CN117524853A - 光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 223
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0279—Ionlithographic processes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置。该方法包括：提供玻璃基板；在所述玻璃基板上涂布光刻胶层；将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案；若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。本申请实施例通过使用聚焦离子束等对光刻胶图案的凸起部分进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶进行纳米级线宽的修复。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置。
背景技术
随着新型显示技术的快速发展，器件的高度集成化成为了未来显示科技的新增长点。不论是LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、OLED(OrganicElectroluminesence Display，有机发光显示器)或microLED显示，现有的驱动电路控制系统或信号传输系统等都是集成在PCB(printed circuit board，印制线路板)或COF(Chip On Film，覆晶薄膜)的“芯片”上，再Bonding连接到玻璃基面板上。若将外挂芯片系统集成在玻璃面板上，则可以很大程度上节省材料成本。因此，开发玻璃基集成电路(IC)意义重大。
但是对于玻璃基集成电路中纳米级的线路而言，由于涉及到较高的光刻分辨率和基板的地形因素等，可能会导致光刻图案出现一些不良线宽问题。传统的不良线宽修复可以采用激光镭射工艺，但是激光的光斑一般为微米级，且加上光斑附近的热影响区域后，故难以实现纳米级线宽的修复。
发明内容
本申请实施例提供一种光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置，通过使用聚焦离子束等对光刻胶图案的凸起部分进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶进行纳米级线宽的修复。
第一方面，本申请实施例提供一种光刻胶图案化方法，包括：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上涂布光刻胶层；
将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案；
若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
在一些实施例中，所述在所述玻璃基板上涂布光刻胶层之前，还包括：
在所述玻璃基板上制备待刻蚀膜层；
在所述待刻蚀膜层上涂布光刻胶层；
所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶之后，还包括：
根据所述图案化光刻胶对所述待刻蚀膜层进行刻蚀处理，使其图案化；
剥离所述图案化光刻胶，得到图案化的面板膜层结构。
在一些实施例中，所述将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案，包括：
通过预设掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影形成光刻胶图案，所述预设掩膜版上设有至少一掩膜图案。
在一些实施例中，所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对；
若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
在一些实施例中，所述检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对，包括：
以所述玻璃基板的中心点为参考点，检测所述光刻胶图案的走线的边缘位置信息；
将所述光刻胶图案各走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息进行比对。
在一些实施例中，所述若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述目标走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息，确定所述目标走线的凸起区域的边缘位置信息；
根据所述凸起区域的边缘位置信息确定所述聚焦离子束的离子束参数；
通过所述离子束参数对应的聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
在一些实施例中，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽小于所述掩膜图案中对应走线的线宽，则去除所述光刻胶图案；
再次在所述玻璃基板上涂布新的光刻胶层，并使所述新的光刻胶层图案化。
在一些实施例中，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
若所述光刻胶图案中各走线的线宽与所述掩膜图案中对应走线的线宽均相同，则确定所述光刻胶图案为图案化光刻胶。
第二方面，本申请提供一种显示面板，采用上述任一项所述的光刻胶图案化方法制作形成。
第三方面，本申请提供一种显示装置，包括上述所述的显示面板。
本申请实施例提供的光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置，在检测到光刻胶图案中目标走线的边缘凸起时，通过使用聚焦离子束等对其进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶，对玻璃基板上高精度区域的不良线宽进行纳米级线宽的修复。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请实施例中光刻胶图案化方法的流程示意图；
图2是本申请实施例中多个凸起部分在目标走线的边缘间隔设置的示意图；
图3是本申请实施例中凸起部分在目标走线的边缘连续设置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1，本申请实施例提供一种显示驱动方法，该方法包括步骤S101～S104，具体如下：
S101，提供玻璃基板；
S102，在所述玻璃基板上涂布光刻胶层；
S103，将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案；
S104，若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
具体地，本实施例应用于制备设有纳米级线路的玻璃基集成电路。提供玻璃基板，在玻璃基板上涂布光刻胶层。光刻胶层的材料为正性光刻胶或负性光刻胶，可以采用现有技术中常规的光刻胶，光刻胶可以由粘合树脂、单体(或活性稀释剂)、光引发剂(或称作“光敏剂”)、颜料、溶剂和分散剂组成。将光刻胶层图案化形成光刻胶图案，光刻胶图案为根据玻璃基集成电路确定刻画的图案，其具体形式本实施例不作具体限定。其中，可以利用旋涂法在玻璃基板上方涂覆光刻胶，使得光刻胶覆盖在玻璃基板上表面形成光刻胶层，也可以利用其它办法，本实施例不作具体限定。
由于玻璃基集成电路的线路是纳米级，由于较高的光刻分辨率以及玻璃基板的地形因素等，可能导致光刻胶图案中的走线的边缘出现瑕疵。如果光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则需要对目标走线的凸起区域进行修复，因此通过聚焦离子束对目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。目标走线为光刻胶图案中任意走线。聚焦离子束(即FIB)工艺的主要原理是通过高能离子束对材料进行高速轰击而将其去除。
本实施例中对于玻璃基板上高精度区域的不良线宽进行修复，通过使用聚焦离子束等对其进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶，其切割精度可以达到～5nm，即能够实现纳米级线宽的修复。
在一个实施例中，显示驱动方法包括：
S101，提供玻璃基板；
S201，在所述玻璃基板上制备待刻蚀膜层；
S202，在所述待刻蚀膜层上涂布光刻胶层；
S103，将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案；
S104，若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶；
S203，根据所述图案化光刻胶对所述待刻蚀膜层进行刻蚀处理，使其图案化；
S204，剥离所述图案化光刻胶，得到图案化的面板膜层结构。
具体地，本实施例中在玻璃基板上制备待刻蚀膜层，待刻蚀膜层为TFT(Thin FilmTransistor，薄膜场效应晶体管)中需要进行图案化的任意膜层，待刻蚀膜层可以是金属膜层也可以是非金属膜层，本实施例不作具体限定。
待刻蚀膜层的图案化基于图案化的光刻胶层刻蚀得到，因此在待刻蚀膜层上涂布光刻胶层。然后将光刻胶层图案化形成光刻胶图案，如果光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。其中，光刻胶层图案化之后包括光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，光刻胶图案即为光刻胶保留区域，经由聚焦离子束对光刻胶图案的边缘进行高速轰击而将其凸起部分去除之后，使其平滑整齐，得到图案化光刻胶。
基于图案化光刻胶对光刻胶层下层的待刻蚀膜层进行WET(湿刻)或DRY(干刻)刻蚀处理，使待刻蚀膜层图案化。最后将图案化光刻胶在剥离液中完成剥离，以得到图案化的面板膜层结构。对于TFT中需要进行图案化的膜层均可以按照上述流程进行制备，本实施例不一一进行赘述。
在一个实施例中，显示驱动方法包括：
S101，提供玻璃基板；
S102，在所述玻璃基板上涂布光刻胶层；
S301，通过预设掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影形成光刻胶图案，所述预设掩膜版上设有至少一掩膜图案；
S104，若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
具体地，在玻璃基板上涂布光刻胶层，通过预设掩膜版将光刻胶层进行图案化。其中，预设掩膜版上设有至少一掩膜图案，掩膜图案为根据想要刻蚀得到的线路设计确定的，不同走线对应的掩膜图案不同。
通过预设掩膜版对光刻胶层进行曝光，光刻胶层上形成曝光区域和非曝光区域，然后将曝光之后的光刻胶层通过显影液进行显影形成光刻胶图案。其中，如果光刻胶层的材料为正性光刻胶，则光刻胶层的曝光区域的光刻胶在显影液中溶解，如果光刻胶层的材料为负性光刻胶，则光刻胶层的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，最终得到光刻胶图案。
如果光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则需要对目标走线的凸起区域进行修复，因此通过聚焦离子束对目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
在一个实施例中，步骤S104，若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：S401，检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对；S402，若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
具体地，通过AOI(Automated Optical Inspection，自动光学检测)检测光刻胶图案的各个走线，并将其与掩膜图案中对应的走线进行比对，判断两者是否相同。目标走线为光刻胶图案中任意走线，如果光刻胶图案中目标走线中至少部分区域的线宽大于掩膜图案中对应走线的线宽，即目标走线中部分区域的线宽大于掩膜图案中对应走线的线宽或者目标走线中全部分区域的线宽大于掩膜图案中对应走线的线宽，根据掩膜图案中对应走线的线宽确定目标走线的凸起区域，然后通过聚焦离子束对目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，图案化光刻胶中各走线与掩膜图案中对应走线的线宽相同。
其中，对于目标走线中部分区域的线宽大于掩膜图案中对应走线的线宽的情况，目标走线的凸起区域的数量本实施例不做具体限定，可以是多个凸起部分11在目标走线1的边缘间隔设置，如图2所示，也可以是目标走线1的边缘上是连续的凸起部分11，如图3所示。
在一个实施例中，步骤S401，检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对，包括：S501，以所述玻璃基板的中心点为参考点，检测所述光刻胶图案的走线的边缘位置信息；S502，将所述光刻胶图案各走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息进行比对。
具体地，通过AOI检测光刻胶图案的各个走线，在光刻胶图案上建立参考坐标系确定光刻胶图案上各个走线的位置，并可以以同样的参考坐标系确定掩膜图案中对应走线的位置。
其中，参考坐标系可以根据不同的需求进行设置。例如，以玻璃基板的中心点为参考点建立参考坐标系，参考坐标系的横纵轴与玻璃基板的边长的方向一致，在参考坐标系内检测确定光刻胶图案各走线的边缘上点的坐标，进而确定光刻胶图案各走线的边缘位置信息。同样地，可以根据参考坐标系确定掩膜图案中各走线的边缘信息，但是，另外在掩膜图案的设计过程中，掩膜图案中各走线的位置信息是已经确定的，因此也可以直接确定掩膜图案中各走线的边缘信息。
根据光刻胶图案各走线的边缘位置信息和掩膜图案中各走线的边缘信息，确定光刻胶图案各走线与掩膜图案中各走线的对应关系，然后将光刻胶图案各走线的边缘位置信息和掩膜图案中对应走线的边缘信息进行比对，以确定光刻胶图案各走线是否符合设计要求。
在一个实施例中，步骤S402，若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：S601，若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述目标走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息，确定所述目标走线的凸起区域的边缘位置信息；S602，根据所述凸起区域的边缘位置信息确定所述聚焦离子束的离子束参数；S603，通过所述离子束参数对应的聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
具体地，如果光刻胶图案中目标走线中至少部分区域的线宽大于掩膜图案中对应走线的线宽，则说明光刻胶图案中目标走线相对于掩膜图案中对应走线存在凸起部分，根据目标走线的边缘位置信息和掩膜图案中对应走线的边缘信息确定目标走线的凸起区域的边缘位置信息，则目标走线的凸起区域的光刻胶需要二次加工去除，凸起区域为目标走线所有的凸起部分的区域。
凸起区域的边缘位置信息为在参考坐标系内凸起区域的边缘的点的坐标信息，根据边缘位置信息可以确定凸起区域的尺寸大小，因此基于凸起区域的边缘位置信息确定用于切割凸起部分的光刻胶的聚焦离子束的离子束参数。其中，离子束参数包括离子束的形状、强度大小等，用于切割某凸起部分的光刻胶的聚焦离子束的至少超过该凸起部分的长度。例如，如图2所示，如果目标走线上有多个间隔的凸起部分，如果各个凸起部分用同一聚焦离子束逐一切割，和所有的凸起部分一同用一个聚焦离子束一次性切割，其对应的聚焦离子束的离子束参数不同。通过确定的离子束参数采用对应的聚焦离子束，在参考坐标系内根据凸起区域的边缘位置信息确定待切割的凸起区域的位置，对目标走线的凸起区域进行切割得到图案化光刻胶。
在一个实施例中，步骤S401，检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：S701，若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽小于所述掩膜图案中对应走线的线宽，则去除所述光刻胶图案；S702，再次在所述玻璃基板上涂布新的光刻胶层，并使所述新的光刻胶层图案化。
具体地，如果光刻胶图案中目标走线中至少部分区域的线宽小于掩膜图案中对应走线的线宽，则说明光刻胶图案中目标走线相对于掩膜图案中对应走线存在凹陷部分，即在光刻胶层图案化的过程中将本不应该去除的光刻胶去除，则图案化之后的光刻胶图案已经具有缺陷，因此去除光刻胶图案，使得玻璃基板恢复没有涂布光刻胶层的初始状态。
然后再次在玻璃基板上涂布新的光刻胶层，并使新的光刻胶层图案化，新的光刻胶层图案化的过程以及得到的新的光刻胶图案检测过程与上述实施例描述的过程相同，本实施例不再一一赘述。
在一个实施例中，步骤S401，检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：S801，若所述光刻胶图案中各走线的线宽与所述掩膜图案中对应走线的线宽均相同，则确定所述光刻胶图案为图案化光刻胶。
具体地，如果光刻胶图案中各走线的线宽与掩膜图案中对应走线的线宽均相同，即光刻胶图案中各走线与掩膜图案中对应走线完全一致，说明不需要对其进行二次加工，因此确定光刻胶图案为图案化光刻胶，然后进行后续工序即可。
本实施例中对于玻璃基板上高精度区域的不良线宽进行修复，通过使用聚焦离子束等对其进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶，其切割精度可以达到～5nm，即能够实现纳米级线宽的修复。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请一些实施例中，提供了一种显示面板，采用上述任一项实施例所述的光刻胶图案化方法制作形成。
在本申请一些实施例中，提供了一种显示装置，包括上述实施例所述的显示面板。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上对本申请实施例所提供的一种光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种光刻胶图案化方法，其特征在于，包括：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上涂布光刻胶层；
将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案；
若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
2.如权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上涂布光刻胶层之前，还包括：
在所述玻璃基板上制备待刻蚀膜层；
在所述待刻蚀膜层上涂布光刻胶层；
所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶之后，还包括：
根据所述图案化光刻胶对所述待刻蚀膜层进行刻蚀处理，使其图案化；
剥离所述图案化光刻胶，得到图案化的面板膜层结构。
3.如权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案，包括：
通过预设掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影形成光刻胶图案，所述预设掩膜版上设有至少一掩膜图案。
4.如权利要求3所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对；
若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
5.如权利要求4所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对，包括：
以所述玻璃基板的中心点为参考点，检测所述光刻胶图案的走线的边缘位置信息；
将所述光刻胶图案各走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息进行比对。
6.如权利要求5所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述目标走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息，确定所述目标走线的凸起区域的边缘位置信息；
根据所述凸起区域的边缘位置信息确定所述聚焦离子束的离子束参数；
通过所述离子束参数对应的聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
7.如权利要求4所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽小于所述掩膜图案中对应走线的线宽，则去除所述光刻胶图案；
再次在所述玻璃基板上涂布新的光刻胶层，并使所述新的光刻胶层图案化。
8.如权利要求4所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
若所述光刻胶图案中各走线的线宽与所述掩膜图案中对应走线的线宽均相同，则确定所述光刻胶图案为图案化光刻胶。
9.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的光刻胶图案化方法制作形成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310145243.3A CN117524853A (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310145243.3A CN117524853A (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117524853A true CN117524853A (zh) | 2024-02-06 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN202310145243.3A Pending CN117524853A (zh) | 2023-01-31 | 2023-01-31 | 光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117524853A (zh) |
-
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