CN117552094A - 一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管。所述制备方法包括如下步骤：提供第一Si/SiO2基底；将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；将混合溶液旋涂在第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜；在混合分子薄膜上放置第二Si/SiO2基底，以使混合分子薄膜处于第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间，得到限域沉积结构；将限域沉积结构置入气相沉积装置中，对气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。根据本发明的方案，通过制备得到限域沉积结构以及混合具有不同侧链长度的两种BTBT同系物分子，从而可以制备得到两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。
Description
技术领域
本发明涉及有机单分子层晶体制备的技术领域，尤其涉及一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管。
背景技术
随着有机半导体晶体的广泛研究和应用，有机单分子层晶体(Organic MonolayerCrystals,OMCs)逐渐受到重视。由于有机小分子通常具有强烈的面内相互作用，许多有机小分子倾向于二维生长，从而有利于有机单分子层晶体的实现。单分子层作为有机晶体厚度的极限，对有机电子学的研究具有重要意义。研究认为载流子输运主要集中在晶体表面几个分子层，而直接生长单分子层有助于直接研究并深入理解有机材料的载流子输运理论。此外，较薄的半导体层厚度意味着更小的通道电阻和更高的迁移率，而单分子层超薄的厚度也增强了栅极对沟道的调节作用，从而可以大大减小关断电流，这在光电晶体管中表现为暗电流的减少，进而提高了光电灵敏度。因此，OMCs也为有机光电晶体管提供了独特而新颖的发展机会。
然而，与具有强面内化学键的无机材料相比，有机分子主要依靠次级键进行分子堆积，因此OMCs的均匀生长更难控制，同时也难以避免分子层间堆叠，这使得OMCs的生长仍然是一个挑战。
为了实现有机单分子层晶体的生长，气相法被认为是一种适合大规模生长高质量晶体的方法，它避免了溶剂残留引起的缺陷和不均匀性，有利于提升晶体结晶度。但是除了气相外延生长之外，目前还没有可靠的气相法用于OMCs的生长。然而，由于衬底制备和外延工艺的复杂性，气相外延生长方法具有较多限制，难以大规模应用，也难以得到大面积的晶体。此外，传统的热蒸发方法很难获得大尺寸的均匀单分子层晶体薄膜，通常获得的薄膜会带有浮岛状的不平坦表面。为了避免表面不均匀，现有技术中有通过微距升华的方法抑制层间堆积，以获得均匀的双分子层有机单晶膜，但这种方法仍然无法控制单分子层的均匀生长，同时得到的薄膜表面含有裂纹。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种能够生长得到大面积的单分子层晶体薄膜的制备方法。
本发明的一个进一步的目的在于控制单分子层晶体薄膜的生长均匀度以及表面光滑度。
特别地，本发明提供了一种有机单分子层共晶的制备方法，包括如下步骤：
提供第一Si/SiO2基底；
将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；
将所述混合溶液旋涂在所述第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜；
在所述混合分子薄膜上放置第二Si/SiO2基底，并使所述第二Si/SiO2基底的氧化硅层靠近所述混合分子薄膜，以使所述混合分子薄膜处于所述第一Si/SiO2基底和所述第二Si/SiO2基底之间，得到限域沉积结构；
将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。
可选地，所述将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液的步骤中，所述混合溶液中总溶质分子浓度为2*10-6-4*10-6mol/mL中任一值；
所述两种BTBT同系物分子中侧链长度较小的BTBT分子和侧链长度较大的BTBT分子的摩尔比为6:2-8。
可选地，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，加热温度为130-150℃中任一值。
可选地，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，对所述气相沉积装置进行加热之前，还包括如下步骤：
使所述气相沉积装置保持在真空状态；
向所述气相沉积装置内通入惰性气体，并以所述惰性气体作为保护气体，将所述气相沉积装置内的压强控制在6-7KPa。
可选地，所述将所述混合溶液旋涂在所述第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜的步骤中，旋涂速率为1500-5000rpm中任一值，旋涂时间为10-60s中任一值。
可选地，所述两种BTBT同系物分子分别为C8-BTBT和C10-BTBT；
所述可挥发溶剂为甲苯或氯苯。
可选地，所述混合溶液中总溶质分子浓度为2.8*10-6-3*10-6mol/mL中任一值；
所述C8-BTBT和所述C10-BTBT的摩尔比为6:4-5中任一值。
可选地，所述将所述混合溶液旋涂在所述第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜的步骤中，旋涂速率为2000-4000rpm中任一值，旋涂时间为20-40s中任一值。
特别地，本发明还提供了一种有机场效应晶体管，包括由有机单分子层共晶形成的材料层，所述有机单分子层共晶由前述的制备方法制备而成。
可选地，所述有机场效应晶体管还包括基底层，所述材料层形成在所述基底层上；
可选地，所述有机场效应晶体管还包括相对且间隔开布置的两个膜结构组，所述两个膜结构组形成在所述材料层上，每个所述膜结构组由下至上依次包括牺牲层、氧化钼掺杂层和电极层。
根据本发明的方案，通过制备得到限域沉积结构以及混合具有不同侧链长度的两种BTBT同系物分子，从而可以制备得到两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。由于薄膜是生长在第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间的，由此可以根据需要选择第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底的面积，可以满足制备大面积有机单分子晶体的需求。并且，非常重要的是，混合分子薄膜必须是要夹在第一Si/SiO2基底的氧化硅层和第二Si/SiO2基底的氧化硅层之间的。晶体主要有两种生长模式，即单层二维生长和垂直堆叠生长，本发明中，当混合分子薄膜被加热时，一部分分子蒸发，由于限域沉积结构的限制，此时分子浓度在限域沉积结构中快速上升，在分子运动过程中，分子会优先吸附在吸附能低的表面上，当材料是单一组分时，分子在吸附到硅基底上后倾向于数层分子堆叠生长，生长成树枝状，通常为几个分子层厚度，而加入了第二组分后分子在形成第一层分子时表面突出的烷基链增加了单分子层表面的吸附能，使得单分子层表面的吸附能高于硅基底表面，从而抑制了第二个分子层的生长，这是单分子层二维生长和抑制多层垂直堆叠生长的主要原因，即可以生长出大面积的有机单分子层晶体薄膜的主要原因。
进一步地，控制总溶质分子浓度和/或旋涂速率、两种BTBT同系物分子的摩尔比、加热温度可以极大提高有机单分子层晶体薄膜的质量，如生长均匀度和表面光滑度等。
根据下文结合附图对本发明具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本发明的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本发明的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
图1示出了根据本发明的一个实施例的有机单分子层共晶的制备方法的示意性流程图；
图2示出了氧化硅层以及不同晶体薄膜在水滴接触角测试的性能对比图；
图3示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶的光学显微镜照片；
图4示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶的正交偏振光学显微镜照片；
图5示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶薄膜的边缘处的光学显微镜照片；
图6示出了根据本发明一个实施例的硅基底上生长有有机单分子层共晶的照片；
图7中(a)示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶薄膜的边缘处的AFM形貌图；
图7中(b)示出了图7的(a)中薄膜边缘处白色横线位置处的高度剖面图；
图8示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶薄膜的透射电子显微镜的选区电子衍射图；
图9示出了根据本发明一个实施例的有机场效应晶体管的示意性结构图；
图10示出了根据本发明一个实施例的有机场效应晶体管的转移特性曲线图；
图中：1-材料层，2-基底层，21-N型高导硅，22-氧化硅，3-膜结构组，31-牺牲层，32-氧化钼掺杂层，33-电极层。
具体实施方式
图1示出了根据本发明的一个实施例的有机单分子层共晶的制备方法的示意性流程图。如图1所示，该制备方法包括：
步骤S100，提供第一Si/SiO2基底；
步骤S200，将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；
步骤S300，将混合溶液旋涂在第一Si/SiO2基底上，以在第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜；
步骤S400，在混合分子薄膜上放置第二Si/SiO2基底，并使所述第二Si/SiO2基底的氧化硅层靠近所述混合分子薄膜，以使混合分子薄膜处于第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间，得到限域沉积结构；
步骤S500，将限域沉积结构置入气相沉积装置中，对气相沉积装置进行加热，从而在第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。
根据本发明的方案，通过制备得到限域沉积结构以及混合具有不同侧链长度的两种BTBT同系物分子，从而可以制备得到两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。由于薄膜是生长在第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间的，由此可以根据需要选择第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底的面积，可以满足制备大面积有机单分子晶体的需求。并且，非常重要的是，混合分子薄膜必须是要夹在第一Si/SiO2基底的氧化硅层和第二Si/SiO2基底的氧化硅层之间的。晶体主要有两种生长模式，即单层二维生长和垂直堆叠生长，本发明中，当混合分子薄膜被加热时，一部分分子蒸发，由于限域沉积结构的限制，此时分子浓度在限域沉积结构中快速上升，在分子运动过程中，分子会优先吸附在吸附能低的表面上，当材料是单一组分时，分子在吸附到硅基底上后倾向于数层分子堆叠生长，生长成树枝状，通常为几个分子层厚度，而加入了第二组分后分子在形成第一层分子时表面突出的烷基链增加了单分子层表面的吸附能，使得单分子层表面的吸附能高于硅基底表面，从而抑制了第二个分子层的生长，这是单分子层二维生长和抑制多层垂直堆叠生长的主要原因，即可以生长出大面积的有机单分子层晶体薄膜的主要原因。
在一个实施例中，该第一Si/SiO2基底为例如可以为具有氧化硅层的硅片，该硅片可以仅其中一面具有氧化硅层，也可以两面均具有氧化硅层。在步骤S100和步骤S200之间还可以包括对第一Si/SiO2基底的清洗步骤。该清洗步骤包括将硅片放置在丙酮和去离子水中进行超声清洗，用氮气吹干后备用。
该步骤S200中，BTBT同系物分子有多种，例如C5-BTBT、C8-BTBT、C10-BTBT、C12-BTBT和C14-BTBT等。侧链长度不同的两种BTBT同系物分子例如可以为C5-BTBT和C8-BTBT，或者C8-BTBT和C10-BTBT，或者C10-BTBT和C12-BTBT，或者C12-BTBT和C14-BTBT等。后续试验验证选择为C8-BTBT和C10-BTBT为最优的方案。
该可挥发溶剂要求对两种BTBT同系物分子具有较好的溶解度，并且在室温下有比较好的挥发性，例如选择为甲苯或氯苯等。
在一些实施例中，该两种BTBT同系物分子中侧链长度较小的BTBT分子和侧链长度较大的BTBT分子的摩尔比为6:2-8中任一值，例如可以为6:2、6:3、6:4、6:5、6:6、6:7或6:8。混合溶液中总溶质分子浓度为2*10-6-4*10-6mol/mL中任一值，例如可以为2*10-6、2.5*10-6、3*10-6mol/mL、3.5*10-6mol/mL或4*10-6mol/mL。
需要强调的是，选择的两种BTBT同系物分子以及可挥发溶剂不同，则两者的摩尔比以及总溶质分子浓度也不同，但都在上述数值范围内。例如，当两种BTBT同系物分子选择为C8-BTBT和C10-BTBT，且可挥发溶剂为甲苯时，C8-BTBT和C10-BTBT的摩尔比为6:4-5中任一值，例如可以为6:4、6:4.5或6:5。该总溶质分子浓度为2.8*10-6-3*10-6mol/mL中任一值，例如可以为2.8*10-6、2.9*10-6或3*10-6mol/mL。
步骤S300中，旋涂速率为1500-5000rpm中任一值，例如可以为1500rpm、2000rpm、2500rpm、3000rpm、3500rpm、4500rpm或5000rpm。旋涂时间为10-60s中任一值，例如可以为10s、20s、30s、40s、50s或60s。
需要强调的是，选择的两种BTBT同系物分子以及可挥发溶剂不同，则对应的旋涂速率以及旋涂时间有所有区别，但是也均在上述数值范围内。例如，当两种BTBT同系物分子选择为C8-BTBT和C10-BTBT，且可挥发溶剂为甲苯时，旋涂速率为2000-4000rpm中任一值，例如可以为2000rpm、2500rpm、3000rpm、3500rpm或4000rpm。旋涂时间为20-40s中任一值，例如可以为20s、30s或40s。
该混合分子薄膜为在第一Si/SiO2基底表面上形成的不均匀两种BTBT同系物分子的混合分子薄膜。
该步骤S400中，该限域沉积结构中，第一Si/SiO2基底位于最下方，也可以第二Si/SiO2基底位于最下方，只要能够使得混合分子薄膜处于第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间即可。
该步骤S500中，对气相沉积装置进行加热之前，还包括如下步骤：使气相沉积装置保持在真空状态；向气相沉积装置内通入惰性气体，并以惰性气体作为保护气体，将气相沉积装置内的压强控制在6-7KPa。其中，该气相沉积装置例如可以为管式炉。使气相沉积装置保持在真空状态的步骤中，真空度可以为10-1Pa。该惰性气体例如可以为氩氢混合气体。
根据本发明的方案，控制总溶质分子浓度和/或旋涂速率、两种BTBT同系物分子的摩尔比、加热温度可以极大提高有机单分子层晶体薄膜的质量，如生长均匀度和表面光滑度等。
为了验证有机单分子层共晶的各种性能，本申请发明人进行了多项数据表征，以下以制备获得C8-BTBT和C10-BTBT的有机单分子层共晶为例进行说明。
图2示出了氧化硅层以及不同晶体薄膜在水滴接触角测试的性能对比图。该不同晶体薄膜分别为C8-BTBT与C10-BTBT的有机单分子层共晶(以下简写OMC)、C8-BTBT晶体薄膜和C10-BTBT晶体薄膜。由图2可知，氧化硅层的接触角为47°，C8-BTBT晶体薄膜的接触角为67.9°，C10-BTBT晶体薄膜的接触角为71.1°，OMC的接触角为107.3°。固体表界面倾向于吸附物质或者改变表面结构以降低表面能，而C8-BTBT与C10-BTBT的有机单分子层共晶的表面能较低，这表明在生长过程中，单分子层倾向于长成C8-BTBT和C10-BTBT的混合分子晶体，而不是单组分的单晶。并且，氧化硅层的接触角最低，因此薄膜优先生长在氧化硅层，从而能够抑制层间堆叠，分子会倾向于优先吸附在硅基底上形成单层。
图3示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶的光学显微镜照片。由图3可知，有机单分子层共晶颜色一致，无台阶或层状岛屿，这表明其表面光滑厚度一致，其中偶有孔洞。图4示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶的正交偏振光学显微镜照片。由图4可知，不同颜色显示了不同取向的晶畴范围，晶畴的直径通常在100-200μm，与图3对比可以看出孔洞的分布主要存在于晶界处，由于晶界处通常存在更强的应力，在块状材料中通常表现为在晶界处存在更多的缺陷，而在有机单分子层共晶中这一现象就扩展为孔洞的形式。图5示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶薄膜的边缘处的光学显微镜照片，图5中左侧为薄膜，右侧为硅基底，硅基底的表面有一层氧化硅。由图5可知，边界处可见未成膜的分子簇以小颗粒的形式分散在氧化硅表面，薄膜与氧化硅的颜色和亮度对比极弱，可以看出所得薄膜非常薄。图6示出了根据本发明一个实施例的硅基底上生长有有机单分子层共晶的照片，其中，硅基底的尺寸为2.2*2.2cm2，该硅基底的尺寸受限于管式炉中石英管的规格，可以理解的是，在商业化应用过程中，可以扩大硅基底的尺寸。由图6可知，硅基底上可以观察到厘米级的有机单分子层共晶，证明本发明方法可以实现大面积生长。
图7中(a)示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶薄膜的边缘处的AFM形貌图。由图7中(a)可知，薄膜上没有层状岛屿，其均方根粗糙度为168.6pm，说明薄膜较为光滑，表面没有多余的分子层。图7中(b)示出了图7的(a)中薄膜边缘处白色横线位置处的高度剖面图。图7中(b)可以得到薄膜边缘的台阶高度为2.7nm，略小于C8-BTBT和C10-BTBT块状晶体的c轴层间距离(C8-BTBT为2.9nm，C8-BTBT为3.4nm)，因此可以证明本发明的有机单分子层共晶薄膜为单分子层。
图8示出了根据本发明一个实施例的有机单分子层共晶薄膜的透射电子显微镜的选区电子衍射图。由图8可知，点阵代表了各个晶面，其中标注了(020)晶面和(200)晶面，可以看出在多张图中晶面方位都几乎一致，这证明了晶体取向的一致性，点阵清晰且每个位置都只有一套点阵，证明了晶体具有高的结晶度。
特别地，本发明还提供了一种有机场效应晶体管，包括由有机单分子层共晶形成的材料层，该有机单分子层共晶由前述的制备方法制备而成。
图9示出了根据本发明一个实施例的有机场效应晶体管的示意性结构图。如图9所示，该有机场效应晶体管还包括基底层2，该基底层2的材料为硅材料，例如为N型高导硅21，其表面有氧化硅22。材料层1形成在基底层2上；该有机场效应晶体管还包括相对且间隔开布置的两个膜结构组3，该两个膜结构组3形成在材料层1上，每个膜结构组3由下至上依次包括牺牲层31、氧化钼掺杂层32和电极层33。
在一个实施例中，N型高导硅21作为栅极，氧化硅22作为栅极绝缘层。相对的两个膜结构组3中的电极层33分别为源极和漏极。该牺牲层31的材料例如可以为C8-BTBT，以避免有机单分子层共晶在电极制备的过程中易受到热损伤进而影响器件性能。该牺牲层31是通过对准好的金属电极掩模版以的速率在电极下蒸镀的，厚度为10nm。蒸镀C8-BTBT期间样品盘以缓慢的速率旋转使牺牲层31略大于电极，再在其上以/>的速率蒸镀1nm厚的氧化钼作为掺杂以降低接触势垒，减小接触电阻，最后以/>的速率蒸镀30nm厚度的Au电极。
图10示出了根据本发明一个实施例的有机场效应晶体管的转移特性曲线图。如图10所示，VDS＝-20V，器件的饱和迁移率(μ)为0.13cm2 V-1s-1，由于电极下采用了较厚的牺牲层以保护有机单分子层共晶，因此，器件的接触电阻较高，降低了器件的迁移率。有机场效应晶体管的关态电流较低，Ioff低于10-13A，这由于沟道材料为单分子层共晶。同时，其开关比On/Off大于107，与C8-BTBT的块状单晶器件保持了一致的水平。
至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本发明的多个示例性实施例，但是，在不脱离本发明精神和范围的情况下，仍可根据本发明公开的内容直接确定或推导出符号本发明常用理的许多其他变型或修改。因此，本发明的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。
Claims (10)
1.一种有机单分子层共晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供第一Si/SiO2基底；
将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；
将所述混合溶液旋涂在所述第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜；
在所述混合分子薄膜上放置第二Si/SiO2基底，并使所述第二Si/SiO2基底的氧化硅层靠近所述混合分子薄膜，以使所述混合分子薄膜处于所述第一Si/SiO2基底和所述第二Si/SiO2基底之间，得到限域沉积结构；
将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液的步骤中，所述混合溶液中总溶质分子浓度为2*10-6-4*10-6mol/mL中任一值；
所述两种BTBT同系物分子中侧链长度较小的BTBT分子和侧链长度较大的BTBT分子的摩尔比为6:2-8。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，加热温度为130-150℃中任一值。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，对所述气相沉积装置进行加热之前，还包括如下步骤：
使所述气相沉积装置保持在真空状态；
向所述气相沉积装置内通入惰性气体，并以所述惰性气体作为保护气体，将所述气相沉积装置内的压强控制在6-7KPa。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述混合溶液旋涂在所述第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜的步骤中，旋涂速率为1500-5000rpm中任一值，旋涂时间为10-60s中任一值。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述两种BTBT同系物分子分别为C8-BTBT和C10-BTBT；
所述可挥发溶剂为甲苯或氯苯。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中总溶质分子浓度为2.8*10-6-3*10-6mol/mL中任一值；
所述C8-BTBT和所述C10-BTBT的摩尔比为6:4-5中任一值。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将所述混合溶液旋涂在所述第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜的步骤中，旋涂速率为2000-4000rpm中任一值，旋涂时间为20-40s中任一值。
9.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括由有机单分子层共晶形成的材料层，所述有机单分子层共晶由权利要求1-8中任一项所述的制备方法制备而成。
10.根据权利要求9所述的有机场效应晶体管，其特征在于，还包括基底层，所述材料层形成在所述基底层上；
可选地，所述有机场效应晶体管还包括相对且间隔开布置的两个膜结构组，所述两个膜结构组形成在所述材料层上，每个所述膜结构组由下至上依次包括牺牲层、氧化钼掺杂层和电极层。
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