CN117480884A - 振动器件、触摸显示面板和电子产品 - Google Patents
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Abstract
一种振动器件、触摸显示面板和电子产品。该振动器件包括衬底基板、第一透明导电防扩散层以及压电材料层。第一透明导电防扩散层位于衬底基板上，压电材料层位于第一透明导电防扩散层远离衬底基板的一侧。第一透明导电防扩散层被配置为防止氧进入压电材料层。通过设置第一透明导电防扩散层，可以防止自身的氧进入压电材料层，从而不会降低第一透明导电防扩散层的导电性能，进而不会影响显示效率，并且第一透明导电防扩散层本身具有导电性，可以作为压电材料的驱动电极。
Description
本公开的实施例涉及一种振动器件、触摸显示面板和电子产品。
目前，触觉反馈(Haptics)为现今科技开发的重点，其概念为借助触觉技术，电子设备制造商可以在其设备上为特定的互动体验创造与众不同的个性化触觉反馈，从而为消费者提供更具价值且更加逼真的独特体验。
触觉反馈又可分为两类，一类为振动反馈，一类为触觉再现技术。振动反馈是通过在显示装置中增加线性马达，为用户提供触觉反馈和振动提醒。表面触觉再现技术可通过皮肤(指尖)触摸屏幕来感知物体特性，可以在多媒体终端实现高效逼真的交互，具有巨大的研究价值，因而得到国内外研究学者的广泛关注。表面触觉物理意义上为物体表面与皮肤(指尖)的表面产生作用，因表面结构不同从而形成不同的摩擦力。因此，通过控制表面摩擦力，可以实现不同触觉或触感的模拟。
发明内容
本公开实施例提供一种振动器件、触摸显示面板和电子产品。该振动器件通过设置第一透明导电防扩散层，可以防止自身的氧进入压电材料层，从而不会降低第一透明导电防扩散层的导电率，进而不会影响显示效率，并且第一透明导电防扩散层本身具有导电性，可以作为压电材料的驱动电极。
本公开至少一个实施例提供一种振动器件，其包括衬底基板、第一透明导电防扩散层以及压电材料层。第一透明导电防扩散层位于衬底基板上，压电材料层位于第一透明导电防扩散层远离衬底基板的一侧。第一透明导电防扩散层被配置为防止氧进入压电材料层。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明导电防扩散层为掺杂透明导电氧化物。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明导电防扩散层为掺杂氟的氧化铟锡。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述压电材料层为透明 压电薄膜。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述压电材料层为锆钛酸铅、氮化铝和铌酸钾钠中的一种或多种。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明导电防扩散层的厚度为25nm至1000nm。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述压电材料层的厚度为1μm至10μm。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件还包括第一透明电极，位于所述衬底基板靠近所述第一透明导电防扩散层的一侧。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明电极的材料为透明导电氧化物。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明电极的材料为氧化铟锡。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明电极的厚度为100nm至500nm。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第一透明导电防扩散层的导电率小于所述第一透明电极的导电率。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件还包括第二透明电极，位于所述压电材料层远离所述衬底基板的一侧。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件还包括第二透明导电防扩散层，位于所述压电材料层和所述第二透明电极层之间。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述第二透明电极的材料为透明导电氧化物。
例如，在本公开一实施例提供的一种振动器件中，所述压电材料层通过磁控溅射或气相沉积形成。
本公开至少一个实施例提供一种触摸显示面板，其包括上述任一项所述的振动器件。
本公开至少一个实施例提供一种电子产品，其包括上述任一项所述的触摸显示面板。
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为不同厚度的ITO薄膜的方阻随热处理工艺的变化示意图；
图2a为ITO薄膜与PZT薄膜之间增加金属网格的结构示意图；
图2b为ITO薄膜在不同衬底的透光率的曲线图；
图3为本公开一实施例提供的一种振动器件的结构示意图；
图4为本公开一实施例提供的另一种振动器件的平面示意图；
图5为本公开一实施例提供的FTO/ITO叠层的电阻率随温度的变化图；
图6为本公开一实施例提供的另一种振动器件的平面示意图；
图7为本公开一实施例提供的一种触摸显示面板的平面示意图；
图8为本公开一实施例提供的另一种触摸显示面板的平面示意图；以及
图9为本公开一实施例提供的一种电子产品的平面示意图。
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
附图中各个部件或结构并非严格按照比例绘制，为了清楚起见，可能夸大或缩小各个部件或结构的尺寸，但是这些不应用于限制本公开的范围。为了保 持本公开实施例的以下说明清楚且简明，可省略已知功能和已知部件的详细说明。
在表面触觉再现技术领域中，使用振动器件作为振源使得屏幕产生振动，从而使得屏幕的表面形成不同的摩擦力，从而可以实现不同触觉或触感的模拟；另一方面，由于锆钛酸铅(PZT)压电材料具有高介电常数与透明的特性，非常适合用于集成在屏幕上的振动器件。
锆钛酸铅(PZT)压电材料的形成方法有很多，包含干法镀膜与湿法，但如果要实现良好压电常数特性，则需要经过高温退火工艺；此高温退火工艺需要在高温(例如550℃～650℃)的空气环境下进行PZT晶粒生长，以形成良好的固溶相。另一方面，氧化铟锡(ITO)具有高可见光透过率和高导电率，为触摸显示屏常用的透明电极材料，ITO若经过高温(例如大于350℃)退火工艺，将产生氧空位不足，从而使ITO整体导电率大幅下降。
图1为不同厚度的ITO薄膜的方阻随热处理工艺的变化示意图。如图1所示，在250℃的低温退火工艺下，ITO的方阻有明显的下降，但在形成PZT的高温(例如在550℃-650℃之间)退火工艺下，ITO的方阻相比低温退火工艺后的ITO的方阻上升大约一倍，因此，PZT的高温退火工艺会造成ITO的导电性能下降。同时，因ITO薄膜的方阻上升，电荷分布不均匀，还会带来电荷累积击穿或烧毁的问题。
为解决PZT高温退火工艺导致的ITO的方阻上升，从而造成ITO导电性能下降的问题，可以在ITO薄膜和PZT薄膜之间额外增加金属网格，以提升整体导电性能。图2a为ITO薄膜与PZT薄膜之间增加金属网格的结构示意图。如图2a所示，通过在ITO薄膜与PZT薄膜之间设置金属网格10，可以解决PZT高温退火工艺导致的ITO的导电性能下降的问题。然而，增加金属网格10可能会带来透光率下降的问题。图2b为ITO薄膜在不同衬底的透光率的曲线图。如图2b所示，曲线20为ITO薄膜和PZT薄膜之间没有增加金属网格10的ITO薄膜在衬底的透光率，曲线30为ITO薄膜和PZT薄膜之间增加有金属网格10后ITO薄膜在衬底上的透光率。增加金属网格10后，ITO薄膜在衬底的透光率从80％下降到50％，降低了显示效率。同时，增加的金属网格10的材料需要在PZT的高温退火工艺下不易发生氧化，并且由于PZT在高温退火工艺下容易失氧，该金属网格10的材料还需要具备与PZT接触时不能使PZT氧扩散的特性。目前，该金属网格层10的最佳材料是贵金属铂 (Pt)，因此，使用该金属网格10还将带来制造成本的上升的问题。
对此，本公开实施例提供一种振动器件、触摸显示面板和电子产品。该振动器件包括衬底基板、第一透明导电防扩散层以及压电材料层。第一透明导电防扩散层位于衬底基板上，压电材料层位于第一透明导电防扩散层远离衬底基板的一侧。第一透明导电防扩散层被配置为防止氧进入压电材料层。通过设置第一透明导电防扩散层可以防止自身的氧进入压电材料层，从而不会降低第一导电防扩散层的导电性能，并且第一透明导电防扩散层本身具有导电性，可以作为压电材料的驱动电极。例如在压电材料层140的高温(例如温度在550℃-650℃之间)退火工艺过程中，第一透明导电防扩散层130可以防止自身的氧进入压电材料层140，从而不会降低第一透明导电防扩散层130的导电性能，进而不会降低显示效率。
下面，结合附图对本公开实施例提供的振动器件、触摸显示面板和电子产品进行详细的说明。
本公开一实施例提供一种振动器件。图3为本公开一实施例提供的一种振动器件的平面示意图。如图3所示，该振动器件100包括衬底基板110、第一透明导电防扩散层130以及压电材料层140。第一透明导电防扩散层130位于衬底基板110上，压电材料层140位于第一透明导电防扩散层130远离衬底基板110的一侧。第一透明导电防扩散层130被配置为防止氧进入压电材料层140。
在本公开实施例提供的振动器件100中，通过设置第一透明导电防扩散层130，可以防止自身的氧进入压电材料层140，从而不会降低第一透明导电防扩散层130的导电性能，并且第一透明导电防扩散层130本身具有导电性，可以作为压电材料的驱动电极。例如在压电材料层140的高温(例如温度在550℃-650℃之间)退火工艺过程中，第一透明导电防扩散层130可以防止自身的氧进入压电材料层140，从而不会降低第一透明导电防扩散层130的导电性能，进而不会降低显示效率。
在一些示例中，如图3所示，第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂透明导电氧化物。
在一些示例中，如图3所示，第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂氟的透明导电氧化物。
例如，如图3所示，第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂氟的 氧化铟锡(FTO)。
在一些示例中，如图3所示，压电材料层可以为透明压电薄膜，从而可以使触摸显示面板有更好的透光率，提升显示效率。
在一些示例中，如图3所示，压电材料层可以为锆钛酸铅(PZT)、氮化铝(AlN)和铌酸钾钠((K0.5Na0.5)NbO3，KNN)中的一种或多种。锆钛酸铅具有优良的压电性能和介电性能，稳定性好，精度高，广泛应用于振动器件领域。氮化铝是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，通常状态下为灰色或灰白色，具有高热导率、高温绝缘性、介电性能好、高温下材料强度大以及热膨胀系数低等优点。铌酸钾钠具有居里温度高(420℃左右)、介电常数低、机械品质因素小、频率常数高等特性，并且无铅，可减少对环境的污染。当然，本公开实施例包括但不限于此。
例如，如图3所示，在压电材料层为锆钛酸铅时，锆钛酸铅在高温(例如在550℃-650℃之间)退火工艺下容易失氧，在压电材料层和第一透明电极之间增加第一透明导电防扩散层还可以起到防止锆钛酸铅失氧的作用。
在一些示例中，如图3所示，第一透明导电防扩散层130的厚度可以为25nm至1000nm中的任何一个数值。例如，第一透明导电防扩散层130的厚度可以是50nm、100nm、200nm、400nm、600nm、800nm。
在一些示例中，如图3所示，压电材料层140的厚度为1μm至10μm中的任何一个数值。例如，压电材料层140的厚度可以是2μm、4μm、6μm、8μm、9μm。
在一些示例中，如图3所示，该振动器件100还包括第二透明电极150，第二透明电极150位于压电材料层140远离衬底基板110的一侧。
在一些示例中，如图3所示，第二透明电极150的材料可以为透明导电氧化物。例如，第二透明电极150可以是ITO。
在一些示例中，压电材料层140可以通过磁控溅射或气相沉积形成。磁控溅射或气相沉积是在衬底表面形成薄膜的常见的、成熟的工艺方法。
例如，第一透明导电防扩散层也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。
图4为本公开一实施例提供的另一种振动器件的平面示意图。如图4所示，该振动器件100包括衬底基板110、第一透明电极120、第一透明导电防扩散层130以及压电材料层140。第一透明电极120位于衬底基板110上，第一透明导电防扩散层130位于第一透明电极120远离衬底基板110的一侧， 压电材料层140位于第一透明导电防扩散层130远离衬底基板110的一侧。第一透明导电防扩散层130可以防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140。
在本公开实施例提供的振动器件100中，通过在第一透明电极120和压电材料层140之间设置第一透明导电防扩散层130，可以防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140，例如在压电材料层140的高温(例如温度在550℃-650℃之间)退火工艺过程中，第一透明导电防扩散层130可以防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140，从而不会降低第一透明电极120的导电率，进而不会降低显示效率，并且第一透明导电防扩散层130本身具有导电性，可以和第一透明电极120一起作为压电材料层140的驱动电极。由此不需要为解决第一透明电极120的导电性降低问题，在第一透明电极120和压电材料层140之间额外增加金属网格10，并因此带来透光率的降低、制造成本的增加以及显示效率的降低等问题。
在一些示例中，如图4所示，第一透明电极120的材料可以为透明导电氧化物。
例如，如图4所示，第一透明电极120的材料可以为透明导电氧化物，第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂透明导电氧化物。第一透明导电防扩散层130的材料使用掺杂的第一透明电极120的材料，可以有效防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140。并且，第一透明导电防扩散层130本身还具有导电特性，可与第一透明电极120形成导电的叠层结构；因此，该振动器件100在增加了第一透明导电防扩散层130的情况下，在保证上述导电的叠层结构的导电性能满足要求的同时可避免增加振动器件的厚度，实现振动器件的轻薄化。
另外，由于第一透明电极120的材料可以为透明导电氧化物，第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂透明导电氧化物，因此第一透明电极120与第一透明导电防扩散层130之间的接触电阻较小。
在一些示例中，如图3所示，第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂氟的透明导电氧化物。
在一些示例中，如图4所示，第一透明电极120的材料可以为氧化铟锡(ITO)。
例如，如图4所示，第一透明电极120的材料可以为氧化铟锡(ITO)， 透明导电层130的材料可以为掺杂氟的氧化铟锡(FTO)。FTO虽然导电性比ITO略差，但是FTO可以隔离ITO的氧进入压电材料层140，从而不会影响ITO的导电性能。同时FTO具有成本相对较低，激光蚀刻容易，光学性能适宜等优点。
图5为本公开一实施例提供的FTO/ITO叠层的电阻率随温度的变化图。如图5所示，单纯ITO的电阻率在温度超过300℃，电阻率会变大，进而导电性能会变差；而单纯FTO的电阻率比较大，导电性能比较差，但是其电阻率基本不受温度影响的特性；FTO和ITO形成的叠层结构，该叠层结构具有和单纯ITO基本一致的小电阻率，同时，该叠层结构还具有电阻率不受温度影响的特性.例如，在温度超过300℃时，其电阻率不会随着温度的升高而增大，进而该叠层结构仍然具有很好的导电率。由此，可以在振动器件的ITO和压电材料层之间增加FTO，在压电材料进行高温(例如550℃-650℃之间)退火工艺时，FTO/ITO叠层结构的导电性能不会受高温(例如550℃-650℃之间)的影响，仍能保持很好的导电性。从而不需要为解决第一透明电极的导电性降低问题，在第一透明电极和压电材料层之间额外增加金属网格层，并因此带来透光率的降低、制造成本的增加以及显示效率的降低等问题。
在一些示例中，如图4所示，压电材料层可以为透明压电薄膜，从而可以使触摸显示面板有更好的透光率，提升显示效率。
在一些示例中，如图4所示，压电材料层可以为锆钛酸铅。锆钛酸铅具有优良的压电性能和介电性能，稳定性好，精度高，广泛应用于振动器件领域。
例如，如图4所示，在压电材料层为锆钛酸铅时，锆钛酸铅在高温(例如在550℃-650℃之间)退火工艺下容易失氧，在压电材料层和第一透明电极之间增加第一透明导电防扩散层还可以起到防止锆钛酸铅失氧的作用。
在一些示例中，如图4所示，第一透明导电防扩散层130的厚度可以为25nm至1000nm中的任何一个数值。例如，第一透明导电防扩散层130的厚度可以是50nm、100nm、200nm、400nm、600nm、800nm。
在一些示例中，如图4所示，压电材料层140的厚度为1μm至10μm中的任何一个数值。例如，压电材料层140的厚度可以是2μm、4μm、6μm、8μm、9μm。
在一些示例中，如图4所示，第一透明电极120的厚度为100nm至500nm中的任何一个数值。例如，第一透明电极120的厚度可以是150nm、200nm、 250nm、350nm、400nm、450nm。
在一些示例中，如图4所示，第一透明导电防扩散层130的导电率可以小于第一透明电极120的导电率。
在一些示例中，如图4所示，该振动器件100还包括第二透明电极150，第二透明电极150位于压电材料层140远离衬底基板110的一侧。
在一些示例中，如图4所示，第二透明电极150的材料可以为透明导电氧化物。例如，第二透明电极150可以是ITO。
在一些示例中，如图4所示，第二透明电极150的厚度为100nm至500nm中的任何一个数值。例如，第二透明电极150的厚度可以是150nm、200nm、250nm、350nm、400nm、450nm。
在一些示例中，如图4所示，压电材料层140可以通过磁控溅射或气相沉积形成。磁控溅射或气相沉积是在衬底表面形成薄膜的常见的、成熟的工艺方法。
例如，如图4所示，第一透明电极也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。例如，第一透明导电防扩散层也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。例如，第二透明电极也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。
图6为本公开一实施例提供的另一种振动器件的平面示意图。如图6所示，该振动器件100包括衬底基板110、第一透明电极120、第一透明导电防扩散层130、压电材料层140、第二透明导电防扩散层160和第二透明电极150。第一透明电极120位于衬底基板110上，第一透明导电防扩散层130位于第一透明电极120远离衬底基板110的一侧，压电材料层140位于第一透明导电防扩散层130远离衬底基板110的一侧。第二透明导电防扩散层160位于压电材料层140远离衬底基板110的一侧。第二透明电极150位于第二透明导电防扩散层160远离衬底基板110的一侧。第一透明导电防扩散层130被配置为防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140。第二透明导电防扩散层160被配置为防止第二透明电极150中的氧进入压电材料层140。通过在第一透明电极120和压电材料层140之间设置第一透明导电防扩散层130，可以防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140，并且通过在第二透明电极150和压电材料层140之间设置第二透明导电防扩散层160，可以防止第二透明电极150中的氧进入压电材料层140，从而不会降低第二透明电极150的导电率，进而不会降低显示效率。并且第一透明导电防扩散层130本身具 有导电性，可以和第一透明电极120一起作为压电材料层140的驱动电极，第二透明导电防扩散层160本身具有导电性，可以和第二透明电极150一起作为压电材料层140的驱动电极。
在本公开实施例提供的振动器件100中，通过在第一透明电极120和压电材料层140之间设置第一透明导电防扩散层130，可以防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140，例如在压电材料层140的高温(例如温度在550℃-650℃之间)退火工艺过程中，第一透明导电防扩散层130可以防止第一透明电极120中的氧进入压电材料层140，从而不会降低第一透明电极120的导电率，进而不会降低显示效率。由此不需要为解决第一透明电极120的导电性降低问题，在第一透明电极120和压电材料层140之间额外增加金属网格层10，并因此带来透光率的降低、制造成本的增加以及显示效率的降低等问题。通过在第二透明电极150和压电材料层140之间设置第二透明导电防扩散层160，可以防止第二透明电极150中的氧进入压电材料层，从而不会降低第二透明电极150的导电率，进而不会降低显示效率。
在一些示例中，如图6所示，同时在第一透明电极120和压电材料层140之间设置第一透明导电防扩散层130以及在第二透明电极150和压电材料层140之间设置第二透明导电防扩散层160，可同时解决该振动器件100的第一透明电极120和第二透明电极150的导电性降低问题。
例如，如图6所示，第一透明电极120和第二透明电极150的材料可以为透明导电氧化物，第一透明导电防扩散层130和第二透明导电防扩散层160的材料可以为掺杂透明导电氧化物。第一透明导电防扩散层130本身还具有导电特性，可与第一透明电极120形成导电的叠层结构；因此，该振动器件100在增加了第一透明导电防扩散层130的情况下，在保证上述导电的叠层结构的电阻率满足要求的同时可避免增加振动器件的厚度，实现振动器件的轻薄化。同样地，第二透明导电防扩散层160本身还具有导电特性，可与第二透明电极150形成导电的叠层结构；因此，该振动器件100在增加了第二透明导电防扩散层160的情况下，在保证上述导电的叠层结构的电阻率满足要求的同时可避免增加振动器件的厚度，实现振动器件的轻薄化。
另外，由于第一透明导电防扩散层130的材料可以为掺杂的第一透明电极120的材料，因此第一透明电极120与第一透明导电防扩散层130之间的接触电阻较小。同样地，第二透明导电防扩散层160的材料可以为掺杂的第 二透明电极150的材料，因此第二透明电极150与第二透明导电防扩散层160之间的接触电阻较小。
在一些示例中，如图6所示，第一透明电极120、第一透明导电防扩散层130、压电材料层140、第二透明导电防扩散层160和第二透明电极150可以依次直接接触设置。
例如，如图6所示，第一透明电极120和第二透明电极150可以是氧化铟锡(ITO)；例如，第一透明导电防扩散层130和第二透明导电防扩散层160可以是掺杂氟的氧化铟锡(FTO)。
例如，如图6所示，第一透明电极120和第一透明导电防扩散层130可以形成FTO/ITO叠层结构，该FTO/ITO叠层结构具有和单纯ITO基本一致的小电阻率，同时，该叠层结构还具有电阻率不受温度影响的特性。第二透明电极150与第二透明导电防扩散层160也可以形成FTO/ITO叠层结构，该FTO/ITO叠层结构也具有和单纯ITO基本一致的小电阻率，同时，该叠层结构还具有电阻率不受温度影响的特性。由此，该振动器100的导电性能不会受到高温(例如550℃-650℃之间)退火工艺的影响，仍能保持很好的导电性。
例如，如图6所示，该振动器100的压电材料层140可以为透明压电薄膜，从而可以使触摸显示面板有更好的透光率，提升显示效率。
例如，如图6所示，压电材料层140可以为锆钛酸铅。
例如，如图6所示，在压电材料层140为锆钛酸铅时，锆钛酸铅在高温(例如在550℃-650℃之间)退火工艺下容易失氧，在压电材料层140和第一透明电极120之间增加第一透明导电防扩散层130以及在压电材料层140和第二透明电极150之间增加第二透明导电防扩散层160还可以起到防止锆钛酸铅失氧的作用。
在一些示例中，如图6所示，第一透明导电防扩散层130和第二透明导电防扩散层160的厚度可以为25nm至1000nm中的任何一个数值。例如，第一透明导电防扩散层130和第二透明导电防扩散层160的厚度可以是50nm、100nm、200nm、400nm、600nm、800nm。
在一些示例中，如图6所示，第一透明电极120和第二透明电极150的厚度为100nm至500nm中的任何一个数值。例如，第一透明电极120第二透明电极150的厚度可以是150nm、200nm、250nm、350nm、400nm、450nm。
在一些示例中，如图6所示，压电材料层140的厚度为1μm至10μm中 的任何一个数值。例如，压电材料层140的厚度可以是2μm、4μm、6μm、8μm、9μm。
在一些示例中，如图6所示，第一透明导电防扩散层130的导电率可以小于第一透明电极120的导电率。
在一些示例中，如图6所示，压电材料层140可以通过磁控溅射或气相沉积形成。磁控溅射或气相沉积是在衬底表面形成薄膜的常见的、成熟的工艺方法。
例如，如图6所示，第一透明电极也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。例如，第一透明导电防扩散层也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。例如，第二透明电极也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。例如，第二透明导电防扩散层也可以通过磁控溅射或气相沉积形成。
本公开一实施例提供一种触摸显示面板。图7为本公开一实施例提供的一种触摸显示面板的平面示意图。如图7所示，该触摸显示面板200包括上述任一项的振动器件100。由此，该触摸显示面板200具有与振动器件100的有益效果对应的有益效果，具体可参见上述显示基板的相关描述。
例如，如图7所示，该触摸显示面板200包括显示面板210、振动器件100和盖板220，振动器件100位于显示面板210上，盖板220位于振动器件100远离显示面板210的一侧。显示面板210包括显示区210A和围绕显示区210A的周边区210B，振动器件100位于该触摸显示面板200的周边区210B。
例如，如图7所示，显示面板210可以是液晶显示(LCD)面板或者有机发光二极管(OLED)显示面板。
例如，如图7所示，盖板220可以是触控面板。
图8为本公开一实施例提供的另一种触摸显示面板的平面示意图。如图8所示，该触摸显示面板200包括上述任一项的振动器件100。由此，该触摸显示面板200具有与振动器件100的有益效果对应的有益效果，具体可参见上述显示基板的相关描述。
例如，如图8所示，该触摸显示面板200包括显示面板210、振动器件100和盖板220，振动器件100位于显示面板210上，盖板220位于振动器件100远离显示面板210的一侧。显示面板210包括显示区210A和围绕显示区210A的周边区210B，振动器件100位于该触摸显示面板200的显示区210A。振动器件100的压电材料层140可以为透明压电薄膜，以使该触摸显示面板 200具有更好透光率和的显示效果。
例如，如图8所示，显示面板210可以是液晶显示(LCD)面板或者有机发光二极管(OLED)显示面板。
例如，如图8所示，盖板220可以是触控面板。
本公开一实施例提供一种电子产品。图9为本公开一实施例提供的一种电子产品的平面示意图。如图9所示，该电子产品300包括上述任一项的触摸显示面板200。由此，该电子产品300具有与触摸显示面板200的有益效果对应的有益效果，具体可参见上述显示基板的相关描述。
例如，该电子产品300可以为液晶显示器、智能手机、平板电脑、电视机、显示器、智能手表、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有触摸显示功能的产品。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (18)
- 一种振动器件，包括：衬底基板；第一透明导电防扩散层，位于所述衬底基板上；以及压电材料层，位于所述第一透明导电防扩散层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一透明导电防扩散层被配置为防止氧进入所述压电材料层。
- 根据权利要求1所述的振动器件，其中，所述第一透明导电防扩散层为掺杂透明导电氧化物。
- 根据权利要求2所述的振动器件，其中，所述第一透明导电防扩散层为掺杂氟的氧化铟锡。
- 根据权利要求1-3任一项所述的振动器件，其中，所述压电材料层为透明压电薄膜。
- 根据权利要求4所述振动器件，其中，所述压电材料层为锆钛酸铅、氮化铝和铌酸钾钠中的一种或多种。
- 根据权利要求1-5任一项所述振动器件，其中，所述第一透明导电防扩散层的厚度为25nm至1000nm。
- 根据权利要求1-6任一项所述的振动器件，其中，所述压电材料层的厚度为1μm至10μm。
- 根据权利要求1-7任一项所述的振动器件，还包括：第一透明电极，位于所述衬底基板靠近所述第一透明导电防扩散层的一侧。
- 根据权利要求8所述的振动器件，其中，所述第一透明电极的材料为透明导电氧化物。
- 根据权利要求9所述的振动器件，其中，所述第一透明电极的材料为氧化铟锡。
- 根据权利要求8-10任一项所述的振动器件，其中，所述第一透明电极的厚度为100nm至500nm。
- 根据权利要求8-11任一项所述的振动器件，其中，所述第一透明导电防扩散层的导电率小于所述第一透明电极的导电率。
- 根据权利要求1-12任一项所述的振动器件，还包括：第二透明电极，位于所述压电材料层远离所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求13所述的振动器件，还包括：第二透明导电防扩散层，位于所述压电材料层和所述第二透明电极层之间。
- 根据权利要求13-14任一项所述的振动器件，其中，所述第二透明电极的材料为透明导电氧化物。
- 根据权利要求1-15任一项所述的振动器件，其中，所述压电材料层通过磁控溅射或气相沉积形成。
- 一种触摸显示面板，包括根据权利要求1-16任一项所述的振动器件。
- 一种电子产品，包括根据权利要求17所述的触摸显示面板。
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