CN117486629A - 一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于陶瓷覆铜板制备领域，具体涉及一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：步骤一，对氮化物陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；步骤二，在步骤一处理后的氮化物陶瓷基板表面溅射Ti；步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化物陶瓷基板上溅射Cu；步骤四，在溅射完Cu层的氮化物陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化物陶瓷基板放入烘干箱中对CuP浆料进行烘干；步骤五，将步骤四得到的氮化物陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在较低的温度下钎焊成型，得氮化物陶瓷覆铜板；采用CuP浆料，有利于Ti、Cu在较低的温度下在连接界面处形成原子扩散，促进界面结合，进而降低陶瓷覆铜板的钎焊温度。
Description
技术领域
本发明属于陶瓷覆铜板制备领域，具体涉及一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法。
背景技术
新能源汽车、智能电网、风力发电等的高速发展离不开IGBT等功率器件，陶瓷覆铜板在这些功率器件中有承上启下，实现内外热量交换与电气连通的关键作用。工业上常用DBC（直接覆铜法）制作氧化铝或氮化铝覆铜板，但受氧化铝或氮化铝自身力学性能限制，只能选择较薄（约0.1mm）的覆铜层，因此存在导体图形载流能力不足的问题。且该方法制作的陶瓷覆铜板，铜层与陶瓷基板之间的粘结强度主要取决于铜层熔融条件下与陶瓷基板的润湿能力，在热循环过程中，由于金属与陶瓷之间的热膨胀差异，会在铜层与陶瓷界面产生较大的应力，及其通过润湿形成的结合强度较低，从而引起陶瓷开裂或铜层剥离，引起模块失效，降低整个模块的可靠性。氮化硅由于具有优异的抗弯强度和和断裂韧性，良好的热导率，介电常数、介质损耗角正切较低，与SiC等芯片材料匹配的热膨胀系数等优异性能，在高压大功率IGBT模块中极具应用前景。但是其同样必须通过覆铜才可以在功率模块中发挥作用，目前常采用的AMB（活性金属钎焊法）是用AgCu（银铜）焊料体系使Si3N4与Cu在850℃~950℃真空钎焊后，发生反应润湿结合而成，但是AgCu焊料体系中通常含Ag量很高，因此价格昂贵，且850℃~950℃的钎焊温度较高，对真空炉的要求较高；有待进一步改进。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺点，提供一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法。
本发明采用如下技术方案：
一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
步骤一，对氮化物陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；
步骤二，在步骤一处理后的氮化物陶瓷基板表面溅射Ti；
步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化物陶瓷基板上溅射Cu；
步骤四，在溅射完Cu层的氮化物陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化物陶瓷基板放入烘干箱中对CuP浆料进行烘干；
步骤五，将步骤四得到的氮化物陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在600-650℃下，保温钎焊10-30min，得到所述氮化物陶瓷覆铜板。
进一步的，步骤四中，CuP浆料中，Cu的含量≥75%。
进一步的，步骤四中，CuP浆料采用丝网印刷的方式涂覆在Cu层上，丝网印刷的压力为0.2MPa，速度为100mm/s。
进一步的，步骤四中，CuP浆料烘干的温度为120-200℃。
进一步的，步骤二中，Ti的溅射厚度≥1um。
进一步的，步骤三中，Cu的溅射厚度≥6um。
进一步的，步骤一中，采用丙酮、酒精、等离子水依次对氮化物陶瓷基板与铜箔进行清洗。
进一步的，所述氮化物陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板或氮化硅陶瓷基板。
由上述对本发明的描述可知，与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用低温钎焊制得陶瓷覆铜板，明显降低了目前钎焊所用的高于850℃的钎焊温度，钎焊炉的要求较低，在钎焊过程中也明显降低耗电等成本；且所用的CuP浆料比目前钎焊所用的AgCu系焊料便宜极多，因此本发明具有明显的经济效益优势；其中，限定陶瓷覆铜板的制备方法，先在氮化物陶瓷基板表面溅射一层Ti，以提高Cu在氮化物陶瓷基板表面的润湿性，而溅射Cu可确保印刷CuP浆料之前在氮化物陶瓷基板表面形成一层致密均匀的Cu层，从而减少氮化物陶瓷基板与铜箔连接界面处的孔洞率，且采用Cu含量大于75%的CuP浆料，有利于Ti、Cu在较低的温度下在连接界面处形成原子扩散，促进界面结合，进而降低陶瓷覆铜板的钎焊温度。
附图说明
图1为实施例3制备的陶瓷覆铜板的连接界面表征图一；
图2为实施例3制备的陶瓷覆铜板的连接界面表征图二。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。
一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
步骤一，采用丙酮、酒精、等离子水依次对氮化物陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；
步骤二，在步骤一处理后的氮化物陶瓷基板表面溅射Ti；
步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化物陶瓷基板上溅射Cu；
步骤四，在溅射完Cu层的氮化物陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化物陶瓷基板放入烘干箱中。在120-200℃下对CuP浆料进行烘干；
步骤五，将步骤四得到的氮化物陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在600-650℃下，保温钎焊10-30min，得到所述氮化物陶瓷覆铜板。
其中， 步骤二中，Ti的溅射厚度≥1um。
步骤三中，Cu的溅射厚度≥6um。
步骤四中，CuP浆料为Cu的含量≥75%的铜磷系浆料；且CuP浆料采用丝网印刷的方式涂覆在Cu层上，丝网印刷的压力为0.2MPa，速度为100mm/s。
氮化物陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板或氮化硅陶瓷基板。
实施例1
一种通过低温钎焊制作氮化硅陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
步骤一，采用丙酮、酒精、等离子水依次对氮化硅陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；
步骤二，在步骤一处理后的氮化硅陶瓷基板表面溅射Ti；
步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化硅陶瓷基板上溅射Cu；
步骤四，在溅射完Cu层的氮化硅陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化硅陶瓷基板放入烘干箱中，在200℃下对CuP浆料进行烘干；
步骤五，将步骤四得到的氮化硅陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在600℃下，保温钎焊30min，得到所述氮化硅陶瓷覆铜板。
实施例2
一种通过低温钎焊制作氮化铝陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
步骤一，采用丙酮、酒精、等离子水依次对氮化铝陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；
步骤二，在步骤一处理后的氮化铝陶瓷基板表面溅射Ti；
步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化铝陶瓷基板上溅射Cu；
步骤四，在溅射完Cu层的氮化铝陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化铝陶瓷基板放入烘干箱中，在120℃下对CuP浆料进行烘干；
步骤五，将步骤四得到的氮化铝陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在650℃下，保温钎焊10min，得到所述氮化铝陶瓷覆铜板。
实施例3
一种通过低温钎焊制作氮化硅陶瓷覆铜板的方法，包括以下步骤：
步骤一，采用丙酮、酒精、等离子水依次对氮化硅陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；
步骤二，在步骤一处理后的氮化硅陶瓷基板表面溅射Ti；
步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化硅陶瓷基板上溅射Cu；
步骤四，在溅射完Cu层的氮化硅陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化硅陶瓷基板放入烘干箱中，在160℃下对CuP浆料进行烘干；
步骤五，将步骤四得到的氮化硅陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在625℃下，保温钎焊20min，得到所述氮化硅陶瓷覆铜板。
将实施例3制备的氮化硅陶瓷覆铜板进行连接界面的分析表征，具体结果参照图1至图2，根据图1至图2所示，本申请制备的氮化硅陶瓷覆铜板，界面结合紧密，无明显裂纹，且在连接界面处形成了且在界面处形成TiN、CuTi等具有不同热膨胀系数的化合物，可调节陶瓷在后续服役过程中与铜热膨胀失配引起的失效，增加其在服役过程中的可靠性。
综上，本发明通过限定陶瓷覆铜板的制备方法，先在氮化物陶瓷基板表面溅射一层Ti，以提高Cu在氮化物陶瓷基板表面的润湿性，而溅射Cu可确保印刷CuP浆料之前在氮化物陶瓷基板表面形成一层致密均匀的Cu层，从而减少氮化物陶瓷基板与铜箔连接界面处的孔洞率，且采用Cu含量大于75%的CuP浆料，有利于Ti、Cu在较低的温度下在连接界面处形成原子扩散，促进界面结合，进而降低陶瓷覆铜板的钎焊温度。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，故不能以此限定本发明实施的范围，即依本发明申请范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明申请涵盖的范围内。
Claims (8)
1.一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一，对氮化物陶瓷基板与铜箔表面进行清洁处理；
步骤二，在步骤一处理后的氮化物陶瓷基板表面溅射Ti；
步骤三，将步骤二得到的溅射完Ti层的氮化物陶瓷基板上溅射Cu；
步骤四，在溅射完Cu层的氮化物陶瓷基板上印刷CuP浆料，并在印刷CuP浆料的氮化物陶瓷基板放入烘干箱中对CuP浆料进行烘干；
步骤五，将步骤四得到的氮化物陶瓷基板与步骤一得到的清洗后的铜箔装夹，放入真空炉中，在600-650℃下，保温钎焊10-30min，得到所述氮化物陶瓷覆铜板。
2.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：步骤四中，CuP浆料中，Cu的含量≥75%。
3.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：步骤四中，CuP浆料采用丝网印刷的方式涂覆在Cu层上，丝网印刷的压力为0.2MPa，速度为100mm/s。
4.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：步骤四中，CuP浆料烘干的温度为120-200℃。
5.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：步骤二中，Ti的溅射厚度≥1um。
6.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：步骤三中，Cu的溅射厚度≥6um。
7.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：步骤一中，采用丙酮、酒精、等离子水依次对氮化物陶瓷基板与铜箔进行清洗。
8.根据权利要求1所述的一种通过低温钎焊制作氮化物陶瓷覆铜板的方法，其特征在于：所述氮化物陶瓷基板为氮化铝陶瓷基板或氮化硅陶瓷基板。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102500949A (zh) * | 2011-11-03 | 2012-06-20 | 吉林大学 | 一种钎焊铜和钢的中温锌基钎料及其制备方法 |
| CN103624418A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-03-12 | 杭州华光焊接新材料股份有限公司 | 一种低银铜基钎料及其制备方法 |
| CN103741141A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-04-23 | 浙江工业大学 | 一种氮化铝陶瓷板金属化的方法 |
| CN105659377A (zh) * | 2013-08-26 | 2016-06-08 | 三菱综合材料株式会社 | 接合体的制造方法及功率模块用基板的制造方法 |
| CN108033810A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-15 | 北京科技大学 | 一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法 |
| KR20220148962A (ko) * | 2021-04-29 | 2022-11-08 | 주식회사 한국전자재료(케이.이.엠) | 고전력 퓨즈 및 그 제조방법 |
| CN115626835A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-01-20 | 上海维安电子有限公司 | 一种陶瓷基覆铜板的制造方法及其产品 |
| CN115784763A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 华北水利水电大学 | 一种掺硼金刚石多孔钛复合膜及其制备方法 |
| CN117069509A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-11-17 | 吉安电科集成电路与通讯传输实验室科技有限公司 | 覆铜陶瓷基板及其制备方法 |
-
2024
- 2024-01-02 CN CN202410000848.8A patent/CN117486629A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102500949A (zh) * | 2011-11-03 | 2012-06-20 | 吉林大学 | 一种钎焊铜和钢的中温锌基钎料及其制备方法 |
| CN105659377A (zh) * | 2013-08-26 | 2016-06-08 | 三菱综合材料株式会社 | 接合体的制造方法及功率模块用基板的制造方法 |
| CN103624418A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-03-12 | 杭州华光焊接新材料股份有限公司 | 一种低银铜基钎料及其制备方法 |
| CN103741141A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-04-23 | 浙江工业大学 | 一种氮化铝陶瓷板金属化的方法 |
| CN108033810A (zh) * | 2017-12-12 | 2018-05-15 | 北京科技大学 | 一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法 |
| KR20220148962A (ko) * | 2021-04-29 | 2022-11-08 | 주식회사 한국전자재료(케이.이.엠) | 고전력 퓨즈 및 그 제조방법 |
| CN115784763A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 华北水利水电大学 | 一种掺硼金刚石多孔钛复合膜及其制备方法 |
| CN115626835A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-01-20 | 上海维安电子有限公司 | 一种陶瓷基覆铜板的制造方法及其产品 |
| CN117069509A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-11-17 | 吉安电科集成电路与通讯传输实验室科技有限公司 | 覆铜陶瓷基板及其制备方法 |
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