CN117577564A - 一种硅片自然氧化层去除用辅助装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，用于解决现有硅片镀铜的技术尚不成熟，难以实现系统化、批量化的硅片氧化层去除，影响后续硅片的镀铜质量的问题。为本发明提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，包括：机架，所述机架的左上部安装有氮气吹干清洁段，所述机架的右上部安装有溶液腐蚀清洁段，所述氮气吹干清洁段和溶液腐蚀清洁段相连通。氮气吹干清洁段，可对硅片进行初步清洁，保证了后续氢氧化钾溶液与硅片表面氧化层的反应效果；溶液腐蚀清洁段和摇晃去泡机构，可带动硅片治具整体水平往复晃动，防止气泡粘附在硅片表面阻止进一步的腐蚀反应，使氢氧化钾溶液与硅片表面的接触更充分，保证了硅片氧化层的腐蚀清洁效果。

Description

一种硅片自然氧化层去除用辅助装置

技术领域

本发明涉及硅片镀铜前处理技术领域，特别是涉及一种硅片自然氧化层去除用辅助装置。

背景技术

电镀是一种利用电解原理在目标导电体表面镀覆上一薄层其他金属或合金的电化学工艺。自电镀技术发明以来，众多的金属被尝试于形成镀覆层，如金、银、铜、铝、镍、铬等等，特别是铜是为数不多能在硅片结构上实现薄膜镀覆的金属，在光伏行业和微机电系统领域，作为实现电路互连，提高电路运算速度的材料，具有重大的潜力。

但是目前硅片镀铜的技术尚不成熟，要实现系统化、批量化的硅片镀铜，仍然存在很多未解决的技术问题，例如：由于硅片表面在空气中易被氧化，在硅电极制备好后，裸露在空气中的部分会形成天然二氧化硅层，二氧化硅层会隔绝单晶硅表面与镀液的接触，因此，硅片电镀铜之前必须先移除该二氧化硅层。现有效果较好的移除办法为：使用氢氧化钾溶液溶解硅表面的氧化层，但是这种方法在单晶硅开始被腐蚀时，会反应生成氢气泡，氢气泡容易粘附在硅片表面阻止进一步的腐蚀反应，影响二氧化硅层的去除清洁效果，降低后续硅片的镀铜质量，且在硅片进入溶液反应前，需要先吹走电极表面的颗粒物，否则也会阻碍溶液反应。而目前市面上没有设备能为硅片提供一个连续的去氧化层环境，依靠传统人工操作摇晃硅片成本高，效率低下，效果差，会影响后续硅片的镀铜质量，且摇晃连续性差，也会降低硅片镀铜的整体工艺效率，还易产生下一工序处理不及时的情况，使硅片发生二次氧化的风险。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，用于解决现有技术中在使用溶液去除硅片自然氧化层时，人工摇晃硅片防止气泡粘附，成本高，会影响后续硅片的镀铜效果，拖慢硅片镀铜的整体工艺效率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，包括：

机架；

所述机架的左上部安装有氮气吹干清洁段，所述机架的右上部安装有溶液腐蚀清洁段，所述氮气吹干清洁段和溶液腐蚀清洁段相连通；

所述氮气吹干清洁段内设置有氮气风刀，所述溶液腐蚀清洁段内设置有溶液喷管；

所述氮气吹干清洁段和溶液腐蚀清洁段的前壁内侧和后壁内侧均固定有导轨，前后位置相对应的每对所述导轨间均滑动安装有硅片治具，硅片治具的上壁置物槽内设置有硅片，所述硅片治具由左至右依次自氮气风刀和溶液喷管的下方通过，溶液腐蚀清洁段内和溶液喷管内均流动设置有氢氧化钾溶液；

所述溶液腐蚀清洁段内安装有摇晃去泡机构，所述摇晃去泡机构与硅片治具间歇卡接。

可选的，所述摇晃去泡机构包括底座、卡槽、传动马达、摇杆、曲柄、回位弹簧、缓冲片、缓冲槽、联动卡块、滑块、摇板、滑槽以及马达滑座，所述溶液腐蚀清洁段的下壁内侧固定有两个底座，所述底座的左部和右部均开设有卡槽，左部两个所述卡槽内均滑动安装有马达滑座，所述马达滑座内安装有传动马达，两个所述传动马达的输出端均安装有曲柄，所述曲柄的外端转动连接有摇杆，右部两个所述卡槽内均滑动安装有联动卡块，且摇杆的右端与联动卡块转动连接，两个所述马达滑座和两个联动卡块的左壁和右壁均弹性安装有回位弹簧，八个所述回位弹簧的外端均穿过卡槽固定在底座上，两个所述马达滑座和两个联动卡块的左壁和右壁均固定有缓冲片，且缓冲片呈圆柱形，位于回位弹簧内端的中间，所述底座上设置有与缓冲片水平位置相对应的缓冲槽，八个缓冲槽分别位于四个卡槽的左端和右端，两个所述马达滑座的上壁均固定有滑块，两个所述联动卡块的上壁间固定有摇板，所述摇板的下壁开设有两个滑槽，两个所述滑块分别滑动连接在两个滑槽内。

可选的，所述曲柄的转动范围最高点低于摇板的上壁面。

可选的，所述摇晃去泡机构还包括定位销以及板式弹簧片，所述摇板的上壁通过四根定位销弹性安装有四个板式弹簧片。

可选的，所述硅片治具包括载板，所述载板的下壁设置有四个弹簧槽，四个所述弹簧槽分别与四个板式弹簧片的分布位置呈水平对应。

可选的，所述弹簧槽中部设置有回弹限位槽，四个所述回弹限位槽分别与四个板式弹簧片间歇卡和，所述回弹限位槽的前壁和后壁内均固定有微型气缸，四对所述微型气缸的输出端与四个板式弹簧片的弹性伸缩端间歇挤压接触，四对所述微型气缸均通过PLC与计算机控制端电控连接，所述微型气缸的输出端开合周期与溶液腐蚀清洁段的硅片清洁反应周期相匹配。

可选的，所述弹簧槽的左端设置有扇状开口，且扇状开口的左端截面大于板式弹簧片自然伸展状态下的左视伸展面积。

如上所述，本发明的硅片自然氧化层去除用辅助装置，至少具有以下有益效果：

1.通过在机架的左上部设置氮气吹干清洁段，可发动氮气风刀将硅片表面的颗粒物吹走，对硅片进行初步清洁，保证了后续氢氧化钾溶液与硅片表面氧化层的反应效果；

2.通过在机架的右上部安装溶液腐蚀清洁段，并在溶液腐蚀清洁段内安装摇晃去泡机构，使得硅片可被浸没在溶液腐蚀清洁段内的氢氧化钾溶液中，摇晃去泡机构可带动硅片治具整体水平往复晃动，一方面，防止了生成的气泡粘附在硅片表面阻止进一步的腐蚀反应，另一方面使氢氧化钾溶液与硅片表面的接触更充分，保证了硅片氧化层的腐蚀清洁效果；

3.通过氮气吹干清洁段、溶液腐蚀清洁段和硅片治具的相互配合，实现了硅片系统化、批量化的自动连续去氧化层，保证了后续硅片的镀铜质量，提高了硅片镀铜的整体工艺效率，安全性高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。

本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1显示为本发明的硅片自然氧化层去除用辅助装置整体结构东南视角立体图。

图2显示为本发明的前部底座传动结构东南视角立体示意图。

图3显示为本发明的两底座传动结构东南偏俯视视角立体示意图。

图4显示为本发明的摇板与板式弹簧片连接结构东南视角立体示意图。

图5显示为本发明的摇板东南偏仰视视角立体示意图。

图6显示为本发明图4中的A区域放大示意图。

图7显示为本发明的硅片治具东南视角立体示意图。

图8显示为本发明的硅片治具东南偏仰视视角立体示意图。

图9显示为本发明的硅片治具仰视结构示意图。

图10显示为本发明图8中的B区域放大示意图。

图11显示为本发明的微型气缸西北视角立体示意图。

图12显示为本发明的摇晃去泡机构与微型气缸配合结构东南视角立体示意图。

图13显示为本发明的硅片治具与导轨配合结构东南视角立体示意图。

图14显示为本发明的摇晃去泡机构与硅片治具配合结构东南视角立体示意图。

元件标号说明

1、机架；101、氮气吹干清洁段；102、溶液腐蚀清洁段；103、氮气风刀；104、溶液喷管；105、导轨；

2、硅片治具；201、载板；202、弹簧槽；203、回弹限位槽；204、微型气缸；

3、摇晃去泡机构；301、底座；302、卡槽；303、传动马达；304、摇杆；305、曲柄；306、回位弹簧；307、缓冲片；308、缓冲槽；309、联动卡块；310、滑块；311、摇板；312、滑槽；313、定位销；314、板式弹簧片；315、马达滑座。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效，各个实施例仅是为了举例说明。实施例之间可以进行组合，其不仅仅限于以下单个实施例展现的内容。所举实施例不作为对本发明的限定。

如背景技术所述，由于在氢氧化钾溶液去除硅片表面的二氧化硅层前，需要先对硅片表面进行清洁，且溶液溶解氧化层的过程中会反应生成氢气泡粘附硅片表面，阻止进一步的腐蚀反应，而目前市面上没有设备能为硅片提供一个连续的去氧化层环境，依靠传统人工操作摇晃硅片，防止气泡粘附，成本高，效率低下，效果差，影响二氧化硅层的去除清洁效果，降低后续硅片的镀铜质量，且摇晃连续性差，也会降低硅片镀铜的整体工艺效率，还易产生下一工序处理不及时的情况，使硅片发生二次氧化的风险。

请参阅图1至图14，为解决上述问题，发明人潜心研究发现通过将硅片装载至硅片治具2中，使硅片治具2携带多个硅片传动经过氮气吹干清洁段101和溶液腐蚀清洁段102，能够利用氮气风刀103将硅片表面的颗粒物吹走，对硅片进行初步清洁，后使硅片进入氢氧化钾溶液浸泡，在浸泡过程中，通过摇晃去泡机构3摇晃硅片治具2，可防止气泡粘附硅片，以此，进行硅片二氧化硅层的系统化、批量化去除，因此发明了一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，包括：

机架1；

机架1的左上部安装有氮气吹干清洁段101，机架1的右上部安装有溶液腐蚀清洁段102，氮气吹干清洁段101和溶液腐蚀清洁段102相连通；

氮气吹干清洁段101内设置有氮气风刀103，溶液腐蚀清洁段102内设置有溶液喷管104；

氮气吹干清洁段101和溶液腐蚀清洁段102的前壁内侧和后壁内侧均固定有导轨105，前后位置相对应的每对导轨105间均滑动安装有硅片治具2，硅片治具2的上壁置物槽内设置有硅片，硅片治具2由左至右依次自氮气风刀103和溶液喷管104的下方通过，溶液腐蚀清洁段102内和溶液喷管104内均流动设置有氢氧化钾溶液；

溶液腐蚀清洁段102内安装有摇晃去泡机构3，摇晃去泡机构3与硅片治具2间歇卡接。

本发明在使用过程中，承载着多个硅片的硅片治具2首先传动进入氮气吹干清洁段101，氮气风刀103将硅片表面的颗粒物吹走，对硅片进行初步清洁，保证了后续氢氧化钾溶液与硅片表面氧化层的反应效果；后硅片治具2携带硅片进入溶液腐蚀清洁段102，进入过程中，硅片治具2卡接在摇晃去泡机构3上，此时，摇晃去泡机构3不发动，硅片被浸没静置在溶液腐蚀清洁段102内的氢氧化钾溶液中，硅片表面二氧化硅层与氢氧化钾溶液反应两分钟后，氧化层被溶解，硅片与氢氧化钾溶液继续反应，生成氢气泡，此时，发动摇晃去泡机构3可带动硅片治具2整体水平往复晃动，继续反应一至三分钟，后使摇晃去泡机构3将硅片治具2送入下一处理工段，与硅片治具2脱离配合，一方面，防止了生成的气泡粘附在硅片表面阻止进一步的腐蚀反应，另一方面使氢氧化钾溶液与硅片表面的接触更充分，保证了硅片氧化层的腐蚀清洁效果，为硅片提供了一个系统化、批量化的自动连续的去氧化层环境，保证了后续硅片的镀铜质量，提高了硅片镀铜的整体工艺效率，安全性高。

实施例

请参阅图1-图14，为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，硅片自然氧化层去除用辅助装置包括：摇晃去泡机构3，摇晃去泡机构3包括底座301、卡槽302、传动马达303、摇杆304、曲柄305、回位弹簧306、缓冲片307、缓冲槽308、联动卡块309、滑块310、摇板311、滑槽312以及马达滑座315，溶液腐蚀清洁段102的下壁内侧固定有两个底座301，底座301的左部和右部均开设有卡槽302，左部两个卡槽302内均滑动安装有马达滑座315，马达滑座315内安装有传动马达303，两个传动马达303的输出端均安装有曲柄305，曲柄305的外端转动连接有摇杆304，右部两个卡槽302内均滑动安装有联动卡块309，且摇杆304的右端与联动卡块309转动连接，卡槽302左视呈凸字状，使得卡槽302在对马达滑座315和联动卡块309进行滑动限位的同时，又保证了滑块310和曲柄305、摇杆304的传动互不影响，两个马达滑座315和两个联动卡块309的左壁和右壁均弹性安装有回位弹簧306，八个回位弹簧306的外端均穿过卡槽302固定在底座301上，两个马达滑座315和两个联动卡块309的左壁和右壁均固定有缓冲片307，且缓冲片307呈圆柱形，位于回位弹簧306内端的中间，底座301上设置有与缓冲片307水平位置相对应的缓冲槽308，八个缓冲槽308分别位于四个卡槽302的左端和右端，两个马达滑座315的上壁均固定有滑块310，两个联动卡块309的上壁间固定有摇板311，摇板311的下壁开设有两个滑槽312，两个滑块310分别滑动连接在两个滑槽312内。

具体的，在硅片与氢氧化钾溶液反应生成氢气泡时，发动两个传动马达303的输出端同步转动，可带动曲柄305做圆周运动，拉动摇杆304联动，在曲柄305和摇杆304的伸展或折叠运动中，马达滑座315和联动卡块309在曲柄305和摇杆304两端的联动作用下，沿卡槽302同步向外或同步向内滑动，回位弹簧306在此过程中，对曲柄305和摇杆304的推拉力进行缓冲，并对马达滑座315和联动卡块309的滑动位置进行限制，防止马达滑座315和联动卡块309直接与卡槽302左右两端的底座301相撞，造成损坏，并防止了曲柄305和摇杆304的传动卡住，马达滑座315和联动卡块309无法滑动的情况，两个联动卡块309在右部两个卡槽302内往复滑动，可带动摇板311水平左右晃动，两个马达滑座315可带动上部滑块310联动，在摇板311下壁的滑槽312内左右滑动，对摇板311的左部进行支撑，使得摇板311的左右晃动更稳定。

更为完善地，如图2-图3和图12所示，曲柄305的转动范围最高点低于摇板311的上壁面，使得曲柄305的圆周运动和摇板311的水平往复运动互不干涉，保证了摇板311的正常传动，摇杆304、曲柄305以及摇板311均为PP材质，具有良好的耐化学性，保证了摇杆304、曲柄305以及摇板311在氢氧化钾溶液中的使用寿命。

更为完善地，如图4、图6和图12所示，摇晃去泡机构3还包括定位销313以及板式弹簧片314，摇板311的上壁通过四根定位销313弹性安装有四个板式弹簧片314，四个板式弹簧片314为摇板311和硅片治具2的联动安装提供了四个卡和点，定位销313以及板式弹簧片314均为HC-276哈氏合金材质，具有良好的抗腐蚀性，适用与氢氧化钾溶液中。

更为完善地，如图8-图14所示，弹簧槽202中部设置有回弹限位槽203，四个回弹限位槽203分别与四个板式弹簧片314间歇卡和，使得硅片治具2水平向右移动到摇板311正上方时，四个板式弹簧片314可分别在四个回弹限位槽203内回弹，与回弹限位槽203卡和，将硅片治具2固定在摇板311上，与摇板311联动，回弹限位槽203的前壁和后壁内均固定有微型气缸204，四对微型气缸204的输出端与四个板式弹簧片314的弹性伸缩端间歇挤压接触，四对微型气缸204均通过PLC与计算机控制端电控连接，微型气缸204的输出端开合周期与溶液腐蚀清洁段102的硅片清洁反应周期相匹配，在硅片完成氧化层去除清洁后，计算机发动微型气缸204的输出端伸出，可压缩板式弹簧片314的外端，使其向内与回弹限位槽203脱离卡和，硅片治具2可继续向右运动，进入下一工段。

更为完善地，如图4、图6-图10和图12所示，硅片治具2包括载板201，载板201的下壁设置有四个弹簧槽202，四个弹簧槽202分别与四个板式弹簧片314的分布位置呈水平对应，弹簧槽202的左端设置有扇状开口，且扇状开口的左端截面大于板式弹簧片314自然伸展状态下的左视伸展面积，使得硅片治具2水平向右移动时，四个弹簧槽202的左端最先分别与摇板311上壁的四个板式弹簧片314接触，使得板式弹簧片314可分别被压缩，滑动进入弹簧槽202内，硅片治具2可沿板式弹簧片314滑动向右，直至四个板式弹簧片314向外回弹与四个回弹限位槽203卡和，将硅片治具2固定在摇板311上。

在使用过程中，硅片治具2沿导轨105水平向右移动，进入溶液腐蚀清洁段102，移动过程中，四个弹簧槽202的左端最先分别与摇板311上壁的四个板式弹簧片314接触，使得板式弹簧片314在弹簧槽202左端的扇状限位下，分别被压缩，滑动进入弹簧槽202内，硅片治具2可沿板式弹簧片314滑动向右，直至硅片治具2水平向右移动到摇板311正上方时，四个板式弹簧片314分别在四个回弹限位槽203内回弹，与回弹限位槽203卡和，将硅片治具2固定在摇板311上，硅片治具2内的硅片被静置于溶液腐蚀清洁段102内的氢氧化钾溶液中，硅片上的二氧化硅层与氢氧化钾溶液发生腐蚀反应，在反应生成氢气泡时，发动两个传动马达303的输出端同步转动，可带动曲柄305做圆周运动，拉动摇杆304联动，在曲柄305和摇杆304的伸展或折叠运动中，马达滑座315和联动卡块309，在曲柄305和摇杆304两端的联动作用下，沿卡槽302同步向外或同步向内滑动，回位弹簧306在此过程中，对曲柄305和摇杆304的推拉力进行缓冲，并对马达滑座315和联动卡块309的滑动位置进行限制，防止马达滑座315和联动卡块309直接与卡槽302左右两端的底座301相撞，造成损坏，并防止了曲柄305和摇杆304的传动卡住，马达滑座315和联动卡块309无法滑动的情况，两个联动卡块309在右部两个卡槽302内往复滑动，可带动摇板311水平左右晃动，两个马达滑座315可带动上部滑块310联动，在摇板311下壁的滑槽312内左右滑动，对摇板311的左部进行支撑，使得摇板311的左右晃动更稳定，摇板311与硅片治具2联动，带动硅片治具2整体水平往复晃动，可在溶液与硅片继续反应时，防止氢气泡粘附在硅片表面阻止进一步的腐蚀反应，同时，使更多的氢氧化钾溶液流经硅片表面，保证溶液与硅片接触更充分，使得硅片氧化层的腐蚀清洁效果好，效率高，在溶液腐蚀清洁段102检测到溶液杂质浓度达到标准值后，硅片完成氧化层去除清洁，会向计算机控制端发送信号，使得计算机发动微型气缸204的输出端伸出，压缩板式弹簧片314的外端，使其向内与回弹限位槽203脱离卡和，板式弹簧片314再次被压缩，滑动进入弹簧槽202，后硅片治具2继续向右运动，进入下一工段，以此，完成硅片的自动连续的去氧化层，为硅片提供了一个系统化、批量化的去氧化层环境，保证了后续硅片的镀铜质量，提高了硅片镀铜的整体工艺效率，自动化操作，避免了硅片发生二次氧化的风险，安全性高。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (7)

1.一种硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于，包括：

机架（1）；

所述机架（1）的左上部安装有氮气吹干清洁段（101），所述机架（1）的右上部安装有溶液腐蚀清洁段（102），所述氮气吹干清洁段（101）和溶液腐蚀清洁段（102）相连通；

所述氮气吹干清洁段（101）内设置有氮气风刀（103），所述溶液腐蚀清洁段（102）内设置有溶液喷管（104）；

所述氮气吹干清洁段（101）和溶液腐蚀清洁段（102）的前壁内侧和后壁内侧均固定有导轨（105），前后位置相对应的每对所述导轨（105）间均滑动安装有硅片治具（2），硅片治具（2）的上壁置物槽内设置有硅片，所述硅片治具（2）由左至右依次自氮气风刀（103）和溶液喷管（104）的下方通过，溶液腐蚀清洁段（102）内和溶液喷管（104）内均流动设置有氢氧化钾溶液；

所述溶液腐蚀清洁段（102）内安装有摇晃去泡机构（3），所述摇晃去泡机构（3）与硅片治具（2）间歇卡接。

2.根据权利要求1所述的硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于：所述摇晃去泡机构（3）包括底座（301）、卡槽（302）、传动马达（303）、摇杆（304）、曲柄（305）、回位弹簧（306）、缓冲片（307）、缓冲槽（308）、联动卡块（309）、滑块（310）、摇板（311）、滑槽（312）以及马达滑座（315），所述溶液腐蚀清洁段（102）的下壁内侧固定有两个底座（301），所述底座（301）的左部和右部均开设有卡槽（302），左部两个所述卡槽（302）内均滑动安装有马达滑座（315），所述马达滑座（315）内安装有传动马达（303），两个所述传动马达（303）的输出端均安装有曲柄（305），所述曲柄（305）的外端转动连接有摇杆（304），右部两个所述卡槽（302）内均滑动安装有联动卡块（309），且摇杆（304）的右端与联动卡块（309）转动连接，两个所述马达滑座（315）和两个联动卡块（309）的左壁和右壁均弹性安装有回位弹簧（306），八个所述回位弹簧（306）的外端均穿过卡槽（302）固定在底座（301）上，两个所述马达滑座（315）和两个联动卡块（309）的左壁和右壁均固定有缓冲片（307），且缓冲片（307）呈圆柱形，位于回位弹簧（306）内端的中间，所述底座（301）上设置有与缓冲片（307）水平位置相对应的缓冲槽（308），八个缓冲槽（308）分别位于四个卡槽（302）的左端和右端，两个所述马达滑座（315）的上壁均固定有滑块（310），两个所述联动卡块（309）的上壁间固定有摇板（311），所述摇板（311）的下壁开设有两个滑槽（312），两个所述滑块（310）分别滑动连接在两个滑槽（312）内。

3.根据权利要求2所述的硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于：所述曲柄（305）的转动范围最高点低于摇板（311）的上壁面。

4.根据权利要求2所述的硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于：所述摇晃去泡机构（3）还包括定位销（313）以及板式弹簧片（314），所述摇板（311）的上壁通过四根定位销（313）弹性安装有四个板式弹簧片（314）。

5.根据权利要求4所述的硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于：所述硅片治具（2）包括载板（201），所述载板（201）的下壁设置有四个弹簧槽（202），四个所述弹簧槽（202）分别与四个板式弹簧片（314）的分布位置呈水平对应。

6.根据权利要求5所述的硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于：所述弹簧槽（202）中部设置有回弹限位槽（203），四个所述回弹限位槽（203）分别与四个板式弹簧片（314）间歇卡和，所述回弹限位槽（203）的前壁和后壁内均固定有微型气缸（204），四对所述微型气缸（204）的输出端与四个板式弹簧片（314）的弹性伸缩端间歇挤压接触，四对所述微型气缸（204）均通过PLC与计算机控制端电控连接，所述微型气缸（204）的输出端开合周期与溶液腐蚀清洁段（102）的硅片清洁反应周期相匹配。

7.根据权利要求5所述的硅片自然氧化层去除用辅助装置，其特征在于：所述弹簧槽（202）的左端设置有扇状开口，且扇状开口的左端截面大于板式弹簧片（314）自然伸展状态下的左视伸展面积。