CN117558859A - 防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 150000002484 inorganic compounds Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 40
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 38
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 16
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 265
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 34
- 238000013461 design Methods 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 3
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003765 Ni2O5 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- -1 group III-V Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开一种防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏，涉及半导体技术领域。该微显示发光像素包括：驱动背板；显示模组，所述显示模组设于所述驱动背板之上，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结构，所述发光单元与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述沟槽结构围绕在所述发光单元周围，并将所述显示模组所在的垂直区域贯穿，所述沟槽结构中填充有金属材料，所述发光单元为无机化合物半导体。基于本申请提供的技术方案，可通过贯穿式的沟槽结构进行发光约束，实现更好的光学串扰隔绝。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏。
背景技术
在半导体技术领域，微显示发光像素间的串扰、发光分布对显示质量、耦合进光波导的效率存在重要影响，如正常垂直结构的发光二极管（Light Emitting Diode，LED）芯片发光角在±55°左右。
相关技术中，多采用像素间黑矩阵 (Black Matrix，BM)或者制作微透镜（MicroLens）的技术方案，来实现微显示发光像素间串扰、发光分布的约束。在黑矩阵方案中，黑矩阵为有机材料体系，其耐温性、机械强度不够，可靠性存在缺陷，并且黑矩阵吸光，会导致整体亮度损失。在微透镜方案中，制备的微透镜属于有机材料体系，其耐温性、机械强度不够，可靠性存在缺陷，并且像素间无法实现完全光学隔绝，当像素尺寸继续微缩时，±55°的发光角会出现进入微透镜之前，即出现相邻像素串扰的问题。
因此，亟需提供一种可以避免上述缺陷的新的微显示发光像素的制备方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏，通过贯穿式的沟槽结构进行发光约束，实现更好的光学串扰隔绝。
为实现上述发明目的，本发明提出如下技术方案：
一方面，提供了一种防串扰的微显示发光像素，所述微显示发光像素包括：
驱动背板；
显示模组，所述显示模组设于所述驱动背板之上，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结构，所述发光单元与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述沟槽结构围绕在所述发光单元周围，并将所述显示模组所在的垂直区域贯穿，所述沟槽结构中填充有金属材料，所述发光单元为无机化合物半导体。
在一种可选的实施方式中，所述显示模组至少包括：第一显示器件层；所述第一显示器件层包括：
第一发光单元，所述第一发光单元中的第一P型欧姆接触层连接有通孔，所述第一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳极触点相导通；
第一绝缘层，所述第一绝缘层填充形成在所述第一发光单元的外部；
第一沟槽结构，所述第一沟槽结构贯穿于所述第一绝缘层中，所述第一沟槽结构的一端与所述第一发光单元中的第一N型欧姆接触层相连，另一端与所述驱动背板的外围共阴极相连。
在一种可选的实施方式中，所述显示模组还包括：设置于所述第一显示器件层之上的第二显示器件层；所述第二显示器件层包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层填充形成在所述第一显示器件层远离所述驱动背板的一侧；
第二沟槽结构，所述第二沟槽结构贯穿于所述第二绝缘层、所述第一N型欧姆接触层中，所述第二沟槽结构的一端与所述第一沟槽结构相连。
在一种可选的实施方式中，所述第二沟槽结构的宽度小于所述第一沟槽结构的宽度。
在一种可选的实施方式中，所述显示模组至少包括：第三显示器件层；所述第三显示器件层包括：
第二发光单元，所述第二发光单元中的第二P型欧姆接触层与所述驱动背板之间具有键合层，所述第二发光单元通过所述键合层与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层的表面覆设有部分的阴极层；
第三绝缘层，所述第三绝缘层填充形成在所述第二发光单元的外部；
第三沟槽结构，所述第三沟槽结构贯穿于所述第三绝缘层中，所述第三沟槽结构的一端与所述阴极层相连。
在一种可选的实施方式中，所述阴极层包括：中间阴极层以及两侧的侧边阴极层，所述中间阴极层覆设于所述第二N型欧姆接触层的表面；
所述第二发光单元的侧壁、所述驱动背板的表面覆设有钝化层，所述侧边阴极层覆设于所述钝化层的表面；
或，
所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面。
在一种可选的实施方式中，在所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面的情况下，所述第二发光单元的侧壁及所述驱动背板表面还覆设有钝化层。
在一种可选的实施方式中，所述沟槽结构处于所述显示模组的内部；
或，
所述沟槽结构处于所述显示模组的外周围。
在一种可选的实施方式中，所述沟槽结构俯视后对应的沟槽图形，包括：
圆形、矩形、六边形和八边形中的一种。
在一种可选的实施方式中，所述显示模组还包括：微透镜；
所述微透镜设置于所述发光单元、所述沟槽结构之上。
在一种可选的实施方式中，所述沟槽结构中填充的金属材料包括：
依次垂直沉积的铝、镍钒、铜；
或，沉积的铝；
或，沉积的钨。
另一方面，提供了一种微显示发光像素的制备方法，所述方法用于制备如上述方面所述的微显示发光像素，所述方法包括：
制备驱动背板；
制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结构，所述发光单元与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述沟槽结构围绕在所述发光单元周围，并将所述显示模组所在的垂直区域贯穿，所述沟槽结构中填充有金属材料，所述发光单元为无机化合物半导体。
在一种可选的实施方式中，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
对无机化合物半导体进行台阶刻蚀，制备第一发光单元；
使用绝缘材料对所述第一发光单元进行台阶填充，形成第一绝缘层；
对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成与所述第一发光单元中第一P型欧姆接触层连接的通孔、以及围绕在所述第一发光单元周围的第一沟槽结构；
对所述通孔、所述第一沟槽结构填充金属材料，所述第一发光单元、所述第一绝缘层、所述第一沟槽结构组合为第一显示器件层；
通过混合键合工艺，将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合，结合时所述第一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳极触点相导通。
在一种可选的实施方式中，在将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合之后，所述方法还包括：
去除所述第一发光单元中的化合物衬底；
对去除衬底后的所述第一发光单元进行表面粗化。
在一种可选的实施方式中，在形成所述第一显示器件层之后，所述方法还包括：
使用绝缘材料对所述第一显示器件层进行填充，形成第二绝缘层；
对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成一端与所述第一沟槽结构相连的第二沟槽结构；
对所述第二沟槽结构填充金属材料，所述第二绝缘层、所述第二沟槽结构组合为第二显示器件层。
在一种可选的实施方式中，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
通过混合键合工艺，将制备有键合层的无机化合物半导体、制备有键合层的所述驱动背板结合，结合时所述无机化合物半导体通过所述键合层与所述驱动背板中的阳极触点相导通；
对所述无机化合物半导体、所述键合层进行台阶刻蚀，制备第二发光单元；
使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层；对所述第三绝缘层进行刻蚀，形成围绕在所述第二发光单元周围的第三沟槽结构；对所述第三沟槽结构填充金属材料；采用图形化工艺去除所述第二发光单元的顶部表面的部分所述第三绝缘层，以暴露所述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层；在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆设阴极层；
或，
在所述第二发光单元的表面、所述驱动背板的表面覆设钝化层；采用图形化工艺去除所述第二发光单元的顶部表面的部分所述钝化层，以暴露所述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层；在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述钝化层的表面覆设阴极层；使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层；对所述第三绝缘层进行刻蚀，形成围绕在所述第二发光单元周围的第三沟槽结构；对所述第三沟槽结构填充金属材料。
在一种可选的实施方式中，在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆设阴极层对应的方法中，在使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层之前，所述方法还包括：
在所述第二发光单元的表面、所述驱动背板的表面覆设钝化层。
在一种可选的实施方式中，在制备结合于所述驱动背板之上的显示模组之后，所述方法还包括：
在所述发光单元、所述沟槽结构之上，制备微透镜。
另一方面，提供了一种微显示屏，所述微显示屏包括：
微显示屏背板，所述微显示屏背板包括驱动电路、输入接口及输出接口；
显示区域，所述显示区域设于所述微显示屏背板上，且所述显示区域包括至少两个如上述方面所述微显示发光像素所包括的显示模组，至少两个所述显示模组呈阵列式排布；
外围共阴极，所述外围共阴极与每一所述显示模组分别电连接。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
通过在微显示发光像素的显示模块中刻蚀沟槽结构并在沟槽结构中填充金属材料，通过贯穿式的沟槽结构，实现更好的光学串扰隔绝，能够通过沟槽结构的深度定制约束发光角，且沟槽结构的设计工艺相对成熟，量产性及良率有保障。
进一步的，显示模块中的发光单元、沟槽结构属于无机材料体系，其耐温性、机械强度较好，可靠性存在保障。
进一步的，提供有背面沟槽结构设计思路、背面沟槽结构设计思路、正背面沟槽结构结合设计思路，可根据需要自由选择不同的方案。
附图说明
图1是相关技术对应的光学串扰现象的示意图；
图2是本申请实施例中提供的一种微显示发光像素的结构示意图；
图3是本申请实施例中提供的一种驱动电路的电路示意图；
图4是本申请实施例对应的光学串扰现象的示意图；
图5是本申请实施例中提供的一种微显示发光像素的结构示意图；
图6是本申请实施例中提供的一种沟槽图形的示意图；
图7是本申请实施例中提供的一种正面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的结构示意图；
图8是本申请实施例中提供的一种带有微透镜的微显示发光像素的结构示意图；
图9是本申请实施例中提供的一种带有微透镜的微显示发光像素的结构示意图；
图10是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的结构示意图；
图11是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的结构示意图；
图12是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的结构示意图；
图13是本申请实施例中提供的一种背面沟槽结构设计思路下微显示发光像素的结构示意图；
图14是本申请实施例中提供的一种发光约束的示意图；
图15是本申请实施例中提供的一种发光约束的示意图；
图16是本申请实施例中提供的一种带有微透镜的微显示发光像素的结构示意图；
图17是本申请实施例中提供的一种带有微透镜的微显示发光像素的结构示意图；
图18是本申请实施例中提供的一种正背面沟槽结构结合设计思路下微显示发光像素的结构示意图；
图19是本申请实施例中提供的一种带有微透镜的微显示发光像素的结构示意图；
图20是本申请实施例中提供的一种微显示发光像素的制备方法的方法流程图；
图21是本申请实施例中提供的一种驱动背板的结构示意图；
图22是本申请实施例中提供的一种无机化合物半导体的结构示意图；
图23是本申请实施例中提供的一种台阶刻蚀后的无机化合物半导体的结构示意图；
图24是本申请实施例中提供的一种沟槽结构制备后的无机化合物半导体的结构示意图；
图25是本申请实施例中提供的一种金属填充后的无机化合物半导体的结构示意图；
图26是本申请实施例中提供的一种无机化合物半导体与驱动背板结合后的结构示意图；
图27是本申请实施例中提供的一种去除衬底后的微显示发光像素的结构示意图；
图28是本申请实施例中提供的一种表面粗化后的微显示发光像素的结构示意图；
图29是本申请实施例中提供的一种台阶刻蚀后的无机化合物半导体的结构示意图；
图30是本申请实施例中提供的一种制备有键合层的无机化合物半导体的结构示意图；
图31是本申请实施例中提供的一种制备有键合层的驱动背板的结构示意图；
图32是本申请实施例中提供的一种无机化合物半导体与驱动背板结合后的结构示意图；
图33是本申请实施例中提供的一种对键合结构进行台阶刻蚀后的结构示意图；
图34是本申请实施例中提供的一种对第二发光单元覆设钝化层、阴极层的结构示意图；
图35是本申请实施例中提供的一种台阶填充后的键合结构的结构示意图；
图36是本申请实施例中提供的一种沟槽结构制备后的键合结构的结构示意图的结构示意图；
图37是本申请实施例中提供的一种台阶填充后的键合结构的结构示意图；
图38是本申请实施例中提供的一种沟槽结构制备后的键合结构的结构示意图；
图39是本申请实施例中提供的一种微显示屏的结构示意图。
附图标记：
10-驱动背板，20-显示模组，21-第一显示器件层，22-第二显示器件层，23-第三显示器件层，30-发光单元，31-第一发光单元，311-第一P型欧姆接触层，312-通孔，313-第一N型欧姆接触层，32-第二发光单元，321-第二P型欧姆接触层，322-键合层322，323-第二N型欧姆接触层，40-沟槽结构，41-第一沟槽结构，42-第二沟槽结构，43-第三沟槽结构，50-微透镜，61-第一绝缘层，62-第二绝缘层，63-第三绝缘层，70-阴极层，71-中间阴极层，72-侧边阴极层，80-钝化层，200-微显示屏，300-微显示屏背板，400-显示区域，500-外围共阴极，600-外部IO接口。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“垂直”、“上”、“下”、“顶”、“侧”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
传统的微显示发光像素的防串扰设计方案具有多方面的缺陷，如：
针对制备微透镜的防串扰设计方案，该方案制备的微透镜属于有机材料体系，其耐温性、机械强度不够，可靠性存在缺陷，并且像素间无法实现完全光学隔绝，当像素尺寸继续微缩时，当发光角为±55°时，会出现进入微透镜之前即出现相邻像素串扰的问题。以图1作为示例进行说明，以4um像素尺寸，2um发光单元的GaN Micro LED垂直结构器件为例，其垂直结构具有常规LED器件最小的发光角±55°，低于水平结构和倒装结构LED器件±60~70°的发光角。当发光角为±55°时，相邻像素间的光学串扰无法实现完全隔绝，因为有源发光区发出的光会经过整个发光单元成为多面出关，实际的光线角度会比图1更复杂，因为光在发光单元中多次折射、反射，引起的像素间光学串扰会更加严重。
针对采用黑矩阵的防串扰设计方案，黑矩阵是通过黑色矩阵材料吸光特性进行挡光，实现像素间的光学串扰隔绝，黑矩阵为有机材料体系，其耐温性、机械强度不够，可靠性存在缺陷，并且黑矩阵吸光，会导致整体亮度损失。在部分方案中，用金属图形化沉积撕金方式形成与黑矩阵类似的梯形结构进行隔绝，以规避可靠性问题，但是不论是黑矩阵还是金属图形化撕金方案，都无法适配特别小的像素尺寸，如当像素尺寸下潜到5um以下时，黑矩阵的分辨率以及金属图形化撕金的光刻胶掩模掉胶问题都对良率和可量产能力带来的挑战。
为了避免上述问题，在本申请实施例中，提出一种通过贯穿式的沟槽结构进行发光约束，实现更好的光学串扰隔绝的技术方案。
首先，对本申请中提出的微显示发光像素的具体结构进行说明。
本申请实施例提供一种防串扰的微显示发光像素（以下简称为微显示发光像素），如图2所示，该微显示发光像素包括：
驱动背板10；显示模组20，显示模组20设于驱动背板10之上，显示模组20中包括发光单元30和沟槽结构40，发光单元30与驱动背板10中的阳极触点相导通，沟槽结构40围绕在发光单元30周围，并将显示模组20所在的垂直区域贯穿，沟槽结构40中填充有金属材料，发光单元30为无机化合物半导体。
其中，驱动背板10为薄膜晶体管（TFT）、低温多晶硅（LTPS）、CMOS集成电路、高迁移率晶体管（HEMT）等一种或多种相结合的有源驱动背板。具体地，驱动背板10设有驱动电路，驱动电路设有至少一个阳极，示例性的，驱动电路的电路结构如图3所示。需要说明的是，本实施例中的驱动电路为有源驱动，本实施例中展示的电路图仅为简单的示意图。驱动电路可包含主动式、被动式或半被动式的控制电路。驱动电路包括的所有阳极可以是线性排布或者阵列式排布，任一阳极位于驱动背板10的中间或者边缘，本实施例对此不做限制。
其中，显示模组20中设计有贯穿式的沟槽结构40，该沟槽结构40围绕在显示模组20中发光单元30的周围并填充有金属材料，且发光单元30为无机化合物半导体，整体的显示模组20为纯无机结构，具有高可靠性。示例性的，如图4所示，沟槽结构40（即图中的TI结构）的设计可以对发光角进行发光约束，从而防止相邻微显示发光像素之间的光学串扰。
进一步的，如图5所示，显示模组20还包括：微透镜50；微透镜50设置于发光单元30、沟槽结构40之上。显示模组20的顶部可以设置微透镜50，先通过沟槽结构40进行基础的发光约束，再利用微透镜50对发光单元30发出的光进行进一步的光学串扰隔绝。其中，微透镜50的材料可以是化合物半导体，可以是后续沉积的如氧化硅、氮化硅等介电质材料。
进一步的，显示模组20中的发光单元30为无机化合物半导体，通常为晶圆或者从晶圆上切割下的合适大小区域，以晶圆为例，该晶圆是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。其具体可以为晶态无机化合物(如III-V族、II-VI族化合物半导体)，然后在化合物表面制备形成电气接触的层，且在后续堆叠化合物时，可以任意组合。本实施例中，发光单元30涉及紫外光、绿光、蓝光AlGaN、InGaN三元材料体系，其衬底材料可以是GaN、Si、SiC、Sapphire等，以及红光、红外等长波，其中红光可以是InGaN三元材料体系或者GaAs衬底的四元AlGaInP红光化合物LED外延，红外主要包括InP、GaAs、AlGaAs等材料体系的化合物外延。此外，本实施例对发光单元30俯视对应的形状不不加以限制，可以是圆形或者其他多边形，如矩形、六边形、八边形等。
在一实施例中，当发光单元30包括红光化合物外延时，红光化合物外延可以是四元AlGaInP或三元InGaN材料，可基于GaAs、Si、Sapphire、Ga2O3等衬底，以下表1为简略结构示例，其中P-GaAs可以替换为P-GaP以及P-AlGaAs：
表1
在一实施例中，当发光单元30包括蓝光、绿光化合物半导体时，该蓝光、绿光化合物半导体是InGaN三元化合物，可基于Si、Sapphire、Ga2O3等衬底，其结构示例如下表2：
表2
在一实施例中，当发光单元30包括紫外光化合物半导体时，该紫外光化合物半导体是AlGaN三元化合物，可基于Si、Sapphire、SiC等衬底，其结构示例如下表3：
表3
在一实施例中，当发光单元30包括红外化合物半导体时，该红外化合物半导体是AlGaAs三元化合物，可基于GaAs、InP等衬底，其结构示例如下表4：
表4
如上表1至表4所示，通过选取不同的化合物材料制备器件，可以获得不同波长的发光元器件，根据不同化合物特性，选取不同的材料作为P型、N型欧姆接触层材料，如P型欧姆接触层采用ITO透明导电薄膜，N型欧姆接触层采用金属In+ITO透明导电薄膜，可以作为通用型欧姆接触材料，特殊的，GaN的P型欧姆接触层可以是Ni、Au、Ag、Al等金属的单层或叠层，N型欧姆接触层可以是Ti、Cr、Ni、Al等金属的单层或叠层，GaAs的P型欧姆接触层可以是Au、Be、Zn等金属的单层、合金或叠层，N型欧姆接触层可以是Au、Ge、Ni、Pt、In等金属的单层、合金或叠层。
进一步的，沟槽结构40中所填充的金属材料包括：依次垂直沉积的铝（Al）、镍钒(NiV)、铜（Cu）；或，沉积的铝；或，沉积的钨（W）。在沟槽结构40中，填充的金属材料可以是利用等离子气相沉积种子层Al、NiV后进行电镀Cu，其中，Al可以作为反射金属提高亮度，同时Al也可以作为台阶刻蚀至N型欧姆接触层的N型欧姆接触金属，实现N连接，NiV作为黏附层和阻挡层，用于黏附Al、Cu以及阻挡Al的迁移，Cu用于进行电镀。进一步的，NiV可以用Ni、Ti、TiN的任意一种替代；金属材料也可以是直接等离子气相常温沉积或者热沉积金属，如金属Al或者金属W。进一步的，Al或W沉积前可进行TIN金属沉积。
进一步的，沟槽结构40俯视后对应的沟槽图形，包括：圆形、矩形、六边形和八边形中的一种。对微显示发光像素进行俯视，围绕在发光单元周围的沟槽图形可以是圆形、矩形、六边形、八边形等，本实施例对此不做限制。
进一步的，沟槽结构40处于显示模组20的内部；或，沟槽结构40处于显示模组20的外周围。沟槽结构40可以处于显示模组20的外周围，实现如图6所示的联通像素间的样式，也可以在显示模组20以及微显示发光像素的内部，实现如图6所示的像素内部的样式，图6仅以沟槽图形为圆形和矩形为例进行示例性说明。
在本申请中，在沟槽制备工艺的顺序存在差别的基础上，提供有3种不同的微显示发光像素的具体结构设计思路。
（1）微显示发光像素采用正面沟槽结构设计思路，此结构设计对应的制备工艺中，先在显示模组20中制备沟槽结构40，再将显示模组20与驱动背板10相结合。
具体的，如图7所示，显示模组20至少包括：第一显示器件层21；第一显示器件层21包括：第一发光单元31，第一发光单元31中的第一P型欧姆接触层311连接有通孔312，第一发光单元31通过填充有金属材料的通孔312与驱动背板10中的阳极触点相导通；第一绝缘层61，第一绝缘层61填充形成在第一发光单元31的外部；第一沟槽结构41，第一沟槽结构41贯穿于第一绝缘层61中，第一沟槽结构41的一端与第一发光单元31中的第一N型欧姆接触层313相连，另一端平面上延伸至显示区外围与驱动背板10的外围共阴极相连。其中，通孔312中填充的金属材料可以与第一沟槽结构41中填充的金属材料相同或不同，如均采用相同的沉积的Al、NiV、Cu。第一绝缘层61可以是氧化硅、氮化硅、SIC、SICN、Ti3O5、Ni2O5等介质层的单层或者叠层。其中，第一绝缘层61的厚度、第一沟槽结构41的深度一般基本等于第一发光单元31的厚度，第一沟槽结构41的深度受第一发光单元31的厚度所限。
进一步的，如图8、图9所示，在第一显示器件层21之上可设置微透镜50。针对正面沟槽结构设计思路，在一实施例中，如图8所示，微透镜50刻蚀时不截断第一N型欧姆接触层313，在另一实施例中，如图9所示，微透镜50刻蚀时部分截断第一N型欧姆接触层313，在部分区域实现N型接触导通阴极的同时，使得微显示发光像素之间完全隔绝。
（2）微显示发光像素采用背面沟槽结构设计思路，此结构设计对应的制备工艺中，先将显示模组20与驱动背板10相结合，再在显示模组20中制备沟槽结构40。
具体的，如图10至图13所示，显示模组20至少包括：第三显示器件层23；第三显示器件层23包括：第二发光单元32，第二发光单元32中的第二P型欧姆接触层321与驱动背板10之间具有键合层322，第二发光单元32通过键合层322与驱动背板10中的阳极触点相导通，第二发光单元32中的第二N型欧姆接触层323的表面覆设有部分的阴极层70；第三绝缘层63，第三绝缘层63填充形成在第二发光单元32的外部；第三沟槽结构43，第三沟槽结构43贯穿于第三绝缘层63中，第三沟槽结构43的一端与阴极层70相连。其中，键合层322可以是不透明的金属材料，如Au、Sn、Al、Cu、W等金属的单层或多层，键合层322也可以是透明的金属氧化物材料，如ITO、ZnO等透明导电薄膜。第三绝缘层63可以是氧化硅、氮化硅、SIC、SICN、Ti3O5、Ni2O5等介质层的单层或者叠层。其中，第三绝缘层63的厚度、第三沟槽结构43的深度大于等于第二发光单元32的厚度，第三沟槽结构43的深度可设置为大于等于第二发光单元32的厚度的任意值。比如，基于如图10所示的结构，当第三沟槽结构43的深度与第二发光单元32等高时，如图14所示，发光角由初始的±55°降低至±45°；基于如图11所示的结构，当第三沟槽结构43的深度是第二发光单元32的2倍高度以上时，如图15所示，发光角由初始的±55°降低至±17°。
进一步的，阴极层70包括：中间阴极层71以及两侧的侧边阴极层72，中间阴极层71覆设于第二N型欧姆接触层323的表面。
在一种可能的设计中，如图10、图11所示，第二发光单元32的侧壁、驱动背板10的表面覆设有钝化层80，侧边阴极层72覆设于钝化层80的表面。其中，钝化层80可以是Al2O3、SiO2、Si3N4等介质层的单层或者叠层。通过钝化层80对第二发光单元32、驱动背板10进行绝缘保护，通过钝化层80的表面所覆设的侧边阴极层72、第二N型欧姆接触层323的表面所覆设的中间阴极层71，实现共阴极连接。
在另一种可能的设计中，如图12所示，侧边阴极层72覆设于第三绝缘层63远离驱动背板10的一侧表面。通过第三绝缘层63的表面所覆设的侧边阴极层72、第二N型欧姆接触层323的表面所覆设的中间阴极层71，实现共阴极连接。
进一步的，如图13所示，在侧边阴极层72覆设于第三绝缘层63远离驱动背板10的一侧表面的情况下，第二发光单元32的侧壁及驱动背板10表面还覆设有钝化层80。其中，钝化层80可以是Al2O3、SiO2、Si3N4等介质层的单层或者叠层。也即，第三绝缘层63可以如图12所示直接相连于驱动背板10的表面，不在第三绝缘层63和驱动背板10间设置钝化层80，利用驱动背板10上的介质层承受过刻；也可以如图13所示，在第三绝缘层63和驱动背板10间之间设置有钝化层80，将钝化层80作为刻蚀停止层，通过钝化层80对第二发光单元32、驱动背板10进行绝缘保护。
进一步的，在第三显示器件层23之上可设置微透镜50。比如，图16所示结构对应于在图11对应的结构上增加微透镜50，图17所示结构对应于在图13对应的结构上增加微透镜50。
（3）微显示发光像素采用正背面沟槽结构结合设计思路，此结构设计对应的制备工艺中，先采用正面沟槽结构设计思路，在显示模组20中的一显示器件层中制备一组沟槽结构40，再将显示模组20与驱动背板10相结合，后续进一步采用背面沟槽结构设计思路，针对结合后的器件，在显示模组20中再增加另一显示器件层，以制备另一组沟槽结构40。
具体的，如图18所示，在第一显示器件层21的基础上，显示模组20还包括：设置于第一显示器件层21之上的第二显示器件层22；第二显示器件层22包括：第二绝缘层62，第二绝缘层62填充形成在第一显示器件层21远离驱动背板10的一侧；第二沟槽结构42，第二沟槽结构42贯穿于第二绝缘层62、第一N型欧姆接触层313中，第二沟槽结构42的一端与第一沟槽结构41相连。其中，第二绝缘层62可以是氧化硅、氮化硅、SIC、SICN、Ti3O5、Ni2O5等介质层的单层或者叠层。其中，第二绝缘层62的厚度、第二沟槽结构42的深度与第一发光单元31的厚度并不相关，第二沟槽结构42的深度可自由设置。
进一步的，第二沟槽结构42的宽度小于第一沟槽结构41的宽度，一方面，可以保留光刻对准偏差，减少工艺难度，另一方面，可以保障第一沟槽结构41与第一N型欧姆接触层313相连，以实现阴极连通。典型的，背面的第二沟槽结构42具有正面的第一沟槽结构41的50%尺寸。
进一步的，如图19所示，在第二显示器件层22之上可设置微透镜50。
综上所述，本申请实施例所提供的微显示发光像素，通过在微显示发光像素的显示模块中刻蚀沟槽结构并在沟槽结构中填充金属材料，通过贯穿式的沟槽结构，实现更好的光学串扰隔绝，能够通过沟槽结构的深度定制约束发光角，且沟槽结构的设计工艺相对成熟，量产性及良率有保障。
进一步的，显示模块中的发光单元、沟槽结构属于无机材料体系，其耐温性、机械强度较好，可靠性存在保障。
进一步的，提供有背面沟槽结构设计思路、背面沟槽结构设计思路、正背面沟槽结构结合设计思路，可根据需要自由选择不同的方案。
下面，对上述实施例中所述的微显示发光像素的制备方法进行说明，该方法用于制备如上述实施例所述的微显示发光像素，如图20所示，该方法可以包括如下步骤：
S1：制备驱动背板。
示例性的，驱动背板单像素的剖面结构如图21所示，驱动背板中包括贯穿的阳极触点，阳极触点周围设置有绝缘介质。
S2：制备结合于驱动背板之上的显示模组，显示模组中包括发光单元和沟槽结构，发光单元与驱动背板中的阳极触点相导通，沟槽结构围绕在发光单元周围，并将显示模组所在的垂直区域贯穿，沟槽结构中填充有金属材料，发光单元为无机化合物半导体。
示例性的，无机化合物半导体的剖面结构如图22所示，无机化合物半导体中至少包括从下至上依次堆叠的如下层：衬底、N型欧姆接触层、有源量子阱层和P型欧姆接触层。
在一种可能的实施方式中，在S2后，还包括如下步骤：在发光单元、沟槽结构之上，制备微透镜。其中，微透镜可通过刻蚀的方式制备形成，微透镜材料可以是化合物半导体，可以是后续沉积的如氧化硅、氮化硅等介电质材料。
针对上文实施例中的正面沟槽结构设计思路，S2可以具体包括如下步骤：
S211：对无机化合物半导体进行台阶刻蚀，制备第一发光单元。
具体的，如图23所示，使用等离子干法刻蚀等图形化刻蚀方案对无机化合物半导体进行台阶刻蚀，刻蚀至第一N型欧姆接触层，制备第一发光单元。
S212：使用绝缘材料对第一发光单元进行台阶填充，形成第一绝缘层。
具体的，使用氧化硅、氮化硅、SIC、SICN、Ti3O5、Ni2O5等介质层的单层或者叠层，对第一发光单元实现台阶填充，形成第一绝缘层。
S213：对第一绝缘层进行刻蚀，形成与第一发光单元中第一P型欧姆接触层连接的通孔、以及围绕在第一发光单元周围的第一沟槽结构。
具体的，如图24所示，使用等离子干法刻蚀等图形化刻蚀方案对第一绝缘层进行刻蚀，实现第一P型欧姆接触层的通孔，以及第一发光单元周围的沟槽隔离，此沟槽隔离即为第一沟槽结构。
S214：对通孔、第一沟槽结构填充金属材料，第一发光单元、第一绝缘层、第一沟槽结构组合为第一显示器件层。
具体的，如图25所示，通过金属回填工艺对通孔、第一沟槽结构填充金属材料，比如：在通孔、第一沟槽结构中依次沉积金属Al、NiV、Cu；或者，在通孔、第一沟槽结构中沉积金属Al；或者，在通孔、第一沟槽结构中沉积金属W。进一步的，在填充完成后，可以采用化学机械平坦化（Chemical Mechanical Planarization，CMP）进行对填充的金属材料表面进行表面多余金属去除和平坦化处理。
S215：通过混合键合工艺，将第一显示器件层与驱动背板结合，结合时第一发光单元通过填充有金属材料的通孔与驱动背板中的阳极触点相导通。
如图26所示，结合时第一显示器件层中的金属通孔区域与驱动背板的阳极触点相连，第一显示器件层的阴极通过第一沟槽结构联通至驱动背板外围共阴极。
在一种可能的实现方式中，在S215之后，还包括如下步骤：去除第一发光单元中的化合物衬底；对去除衬底后的第一发光单元进行表面粗化。如图27所示，对结合后的第一发光单元进行去除化合物衬底，通过去除衬底及减薄化合物，实现N接触导通的同时减薄阴极，减少像素间光学串扰。如图28所示，对去除衬底后的第一发光单元进行表面粗化，实现光提取效率增强。
可以理解的是，若采用上述正面沟槽结构设计思路，优点在于可以直接与第一发光单元形成N型欧姆接触；缺点在于键合时对第一发光单元已经定义图形，需要一定精度与驱动背板结合，同时受限于第一显示器件层中第一发光单元的厚度，无法非常灵活的定制第一沟槽结构的厚度。
可以理解的是，在上述步骤S211至S215中，以台阶刻蚀至第一N型欧姆接触层为基础进行后续制备，在另一种设计中，该台阶刻蚀可以如图29所示完全将除衬底外的无机化合物半导体刻穿，相应的，增加将第一N型欧姆接触层延伸与第一沟槽结构相连的工艺步骤，以将第一显示器件层的阴极通过第一沟槽结构联通至驱动背板外围共阴极。
针对上文实施例中的正背面沟槽结构结合设计思路，在S215之后，还可以进一步包括如下步骤：
S216：使用绝缘材料对第一显示器件层进行填充，形成第二绝缘层。
具体的，使用氧化硅、氮化硅、SIC、SICN、Ti3O5、Ni2O5等介质层的单层或者叠层，对第一显示器件层实现填充，形成第二绝缘层。
S217：对第二绝缘层进行刻蚀，形成一端与第一沟槽结构相连的第二沟槽结构。
具体的，使用等离子干法刻蚀等图形化刻蚀方案对第二绝缘层进行刻蚀，实现第二绝缘层中处于第一发光单元周围的沟槽隔离，此沟槽隔离即为第二沟槽结构。
S218：对第二沟槽结构填充金属材料，第二绝缘层、第二沟槽结构组合为第二显示器件层。
具体的，通过金属回填工艺对第二沟槽结构填充金属材料，比如：在第二沟槽结构中依次沉积金属Al、NiV、Cu；或者，在第二沟槽结构中沉积金属Al；或者，在第二沟槽结构中沉积金属W。进一步的，在填充完成后，可以采用CMP进行对填充的金属材料表面进行表面多余金属去除和平坦化处理。
可以理解的是，若采用上述正背面沟槽结构结合设计思路，优点在于可以直接与第一发光单元形成N型欧姆接触，同时背面可以非常灵活的定制第二沟槽结构的深度；缺点在于键合时第一发光单元已经定义图形，需要一定精度与驱动背板结合，增加了工艺成本。
针对上文实施例中的背面沟槽结构设计思路，S2可以具体包括如下步骤：
S221：通过混合键合工艺，将制备有键合层的无机化合物半导体、制备有键合层的驱动背板结合，结合时无机化合物半导体通过键合层与驱动背板中的阳极触点相导通。
具体的，如图30、图31所示，在无机化合物半导体上制备键合层，同样在驱动背板晶圆上制备键合层，结合后的结构如图32所示，该键合层是导电的，可以是不透明的金属材料，如Au、Sn、Al、Cu、W等金属的单层或多层，键合层也可以是透明的金属氧化物材料，如ITO、ZnO等透明导电薄膜。进一步的，在无机化合物半导体/驱动背板和键合层之间有Cr、Ni、Ti、TiN等金属作为黏附层，增加两者之间的粘附性。进一步的，如图32所示，通过键合工艺将化合物晶圆与驱动背板晶圆进行集成后，可以去除无机化合物半导体的衬底，以用于制备后续器件。
S222：对无机化合物半导体、键合层进行台阶刻蚀，制备第二发光单元。
具体的，如图33所示，使用等离子干法刻蚀等图形化刻蚀方案进行台阶刻蚀，完成第二发光单元的制备和键合层的图形化。
S223a：在第二发光单元的表面、驱动背板的表面覆设钝化层；采用图形化工艺去除第二发光单元的顶部表面的部分钝化层，以暴露第二发光单元中的第二N型欧姆接触层；在第二N型欧姆接触层的表面、钝化层的表面覆设阴极层；使用绝缘材料对第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层；对第三绝缘层进行刻蚀，形成围绕在第二发光单元周围的第三沟槽结构；对第三沟槽结构填充金属材料。
步骤S223a中，共阴极连接在沟槽工艺前，经此步骤所制成的微显示发光像素如图10、11所示。具体的，经过钝化和图形化开口后，暴露第二发光单元中的第二N型欧姆接触层以用于制备接触，然后制备阴极层，阴极层制备完成后的结构如图34所示，此阴极层共阴极连接透明导电膜，该透明导电膜可以是ITO、ZnO等透明导电薄膜的单层或者多层，在一些实施例中，可以通过如Au、Ag、Al等金属掺杂，实现透明导电膜电阻及透射率的优化。然后通过进一步生长介质层，使用如硅玻璃等等离子沉积工艺，制备第三绝缘层，对其平坦化后进行第三沟槽结构的刻蚀，刻蚀后进行金属填充，比如：在第三沟槽结构中依次沉积金属Al、NiV、Cu；或者，在第三沟槽结构中沉积金属Al；或者，在第三沟槽结构中沉积金属W。进一步的，在填充完成后，可以采用CMP进行对填充的金属材料表面进行表面多余金属去除和平坦化处理。进一步的，在制备第三沟槽结构工艺时，可同步将IO以及外围共阴极实现金属填充，实现功能完善。
S223b：使用绝缘材料对第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层；对第三绝缘层进行刻蚀，形成围绕在第二发光单元周围的第三沟槽结构；对第三沟槽结构填充金属材料；采用图形化工艺去除第二发光单元的顶部表面的部分第三绝缘层，以暴露第二发光单元中的第二N型欧姆接触层；在第二N型欧姆接触层的表面、第三绝缘层远离驱动背板的一侧表面覆设阴极层。
步骤S223b中，沟槽工艺在共阴极连接前，经此步骤所制成的微显示发光像素如图12所示。具体的，在第二发光单元制备完成后直接引入第三绝缘层，通过进一步生长介质层，使用如硅玻璃等等离子沉积工艺，制备第三绝缘层，引入第三绝缘层后的结构如图35所示。然后对第三绝缘层平坦化后进行第三沟槽结构的刻蚀，利用驱动背板上的介质层承受过刻，刻蚀后进行金属填充，比如：在第三沟槽结构中依次沉积金属Al、NiV、Cu；或者，在第三沟槽结构中沉积金属Al；或者，在第三沟槽结构中沉积金属W，金属填充完成后的结构如图36所示。进一步的，在填充完成后，可以采用CMP进行对填充的金属材料表面进行表面多余金属去除和平坦化处理。然后进行图形化开口，暴露第二发光单元中的第二N型欧姆接触层以用于制备接触，进而连接阴极层。
在一种可能的实现方式中，在S223b中，在使用绝缘材料对第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层之前，还包括如下步骤：在第二发光单元的表面、驱动背板的表面覆设钝化层。也即，将钝化层作为沟槽制备对应的刻蚀截止层，台阶填充后的结构如图37所示，沟槽刻蚀并金属填充后的结构如图38所示，经此步骤所制成的微显示发光像素如图13所示。
可以理解的是，若采用上述背面沟槽结构设计思路，优点在于键合时对第二发光单元尚未定义图形，与驱动背板结合时对精度要求非常低，并且可以通过调整第三绝缘层的厚度，以灵活定制第三沟槽结构的深度；缺点在于第二发光单元对应的N型欧姆接触需要单独制备。
综上所述，本申请实施例所提供的微显示发光像素的制备方法，通过在微显示发光像素的显示模块中刻蚀沟槽结构并在沟槽结构中填充金属材料，通过贯穿式的沟槽结构，实现更好的光学串扰隔绝，能够通过沟槽结构的深度定制约束发光角，且沟槽结构的设计工艺相对成熟，量产性及良率有保障。
进一步的，制备方法采用半导体工艺，可以兼容至纳米级工作，更适合微型像素尺寸的制备。
本申请实施例还提供一种微显示屏200，如图39所示，该微显示屏200包括：
微显示屏背板300，微显示屏背板300包括至少两个驱动电路、输入接口及输出接口；
显示区域400，显示区域400设于微显示屏背板300上，且显示区域400包括至少两个如上述实施例中的显示模组，至少两个显示模组呈阵列式排布；
外围共阴极500，外围共阴极500与每一显示模组分别电连接，以使整个微显示屏200共阴极。
外部IO接口600，位于微显示屏背板300的任意位置。
进一步地，本实施例对于微显示屏200中阵列式相邻设置的每一显示模组的排布朝向不做限制。
本实施例中的微显示屏的具体结构及相应的技术效果，请参照上述实施例的相关描述，本实施例中将不作进一步的详细描述。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，即可将任意多个实施例进行组合，从而获得应对不同应用场景的需求，均在本申请的保护范围内，在此不再一一赘述。
需要说明的是，以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (19)
1.一种防串扰的微显示发光像素，其特征在于，所述微显示发光像素包括：
驱动背板；
显示模组，所述显示模组设于所述驱动背板之上，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结构，所述发光单元与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述沟槽结构围绕在所述发光单元周围，并将所述显示模组所在的垂直区域贯穿，所述沟槽结构中填充有金属材料，所述发光单元为无机化合物半导体。
2.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组至少包括：第一显示器件层；所述第一显示器件层包括：
第一发光单元，所述第一发光单元中的第一P型欧姆接触层连接有通孔，所述第一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳极触点相导通；
第一绝缘层，所述第一绝缘层填充形成在所述第一发光单元的外部；
第一沟槽结构，所述第一沟槽结构贯穿于所述第一绝缘层中，所述第一沟槽结构的一端与所述第一发光单元中的第一N型欧姆接触层相连，另一端与所述驱动背板的外围共阴极相连。
3.根据权利要求2所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组还包括：设置于所述第一显示器件层之上的第二显示器件层；所述第二显示器件层包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层填充形成在所述第一显示器件层远离所述驱动背板的一侧；
第二沟槽结构，所述第二沟槽结构贯穿于所述第二绝缘层、所述第一N型欧姆接触层中，所述第二沟槽结构的一端与所述第一沟槽结构相连。
4.根据权利要求3所述的微显示发光像素，其特征在于，
所述第二沟槽结构的宽度小于所述第一沟槽结构的宽度。
5.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组至少包括：第三显示器件层；所述第三显示器件层包括：
第二发光单元，所述第二发光单元中的第二P型欧姆接触层与所述驱动背板之间具有键合层，所述第二发光单元通过所述键合层与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层的表面覆设有部分的阴极层；
第三绝缘层，所述第三绝缘层填充形成在所述第二发光单元的外部；
第三沟槽结构，所述第三沟槽结构贯穿于所述第三绝缘层中，所述第三沟槽结构的一端与所述阴极层相连。
6.根据权利要求5所述的微显示发光像素，其特征在于，所述阴极层包括：中间阴极层以及两侧的侧边阴极层，所述中间阴极层覆设于所述第二N型欧姆接触层的表面；
所述第二发光单元的侧壁、所述驱动背板的表面覆设有钝化层，所述侧边阴极层覆设于所述钝化层的表面；
或，
所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面。
7.根据权利要求6所述的微显示发光像素，其特征在于，
在所述侧边阴极层覆设于所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面的情况下，所述第二发光单元的侧壁及所述驱动背板的表面还覆设有钝化层。
8.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，
所述沟槽结构处于所述显示模组的内部；
或，
所述沟槽结构处于所述显示模组的外周围。
9.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述沟槽结构俯视后对应的沟槽图形，包括：
圆形、矩形、六边形和八边形中的一种。
10.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述显示模组还包括：微透镜；
所述微透镜设置于所述发光单元、所述沟槽结构之上。
11.根据权利要求1所述的微显示发光像素，其特征在于，所述沟槽结构中填充的金属材料包括：
依次垂直沉积的铝、镍钒、铜；
或，沉积的铝；
或，沉积的钨。
12.一种微显示发光像素的制备方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1至11任一项所述的微显示发光像素，所述方法包括：
制备驱动背板；
制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，所述显示模组中包括发光单元和沟槽结构，所述发光单元与所述驱动背板中的阳极触点相导通，所述沟槽结构围绕在所述发光单元周围，并将所述显示模组所在的垂直区域贯穿，所述沟槽结构中填充有金属材料，所述发光单元为无机化合物半导体。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
对无机化合物半导体进行台阶刻蚀，制备第一发光单元；
使用绝缘材料对所述第一发光单元进行台阶填充，形成第一绝缘层；
对所述第一绝缘层进行刻蚀，形成与所述第一发光单元中第一P型欧姆接触层连接的通孔、以及围绕在所述第一发光单元周围的第一沟槽结构；
对所述通孔、所述第一沟槽结构填充金属材料，所述第一发光单元、所述第一绝缘层、所述第一沟槽结构组合为第一显示器件层；
通过混合键合工艺，将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合，结合时所述第一发光单元通过填充有金属材料的所述通孔与所述驱动背板中的阳极触点相导通。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在将所述第一显示器件层与所述驱动背板结合之后，所述方法还包括：
去除所述第一发光单元中的化合物衬底；
对去除衬底后的所述第一发光单元进行表面粗化。
15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在形成所述第一显示器件层之后，所述方法还包括：
使用绝缘材料对所述第一显示器件层进行填充，形成第二绝缘层；
对所述第二绝缘层进行刻蚀，形成一端与所述第一沟槽结构相连的第二沟槽结构；
对所述第二沟槽结构填充金属材料，所述第二绝缘层、所述第二沟槽结构组合为第二显示器件层。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述制备结合于所述驱动背板之上的显示模组，包括：
通过混合键合工艺，将制备有键合层的无机化合物半导体、制备有键合层的所述驱动背板结合，结合时所述无机化合物半导体通过所述键合层与所述驱动背板中的阳极触点相导通；
对所述无机化合物半导体、所述键合层进行台阶刻蚀，制备第二发光单元；
使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层；对所述第三绝缘层进行刻蚀，形成围绕在所述第二发光单元周围的第三沟槽结构；对所述第三沟槽结构填充金属材料；采用图形化工艺去除所述第二发光单元的顶部表面的部分所述第三绝缘层，以暴露所述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层；在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆设阴极层；
或，
在所述第二发光单元的表面、所述驱动背板的表面覆设钝化层；采用图形化工艺去除所述第二发光单元的顶部表面的部分所述钝化层，以暴露所述第二发光单元中的第二N型欧姆接触层；在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述钝化层的表面覆设阴极层；使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层；对所述第三绝缘层进行刻蚀，形成围绕在所述第二发光单元周围的第三沟槽结构；对所述第三沟槽结构填充金属材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述第二N型欧姆接触层的表面、所述第三绝缘层远离所述驱动背板的一侧表面覆设阴极层对应的方法中，在使用绝缘材料对所述第二发光单元进行台阶填充，形成第三绝缘层之前，所述方法还包括：
在所述第二发光单元的表面、所述驱动背板的表面覆设钝化层。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在制备结合于所述驱动背板之上的显示模组之后，所述方法还包括：
在所述发光单元、所述沟槽结构之上，制备微透镜。
19.一种微显示屏，其特征在于，所述微显示屏包括：
微显示屏背板，所述微显示屏背板包括驱动电路、输入接口及输出接口；
显示区域，所述显示区域设于所述微显示屏背板上，且所述显示区域包括至少两个如权利要求1至11任意一项所述微显示发光像素所包括的显示模组，至少两个所述显示模组呈阵列式排布；
外围共阴极，所述外围共阴极与每一所述显示模组分别电连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311840767.0A CN117558859A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202311840767.0A CN117558859A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117558859A true CN117558859A (zh) | 2024-02-13 |
Family
ID=89811333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311840767.0A Pending CN117558859A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 防串扰的微显示发光像素及其制作方法、微显示屏 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117558859A (zh) |
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