CN117476812A - 局域选择性钝化发射极、太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种局域选择性钝化发射极的制备方法，包括如下步骤：提供n型硅片，对硅片制绒，在其一面划定金属栅线接触区；提供具有镂空部的载盘，将硅片放置于载盘上；将载盘置于有氧环境中，使金属栅线接触区内的硅片形成第一隧穿氧化层；将载盘置于蒸镀机内，在隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层；对硅片进行高温硼扩散，使多晶硅层转化为硼掺杂多晶硅层，使硅片未被隧穿氧化层覆盖的表面形成硼掺杂层，且在硼掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第一硼硅玻璃层；对覆盖在硼掺杂多晶硅层表面的第一硼硅玻璃层进行激光推进处理，将硼掺杂多晶硅层转化为重掺杂多晶硅层，得到局域选择性钝化发射极。本申请可形成具有隧穿氧化层的选择性发射极。

Description

局域选择性钝化发射极、太阳能电池及其制备方法
技术领域
本申请涉及TOPcon电池，尤其涉及选择性发射极。
背景技术
目前市场上大规模生产的n型TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact solarcell，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池)太阳能电池前表面发射极分为两块区域，一个是与电极浆料接触区域；另一个是光照区域即没有电极浆料覆盖区。目前市场上主流的TOPCon太阳能电池中，普遍采用均匀掺杂的发射极，即金属浆料接触区和光照区均匀掺杂。这种掺杂方式简便快速，但是性能受到局限。在新一代的选择性掺杂TOPCon太阳能电池概念中，在金属浆料接触区，通过提高表面硼掺杂氧化层的掺杂浓度，可降低金属半导体接触电阻，减少接触复合；在光照区域，通过保持表面硼掺杂氧化层的掺杂浓度处于较低水平，可降低表面俄歇复合，提高载流子收集率，提高短波响应，提高钝化效果，即所谓选择性发射极。
金属浆料接触区中，在硼掺杂氧化层和硅基之间制备一层隧穿氧化层可形成钝化接触，有利于进一步提高太阳能电池光电转换效率。但硼掺杂氧化层是对硅基表面处理得到的，硼掺杂氧化层往往直接与硅基紧密一体结合，在硼掺杂氧化层与硅基之间制备一层隧穿氧化层难以实现。
发明内容
本申请实施例提供了一种局域选择性钝化发射极及其制备方法、太阳能电池及其制备方法，以解决在硼掺杂氧化层与硅基之间制备一层隧穿氧化层难以实现的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供一种局域选择性钝化发射极的制备方法，所述方法包括如下步骤：
提供n型硅片，对所述硅片进行制绒，在所述硅片的一面划定金属栅线接触区；
提供具有镂空部的载盘，所述镂空部的形状、大小与分布方式与所述金属栅线接触区完全相同，将所述硅片放置于所述载盘上，使所述金属栅线接触区与所述镂空部完全重合；
将所述载盘置于有氧环境中，使所述金属栅线接触区内的硅片被氧化，形成第一隧穿氧化层；
将所述载盘置于蒸镀机内，在所述隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层；
对所述硅片进行高温硼扩散，使所述多晶硅层转化为硼掺杂多晶硅层，使所述硅片未被所述隧穿氧化层覆盖的表面形成硼掺杂层，且在所述硼掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第一硼硅玻璃层；
对覆盖在所述硼掺杂多晶硅层表面的第一硼硅玻璃层进行激光推进处理，将所述硼掺杂多晶硅层转化为重掺杂多晶硅层，得到所述局域选择性钝化发射极。
在本申请的一些实施例中，所述将所述载盘置于有氧环境中，使所述金属栅线接触区内的硅片被氧化，也在所述蒸镀机内进行。
在本申请的一些实施例中，所述在所述隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层，其中所述隧穿氧化层表面温度保持在450～550℃，所述蒸镀的蒸发源为多晶硅粉末，所述蒸镀在3×10-3～10×10-3Pa下进行。
在本申请的一些实施例中，所述高温硼扩散在预定气氛中进行，所述预定气氛含有BCl3、BBr3中的至少一种，以及氧气。
在本申请的一些实施例中，所述高温硼扩散在1000～1100℃下进行。
在本申请的一些实施例中，所述多晶硅层的厚度为50～200nm。
第二方面，本申请实施例提供一种局域选择性钝化发射极，所述局域选择性钝化发射极通过第一方面任一实施例所述的方法制备得到。
第三方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括第二方面任一实施例所述的局域选择性钝化发射极。
第四方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池的制备方法包括如下步骤：
提供第二方面所述的选择性钝化发射极；
去除所述第一硼硅玻璃层；
通过高温氧化推进在所述重掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第二硼硅玻璃层；
对所述硅片的另一面除去第二硼硅玻璃层后，进行碱抛除去硼掺杂层，形成抛光面；
在所述抛光面依序制备第二隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层；
去除所述硅片的一面的第二硼硅玻璃层；
所述重掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面依序制备钝化层和减反射层，并在所述磷掺杂多晶硅层表面也制备减反射层；
在所述硅片的一面的减反射层上，于所述金属栅线接触区中制备金属电极栅线。
在本申请的一些实施例中，所述去除所述第一硼硅玻璃层，通过氢氟酸去除所述第一硼硅玻璃层；和/或，
所述对所述硅片的另一面除去第二硼硅玻璃层，通过氢氟酸去除所述第二硼硅玻璃层；和/或，
所述去除所述硅片的一面的第二硼硅玻璃层，通过氢氟酸去除所述第二硼硅玻璃层。
本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
本申请实施例提供的局域选择性钝化发射极的制备方法，通过单独在金属栅线接触区制备隧穿氧化层，又通过蒸镀工艺在隧穿氧化层上制备一层多晶硅层，再对硅片整体进行硼掺杂、对多晶硅层进行激光推进等处理，将蒸镀的多晶硅层制备成重掺杂多晶硅层，而硅片的掺杂浓度较低，从而形成具有隧穿氧化层的选择性发射极。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种局域选择性钝化发射极的制备方法步骤S11所得产品的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的载盘的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种局域选择性钝化发射极的制备方法步骤S13所得产品的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种局域选择性钝化发射极的制备方法步骤S14所得产品的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的一种局域选择性钝化发射极的制备方法步骤S15所得产品的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种局域选择性钝化发射极的制备方法步骤S16所得产品的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S22所得产品的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S23所得产品的结构示意图；
图9为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S24所得产品的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S25所得产品的结构示意图；
图11为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S26所得产品的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S27所得产品的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制备方法步骤S28所得产品的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另有特别说明，本文使用的术语应理解为如本领域中通常所使用的含义。因此，除非另有定义，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属领域技术人员的一般理解相同的含义。若存在矛盾，本说明书优先。
除非另有特别说明，本申请中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等，均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
现有的TOPcon电池存在在硼掺杂氧化层与硅基之间制备一层隧穿氧化层难以实现的技术问题。
本申请实施例提供的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
第一方面，本申请实施例提供一种局域选择性钝化发射极的制备方法，所述局域选择性钝化发射极的制备方法包括如下步骤：
S11：提供n型硅片1，对所述硅片1进行制绒，在所述硅片1的一面划定金属栅线接触区，步骤S1所得产品如图1所示；
S12：提供具有镂空部01的载盘，所述镂空部01的形状、大小与分布方式与所述金属栅线接触区完全相同，将所述硅片1放置于所述载盘上，使所述金属栅线接触区与所述镂空部01完全重合，所述载盘的结构如图2所示；
S13：将所述载盘置于有氧环境中，使所述金属栅线接触区内的硅片1被氧化，形成第一隧穿氧化层2，步骤S3所得产品如图3所示；
S14：将所述载盘置于蒸镀机内，在所述隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层3，步骤S4所得产品如图4所示；
S15：对所述硅片1进行高温硼扩散，使所述多晶硅层3转化为硼掺杂多晶硅层4，使所述硅片1未被所述隧穿氧化层覆盖的表面形成硼掺杂层5，且在所述硼掺杂多晶硅层4和硼掺杂层5表面形成第一硼硅玻璃层6，步骤S5所得产品如图5所示；
S16：对覆盖在所述硼掺杂多晶硅层4表面的第一硼硅玻璃层6进行激光推进处理，将所述硼掺杂多晶硅层4转化为重掺杂多晶硅层7，得到所述局域选择性钝化发射极，步骤S6所得产品如图6所示。
本领域技术人员可以理解，所述金属栅线接触区是预定的用于制备金属电极的区域。
本领域技术人员可以理解，制绒是本领域的常规技术手段，可以在硅片1表面形成特殊形貌，例如通过碱制绒可以得到金字塔状形貌、通过酸制绒可以得到虫孔状形貌。制绒可以提高硅片1的陷光作用。在Topcon电池领域中，一般采用碱制绒。
容易理解，所述载盘置于有氧环境中后，由于所述金属栅线接触区与所述镂空部01完全重合，所述镂空部01处的硅片1，即所述金属栅线接触区的硅片1直接暴露在有氧环境中。而非金属栅线接触区的硅片1由于与载盘直接接触，因此没有暴露在有氧环境中。故步骤S3可以只在所述金属栅线接触区内的硅片1表面形成第一隧穿氧化层2。
本领域技术人员可以理解，高温硼扩散是本领域的常规工艺。该工艺可对硅材料进行硼掺杂处理，并形成硼硅玻璃。
本领域技术人员可以理解，激光推进是本领域的常规技术手段，是指用激光处理掺杂层，使掺杂原子向基体扩散的技术手段。
本申请通过单独在金属栅线接触区制备隧穿氧化层，又通过蒸镀工艺在隧穿氧化层上制备一层多晶硅层3，再对硅片1整体进行硼掺杂、对多晶硅层3进行激光推进等处理，将蒸镀的多晶硅层3制备成重掺杂多晶硅层7，而硅片1的掺杂浓度较低，从而形成具有隧穿氧化层的选择性发射极。
在本申请的一些实施例中，所述将所述载盘置于有氧环境中，使所述金属栅线接触区内的硅片1被氧化，也在所述蒸镀机内进行。
具体而言，隧穿氧化层的制备可以通过向蒸镀机内通入氧气实现。隧穿氧化层和多晶硅层3的制备均在蒸镀机内进行，有利于简化工艺流程。
本领域技术人员可以根据公知常识合理设定隧穿氧化层的制备条件，作为示例，反应条件可以是保持所述硅片1的温度为450～550℃，同时通入氧气。
在本申请的一些实施例中，所述在所述隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层3，其中所述隧穿氧化层表面温度保持在450～550℃，所述蒸镀的蒸发源为多晶硅粉末，所述蒸镀在3×10-3～10×10-3Pa下进行。
作为示例，所述隧穿氧化层表面温度可以为450℃、470℃、500℃、520℃、550℃中的一个温度。
作为示例，所述蒸镀可以在3×10-3、5×10-3、6×10-3、8×10-3、10×10-3Pa中的一个压力下进行。
在本申请的一些实施例中，所述高温硼扩散在预定气氛中进行，所述预定气氛含有BCl3、BBr3中的至少一种，以及氧气。
在本申请的一些实施例中，所述高温硼扩散在1000～1100℃下进行。
作为示例，所述高温硼扩散可以在1000℃、1030℃、1050℃、1070℃、1100℃中的一个温度下进行。
在本申请的一些实施例中，所述多晶硅层3的厚度为50～200nm。
作为示例，所述多晶硅的厚度可以为50nm、70nm、100nm、130nm、170nm、200nm中的一个厚度。
第二方面，本申请实施例提供一种局域选择性钝化发射极，所述局域选择性钝化发射极通过第一方面任一实施例所述的方法制备得到。所述局域选择性钝化发射极是基于第一方面所述的局域选择性钝化发射极的制备方法来实现，所述局域选择性钝化发射极的具体实施方式可参照第一方面的实施例，由于所述局域选择性钝化发射极可采用第一方面任一实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
第三方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括第二方面任一实施例所述的局域选择性钝化发射极。所述太阳能电池是基于第二方面所述的局域选择性钝化发射极来实现，所述太阳能电池的具体实施方式可参照第二方面的实施例以及本领域的公知常识，由于所述太阳能电池可采用第二方面任一实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
第四方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池的制备方法包括如下步骤：
S21：提供第二方面所述的选择性钝化发射极，即步骤S6得到的选择性钝化发射极，如图6所示；
S22：去除所述第一硼硅玻璃层6，步骤S22所得产品如图7所示；
S23：通过高温氧化推进在所述重掺杂多晶硅层7和硼掺杂层5表面形成第二硼硅玻璃层8，步骤S23所得产品如图8所示；
S24：对所述硅片1的另一面除去第二硼硅玻璃层8后，进行碱抛除去硼掺杂层5，形成抛光面，步骤S24所得产品如图9所示；
S25：在所述抛光面依序制备第二隧穿氧化层9和磷掺杂多晶硅层10，步骤S25所得产品如图10所示；
S26：去除所述硅片1的一面的第二硼硅玻璃层8，步骤S26所得产品如图11所示；
S27：所述重掺杂多晶硅层7和硼掺杂层5表面依序制备钝化层和减反射层，并在所述磷掺杂多晶硅层10表面也制备减反射层，步骤S27所得产品如图12所示。
S28：在所述硅片1的一面的减反射层上，于所述金属栅线接触区中制备金属电极栅线13，步骤S28所得产品如图13所示。
容易理解，所述太阳能电池的制备方法得到的太阳能电池属于第三方面所述的太阳能电池中的一部分实施例。
本领域技术人员可以理解，金属电极栅线是本领域的常规结构，金属电极栅线的材料一般通过导电的电极浆料形成，电极浆料例如可以使用市场上应用于p-型晶硅电池的金属化银浆，例如含Pb-Te-O玻璃粉的银浆。作为示例性的制备方式，可以将电极浆料以所需的图案化的形式通过丝网印刷施加到所述硅片1上，待干燥后还可进行烧结等后处理。电极浆料形成的导电层与硅片1形成电接触，形成金属电极栅线。
在本申请的一些实施例中，所述去除所述第一硼硅玻璃层6，通过氢氟酸去除所述第一硼硅玻璃层6；和/或，
所述对所述硅片1的另一面除去第二硼硅玻璃层8，通过氢氟酸去除所述第二硼硅玻璃层8；和/或，
所述去除所述硅片1的一面的第二硼硅玻璃层8，通过氢氟酸去除所述第二硼硅玻璃层8。
下面结合具体实施例，进一步阐述本申请。应理解，这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照行业标准测定。若没有相应的行业标准，则按照通用的国际标准、常规条件、或按照制造厂商所建议的条件进行。
实施例
本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括如下步骤：
步骤一：提供n型硅片，对所述n型硅片进行制绒，在所述硅片的一面划定金属栅线接触区；
步骤二：提供具有镂空部的载盘，所述镂空部的形状、大小与分布方式与所述金属栅线接触区完全相同，将所述硅片放置于所述载盘上，使所述金属栅线接触区与所述镂空部完全重合；
步骤三：将所述载盘置于蒸镀机中，向所述蒸镀机内通入空气，并将所述硅片加热至500℃，使所述金属栅线接触区内的硅片被氧化，形成第一隧穿氧化层；
步骤四：保持所述硅片的温度为500℃，将所述蒸镀机内抽真空至压力下降至3×10-3Pa，以多晶硅粉末为蒸发源，在所述隧穿氧化层表面蒸镀50nm厚的多晶硅层；
步骤五：向低压扩散炉中通入BBr3和氧气，在1000～1100℃下对所述硅片进行高温硼扩散，使所述多晶硅层转化为硼掺杂多晶硅层，使所述硅片未被所述隧穿氧化层覆盖的表面形成硼掺杂层，且在所述硼掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第一硼硅玻璃层；
步骤六：对覆盖在所述硼掺杂多晶硅层表面的第一硼硅玻璃层进行激光推进处理，将所述硼掺杂多晶硅层转化为重掺杂多晶硅层，得到所述局域选择性钝化发射极；
步骤七：通过氢氟酸去除所述所述局域选择性钝化发射极上的第一硼硅玻璃层；
步骤八：通过高温氧化推进在所述重掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第二硼硅玻璃层；
步骤九：在链式清洗机中，通过氢氟酸对所述硅片的另一面除去第二硼硅玻璃层后，进行碱抛除去硼掺杂层，形成抛光面；
步骤十：在所述抛光面依序制备第二隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层；
步骤十一：在链式清洗机中，通过氢氟酸去除所述硅片的一面的第二硼硅玻璃层；
步骤十二：所述重掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面依序制备钝化层和减反射层，并在所述磷掺杂多晶硅层表面也制备减反射层；
步骤十三：在所述硅片的一面的减反射层上，于所述金属栅线接触区中制备金属电极栅线，即得到所述太阳能电池。
本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
在本申请说明书的描述中，术语“包括”“包含”等是指“包括但不限于”。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。在本文中，“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。对于用“和/或”描述的三项以上的关联对象的关联关系，表示这三个关联对象可以单独存在任意一项，或者其中任意至少两项同时存在，例如，对于A，和/或B，和/或C，可以表示单独存在A、B、C中的任意一项，或者同时存在其中的任意两项，或者同时存在其中三项。在本文中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“至少一种”、“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种局域选择性钝化发射极的制备方法，其特征在于，所述局域选择性钝化发射极的制备方法包括如下步骤：
提供n型硅片，对所述硅片进行制绒，在所述硅片的一面划定金属栅线接触区；
提供具有镂空部的载盘，所述镂空部的形状、大小与分布方式与所述金属栅线接触区完全相同，将所述硅片放置于所述载盘上，使所述金属栅线接触区与所述镂空部完全重合；
将所述载盘置于有氧环境中，使所述金属栅线接触区内的硅片被氧化，形成第一隧穿氧化层；
将所述载盘置于蒸镀机内，在所述隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层；
对所述硅片进行高温硼扩散，使所述多晶硅层转化为硼掺杂多晶硅层，使所述硅片未被所述隧穿氧化层覆盖的表面形成硼掺杂层，且在所述硼掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第一硼硅玻璃层；
对覆盖在所述硼掺杂多晶硅层表面的第一硼硅玻璃层进行激光推进处理，将所述硼掺杂多晶硅层转化为重掺杂多晶硅层，得到所述局域选择性钝化发射极。
2.根据权利要求1所述的局域选择性钝化发射极的制备方法，其特征在于，所述将所述载盘置于有氧环境中，使所述金属栅线接触区内的硅片被氧化，也在所述蒸镀机内进行。
3.根据权利要求2所述的局域选择性钝化发射极的制备方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化层表面蒸镀多晶硅层，其中所述隧穿氧化层表面温度保持在450～550℃，所述蒸镀的蒸发源为多晶硅粉末，所述蒸镀在3×10-3～10×10-3Pa下进行。
4.根据权利要求1所述的局域选择性钝化发射极的制备方法，其特征在于，所述高温硼扩散在预定气氛中进行，所述预定气氛含有BCl3、BBr3中的至少一种，以及氧气。
5.根据权利要求1所述的局域选择性钝化发射极的制备方法，其特征在于，所述高温硼扩散在1000～1100℃下进行。
6.根据权利要求1所述的局域选择性钝化发射极的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50～200nm。
7.一种局域选择性钝化发射极，其特征在于，所述局域选择性钝化发射极通过权利要求1～6中任意一项所述局域选择性钝化发射极的制备方法制备得到。
8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括权利要求7所述的局域选择性钝化发射极。
9.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的制备方法包括如下步骤：
提供权利要求8所述的选择性钝化发射极；
去除所述第一硼硅玻璃层；
通过高温氧化推进在所述重掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面形成第二硼硅玻璃层；
对所述硅片的另一面除去第二硼硅玻璃层后，进行碱抛除去硼掺杂层，形成抛光面；
在所述抛光面依序制备第二隧穿氧化层和磷掺杂多晶硅层；
去除所述硅片的一面的第二硼硅玻璃层；
所述重掺杂多晶硅层和硼掺杂层表面依序制备钝化层和减反射层，并在所述磷掺杂多晶硅层表面也制备减反射层；
在所述硅片的一面的减反射层上，于所述金属栅线接触区中制备金属电极栅线。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一硼硅玻璃层，通过氢氟酸去除所述第一硼硅玻璃层；和/或，
所述对所述硅片的另一面除去第二硼硅玻璃层，通过氢氟酸去除所述第二硼硅玻璃层；和/或，
所述去除所述硅片的一面的第二硼硅玻璃层，通过氢氟酸去除所述第二硼硅玻璃层。
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