CN117501146A - 集成电路、无线接收机和终端 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供了一种集成电路、无线接收机和终端，涉及电路技术领域，可以减小集成电路的功耗和版图面积。该集成电路包括输入节点、第一无源混频器、第一放大器、第一滤波电容和第二滤波电容。输入节点用于接收射频信号，并将射频信号输入至第一支路和第二支路，第一支路和第二支路耦合于输入节点与第一放大器之间。第一无源混频器包括第一混频开关和第二混频开关，第一支路包括串联的第一滤波电容和第一混频开关，第一滤波电容耦合于输入节点与所述第一混频开关之间。第二支路包括串联的第二滤波电容和第二混频开关，第二滤波电容耦合于输入节点与第二混频开关之间，第一无源混频器将所述射频信号与本振信号进行混频，以向第一放大器输入第一模拟信号。

Description

集成电路、无线接收机和终端 技术领域

本申请涉及电路技术领域，尤其涉及一种集成电路、无线接收机和终端。

背景技术

无线接收机的广泛应用，使得无线频谱变得非常拥挤，无线频谱拥挤的原因通常是带外干扰、阻塞导致，这就对无线接收机的线性度提出了很高的要求。

目前，通过使用高线性度的无源混频器，以及在无线接收机的混频器后连接高通滤波器，滤除部分无用信号和噪声，以提高无线接收机的线性度。

然而，由于高通滤波器连接在无源混频器的后级，因此，对高通滤波器的线性度要求非常高。同时，现有的高通滤波器通常是基于运算放大器的电路结构实现的，高线性的运算放大器需要消耗很大的功耗并占用较大的版图面积，从而导致无线放大器的整体功耗过高、设计尺寸较大。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请提供一种集成电路、无线接收机和终端。可以减小集成电路的功耗和版图面积。

第一方面，本申请实施例提供一种集成电路，包括输入节点、第一无源混频器、第一放大器、第一滤波电容和第二滤波电容。输入节点用于接收射频信号，并将射频信号输入至第一支路和第二支路，第一支路和第二支路耦合于输入节点与第一放大器之间。第一无源混频器包括第一混频开关和第二混频开关，第一支路包括串联的第一滤波电容和第一混频开关，第一滤波电容耦合于输入节点与第一混频开关之间；第二支路包括串联的第二滤波电容和第二混频开关，第二滤波电容耦合于输入节点与所述第二混频开关之间；第一无源混频器将射频信号与本振信号进行混频，以向第一放大器输入第一模拟信号。

本集成电路中，通过使第一滤波电容和第一混频开关串联于第一支路上，使第二滤波电容和第二混频开关串联于第二支路上，提供了一种新的连接方式，一方面，可以利用第一滤波电容和第二滤波电容代替相关技术中基于运算放大器的高通滤波器，以省去运算放大器占用的版图面积和功耗；另一方面，相较于相关技术在整个第一无源混频器后连接高通滤波器的方案，本申请实施例还可以将集成电路的版图设计得更加紧凑，从而进一步节省集成电路的版图面积；另一方面，本申请通过将第一滤波电容耦合于输入节点与第一混频开关之间，第二滤波电容耦合于输入节点A与第二混频开关之间，以使第一滤波电容和第二滤波电容还具有隔直作用，当集成电路应用于无线接收机时，可以省去无线接收机中的隔直电容。

在一些可能实现的方式中，第一滤波电容可以耦合于第一混频开关与第一放大器之 间，第二滤波电容耦合于第二混频开关与第一放大器之间。或者，在第一滤波电容和第二滤波电容的个数为多个的情况下，部分第一滤波电容耦合于输入节点与第一混频开关之间、另一部分第一滤波电容耦合于第一混频开关与第一放大器之间，部分第二滤波电容耦合于输入节点与第二混频开关之间、另一部分第二滤波电容耦合于第二混频开关与第一放大器之间。

在一些可能实现的方式中，上述第一混频开关包括第一晶体管，第二混频开关包括第二晶体管，集成电路还包括第一本振信号输入端和第二本振信号输入端。第一晶体管的栅极耦合至第一本振信号输入端、第一极耦合至所述输入节点、第二极耦合至所述第一放大器的第一放大输入端；第二晶体管的栅极耦合至第二本振信号输入端、第一极耦合至输入节点、第二极耦合至第一放大器的第二放大输入端。其中，第一晶体管从第一本振信号输入端接收第一本振信号，第二晶体管从第二本振信号输入端接收第二本振信号，第一本振信号与第二本振信号互为高低电平。本申请集成电路的第一无源混频器可以是单平衡无源混频器，以排除第一混频器的杂散产物。

在一些可能实现的方式中，上述第一无源混频器还包括第三混频开关和第四混频开关，集成电路还包括第三滤波电容和第四滤波电容。输入节点包括第一差分输入节点和第二差分输入节点，第一支路和所述第二支路与第一差分输入节点耦合；第二差分输入节点用于将射频信号输入至第三支路和第四支路，第三支路和所述第四支路耦合于所述第二差分输入节点与所述第一放大器之间。第三支路包括串联的第三滤波电容和第三混频开关，第三滤波电容耦合于第二差分输入节点与所述第三混频开关之间；第四支路包括串联的第四滤波电容和第四混频开关，第四滤波电容耦合于第二差分输入节点与第四混频开关之间。本申请集成电路的第一无源混频器可以是双平衡无源混频器，以为集成电路提供更高的线性度。

在一些可能实现的方式中，第三滤波电容可以耦合于第三混频开关与第一放大器之间，第四滤波电容耦合于第四混频开关与第一放大器之间。或者，在第三滤波电容和第四滤波电容的个数为多个的情况下，部分第三滤波电容耦合于输入节点与第三混频开关之间、另一部分第三滤波电容耦合于第三混频开关与第一放大器之间，部分第四滤波电容耦合于输入节点与第四混频开关之间、另一部分第四滤波电容耦合于第四混频开关与第一放大器之间。

在一些可能实现的方式中，上述双平衡无源混频器中第三混频开关包括第三晶体管，第四混频开关包括第四晶体管。第三晶体管的栅极耦合至第二本振信号输入端、第一极耦合至第二差分输入节点、第二极耦合至所述第一放大输入端；第四晶体管的栅极耦合至第一本振信号输入端、第一极耦合至第二差分输入节点、第二极耦合至第二放大输入端。

在一些可能实现的方式中，上述第一放大器的共模输入电压用于提供第一无源混频器中晶体管的直流偏置。

在一些可能实现的方式中，上述输入节点与低噪声放大器耦合，用于接收低噪声放大器输出的射频信号，以使集成电路接收噪声较低的射频信号。

在一些可能实现的方式中，上述集成电路还包括第五滤波电容和第六滤波电容。第 一放大器还包括第一放大输出端和第二放大输出端；第五滤波电容通过反馈放大方式耦合于第一放大输入端与第一放大输出端之间，第六滤波电容通过反馈放大方式耦合于第二放大输入端与第二放大输出端之间，以分别利用第一滤波电容与第二滤波电容、以及第一滤波电容与第三滤波电容实现带通滤波效果。

在一些可能实现的方式中，上述集成电路还包括第二无源混频器、第二放大器、第七滤波电容和第八滤波电容。输入节点还用于将射频信号输入至第五支路和第六支路，第五支路和第六支路耦合于输入节点与第二放大器之间。第二无源混频器包括第五混频开关和第六混频开关，第五支路包括串联的第七滤波电容和第五混频开关，第七滤波电容耦合于输入节点与第五混频开关之间；第六支路包括串联的第八滤波电容和第六混频开关，第八滤波电容耦合于输入节点与第六混频开关之间。第二无源混频器将射频信号与本振信号进行混频，以向第二放大器输入第二模拟信号；其中，第二模拟信号与第一模拟信号正交。本申请通过设置与第一无源混频器对应的第二无源混频器、与第一滤波电容对应的第四滤波电容，并利用第二无源混频器对射频信号和本振信号进行混频，可以提高射频信号的利用率。并且，第二无源混频器可以是单平衡无源混频器，以排除第一混频器的杂散产物。

在一些可能实现的方式中，第七滤波电容可以耦合于第五混频开关与第二放大器之间，第八滤波电容耦合于第六混频开关与第二放大器之间。或者，在第七滤波电容和第八滤波电容的个数为多个的情况下，部分第七滤波电容耦合于输入节点与第五混频开关之间、另一部分第七滤波电容耦合于第五混频开关与第二放大器之间，部分第八滤波电容耦合于输入节点与第六混频开关之间、另一部分第八滤波电容耦合于第六混频开关与第二放大器之间。

在一些可能实现的方式中，上述第二无源混频器中第五混频开关包括第五晶体管，第六混频开关包括第六晶体管。第五晶体管的栅极耦合至第三本振信号输入端、第一极耦合至输入节点、第二极耦合至第二放大器的第三放大输入端；第六晶体管的栅极耦合至第四本振信号输入端、第一极耦合至输入节点、第二极耦合至第二放大器的第四放大输入端。其中，第五晶体管从第三本振信号输入端接收第三本振信号，第六晶体管从第四本振信号输入端接收第四本振信号，第三本振信号与第四本振信号互为高低电平。

在一些可能实现的方式中，上述第二无源混频器还包括第七混频开关和第八混频开关，集成电路还包括第九滤波电容和第十滤波电容。在输入节点包括第一差分输入节点和第二差分输入节点的情况下，第五支路和第六支路与第一差分输入节点耦合；第二差分输入节点还用于将射频信号输入至第七支路和第八支路，第七支路和第八支路耦合于第二差分输入节点与第二放大器之间。第七支路包括串联的第九滤波电容和第七混频开关，第九滤波电容耦合于第二差分输入节点与第七混频开关之间；第八支路包括串联的第十滤波电容和第八混频开关，第十滤波电容耦合于第二差分输入节点与第八混频开关之间。本申请的第二无源混频器可以是双平衡无源混频器，以为集成电路提供更高的线性度。

在一些可能实现的方式中，第九滤波电容可以耦合于第七混频开关与第二放大器之间，第十滤波电容耦合于第八混频开关与第二放大器之间。或者，在第九滤波电容和第 十滤波电容的个数为多个的情况下，部分第九滤波电容耦合于输入节点与第七混频开关之间、另一部分第九滤波电容耦合于第七混频开关与第二放大器之间，部分第十滤波电容耦合于输入节点与第八混频开关之间、另一部分第十滤波电容耦合于第八混频开关与第二放大器之间。

在一些可能实现的方式中，上述第七混频开关包括第七晶体管，所述第八混频开关包括第八晶体管。第七晶体管的栅极耦合至第四本振信号输入端、第一极耦合至第二差分输入节点、第二极耦合至第三放大输入端；第八晶体管的栅极耦合至第三本振信号输入端、第一极耦合至第二差分输入节点、第二极耦合至第四放大输入端。

在一些可能实现的方式中，上述集成电路还包括无源过滤电路；第一混频开关和第二混频开关均包括串联的两个晶体管，无源过滤电路耦合于两个晶体管之间，可以利用无源过滤电路，使本申请的第一无源混频器构成窄道滤波混频器，滤除信号从无线发射机发送到无线接收机过程中的泄漏信号。

在一些可能实现的方式中，上述第一滤波电容和所述第二滤波电容包括MOM电容或MIM电容，以减小射频节点的寄生电容。

第二方面，本申请实施例提供一种无线接收机，所述无线接收机包括第一方面中任意所述的集成电路。集成电路中第一无源混频器的第一混频开关和第二混频开关用于对射频信号和本振信号进行下混频。

第三方面，本申请实施例提供一种终端，终端包括天线和第二方面所述的无线接收机，天线用于提供低噪声放大器需要的信号。

附图说明

图1为本申请实施例提供的终端一个应用场景示意图；

图2为本申请实施例提供的一个集成电路的电路图；

图3为本申请实施例提供的又一个集成电路的电路图；

图4为本申请实施例提供的一个无线接收机的电路图；

图5为本申请实施例提供的又一个无线接收机的电路图；

图6为本申请实施例提供的另一个无线接收机的电路图；

图7为本申请实施例提供的另一个无线接收机的电路图；

图8为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图9为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图10为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图11为本申请实施例提供的本申请实施例与相关技术的输出增益的仿真对比图；

图12为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图13为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图14为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图15为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图16为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图17为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图18为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图19为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图20为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图21为本申请实施例提供的第一无源混频器和第二无源混频器与本地振荡器的连接图；

图22为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图23为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图；

图24为本申请实施例提供的另一个集成电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

本申请实施例的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述对象的特定顺序。例如，第一目标对象和第二目标对象等是用于区别不同的目标对象，而不是用于描述目标对象的特定顺序。

在本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。

在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个处理单元是指两个或两个以上的处理单元；多个系统是指两个或两个以上的系统。

本申请实施例提供一种终端，利用滤波电容代替现有基于运算放大器的高通滤波器，同时使滤波电容共用耦合在无源混频器后的放大器，可以省去高通滤波器中运算放大器占用的版图面积和功耗；并且，以串联的方式将滤波电容与无源混频器集成在一起，还可以将版图设计得更加紧凑，从而进一步节省版图面积。

以下对本申请实施例提供的终端的具体结构和用途进行说明。

如图1所示，其示出了本申请实施例提供的终端1的一种应用场景示意图，终端1包括无线接收机10、数字电路20、以及控制电路30，数字电路20和控制电路30耦合至无线接收机10的输出端，且数字电路20耦合于无线接收机10与控制电路30之间。其中，如图2和图3所示，无线接收机10包括集成有无源混频器(图2和图3中的110)和滤波电容(图2和图3中的120)的集成电路100。

如图4所示，对于上述无线接收机10，除了包括上述集成电路100以外，无线接收 机10还可以包括本地振荡器101和模数转换电路102。集成电路100还可以包括输入节点A、本振信号输入端LO和输出端OUT。集成电路100的输入节点A与无线接收机10的输入端耦合、本振信号输入端LO与本地振荡器101的输出端耦合。输入节点A可以接收无线接收机10接收的射频信号，集成电路100可以通过输入节点A接收该射频信号、从本振信号输入端LO接收本地振荡器101发送的本振信号。当无线接收机10接收到射频信号时，可以在本振信号的控制下，利用无源混频器对射频信号和本振信号进行下混频，得到模拟信号，并利用滤波电容对经过模拟信号进行高通滤波，滤除无用信号和噪声，以提高接收信噪比；之后，可以利用模数转换电路102将模拟信号转换为数字信号，并将数字信号输入至数字电路20和控制电路30；数字电路20接收到数字信号后，可以对数字信号进行编码、解码等处理，并将处理结果输入至控制电路30，控制电路30可以根据接收的处理结果控制终端1实现与模拟信号对应的功能。

不同的终端1在不同处理结果的驱动下，所能实现的功能不同，本申请实施例对此不作限定。

例如，终端1为手机，控制电路30可以根据接收的处理结果，控制手机收到他人打来的电话，并在用户触发“接听”按钮时，接通电话并接收他人手机发来的音频信号。

又例如，终端1为雷达，控制电路30可以根据接收的处理结果，控制雷达对目标信号进行检测。

当然，终端1还可以是电脑、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant，简称PDA)、智能穿戴式设备、智能家居设备等，本申请实施例对此不作限定。

对于上述集成电路100，需要说明的是，其包含的各个器件可以集成在同一芯片上，该芯片可以仅包括集成电路100，也可以是除包括集成电路100以外，还包括其他器件。此情况下，上述输入节点A可以是该芯片的管脚，也可以是该芯片的内部节点。

当然，上述集成电路100的各个器件也可以集成在多个芯片上，各个器件间例如可以通过多个芯片的管脚实现耦合。此情况下，上述输入节点A可以是其中一个芯片的管脚，也可以是其中一个芯片的内部节点。

此外，上述终端1还可以包括天线，无线接收机10还可以包括其他器件，如图4-图7所示，无线接收机10还可以包括低噪声放大器(low noise amplifier，简称LNA)103和低通滤波器104。天线可以用于提供低噪声放大器需要的信号，低噪声放大器103与集成电路100的输入节点A耦合，作为无线接收机10中的前置放大器来降低噪声，输入节点A可以接收从低噪声放大器输出的射频信号；低通滤波器104耦合至集成电路100的输出端OUT，可以与集成电路100中的滤波电容构成带通滤波器，使特定频段的信号从无线接收机10输出。图4-图7以无线接收机10同时包括本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104来举例，当然，在另一些实施例中，无线接收机10还可以根据需要不包括本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104中的至少一个，或者，根据需要增加或减少本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104的个数，本申请对此不作限定。

对于上述无线接收机10，还可以基于无源混频器的类型，在上述器件的基础上增加 其他器件。本申请的集成电路100中，无源混频器可以是电流型无源混频器，也可以是电压型无源混频器。同时，对于电流型无源混频器和电压型无源混频器，其可以是双平衡无源混频器，也可以是单平衡无源混频器。其中，双平衡无源混频器具有更高的线性度，单平衡无源混频器可以排除无源混频器中的杂散产物。

例如，如图4所示，无源混频器为单平衡的电压型无源混频器，无线接收机10可以仅包括上述本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104。

又例如，如图5所示，无源混频器为单平衡的电流型无源混频器，无线接收机10在包括上述本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104的基础上，还可以包括跨导电路(gm)105。跨导电路105耦合至集成电路100的输入节点A，可以将电压转换为电流，使射频信号以电流形式输入至集成电路100。

又例如，如图6所示，无源混频器为双平衡的电压型无源混频器，无线接收机10在包括上述本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104的基础上，还可以包括平衡-不平衡变换器(balance-unbalance，简称BALUN)106。输入节点A包括第一差分输入节点A1和第二差分输入节点A2，平衡-不平衡变换器106分别耦合至集成电路100的第一差分输入节点A1和第二差分输入节点A2，可以将无线接收机10接收的射频信号差分输入至集成电路100。

又例如，如图7所示，无源混频器为双平衡的电流型无源混频器，无线接收机10在包括上述本地振荡器101、模数转换电路102、低噪声放大器103、以及低通滤波器104的基础上，还可以包括跨导电路105和平衡-不平衡变换器106。输入节点A包括第一差分输入节点A1和第二差分输入节点A2，平衡-不平衡变换器106和跨导电路105耦合至集成电路100的第一差分输入节点A1和第二差分输入节点A2，且跨导电路105耦合于平衡-不平衡变换器106与第一差分输入节点A1和第二差分输入节点A2之间。平衡-不平衡变换器106可以将无线接收机10接收的射频信号差分输入至集成电路100；跨导电路105可以将电压转换为电流，使射频信号以电流形式输入至集成电路100。

以下结合终端1和无线接收机10对上述集成电路100的电路结构进行具体说明。

如图8和图9所示，本申请以混频器为单平衡无源混频器为例，提供一种集成电路100，该集成电路100包括第一无源混频器110、第一放大器140、第一滤波电容120和第二滤波电容130。输入节点用于接收射频信号，并将射频信号输入至第一支路和第二支路，第一支路和第二支路耦合于输入节点A与第一放大器140之间。第一无源混频器110包括第一混频开111和第二混频开关112，第一支路包括串联的第一滤波电容120和第一混频开关111，第一滤波电容120耦合于输入节点A与第一混频开关111之间。第二支路包括串联的第二滤波电容130和第二混频开关112，第二滤波电容130耦合于输入节点A与第二混频开关112之间。第一无源混频器110将射频信号与本振信号进行混频，以向第一放大器140输入第一模拟信号。

在一些可能实现的方式中，第一无源混频器110的第一混频开关111和第二混频开关112可以均包括至少一个开关管，该开关管可以是晶体管。其中，晶体管的栅极可以与本振信号输入端(图8中的LO _n和LO _p)耦合、第一极可以与集成电路100的输入节点A耦合、第二极可以与第一放大器140耦合。其中，第一放大器140包括第一放大输 入端IN1和第二放大输入端IN2，第一混频开关111中晶体管的第二极与第一放大输入端IN1耦合，第二混频开关112中晶体管的第二极与第二放大输入端IN2耦合。第一放大器140的共模输入电压用于提供第一无源混频器110中晶体管的直流偏置。以第一无源混频器110为电压型无源混频器为例，第一混频开关111中晶体管的源漏直流电平与第一放大器140的第一放大输入端IN1的输入直流电平相同，第二混频开关112中晶体管的源漏直流电平与第一放大器140的第二放大输入端IN2的输入直流电平相同。

此处需要说明的是，晶体管的第一极为源极，第二极为漏极；或者，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。下文除另外说明以外，以第一混频开关111和第二混频开关112均包括晶体管为例进行说明。

在一些可能实现的方式中，如图8所示，第一混频开关111和第二混频开关112的晶体管可以均为N型晶体管；或者，如图9所示，第一混频开关111和第二混频开关112的晶体管也可以均为P型晶体管；或者，第一混频开关111和第二混频开关112的晶体管可以既包括N型晶体管，也包括P型晶体管。以N型晶体管和P型晶体管应用于第一混频开关111为例，其工作原理分别为：

例如，以第一混频开关111包括一个晶体管、且该晶体管为N型晶体管为例，在晶体管的栅极从本振信号输入端接收到的本振信号相对于晶体管的源漏电压为高电平时，第一混频开关111导通；在晶体管的栅极从本振信号输入端接收到的本振信号相对于晶体管的源漏电压为低电平时，第一混频开关111截止。

又例如，以第一混频开关111包括一个晶体管、且该晶体管为P型晶体管为例，在晶体管的栅极从本振信号输入端接收到的本振信号相对于晶体管的源漏电压为高电平时，第一混频开关111截止；在晶体管的栅极从本振信号输入端接收到的本振信号相对于晶体管的源漏电压为低电平时，第一混频开关111导通。

在一些可能实现的方式中，本申请的集成电路100中各个器件的功能为：第一混频开关111和第二混频开关112分别用于对各自接收的本振信号和射频信号进行混频，以得到第一模拟信号，第一滤波电容120和第二滤波电容130用于对第一模拟信号进行高通滤波，并将高通滤波后的第一模拟信号输入至第一放大器140，利用第一放大器140将高通滤波后的第一模拟信号放大为所需的信号大小。

可以理解的是，本申请实施例通过使第一滤波电容120和第一混频开关111串联于第一支路上，使第二滤波电容130和第二混频开关112串联于第二支路上，提供了一种新的连接方式，一方面，可以利用第一滤波电容120和第二滤波电容130代替图10所示的相关技术中基于运算放大器的高通滤波器2000，以省去运算放大器占用的版图面积和功耗；另一方面，相较于相关技术在整个第一无源混频器110后连接高通滤波器200的方案，本申请实施例还可以将集成电路100的版图设计得更加紧凑，从而进一步节省集成电路100的版图面积；另一方面，本申请通过将第一滤波电容120耦合于输入节点A与第一混频开关111之间，第二滤波电容130耦合于输入节点A与第二混频开关112之间，以使第一滤波电容120和第二滤波电容130还具有隔直作用，当集成电路100应用于无线接收机10时，可以省去无线接收机10中的隔直电容1000。

对于图10所示的相关技术中的隔直电容1000，与本申请实施例中的第一滤波电容 120和第二滤波电容130的区别。第一，二者的连接方式不同，相关技术的隔直电容1000耦合在无线接收机10的输入端与输入节点A之间，而本申请实施例的第一滤波电容120耦合于输入节点A与第一混频开关111之间、第二滤波电容130耦合于输入节点A与第二混频开关112之间。第二，二者实现的作用不同，相关技术的隔直电容1000只能起到隔直作用，而本申请的第一滤波电容120和第二滤波电容130不但可以起到隔直作用，还可以起到高通滤波作用，具体的，对第一滤波电容120和第二滤波电容130与隔直电容1000的高通滤波作用分析如下：

图11示出了相关技术与本申请的仿真对比图，其中，实线为图10所示的无线接收机10在不包括高通滤波器2000时，其输出增益与接收的射频信号之间的仿真关系图。可以看出，无线接收机10接收任意频段的射频信号，其输出增益始终保持不变，因此，无线接收机10中的隔直电容1000不能起到高通滤波作用。

图11中的虚线为本申请实施例的集成电路100应用于无线接收机10时，无线接收机10的输出增益与接收的射频信号之间的仿真关系图。假设3.5GHz的射频信号与本振信号混频后，得到的第一模拟信号为0Hz，此时第一模拟信号为低频率的信号。从图11可以看出，在射频信号为3.5GHz处，由于第一滤波电容120和第二滤波电容130将第一模拟信号滤除，导致输出增益大幅降低。由此可以得出，本申请实施例的第一滤波电容120和第二滤波电容130可以起到高通滤波的作用。

基于上述，相关技术中将隔直电容1000耦合在无线接收机10的输入端与输入节点A之间的方案，不能代替本申请实施例将第一滤波电容120耦合在输入节点A与第一混频开关111之间、将第二滤波电容130耦合在输入节点A与第二混频开关112之间的方案。

此外，对于与第一混频开关111串联的第一滤波电容120的个数，和与第二混频开关112串联的第二滤波电容130的个数，在一些可能实现的方式中，如图8和图9所示，第一滤波电容120的个数与第二滤波电容130的个数可以相同，例如，第一滤波电容120的个数与第二滤波电容130的个数均为一个；在一些可能实现的方式中，与第一混频开关111串联的第一滤波电容120的个数，和与第二混频开关112串联的第二滤波电容130的个数也可以不相同，例如，第一滤波电容120的个数为一个，第二滤波电容130的个数为两个。考虑到第一滤波电容120与第二滤波电容130的个数不同，可能导致从第一支路和第二支路输出的信号的数值存在偏差，因此，可选的，与第一滤波电容120和第二滤波电容130的个数相同。

图8和图9示出了第一滤波电容120与第二滤波电容130的个数相同的情况下，第一滤波电容120和第二滤波电容130的个数可以是一个或多个。在一些可能实现的方式中，如图8所示，第一混频开关111与一个第一滤波电容120串联，第二混频开关112与一个第二滤波电容130串联；在一些可能实现的方式中，如图9所示，第一混频开关111与多个第一滤波电容120串联，第二混频开关112与多个第二滤波电容130串联。由于本申请实施例可以利用一个电容值较小的第一滤波电容120代替多个电容值较大的第一滤波电容120，利用一个电容值较小的第二滤波电容130代替多个电容值较大的第二滤波电容130，因此，可选的，第一滤波电容120和第二滤波电容130的个数可以均为一个， 以节省集成电路100的版图面积。

对于上述第一滤波电容120和第二滤波电容130的类型，本申请不作限定，第一滤波电容120和第二滤波电容130可以是任意类型的电容，例如，第一滤波电容120和第二滤波电容130可以是金属-氧化物-金属(metal oxide metal，简称MOM)电容、金属-电介质-金属(metal insulator metal，简称MIM)电容、场效应(metal-oxide-semiconductor，简称MOS)管电容等。为了减小射频节点的寄生电容，可选的，第一滤波电容120和第二滤波电容130可以是MOM电容或MIM电容。

此外，在一些可能实现的方式中，如图12所示，第一滤波电容120可以耦合于第一混频开关111与第一放大输入端IN1之间，第二滤波电容130可以耦合于第二混频开关112与第二放大输入端IN2之间，此情况下，第一无源混频器110中晶体管的源漏直流电平与其上一级电路的输入直流电平相同。或者，在另一些可能实现的方式中，如图13所示，第一滤波电容120和第二滤波电容130的个数都为多个，部分第一滤波电容120耦合于输入节点A与第一混频开关111之间、另一部分第一滤波电容120耦合于第一混频开关111与第一放大输入端IN1之间，部分第二滤波电容130耦合于输入节点A与第二混频开关112之间、另一部分第二滤波电容130耦合于第二混频开关112与第二放大输入端IN2之间。

下面以第一无源混频器110为单平衡无源混频器为例，对集成电路100的具体电路结构进行说明，在一些可能实现的方式中，如图8所示，第一混频开关111可以包括第一晶体管T1，第二混频开关112可以包括第二晶体管T2。本振信号输入端包括第一本振信号输入端LO _p和第二本振信号输入端LO _n。第一晶体管T1的栅极耦合至第一本振信号输入端LO _p、第一极耦合至输入节点A、第二极耦合至第一放大器140的第一放大输入端IN1；第二晶体管T2的栅极耦合至第二本振信号输入端LO _n、第一极耦合至输入节点A、第二极耦合至第一放大器140的第二放大输入端IN2。第一晶体管T1从第一本振信号输入端LO _p接收第一本振信号，第二晶体管T2从第二本振信号输入端LO _n接收第二本振信号，第一本振信号与第二本振信号互为高低电平。此处需要说明的是，第一本振信号与第二本振信号互为高低电平，即，第一本振信号为高电平，第二本振信号为低电平；或者，第一本振信号为低电平，第二本振信号为高电平。

基于上述电路结构，下面以第一晶体管T1和第二晶体管T2均为N型晶体管，来举例介绍第一无源混频器110、第一滤波电容120和第二滤波电容130的工作过程。其工作过程可以包括第一阶段和第二阶段，具体为：

在第一阶段，参考图8，第一本振信号为高电平，第二本振信号为低电平，第一晶体管T1导通，第二晶体管T2截止。第一晶体管T1和与第一晶体管T1串联的第一滤波电容120通过输入节点A接收射频信号，第一晶体管T1从第一本振信号输入端LO _p接收第一本振信号，利用第一晶体管T1对射频信号与第一本振信号进行混频得到第一模拟信号，利用第一滤波电容120对第一模拟信号进行高通滤波得到第一输出信号，并输出第一输出信号至第一放大输入端IN1。

在第二阶段，请继续参考图8，第一本振信号为低电平，第二本振信号为高电平，第一晶体管T1截止，第二晶体管T2导通。第二晶体管T2和与第二晶体管T2串联的第二 滤波电容130通过输入节点A接收射频信号，第二晶体管T2从第二本振信号输入端LO _n接收第二本振信号，利用第二晶体管T2对射频信号与第二本振信号进行混频得到第一模拟信号，利用第二滤波电容130对第一模拟信号进行高通滤波得到第二输出信号，并输出第二输出信号至第二放大输入端IN2。第一输出信号与第二输出信号构成一组差分输出信号，第一输出信号为正时，第二输出信号为负；或者，第一输出信号为负时，第二输出信号为正。

此处需要说明的是，在上述工作过程中，也可以是第一阶段的第二本振信号为高电平、第一本振信号为低电平，第二阶段的第一本振信号为高电平、第二本振信号为低电平，本申请实施例对此不作限定。此外，对于上述第一晶体管T1和第二晶体管T2，其第一极为源极，第二极为漏极；或者，第一极为漏极，第二极为源极。

如图14所示，在一些实施例中，第一无源混频器110也可以为双平衡无源混频器。双平衡的第一无源混频器110还包括第三混频开关113和第四混频开关114，集成电路100还包括第三滤波电容150和第四滤波电容160。输入节点A包括第一差分输入节点A1和第二差分输入节点A2，第一支路和第二支路与第一差分输入节点A1耦合(也可以说，第一支路和第二支路耦合于第一差分输入节点A1与第一放大器之间)，第一差分输入节点A1可以向第一支路和第二支路输入第一射频信号。第二差分输入节点A2用于将第二射频信号输入至第三支路和第四支路，第三支路和第四支路耦合于第二差分输入节点A2与第一放大器140之间。其中，第一射频信号与第二射频信号构成一组差分信号，第一射频信号为正时，第二射频信号为负；或者，第一射频信号为负时，第二射频信号为正。

第三支路包括串联的第三滤波电容150和第三混频开关113，第三滤波电容150耦合于第二差分输入节点A2与第三混频开关113之间；第四支路包括串联的第四滤波电容160和第四混频开关114，第四滤波电容160耦合于第二差分输入节点A2与第四混频开关114之间。

对于双平衡的第一无源混频器110，集成电路100中各个器件的功能为：第一混频开关111、第二混频开关112、第三混频开关113、以及第四混频开关114分别用于对各自接收的本振信号和射频信号进行混频，以得到第一模拟信号。第一滤波电容120、第二滤波电容130、第三滤波电容150、以及第四滤波电容160用于对第一模拟信号进行高通滤波，并将高通滤波后的第一模拟信号输入至第一放大器140。利用第一放大器140可以将高通滤波后的第一模拟信号放大为所需的信号大小。

此外，对于第一滤波电容120的个数、第二滤波电容130的个数、第三滤波电容150的个数、以及第四滤波电容160的个数，在一些可能实现的方式中，如图14所示，第一滤波电容120的个数、第二滤波电容130的个数、第三滤波电容150的个数、以及第四滤波电容160的个数可以均相同，例如，第一滤波电容120的个数、第二滤波电容130的个数、第三滤波电容150的个数、以及第四滤波电容160的个数均为一个；在一些可能实现的方式中，第一滤波电容120的个数、第二滤波电容130的个数、第三滤波电容150的个数、以及第四滤波电容160的个数也可以不相同，例如，第一滤波电容120和第三滤波电容150的个数为一个，第二滤波电容130和第四滤波电容160的个数为两个。 考虑到第一滤波电容120、第二滤波电容130、第三滤波电容150、以及第四滤波电容160的个数不同，可能导致从第一支路、第二支路、第三支路和第四支路输出的信号的数值存在偏差，因此，可选的，第一滤波电容120、第二滤波电容130、第三滤波电容150和第四滤波电容160的个数相同。

图14示出了第三滤波电容150与第四滤波电容160的个数相同的情况下，第三滤波电容150和第四滤波电容160的个数可以是一个或多个。在一些可能实现的方式中，如图14所示，第三混频开关113与一个第三滤波电容150串联，第四混频开关114与一个第四滤波电容160串联；在一些可能实现的方式中，如图15所示，第三混频开关113与多个第三滤波电容150串联，第四混频开关114与多个第四滤波电容160串联。由于本申请实施例可以利用一个电容值较小的第三滤波电容150代替多个电容值较大的第三滤波电容150，利用一个电容值较小的第四滤波电容160代替多个电容值较大的第四滤波电容160，因此，可选的，第三滤波电容150和第四滤波电容160的个数可以均为一个，以节省集成电路100的版图面积。对于双平衡的第一无源混频器110中第一滤波电容120和第二滤波电容130的说明可以参考前述实施例，在此不再赘述。

对于上述第三滤波电容150和第四滤波电容160的类型，本申请不作限定，第三滤波电容150和第四滤波电容160可以是任意类型的电容，例如，第三滤波电容150和第四滤波电容160可以是MOM电容、MIM电容、MOS管电容等。为了减小射频节点的寄生电容，可选的，第三滤波电容150和第四滤波电容160可以是MOM电容或MIM电容。

此外，在一些可能实现的方式中，如图16所示，第三滤波电容150可以耦合于第三混频开关113与第一放大输入端IN1之间，第四滤波电容160可以耦合于第四混频开关114与第二放大输入端IN2之间，此情况下，第一无源混频器110中晶体管的源漏直流电平与其上一级电路的输入直流电平相同。或者，在另一些可能实现的方式中，如图17所示，第三滤波电容150和第四滤波电容160的个数都为多个，部分第三滤波电容150耦合于输入节点A与第三混频开关113之间、另一部分第三滤波电容150耦合于第三混频开关113与第一放大输入端IN1之间，部分第四滤波电容160耦合于输入节点A与第四混频开关114之间、另一部分第四滤波电容160耦合于第四混频开关114与第二放大输入端IN2之间。

下面以第一无源混频器110为双平衡无源混频器为例，对集成电路100的具体电路结构进行说明，在一些可能实现的方式中，如图14所示，在第一混频开关111包括第一晶体管T1，第二混频开关112包括第二晶体管T2的情况下，第三混频开关113包括第三晶体管T3，第四混频开关114包括第四晶体管T4。第三晶体管T3的栅极耦合至第二本振信号输入端LO _n、第一极耦合至第二差分输入节点A2、第二极耦合至第一放大输入端IN1；第四晶体管T4的栅极耦合至第一本振信号输入端LO _p、第一极耦合至第二差分输入节点A2、第二极耦合至第二放大输入端IN2。

基于上述电路结构，下面以第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、以及第四晶体管T4均为N型晶体管，来举例介绍第一无源混频器110、第一滤波电容120、第二滤波电容130、第三滤波电容150、以及第四滤波电容160的工作过程。其工作过程 可以包括第一阶段和第二阶段，具体为：

在第一阶段，参考图14，第一本振信号为高电平，第二本振信号为低电平，第一晶体管T1和第四晶体管T4导通，第二晶体管T2和第三晶体管T3截止。第一晶体管T1和与第一晶体管T1串联的第一滤波电容120通过第一差分输入节点A1接收第一射频信号，第一晶体管T1从第一本振信号输入端LO _p接收第一本振信号，利用第一晶体管T1对第一射频信号与第一本振信号进行混频得到第一模拟信号，利用第一滤波电容120对第一模拟信号进行高通滤波得到第一输出信号，并输出第一输出信号至第一放大输入端IN1。第四晶体管T4和与第四晶体管T4串联的第四滤波电容160通过第二差分输入节点A2接收第二射频信号，第四晶体管T4从第一本振信号输入端LO _p接收第一本振信号，利用第四晶体管T4对第二射频信号与第一本振信号进行混频得到第一模拟信号，利用第四滤波电容160对第一模拟信号进行高通滤波得到第二输出信号，并输出第二输出信号至第二放大输入端IN2。

在第二阶段，请继续参考图14，第一本振信号为低电平，第二本振信号为高电平，第一晶体管T1和第四晶体管T4截止，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。第二晶体管T2和与第二晶体管T2串联的第二滤波电容130通过第一差分输入节点A1接收第一射频信号，第二晶体管T2从第二本振信号输入端LO _n接收第二本振信号，利用第二晶体管T2对第一射频信号与第二本振信号进行混频得到第一模拟信号，利用第二滤波电容130对第一模拟信号进行高通滤波得到第二输出信号，并输出第二输出信号至第二放大输入端IN2。第三晶体管T3和与第三晶体管T3串联的第三滤波电容150通过第二差分输入节点A2接收第二射频信号，第三晶体管T3从第二本振信号输入端LO _n接收第二本振信号，利用第三晶体管T3对第二射频信号与第二本振信号进行混频得到第一模拟信号，利用第三滤波电容150对第一模拟信号进行高通滤波得到第一输出信号，并输出第一输出信号至第一放大输入端IN1。

此处需要说明的是，在上述工作过程中，也可以是第一阶段的第二本振信号为高电平、第一本振信号为低电平，第二阶段的第一本振信号为高电平、第二本振信号为低电平，本申请实施例对此不作限定。此外，对于上述第一晶体管T1～第四晶体管T4，其第一极为源极，第二极为漏极；或者，第一极为漏极，第二极为源极。

在一些实施例中，为了使集成电路100输出特定频段的信号，如图18所示，集成电路100还可以包括第五滤波电容170和第六滤波电容180。第一放大器140还包括第一放大输出端OUT1和第二放大输出端OUT2。第五滤波电容170通过反馈放大方式耦合于第一放大输入端IN1与第一放大输出端OUT1之间，第六滤波电容180通过反馈放大方式耦合于第二放大输入端IN2与第二放大输出端OUT2之间，以分别利用第一滤波电容120和第二滤波电容130(也可以是第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容、以及第四滤波电容)与第五滤波电容170和第六滤波电容180实现带通滤波效果。

以输入集成电路100的射频信号的通带为100kHz以上为例，利用第一滤波电容120和第二滤波电容130(也可以是第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容、以及第四滤波电容)可以使100kHz以上的信号通过，之后再利用第五滤波电容170和第六滤波电容180，使100MHz以下的信号通过，即，最终使100kHz～100MHz之间的信号从集成电 路100输出。

在一些可能实现的方式中，本申请实施例不对第五滤波电容170和第六滤波电容180的个数进行限定，上述第五滤波电容170和第六滤波电容180的个数可以为一个，也可以为多个。在第五滤波电容170的个数为多个的情况下，多个第五滤波电容170可以通过反馈放大方式串联在第一放大输入端IIN1与第一放大输出端OUT1之间；在第六滤波电容180的个数为多个的情况下，多个第六滤波电容180可以通过反馈放大方式串联在第一放大输入端IN1与第一放大输出端OUT1之间。本申请中，可以利用一个电容值较小的第五滤波电容170，代替多个电容值较大的第五滤波电容170，利用一个电容值较小的第六滤波电容180，代替多个电容值较大的第六滤波电容180，因此，可选的，第五滤波电容170和第六滤波电容180的个数可以均为一个，以节省集成电路100的版图面积。

在一些可能实现的方式中，不对第五滤波电容170和第六滤波电容180的类型进行限定，第五滤波电容170和第六滤波电容180可以是任意类型的电容，例如，第五滤波电容170和第六滤波电容180可以是MOS管电容、MOM电容、MIM电容等。

在一些实施例中，如图19所示，为了提高射频信号的利用率，在一些应用场景中，集成电路100还可以包括第二无源混频器190、第二放大器200、第七滤波电容210和第八滤波电容220。输入节点A还用于将射频信号输入至第五支路和第六支路，第五支路和第六支路耦合于输入节点A与第二放大器200之间。在第二无源混频器190为单平衡无源混频器的情况下，第二无源混频器190包括第五混频开关115和第六混频开关116，第五支路包括串联的第七滤波电容210和第五混频开关115，第七滤波电容210耦合于输入节点A与第五混频开关115之间。第六支路包括串联的第八滤波电容220和第六混频开关116，第八滤波电容220耦合于输入节点A与第六混频开关116之间。第二无源混频器190将射频信号与本振信号进行混频，以向第二放大器200输入第二模拟信号，其中，第二模拟信号与第一模拟信号正交，也可以说，第一模拟信号与第二模拟信号的输出相位差为π/2。

当然，参考图20，第二无源混频器190也可以是双平衡无源混频器，此情况下，第五支路和第六支路与第一差分输入节点A1耦合，也可以说，第五支路和第六支路耦合于第一差分输入节点A1与第二放大器200之间，第一差分输入节点A1用于向第五支路和第六支路输入第一射频信号。第二差分输入节点A2还用于将第二射频信号输入至第七支路和第八支路，第七支路和第八支路耦合于第二差分输入节点A2与第二放大器200之间。

集成电路100还包括第九滤波电容230和第十滤波电容240，第二无源混频器190还包括第七混频开关117和第八混频开关118。第七支路包括串联的第九滤波电容230和第七混频开关117，第九滤波电容230耦合于第二差分输入节点A2与第七混频开关117之间；第八支路包括串联的第十滤波电容240和第八混频开关118，第十滤波电容240耦合于第二差分输入节点A2与第八混频开关118之间。

在一些可能实现的方式中，对于单平衡的第二无源混频器190和双平衡的无源混频器190，其可以通过本振信号输入端从本地振荡器101接收本振信号。如图21所示，本振信号输入端可以包括第一本振信号输入端LO _I，p、第二本振信号输入端LO _I，n、第三本振信号输入端LO _Q，p、以及第四本振信号输入端LO _Q，n。本地振荡器101包括第一本振 信号输出端V1和第二本振信号输出端V2。

请继续参考图21，本地振荡器101可以从第一本振信号输出端V1分时通过第一本振信号输入端LO _I，p向第一混频开关111(也可以是第一混频开关和第四混频开关)输入第一本振信号，通过第三本振信号输入端LO _Q，p向第五混频开关115(也可以是第五混频开关115和第八混频开关118)输入第三本振信号，第一本振信号和第三本振信号的相位差可以为π/2，以使第二模拟信号与第一模拟信号正交，也可以说，使输出的第二模拟信号与第一模拟信号的相位差为π/2。

请继续参考图21，本地振荡器101可以从第二本振信号输出端V2分时通过第二本振信号输入端LO _I，n向第二混频开关112(也可以是第二混频开关和第三混频开关)输入第二本振信号，通过第四本振信号输入端LO _Q，n向第六混频开关116(也可以是第六混频开关116和第七混频开关117)输入第四本振信号，第二本振信号和第四本振信号的相位差可以为π/2，第二模拟信号与第一模拟信号正交，也可以说，使输出的第二模拟信号与第一模拟信号的相位差为π/2。其中，第一本振信号与第二本振信号互为高低电平，第三本振信号与第四本振信号互为高低电平，第一本振信号与第三本振信号同为高电平或低电平，第二本振信号与第四本振信号同为低电平或高电平。

在一些可能实现的方式中，第五混频开关115和第六混频开关116(也可以是第五混频开关115、第六混频开关116、第七混频开关117、以及第八混频开关118)可以包括至少一个开关管，该开关管可以是晶体管。如图19所示，第二无源混频器190中的晶体管可以均为P型晶体管；或者，如图20所示，第二无源混频器190中多个第二混频开关112的晶体管也可以均为N型晶体管；或者，第二无源混频器190中的多个晶体管可以既包括N型晶体管，也包括P型晶体管。

此外，对于第七滤波电容210、第八滤波电容220、第九滤波电容230、以及第十滤波电容240的数量和类型的说明，可以参考前述实施例第一滤波电容120、第二滤波电容130、第三滤波电容150、以及第四滤波电容160的说明，在此不再赘述。

此外，在一些可能实现的方式中，第七滤波电容210可以耦合于第五混频开关115与第一放大输入端IN1之间，第八滤波电容220可以耦合于第六混频开关116与第二放大输入端IN2之间，第九滤波电容230可以耦合于第七混频开关117与第一放大输入端IN1之间，第十滤波电容240可以耦合于第八混频开关118与第二放大输入端IN2之间。或者，在另一些可能实现的方式中，第七滤波电容210、第八滤波电容220、第九滤波电容230、以及第十滤波电容240的个数为多个，部分第七滤波电容210耦合于输入节点A与第五混频开关115之间、另一部分第七滤波电容210耦合于第五混频开关115与第一放大输入端IN1之间，部分第八滤波电容220耦合于输入节点A与第六混频开关116之间、另一部分第八滤波电容220耦合于第六混频开关116与第二放大输入端IN2之间，部分第九滤波电容230耦合于输入节点A与第七混频开关117之间、另一部分第九滤波电容230耦合于第七混频开关117与第一放大输入端IN1之间，部分第十滤波电容240耦合于输入节点A与第八混频开关118之间、另一部分第十滤波电容240耦合于第八混频开关118与第二放大输入端IN2之间。

下面以第二无源混频器190为单平衡无源混频器为例，对集成电路100的具体电路 结构进行说明，在一些可能实现的方式中，如图19所示，第五混频开关115包括第五晶体管T5，第六混频开关116包括第六晶体管T6。第五晶体管T5的栅极耦合至第三本振信号输入端LO _Q，p、第一极耦合至输入节点A、第二极耦合至第二放大器200的第三放大输入端IN3；第六晶体管T6的栅极耦合至第四本振信号输入端LO _Q，n、第一极耦合至输入节点A、第二极耦合至第二放大器200的第四放大输入端IN4。

基于上述电路结构，下面以第五晶体管T5和第六晶体管T6均为N型晶体管，来举例介绍第二无源混频器190的工作过程。其工作过程可以包括第三阶段和第四阶段，具体为：

在第三阶段，参考图19，第三本振信号为高电平，第四本振信号为低电平，第五晶体管T5导通，第六晶体管T6截止。第五晶体管T5和与第五晶体管T5串联的第七滤波电容210通过输入节点A接收射频信号，第五晶体管T5从第三本振信号输入端LO _Q，p接收第三本振信号，利用第五晶体管T5对射频信号与第三本振信号进行混频得到第二模拟信号，利用第七滤波电容210对第二模拟信号进行高通滤波得到第三输出信号，并输出第三输出信号至第三放大输入端IN3。

在第四阶段，请继续参考图19，第三本振信号为低电平，第四本振信号为高电平，第五晶体管T5截止，第六晶体管T6导通。第六晶体管T6和与第六晶体管T6串联的第八滤波电容220通过输入节点A接收射频信号，第六晶体管T6从第四本振信号输入端LO _Q，n接收第四本振信号，利用第六晶体管T6对射频信号与第四本振信号进行混频得到第二模拟信号，并利用第八滤波电容220对第二模拟信号进行高通滤波得到第四输出信号，并输出第四输出信号至第四放大输入端IN4。第三输出信号与第四输出信号构成一组差分输出信号，第三输出信号为正时，第四输出信号为负；或者，第三输出信号为负时，第四输出信号为正。

在另一些可能实现的方式中，以第二无源混频器190为双平衡无源混频器为例，对集成电路100的具体电路结构进行说明，如图20所示，在第五混频开关115包括第五晶体管T5，第六混频开关116包括第六晶体管T6的情况下，第七混频开关117包括第七晶体管T7，第八混频开关118包括第八晶体管T8。第七晶体管T7的栅极耦合至第四本振信号输入端LO _Q，n、第一极耦合至第二差分输入节点A2、第二极耦合至第三放大输入端IN3；第八晶体管T8的栅极耦合至第三本振信号输入端LO _Q，p、第一极耦合至第二差分输入节点A2、第二极耦合至第四放大输入端IN4。

基于上述电路结构，下面以第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、以及第八晶体管T8均为N型晶体管，来举例介绍第二无源混频器190的工作过程。其工作过程可以包括第三阶段和第四阶段，具体为：

在第三阶段，参考图20，第三本振信号为高电平，第四本振信号为低电平，第五晶体管T5和第八晶体管T8导通，第六晶体管T6和第七晶体管T7截止。第五晶体管T5和与第五晶体管T5串联的第七滤波电容210通过第一差分输入节点A1接收第一射频信号，第五晶体管T5从第三本振信号输入端LO _Q，p接收第三本振信号，利用第五晶体管T5对第一射频信号与第三本振信号进行混频得到第二模拟信号，利用第七滤波电容210对第二模拟信号进行高通滤波得到第三输出信号，并输出第三输出信号至第三放大输入 端IN3。第八晶体管T8和与第八晶体管T8串联的第十滤波电容240通过第二差分输入节点A2接收第二射频信号，第八晶体管T8从第三本振信号输入端LO _Q，p接收第三本振信号，利用第八晶体管T8对第二射频信号与第三本振信号进行混频得到第二模拟信号，利用第十滤波电容240对第二模拟信号进行高通滤波得到第四输出信号，并输出第四输出信号至第四放大输入端IN4。

在第四阶段，请继续参考图20，第三本振信号为低电平，第四本振信号为高电平，第五晶体管T5和第八晶体管T8截止，第六晶体管T6和第七晶体管T7导通。第六晶体管T6和与第六晶体管T6串联的第八滤波电容220通过第一差分输入节点A1接收第一射频信号，第六晶体管T6从第四本振信号输入端LO _Q，n接收第四本振信号，利用第六晶体管T6对第一射频信号与第四本振信号进行混频得到第二模拟信号，利用第八滤波电容220对第二模拟信号进行高通滤波得到第四输出信号，并输出第四输出信号至第四放大输入端IN4。第七晶体管T7和与第七晶体管T7串联的第九滤波电容230通过第二差分输入节点A2接收第二射频信号，第七晶体管T7从第四本振信号输入端LO _Q，n接收第四本振信号，利用第七晶体管T7对第二射频信号与第四本振信号进行混频得到第二模拟信号，并利用第九滤波电容230对第二模拟信号进行高通滤波得到第四输出信号，并输出第四输出信号至第三放大输入端IN3。

上述示例仅详细描述了集成电路100在第三阶段和第四阶段的工作过程，可以理解的是，在集成电路100包括第一无源混频器110和第二无源混频器190的情况下，其完整的工作过程应包括第一阶段、第二阶段、第三阶段、以及第四阶段。以一个第一阶段、一个第二阶段、一个第三阶段和一个第四阶段作为一个完整的周期为例，由于第一本振信号与第三本振信号正交、第二本振信号与第四本振信号正交，因此，第一阶段与第三阶段在时间上相差1/4个周期，第二阶段与第四阶段在时间上相差1/4个周期。例如，集成电路100可以以第一阶段、第三阶段、第二阶段、第四阶段的顺序工作。

此外，在上述工作过程中，也可以是第三阶段的第四本振信号为高电平、第三本振信号为低电平，第四阶段的第三本振信号为高电平、第四本振信号为低电平，本申请实施例对此不作限定。此外，对于上述第五晶体管T5～第八晶体管T8，其第一极为源极，第二极为漏极；或者，第一极为漏极，第二极为源极。

在一些实施例中，对于前述的第一放大器140和第二放大器200，在一些可能实现的方式中，若第一无源混频器110和第二无源混频器190为电流型无源混频器，则如图19和图20所示，第一放大器140和第二放大器200可以是跨阻放大器(transimpedance amplifier，简称TIA)等基于运算放大器的反馈放大器；如图22所示，第一放大器140和第二放大器200也可以利用晶体管共栅放大器结构等非运算放大器作为跨阻级实现第一放大器140和第二放大器200的放大功能。若第一无源混频器110和第二无源混频器190为电压型无源混频器，则第一放大器140和第二放大器200可以是运算放大器；如图23所示，第一放大器140和第二放大器200也可以利用晶体管共栅放大器结构等非运算放大器实现第一放大器140功能。

图19和图20示出了第一放大器140和第二放大器200为跨阻放大器，以第一放大器140为例，跨阻放大器可以包括运算放大器141、第一反馈电阻142、以及第二反馈电 阻143，第一反馈电阻142通过反馈放大方式耦合于第一放大输入端IN1与第一放大输出端OUT1之间，第二反馈电阻143通过反馈放大方式耦合于第二放大输入端IN2与第二放大输出端OUT2之间。利用跨阻放大器，可以将电流形式的第一输出信号和第二输出信号转换为电压形式并输出。

图22和图23示出了以非运算放大器结构实现第一放大器140。在一些可能实现的方式中，如图22所示，以第一无源混频器110为电流型无源混频器为例，第一放大器140可以包括工作电压端VDD、接地端VSS、第九晶体管T9、以及第十晶体管T10，第九晶体管T9和第十四晶体管T14的第一极与工作电压端VDD耦合、第二极与接地端VSS耦合，可以通过第九晶体管T9和第十晶体管T10的源极作为放大器输入进行放大。在一些可能实现的方式中，如图23所示，以第一无源混频器110为电压型无源混频器为例，第一放大器140可以包括工作电压端VDD、接地端VSS、第九晶体管T9、第十晶体管T10、以及偏置电阻R，第九晶体管T9和第十晶体管T10的栅极与第一无源混频器110的输出耦合、第一极与工作电压端VDD耦合、第二极与接地端VSS耦合，可以通过第九晶体管T9和第十晶体管T10的栅极作为放大器输入进行放大。

在一些实施例中，如图24所示，集成电路100还可以包括无源过滤电路300；第一混频开关111和第二混频开关112(也可以是第一混频开关、第二混频开关、第三混频开关、以及第四混频开关，或者，第一混频开关、第二混频开关、第三混频开关、第四混频开关、第五混频开关、第六混频开关、第七混频开关、以及第八混频开关)均包括串联的两个晶体管，无源过滤电路300耦合于串联的所述两个晶体管之间。在集成电路100应用于无线接收机10时，可以利用无源过滤电路300，使本申请的第一无源混频器110(也可以是第一无源混频器和第二无源混频器)构成窄道滤波混频器，滤除信号从无线发射机发送到无线接收机10过程中的泄漏信号。

具体的，如图24所示，以双平衡的第一无源混频器110为例，无源过滤电路300包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1和第二电容C2。第一电阻R1和第二电阻R2串联于第一混频开关111的两个晶体管之间，第三电阻R3和第四电阻R4串联于第四混频开关114的两个晶体管之间，第五电阻R5和第六电阻R6串联于第二混频开关112的两个晶体管之间，第七电阻R7和第八电阻R8串联于第三混频开关113的两个晶体管之间。其中，第一电阻R1的第二端和第二电阻R2的第一端耦合于节点a+，第三电阻R3和第四电阻R4耦合于节点a-，第五电阻R5的第二端和第六电阻R6的第一端耦合于节点b+，第七电阻R7和第八电阻R8耦合于节点b-；第一电容C1耦合于节点a+与节点a-之间，第二电容C2，耦合于节点b+与节点b-之间。在集成电路100应用于无线接收机10时，输入至集成电路100的信号穿过由电阻器-电容器(上述第一电阻～第八电阻、第一电容和第二电容)形成的嵌入式无源滤波区段，以通过低通滤波来减少接收的信号泄漏。

上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出 很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (16)

1. 一种集成电路，其特征在于，包括输入节点、第一无源混频器、第一放大器、第一滤波电容和第二滤波电容；

   所述输入节点用于接收射频信号，并将所述射频信号输入至第一支路和第二支路，所述第一支路和所述第二支路耦合于所述输入节点与所述第一放大器之间；

   所述第一无源混频器包括第一混频开关和第二混频开关，所述第一支路包括串联的所述第一滤波电容和所述第一混频开关，所述第一滤波电容耦合于所述输入节点与所述第一混频开关之间；所述第二支路包括串联的所述第二滤波电容和所述第二混频开关，所述第二滤波电容耦合于所述输入节点与所述第二混频开关之间；

   所述第一无源混频器将所述射频信号与本振信号进行混频，以向所述第一放大器输入第一模拟信号。
2. 根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一混频开关包括第一晶体管，所述第二混频开关包括第二晶体管；所述集成电路还包括第一本振信号输入端和第二本振信号输入端；

   所述第一晶体管的栅极耦合至所述第一本振信号输入端、第一极耦合至所述输入节点、第二极耦合至所述第一放大器的第一放大输入端；

   所述第二晶体管的栅极耦合至所述第二本振信号输入端、第一极耦合至所述输入节点、第二极耦合至所述第一放大器的第二放大输入端；

   其中，所述第一晶体管从所述第一本振信号输入端接收第一本振信号，所述第二晶体管从所述第二本振信号输入端接收所述第二本振信号，所述第一本振信号与所述第二本振信号互为高低电平。
3. 根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一无源混频器还包括第三混频开关和第四混频开关，所述集成电路还包括第三滤波电容和第四滤波电容；

   所述输入节点包括第一差分输入节点和第二差分输入节点，所述第一支路和所述第二支路与所述第一差分输入节点耦合；所述第二差分输入节点用于将所述射频信号输入至第三支路和第四支路，所述第三支路和所述第四支路耦合于所述第二差分输入节点与所述第一放大器之间；

   所述第三支路包括串联的所述第三滤波电容和所述第三混频开关，所述第三滤波电容耦合于所述第二差分输入节点与所述第三混频开关之间；所述第四支路包括串联的所述第四滤波电容和所述第四混频开关，所述第四滤波电容耦合于所述第二差分输入节点 与所述第四混频开关之间。
4. 根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述第三混频开关包括第三晶体管，所述第四混频开关包括第四晶体管；

   所述第三晶体管的栅极耦合至所述第二本振信号输入端、第一极耦合至所述第二差分输入节点、第二极耦合至所述第一放大输入端；

   所述第四晶体管的栅极耦合至所述第一本振信号输入端、第一极耦合至所述第二差分输入节点、第二极耦合至所述第二放大输入端。
5. 根据权利要求2-4任一项所述的集成电路，其特征在于，所述第一放大器的共模输入电压用于提供所述第一无源混频器中晶体管的直流偏置。
6. 根据权利要求1-4任一项所述的集成电路，其特征在于，所述输入节点与低噪声放大器耦合，用于接收所述低噪声放大器输出的射频信号。
7. 根据权利要求2-4任一项所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括第五滤波电容和第六滤波电容；所述第一放大器还包括第一放大输出端和第二放大输出端；所述第五滤波电容通过反馈放大方式耦合于所述第一放大输入端与所述第一放大输出端之间，所述第六滤波电容通过反馈放大方式耦合于所述第二放大输入端与所述第二放大输出端之间。
8. 根据权利要求1-7任一项所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括第二无源混频器、第二放大器、第七滤波电容和第八滤波电容；

   所述输入节点还用于将所述射频信号输入至第五支路和第六支路，所述第五支路和所述第六支路耦合于所述输入节点与所述第二放大器之间；

   所述第二无源混频器包括第五混频开关和第六混频开关，所述第五支路包括串联的所述第七滤波电容和所述第五混频开关，所述第七滤波电容耦合于所述输入节点与所述第五混频开关之间；所述第六支路包括串联的所述第八滤波电容和所述第六混频开关，所述第八滤波电容耦合于所述输入节点与所述第六混频开关之间；

   所述第二无源混频器将所述射频信号与本振信号进行混频，以向所述第二放大器输入第二模拟信号；

   其中，所述第二模拟信号与所述第一模拟信号正交。
9. 根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述第五混频开关包括第五晶体管，所述第六混频开关包括第六晶体管；

   所述第五晶体管的栅极耦合至所述第三本振信号输入端、第一极耦合至所述输入节点、第二极耦合至所述第二放大器的第三放大输入端；

   所述第六晶体管的栅极耦合至所述第四本振信号输入端、第一极耦合至所述输入节点、第二极耦合至所述第二放大器的第四放大输入端；

   其中，所述第五晶体管从所述第三本振信号输入端接收第三本振信号，所述第六晶体管从所述第四本振信号输入端接收所述第四本振信号，所述第三本振信号与所述第四本振信号互为高低电平。
10. 根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述第二无源混频器还包括第七混频开关和第八混频开关，所述集成电路还包括第九滤波电容和第十滤波电容；

    在所述输入节点包括第一差分输入节点和第二差分输入节点的情况下，所述第五支路和所述第六支路与第一差分输入节点耦合；所述第二差分输入节点还用于将所述射频信号输入至第七支路和第八支路，所述第七支路和所述第八支路耦合于所述第二差分输入节点与所述第二放大器之间；

    所述第七支路包括串联的所述第九滤波电容和所述第七混频开关，所述第九滤波电容耦合于所述第二差分输入节点与所述第七混频开关之间；所述第八支路包括串联的所述第十滤波电容和所述第八混频开关，所述第十滤波电容耦合于所述第二差分输入节点与所述第八混频开关之间。
11. 根据权利要求10所述的集成电路，其特征在于，所述第七混频开关包括第七晶体管，所述第八混频开关包括第八晶体管；

    所述第七晶体管的栅极耦合至所述第四本振信号输入端、第一极耦合至所述第二差分输入节点、第二极耦合至所述第三放大输入端；

    所述第八晶体管的栅极耦合至所述第三本振信号输入端、第一极耦合至所述第二差分输入节点、第二极耦合至所述第四放大输入端。
12. 根据权利要求1-11任一项所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路还包括无源过滤电路；

    所述第一混频开关和所述第二混频开关均包括串联的两个晶体管，所述无源过滤电路耦合于所述两个晶体管之间。
13. 根据权利要求1-12任一项所述的集成电路，其特征在于，所述第一滤波电容和所述第二滤波电容包括MOM电容或MIM电容。
14. 根据权利要求8-13任一项所述的集成电路，其特征在于，所述第一无源混频器和所述第二无源混频器为电流型无源混频器或电压型无源混频器。
15. 一种无线接收机，其特征在于，包括权利要求1-14任一项所述的集成电路；

    所述集成电路中第一无源混频器的第一混频开关和第二混频开关用于对射频信号和本振信号进行下混频。
16. 一种终端，其特征在于，包括天线和权利要求15所述的无线接收机，所述天线用于提供低噪声放大器需要的信号。