CN117500161A - 线路板结构及其制作方法 - Google Patents

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CN117500161A
CN117500161A CN202210879850.8A CN202210879850A CN117500161A CN 117500161 A CN117500161 A CN 117500161A CN 202210879850 A CN202210879850 A CN 202210879850A CN 117500161 A CN117500161 A CN 117500161A
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insulating layer
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林原宇
林海涛
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Hongqisheng Precision Electronics Qinhuangdao Co Ltd
Avary Holding Shenzhen Co Ltd
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Hongqisheng Precision Electronics Qinhuangdao Co Ltd
Avary Holding Shenzhen Co Ltd
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Abstract

本申请提出一种线路板结构的制作方法,包括步骤:提供线路基板,包括第一绝缘体和设于第一绝缘体相对两侧的第一外侧线路层和第二外侧线路层,以及电连接第一外侧线路层和第二外侧线路层的第一导通体;第一外侧线路层包括间隔设置的至少二第一连接垫;移除部分第一绝缘体,第一外侧线路层和部分第一导通体突出第一绝缘体的表面,二第一连接垫之间形成一容置空间;于第一连接垫设置第一焊球,获得第一封装基板;提供封装件,包括第二封装基板和设置于第二封装基板一侧的电子元件;第一焊球与第二封装基板接触,至少部分电子元件收容于容置空间;加热熔融第一焊球,第一封装基板电性连接第二封装基板。本申请还提供一种线路板结构。

Description

线路板结构及其制作方法
技术领域
本申请涉及线路板制造技术领域,具体涉及一种线路板结构及其制作方法。
背景技术
传统的POP(package on package,叠层封装)封装工艺是在第一封装基板的表面形成凸起的铜柱作为焊点与第二封装基板进行焊接。目前常用电镀的方法在第一封装基板表面形成铜柱,而由于电镀时电流密度不均匀,使得电镀出来的铜柱高度不均,易造成上件不良。并且,电镀出来的铜柱与第二封装基板上连接垫的结合力差,在后续加工过程中容易脱落,易造成信赖性问题。
发明内容
为解决背景技术中的问题,本申请提供一种线路板结构的制作方法。
另外,还有必要提供一种采用上述制作方法制作的线路板结构。
本申请提供一种线路板结构的制作方法,包括以下步骤:
提供线路基板,包括第一绝缘体和分别设置于所述第一绝缘体相对两侧的第一外侧线路层和第二外侧线路层,以及电性连接所述第一外侧线路层和第二外侧线路层的第一导通体;其中,所述第一外侧线路层包括间隔设置的至少二第一连接垫;
移除部分所述第一绝缘体,获得一中间体;所述第一外侧线路层和部分所述第一导通体突出所述第一绝缘体,所述二第一连接垫、部分所述第一导通体及所述第一绝缘体围设形成一容置空间;
于所述第一连接垫设置第一焊球,获得一第一封装基板;
提供一封装件,所述封装件包括第二封装基板和设置于所述第二封装基板一侧的电子元件;所述第一焊球与所述第二封装基板接触,至少部分所述电子元件收容于所述容置空间;
加热熔融所述第一焊球,所述第一封装基板电性连接所述第二封装基板,获得所述线路板结构。
进一步地,采用等离子工艺移除部分所述第一绝缘体。
进一步地,所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的二内侧线路层,所述第一绝缘体包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层之间,所述第二绝缘层设置于所述二内侧线路层之间,所述第三绝缘层设置于所述第二外侧线路层与另一所述内侧线路层之间;
步骤“移除部分所述第一绝缘体,获得一中间体”包括:
移除部分所述第一绝缘层,所述容置空间的深度小于所述第一绝缘层的厚度。
进一步地,所述第一导通体包括第一导通柱、第二导通柱和第三导通柱,所述第一导通柱连接所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层,所述第二导通柱连接两个所述内侧线路层,所述第三导通柱连接所述第二外侧线路层和另一所述内侧线路层;
所述第一外侧线路层和部分所述第一导通柱突出所述中间体的表面,两个所述第一连接垫、部分所述第一导通柱和所述第一绝缘层之间形成所述容置空间。
进一步地,步骤“于所述第一连接垫设置第一焊球”后,还包括:
于所述中间体背离所述容置空间的一侧设置第一保护层,所述第一保护层具有多个第一开口,部分所述第二外侧线路层由所述第一开口的底部露出。
进一步地,所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第三外侧线路层,所述第三外侧线路层包括多个第二连接垫和第三连接垫;所述电子元件设置于所述第三连接垫,所述第二连接垫上设置有第二焊球,所述第二焊球与所述第一焊球接触;
步骤“加热熔融所述第一焊球”包括:
将所述第一焊球和所述第二焊球进行回流焊接形成一导电连接件,所述导电连接件电性连接所述第一封装基板和所述第二封装基板。
进一步地,所述第二封装基板还包括设置于所述第二绝缘体一侧的第二保护层,所述第二保护层具有多个第二开口,所述第二连接垫和第三连接垫由所述第二开口的底部露出。
进一步地,所述第二封装基板还包括第四外侧线路层和第二导通体,所述第四外侧线路层设置于所述第二绝缘体背离所述第三外侧线路层的一侧,所述第二导通体电性连接所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层。
本申请还提供一种线路板结构,包括第一封装基板、封装件和导电连接件,所述第一封装基板包括第一绝缘体、第一外侧线路层、第二外侧线路层以及第一导通体,所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层分别设置于所述第一绝缘体相对两侧,所述第一导通体穿过所述第一绝缘体并电性连接所述第一外侧线路层和第二外侧线路层;所述第一外侧线路层和部分所述第一导通体突出所述第一绝缘体的表面,所述第一外侧线路层、部分所述第一导通体和所述第一绝缘体围设形成一容置空间;
所述封装件包括第二封装基板和电子元件,所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第三外侧线路层,所述电子元件连接于所述第三外侧线路层,且部分收容于所述容置空间;
所述导电连接件设置于所述第一封装基板和所述第二封装基板之间,且电性连接所述第一外侧线路层和所述第三外侧线路层。
进一步地,所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的二内侧线路层,所述第一绝缘体包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层之间,所述第二绝缘层设置于所述二内侧线路层之间,所述第三绝缘层设置于所述第二外侧线路层与另一所述内侧线路层之间;
所述第一导通体包括第一导通柱、第二导通柱和第三导通柱,所述第一导通柱连接所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层,所述第二导通柱连接两个所述内侧线路层,所述第三导通柱连接所述第二外侧线路层和另一所述内侧线路层;
所述第一外侧线路层包括间隔设置的至少二第一连接垫,两个所述第一连接垫、部分所述第一导通柱和所述第一绝缘层之间形成所述容置空间,所述容置空间的深度小于所述第一绝缘层的厚度。
相较于现有技术,本申请提供的线路板结构的制作方法通过移除部分所述第一绝缘体形成所述容置空间,且使得所述第一外侧线路层和部分所述第一导通体突出所述中间体的表面,突出的部分所述第一导通体和所述第一外侧线路层相当于传统工艺中的铜柱,但本申请中的制作方法不受电镀(如电流密度、孔径纵横比等)的限制,使得突出的部分结构高度均匀,所述第一导通体和所述第一连接垫的数量和间距密度更容易调控。并且所述第一连接垫与所述第一导通体之间的结合力强,不易脱落,具有良好的信赖性。
另外,由于所述容置空间具有一定深度能够收容所述电子元件,从而不必为保证所述第一封装基板和所述电子元件之间的高度而增加所述第一焊球的尺寸,进而能够采用小尺寸的第一焊球,以更利于高密度连接。
另外,本申请中采用突出的部分所述第一导通体和所述第一外侧线路层相当于传统工艺中的铜柱,与封装件进行对接时为点-面对接,精准性好,所述线路板结构的良率高。
附图说明
图1为本申请一实施例提供的线路基板的截面示意图。
图2为移除图1所示的部分第一绝缘体后的截面示意图。
图3为于图2所示的中间体一侧设置第一保护层后的截面示意图。
图4为于图3所示的第一连接垫设置第一焊球后的截面示意图
图5为于图4所示的第一封装基板上设置封装件后的截面示意图。
图6为本申请一实施例提供的线路板结构的截面示意图。
主要元件符号说明
线路板结构 300
线路基板 10
第一绝缘体 11
第一绝缘层 111
第二绝缘层 112
第三绝缘层 113
第一外侧线路层 12
第一连接垫 122
第一内侧线路层 13
第二外侧线路层 14
第四连接垫 142
第一导通体 15
第一导通柱 151
第二导通柱 152
第三导通柱 153
容置空间 R
中间体 20
第一保护层 30
第一开口 31
第一焊球 32
第一封装基板 100
封装件 200
第二封装基板 40
第二绝缘体 41
第三外侧线路层 42
第二连接垫 422
第三连接垫 424
第二内侧线路层 43
第四外侧线路层 44
第二导通体 45
第二保护层 46
第二开口 462
第三保护层 47
第二焊球 48
电子元件 50
导电连接件 60
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。
需要说明的是,当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存于居中元件。当一个元件被认为是“设置于”另一个元件,它可以是直接设置于另一个元件上或者可能同时存于居中元件。
请参见图1至图6,本申请实施例提供一种线路板结构的制作方法,包括步骤:
步骤S1:请参见图1,提供一线路基板10,所述线路基板10包括第一绝缘体11、第一外侧线路层12、至少一第一内侧线路层13、第二外侧线路层14和多个第一导通体15,所述第一外侧线路层12和所述第二外侧线路层14分别设于所述第一绝缘体11的相对两个表面,所述第一内侧线路层13设于所述第一绝缘体11内,所述多个第一导通体15电性连接所述第一外侧线路层12、至少一第一内侧线路层13和所述第二外侧线路层14。
其中,所述第一外侧线路层12包括间隔设置的至少二第一连接垫122,所述第二外侧线路层14包括多个第四连接垫142。
本实施例中,所述第一内侧线路层13的数量为两个。所述第一绝缘体11包括第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113,所述第一绝缘层111设于所述第一外侧线路层12与邻近的所述第一内侧线路层13之间,所述第二绝缘层112设于两个所述第一内侧线路层13之间,所述第三绝缘层113设于所述第三绝缘层113与邻近的另一所述第一内侧线路层13之间。所述第一导通体15包括设于所述第一绝缘层111内的第一导通柱151、设于所述第二绝缘层112内的第二导通柱152和设于所述第三绝缘层113内的第三导通柱153,所述第一导通柱151电性连接所述第一外侧线路层11与邻近的所述第一内侧线路层13,所述第二导通柱152电性连接两个所述第一内侧线路层13,所述第三导通柱153电性连接所述第三绝缘层113与邻近的另一所述第一内侧线路层13。其中,所述第一绝缘体11具有厚度方向A。
其中,所述第一绝缘体11的材质可以选自环氧树脂(epoxy resin)、聚丙烯(polypropylene,PP)、双马来酰亚胺-三嗪(BT)树脂、聚苯醚(Polyphenylene Oxide,PPO)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate,PET)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate,PEN)等树脂中的一种。具体可以为半固化片(prepreg)、FR-4或ABF膜(Ajinomoto build-up film)等。
步骤S2:请参见图2,移除部分所述第一绝缘层111,获得一中间体20。
具体地,由所述线路基板10设有所述第一外侧线路层12的一侧,采用plasma等离子除胶(又称电浆)工艺,按照预定深度,沿着所述第一绝缘体11的厚度方向A,移除部分所述第一绝缘层111,所述第一外侧线路层12和所述第一导通柱151突出于所述中间体20的表面,两个所述第一连接垫122、部分所述第一导通柱151和所述第一绝缘层111之间围设形成一容置空间R。
其中,所述容置空间R具有一深度H,所述深度H小于所述第一绝缘层111的厚度。
步骤S3:请参见图3,于所述中间体20背离所述容置空间R的一侧设置第一保护层30。
其中,所述第一保护层30具有多个第一开口31,所述第四连接垫142由所述第一开口31的底部露出。
在本实施例中,所述第四连接垫142可用于电性连接外部配置单元,如电子元件,其他线路板、封装基板或类似物。
步骤S4:请参见图4,于所述第一连接垫122设置第一焊球32,获得第一封装基板100。
步骤S5:请参见图5,提供一封装件200,并对接所述封装件200与所述第一封装基板100。
其中,所述封装件200包括一第二封装基板40和设置于所述第二封装基板40一侧的电子元件50,连接所述第一封装基板100与所述封装件200,部分所述电子元件50收容于所述容置空间R。
在本实施例中,所述第二封装基板40包括第二绝缘体41、第三外侧线路层42、两个第二内侧线路层43、第四外侧线路层44和多个第二导通体45,所述第三外侧线路层42和第四外侧线路层44分别设于所述第二绝缘体41的相对两个表面,所述两个第二内侧线路层43间隔设置于所述第二绝缘体41内,所述多个第二导通体45电性导通所述第三外侧线路层42、两个第二内侧线路层43和第四外侧线路层44。其中,所述第三外侧线路层42包括至少二第二连接垫422和多个第三连接垫424,所述第二连接垫422与所述第一连接垫122对应设置。
所述第二封装基板40相对两侧还分别设有第二保护层46和第三保护层47,所述第二保护层具有多个第二开口462,所述至少二第二连接垫422和多个第三连接垫424由所述第二开口462的底部露出。所述电子元件50设置于所述第三连接垫424。所述第二连接垫422上设置有第二焊球48,所述第二焊球48与所述第一焊球32接触。
步骤S6:请参见图6,对所述第二焊球48与所述第一焊球32进行回流焊形成导电连接件60,所述第一封装基板100与所述第二封装基板40电性连接,获得所述线路板结构300。
相较于现有技术,本申请提供的线路板结构的制作方法通过移除部分所述第一绝缘体11形成所述容置空间R,且使得所述第一外侧线路层12和部分所述第一导通体15突出所述中间体20的表面,突出的部分所述第一导通体15和所述第一外侧线路层12相当于传统工艺中的铜柱,但本申请中的制作方法不受电镀工艺(如电流密度、孔径纵横比等)的限制,使得突出的部分结构高度均匀,所述第一导通体15和所述第一连接垫122的数量和间距密度更容易调控。并且所述第一连接垫122与所述第一导通体15之间的结合力强,不易脱落,具有良好的信赖性。
另外,由于所述容置空间R具有一定深度能够收容所述电子元件50,从而不必为保证所述第一封装基板100和所述电子元件50之间的高度而增加所述第一焊球32的尺寸,进而能够采用小尺寸的第一焊球32,以更利于高密度连接。
另外,本申请中采用突出的部分所述第一导通体15和所述第一外侧线路层12相当于传统工艺中的铜柱,与封装件200进行对接时精准度高,所述线路板结构300的良率高。
另外,本申请中可通过所述第二焊球48与所述第一焊球32直接回流焊接,无需镀铜柱的复杂生产流程,操作简单,生产成本低。
请参阅图6,本申请一实施例还提供一种采用上述制作方法制作得到的线路板结构300,所述线路板结构300包括叠设的第一封装基板100和封装件200,以及设置于所述第一封装基板100和封装件200之间的导电连接件60。
所述第一封装基板100包括第一绝缘体11、第一外侧线路层12、至少一第一内侧线路层13、第二外侧线路层14和多个第一导通体15、第一保护层30和第一焊球32。所述第一外侧线路层12和所述第二外侧线路层14分别设于所述第一绝缘体11的相对两个表面,所述第一内侧线路层13设于所述第一绝缘体11内,所述多个第一导通体15电性连接所述第一外侧线路层12、至少一第一内侧线路层13和所述第二外侧线路层14。
本实施例中,所述第一内侧线路层13的数量为两个。所述第一绝缘体11包括第一绝缘层111、第二绝缘层112和第三绝缘层113,所述第一绝缘层111设于所述第一外侧线路层12与邻近的所述第一内侧线路层13之间,所述第二绝缘层112设于两个所述第一内侧线路层13之间,所述第三绝缘层113设于所述第三绝缘层113与邻近的另一所述第一内侧线路层13之间。所述第一导通体15包括部分设于所述第一绝缘层111内的第一导通柱151、设于所述第二绝缘层112内的第二导通柱152和设于所述第三绝缘层113内的第三导通柱153,所述第一导通柱151电性连接所述第一外侧线路层12与邻近的所述第一内侧线路层13,所述第二导通柱152电性连接两个所述第一内侧线路层13,所述第三导通柱153电性连接所述第三绝缘层113与邻近的另一所述第一内侧线路层13。
其中,所述第一外侧线路层12包括至少二第一连接垫122,所述二第一连接垫122间隔设置,所述第一焊球32设置于所述第一连接垫122上。所述第一外侧线路层12和所述第一导通柱151突出于所述第一绝缘层111的表面,两个所述第一连接垫122、部分所述第一导通柱151以及所述第一绝缘层111之间具有一容置空间R。所述第二外侧线路层14包括多个第四连接垫142。所述第一保护层30设置于所述线路基板10背离所述容置空间R的一侧,所述第一保护层30具有多个第一开口31,所述第四连接垫142由所述第一开口31的底部露出。
所述封装件200包括一第二封装基板40和设置于所述第二封装基板40一侧的电子元件50,连接所述第一封装基板100与所述封装件200,部分所述电子元件50收容于所述容置空间R。
所述第二封装基板40包括第二绝缘体41、第三外侧线路层42、两个第二内侧线路层43、第四外侧线路层44和多个第二导通体45,所述第三外侧线路层42和第四外侧线路层44分别设于所述第二绝缘体41的相对两个表面,所述两个第二内侧线路层43间隔设置于所述第二绝缘体41内,所述多个第二导通体45电性导通所述第三外侧线路层42、两个第二内侧线路层43和第四外侧线路层44。其中,所述第三外侧线路层42包括至少二第二连接垫422和多个第三连接垫424,所述第二连接垫422与所述第一连接垫122对应设置。
所述第二封装基板40相对两侧还分别设有第二保护层46和第三保护层47,所述第二保护层具有多个第二开口462,所述至少二第二连接垫422和多个第三连接垫424由所述第二开口462的底部露出。所述电子元件50设置于所述第三连接垫424。所述第二连接垫422上设置有第二焊球48,所述第二焊球48与所述第一焊球32对应回流焊接形成所述导电连接件60。
另外,本领域技术人员还可在本申请精神内做其它变化,当然,这些依据本申请精神所做的变化,都应包含在本申请所要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种线路板结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供线路基板,包括第一绝缘体和分别设置于所述第一绝缘体相对两侧的第一外侧线路层和第二外侧线路层,以及电性连接所述第一外侧线路层和第二外侧线路层的第一导通体;其中,所述第一外侧线路层包括间隔设置的至少二第一连接垫;
移除部分所述第一绝缘体,获得一中间体;所述第一外侧线路层和部分所述第一导通体突出所述第一绝缘体,所述二第一连接垫、部分所述第一导通体及所述第一绝缘体围设形成一容置空间;
于所述第一连接垫设置第一焊球,获得一第一封装基板;
提供一封装件,所述封装件包括第二封装基板和设置于所述第二封装基板一侧的电子元件;所述第一焊球与所述第二封装基板接触,至少部分所述电子元件收容于所述容置空间;
加热熔融所述第一焊球,所述第一封装基板电性连接所述第二封装基板,获得所述线路板结构。
2.如权利要求1所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,采用等离子工艺移除部分所述第一绝缘体。
3.如权利要求1所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的二内侧线路层,所述第一绝缘体包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层之间,所述第二绝缘层设置于所述二内侧线路层之间,所述第三绝缘层设置于所述第二外侧线路层与另一所述内侧线路层之间;
步骤“移除部分所述第一绝缘体,获得一中间体”包括:
移除部分所述第一绝缘层,所述容置空间的深度小于所述第一绝缘层的厚度。
4.如权利要求3所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,所述第一导通体包括第一导通柱、第二导通柱和第三导通柱,所述第一导通柱连接所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层,所述第二导通柱连接两个所述内侧线路层,所述第三导通柱连接所述第二外侧线路层和另一所述内侧线路层;
所述第一外侧线路层和部分所述第一导通柱突出所述中间体的表面,两个所述第一连接垫、部分所述第一导通柱和所述第一绝缘层之间形成所述容置空间。
5.如权利要求1所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,步骤“于所述第一连接垫设置第一焊球”后,还包括:
于所述中间体背离所述容置空间的一侧设置第一保护层,所述第一保护层具有多个第一开口,部分所述第二外侧线路层由所述第一开口的底部露出。
6.如权利要求1所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第三外侧线路层,所述第三外侧线路层包括多个第二连接垫和第三连接垫;所述电子元件设置于所述第三连接垫,所述第二连接垫上设置有第二焊球,所述第二焊球与所述第一焊球接触;
步骤“加热熔融所述第一焊球”包括:
将所述第一焊球和所述第二焊球进行回流焊接形成一导电连接件,所述导电连接件电性连接所述第一封装基板和所述第二封装基板。
7.如权利要求6所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,所述第二封装基板还包括设置于所述第二绝缘体一侧的第二保护层,所述第二保护层具有多个第二开口,所述第二连接垫和第三连接垫由所述第二开口的底部露出。
8.如权利要求6所述的线路板结构的制作方法,其特征在于,所述第二封装基板还包括第四外侧线路层和第二导通体,所述第四外侧线路层设置于所述第二绝缘体背离所述第三外侧线路层的一侧,所述第二导通体电性连接所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层。
9.一种线路板结构,其特征在于,包括:
第一封装基板,包括第一绝缘体、第一外侧线路层、第二外侧线路层以及第一导通体,所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层分别设置于所述第一绝缘体相对两侧,所述第一导通体穿过所述第一绝缘体并电性连接所述第一外侧线路层和第二外侧线路层;所述第一外侧线路层和部分所述第一导通体突出所述第一绝缘体的表面,所述第一外侧线路层、部分所述第一导通体和所述第一绝缘体围设形成一容置空间;
封装件,包括第二封装基板和电子元件,所述第二封装基板包括叠设的第二绝缘体和第三外侧线路层,所述电子元件连接于所述第三外侧线路层,且部分收容于所述容置空间;
导电连接件,设置于所述第一封装基板和所述第二封装基板之间,且电性连接所述第一外侧线路层和所述第三外侧线路层。
10.如权利要求9所述的线路板结构,其特征在于,所述线路基板还包括间隔设置于所述第一绝缘体内的二内侧线路层,所述第一绝缘体包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层之间,所述第二绝缘层设置于所述二内侧线路层之间,所述第三绝缘层设置于所述第二外侧线路层与另一所述内侧线路层之间;
所述第一导通体包括第一导通柱、第二导通柱和第三导通柱,所述第一导通柱连接所述第一外侧线路层与邻近的所述内侧线路层,所述第二导通柱连接两个所述内侧线路层,所述第三导通柱连接所述第二外侧线路层和另一所述内侧线路层;
所述第一外侧线路层包括间隔设置的至少二第一连接垫,两个所述第一连接垫、部分所述第一导通柱和所述第一绝缘层之间形成所述容置空间,所述容置空间的深度小于所述第一绝缘层的厚度。
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