CN101436869B - 等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机，其中等效射频带陷滤波电路包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗，以吸收所述需抑制信号。本实施例提供的等效射频带陷滤波、射频芯片及接收机，能够有效滤除干扰信号，降低无线终端设备和无线基站设备的成本，使得无线终端设备和无线基站设备满足小型化、单芯片化以及低功耗化等要求。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种等效射频带陷滤波电路、射频芯片及接收机。
背景技术
在无线通信系统和终端设备中，接收机往往承受来自外界的和内部的发射信号泄漏(Leakage)等多种干扰，这些干扰的存在对双工器或接收滤波器有以下影响：
首先，频分双工(Frequency Duplexer Division，简称FDD)系统中，带外干扰和发射信号的泄漏会对双工器或接收滤波器的带外抑制度提出高的要求，而提高带外抑制度等指标往往以降低带内插损、增大部件体积和成本为代价；在双工器或接收滤波器带外抑制度不够高的情况下，这些强干扰会影响接收机的线性度。举例来说，零中频(Zero Intermediate Frequency，简称ZIF)或甚低中频(Very LIF，简称VLIF)架构的FDD移动终端系统中，发射信号经过双工器的有限隔离会泄漏到接收机中，该强的发射泄漏信号大大提高了对接收机IP2/IP3的要求，以致很多情况下接收机需要增加LNA和Mixer间的声表面波滤波器(surface acoustic wave，简称SAW)来滤除发射泄漏，以降低后级Mixer电路线性度的要求。
现有技术一提出了在双工器中采用相反相位发射信号与发射泄漏相抵消的方法来改善双工器对发射泄漏的抑制。图1为现有技术双工器结构示意图，如图1所示，该方案直接在双工器中实现耦合发射信号，通过一定的衰减和相移再将发射信号耦合到接收端口，使得耦合通路发射信号和主通路发射泄漏信号幅度相等、相位相反，由此来抵消TX泄漏信号，改善双工器对TX的抑制度。
现有技术一需要在双工器中增加两个耦合器、一个移相器甚至一个衰减器，外加双工器本身，这些器件很难采用相同工艺制作，集成度低，成本高；而且该方案对接收滤波器在发射频段的相位平坦性、幅度平坦性有较严格的要求，进一步造成实际应用范围有限。另外该方案只能改善发射泄漏的抑制度，对带外其他干扰、接近信号频率成分的干扰则没有效果。
现有技术二提出了接收机通过片内带阻滤波器(Notch filter)或带通滤波器(band-pass filter)来滤除带外干扰或部分发射泄漏。图2为现有技术“Notch filter”结构示意图，如图2所示，该方案在低噪声放大器(Low NoiseAmplifier，简称LNA)的cascode级或者LNA后面引入射频Notch filter。该方案对于收发间隔较窄的频段，如WCDMA BAND II等，Notch filter对发射的衰减有限，一般不会超过5dB，抑制度非常有限。对于距离接收信号频率更近的带外干扰，Notch filter基本无效。该Notch filter需要引入提高Q值的有源电路部分，而有源电路会增加接收机噪声。
现有技术三提出了接收机通过TX cancellation反馈电路将干扰信号或发射泄漏信号抵消。图3为现有技术“TX leakage cancellation”结构示意图，如图3所示，该方案在接收射频芯片(IC)里的某一个射频节点，比如节点D，采用合适的本振(Local Oscillator，简称LO)，由MIXI1和MIXQ1下变频接收频段RX信号+干扰或发射泄漏信号，低通滤波器(Low Pass Filter，简称LPF)选择变频后的干扰或发射泄漏信号，滤除RX信号，经LPF滤波后的干扰或发射信号再由MIXI2和MIXQ2上变频，通过负反馈送给同一个射频节点或其前面部件的输入，图3所示具体为送给SUM2，实现干扰抵消或发射泄漏信号的抵消。
但是该方案需要两次混频，电路复杂，LO的驱动负载也比较重；而且TX cancellation电路环路增益不能太高，否则大信号容易饱和，抵消效果有限；此外cancellation电路本身的线性度和噪声对接收机也有较大的噪声影响。
发明内容
本发明实施例第一方面提供一种等效射频带陷滤波电路，用于在射频窄带滤波的实现中，提高对所需抑制频率信号的滤除能力。
本发明实施例提供了一种等效射频带陷滤波电路，用于吸收射频电路的主链路的需抑制信号，其特征在于，包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗。
本发明实施例还提供了一种射频芯片，包括：至少一个低噪声放大器和混频器组成的主链路，还包括：等效射频带陷滤波电路，所述等效射频带陷滤波电路包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与所述主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号，将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；
阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗。。
本发明实施例还提供了一种接收机，包括：射频芯片，和至少一个低噪声放大器和混频器组成的主链路，其特征在于，射频芯片还包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗。
本发明实施例提供的等效射频带陷滤波电路、射频芯片和接收机，通过在射频芯片主链路上连接混频电路，将主链路中需要抑制的信号(如干扰或发射信号泄漏)通过混频电路引入到阻抗选频电路，从而达到滤除射频芯片的干扰信号的目的，且与现有技术相比，本发明实施例的等效射频带陷滤波电路引入的噪声较小，成本较小。
附图说明
图1为现有技术双工器结构示意图；
图2为现有技术“Notch filter”结构示意图；
图3为现有技术“TX leakage cancellation”结构示意图；
图4为本发明实施例提供的等效射频带陷滤波电路结构示意图；
图5a为本发明实施例提供的差分无源混频电路结构示意图；
图5b为本发明实施例提供的单端无源混频电路结构示意图；
图6a为本发明实施例提供的第一种阻抗选频电路的结构示意图；
图6b为本发明实施例提供的第二种阻抗选频电路的结构示意图；
图6c为本发明实施例提供的第三种阻抗选频电路的结构示意图；
图6d为本发明实施例提供的第四种阻抗选频电路的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的射频芯片结构示意图；
图8为本发明实施例提供的“WCDMA BANDII”终端接收机抑制“TX”泄漏仿真图；
图9为本发明实施例提供的接收机结构示意图。
具体实施方式
如图4所示，为本发明实施例提供的等效射频带陷滤波电路结构示意图，本实施例的等效射频带陷滤波电路连接在射频电路如射频芯片的主链路上，包括：混频电路4、与混频电路4相连接的阻抗选频电路5以及与混频电路4相连接的本振(LO)电路6。其中混频电路4用于将主链路的需要抑制的信号，包括需要抑制的带内、带外干扰或发射泄漏，以及主接收信号频段信号等，根据本振电路6提供的本振频率信号将主链路的上述需抑制信号下变频，输出下变频信号至阻抗选频电路5；阻抗选频电路5用于给不同频率成分的下变频信号提供不同的阻抗，如低频成分低阻抗，高频成分高阻抗；阻抗选频电路5接收混频电路4变频后的各种频率信号，并根据干扰信号和主信号频率的不同，将干扰信号下变频映射到低阻抗区域，主信号下变频映射到高阻抗区域；LO电路6用于给混频电路4提供固定的或可变的本振频率信号及LO频率信号，其提供的LO频率可以为TXLO也可以为其它LO。通过改变LO电路6的本振频率和阻抗选频电路5的选频网络参数能够实现对不同频率的灵活抑制。
如图5a所示，为本发明实施例提供的差分无源混频电路结构示意图；本实施例的差分无源混频电路包括四个场效应(MOS)管，其中MOS管41的源极与MOS管42的源极相连接，其连接点为射频差分输入正端RFinp；MOS管43的源极与MOS管44的源极相连接，其连接点为射频差分输入负端RFinn；MOS管41的漏极与MOS管43的漏极相连接，其连接点为基带差分输出正端BBoutp；MOS管42的漏极与MOS管44的漏极相连接，其连接点为基带差分输出负端BBoutn；MOS管41和MOS管44的栅极为本振输入正端LOp；MOS管42和MOS43的栅极相连接，其连接点为本振输入负端LOn。其中射频差分输入正端RFinp和射频差分输入负端RFinn与主链路并联，并联在连接节点A。本振输入正端LOp和本振输入负端LOn则与LO电路6相连接，用于接收LO电路6提供的固定的或可变的LO频率信号。
如图5b所示，为本发明实施例提供的单端无源混频电路结构示意图；本实施例的单端无源混频电路包括一个场效应管45，该场效应管45的源极为射频输入。场效应管45的漏极为基带输出，用于与单端无源混频电路连接的阻抗选频电路为单端输入。场效应管45的栅极为本振频率输入端。
图6a为本发明实施例提供的第一种阻抗选频电路的结构示意图，如图6a所示，阻抗选频电路为并联电感到地(或差分电路中的虚拟地)的结构；图6b为本发明实施例提供的第二种阻抗选频电路的结构示意图，如图6b所示，阻抗选频电路为并联电容到地的结构；图6c为本发明实施例提供的第三种阻抗选频电路的结构示意图，如图6c所示，阻抗选频电路为并联低频谐振网络到地的结构；图6d为本发明实施例提供的第四种阻抗选频电路的结构示意图，如图6d所示，阻抗选频电路的vo_mix_p端和基带差分输出正端BBoutp相连接，阻抗选频电路的vo_mix_n端和基带差分输出负端BBoutn相连接，并且一个电阻与无源混频电路并联，与无源混频电路并联的电阻和阻抗选频电路的vo_mix_p端之间连接有一个电阻，与无源混频电路并联的电阻和阻抗选频电路的vo_mix_n端之间连接有一个电阻。图6a～图6d所示的阻抗选频电路为带内低通跨阻电路结构。此外还可以为其它能够完成阻抗的频率选择的功能的结构。无论采用上述哪种结构，在差分连接的情况下，阻抗选频电路与无源混频电路的基带输出端连接，具体地，双端连接时，阻抗选频电路的vo_mix_p端与无源混频电路的基带差分输出正端BBoutp相连接，阻抗选频电路的vo_mix_n端与无源混频电路的基带差分输出负端BBoutn相连接；在单端连接时，如与图5b单端无源混频电路连接的情况下，阻抗选频电路与无源混频电路的基带输出端单端连接即可。本发明实施例通过在射频芯片主链路上连接混频电路，将主链路中需要抑制的信号(如干扰或发射信号泄漏)通过混频电路引入到阻抗选频电路，从而达到滤除射频芯片的干扰信号的目的，且与现有技术相比，本发明实施例的等效射频带陷滤波电路引入的噪声较小，成本较小。
本实施例提供的等效射频带陷滤波电路可以连接在射频芯片的主链路上，还可以连接在射频链路的其他相对高阻的节点上，通过改变LO电路的本振频率和阻抗选频电路的选频网络参数能够实现对不同干扰的灵活抑制。
图7为本发明实施例提供的射频芯片结构示意图，本实施例的射频芯片以包括两个LNA为例，具体包括：第一级LNA1即放大器1、第二级LNA2即放大器2、和混频器3，其中放大器1与放大器2跨导级(Gm stage)相连接，放大器2与混频器(Mixer)3相连接，放大器1、放大器2和Mixer3组成射频通路的主链路，也即射频芯片的主链路。本实施例还包括等效射频带陷滤波电路，等效射频带陷滤波电路由混频电路4、与混频电路4相连接的阻抗选频电路5，以及与混频电路4相连接的LO电路6组成。其中LO电路6用于给混频电路4提供本振频率信号；混频电路4输入端并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将主链路的干扰信号，包括需要抑制的带内、带外干扰或发射泄漏，以及主接收信号频段信号等下变频至阻抗选频电路5；阻抗选频电路5用于给不同频率成分提供不同的阻抗，如低频成分低阻抗，高频成分高阻抗；阻抗选频电路5接收混频电路4变频后的各种频率信号，并根据干扰信号和主信号频率的不同分别将其下变频到低阻抗区域或高阻抗区域。混频电路4、阻抗选频电路5和LO电路6组成了射频芯片的等效射频带陷滤波电路。本实施例等效射频带陷滤波电路与主链路的连接节点A设在LNA1之后，具体位于LNA1与LNA2之间，事实上，该连接节点A还可以位于LNA2之后，即放大器2与Mixer3之间，或者还可以并联在混频器前的主链路高阻节点上等。
本实施例射频芯片中无源混频电路以及阻抗选频电路的结构功能可以参见上述等效射频带陷滤波电路实施例的描述。
本实施例根据实际情况的需要设置LO电路6的LO频率、选择混频电路4的MOS管尺寸以及选择阻抗选频电路5的选频网络参数，使得需要抑制的干扰频率处阻抗远小于信号频率处阻抗。需要抑制的干扰或发射泄漏经过LNA1后，遇到连接节点A，则不再沿着主链路继续传输，而是泄漏到混频电路4后下变频到阻抗选频电路5的低阻抗区域的辅助电路部分，而主接收信号频段信号经过主链路的LNA1后，遇到连接节点A，从连接节点A看辅助支路在主接收信号频率处的阻抗为高阻抗，主接收信号能量会继续向主链路后级传输。从引入辅助支路的连接节点A来看，需要抑制的干扰或发射泄漏为低阻抗到辅助支路，高阻抗到主链路；主信号则为高阻抗到主链路和辅助支路。信号频段阻抗与干扰或发射泄漏频段阻抗的比值即为本电路对干扰或发射泄漏抑制的能力，其推导如下：
设连接节点A处主链路如LNA1的源阻抗为Rs，主链路中LNA1的负载阻抗为Rm，辅助支路干扰或发射泄漏频段阻抗为Raux_n，辅助支路信号频段阻抗为Raux_s，则
干扰或发射泄漏频率处的总阻抗Rn_tot为：Rn_tot＝Rs//Rm//Raux_n；信号频率处的总阻抗Rs_tot为：Rs_tot＝Rs//Rm//Raux_s；
则抑制度Nsup(dB)为：Nsup(dB)＝20*log(Rs_tot/Rn_tot)；
设一合理的值，如Rs为500欧姆，Rm为800欧姆，Raux_s为800欧姆，Raux_n为80欧姆，则辅助支路对干扰或发射泄漏的抑制度为：
Nsup(dB)＝20*log[(500//800//800)/(500//800//80)]＝10.88dB。
如图8所示，为本发明实施例提供的“WCDMA BANDII”终端接收机抑制“TX”泄漏仿真图，本发明实施例以“WCDMA BANDII”终端接收机对“TX”泄漏的抑制为例进行仿真，仿真结果表明，本发明实施例的电路对TX泄漏的抑制优于10dB；而通过优化辅助支路阻抗特性可以使抑制度进一步增大。系统分析表明，当抑制度在10dB以上时，就可以去除WCDMABANDII终端设备LNA和Mixer间的SAW滤波器了，从而实现接收机的单片化，低成本化和小面积化。
此外，在没有干扰或干扰较小，不需要抑制干扰的时候，可以将该等效射频带陷滤波电路关闭，以减少器件不必要的功耗。
本发明实施例通过在射频IC中采用等效射频带陷滤波电路来滤除干扰，达到了去除传统FDD无线接收机中LNA和Mixer间的SAW滤波器的目的，降低了无线终端设备和无线基站设备的成本，实现了多模多频段的单芯片(Single chip)化要求，使得无线终端设备和无线基站设备能够满足小型化需求。其次，通过在无线通信接收机中采用等效射频带陷滤波电路来滤除干扰，使得接收机的线性度要求降低，从而使得通信设备得以实现小型化和低功耗化；而且由于低频处的选频特性比高频处的选频特性更容易做到窄带，与现有技术相比，本实施例的辅助混频电路有着更强的滤除靠近接收频段干扰的能力；且引入的噪声较小，仿真结果表明，当辅助支路连接在LNA之后时，对主链路的噪声贡献不到0.1dB；而且与现有技术三相比，本实施例的辅助支路在不影响，无需控制LPF的群延迟的情况下，对干扰和发射泄漏的抑制仍能在10dB以上。
如图9所示，为本发明实施例提供的接收机结构示意图，本实施例的接收机包括上述实施例的射频芯片，其等效射频带陷滤波电路部分能够有效滤除干扰，使得接收机的线性度要求降低，从而使得通信设备得以实现小型化和低功耗化。当然本实施例的接收机包括射频芯片，和至少一个低噪声放大器和混频器组成的主链路，和至少一个低噪声放大器和混频器组成的主链路。其中，射频芯片可以不包括低噪声放大器和混频器组成的主链路，本实施例中，只包括等效射频带陷滤波电路，例如射频芯片包括：本振电路，用于提供本振频率信号；混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗，以吸收所述需抑制信号。同样可以使得将接收机将主链路中需要抑制的信号(如干扰或发射信号泄漏)通过混频电路引入到阻抗选频电路，从而达到滤除射频芯片的干扰信号的目的，且与现有技术相比，本发明实施例的接收机引入的噪声较小，成本较小。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (20)
1.一种等效射频带陷滤波电路，用于吸收射频电路的主链路的需抑制信号，其特征在于，包括：
本振电路，用于提供本振频率信号；
混频电路，混频电路输入端用于与所述射频电路的所述主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；
阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗。
2.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述混频电路为差分无源混频电路，与所述差分无源混频电路连接的阻抗选频电路为差分输入，所述差分无源混频电路包括：四个场效应管，其中，
第一场效应管的源极与第二场效应管的源极相连接，连接点为射频差分输入正端；第三场效应管的源极与第四场效应管的源极相连接，连接点为射频差分输入负端；所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的漏极相连接，连接点为基带差分输出正端；所述第二场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极相连接，连接点为基带差分输出负端；所述第一场效应管和第四场效应管的栅极为本振电路输入正端；所述第二场效应管和第三场效应管的栅极为本振电路输入负端。
3.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述混频电路为单端无源混频电路，与所述单端无源混频电路连接的阻抗选频电路为单端输入，所述单端无源混频电路包括：一个场效应管，其源极为射频输入，漏极为基带输出，栅极为本振频率输入端。
4.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述混频电路并联在所述主链路的第一低噪声放大器与混频器之间，或并联在第一低噪声放大器与第二低噪声放大器之间，或并联在混频器前的主链路高阻节点上。
5.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述阻抗选频电路为并联电感到地的结构，采用差分无源混频电路时，所述电感两端接所述混频电路基带输出；采用单端无源混频电路时，所述电感一端接所述混频电路基带输出，另外一端接地。
6.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述阻抗选频电路为并联电容到地的结构，采用差分无源混频电路时，所述电容两端接所述混频电路基带输出即可；采用单端无源混频电路时，所述电容一端接所述混频电路基带输出，另外一端接地。
7.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述阻抗选频电路为并联低频谐振网络到地的结构，采用差分无源混频电路时，该谐振网络两端接所述混频电路基带输出即可；采用单端无源混频电路时，该谐振网络一端接所述混频电路基带输出，另外一端接地。
8.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述阻抗选频电路为带内低通跨阻电路，采用差分无源混频电路时，所述跨阻电路为差分电路，采用单端无源混频电路时，所述跨阻电路为单端电路。
9.根据权利要求1所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述阻抗选频电路并联在所述混频电路的基带输出端上。
10.根据权利要求2所述的等效射频带陷滤波电路，其特征在于，所述本振电路与所述本振电路输入正端和本振电路输入负端相连接。
11.一种射频芯片，包括：至少一个低噪声放大器和混频器组成的主链路，其特征在于，还包括：等效射频带陷滤波电路，所述等效射频带陷滤波电路包括：
本振电路，用于提供本振频率信号；
混频电路，混频电路输入端用于与所述主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号，将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；
阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗。
12.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述混频电路为差分无源混频电路，与所述差分无源混频电路连接的阻抗选频电路为差分输入，所述差分无源混频电路包括：四个场效应管，其中，
第一场效应管的源极与第二场效应管的源极相连接，连接点为射频差分输入正端；第三场效应管的源极与第四场效应管的源极相连接，连接点为射频差分输入负端；所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的漏极相连接，连接点为基带差分输出正端；所述第二场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极相连接，连接点为基带差分输出负端；所述第一场效应管和第四场效应管的栅极为本振电路输入正端；所述第二场效应管和第三场效应管的栅极为本振电路输入负端。
13.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述混频电路为单端无源混频电路，与所述单端无源混频电路连接的阻抗选频电路为单端输入，所述单端无源混频电路包括：一个场效应管，其源极为射频输入，漏极为基带输出。
14.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述混频电路并联在所述主链路的第一低噪声放大器与混频器之间，或并联在第二低噪声放大器与所述混频器之间，或并联在所述混频器前的主链路高阻节点上。
15.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述阻抗选频电路为并联电感到地的结构，采用差分无源混频电路时，所述电感两端接所述无源混频电路基带输出；采用单端无源混频电路时，所述电感一端接所述无源混频电路基带输出，另外一端接地。
16.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述阻抗选频电路为并联电容到地的结构，采用差分无源混频电路时，所述电容两端接所述无源混频电路基带输出即可；采用单端无源混频电路时，所述电容一端接所述 无源混频电路基带输出，另外一端接地。
17.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述阻抗选频电路为并联低频谐振网络到地的结构，采用差分无源混频电路时，该谐振网络两端接所述无源混频电路基带输出即可；采用单端无源混频电路时，该谐振网络一端接所述无源混频电路基带输出，另外一端接地。
18.根据权利要求11所述的射频芯片，其特征在于，所述阻抗选频电路为带内低通跨阻电路，并且采用差分无源混频电路时，所述跨阻电路为差分电路，采用单端无源混频电路时，所述跨阻电路为单端电路。
19.一种接收机，包括：射频芯片，和至少一个低噪声放大器和混频器组成的主链路，其特征在于，射频芯片还包括：
本振电路，用于提供本振频率信号；
混频电路，混频电路输入端用于与射频电路的主链路相连接，混频电路并联在所述主链路上，根据本振电路提供的本振频率信号将所述主链路的需抑制信号下变频，输出下变频信号；
阻抗选频电路，连接在所述混频电路的基带输出端上，对来自于混频电路中的不同频率的下变频信号提供不同的阻抗。
20.根据权利要求19所述的接收机，其特征在于，所述混频电路为差分无源混频电路，与所述差分无源混频电路连接的阻抗选频电路为差分输入，所述差分无源混频电路包括：四个场效应管，其中，
第一场效应管的源极与第二场效应管的源极相连接，连接点为射频差分输入正端；第三场效应管的源极与第四场效应管的源极相连接，连接点为射频差分输入负端；所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的漏极相连接，连接点为基带差分输出正端；所述第二场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极相连接，连接点为基带差分输出负端；所述第一场效应管和第四场效应管的栅极为本振电路输入正端；所述第二场效应管和第三场效应管的栅极为本振电路输入负端。
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