规定的频率特性的SAW谐振器。谐振器101、102、103、104、105、106、107、108例如是激励洛夫波(Love wave)的谐振器。
在图1中,以与谐振器102、104、105、106、107不同的方式显示出谐振器101、103、108。这如以后叙述的那样示出谐振器101、103、108与谐振器102、104、105、106、107的构造的差异。
参照图2及图3对谐振器101及谐振器102的构造及配置进行说明。图2是示出谐振器101和谐振器102的布局的图,图3是图2的切断线III-III处的剖视图。
谐振器101、102设置在压电基板201上。压电基板201是具有压电性的基板。压电基板201的材料例如是铌酸锂(LiNbO3)。压电基板201的材料不限于铌酸锂,例如,也可以使用钽酸锂(LiTaO3)等适当的压电材料。压电基板201具有与图2的xy平面平行的主面。图2是从压电基板201的设置有电介质层202的一侧的主面(z轴方向)观察到的压电基板201的主面的俯视。
在压电基板201上设置有电介质层202。在图2中,电介质层202设置在压电基板201的z轴正方向侧。电介质层202是通过在压电基板201的一部分区域堆积电介质材料而设置的层。电介质层202的材料例如是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)。
电介质层202在压电基板202的俯视下具有端部2021(第一端部)及与端部2021对置的端部2022(第二端部)。端部2021及端部2022分别是压电基板202的俯视下的电介质层202的外缘。端部2021及端部2022分别由将电介质层202的IDT电极203侧的第一主面及电介质层202的压电基板201侧的第二主面连结的侧面划定。具体而言,端部2021由连结第一主面及第二主面的多个侧面中的设置在谐振器101与谐振器102之间的第一侧面划定。另外,端部2022由连结第一主面及第二主面的多个侧面中的与第一侧面对置的第二侧面划定。需要说明的是,在电介质层202的第一侧面及第二侧面与压电基板202所成的角度为90°以外的角度的情况下,端部2021及端部2022分别由第一侧面及第二侧面中最远离IDT电极203的部位划定。端部2021位于后述的反射器2041与反射器2061之间。端部2022在后述的弹性波传播方向P上与端部2021对置。
谐振器101具有设置在电介质层202上的IDT(InterDigital Transducer:叉指换能器)电极203及反射器2041、2042。需要说明的是,谐振器103、108具有与谐振器101同样的结构。
IDT电极203(第一IDT电极)具有梳形的电极203a及电极203b。在IDT电极203中,电极203a与电极203b在x方向上交替地配置,在y方向上对置设置。具体而言,电极203a和电极203b分别具有沿x方向延伸的汇流条电极、以及基端与汇流条电极连接的多个电极指。电极203a的第一汇流条电极和电极203b的第二汇流条电极在y方向上相对置。电极203a的多个第一电极指的前端朝向电极203b的第二汇流条延伸,电极203b的多个第二电极指的前端朝向电极203a的第一汇流条延伸。进而,电极203a的多个第一电极指与电极203b的多个第二电极指相互交错对插,使得在x方向上相对置。IDT电极203例如也可以构成为包括Pt层或者包括Pt层与AlCu层的层叠体。另外,IDT电极203例如也可以构成为除了Pt层、AlCu层之外还包括Ti层、NiCr层。通过IDT电极203包括Pt层,容易激励作为一种弹性波的洛夫波。
在向电极203a输入电信号时,通过电机耦合,在压电基板201及电介质层202激励弹性波(第一弹性波)。激励后的弹性波沿x轴方向即弹性波传播方向P(第一方向)传播。
电极203a所激励的弹性波通过电介质层202到达电极203b。振动的电介质层202与电极203b电机耦合,由此,通过电极203b输出电信号。
IDT电极203通过进行从电极203b输出电极203a能够激励压电基板201及电介质层202的频带中的信号的动作,从而对无线电频率信号进行滤波。
反射器2041(第一反射器)在弹性波传播方向P上在IDT电极205侧与IDT电极203相邻设置。这里,相邻是指,IDT电极203的电极与反射器2041没有电连接,而是在空间上相互设置在附近。换言之,相邻也包括IDT电极203的电极与反射器2041未接触的情况。在以下的说明中也相同。
反射器2041是设置在电介质层202上的金属构件。反射器2041是为了使IDT电极203中被激励的弹性波中的从IDT电极203泄漏的弹性波向IDT电极203侧反射而设置的。
在IDT电极203中产生的弹性波的一部分从IDT电极203泄漏,沿弹性波传播方向P传播,其结果是到达反射器2041。到达反射器2041的弹性波的一部分被作为机械构造而设置于电介质层202的表面的反射器2041反射。由反射器2041反射的弹性波到达IDT电极203,能够通过电机耦合从电极203b作为电信号输出。通过反射器2041,能够降低由从IDT电极203泄漏的弹性波引起的能量损耗。
反射器2041与电介质层202的端部2021分离距离D1。具体而言,反射器2041具有多个电极指,位于最接近IDT电极205的位置的电极指20411与电介质层202的端部2021分离距离D1。这里,在俯视压电基板201的情况下,将从电极指20411的IDT电极205侧的端部20412到电介质层202的端部2021为止的距离设为距离D1。需要说明的是,电极指20411的端部20412是俯视压电基板201的情况下的电极指20411的外缘,是由电极指20411的将在z方向上对置的一对面彼此连结的侧面中的设置于IDT电极205侧的侧面的至少一部分划定的外缘。例如,在电极指20411的设置于IDT电极205侧的侧面不是平面状并且具有向反射器2061侧凸出或者向反射器2041侧凹陷的部位的情况下,将该侧面中最接近反射器2061的部位设为端部20412。另外,电介质层202的端部2021是由电介质层202的将在z方向上对置的一对面彼此连结的侧面中的设置在反射器2041与反射器2061之间的侧面的至少一部分划定的外缘。例如,在电介质层202的设置在反射器2041与反射器2061之间的侧面不是平面状并且具有向反射器2061侧凸出或者向反射器2041侧凹陷的部位的情况下,将该侧面中最接近反射器2041的部位设为端部20612。即,在电极指20411的设置于IDT电极205侧的侧面与电介质层202的设置在反射器2041与反射器2061之间的侧面不平行的情况下,将从在电极指20411的设置于IDT电极205侧的侧面中电极指20411最接近反射器2061的位置到在电介质层202的设置在反射器2041与反射器2061之间的侧面中电介质膜202最接近反射器2041的位置为止的距离设为距离D1。
反射器2042(第三反射器)被设置在电介质层202上,使得在弹性波传播方向P上与反射器2041夹着IDT电极203。反射器2042具有与反射器2041同样的构造。反射器2042与反射器2041同样地反射来自IDT电极203的弹性波。
反射器2042与电介质层202的端部2022分离距离D2。具体而言,反射器2042具有多个电极指,位于最远离IDT电极205的位置的电极指20421与电介质层202的端部2022分离距离D2。这里,将从电极指20421的与IDT电极205侧相反的一侧的端部20422到端部2022为止的距离设为距离D2。需要说明的是,电极指20421的端部20422是俯视压电基板201的情况下的电极指20421的外缘,是由电极指20421的将在z方向上对置的一对面彼此连结的侧面中的设置在与IDT电极205侧相反的一侧的侧面的至少一部分划定的外缘。例如,在电极指20421的设置在与IDT电极205相反的一侧的侧面不是平面状并且具有向与IDT电极203相反的一侧凸出或者向IDT电极203侧凹陷的部位的情况下,将该侧面中最远离IDT电极203的部位设为端部20421。另外,电介质层202的端部2022是指,由电介质层202的将在z方向上对置的一对面彼此连结的侧面中的设置于反射器2042侧的侧面的至少一部分划定的外缘。例如,在电介质层202的设置于反射器2042侧的侧面不是平面状并且具有向与IDT电极203相反的一侧凸出或者向IDT电极203侧凹陷的部位的情况下,将该侧面中最远离IDT电极203的部位设为端部20422。即,在电极指20421的设置在与IDT电极203相反的一侧的侧面与电介质层202的设置于反射器2042侧的侧面不平行的情况下,将从在电极指20421的设置在与IDT电极203相反的一侧的侧面中电极指20421最远离IDT电极203的位置到在电介质层202的设置于反射器2042侧的侧面中电介质膜202最远离IDT电极203的位置为止的之间的距离设为距离D2。
在滤波器装置10中,设置谐振器101,使得距离D1比距离D2大。换言之,谐振器101在电介质层202中在与弹性波传播方向P垂直的方向(y方向)上非对称地设置。
谐振器102具有直接设置在压电基板201上的IDT电极205及反射器2061、2062。需要说明的是,谐振器104、105、106、107具有与谐振器102同样的结构。在谐振器102中,IDT电极205及反射器2061、2062也可以不直接设置在压电基板201上,而是设置在与设置于压电基板上的电介质层202不同的电介质层上。即,IDT电极205及反射器2061、2062能够设置于在压电基板201上未设置电介质层202的区域上。
IDT电极205(第二IDT电极)具有梳形的电极205a及电极205b。IDT电极205在弹性波传播方向P上与IDT电极203排列设置。在IDT电极205中,与IDT电极203同样地,电极205a与电极205b在x方向上交替地配置,并且在y方向上对置设置。
IDT电极205与IDT电极203同样地,对压电基板201进行激励而使其产生沿弹性波传播方向P传播的弹性波(第二弹性波)。
IDT电极205通过进行从电极205b输出电极205a能够激励压电基板201的频带中的信号的动作,从而对无线电频率信号进行滤波。
反射器2061(第二反射器)在弹性波传播方向P上在IDT电极203侧与IDT电极205相邻设置。反射器2061直接设置在压电基板201上。
反射器2061与反射器2041同样地,能够降低由从IDT电极205泄漏的弹性波引起的能量损耗。
反射器2061的多个电极指中的位于最接近IDT电极203的位置的电极指20611与IDT电极203的电极指20411分离距离L。这里,将从电极指20411的IDT电极205侧的端部20412到电极指20621的IDT电极203侧的端部20612为止的距离设为距离L。需要说明的是,在端部20412与端部20612不平行的情况下,也可以将从在电极指20411的端部中电极指20411最接近IDT电极205的位置到在电极指20611的端部中电极指20611最接近IDT电极203的位置为止的距离设为距离L。
在将与谐振器101或谐振器102的谐振频率中的较低的一者的频率对应的波长设为λ时,距离L优选是满足3λ≤L的关系的值。例如,在该频率为2.7GHz时,λ约为1.3μm。此时,由于是3λ≈3.9μm,因此,例如优选将L设为4μm以上。从滤波器装置10的小型化的观点出发,也可以不使L过大而设为4μm。需要说明的是,从制造上的观点出发,距离L也可以成为10λ以下。
也可以基于谐振器101及谐振器102各自的间距来决定距离L。这里,在将各电极指的x方向上的宽度设为w、将相邻的电极指间的x方向上的间隔设为s时,谐振器101的电极203a与电极203b的各电极指的间距p满足p=w+s这样的关系。此时,对应于与间距p的两倍长度相等的波长λ的频率成为谐振器101的谐振频率。
例如,如图2所示,在谐振器101的IDT电极203中,电极203b的电极指2031及电极203a的电极指2032的宽度分别为w。电极指2031与电极指2032分离了间隔s。此时,间距p是从电极指2031的反射器2042侧的端面到电极指2032的反射器2042侧的端面为止的距离。谐振器102也相同。
在间距较大的情况下,对应的谐振频率变小。因此,将谐振器101及谐振器102中的间距较大的一个谐振器所对应的波长设为λ,能够根据3λ≤L的关系来决定距离L。
需要说明的是,在本实施方式中,说明了IDT电极203的电极指彼此的间隔为等间隔的结构,但也可以采用该间隔不是等间隔的结构。在间隔不是等间隔的情况下,例如,可以从基于IDT电极203的电极指彼此的间隔的多个间距的候选中选择任意的间距来作为谐振器101的间距。谐振器102的间距也相同。
反射器2062被直接设置在压电基板201上,使得在弹性波传播方向P上与反射器2061夹着IDT电极205。反射器2062与反射器2061同样地反射来自IDT电极205的弹性波。
谐振器101与谐振器102在弹性波传播方向P上分离距离L而设置。进而,电介质层202位于反射器2041与反射器2061之间。
例如,IDT电极205所产生的弹性波有时透过反射器2061而朝向IDT电极203。此时,弹性波在压电基板201的表面传播。如图3所示,在反射器2061与反射器2041之间设置有电介质层202。透过反射器2061而朝向反射器2041及IDT电极203的表面波通过电介质层202衰减。
由于能够使从IDT电极205到达IDT电极203的弹性波衰减,因此,能够抑制由该弹性波引起的谐振器101的谐振特性的变化。由此,能够将滤波器装置10的滤波器频带确保得较宽。
另外,谐振器101和谐振器102在谐振器101被设置在电介质层202上这一点不同。谐振器101具有电介质层202的厚度越薄则机电耦合系数越小的特征。因此,通过调整电介质层202的厚度,能够使谐振器101的特性变化。通过组合除了利用电介质层202使泄漏波衰减之外还能够调整特性的谐振器101与谐振器102,能够得到滤波器频带宽并且确保了该滤波器频带的端的频率下的滤波器性能的陡峭性的滤波器装置10。
参照图4对滤波器装置10的具体的布局进行说明。在滤波器装置10中,谐振器101至谐振器108通过布线401至布线408而连接。在图4中,以粗线示意性示出谐振器101至谐振器108。另外,在图4中,如上所述,反射器2041与反射器2061之间分离了4μm以上。
布线401将端子4011与谐振器101连接。从外部向端子4011输入无线电频率信号。布线402将端子4021与谐振器102连接。端子4021与接地连接。布线403将谐振器101、谐振器102及谐振器103相互连接。
布线404将谐振器103、谐振器104及谐振器105相互连接。布线405将谐振器104与接地(未图示)连接。布线406将谐振器105、谐振器106及谐振器107相互连接。
布线407将谐振器106、谐振器108及端子4071相互连接。端子4071与接地连接。布线408将谐振器107、端子4081及谐振器108相互连接。
端子4081与滤波器装置10的外部连接。从端子4011输入的信号由滤波器装置10进行滤波,通过端子4081向外部输出。
对第二实施方式进行说明。在第二实施方式以后,省略关于与第一实施方式共同的事项的记述,仅对不同点进行说明。尤其是针对由同样的结构产生的同样的作用效果,不在每个实施方式中逐次提及。
图5是第二实施方式的滤波器装置10A的电路图。滤波器装置10A与滤波器装置10的不同点在于,在谐振器104、106、108与接地之间设置有电感器501。电感器501例如可以通过滤波器装置10A的布线而形成,也可以通过表面安装元件而设置于滤波器装置10A。
通过设置电感器501,能够进行阻抗值的调整,因此,滤波器装置10A能够对比滤波器装置10更宽的频带的无线电频率信号进行滤波。
对第三实施方式进行说明。在图6中,示出用于第三实施方式的滤波器装置的具有IDT电极203的谐振器101及具有IDT电极601的谐振器600的布局图。
在第三实施方式中,谐振器101、103、108与第一实施方式中说明的结构相同,但谐振器102、104、105、106、107的结构是谐振器600的结构这一点不同。
谐振器600具有IDT电极601及反射器6021、6022。对于谐振器101的IDT电极601及反射器6021、6022的配置与谐振器102的IDT电极205及反射器2061、2062的配置相同。IDT电极601具有电极601a及601b。
谐振器600在IDT电极601的占空比与谐振器101不同这一点不同于第一实施方式的谐振器102。
占空比是指,IDT电极的电极指的宽度对于IDT电极的间距之比。这里,IDT电极的电极指的宽度是指,弹性波传播方向P上的电极指的大小。另外,IDT电极的间距是指,IDT电极所包含的某个电极指的宽度与该某个电极指及相邻于该某个电极指的电极指之间的区域的宽度(弹性波传播方向P上的大小)之和。例如,在图6中,如果关注于电极指2031及电极指2032(第一电极指),则谐振器101的IDT电极203的占空比d1(第一占空比)成为d1=wl/p1。同样地,如果关注于电极指6011及电极指6012(第二电极指),则谐振器600的IDT电极601的占空比d2(第二占空比)成为d2=w2/p2。
如图6所示,电极指6011的宽度w2比电极指2031的宽度w1大。另外,间距p1与间距p2大致相等。此时,IDT电极601的占空比大于IDT电极203的占空比。
在占空比不同的IDT电极中,各个IDT电极所产生的弹性波的频率不同。因此,通过使在弹性波传播方向上排列设置的IDT电极间的占空比不同,从而从一个IDT电极到达另一个IDT电极的弹性波彼此不相互加强。由此,能够抑制一个谐振器的谐振特性的变化。由此,能够将两个谐振器的频带确保得较宽。需要说明的是,谐振器101的占空比也可以变大。
需要说明的是,虽然未图示,但在第一实施方式至第三实施方式的滤波器装置10中,在将设置在IDT电极203与压电基板202之间的电介质层设为第一电介质层的情况下,也可以还具备第二电介质层,该第二电介质层设置在压电基板202上,使得覆盖IDT电极203、205及反射器2041、2042、2061、2062。第二电介质层的材料例如是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)。第一电介质层的材料与第二电介质层的材料可以相同,也可以不同。
以上,对本发明的例示的实施方式进行了说明。第一实施方式的滤波器装置10具备:压电基板201;电介质层202,其设置在压电基板201上;IDT电极203,其设置在电介质层202上;IDT电极205,其在沿着压电基板201的主面的弹性波传播方向P上与IDT电极203排列地设置于在压电基板201上未设置电介质层202的区域上;反射器2041,其在IDT电极205侧与IDT电极203相邻地设置在电介质层202上;以及反射器2061,其在IDT电极203侧与IDT电极205相邻地直接设置在压电基板201上,电介质层202具有端部2021,该端部2021在从压电基板201与电介质层202的层叠方向观察的俯视下,位于反射器2041与反射器2061之间。
由此,能够使电介质层202位于IDT电极203与IDT电极205之间。电介质层202使从IDT电极205到达IDT电极203的弹性波衰减。由此,能够抑制由该弹性波引起的谐振器101的谐振特性的变化。因此,能够将滤波器装置10的频带确保得较宽。
另外,在滤波器装置10中,在不存在电介质层202的情况下,能够以比得到某个衰减量所需的谐振器间隔短的间隔配置谐振器。由此,能够实现滤波器装置10的小型化。
另外,在滤波器装置10中,电介质层202具有在弹性波传播方向P上与端部2021对置的端部2022,还具备反射器2042,该反射器2042在弹性波传播方向P上与反射器2041夹着IDT电极203而设置在电介质层202上,电介质层202的俯视下的从端部2021到反射器2041的距离比从端部2022到反射器2042的距离长。
由此,能够在位于从IDT电极203泄漏的弹性波朝向IDT电极205的一侧的压电基板201上设置更多的电介质。因此,滤波器装置10能够使弹性波进一步衰减。
另外,在滤波器装置10中,在压电基板201的俯视下,反射器2041的反射器2061侧的端部20412与反射器2061的反射器2041侧的端部20612分离4μm以上而设置。由此,能够在充分的距离的范围内通过电介质层202使弹性波衰减,滤波器装置10能够使弹性波更加适当地衰减。
另外,在第三实施方式的滤波器装置中,IDT电极203具有电极指2031、2032,该电极指2031、2032配置在电介质层202上,使得具有占空比d1,IDT电极601具有电极指6011、6012,该电极指6011、6012直接配置在压电基板201上,使得具有与占空比d1不同的占空比d2。
在占空比不同的情况下,从一个IDT电极到达另一个IDT电极的弹性波彼此不相互加强。由此,能够抑制一个谐振器的谐振特性的变化。由此,滤波器装置能够将两个谐振器的频带确保得较宽。
另外,滤波器装置10具备将输入端子1001与输出端子1002连接的线路P1、以及从线路P1分支且将线路P1与接地连接的线路P21。在滤波器装置10中,IDT电极203设置于线路P1,IDT电极205设置于线路P21。由此,能够在使滤波器频带较宽的同时,使滤波器特性在所希望的频率陡峭地变化。
另外,在滤波器装置10中,也可以是,IDT电极203设置于线路P22,IDT电极205设置于线路P1。由此,滤波器装置10能够在使滤波器频带较宽的同时,使滤波器特性在所希望的频率陡峭地变化。
另外,第二实施方式的滤波器装置10A还具备设置在IDT电极203与接地之间的电感器501。由此,能够通过电感器501来进行输入端子1001与输出端子1002之间的阻抗值的调整。因此,滤波器装置10A能够对比滤波器装置10更宽的频带的无线电频率信号进行滤波。
另外,在滤波器装置10中,IDT电极203及IDT电极205分别也可以包括Pt层。通过IDT电极203及IDT电极205分别包括Pt层,滤波器装置10能够实现利用了作为一种弹性波的洛夫波的滤波。
另外,在滤波器装置10中,也可以是,电介质层202是第一电介质层,还具备设置在压电基板202上的第二电介质层,使得覆盖IDT电极203及IDT电极205。
另外,在以上的实施方式所说明的滤波器装置10、10A中,也能够构成多工器,该多工器具备对第一频带的信号进行滤波的滤波器装置10、以及对作为与第一频带不同的频带的第二频带的信号进行滤波的频率滤波器装置。
需要说明的是,以上说明的各实施方式用于使本发明的理解变得容易,而非用于限定地解释本发明。本发明能够在不脱离其主旨的范围内进行变更/改良,并且在本发明中也包括其等效物。即,本领域技术人员对各实施方式适当加以设计变更而得到的方式只要具备本发明的特征,则也包含在本发明的范围内。例如,各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的情况,能够适当变更。另外,各实施方式是例示,当然能够进行不同实施方式所示的结构的部分置换或组合,它们只要包括本发明的特征则也包含在本发明的范围内。
附图标记说明
10、10A...滤波器装置,101、102、103、104、105、106、107、108、600...谐振器,201...压电基板,202...电介质层,2021、2022...端部,203、205、601...IDT电极,501...电感器,2041、2042、2061、2062、6021、6022...反射器。

Claims (10)

1.一种滤波器装置,具备:
压电基板;
电介质层,其设置在所述压电基板上;
第一IDT电极,其设置在所述电介质层上;
第二IDT电极,其在沿着所述压电基板的主面的第一方向上与所述第一IDT电极排列地设置于所述压电基板上的未设置所述电介质层的区域上:
第一反射器,其在所述第二IDT电极侧与所述第一IDT电极相邻地设置在所述电介质层上;
第二反射器,其在所述第一IDT电极侧与所述第二IDT电极相邻地设置于所述压电基板上的未设置所述电介质层的区域上;以及
第三反射器,其在所述第一方向上与所述第一反射器夹着所述第一IDT电极而设置在所述电介质层上,
所述电介质层具有:
第一端部,其在从所述压电基板的设置有所述电介质层的面侧观察的俯视下,位于所述第一反射器与所述第二反射器之间;以及第二端部,其在所述第一方向上与所述第一端部对置,
所述电介质层的所述俯视下的从所述第一端部到所述第一反射器为止的距离比从所述第二端部到所述第三反射器为止的距离长。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置,其中,
在所述压电基板的所述俯视下,所述第一反射器的所述第二反射器侧的端部与所述第二反射器的所述第一反射器侧的端部分离4μm以上而设置。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置,其中,
所述第一IDT电极具有多个第一电极指,该多个第一电极指配置在所述电介质层上,使得具有第一占空比,
所述第二IDT电极具有多个第二电极指,该多个第二电极指直接配置在所述压电基板上,使得具有与所述第一占空比不同的第二占空比。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的滤波器装置,其中,
所述滤波器装置还具备:
第一线路,其将第一端子与第二端子连接;以及
第二线路,其从所述第一线路分支,将所述第一线路与接地连接,
所述第一IDT电极设置于所述第一线路,
所述第二IDT电极设置于所述第二线路。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的滤波器装置,其中,
所述滤波器装置还具备:
第三线路,其将第三端子与第四端子连接;以及
第四线路,其从所述第三线路分支,将所述第三线路与接地连接,
所述第一IDT电极设置于所述第四线路,
所述第二IDT电极设置于所述第三线路。
6.根据权利要求4或5所述的滤波器装置,其中,
所述滤波器装置还具备电感器,该电感器设置在所述第一IDT电极与所述接地之间。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的滤波器装置,其中,
所述第一IDT电极及所述第二IDT电极分别包括Pt层。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的滤波器装置,其中,
所述电介质层是第一电介质层,
所述滤波器装置还具备第二电介质层,该第二电介质层设置在所述压电基板上,使得覆盖第一IDT电极及所述第二IDT电极。
9.一种多工器,具备:
权利要求1至8中任一项所述的滤波器装置,其对第一频带的信号进行滤波;以及
其他的滤波器装置,其对作为与所述第一频带不同的频带的第二频带的信号进行滤波。
10.一种滤波器装置,具备:
第一端子;
第二端子;
第一弹性波谐振器,其设置于将所述第一端子与所述第二端子连接的第一线路;以及
第二弹性波谐振器,其设置于从所述第一线路分支且将所述第一线路与接地连接的第二线路,
所述第一弹性波谐振器及所述第二弹性波谐振器中的一个弹性波谐振器具有:
压电基板;
电介质层,其设置在所述压电基板上;
第一IDT电极,其设置在所述电介质层上;以及
一对第一反射器,其夹着所述第一IDT电极而设置在所述电介质层上,
所述第一弹性波谐振器及所述第二弹性波谐振器中的另一个弹性波谐振器具有:
所述压电基板;
第二IDT电极,其不经由所述电介质层而设置在所述压电基板上;以及
一对第二反射器,其不经由所述电介质层而夹着所述第二IDT电极设置在所述压电基板上,
所述第一弹性波谐振器及所述第二弹性波谐振器在所述压电基板产生的弹性波的传播方向上排列设置,
所述电介质层具有端部,在从所述压电基板的设置有所述电介质层的面侧观察的俯视下,该端部位于所述一对第一反射器与所述一对第二反射器之间,
在所述电介质层的所述俯视下,所述端部位于相较于所述一对第一反射器更接近所述第一对第二反射器的位置。
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