CN117528913A - 电路板组件及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种电路板组件及电子设备，涉及终端技术领域，该电路板组件包括：第一基板；导热界面层，设置在所述第一基板的一侧；芯片模组，设置在第一基板靠近导热界面层的一侧，芯片模组至少包括第一芯片，第一芯片与第一基板连接；散热结构，至少包括散热框架，散热框架设置在第一芯片朝向导热界面层的一侧，散热框架的两端分别与第一芯片和导热界面层连接、且用于将第一芯片产生的热量传递到导热界面层。由此，通过散热结构可以增加第一芯片与导热界面层和金属箔的散热通道，提升第一芯片的散热效率，并对第一芯片进行高效散热，大幅降低了第一芯片的温度，有效解决了电子设备的散热问题。

Description

电路板组件及电子设备

技术领域

本申请涉及终端技术领域，尤其涉及一种电路板组件及电子设备。

背景技术

随着科技的进步，电子设备越来越向高密度封装方向发展，这不仅需要电子设备具有更高的性能，还需要其保持小体积、低功耗。在此情况下，传统的将芯片整合在一起的系统单封装（system in a package，SIP）技术已无法满足需求，要想办法使芯片的体积进一步缩小。由此，能够将更多芯片堆叠起来而使体积再缩小的三维（3D）封装技术得到了逐步的发展。

然而，在三维堆叠的芯片结构中，内部芯片的热量难以散出，因此堆叠芯片的高温会出现在芯片内部，这容易导致芯片失效，进而造成器件性能出现问题。

因此，芯片的散热问题亟待解决。

发明内容

本申请实施例提供一种电路板组件及电子设备，该电路板组件在第一芯片与导热界面层之间增设散热结构，增加了第一芯片到导热界面层和/或金属箔的散热通道，提升了第一芯片的散热效率，且能对位于内部的第一芯片进行高效散热，大幅降低了第一芯片的温度，从而有效的解决了电子设备的散热问题。

为达到上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种电路板组件，该电路板组件包括：第一基板，导热界面层设置在第一基板上，金属箔设置在导热界面层上，芯片模组设置在第一基板靠近导热界面层的一侧、且至少包括第一芯片，第一芯片与第一基板连接，散热结构至少包括散热框架，散热框架设置在第一芯片朝向导热界面层的一侧，散热框架的两端分别与第一芯片和导热界面层接触、且用于将第一芯片产生的热量传递到导热界面层。

本申请实施例提供一种电路板组件，该电路板组件通过在第一芯片与导热界面层之间增设了散热结构，该散热结构可以增加第一芯片到导热界面层和/或金属箔的散热通道，以提升第一芯片对电子设备的散热效率，且能够对位于内部的第一芯片进行高效的散热，大幅降低了第一芯片的温度，从而提高了3D封装的可靠性，并提升了芯片的性能，得到了一种高导热3D PCBA。

在第一方面一种可能的实现方式中，第一芯片是SOC。

在该实现方式中， 能够使SOC产生的热量通过散热结构传导到导热界面层和/或金属箔，提升了SOC的散热效率，降低了SOC的温度。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热结构还包括第一散热，第一散热件设置在第一芯片朝向导热界面层的一侧、且与第一芯片连接，沿垂直于第一基板的方向，第一散热件的高度小于散热框架的高度，第一散热件与散热框架共同用于将第一芯片产生的热量传递到导热界面层。

在该实现方式中，第一散热件可以使散热框架与第一芯片的连接面积更大，从而进行更有效的热量传递。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热结构还包括第二散热件，第二散热件设置在导热界面层朝向第一芯片的一侧、且与导热界面层连接，沿垂直于第一基板的方向，第二散热件的高度小于散热框架的高度，第二散热件与散热框架共同用于将第一芯片产生的热量传递到导热界面层。

在该实现方式中，第二散热件可以使散热框架与导热界面层的连接面积更大，从而进行更有效的热量传递。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热结构还包括第三散热件，第三散热件设置在第一基板靠近导热界面层的一侧，第三散热件的两端分别与第一基板和导热界面层连接，第三散热件与散热框架共同用于将第一芯片产生的热量传递到第一基板。

在该实现方式中，第三散热件可以使散热框架与第一基板连接，这样第一芯片产生的热量不仅可以通过散热框架向导热界面层传导，还可以通过第三散热件向第一基板传导，从而进行更有效的热量传递。

在第一方面一种可能的实现方式中，芯片模组包括SOC和DDR，散热框架环绕DDR四周呈“回”字型设置，且散热框架依次通过第二粘结层和第一焊接件与SOC焊接。

在该实现方式中，“回”字型散热框架简单易实现，且可以尽可能增大散热面积。

在第一方面一种可能的实现方式中，在“回”字型散热框架靠近DDR的一侧设置有第一散热件，第一散热件依次通过第二粘结层与第一焊接件焊接于第一芯片，第一散热件沿垂直于第一基板方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板方向的厚度，第一散热件与DDR不接触，第一散热件也呈“回”字型。

在该实现方式中，通过将第一散热件设置在散热框架下层向DDR内侧延伸处，相当于增大了散热框架的散热面积。

在第一方面一种可能的实现方式中，在“回”字型散热框架远离DDR的一侧设置有第二散热件，第二散热件粘结于导热界面层，第二散热件沿垂直于第一基板方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板方向的厚度，第二散热件也呈“回”字型。

在该实现方式中，通过将第二散热件设置在散热框架上层向DDR外侧延伸处，相当于增大了散热框架的散热面积，此时即使在下层布有电子元器件了，也不会不影响下层电子元器件的排布。

在第一方面一种可能的实现方式中，在“回”字型散热框架靠近DDR的一侧设置有第一散热件，第一散热件依次通过第二粘结层与第一焊接件焊接于第一芯片，第一散热件沿垂直于第一基板方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板方向的厚度，第一散热件与DDR不接触，第一散热件也呈“回”字型；同时，在“回”字型散热框架远离DDR的一侧设置有第二散热件，第二散热件粘结于导热界面层，第二散热件沿垂直于第一基板1方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板方向的厚度，第二散热件也呈“回”字型。

在该实现方式中，既通过将第一散热件设置在散热框架下层向DDR内侧延伸处，又通过将第二散热件设置在散热框架上层向DDR外侧延伸处，使散热框架的散热面积得到了很大的增加。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热框架的一侧设置有流胶口、且在流胶口对侧的散热框架上设置有出胶口，出胶口在第一基板上的正投影的面积小于流胶口在第一基板上的正投影的面积，流胶口用于流入胶黏剂，出胶口用于促使胶黏剂流入SOC与DDR之间、且填充未设置第二焊接结构的位置，胶黏剂用于将SOC与DDR粘结。

在该实现方式中，通过将胶黏剂从流胶口点进去后，由于在流胶口对侧设置了出胶口，这样胶黏剂可以流动且填充SOC与DDR之间设置的相邻焊球的空隙处，从而将SOC与DDR粘结，尽可能减小电路板组件跌落时DDR掉落的问题。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热框架在第一基板上的正投影的形状为立方形，该立方形具有依次相连的第一边、第二边、第三边和第四边，第一边设置有依次相连的第一子流胶口、第二子流胶口和第三子流胶口，第三边设置有第一子出胶口和第二子出胶口，第一子出胶口与第二子出胶口分立且间隔设置；沿第一方向，第一子出胶口的延伸方向、第二子出胶口的延伸方向分别与第二子流胶口的延伸方向不相交，第一方向平行于第一基板。

在该实现方式中，能够使胶黏剂均匀流动在SOC与DDR之间。

在第一方面一种可能的实现方式中，设置流胶口位于散热框架的第一边的相对中间位置，例如，沿第二方向流胶口位于上、下各空出一个焊盘的位置处；同理，第一子出胶口和第二子出胶口也尽可能设置在散热框架的第二边的相对中间位置，例如，沿第二方向出胶口位于上、下各空出一个焊盘的位置处，第二方向为平行于第一基板、且与第一方向垂直的方向。

在该实现方式中，既可以实现胶黏剂的流动，又可以使散热框架的面积不至于太小，以利于散热。

在第一方面一种可能的实现方式中，电路板组件包括多个第二焊接件，设置在边缘的部分第二焊接件的面积大于其余部分第二焊接件的面积。

在该实现方式中，可以增大焊接面积，从而进一步增加导热面积，使导热效果更好。

在第一方面一种可能的实现方式中，设置在右侧边缘的部分第二焊接件的形状为矩形，其余第二焊接件的形状为圆形，每个矩形的第第二焊接件的面积相同，每个圆形的第二焊接件的面积相同，矩形的面积为圆形面积的二倍左右。

在该实现方式中，可以增大焊接面积，且尽量减少焊盘的偏移，尽可能减少焊接不良，在此基础上，焊盘面积较大还可以进一步增加导热面积，使导热效果更好。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，倾斜口用于流入胶黏剂、且使胶黏剂流入SOC与DDR之间，胶黏剂填充未设置第二焊接结构的位置、且用于将SOC与DDR粘结；散热框架未设置出胶口。

在该实现方式中，胶黏剂通过倾斜口就可以流入SOC与DDR之间，且无出胶口设计，起到阻胶作用，还可以使散热框架的散热面积尽可能的大。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，倾斜口用于流入胶黏剂、且使胶黏剂流入SOC与DDR之间，胶黏剂填充未设置第二焊接结构的位置、且用于将SOC与DDR粘结；在倾斜口对侧的散热框架上设置有出胶口。

在该实现方式中，通过将散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，胶黏剂通过倾斜口就可以流入SOC与DDR之间，工艺简单。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热框架在第一基板上的正投影的形状为立方形，立方形具有依次相连的第一边、第二边、第三边和第四边，第一边设置有倾斜口，倾斜口与第一方向之间的夹角θ范围包括30°-80°。

在该实现方式中，可以使胶黏剂流入倾斜口的效果较好。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热结构还包括至少一个带状框架，带状框架设置在DDR与散热框架之间，带状框架与散热框架接触、且与DDR不接触，带状框架的两端分别与SOC和导热界面层连接，带状框架与散热框架共同用于将SOC产生的热量传递到导热界面层。

在该实现方式中，可以增大散热结构的面积，增大散热效果。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热结构包括两个带状框架，两个带状框架围绕DDR设置、且形成非闭合结构，该非闭合部分用于流入胶黏剂、且使胶黏剂流入SOC与DDR之间，胶黏剂填充未设置第二焊接结构的位置、且用于将SOC与DDR粘结。

在该实现方式中，既可以增大散热结构的面积，增大散热效果，又可以从未设置带状框架处填充胶黏剂，以实现SOC与DDR的粘结。

在第一方面一种可能的实现方式中，散热结构还包括第三散热件，第三散热件设置在第一基板靠近导热界面层的一侧，第三散热件的两端分别与第一基板和导热界面层连接，第三散热件与散热框架共同用于将SOC产生的热量传递到第一基板。

在该实现方式中，第三散热件增大了散热框架的面积，而且SOC产生的热不仅可以向上传到导热界面层，还能向下传导到PCB上，进一步提升了散热效果。

在第一方面一种可能的实现方式中，在SOC与DDR之间设置有至少一个凸台，凸台与第二焊接结构分立且间隔排布，凸台与SOC连接、且与DDR不接触，凸台用于将SOC产生的热量经过DDR传递到导热界面层。

在该实现方式中，通过增设的凸台可以进一步增加从SOC到DDR的传导热过程，缩小SOC向上传递热量的路径，使DDR散热通道散出的热量效率等得到进一步的提升。

在第一方面一种可能的实现方式中，芯片模组包括多个第二焊接件，所有第二焊接件在第一基板上的正投影的形状为中心具有镭雕区域的圈，凸台设置在镭雕区域。

在该实现方式中，凸台既可以提升DDR对SOC产生的热量的热传导效率，又可以不占用其他焊接位置，简单易实现。

第二方面，提供一种电子设备，包括如第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的电路板组件。

本申请实施例提供一种电子设备，由于SOC的散热性能非常好，可提升电子设备的效能，并提高电子设备中主板的密度和强度，使电子设备的整体性能良好。

在第二方面一种可能的实现方式中，电子设备包括显示屏、第四VC、中框、电路板组件、FB、RF板、第八BTB、继电凸起、摄像头、焊锡和芯片。

在该实现方式中，电子设备的性能较好。

在第二方面一种可能的实现方式中，电子设备包括显示屏、第四VC、中框、电路板组件、焊锡和芯片。

在该实现方式中，电子设备的性能较好。

在第二方面一种可能的实现方式中，电子设备包括显示屏、第四VC、电路板组件、中框、焊锡和芯片。

在该实现方式中，电子设备的性能较好。

在第二方面一种可能的实现方式中，电子设备包括显示屏、第四VC、电路板组件、中框、焊锡、芯片和底部填充胶。

在该实现方式中，电子设备的性能较好。

本申请实施例提供一种电路板组件，在第一芯片与导热界面层之间增设了散热结构，该散热结构可以增加第一芯片到导热界面层和金属箔的散热通道，以提升第一芯片对电子设备的散热效率，且能够对位于内部的第一芯片进行高效的散热，大幅降低了第一芯片的温度，从而提高了3D封装的可靠性，并提升了芯片的性能，进而可以提升整个电子设备的效能，并提高电子设备的主电路板的密度和强度等。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种电子设备的整体结构示意图；

图2为图1的电子设备的拆分结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种相关技术中的3D封装结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种相关技术中的第一个电子设备的封装结构的上表面设置有第一VC 的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种相关技术中的第二个电子设备的封装结构的上表面设置有第二VC 的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的又一种相关技术中的第三个电子设备的封装结构的上表面设置有第三VC 的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的第一种电路板组件的俯视图；

图8为本申请实施例提供的第一种电路板组件的剖面图；

图9为本申请实施例提供的第二种电路板组件的剖面图；

图10为本申请实施例提供的第三种电路板组件的剖面图；

图11为本申请实施例提供的第四种电路板组件的剖面图；

图12为本申请实施例提供的第五种电路板组件的剖面图；

图13为本申请实施例提供的第六种电路板组件的剖面图；

图14为本申请实施例提供的第二种电路板组件的俯视图；

图15为本申请实施例提供的第七种电路板组件的剖面图；

图16为本申请实施例提供的第八种电路板组件的剖面图；

图17为本申请实施例提供的第三种电路板组件的俯视图；

图18为本申请实施例提供的第九种电路板组件的剖面图；

图19为本申请实施例提供的第四种电路板组件的俯视图；

图20为本申请实施例提供的第五种电路板组件的俯视图；

图21为本申请实施例提供的第十种电路板组件的剖面图；

图22为本申请实施例提供的第十一种电路板组件的剖面图；

图23为本申请实施例提供的第十二种电路板组件的剖面图；

图24为本申请实施例提供的第十三种电路板组件的剖面图；

图25为本申请实施例提供的第十四种电路板组件的剖面图；

图26为本申请实施例提供的第十五种电路板组件的剖面图；

图27为本申请实施例提供的第六种电路板组件的俯视图；

图28为本申请实施例提供的第七种电路板组件的俯视图；

图29为本申请实施例提供的第八种电路板组件的俯视图；

图30为本申请实施例提供的第九种电路板组件的俯视图；

图31为本申请实施例提供的第十六种电路板组件的剖面图；

图32为本申请实施例提供的第十种电路板组件的俯视图；

图33为本申请实施例提供的第十七种电路板组件的剖面图；

图34为本申请实施例提供的一种带状框架的结构示意图；

图35为本申请实施例提供的另一种带状框架的结构示意图；

图36为本申请实施例提供的一种带状框架本体和散热框架的第一边的俯视图；

图37为本申请实施例提供的第十一种电路板组件的俯视图；

图38为本申请实施例提供的第十八种电路板组件的剖面图；

图39为本申请实施例提供的一种DDR和SOC的表面结构示意图；

图40为本申请实施例提供的一种SOC靠近DDR一侧的表面的结构示意图；

图41为本申请实施例提供的另一种SOC靠近DDR一侧的表面的结构示意图；

图42为本申请实施例提供的一种SOC上第二焊接件的尺寸图；

图43为本申请实施例提供的一种DDR与SOC叠层后的结构示意图；

图44为本申请实施例提供的一种基于直板机的架构图；

图45为本申请实施例提供的一种基于双折叠机的架构图；

图46为本申请实施例提供的第一种电子设备的结构示意图；

图47为本申请实施例提供的第二种电子设备的结构示意图；

图48为本申请实施例提供的第三种电子设备的结构示意图；

图49为本申请实施例提供的第四种电子设备的结构示意图。

附图标记：

01-手机；100-显示屏；101-中框；102-后壳；02-电路板组件；1031-主电路板；1032-电子元件；104-电池；

105-第二屏蔽罩；106-SIP元件；107-第一PCB ；109-UFS 109；110-第二PCB；112-第三PCB；113-RF IC；114-RF PA；115-PMU；116-第一屏蔽罩；117-容纳腔；

120-第一个电子设备的封装结构的上表面；121-第一VC；122-第二个电子设备的封装结构的上表面；123-第二VC；124-第三个电子设备的封装结构的上表面；125-第三VC；

02-电路板组件；1-第一基板；12-导热界面层；13-金属箔；3-第一芯片；6-散热框架；61-散热框架的第一边；62-散热框架的第三边；10-第二芯片；21-第一焊接结构；22-第二焊接结构；41-第二焊接件；7-第一散热；8-第二散热件；15-第三散热件；16-导热粘合层；5-第二粘结层；11-凸台；43-第三焊接件；91-流胶口；911-第一子流胶口；912-第二子流胶口；913-第三子流胶口；92-出胶口；921-第一子出胶口；922-第二子出胶口；14-带状框架；141-带状框架本体；142-带状框架延伸部；D1-镭雕区域；611-倾斜口的斜边；108-填充材料；42-第一焊接件；

03-电子设备；200-第一主板；201-第一CAM；202-第一BTB；204-第一USF；206-第二BTB；207-第二主板；208-第三BTB；209-充电FPC；210-TYPEC；211-SIM卡；212-第一电池FPC；206-第二BTB；207-第二主板；208-第三BTB；209-充电FPC；210-TYPEC；211-SIM卡；212-电池FPC；213-第四BTB；214-第一穿轴；215-转轴；216-副主板；217-第五BTB；218-第二穿轴；219-第六BTB；220-第七BTB；221-第一FPC；222-第二CAM；223-第二电池FPC；

300-第四VC；302-FB；303-RF板；304-第八BTB；305-继电凸起；306-摄像头；307-焊锡；308-芯片；309-底部填充胶。

具体实施方式

除非另有定义，本文所使用的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文所使用的术语只是为了描述具体实施例的目的，不是旨在限制本申请；本申请说明书和权利要求书及附图说明中的术语“包括”和“具有”及它们的变形，意在覆盖不排他的包含。

本申请实施例的描述中，技术术语“第一”、“第二”等仅用于区别不同对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量、特定顺序或主次关系。

本文提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书的各个位置出现该短语并不一定是指相同的实施例，也不是与其他实施例互斥的独立的或备选的实施例。

本申请实施例中，术语“和/或”仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本申请实施例中，“多个”的含义是指两个以上（包括两个），同理，“多组”指的是两组以上（包括两组），“多层”指的是两层以上（包括两层），除非另有明确的规定和限定。

本申请实施例中，“至少一个”的含义是指一个或一个以上。

本申请实施例中，技术术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造等，不能理解为对本申请实施例的限制。

本申请实施例中，技术术语“安装”、“相连 ”、“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；也可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用。本领域技术人员可根据具体情况理解上述术语在本申请实施例的具体含义。

下面对本申请实施例中的部分用语进行解释说明，以便本领域技术人员能够更好的理解。

1、系统级芯片（system on chip，SOC）

SOC是指一个有专用目标的集成电路，包含完整系统并有嵌入软件的全部内容，同时，SOC又是一种技术，用以实现从确定系统功能开始到软/硬件划分、且完成设计的整个过程。

2、双倍数据速率芯片（double data rage random access memory，DDR）

DDR是指一个时钟周期内能传输两次数据，即能在时钟上升期和下降期各传输一次数据的内存。

3、印刷电路板（printed circuit board，PCB）

PCB是电子元件的支撑体，也是电子元件线路连接的提供者，其采用电子印刷技术制作而成。

4、表面组装贴片技术（surface mounted technology，SMT）

SMT是指一种将无引脚或短引线表面组装元器件安装在PCB或其他基板表面，通过回流焊接组装的电路装连技术。

5、双列直插封装（dual in-line package，DIP）

DIP是一种集成电路的封装方式。

DIP插件工艺在SMT贴片工艺之后，是PCBA工艺的一部分。DIP插件是指不能被机器贴装的大尺寸元器件，需经过手工插件后再通过波峰焊进行焊接成型。DIP插件工艺大致可分为插件、波峰焊、剪脚、检验、测试等，插件是指将贴片加工好的元器件插入PCB的对应位置，为过波峰焊做准备。

6、印刷电路板组件（printed circuit board assembly，PCBA）

PCBA是指一种将PCB空板经过SMT上件或经过DIP插件制程后形成的电路板组件。

7、叠层封装（package on package，POP）

POP是指在底部元器件上面再放元器件，由上下两层封装叠加而成，底层封装与上层封装之间、底层封装与母板之间通过焊球阵列实现互连的封装技术。通常，分别获得底层封装元器件和上层封装元器件，并在系统板组装过程中将它们焊接在一起，底层封装一般是基带元器件或应用处理器等，上层封装可以是存储器等。

8、通用闪存（universal flash storage，UFS）芯片

UFS芯片是指一种具有更高性能和更大容量的芯片。

9、3D技术的芯片封装

3D技术的芯片封装包括扇出封装（fan out package，FOP）等，又称叠层芯片封装，是指在一个封装体内的垂直方向叠放两个及以上芯片的封装技术。

10、导热界面材料（thermal interface materials，TIM）

TIM是指一种可用于填补两种材料接合或接触时产生的微空隙及表面凹凸不平的孔洞，以减少传热接触热阻，提高器件散热性能的材料。

11、计算机辅助制造（computer aided manufacturing，CAM）

CAM是指从产品设计到加工制造的一切生产活动，包括工时定额计算、生产计划制订、资源需求计划制订、与物流有关的所有过程（例如，加工、装配、检验、存贮、输送）的监视、控制和管理等。

12、Type-C接口

Type-C接口是一种用于连接电子设备和充电器的连接标准。

13、板对板连接器（board to board，BTB）

BTB是指一种用于连接电子设备中不同PCB的组件，其可以提供可靠的电气连接，允许一个电路板与另一个电路板之间传输信号、电源或数据。

14、均热板（vapor chambers，VC）

VC是指一种将工作液体注入内部设置有毛细结构的近真空腔体而形成的能进行相变传热的板状传热装置。

以上是对本申请实施例中涉及到的名词的简单介绍，以下不再赘述。

在现代生活中，手机、笔记本电脑等电子设备的作用愈来愈重要，日渐成为人们生活的必需品之一。

本申请实施例提供一种电子设备，对其具体类型不做限制。在一些实施例中，本申请提供的电子设备可以为消费电子终端产品、家居式电子产品、车载式电子产品、金融终端电子产品和通信电子产品等。

其中，消费电子终端产品可以包括手机（mobile phone）、平板电脑（pad）、膝上型计算机（laptop）、笔记本电脑、手持计算机、个人计算机（personal computer，PC）、电子阅读器、桌面显示器、蜂窝电话、无人机、个人数字助理（personal digital assistant，PDA）、智能穿戴设备（例如，智能手环、智能手表、耳机等）、超级移动个人计算机（ultra-mobilepersonal computer，UMPC）、增强现实（augmented reality，AR）/虚拟现实（virtualreality，VR）设备等物联网（internet of things，IOT）设备等。家居式电子产品可以包括电视、智能门锁、遥控器、冰箱、充电家用小型电器（例如，豆浆机、扫地机器人等）、打印机、投影仪等。车载式电子产品可以包括车载导航仪、车载高密度数字视频光盘（digitalvideo disc，DVD）等。金融终端电子产品可以包括自动取款机（automated tellermachine，ATM）、自助办理业务的终端等。通信电子产品可以包括服务器、存储器、基站等通信设备。

本申请实施例对于上述电子设备的具体形式不做限制。以下实施例为了方便说明，均是以电子设备为手机为例进行举例说明。

请参考图1和图2，图1为本申请一些实施例适用的电子设备的整体示意图，图2为图1所示的电子设备的拆分示意图。

其中，图1和图2所示的电子设备均是以平板手机为例进行的说明。在另一些实施例中，电子设备也可以是其他类型的手机，例如，可折叠手机等。

在图1和图2的示例中，电子设备可以包括显示屏100、中框101、后壳102、电路板组件02和电池104等。可以理解的是，图1和图2以及下文中相关附图仅示意性的示出了电子设备中的一些部件，这些部件的实际形状、大小、位置和构造等均不受图1和图2以及下文中各附图的限定。

下面对本申请实施例适用的电子设备的具体结构做进一步地阐述。

请参考图1和图2，以电子设备为手机01为例，该手机01可以包括显示屏100和中框101，显示屏100位于中框101的一侧。

应用中，显示屏100具有用于显示图像信息的显示区域，显示区域背向中框101。在通电状态下，显示区域可以显示相应的图像信息。显示屏100可以是平面屏、曲面屏、折叠屏等中的任一种。

需要说明的是，显示屏100可以是液晶显示屏（liquid crystal display，LCD）、有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）显示屏、有源矩阵有机发光二极管（active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED）显示屏、次毫米发光二极管（mini light emitting diode，Mini LED）显示屏、微发光二极管（micro light emittingdiode，Micro LED）显示屏等中的任一种。

在图1所示的实施例中，电子设备的形状可以为矩形平板状。当然，电子设备的形状还可以是其他任意的形状，具体以实际应用为准。

如图2所示，手机01还可以包括后壳102、电路板组件02和电池104等结构。后壳102可以设置在中框101远离显示屏100的一侧，且后壳102与中框101之间可以围成手机01的内部容纳空间，该内部容纳空间可以将电路板组件02和电池104等结构容纳在内。电池104可以用于向手机01内诸如显示屏100、电路板组件02等提供电量。

应用中，电路板组件02可以包括主电路板1031和电子元件1032，其类型可以是PCBA等。其中，主电路板1031可以用于承载电子元件1032、且与电子元件1032完成信号交互。图2以电路板组件02包括两个电子元件1032为例进行说明。当然，电子元件1032的数量可以不限定为两个，具体以实际应用为准。

电子元件1032可以包括但不限于芯片、电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电组件、连接器、半导体分立器、传感器、电源及充电模块、开关、微特电机、电子变压器、继电器、客户识别模块卡座、处理器、天线模块、蓝牙模块、无线保真（wireless fidelity，WiFi）模块、全球定位系统（global positionsystem，GPS）模块、屏幕显示及操作模块等。

主电路板1031可以为硬质电路板，例如，PCB，也可以为柔性电路板，也可以为软硬结合电路板。主电路板1031可以采用FR-4介质板，也可以采用罗杰斯（Rogers）介质板，也可以采用FR-4和Rogers的混合介质板等。此处的FR-4是一种耐燃材料等级的代号，Rogers介质板为一种高频板。

主电路板1031可以是单面板或双面板，单面板是指主电路板1031的一侧设置有电子元件1032，双面板是指主电路板1031两侧均设置有电子元件1032。主电路板1031可以是射频（radio frequency，RF）板、应用处理器（application processor，AP）板，射频板可用于承载射频芯片（radio frequency integrated circuit，RF IC）、射频功率放大器（radiofrequency power amplifier，RF PA）等，应用处理器板可用于承载SOC、DDR、主电源管理芯片（power management unit，PMU）、辅电源管理芯片等。

当然，上述手机01还可以包括麦克风、扬声器、摄像组件等其他结构。这里仅介绍与发明点相关的内容，其余不再详细说明。

目前，电子设备需要实现的功能越来越多，使布置在其内部的电子元件越来越多，相应地，主电路板在电子设备内的占用空间也就越来越大，这与电子设备的轻薄化趋势相背。

因此，需要优化主电路板结构，以缩小电路板组件的占用空间，实现电子设备的轻薄化。

相关技术中，3D技术的芯片封装由于可以在不改动封装尺寸的前提下，将不同功能的芯片和/或结构通过堆叠技术或过孔互连等堆积起来，使电子设备的体积缩小，因而得到了越来越广泛的研究和应用。

图3示出了一种堆叠结构的电路板组件02的示意图。

如图3所示，电路板组件02包括第一PCB 107、第二PCB 110和第三PCB 112，第二PCB 110设置在第一PCB 107与第三PCB 112之间。第一PCB 107可以是电路板，第二PCB 110可以是框架板、且具有用于容纳电子元件的容纳腔117，第三PCB 112可以是焊盘栅格阵列（land grid array，LGA）。图 2中的电池104可用于为第一PCB 107、第二PCB 110、第三PCB112等供电。

在图3中，与多个PCB电连接的电子元件例如可以是SIP元件106、通用UFS 109、RFIC 113、RF PA 114和 PMU 115等。如图3所示，SIP元件106可以通过焊球111固定在第一PCB107远离第二PCB 110的一侧，UFS 109可以通过焊球111固定在第一PCB 107靠近第二PCB110的一侧、且设置在容纳腔117内。同时，为了保证连接强度，可在第一PCB 107与UFS 109之间设置填充材料108，填充材料108包裹第一PCB 107与UFS 109之间的焊球111。此外，RFIC 113、RF PA 114和PMU 115可以通过焊球111固定在第三PCB 112远离第一PCB 107的一侧。

再请参考图3，电路板组件02还包括第一屏蔽罩116和第二屏蔽罩105。第一屏蔽罩116固定在第三PCB 112远离第二PCB 110的一侧，RF IC 113、RF PA 114和PMU 115位于第一屏蔽罩116与第三PCB 112之间的空腔内，第一屏蔽罩116为RF IC 113、RF PA 114和PMU115屏蔽信号。第二屏蔽罩105固定在第一PCB 107远离第二PCB 110的一侧，SIP元件106位于第二屏蔽罩105与第一PCB 107之间的空腔内，第二屏蔽罩105为SIP元件106屏蔽信号。

由图3可知，在三维堆叠结构中，多种芯片堆叠在一起，且还使用屏蔽罩罩上，这样芯片运行时的散热问题就显得尤其重要。特别是对于例如，SOC，其作为做复杂运算的器件，常需要位于三维堆叠结构的中间才方便连接，这就导致SOC运行时产生的热量更不容易散出。

相关技术中采用在整个封装结构的上表面设置常规VC来进行散热。图4至图6给出了相关技术中三种不同电子设备背面具有VC的结构示意图。

图4示出了在第一个电子设备的封装结构的上表面120设置有第一VC 121，图5示出了在第二个电子设备的封装结构的上表面122设置有第二VC 123，图6示出了在第三个电子设备的封装结构的上表面124设置有第三VC 125。

可以看出，一方面，图4至图6所示的VC均占据了电子设备较大的面积；另一方面，由于VC与SOC之间经常隔着一些结构体，导致SOC的热量很难传导出去，更别提还要经VC散出，使SOC功耗高。

进一步地，在目前的双面板、三明治、四明治等多种电路板场景下，SOC上层常需要焊接DDR，SOC和DDR之间通过空气等进行导热传输到屏蔽盖或铜箔上，铜箔再通过TIM导热材料传递到中框或屏幕的VC上，在这个过程中，SOC与中框或屏幕的接触热阻大，路径长，进而导致芯片出现能耗比高、温度低、跑分高等问题。

由此可知，以上这些弊端都限制了三维堆叠结构的发展和应用。

有鉴于此，本申请实施例提供一种电路板组件，该电路板组件在第一芯片与导热界面层之间增设了散热结构，该散热结构可以增加第一芯片到导热界面层和金属箔的散热通道，以提升第一芯片对电子设备的散热效率，且能够对位于内部的第一芯片进行高效的散热，大幅降低了第一芯片的温度，从而提高了3D封装的可靠性，并提升了芯片的性能。

当本申请实施例提供的电路板组件应用于电子设备中时，可以提升整个电子设备的效能，并提高电子设备的主电路板的密度和强度等。

下面请结合图7至图43，对本申请实施例提供的电路板组件02进行详细地介绍。

其中，将图7所示的电路板组件沿剖面线F1F2进行剖面，得到图8至图13、图16所示的电路板组件的剖面图；将图14所示的电路板组件沿剖面线F3F4进行剖面，得到图15所示的电路板组件的剖面图；将图17所示的电路板组件沿剖面线F5F6进行剖面，得到图18所示的电路板组件的剖面图；将图19所示的电路板组件沿剖面线F7F8进行剖面，得到图20至图26所示的电路板组件的剖面图；将图29和图30所示的电路板组件沿剖面线F9F10进行剖面，或者将图30所示的电路板组件沿剖面线F11F12进行剖面，得到图31所示的电路板组件的剖面图；将图32所示的电路板组件沿剖面线F13F14进行剖面，得到图33所示的电路板组件的剖面图；将图37所示的电路板组件沿剖面线F13F14进行剖面，得到图38所示的电路板组件的剖面图。

如图7至图43所示，本申请实施例提供的电路板组件包括：第一基板1；导热界面层12设置在第一基板1上；金属箔13设置在导热界面层12上；芯片模组设置在第一基板1靠近导热界面层12的一侧、且至少包括第一芯片3，第一芯片3与第一基板1连接；散热结构至少包括散热框架6，散热框架6设置在第一芯片3朝向导热界面层12的一侧，散热框架6的两端分别与第一芯片3和导热界面层12接触、且用于将第一芯片3产生的热量传递到导热界面层12。

应用中，对于上述第一基板的具体类型不做限定，示例性的，第一基板可以为PCB、柔性电路板（flexible printed circuit，FPC） 等。

应理解，导热界面层由导热界面材料构成，该导热界面材料可用于减少传热接触热阻，提高散热性能。

应用中，对于金属箔的具体类型不做限定，示例性的，金属箔可以为铜（Cu）箔等。

应理解，芯片模组至少包括第一芯片是指：芯片模组可以仅包括第一芯片；或者，芯片模组除了包括第一芯片以外，还可以包括其他与第一芯片不同的芯片，例如，第二芯片、第三芯片等，具体以实际应用为准。

在一个或多个实施例中，芯片模组可以仅包括第一芯片，该第一芯片可以是SOC。

在一个或多个实施例中，芯片模组可以包括第一芯片和第二芯片，该第一芯片可以是SOC，第二芯片可以是DDR。应用中，如图18、图21至图26、图31、图33和图38所示，第二芯片10可以通过第二焊接结构22和第二焊接件41与第一芯片3连接。对于第二焊接结构、第二焊接件的具体类型不做限定，示例性的，第二焊接结构可以为焊球等，第二焊接件可以为焊盘等。

应理解，本申请实施例中描述的焊球实际是指机械连接和/或电连接的焊材，焊球的真实形状未必是球形，可以是多面体、椭球形、圆台形、倒角形等。为了便于描述，本申请实施例将各类形状的焊材统称为焊球。

应理解，本申请实施例中描述的焊盘的真实形状可以包括球、多面体、椭球形、圆台形、倒角形等。

应用中，对于第一芯片与第一基板连接的具体方式不做限定，示例性的，如图8至图13、图15至图16、图18、图20至图26、图31、图33和图38所示，第一芯片3可以通过第一焊接结构21与第一基板1连接。对于第一焊接结构的具体类型不做限定，示例性的，第一焊接结构可以为焊球等。

应理解，散热结构至少包括散热框架是指：散热结构可以仅包括散热框架；或者，散热结构除了包括散热框架以外，还可以包括其他结构，例如，连接件等，具体以实际应用为准。

作为一个示例，如图10至图11、图16所示，散热结构还包括第一散热7，第一散热件7设置在第一芯片3朝向导热界面层12的一侧、且与第一芯片3连接，沿垂直于第一基板1的方向，第一散热件7的高度小于散热框架6的高度，第一散热件7与散热框架6共同用于将第一芯片3产生的热量传递到导热界面层12。

由此，第一散热件7可以使散热框架6与第一芯片3的连接面积更大，从而进行更有效的热量传递。

作为另一个示例，如图12至图13、图16所示，散热结构还包括第二散热件8，第二散热件8设置在导热界面层12朝向第一芯片3的一侧、且与导热界面层12连接，沿垂直于第一基板1的方向，第二散热件8的高度小于散热框架6的高度，第二散热件8与散热框架6共同用于将第一芯片3产生的热量传递到导热界面层12。

由此，第二散热件8可以使散热框架6与导热界面层12的连接面积更大，从而进行更有效的热量传递。

作为又一个示例，如图14至图15所示，散热结构还包括第三散热件15，第三散热件15设置在第一基板1靠近导热界面层12的一侧，第三散热件15的两端分别与第一基板1和导热界面层12连接，第三散热件15与散热框架6共同用于将第一芯片3产生的热量传递到第一基板1。

由此，第三散热件15可以使散热框架6与第一基板1连接，这样第一芯片3产生的热量不仅可以通过散热框架6向导热界面层12传导，还可以通过第三散热件15向第一基板1传导，从而进行更有效的热量传递。

应用中，对于散热框架的材料、结构等不做具体限定，示例性的，散热框架可以采用Cu、铝（Al）等高导热金属或复合型高分子材料等构成，以具有良好的导热能力。

在芯片模组具有第一芯片和第二芯片的情况下，示例性的，散热框架可以设置在第一芯片上、且位于第二芯片的至少一侧；或者，如图17至图26、图29至图33、图37和图38所示，散热框架可以设置在第一芯片3上、且环绕第二芯片10一圈设置，此时，该散热框架在第一基板1上的正投影的形状可以为“回”字型，该“回”字型散热框架简单易实现，且可以尽可能增大散热面积。

应用中，对于散热框架与导热界面层的具体连接方式不做限定，示例性的，散热框架可以粘结于导热界面层。

应用中，对于散热框架与第一芯片的具体连接方式不做限定，示例性的，如图8和图20所示，散热框架6可以通过第一粘结层（图8和图20中均未示出）与第一芯片3粘结；或者，如图9至图13、图15和图16、图18、图21至图26、图31、图33和图38所示，散热框架可以通过第二粘结层5与第一焊接件42粘结，第一焊接件42还与第一芯片3连接。

对于第一粘结层和第二粘结层的材料、形状等均不做具体限定，示例性的，第一粘结层和第二粘结层的材料可以为粘结剂，例如，焊锡等，第二粘结层的形状可以为立方体等。可选地，可以在散热框架下方预制锡小方块，并采用POP工艺将该预制锡小方块与焊盘焊接。

对于第一焊接件的类型、形状等均不做限定，示例性的，第一焊接件可以是焊盘等，第一焊接件的形状可以包括球、多面体、椭球形、圆台形、倒角形等。由此，可以通过喷锡焊接的方式，将散热框架与SOC上层进行焊接。

需要说明的是，该第一焊接件可以作为散热焊盘，与散热框架一起将第一芯片产生的热量传递到导热界面层。

本申请实施例提供一种电路板组件，该电路板组件通过在第一芯片与导热界面层之间增设了散热结构，该散热结构可以增加第一芯片到导热界面层和/或金属箔的散热通道，以提升第一芯片对电子设备的散热效率，且能够对位于内部的第一芯片进行高效的散热，大幅降低了第一芯片的温度，从而提高了3D封装的可靠性，并提升了芯片的性能，得到了一种高导热3D PCBA。

进而将上述电路板组件应用于电子设备中时，可以提升整个电子设备的效能，并提高电子设备的主电路板的密度和强度等，从而使电子设备的性能良好。

下面以芯片模组包括第一芯片（SOC）和第二芯片（DDR），散热框架环绕DDR四周呈“回”字型设置，且散热框架依次通过第二粘结层和第一焊接件与SOC焊接并应用于手机为例，对本申请实施例提供的电路板组件进行具体说明。

如图17至图43所示，DDR设置在SOC与导热界面层12之间，DDR依次通过第二焊接结构22和第二焊接件41与SOC连接、且DDR与散热框架不接触，DDR可以用于将SOC产生的热量传递到导热界面层12。

需要说明的是，DDR可以用于将SOC产生的大部分热量传递到导热界面层12，例如，DDR可以用于将SOC产生的70%-80%的热量传递到导热界面层12。

作为一个示例，如图22所示，在“回”字型散热框架靠近DDR的一侧设置有第一散热件7，第一散热件7依次通过第二粘结层5与第一焊接件42焊接于第一芯片，第一散热件7沿垂直于第一基板1方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板1方向的厚度，第一散热件7与DDR不接触，第一散热件7也可以呈“回”字型。

由此，通过将第一散热件7设置在散热框架下层向DDR内侧延伸处，相当于增大了散热框架的散热面积。

作为另一个示例，如图23所示，在“回”字型散热框架远离DDR的一侧设置有第二散热件8，第二散热件8粘结于导热界面层12，第二散热件8沿垂直于第一基板1方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板1方向的厚度，第二散热件8也可以呈“回”字型。

由此，通过将第二散热件8设置在散热框架上层向DDR外侧延伸处，相当于增大了散热框架的散热面积，此时即使在下层布有电子元器件了，也不会不影响下层电子元器件的排布。

作为又一个示例，如图26所示，在“回”字型散热框架靠近DDR的一侧设置有第一散热件7，第一散热件7依次通过第二粘结层5与第一焊接件42焊接于第一芯片，第一散热件7沿垂直于第一基板1方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板1方向的厚度，第一散热件7与DDR不接触，第一散热件7也可以呈“回”字型；同时，在“回”字型散热框架远离DDR的一侧设置有第二散热件8，第二散热件8粘结于导热界面层12，第二散热件8沿垂直于第一基板1方向的厚度小于散热框架沿垂直于第一基板1方向的厚度，第二散热件8也可以呈“回”字型。

由此，既通过将第一散热件7设置在散热框架下层向DDR内侧延伸处，又通过将第二散热件8设置在散热框架上层向DDR外侧延伸处，使散热框架的散热面积得到了很大的增加。

目前在电路板组件中，SOC运行时会产生大量热量，这些热量大部分可以由DDR传导到导热界面层和/或铜箔，但仍有一部分热量无法传递出去，且由于DDR位于SOC上方，阻挡了SOC向导热界面层和/或铜箔传热的过程。

基于此，本申请实施例提供一种高导热3D PCBA，通过在SOC和DDR之间增加焊接的导热金属框架，使SOC产生且未能通过DDR散出的热量经由导热金属框架传递出去，增加SOC对整机的散热效率和散热通道，以期能够对位于内部的SOC进行高效的散热，降低SOC温度，从而实现散热面积的增加，提高3D封装的可靠性，进而提升整机的效能、以及主电路板的密度和强度等。

可选地，作为一种可实现的方式，如图19至图23、图25和图26所示，散热框架的一侧设置有流胶口91、且在流胶口91对侧的散热框架上设置有出胶口92，出胶口92在第一基板1上的正投影的面积小于流胶口91在第一基板1上的正投影的面积，流胶口91用于流入胶黏剂，出胶口92用于促使胶黏剂流入SOC与DDR之间、且填充未设置第二焊接结构22的位置；胶黏剂用于将SOC与DDR粘结。

需要说明的是，对散热框架的一侧进行挖槽，该槽沿垂直于第一基板的方向未贯穿散热框架，以形成流胶口。同理，对散热框架的另一侧进行挖槽，该槽沿垂直于第一基板的方向未贯穿散热框架，以形成出胶口。

此外，从出胶口可以看到胶黏剂填充了多少，从而得知何时填满。

本申请实施例提供一种电路板组件，通过将胶黏剂从流胶口点进去后，由于在流胶口对侧设置了出胶口，这样胶黏剂可以流动且填充SOC与DDR之间设置的相邻焊球的空隙处，从而将SOC与DDR粘结，尽可能减小电路板组件跌落时DDR掉落的问题。

进一步地，如图19所示，散热框架在第一基板1上的正投影的形状为立方形，该立方形具有依次相连的第一边61、第二边（图19未示出）、第三边62和第四边（图19未示出），第一边61设置有依次相连的第一子流胶口911、第二子流胶口912和第三子流胶口913，第三边62设置有第一子出胶口921和第二子出胶口922，第一子出胶口921与第二子出胶口922分立且间隔设置；沿第一方向（图19中的OX方向），第一子出胶口921的延伸方向、第二子出胶口922的延伸方向分别与第二子流胶口912的延伸方向不相交；其中，OX方向平行于第一基板。

需要说明的是，沿垂直于第一基板的方向，流胶口的凹槽的高度高于出胶口的凹槽的高度，这样使胶黏剂从上方的流胶口流入散热框架后，便于胶黏剂的在SOC与DDR之间流动。

作为一个示例，可以在散热框架的第一边61上全开槽，以形成流胶口91。同理，可以在散热框架的第三边62上全开槽，以形成出胶口92。

作为另一个示例，如图19所示，可以设置流胶口91位于散热框架的第一边61的相对中间位置，例如，沿OY方向，流胶口91位于上、下各空出一个焊盘的位置处；同理，第一子出胶口921和第二子出胶口922也尽可能设置在散热框架的第三边62的相对中间位置，例如，沿OY方向，出胶口92位于上、下各空出一个焊盘的位置处。

由此，既可以实现胶黏剂的流动，又可以使散热框架的面积不至于太小，以利于散热。

作为又一个示例，可以在散热框架的第一边61上全开槽，以形成流胶口91。同时，可以设计第一子出胶口921和第二子出胶口922在散热框架的第三边62上全开槽。

由于右侧流胶口91位于中间，当胶黏剂从流胶口流入时，从上向下填胶，第二子流胶口912处的胶黏剂流速是最快的，即在第一子流胶口911和第三子流胶口913还没填满胶黏剂的情况下，第二子流胶口912处已经填满了胶黏剂。假设左边的出胶口与右边的流胶口形状大小一致且对称，从第二子流胶口912流入的胶黏剂已经通过出胶口流出去了，而两边还没有流动好，导致胶黏剂流动不均匀。

基于此，本申请实施例设置沿OX方向，第一子出胶口921的延伸方向、第二子出胶口922的延伸方向分别与第二子流胶口912的延伸方向不相交，这样使胶黏剂均匀流动在SOC与DDR之间。

进一步地，如图27所示，在图17至图26的第二焊接件41基础上，图27又增设了多个第二焊接件41，且设置在边缘的部分第二焊接件41的面积可以大于其余第二焊接件41的面积。

对于第二焊接件在第一基板上的正投影的形状不做具体限定，示例性的，第二焊接件在第一基板上的正投影的形状可以为圆形、正方形、矩形等。

更进一步地，如图27所示，设置在右侧边缘的部分第二焊接件41的形状为矩形，其余第二焊接件41的形状为圆形，每个矩形的第第二焊接件41的面积相同，每个圆形的第二焊接件41的面积相同，矩形的面积为圆形面积的二倍左右。

需要说明的是，设置在右侧边缘的沿OY方向的一列矩形第二焊接件41还可以作为流胶口91使用。

本申请实施例提供的电路板组件，通过增加了一些焊盘，有的焊盘做成面积较大的矩形，从而可以增大焊接面积，且尽量减少焊盘的偏移，尽可能减少焊接不良，在此基础上，焊盘面积较大还可以进一步增加导热面积，使导热效果更好。

可选地，作为一种可实现的方式，如图29和图31所示，散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，倾斜口用于流入胶黏剂、且使胶黏剂流入SOC与DDR之间，胶黏剂填充未设置第二焊接结构22的位置、且用于将SOC与DDR粘结；散热框架未设置出胶口。

进一步地，如图29和图31所示，散热框架在第一基板1上的正投影的形状为立方形，立方形具有依次相连的第一边61、第二边、第三边62和第四边，第一边61靠近DDR的一侧设置有倾斜口，倾斜口的斜边611与OX方向之间的夹角θ范围包括30°-80°。

对于θ不做具体限定，示例性的，θ可以是30°、40°、50°、60°、70°或者80°等。

需要说明的是，结合图29和图31所示，由于具有倾斜口的散热框架整条边可以点胶，点胶后胶黏剂向左流到尽头后，胶黏剂又沿右边返流，一直点胶，点胶量大，点胶时冲的力会抵消掉，所以不设计出胶口，也可以实现胶黏剂的流动。

本申请实施例提供的电路板组件，通过将散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，胶黏剂通过倾斜口就可以流入SOC与DDR之间，且无出胶口设计，起到阻胶作用，还可以使散热框架的散热面积尽可能的大。

可选地，作为一种可实现的方式，如图30和图31所示，散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，倾斜口用于流入胶黏剂、且使胶黏剂流入SOC与DDR之间，胶黏剂填充未设置第二焊接结构22的位置、且用于将SOC与DDR粘结；在倾斜口对侧的散热框架上设置有出胶口。

需要说明的是，这里的出胶口可以参考上述实施例进行设置，此处不再赘述。

本申请实施例提供的电路板组件，通过将散热框架的一边在靠近DDR侧具有倾斜口，胶黏剂通过倾斜口就可以流入SOC与DDR之间，工艺简单。

可选地，作为一种可实现的方式，如图32和图33所示，散热结构还包括至少一个带状框架14，带状框架14设置在DDR与散热框架6之间，带状框架14与散热框架6接触、且与DDR不接触，带状框架14的两端分别与SOC和导热界面层12连接，带状框架14与散热框架6共同用于将SOC产生的热量传递到导热界面层12。

对于带状框架的数量不做具体限定，示例性的，可以增加单条带状框架或者增加多条带状框架。

对于带状框架的结构不做具体限定，示例性的，如图32和图33所示，带状框架14可以具有带状框架本体141和带状框架延伸部142，带状框架本体141与带状框架延伸部142相连。

图34和图35示出了两种不同结构的带状框架。

如图34所示，带状框架在第一基板上的正投影具有矩形的带状框架本体141和矩形的带状框架延伸部142。由此，带状框架本体可以很好的撑住带状框架延伸部，且简单易实现。

如图35所示，带状框架在第一基板上的正投影具有倒梯形的带状框架本体141和矩形的带状框架延伸部142。由此，带状框架本体既可以撑住带状框架延伸部，又可以使带状框架延伸部延伸的更长。

图36示出了带状框架本体和散热框架的第一边在第一基板上的正投影沿OX方向的宽度。如图36所示，带状框架本体141在第一基板上的正投影沿OX方向的宽度d1可以大于或等于整体条宽（d1与d2的和值，d2为散热框架的第一边61在第一基板上的正投影沿OX方向的宽度）的55%-85%。示例性的，d1可以占d1+d2的55%、60%、65%、70%、75%或者85%等。由此，既使带状框架面积大，散热好，又不置于占用太多空间。

进一步地，如图32和图33所示，散热结构包括两个带状框架14，两个带状框架14围绕DDR设置、且形成非闭合结构，该非闭合部分用于流入胶黏剂、且使胶黏剂流入SOC与DDR之间，胶黏剂填充未设置第二焊接结构22的位置、且用于将SOC与DDR粘结。需要说明的是，该带装框架不是回字形的，而是单边的，这样如图32所示，可以在DDR与SOC的两条线中间k1处流入胶黏剂。

本申请实施例提供的电路板组件，通过设置带状框架，从而可以增大散热结构的面积，增大散热效果。

可选地，作为一种可实现的方式，如图37和图38所示，散热结构还包括第三散热件15，第三散热件15设置在第一基板1靠近导热界面层12的一侧，第三散热件15的两端分别与第一基板1和导热界面层12连接，第三散热件15与散热框架6共同用于将SOC产生的热量传递到第一基板1。

对于第三散热件于第一基板的连接方式不做具体限定，示例性的，第三散热件可以通过导热粘合层16与第一基板粘结。具体的，该导热粘合层16可以为导热胶。

本申请实施例提供的电路板组件，若散热件伸出的比较长（背离DDR的方向），会导致重心不稳，因此再焊接到PCB上，还增大了散热框架的面积，而且SOC产生的热不仅可以向上传到导热界面层，还能向下传导到PCB上，进一步提升了散热效果。

可选地，作为一种可实现的方式，如图24至图27、图31、图33和图38所示，在SOC与DDR之间设置有至少一个凸台11，凸台11与第二焊接结构22分立且间隔排布，凸台11与SOC连接、且与DDR不接触，凸台11可以用于将SOC产生的热量经过DDR传递到导热界面层12。

应用中，如图24至图27、图31、图33和图38所示，凸台11可以通过第三焊接件43与SOC焊接，具体的，第三焊接件43喷锡与SOC焊接，从而可以增加散热连接，减少热阻。

对于凸台的材料、形状等均不做具体限定，示例性的，凸台可以是金属凸台等，金属凸台的形状可以是球体、多面体、椭球、圆台等。

本申请实施例提供的电路板组件，通过增设的凸台可以进一步增加从SOC到DDR的传导热过程，缩小SOC向上传递热量的路径，使DDR散热通道散出的热量效率等得到进一步的提升。

进一步地，如图24至图27、图31、图33和图38所示，芯片模组包括多个第二焊接件41，所有第二焊接件41在第一基板1上的正投影的形状为中心具有空白位的圈，凸台11设置在中心的空白位。

需要说明的是，如图40和图41所示，空白位也称为镭雕区域D1，该镭雕区域D1是设置字符位置和非字符位置，也即凸台11设置在中间的镭雕区域D1。

本申请实施例提供的电路板组件，通过在镭雕区域设置了凸台，既可以提升DDR对SOC产生的热量的热传导效率，又可以不占用其他焊接位置，简单易实现。

下面基于上述实施例，对本申请实施例中的SOC、DDR、散热框架等多项参数进行具体说明。

图28示出了散热框架等的多项参数，如下表1所示。

表1

图39示出了DDR、SOC朝向DDR一侧及其上的第二焊接件41的俯视图。

其中，多个第二焊接件41排列在SOC上，多个第二焊接件41围城“回”字型。

DDR的尺寸可以是：长为14mm×12.4mm，宽为Pitch 0.4mm。

SOC的尺寸可以是：长为16.5mm×14mm，上层焊盘Pitch 0.4mm，与DDR的焊球接触。

图40示出了多个第二焊接件41围成的镭雕区域位置。沿OY方向，第一行的焊盘与最后一行的焊盘之间的间距d3为0.4mm×26=10.4mm；沿OX方向，第一列的焊盘与最后一列的焊盘之间的间距d4为0.4mm×27=10.8mm。

图41示出了SOC上多个第第二焊接件41围成的镭雕区域D1。

图42示出了第二焊接件41沿垂直于第一基板方向的高度。如图42所示，第二焊接件41沿垂直于第一基板方向的高度d5可以为约0.15mm-0.25mm。

图43示出了SOC与DDR叠层后的结构。如图43所示，DDR一侧沿平行于第一基板（图43中未示出）方向与SOC的间距d6可以为约1225μm，SOC与DDR之间沿垂直于第一基板（图43中未示出）方向的间距d7可以为约150μm。

需要说明的是，对于DDR、SOC、第二焊接件等的参数还可以进行各种设置，此处不再赘述。

下面结合图44至图49，对本申请实施例提供的电子设备03进行详细地介绍。

图44示出了一种基于直板机的架构图，图45示出了一种基于双折叠机的架构图。

如图44所示，电子设备03包括第一主板200、第一CAM 201、第一BTB 202、第一USF204、第二BTB 206、第二主板207、第三BTB 208、充电FPC 209、TYPEC 210、客户识别模块（subscriber identity module，SIM）卡211和第一电池FPC 212。

如图45所示，电子设备03包括第一主板200、第一CAM 201、第一BTB 202、第一USF204、第二BTB 206、第二主板207、第三BTB 208、充电FPC 209、TYPEC 210、SIM卡211、电池FPC 212、第四BTB 213、第一穿轴214、转轴215、副主板216、第五BTB 217、第二穿轴218、第六BTB 219、第七BTB 220、第一FPC 221、第二CAM 222和第二电池FPC 223。

本申请实施例提供的电子设备，由于SOC的散热性能非常好，可提升电子设备的效能，并提高电子设备中主板的密度和强度，使电子设备的整体性能良好。

再请参考图46至图49，介绍本申请实施例提供的电路板组件02应用于电子设备03的四种不同场景。

应用中，电子设备的主电路板可以使用双面板、三明治、四明治等结构。

图46示出了本申请实施例的电路板组件02应用于电子设备03中的一种结构示意图。

如图46所示，电子设备03包括显示屏100、第四VC 300、中框101、电路板组件02、铁氧体磁珠（ferrite bead，FB）302、RF板303、第八BTB 304、继电凸起305、摄像头306、焊锡307和芯片308。

图47示出了本申请实施例的电路板组件02应用于电子设备03中的另一种结构示意图。

如图47所示，电子设备03包括显示屏100、第四VC 300、中框101、电路板组件02、焊锡307和芯片308。

图48示出了本申请实施例的电路板组件02应用于电子设备03中的又一种结构示意图。

如图48所示，电子设备03包括显示屏100、第四VC 300、电路板组件02、中框101、焊锡307和芯片308。

图49示出了本申请实施例的电路板组件02应用于电子设备03中的再一种结构示意图。

如图49所示，电子设备03包括显示屏100、第四VC 300、电路板组件02、中框101、焊锡307、芯片308和底部填充胶（underfill）309。

本申请实施例中关于电路板组件等的说明可以参考上述实施例，这里不再赘述。

以上仅介绍与发明点相关的内容，其余内容可以参考相关技术获取，此处不再详细说明。

应理解，上述只是为了帮助本领域技术人员更好的理解本申请实施例，而非要限制本申请实施例的范围。本领域技术人员根据给出的上述示例，显然可以进行各种等价的修改或变化，例如，方法的各个实施例中某些步骤可以是非必须的，或可以新加入某些步骤等；或者上述任意两种/多种实施例的组合。这样的修改、变化或组合后的方案也落入本申请实施例的范围内。

还应理解，上文对本申请实施例的描述着重于强调各个实施例之间的不同之处，未提到的相同或相似之处可以互相参考，为了简洁，这里不再赘述。

还应理解，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。

还应理解，本申请实施例中的方式、情况、类别以及实施例的划分仅是为了描述的方便，不应构成特别的限定，各种方式、类别、情况以及实施例中的特征在不矛盾的情况下可以相结合。

还应理解，在本申请的各个实施例中，如果没有特殊说明以及逻辑冲突，不同的实施例之间的术语和/或描述具有一致性、且可以相互引用，不同的实施例中的技术特征根据其内在的逻辑关系可以组合形成新的实施例。

最后应说明的是：以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种电路板组件，其特征在于，包括：

第一基板；

导热界面层，设置在所述第一基板的一侧；

芯片模组，设置在所述第一基板靠近所述导热界面层的一侧，所述芯片模组至少包括第一芯片，所述第一芯片与所述第一基板连接；

散热结构，至少包括散热框架，所述散热框架设置在所述第一芯片朝向所述导热界面层的一侧，所述散热框架的两端分别与所述第一芯片和所述导热界面层连接、且用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述导热界面层。

2.根据权利要求1所述的电路板组件，其特征在于，所述电路板组件还包括第一粘结层，所述散热框架通过所述第一粘结层与所述第一芯片粘结；

或者，

所述电路板组件还包括第一焊接件和第二粘结层，所述散热框架通过所述第二粘结层与所述第一焊接件粘结，所述第一焊接件还与所述第一芯片连接，所述第一焊接件与所述散热框架共同用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述导热界面层。

3.根据权利要求2所述的电路板组件，其特征在于，所述散热结构还包括第一散热件，所述第一散热件设置在所述第一芯片朝向所述导热界面层的一侧、且与所述第一芯片连接，沿垂直于所述第一基板的方向，所述第一散热件的高度小于所述散热框架的高度，所述第一散热件与所述散热框架共同用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述导热界面层。

4.根据权利要求2所述的电路板组件，其特征在于，所述散热结构还包括第二散热件，所述第二散热件设置在所述导热界面层朝向所述第一芯片的一侧、且与所述导热界面层连接，沿垂直于所述第一基板的方向，所述第二散热件的高度小于所述散热框架的高度，所述第二散热件与所述散热框架共同用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述导热界面层。

5.根据权利要求2所述的电路板组件，其特征在于，所述散热结构还包括第三散热件，所述第三散热件设置在所述第一基板靠近所述导热界面层的一侧，所述第三散热件的两端分别与所述第一基板和所述导热界面层连接，所述第三散热件与所述散热框架共同用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述第一基板。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电路板组件，其特征在于，所述芯片模组还包括第二芯片，所述第二芯片设置在所述第一芯片与所述导热界面层之间，所述第二芯片与所述第一芯片连接、且与所述散热框架不接触，所述第二芯片用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述导热界面层。

7.根据权利要求6所述的电路板组件，其特征在于，所述散热框架环绕所述第二芯片四周设置；

所述芯片模组还包括至少一个第二焊接结构和至少一个第二焊接件，所述第二芯片通过所述第二焊接结构与所述第二焊接件连接，所述第二焊接件还与所述第一芯片连接。

8.根据权利要求7所述的电路板组件，其特征在于，所述散热框架的一侧设置有流胶口、且在所述流胶口对侧的所述散热框架上设置有出胶口，所述出胶口在所述第一基板上的正投影的面积小于所述流胶口在所述第一基板上的正投影的面积，所述流胶口用于流入胶黏剂，所述出胶口用于促使所述胶黏剂流入所述第一芯片与所述第二芯片之间、且填充未设置所述第二焊接结构的位置；

所述胶黏剂用于将所述第一芯片与所述第二芯片粘结。

9.根据权利要求8所述的电路板组件，其特征在于，所述散热框架在所述第一基板上的正投影的形状为立方形，所述立方形具有依次相连的第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边设置有所述流胶口，所述第三边设置有所述出胶口；

所述出胶口包括第一子出胶口和第二子出胶口，所述第一子出胶口与所述第二子出胶口分立且间隔排布；所述流胶口具有依次相连的第一子流胶口、第二子流胶口和第三子流胶口，沿第一方向，所述第一子出胶口的延伸方向、所述第二子出胶口的延伸方向分别与所述第二子流胶口的延伸方向不相交；其中，所述第一方向平行于所述第一基板。

10.根据权利要求7所述的电路板组件，其特征在于，所述散热框架的一边在靠近所述第二芯片侧具有倾斜口，所述倾斜口用于流入胶黏剂、且使所述胶黏剂流入所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述胶黏剂填充未设置所述第二焊接结构的位置、且用于将所述第一芯片与所述第二芯片粘结；

所述散热框架未设置出胶口；或者，在所述倾斜口对侧的所述散热框架上设置有出胶口。

11.根据权利要求10所述的电路板组件，其特征在于，所述散热框架在所述第一基板上的正投影的形状为立方形，所述立方形具有依次相连的第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边设置有所述倾斜口，所述倾斜口与第一方向之间的夹角范围包括30°-80°，其中，所述第一方向平行于所述第一基板；

所述第三边未设置所述出胶口；或者，所述第三边设置有所述出胶口。

12.根据权利要求7所述的电路板组件，其特征在于，所述散热结构还包括至少一个带状框架，所述带状框架设置在所述第二芯片与所述散热框架之间，所述带状框架与所述散热框架连接、且与所述第二芯片不接触，所述带状框架的两端分别与所述第一芯片和所述导热界面层连接，所述带状框架与所述散热框架共同用于将所述第一芯片产生的热量传递到所述导热界面层。

13.根据权利要求12所述的电路板组件，其特征在于，所述散热结构包括多个带状框架，所述多个带状框架围绕所述第二芯片设置、且形成非闭合结构，所述多个带状框架中的非闭合部分用于流入胶黏剂、且使所述胶黏剂流入所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述胶黏剂填充未设置所述第二焊接结构的位置、且用于将所述第一芯片与所述第二芯片粘结。

14.根据权利要求7所述的电路板组件，其特征在于，所述电路板组件还包括至少一个凸台，所述凸台设置在所述第一芯片与所述第二芯片之间，所述凸台与所述第二焊接结构间隔排布，所述凸台与所述第一芯片连接、且与所述第二芯片不接触，所述凸台用于将所述第一芯片产生的热量经过所述第二芯片传递到所述导热界面层。

15.根据权利要求14所述的电路板组件，其特征在于，所述芯片模组包括多个第二焊接件，所述多个第二焊接件在所述第一基板上的正投影的形状为中心具有空白位的圈，所述凸台设置在中心的所述空白位。

16.根据权利要求7所述的电路板组件，其特征在于，所述芯片模组包括多个第二焊接件，部分第二焊接件在所述第一基板上的正投影的面积大于剩余部分第二焊接件在所述第一基板上的正投影的面积。

17.根据权利要求7所述的电路板组件，其特征在于，所述第一芯片包括系统级芯片；

和/或，

所述第二芯片包括双倍数据速率芯片。

18.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和如权利要求1至17中任一种所述的电路板组件，所述电路板组件固定于所述壳体的内部。