CN117524022A - 电子装置检查方法 - Google Patents

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Abstract

可以是，根据本发明的一实施例的电子装置检查方法包括：提供电子装置的步骤，所述电子装置包括显示层以及传感器层，所述显示层包括公共电极，所述传感器层配置于所述显示层之上且包括多个第一电极以及与所述多个第一电极分别绝缘交叉的多个第二电极；测定由所述多个第一电极的每一个和所述多个第二电极的每一个彼此形成的多个沟道的多个抖动(jitter)值的步骤；算出所述多个抖动值全部的平均值即第一值的步骤；将所述多个沟道中的由所述多个第二电极中的一个形成的沟道的抖动值相加而算出第二值的步骤；以及基于将所述第二值除以所述第一值的第三值来检查所述公共电极的步骤。

Description

电子装置检查方法
技术领域
本发明涉及可靠性得到提高的电子装置检查方法。
背景技术
用于智能电话、电视机、监视器等的电子装置包括具备公共电极的显示层以及传感器层之类各种元件。为了确保所述元件的可靠性，需要在开发以及制造过程中对所述元件的工作特性以及所述元件之间的电连接关系进行检验的程序。
发明内容
本发明的目的在于提供可靠性得到提高的电子装置检查方法。
可以是，根据本发明的一实施例的电子装置检查方法包括：提供电子装置的步骤，所述电子装置包括显示层以及传感器层，所述显示层包括公共电极，所述传感器层配置于所述显示层之上且包括多个第一电极以及与所述多个第一电极分别绝缘交叉的多个第二电极；测定由所述多个第一电极的每一个和所述多个第二电极的每一个彼此形成的多个沟道的多个抖动(jitter)值的步骤；算出所述多个抖动值全部的平均值即第一值的步骤；将所述多个沟道中的由所述多个第二电极中的一个形成的沟道的抖动值相加而算出第二值的步骤；以及基于将所述第二值除以所述第一值的第三值来检查所述公共电极的步骤。
可以是，检查所述公共电极的步骤包括：若所述第三值大于预定的值，则将所述公共电极判断为次品的步骤。
可以是，检查所述公共电极的步骤还包括：若所述第三值小于所述预定的值，则将所述公共电极判断为良品的步骤。
可以是，所述预定的值是50。
可以是，所述多个抖动值的每一个具有1至25的值。
可以是，检查所述公共电极的步骤包括：判断所述公共电极的未成膜与否的步骤。
可以是，所述显示层还包括多个数据线。
可以是，所述电子装置检查方法还包括：向所述多个数据线提供白信号(whitesignal)。
可以是，提供所述白信号的步骤提供在提供所述电子装置的步骤和测定所述多个抖动值的步骤之间。
可以是，所述多个第一电极包括在第一方向上排列的多个感测图案以及连接所述多个感测图案中的彼此相邻的两个感测图案的至少一个连接图案，所述多个第二电极包括在与所述第一方向交叉的第二方向上排列的多个第一部分以及连接所述第一部分中的彼此相邻的两个第一部分的至少一个第二部分。
可以是，所述连接图案和所述第二部分配置于彼此不同的层。
可以是，测定所述多个抖动值的步骤包括：向所述多个第一电极提供检查信号的步骤；从所述多个第二电极感测互电容的步骤；以及基于所述互电容感测所述多个抖动值的步骤。
可以是，根据本发明的一实施例的电子装置检查方法包括：提供电子装置的步骤，所述电子装置包括显示层以及传感器层，所述显示层包括公共电极以及多个数据线，所述传感器层配置于所述显示层之上且包括多个第一电极以及与所述多个第一电极分别绝缘交叉的多个第二电极；测定由所述多个第一电极以及所述多个第二电极分别形成的多个沟道的多个抖动(jitter)值的步骤；基于所述多个抖动值算出第一值的步骤；将所述多个沟道中的由所述多个第二电极中的一个形成的沟道的抖动值相加而算出第二值的步骤；以及基于所述第一值以及所述第二值来判断所述公共电极的未成膜与否的步骤。
可以是，基于所述多个抖动值算出第一值的步骤包括：将所述多个抖动值全部的平均值算出为第一值的步骤。
可以是，判断所述公共电极的未成膜与否的步骤包括：算出将所述第二值除以所述第一值的第三值的步骤。
可以是，判断所述公共电极的未成膜与否的步骤还包括：若所述第三值大于预定的值，则判断为所述公共电极未成膜的步骤。
可以是，判断所述公共电极的未成膜与否的步骤还包括：若所述第三值小于预定的值，则判断为所述公共电极正常的步骤。
可以是，所述预定的值是50。
可以是，所述电子装置检查方法还包括：向所述多个数据线提供白信号(whitesignal)的步骤。
可以是，提供所述白信号的步骤提供于提供所述电子装置的步骤和测定所述多个抖动值的步骤之间。
根据上述内容，当在公共电极中产生未成膜次品时，在由多个第二电极中的特定第二电极与多个第一电极形成的沟道中测定的抖动值可以比在相邻的沟道中测定的抖动值上升。基于此，可以容易地判断公共电极的未成膜与否。因此，能够提供可靠性得到提高的电子装置检查方法。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
图2是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。
图3是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。
图4是根据本发明的一实施例的显示层以及驱动部的框图。
图5是根据本发明的一实施例的传感器层的平面图。
图6是沿着根据本发明的一实施例的图5的I-I'线截取的截面图。
图7是沿着根据本发明的一实施例的图5的II-II'线截取的截面图。
图8是根据本发明的一实施例的电子装置检查方法的流程图。
图9是示出根据本发明的一实施例的传感器层以及电子装置检查装置的示意图。
图10是示出公共电极正常情况下的多个沟道的每个的抖动值、第二值以及第三值的表。
图11是示出公共电极未成膜情况下的多个沟道的每个的抖动值、第二值以及第三值的表。
图12示出第三值计算部基于在图10以及图11中算出的第三值所输出的图表。
(附图标记说明)
1000：电子装置 2000：电子装置检查装置
CE：公共电极 100：显示层
200：传感器层 210：第一电极
220：第二电极 JV：抖动值
V1：第一值 V2：第二值
V3：第三值
具体实施方式
在本说明书中，当提及任一构成要件(或区域、层、部分等)“在”其它构成要件“上”、“连接于”或“结合于”其它构成要件时，其意指任一构成要件可以直接配置/连接/结合于其它构成要件上或者也可以在它们之间配置有第三构成要件。
相同的附图标记指代相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例及尺寸是为了技术内容的有效说明而放大的。“和/或”将关联的构成要件所能定义的一个以上的组合全部包括。
第一、第二等术语可以用于说明各种构成要件，但所述构成要件并不被所述术语所限制。所述术语仅用于将一个构成要件与其它构成要件区分的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一构成要件可命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件也可以命名为第一构成要件。只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。
另外，“之下”、“下侧”、“之上”、“上侧”等术语用于说明附图中示出的构成要件的关联关系。所述术语是相对性概念，以附图中表示的方向为基准进行说明。
“包括”或“具有”等术语应理解为用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在，并不是预先排除一个或其以上的其它特征或者数字、步骤、工作、构成要件、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
只要没有不同地定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本发明所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。另外，通常使用的词典中所定义的术语之类的术语应解释为与相关技术的脉络上具有的含义相同的含义，只要在此没有明确地定义，不应解释为太理想化或过于形式性的含义。
以下，参照附图来说明本发明的实施例。
图1是根据本发明的一实施例的电子装置的立体图。
参照图1，电子装置1000可以包括电视机、监视器或者户外广告牌之类大型电子装置。另外，电子装置1000也可以包括个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航仪、游戏机、智能电话、平板或者相机之类中小型电子装置。然而，其是例示性的实施例，只要不脱离本发明的概念，也可以包括其它电子装置。在图1中例示性地示出电子装置1000为移动电话。
电子装置1000可以通过有源区域1000A显示图像。在有源区域1000A中可以界定与由第一方向DR1以及与第一方向DR1交叉的第二方向DR2定义的面平行的第一显示面1000A1以及从第一显示面1000A1延伸的第二显示面1000A2。
第二显示面1000A2可以从第一显示面1000A1的一侧弯曲来提供。另外，第二显示面1000A2可以提供为多个。在此情况下，第二显示面1000A2可以从第一显示面1000A1的至少两侧弯曲来提供。在有源区域1000A中可以界定一个第一显示面1000A1以及一个以上且四个以下的第二显示面1000A2。然而，有源区域1000A的形状不限于此，在有源区域1000A中也可以仅界定第一显示面1000A1。
电子装置1000的厚度方向可以平行于与第一方向DR1以及第二方向DR2交叉的第三方向DR3。因此，构成电子装置1000的部件的前面(或者上面)和背面(或者下面)可以以第三方向DR3为基准进行定义。
图2是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。
参照图2，电子装置1000可以包括显示层100以及传感器层200。
根据本发明的一实施例的显示层100可以是发光型显示层，不特别限定。例如，显示层100可以是有机发光显示层、量子点显示层、微型发光二极管显示层或者纳米发光二极管显示层。显示层100可以包括基底层110、电路层120、发光元件层130以及封装层140。
基底层110可以是提供被配置电路层120的基底面的部件。基底层110可以是玻璃基板、金属基板或者高分子基板。但是，实施例不限于此，基底层110可以是无机层、有机层或者复合材料层。
基底层110可以具有多层构造。例如，基底层110可以包括第一合成树脂层、配置于所述第一合成树脂层之上的氧化硅(SiOx)层、配置于所述氧化硅层之上的非晶硅(a-Si)层以及配置于所述非晶硅层之上的第二合成树脂层。所述氧化硅层以及所述非晶硅层可以称为基底阻挡层。
所述第一及第二合成树脂层的每一个可以包含聚酰亚胺(polyimide)类树脂。另外，所述第一及第二合成树脂层的每一个可以包含丙烯酸酯(acrylate)类树脂、甲基丙烯酸酯(methacrylate)类树脂、聚异戊二烯(polyisoprene)类树脂、乙烯基(vinyl)类树脂、环氧(epoxy)类树脂、氨基甲酸乙酯(urethane)类树脂、纤维素(cellulose)类树脂、硅氧烷(siloxane)类树脂、聚酰胺(polyamide)类树脂以及二萘嵌苯(perylene)类树脂中的至少一种。另一方面，在本说明书中“～～”树脂意指包含“～～”的功能团。
电路层120可以配置于基底层110之上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案以及信号线等。可以是，通过涂层、蒸镀等方式在基底层110之上形成绝缘层、半导体层以及导电层，之后，通过多次光刻工艺而选择性地图案化绝缘层、半导体层以及导电层。之后，可以形成包括在电路层120中的半导体图案、导电图案以及信号线。
发光元件层130可以配置于电路层120之上。发光元件层130可以包括发光元件。例如，发光元件层130可以包括有机发光物质、量子点、量子棒、微型发光二极管或者纳米发光二极管。
封装层140可以配置于发光元件层130之上。封装层140可以保护发光元件层130免受水分、氧气以及灰尘颗粒之类异物的影响。
传感器层200可以通过连续的工艺而形成于显示层100之上。在此情况下，传感器层200可以表达为直接配置于显示层100之上。直接配置可以意指在传感器层200和显示层100之间不配置第三的构成要件。即，在传感器层200和显示层100之间可以不配置单独的粘合部件。或者，传感器层200可以通过粘合部件与显示层100彼此结合。粘合部件可以包括普通的粘合剂或者粘接剂。
虽未图示，在传感器层200之上可以配置窗体部件。所述窗体部件可以是保护电子装置1000的内部构件免受外部冲击，并且实质上提供电子装置1000的有源区域1000A的构件。例如，所述窗体部件可以包括玻璃基板、蓝宝石基板或者塑料膜。所述窗体部件可以具有多层或者单层构造。例如，所述窗体部件也可以具有用粘合剂结合的多个塑料膜的叠层构造，或具有用粘合剂结合的玻璃基板以及塑料膜的叠层构造。
图3是根据本发明的一实施例的电子装置的截面图。在对图3的说明中，针对通过图2所说明的构成要件，标记相同的附图标记而省略对其的说明。
参照图3，在基底层110的上面可以形成至少一个无机层。无机层可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。无机层可以形成为多层。多层的无机层可以构成阻挡层以及/或者缓冲层。在本实施例中，图示为显示层100包括缓冲层BFL。
缓冲层BFL可以提高基底层110和半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层以及氮化硅层，氧化硅层和氮化硅层可以交替层叠。
半导体图案可以配置于缓冲层BFL之上。半导体图案可以包含多晶硅。但是，不限于此，半导体图案也可以包含非晶硅、低温多晶硅或者氧化物半导体。
图3只是示出一部分的半导体图案，可以在其它区域还配置半导体图案。半导体图案可以跨像素以特定规则排列。半导体图案可以根据掺杂与否而电性不同。半导体图案可以包括导电率高的第一区域和导电率低的第二区域。第一区域可以用N型掺杂剂或者P型掺杂剂掺杂。可以是，P型的晶体管包括用P型掺杂剂掺杂的掺杂区域，N型的晶体管包括用N型掺杂剂掺杂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域，或以与第一区域相比低的浓度掺杂。
第一区域的导电性可以大于第二区域，实质上起到电极或者信号线的作用。第二区域可以实质上相当于晶体管的有源区(或者沟道)。换句而言，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源极或者漏极，又另一部分可以是连接电极或者连接信号线。
像素的每一个可以具有包括7个晶体管、一个电容器以及发光元件的等效电路，像素的等效电路可以以各种形式变形。后面叙述所述像素。在图3中例示性地示出包括在像素中的一个晶体管100PC以及发光元件100PE。
晶体管100PC可以包括源极SC1、有源区A1、漏极D1以及栅极G1。源极SC1、有源区A1以及漏极D1可以由半导体图案形成。源极SC1和漏极D1可以在截面上从有源区A1在彼此相反的方向上延伸。在图3中示出由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。虽未单独示出，连接信号线SCL可以在平面上电连接于晶体管100PC的漏极D1。
第一绝缘层10可以配置于缓冲层BFL之上。第一绝缘层10可以共同地重叠于多个像素，并覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层以及/或者有机层，并可以具有单层或者多层构造。第一绝缘层10可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以是单层的氧化硅层。不仅是第一绝缘层10，后述的电路层120的绝缘层也可以是无机层以及/或者有机层，并可以具有单层或者多层构造。无机层可以包含上述的物质中的至少一种，但不限于此。
栅极G1配置于第一绝缘层10之上。栅极G1可以是金属图案的一部分。栅极G1重叠于有源区A1。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极G1可以发挥掩模的功能。
第二绝缘层20可以配置于第一绝缘层10之上，并覆盖栅极G1。第二绝缘层20可以共同地重叠于像素。第二绝缘层20可以是无机层以及/或者有机层，并可以具有单层或者多层构造。第二绝缘层20可以包含氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一种。在本实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层以及氮化硅层的多层构造。
第三绝缘层30可以配置于第二绝缘层20之上。第三绝缘层30可以具有单层或者多层构造。例如，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层以及氮化硅层的多层构造。
第一连接电极CNE1可以配置于第三绝缘层30之上。第一连接电极CNE1可以通过贯通第一、第二以及第三绝缘层10、20、30的接触孔CNT-1而接通于连接信号线SCL。
第四绝缘层40可以配置于第三绝缘层30之上。第四绝缘层40可以是单层的氧化硅层。第五绝缘层50可以配置于第四绝缘层40之上。第五绝缘层50可以是有机层。
第二连接电极CNE2可以配置于第五绝缘层50之上。第二连接电极CNE2可以通过贯通第四绝缘层40以及第五绝缘层50的接触孔CNT-2而接通于第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60可以配置于第五绝缘层50之上，并覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。
发光元件层130可以配置于电路层120之上。发光元件层130可以包括发光元件100PE。例如，发光元件层130可以包括有机发光物质、量子点、量子棒、微型发光二极管或者纳米发光二极管。以下，举例说明发光元件100PE为有机发光元件，但不特别限于此。
发光元件100PE可以包括第一电极AE、发光层EL以及第二电极CE。第一电极AE可以配置于第六绝缘层60之上。第一电极AE可以通过贯通第六绝缘层60的接触孔CNT-3而接通于第二连接电极CNE2。
像素界定膜70可以配置于第六绝缘层60之上，并覆盖第一电极AE的一部分。在像素界定膜70中界定开口部70-OP。像素界定膜70的开口部70-OP暴露第一电极AE的至少一部分。
有源区域1000A(参照图1)可以包括发光区域PXA和相邻于发光区域PXA的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在本实施例中，与通过开口部70-OP暴露的第一电极AE的一部分区域对应地界定发光区域PXA。
发光层EL可以配置于第一电极AE之上。发光层EL可以配置于与开口部70-OP对应的区域。即，发光层EL可以分离于像素的每一个来形成。当发光层EL分离于像素的每一个来形成时，发光层EL的每一个可以发出蓝色、红色以及绿色中的至少一个颜色的光。然而，不限于此，发光层EL也可以连接于像素而公共地提供。在此情况下，发光层EL也可以提供蓝色光，或提供白色光。
第二电极CE可以配置于发光层EL之上。第二电极CE可以具有一体的形状，并公共地配置于多个像素。第二电极CE可以称为公共电极CE。
虽未图示，在第一电极AE和发光层EL之间可以配置空穴控制层。空穴控制层可以公共地配置于发光区域PXA和非发光区域NPXA。空穴控制层包括空穴传输层，并可以还包括空穴注入层。在发光层EL和第二电极CE之间可以配置电子控制层。电子控制层包括电子传输层，并可以还包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以利用开口掩模而公共地形成于多个像素。
封装层140可以配置于发光元件层130之上。封装层140可以包括依次层叠的无机层、有机层以及无机层，但是构成封装层140的层不限于此。
可以是，无机层保护发光元件层130免受水分以及氧气的影响，有机层保护发光元件层130免受灰尘颗粒之类异物的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或者氧化铝层等。有机层可以包括丙烯酸酯系列有机层，不限于此。
传感器层200可以通过连续的工艺形成于显示层100之上。在此情况下，传感器层200可以表达为直接配置于显示层100之上。直接配置可以意指在传感器层200和显示层100之间不配置第三的构成要件。即，在传感器层200和显示层100之间可以不配置单独的粘合部件。或者，传感器层200可以通过粘合部件结合于显示层100。粘合部件可以包括通常的粘合剂或者粘接剂。
传感器层200可以包括基底绝缘层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204以及覆盖绝缘层205。
基底绝缘层201可以是包含氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的至少任一种的无机层。或者，基底绝缘层201也可以是包含环氧树脂、丙烯酸酯树脂或者酰亚胺系列树脂的有机层。基底绝缘层201可以具有单层构造，或沿着第三方向DR3层叠的多层构造。
第一导电层202以及第二导电层204的每一个可以具有单层构造，或具有沿着第三方向DR3层叠的多层构造。
单层构造的导电层可以包括金属层或者透明导电层。金属层可以包含钼、银、钛、铜、铝或者它们的合金。透明导电层可以包含氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化锌(zinc oxide，ZnO)或者氧化铟锌锡(indium zinc tinoxide，IZTO)等之类透明的导电性氧化物。除此之外，透明导电层可以包含PEDOT(聚二氧乙基塞吩)之类导电性高分子、金属纳米线、石墨烯等。
多层构造的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的3层构造。多层构造的导电层可以包括至少一个金属层以及至少一个透明导电层。
感测绝缘层203以及覆盖绝缘层205中的至少任一个可以包括无机膜。无机膜可以包含氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆以及氧化铪中的至少一种。
感测绝缘层203以及覆盖绝缘层205中的至少任一个可以包括有机膜。有机膜可以包含丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂以及二萘嵌苯类树脂中的至少任一种。
图4是根据本发明的一实施例的显示层以及驱动部的框图。
参照图4，显示层100可以包括多个扫描线SL1～SLa、多个数据线DL1～DLb以及多个像素PX。多个像素PX的每一个可以与多个数据线DL1～DLb中的对应的数据线连接，并与多个扫描线SL1～SLa中的对应的扫描线连接。在本发明的一实施例中，可以是，显示层100还包括发光控制线，显示驱动部还包括向发光控制线提供控制信号的发光驱动电路。显示层100的结构不被特别限定。
电子装置1000(参照图1)可以还包括信号控制电路100C1、扫描驱动电路100C2数据驱动电路100C3以及电源供应部100C4。
信号控制电路100C1可以从主控制部接收图像数据RGB以及控制信号D-CS。控制信号D-CS可以包括各种信号。例如，控制信号D-CS可以包括输入垂直同步信号、输入水平同步信号、主时钟以及数据使能信号等。
信号控制电路100C1可以接收图像数据RGB以及控制信号D-CS。控制信号D-CS可以包括各种信号。例如，控制信号D-CS可以包括输入垂直同步信号、输入水平同步信号、主时钟以及数据使能信号等。
信号控制电路100C1可以基于控制信号D-CS而生成第一控制信号CONT1以及垂直同步信号Vsync，并将第一控制信号CONT1以及垂直同步信号Vsync输出到扫描驱动电路100C2。垂直同步信号Vsync可以包括在第一控制信号CONT1中。
信号控制电路100C1可以基于控制信号D-CS而生成第二控制信号CONT2以及水平同步信号Hsync，并将第二控制信号CONT2以及水平同步信号Hsync输出到数据驱动电路100C3。水平同步信号Hsync可以包括在第二控制信号CONT2中。
另外，信号控制电路100C1可以向数据驱动电路100C3输出将图像数据RGB处理成符合显示层100的工作条件的数据信号DS。第一控制信号CONT1以及第二控制信号CONT2作为扫描驱动电路100C2以及数据驱动电路100C3的工作所需的信号，不特别限定。
扫描驱动电路100C2可以响应于第一控制信号CONT1以及垂直同步信号Vsync来驱动多个扫描线SL1～SLa。在本发明的一实施例中，扫描驱动电路100C2可以通过与显示层100内的电路层120(参照图4)相同的工艺形成，但不限于此。例如，扫描驱动电路100C2可以实现为集成电路(Integrated circuit，IC)并直接安装到显示层100的预定区域，或通过薄膜覆晶(chip on film，COF)方式安装到单独的印刷电路基板并与显示层100电连接。
数据驱动电路100C3可以响应于第二控制信号CONT2、水平同步信号Hsync以及数据信号DS从信号控制电路100C1输出用于驱动多个数据线DL1～DLb的灰度电压。数据驱动电路100C3可以实现为集成电路而直接安装到显示层100的预定的区域，或通过薄膜覆晶方式安装到单独的印刷电路基板并与显示层100电连接，但不特别限定。例如，数据驱动电路100C3可以通过与显示层100内的电路层120(参照图4)相同的工艺形成。
电源供应部100C4可以向显示层100供应外部电压。电源供应部100C4可以向多个像素PX供应第一电源ELVDD、第二电源ELVSS以及第三电源Vint。第一电源ELVDD可以具有比第二电源ELVSS高的电压电平。第三电源Vint可以是初始化第一晶体管的栅极电极的电压的初始化电压。第一电源ELVDD可以具有3V(Volt)至6V范围的电压，第二电源ELVSS可以具有-7V至0V范围的电压。然而，其是例示性的，根据本发明的一实施例的第一电源ELVDD以及第二电源ELVSS的电压范围可以具有能够驱动显示层100的各种电压范围。
图5是根据本发明的一实施例的传感器层的平面图。
参照图5，在传感器层200中可以界定有源区域200A以及围绕有源区域200A的周边区域200N。有源区域200A可以是根据电信号激活的区域。例如，有源区域200A可以是感测外部的输入的区域。当在平面上观察时，有源区域200A可以与电子装置1000(参照图1)的有源区域1000A(参照图1)重叠。
传感器层200可以包括基底绝缘层201、多个第一电极210、多个第二电极220、多个感测线TL1、TL2。可以是，多个第一电极210以及多个第二电极220配置于有源区域200A，多个感测线TL1、TL2配置于周边区域200N。
多个第一电极210的每一个可以沿着第二方向DR2延伸。多个第一电极210可以沿着第一方向DR1排列。多个第一电极210的每一个可以包括多个感测图案211以及多个连接图案212。多个连接图案212的每一个可以将彼此相邻的2个感测图案211电连接。多个感测图案211可以具有网状构造。
多个第二电极220的每一个可以沿着第一方向DR1延伸。多个第二电极220可以沿着第二方向DR2排列。多个第二电极220的每一个可以包括多个第一部分221以及多个第二部分222。多个第二部分222的每一个可以将彼此相邻的2个第一部分221电连接。多个第一部分221以及多个第二部分222可以具有网状构造。
在图5中例示性地示出一个连接图案212连接于彼此相邻的2个感测图案211，但是根据本发明的一实施例的多个连接图案212以及多个感测图案211的连接关系不限于此。例如，彼此相邻的2个感测图案211可以通过2个连接图案212连接。
多个第二部分222可以配置于与多个连接图案212不同的层。多个连接图案212可以与多个第二电极220绝缘交叉。例如，多个第二部分222可以与多个连接图案212分别绝缘交叉。
第一导电层202(参照图3)可以包括多个连接图案212，第二导电层204(参照图3)可以包括多个第二电极220以及多个感测图案211。
多个感测线TL1、TL2可以包括多个第一感测线TL1以及多个第二感测线TL2。
多个第一感测线TL1可以分别连接于多个第一电极210。多个第二感测线TL2可以分别连接于多个第二电极220。
图6是沿着根据本发明的一实施例的图5的I-I'线截取的截面图。在对图6的说明中，针对通过图3所说明的构成要件，标记相同的附图标记而省略对其的说明。
参照图5以及图6，在基底绝缘层201之上可以配置多个连接图案212。感测绝缘层203可以配置于多个连接图案212之上。感测绝缘层203可以具有单层或者多层构造。感测绝缘层203可以包含无机物、有机物或者复合材料。
多个感测图案211、多个第一部分221(参照图7)以及多个第二部分222可以配置于感测绝缘层203之上。多个感测图案211、多个第一部分221以及多个第二部分222可以具有网状构造。
多个接触孔CNT可以在第三方向DR3上贯通感测绝缘层203来形成。多个感测图案211中的相邻的2个感测图案211可以通过多个接触孔CNT与连接图案212电连接。
覆盖绝缘层205可以配置于多个感测图案211、多个第一部分221以及多个第二部分222之上。覆盖绝缘层205可以具有单层或者多层构造。覆盖绝缘层205可以包含无机物、有机物或者复合材料。
在图6中例示性地示出多个连接图案212配置于多个感测图案211、多个第一部分221以及多个第二部分222之下的底部连接构造，但不限于此。例如，传感器层200也可以具有多个连接图案212配置于多个感测图案211、多个第一部分221以及多个第二部分222之上的顶部连接构造。
图7是沿着根据本发明的一实施例的图5的II-II'线截取的截面图。在对图7的说明中，针对通过图5以及图6所说明的构成要件，标记相同的附图标记而省略对其的说明。
参照图7，多个第一部分221以及多个第二部分222可以配置于多个连接图案212之上。多个第二部分222的每一个可以连接相邻的2个第一部分221。多个第一部分221以及多个第二部分222可以具有网状构造。
图8是根据本发明的一实施例的电子装置检查方法的流程图，图9是示出根据本发明的一实施例的传感器层以及电子装置检查装置的示意图。在对图9的说明中，针对通过图5所说明的构成要件，标记相同的附图标记而省略对其的说明。
参照图8以及图9，可以为了检查公共电极CE(参照图3)而提供电子装置1000(参照图1)(S100)。
传感器层200可以包括多个第一电极210(参照图5)、多个第二电极220(参照图5)、多个第一感测线TL1_1、TL1_2～TL1_m-1、TL1_m以及多个第二感测线TL2_1、TL2_2～TL2_n-1、TL2_n。此时，所述m以及n可以是大于1的自然数。
多个第一电极210(参照图5)可以包括第一第一电极Tx0、第二第一电极Tx1至第i第一电极Txi-1、第i+1第一电极Txi。此时，所述i可以是大于1的自然数。
多个第二电极220(参照图5)可以包括第一第二电极Rx0、第二第二电极Rx1至第j第二电极Rxj-1、第j+1第二电极Rxj。此时，所述j可以是大于1的自然数。
在传感器层200中可以界定由多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi的每一个和多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的每一个彼此形成的多个沟道。例如，第一第一电极Tx0可以与多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的每一个形成沟道，第二第一电极Tx1也可以与多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的每一个形成沟道。
多个第一感测线TL1_1、TL1_2～TL1_m-1、TL1_m可以分别电连接于多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi的一侧。
多个第二感测线TL2_1、TL2_2～TL2_n-1、TL2_n可以分别电连接于多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的一侧。但是，本发明不限于此。例如，根据本发明的一实施例的传感器层200也可以还包括与多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi的另一侧分别电连接的多个第三线。
电子装置1000(参照图1)的传感器层200可以与电子装置检查装置2000电连接。电子装置检查装置2000可以与多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi以及多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj电连接。电子装置检查装置2000可以检查公共电极CE(参照图3)的未成膜次品。
当检查电子装置1000(参照图1)时，数据驱动电路100C3(参照图4)可以向多个数据线DL1～DLb提供显示信号。所述显示信号可以包括白信号(white signal)。电子装置检查装置2000可以在显示层100(参照图3)工作的期间检查显示层100(参照图3)以及传感器层200。所述白信号可以在提供电子装置1000(参照图1)后，在测定多个抖动值JV之前提供到显示层100(参照图3)。
电子装置检查装置2000可以包括发送部2100、接收部2200、第一值计算部2300、第二值计算部2400、第三值计算部2500以及次品判断部2600。
发送部2100可以从外部接收检查信号TTS。发送部2100若接收检查信号TTS则可以向多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi分别发送多个检查信号Ts1、Ts2～Tsm-1、Tsm。
接收部2200可以测定通过多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi的每一个和多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的每一个形成的所述多个沟道的多个抖动(jitter)值JV(S200)。
接收部2200可以从多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj接收反映了多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi和多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj之间的互电容的多个感测信号Rs1、Rs2-Rsn-1、Rsn。接收部2200可以基于所述互电容输出所述多个沟道的每一个的抖动值JV。抖动值JV可以是测定所述互电容分散的现象而定义为预定的数字的值。
第一值计算部2300可以从接收部2200接收多个抖动值JV。第一值计算部2300可以基于多个抖动值JV算出第一值V1(S300)。第一值V1可以是多个抖动值JV全部的平均值。
第二值计算部2400可以从接收部2200接收多个抖动值JV。第二值计算部2400可以基于多个抖动值JV算出第二值V2(S400)。第二值V2可以是将所述多个沟道中的由多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj中的一个形成的沟道的抖动值相加的值。即，第二值V2可以算出相当于多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的数量。
第三值计算部2500可以从第一值计算部2300接收第一值V1以及从第二值计算部2400接收第二值V2。第三值计算部2500可以基于第一值V1以及第二值V2算出第三值V3(参照图10)。第三值V3可以是第二值V2除以第一值V1的值。第三值计算部2500可以输出包括第三值V3的图表GP。
次品判断部2600可以从第三值计算部2500接收图表GP。次品判断部2600可以基于图表GP检查公共电极CE(参照图3)(S500)。当包括在图表GP中的第三值V3大于预定的值时，次品判断部2600可以将公共电极CE(参照图3)判断为次品。当将公共电极CE(参照图3)判断为次品时，次品判断部2600可以判断为公共电极CE(参照图3)未成膜。
图10是示出公共电极正常情况下的多个沟道的每一个的抖动值、第二值以及第三值的表。
参照图9以及图10，示出由多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi的每一个和多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的每一个形成的多个沟道。
多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi可以包括第一第一电极Tx0、第二第一电极Tx1、第三第一电极Tx2、第四第一电极Tx3、第五第一电极Tx4、第六第一电极Tx5、第七第一电极Tx6、第八第一电极Tx7、第九第一电极Tx8、第十第一电极Tx9、第十一第一电极Tx10、第十二第一电极Tx11、第十三第一电极Tx12、第十四第一电极Tx13、第十五第一电极Tx14以及第十六第一电极Tx15。在图10中例示性地示出16个第一电极。
多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj可以包括第十九第二电极Rx18、第二十第二电极Rx19、第二十一第二电极Rx20、第二十二第二电极Rx21、第二十三第二电极Rx22、第二十四第二电极Rx23、第二十五第二电极Rx24、第二十六第二电极Rx25、第二十七第二电极Rx26、第二十八第二电极Rx27、第二十九第二电极Rx28、第三十第二电极Rx29、第三十一第二电极Rx30、第三十二第二电极Rx31、第三十三第二电极Rx32、第三十四第二电极Rx33、第三十五第二电极Rx34以及第三十六第二电极Rx35。在图10中例示性地示出18个第二电极。
可以通过第一第一电极Tx0、第二第一电极Tx1、第三第一电极Tx2、第四第一电极Tx3、第五第一电极Tx4、第六第一电极Tx5、第七第一电极Tx6、第八第一电极Tx7、第九第一电极Tx8、第十第一电极Tx9、第十一第一电极Tx10、第十二第一电极Tx11、第十三第一电极Tx12、第十四第一电极Tx13、第十五第一电极Tx14以及第十六第一电极Tx15的每一个以及第十九第二电极Rx18、第二十第二电极Rx19、第二十一第二电极Rx20、第二十二第二电极Rx21、第二十三第二电极Rx22、第二十四第二电极Rx23、第二十五第二电极Rx24、第二十六第二电极Rx25、第二十七第二电极Rx26、第二十八第二电极Rx27、第二十九第二电极Rx28、第三十第二电极Rx29、第三十一第二电极Rx30、第三十二第二电极Rx31、第三十三第二电极Rx32、第三十四第二电极Rx33、第三十五第二电极Rx34以及第三十六第二电极Rx35的每一个形成多个沟道。所述多个沟道的每一个可以包括抖动值JV。在图10中，例示性地示出针对288个沟道的抖动值JV。
抖动值JV可以是测定所述互电容分散的现象而定义为预定的数字的值。所述预定的数字可以具有1至25的数，多个抖动值JV的每一个可以具有1至25的值。
此时，多个抖动值JV的每一个的值越低，可以意指在产生抖动值的沟道中少产生抖动。多个抖动值JV的每一个的值越高，可以意指在产生抖动值的沟道中多产生抖动。
抖动值JV可能受到向显示层100(参照图4)提供的显示信号的影响而按照多个沟道有所不同。例如，在由第一第一电极Tx0和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是6。在由第二第一电极Tx1和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是9。在由第三第一电极Tx2和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是5。在由第四第一电极Tx3和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是12。在由第五第一电极Tx4和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是15。在由第六第一电极Tx5和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是4。在由第七第一电极Tx6和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是12。在由第八第一电极Tx7和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是19。在由第九第一电极Tx8和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是9。在由第十第一电极Tx9和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是7。在由第十一第一电极Tx10和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是7。在由第十二第一电极Tx11和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是11。在由第十三第一电极Tx12和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是9。在由第十四第一电极Tx13和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是12。在由第十五第一电极Tx14和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是3。在由第十六第一电极Tx15和第三十六第二电极Rx35形成的沟道中抖动值JV可以是2。
第二值计算部2400可以将多个沟道中的由多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj中的一个形成的沟道的抖动值相加而算出第二值V2。此时，基于第三十六第二电极Rx35算出的第二值V2可以是142。
例如，基于第三十五第二电极Rx34算出的第二值V2可以是143。基于第三十四第二电极Rx33算出的第二值V2可以是144。基于第三十三第二电极Rx32算出的第二值V2可以是87。基于第三十二第二电极Rx31算出的第二值V2可以是61。基于第三十一第二电极Rx30算出的第二值V2可以是41。基于第三十第二电极Rx29算出的第二值V2可以是46。基于第二十九第二电极Rx28算出的第二值V2可以是44。基于第二十八第二电极Rx27算出的第二值V2可以是49。基于第二十七第二电极Rx26算出的第二值V2可以是59。基于第二十六第二电极Rx25算出的第二值V2可以是55。基于第二十五第二电极Rx24算出的第二值V2可以是58。基于第二十四第二电极Rx23算出的第二值V2可以是54。基于第二十三第二电极Rx22算出的第二值V2可以是54。基于第二十二第二电极Rx21算出的第二值V2可以是42。基于第二十一第二电极Rx20算出的第二值V2可以是40。基于第二十第二电极Rx19算出的第二值V2可以是43。基于第十九第二电极Rx18算出的第二值V2可以是43。
第三值计算部2500可以将第二值V2除以第一值V1来算出第三值V3。此时，基于第三十六第二电极Rx35的第二值V2算出的第三值V3可以是33.94。
例如，基于第三十五第二电极Rx34算出的第三值V3可以是36.59。基于第三十四第二电极Rx33算出的第三值V3可以是40.07。基于第三十三第二电极Rx32算出的第三值V3可以是26.91。基于第三十二第二电极Rx31算出的第三值V3可以是19.83。基于第三十一第二电极Rx30算出的第三值V3可以是13.58。基于第三十第二电极Rx29算出的第三值V3可以是15.05。基于第二十九第二电极Rx28算出的第三值V3可以是14.31。基于第二十八第二电极Rx27算出的第三值V3可以是15.77。基于第二十七第二电极Rx26算出的第三值V3可以是18.96。基于第二十六第二电极Rx25算出的第三值V3可以是18.10。基于第二十五第二电极Rx24算出的第三值V3可以是19.45。基于第二十四第二电极Rx23算出的第三值V3可以是18.78。基于第二十三第二电极Rx22算出的第三值V3可以是19.46。基于第二十二第二电极Rx21算出的第三值V3可以是16.00。基于第二十一第二电极Rx20算出的第三值V3可以是15.24。基于第二十第二电极Rx19算出的第三值V3可以是16.00。基于第十九第二电极Rx18算出的第三值V3可以是16.00。
第三值计算部2500可以基于算出的多个第三值V3输出图表GP。
次品判断部2600可以基于图表GP来判断公共电极CE(参照图3)的次品与否。
图11是示出公共电极未成膜情况下的多个沟道的每个的抖动值、第二值以及第三值的表。在对图11的说明中，针对通过图10所说明的构成要件，标记相同的附图标记而省略对其的说明。
参照图9以及图11，示出由多个第一电极Tx0、Tx1～Txi-1、Txi的每一个和多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj的每一个形成的多个沟道。
在图11中，例示性地与图10相同地示出16个第一电极以及18个第二电极而示出针对288个沟道的抖动值JV。
例如，在由第一第一电极Tx0和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是9。在由第二第一电极Tx1和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是17。在由第三第一电极Tx2和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是9。在由第四第一电极Tx3和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是10。在由第五第一电极Tx4和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是15。在由第六第一电极Tx5和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是13。在由第七第一电极Tx6和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是10。在由第八第一电极Tx7和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是11。在由第九第一电极Tx8和第三十五第二电极Rx34形成的抖动值JV可以是14。在由第十第一电极Tx9和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是12。在由第十一第一电极Tx10和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是17。在由第十二第一电极Tx11和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是14。在由第十三第一电极Tx12和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是12。在由第十四第一电极Tx13和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是12。在由第十五第一电极Tx14和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是15。在由第十六第一电极Tx15和第三十五第二电极Rx34形成的沟道中抖动值JV可以是8。
第二值计算部2400可以将多个沟道中的由多个第二电极Rx0、Rx1～Rxj-1、Rxj中的一个形成的沟道的抖动值相加来算出第二值V2。此时，基于第三十五第二电极Rx34算出的第二值V2可以是198。
例如，基于第三十六第二电极Rx35算出的第二值V2可以是38。基于第三十四第二电极Rx33算出的第二值V2可以是49。基于第三十三第二电极Rx32算出的第二值V2可以是38。基于第三十二第二电极Rx31算出的第二值V2可以是32。基于第三十一第二电极Rx30算出的第二值V2可以是30。基于第三十第二电极Rx29算出的第二值V2可以是30。基于第二十九第二电极Rx28算出的第二值V2可以是31。基于第二十八第二电极Rx27算出的第二值V2可以是33。基于第二十七第二电极Rx26算出的第二值V2可以是30。基于第二十六第二电极Rx25算出的第二值V2可以是30。基于第二十五第二电极Rx24算出的第二值V2可以是32。基于第二十四第二电极Rx23算出的第二值V2可以是34。基于第二十三第二电极Rx22算出的第二值V2可以是36。基于第二十二第二电极Rx21算出的第二值V2可以是32。基于第二十一第二电极Rx20算出的第二值V2可以是32。基于第二十第二电极Rx19算出的第二值V2可以是31。基于第十九第二电极Rx18算出的第二值V2可以是31。
第三值计算部2500可以将第二值V2除以第一值V1来算出第三值V3。此时，基于第三十五第二电极Rx34的第二值V2算出的第三值V3可以是73.88。
例如，基于第三十六第二电极Rx35算出的第三值V3可以是14.27。基于第三十四第二电极Rx33算出的第三值V3可以是23.62。基于第三十三第二电极Rx32算出的第三值V3可以是18.92。基于第三十二第二电极Rx31算出的第三值V3可以是16.14。基于第三十一第二电极Rx30算出的第三值V3可以是15.15。基于第三十第二电极Rx29算出的第三值V3可以是15.08。基于第二十九第二电极Rx28算出的第三值V3可以是15.50。基于第二十八第二电极Rx27算出的第三值V3可以是16.45。基于第二十七第二电极Rx26算出的第三值V3可以是15.00。基于第二十六第二电极Rx25算出的第三值V3可以是14.88。基于第二十五第二电极Rx24算出的第三值V3可以是15.72。基于第二十四第二电极Rx23算出的第三值V3可以是16.65。基于第二十三第二电极Rx22算出的第三值V3可以是17.78。基于第二十二第二电极Rx21算出的第三值V3可以是16.25。基于第二十一第二电极Rx20算出的第三值V3可以是16.34。基于第二十第二电极Rx19算出的第三值V3可以是16.00。基于第十九第二电极Rx18算出的第三值V3可以是16.00。
第三值计算部2500可以基于算出的多个第三值V3输出图表GP。
次品判断部2600可以基于图表GP来判断公共电极CE(参照图3)的次品与否。
当公共电极CE(参照图3)未成膜时，通过所述未成膜的部分向显示层100(参照图4)提供的显示信号可能与多个第二电极220(参照图5)中的与所述未成膜的部分重叠的第二电极发生干扰。在图11中，例示性地将与所述未成膜的部分重叠的第二电极示出为第三十五第二电极Rx34，但不限于此。
在由第三十五第二电极Rx34形成的沟道中测定的抖动值JV可以比在由其它第二电极形成的沟道中测定的抖动值增加。
根据本发明，当在公共电极CE(参照图3)中产生未成膜次品时，在由多个第二电极220(参照图5)中的特定第二电极与多个第一电极210(参照图5)形成的沟道中测定的抖动值JV可以比在相邻的沟道中测定的抖动值上升。基于此，次品判断部2600可以容易地判断公共电极CE(参照图3)的未成膜与否。因此，能够提供可靠性得到提高的电子装置检查方法。
图12示出第三值计算部基于在图10以及图11中算出的第三值所输出的图表。
参照图9至图12，图表GP的横轴可以表示第二电极220(参照图5)。在图12中，例示性地在所述横轴中示出第十九至第三十六第二电极Rx18～Rx35。
图表GP的纵轴可以表示第三值V3。图表GP可以包括第一图表C1以及第二图表C2。
第一图表C1示出在图10中算出的多个第三值V3。第二图表C2示出在图11中算出的多个第三值V3。
若第三值V3大于预定的值PV，则次品判断部2600可以将公共电极CE(参照图3)判断为次品。若第三值V3小于所述预定的值PV，则次品判断部2600可以将公共电极CE(参照图3)判断为良品。
所述预定的值PV可以具有40至70的值。例如，所述预定的值PV可以是50。然而，其是例示性的，根据本发明的一实施例的所述预定的值PV可以根据电子装置1000(参照图1)的种类而各种各样地提供。
在图表GP中，第一图表C1的第三值V3可以具有比所述预定的值PV小的值。
次品判断部2600可以判断为第一图表C1的电子装置1000(参照图1)中公共电极CE(参照图3)正常。
在图表GP中，基于第二图表C2的第三十五第二电极Rx34测定的第三值V3可以具有比所述预定的值PV即50大的73.88的值。
次品判断部2600可以判断为第二图表C2的电子装置1000(参照图1)中公共电极CE(参照图3)为未成膜的次品。
根据本发明，当在公共电极CE(参照图3)中产生未成膜次品时，在由多个第二电极220(参照图5)中的特定第二电极与多个第一电极210(参照图5)形成的沟道中测定的抖动值JV可以比在相邻的沟道中测定的抖动值上升。基于此，次品判断部2600可以容易地判断公共电极CE(参照图3)的未成膜与否。因此，能够提供可靠性得到提高的电子装置检查方法。
根据上述内容，当在公共电极中产生未成膜次品时，在由多个第二电极中的特定第二电极与多个第一电极形成的沟道中测定的抖动值可以比在相邻的沟道中测定的抖动值上升。基于此，可以容易地判断公共电极的未成膜与否。因此，能够提供可靠性得到提高的电子装置检查方法。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但对于本技术领域的熟练人员或者在本技术领域中具有通常知识的人员来说，能够理解可以在不超出所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及技术领域的范围内对本发明进行各种修改及变更。因此，本发明的技术范围并非由说明书的详细说明中记载的内容来限定，而是应通过权利要求书来确定。

Claims (20)

1.一种电子装置检查方法，其中，包括：
提供电子装置的步骤，所述电子装置包括显示层以及传感器层，所述显示层包括公共电极，所述传感器层配置于所述显示层之上且包括多个第一电极以及与所述多个第一电极分别绝缘交叉的多个第二电极；
测定由所述多个第一电极的每一个和所述多个第二电极的每一个彼此形成的多个沟道的多个抖动值的步骤；
算出所述多个抖动值全部的平均值即第一值的步骤；
将所述多个沟道中的由所述多个第二电极中的一个形成的沟道的抖动值相加而算出第二值的步骤；以及
基于将所述第二值除以所述第一值的第三值来检查所述公共电极的步骤。
2.根据权利要求1所述的电子装置检查方法，其中，
检查所述公共电极的步骤包括：
若所述第三值大于预定的值，则将所述公共电极判断为次品的步骤。
3.根据权利要求2所述的电子装置检查方法，其中，
检查所述公共电极的步骤还包括：
若所述第三值小于所述预定的值，则将所述公共电极判断为良品的步骤。
4.根据权利要求3所述的电子装置检查方法，其中，
所述预定的值是50。
5.根据权利要求1所述的电子装置检查方法，其中，
所述多个抖动值的每一个具有1至25的值。
6.根据权利要求1所述的电子装置检查方法，其中，
检查所述公共电极的步骤包括：
判断所述公共电极的未成膜与否的步骤。
7.根据权利要求1所述的电子装置检查方法，其中，
所述显示层还包括多个数据线。
8.根据权利要求7所述的电子装置检查方法，其中，
所述电子装置检查方法还包括：
向所述多个数据线提供白信号。
9.根据权利要求8所述的电子装置检查方法，其中，
提供所述白信号的步骤提供在提供所述电子装置的步骤和测定所述多个抖动值的步骤之间。
10.根据权利要求1所述的电子装置检查方法，其中，
所述多个第一电极包括在第一方向上排列的多个感测图案以及连接所述多个感测图案中的彼此相邻的两个感测图案的至少一个连接图案，
所述多个第二电极包括在与所述第一方向交叉的第二方向上排列的多个第一部分以及连接所述第一部分中的彼此相邻的两个第一部分的至少一个第二部分。
11.根据权利要求10所述的电子装置检查方法，其中，
所述连接图案和所述第二部分配置于彼此不同的层。
12.根据权利要求1所述的电子装置检查方法，其中，
测定所述多个抖动值的步骤包括：
向所述多个第一电极提供检查信号的步骤；
从所述多个第二电极感测互电容的步骤；以及
基于所述互电容感测所述多个抖动值的步骤。
13.一种电子装置检查方法，其中，包括：
提供电子装置的步骤，所述电子装置包括显示层以及传感器层，所述显示层包括公共电极以及多个数据线，所述传感器层配置于所述显示层之上且包括多个第一电极以及与所述多个第一电极分别绝缘交叉的多个第二电极；
测定由所述多个第一电极以及所述多个第二电极分别形成的多个沟道的多个抖动值的步骤；
基于所述多个抖动值算出第一值的步骤；
将所述多个沟道中的由所述多个第二电极中的一个形成的沟道的抖动值相加而算出第二值的步骤；以及
基于所述第一值以及所述第二值来判断所述公共电极的未成膜与否的步骤。
14.根据权利要求13所述的电子装置检查方法，其中，
基于所述多个抖动值算出第一值的步骤包括：
将所述多个抖动值全部的平均值算出为第一值的步骤。
15.根据权利要求13所述的电子装置检查方法，其中，
判断所述公共电极的未成膜与否的步骤包括：
算出将所述第二值除以所述第一值的第三值的步骤。
16.根据权利要求15所述的电子装置检查方法，其中，
判断所述公共电极的未成膜与否的步骤还包括：
若所述第三值大于预定的值，则判断为所述公共电极未成膜的步骤。
17.根据权利要求16所述的电子装置检查方法，其中，
判断所述公共电极的未成膜与否的步骤还包括：
若所述第三值小于预定的值，则判断为所述公共电极正常的步骤。
18.根据权利要求17所述的电子装置检查方法，其中，
所述预定的值是50。
19.根据权利要求13所述的电子装置检查方法，其中，
所述电子装置检查方法还包括：
向所述多个数据线提供白信号的步骤。
20.根据权利要求19所述的电子装置检查方法，其中，
提供所述白信号的步骤提供在提供所述电子装置的步骤和测定所述多个抖动值的步骤之间。
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