CN117471267A - 一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法 - Google Patents
一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117471267A CN117471267A CN202311782940.6A CN202311782940A CN117471267A CN 117471267 A CN117471267 A CN 117471267A CN 202311782940 A CN202311782940 A CN 202311782940A CN 117471267 A CN117471267 A CN 117471267A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- time
- voltage
- test
- stage voltage
- failure time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 112
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- UXUFTKZYJYGMGO-CMCWBKRRSA-N (2s,3s,4r,5r)-5-[6-amino-2-[2-[4-[3-(2-aminoethylamino)-3-oxopropyl]phenyl]ethylamino]purin-9-yl]-n-ethyl-3,4-dihydroxyoxolane-2-carboxamide Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](C(=O)NCC)O[C@H]1N1C2=NC(NCCC=3C=CC(CCC(=O)NCCN)=CC=3)=NC(N)=C2N=C1 UXUFTKZYJYGMGO-CMCWBKRRSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，包括：构建测试系统，准备若干测试样品；对测试样品分为若干样品组，基于CVS数据分析划分为n+1级电压等级；其中一组样品组做第一级电压下的恒定电压应力试验直至样品失效，记录第一级电压值对应的第一失效时间和第一级电压失效时间；一组样品组之外的至少一组样品组做基于短时预应力的测试试验，最终在次级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，计算次级电压值对应的次级电压失效时间；根据第一级电压值、第一级电压失效时间、次级电压值、次级电压失效时间，并基于常规恒压测试结果的数据分析，获取测试样品的经时击穿特性，大幅缩短试验时间，提高测试效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法。
背景技术
对于MOSFET器件来说，栅氧可靠性是器件可靠性评估的重要部分，尤其是对于SiC这类飞速发展的第三代半导体材料，栅氧寿命的评估尤为关键。
经时击穿TDDB(time-dependent dielectric breakdown)作为一种评测栅氧可靠性的实验方法，可以通过测试器件栅介质的失效时间，检测并评价MOSFET的栅氧质量，判断器件是否满足可靠性要求。
器件栅介质的失效通常分为外在失效和内在失效，外在失效主要是由于栅介质/半导体界面微观瑕疵或缺陷引起的失效；而内在失效则是由于固有缺陷导致的，其质量水平取决于材料本身。随着材料生长及器件工艺技术的提升，外在失效率被不断降低，同时借助于器件封装测试后的筛选，可以将大量外在失效隐患的器件剔除，此时栅介质的质量更多由内在失效决定。
通过合理设计与成熟工艺，生产器件的失效时间通常在10年以上。为了测试评估这些器件的TDDB，通常采用加速寿命实验的方式，通过合理设置加速因子，使器件栅介质失效时间大幅缩短。加速因子具体又分为温度加速因子和电场/电压加速因子，前者通过提高寿命试验温度，后者通过增大试验电场/电压，达到加速失效的效果。其中，电压/电场加速因其易于操作，无需额外的温控设备，被广泛采用。
传统的电压加速采用恒定电压加速方式CVS（Constant Voltage Stress），通过施加不同的栅源恒定电压，观测器件的平均失效时间，以拟合器件不同栅电压下的栅介质寿命。通常这种方式较为可靠准确，但较高的电应力会使平均失效时间误差增大，而第一级电压和第二级电压，即太接近、差值较小时，会导致拟合精度降低，使得拟合误差增大。基于以上分析，采用CVS评估TDDB通常需要几组电应力值，而较低的电应力会导致整个试验测试时间呈指数形式的增加。另一种电压加速方式是斜坡应力法RVS（Ramp VoltageStress），通过施加不断增大的栅介质电压，观测失效时间与对应电压值。然而这种方式存在高压CVS同样的测试误差隐患，容易受到其他失效模式的影响，且利用RVS数据估计栅介质失效时间需要额外的计算转化，不够直观方便，参考文献为：Hall, Gavin&Hao, Jifa&Domeij, Martin&Neyer, Thomas. (APEC 2021). Gate oxide reliability studiesusing BTI, RVS, and CVS methods on 4H-SiC MOSFETs。
因此，对于TDDB预测的准确性和试验时长之间存在一定的矛盾关系，现有方式难以兼得。
发明内容
技术目的：本发明的目的是提供一种经时击穿的测试方法，用于高效评估栅介质寿命与质量，基于一组样品组在第一级电压下的第一失效时间的测试获取，进行另一样品组在第一级电压下低于第一失效时间的第一应力时间测试，然后在次级电压下继续测试以获得次级电压失效时间，由第一级电压值、第一级电压值对应的第一级电压失效时间、次级电压值、次级电压值对应的次级电压失效时间，拟合计算出测试样品的经时击穿特性，实现测试样品的栅介质寿命评估。
技术方案：为实现上述技术目的，本发明采用以下技术方案。
一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，包括以下步骤：
构建测试系统，准备若干测试样品；
将测试样品分为若干样品组，基于CVS数据分析划分为n+1级电压等级；第一级电压为高电压，第2,3,...,n+1级为次级，次级电压均为较高电压，；
其中一组样品组做第一级电压下的恒定电压应力试验直至样品失效，记录第一级电压值对应的第一失效时间和第一级电压失效时间；
一组样品组之外的至少一组样品组做基于短时预应力的测试试验，包括：先对样品组施加短时预应力，进而在次级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，计算次级电压值对应的次级电压失效时间；
根据第一级电压值、第一级电压值对应的第一级电压失效时间、次级电压值、次级电压值对应的次级电压失效时间，并基于常规恒压测试结果的数据分析，获取测试样品的经时击穿特性。
优选地，所述基于短时预应力的测试试验过程包括：
先对样品组施加短时预应力：即先在所述第一级电压下进行恒定电压应力试验，持续第一应力时间；
当时，依次在第/>级电压下进行恒定电压试验，持续第/>应力时间，；
第级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，记录第/>级电压值对应的第/>失效时间；
根据第一级电压失效时间、第一应力时间、第二级电压失效时间、第二应力时间、…最后一级失效时间计算得到最后一级电压值对应的最后一级电压失效时间。
优选地，所述根据第一级电压失效时间、第一应力时间、第二级电压失效时间、第二应力时间、…最后一级失效时间计算得到最后一级电压值对应的最后一级电压失效时间，包括：
第一失效时间为第一级电压失效时间；
根据第二失效时间、第一应力时间和第一级电压失效时间计算得到第二级电压失效时间；
根据第三失效时间、第一应力时间、第一级电压失效时间、第二应力时间和第二级电压失效时间计算得到第三级电压失效时间；
以此类推，根据第失效时间、第一应力时间、第一级电压失效时间、第二应力时间、第二级电压失效时间、…、第/>应力时间、第/>级电压失效时间计算得到第/>级电压失效时间。
优选地，所述第级电压失效时间的计算公式为：
，
其中，为第/>级电压失效时间，/>为第/>失效时间，/>为第/>级电压，，且/>也是次级电压的个数；/>为第/>应力时间，/>为第/>级电压失效时间，/>。
优选地，在取值时，，其中，/>为第/>级电压。
优选地，当时，/>，/>。
优选地，当时，/>，/>。
优选地，所述第一级电压根据产品经验或RVS结果估算后合理设置，使得获取的第一级电压失效时间的范围为5h – 50h。
有益效果：本发明通过基于一组样品组在第一级电压下的第一失效时间的测试获取，进行另一样品组在第一级电压下低于第一失效时间的第一应力时间测试，然后在次级电压下继续测试以获得次级失效时间，并计算次级电压失效时间，由第一级电压值、第一级电压值对应的第一级电压失效时间、次级电压值、次级电压值对应的次级电压失效时间，拟合计算出测试样品的经时击穿特性，实现测试样品的栅介质寿命评估；此外通过合理设置以上参数，可在保障试验精度的条件下，大幅缩短试验时间，提高测试效率。
附图说明
图1为本发明的方法流程图；
图2为本发明实施例2中传统测试方法实现的数据拟合示意图；
图3为本发明实施例2中本发明方法实现的数据拟合示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明做进一步的说明和解释。
一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，包括以下步骤：
构建测试系统，准备若干测试样品，待测试样品应通过常规电特性测试；在本发明的一些实施例中，测试系统可采用分立器件测试仪和高温栅偏台组成的系统，其中分立器件测试仪用于样品的常规电特性测试，高温栅偏台用于施加栅极电应力时的失效时间观测。
对测试样品分为若干样品组，基于CVS数据分析划分为n+1级电压等级；第一级电压为高电压，第2,3,...,n+1级为次级，次级电压均为较高电压，；对于功率器件，可采用实测当Igss漏电达到30nA~1uA时对应的栅源电压作为第一级电压，即高电压，低于高电压值的电压为较高电压；本发明中，高电压的取值与功率器件相关，具体来说，是与功率器件的栅介质参数相关；例如对于器件采用50nm厚的栅介质，采用40V作为高电压进行测试，对于器件采用70nm厚的栅介质，采用58V作为高电压进行测试；较高电压为比高电压低的电压。
其中一组样品组做第一级电压下的恒定电压应力试验直至样品失效，记录第一级电压值对应的第一失效时间和第一级电压失效时间；
一组样品组之外的至少一组样品组做基于短时预应力的测试试验，包括：先对样品组施加短时预应力，进而在次级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，计算次级电压值对应的次级电压失效时间；
根据第一级电压值、第一级电压值对应的第一级电压失效时间、次级电压值、次级电压值对应的次级电压失效时间，并基于常规恒压测试结果的数据分析，获取测试样品的经时击穿特性。
所述基于短时预应力的测试试验过程包括：
先对样品组施加短时预应力：即先在所述第一级电压下进行恒定电压应力试验，持续第一应力时间；
当时，依次在第/>级电压下进行恒定电压试验，持续第/>应力时间，；
在第级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，记录第/>级电压值对应的第/>失效时间；
根据第一级电压失效时间、第一应力时间、第二级电压失效时间、第二应力时间、…最后一级失效时间计算得到最后一级电压值对应的最后一级电压失效时间，包括：
第一失效时间为第一级电压失效时间；
根据第二失效时间、第一应力时间和第一级电压失效时间计算得到第二级电压失效时间；或试验得到第二级电压失效时间；
根据第三失效时间、第一应力时间、第一级电压失效时间、第二应力时间和第二级电压失效时间计算得到第三级电压失效时间；
以此类推，根据第失效时间、第一应力时间、第一级电压失效时间、第二应力时间、第二级电压失效时间、…、第/>应力时间、第/>级电压失效时间计算得到第/>级电压失效时间。
所述第级电压失效时间的计算公式为：
，
其中，为第/>级电压失效时间，/>为第/>失效时间，/>为第/>级电压，，且/>也是次级电压的个数，在本发明的一些实施例中，/>不超过5；/>为第/>应力时间，为第/>级电压失效时间，/>。
实施例1
如附图1所示，本实施例的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，包括以下步骤：
S1、搭建好测试系统，准备若干测试样品；测试样品用于后续分组测试，原则上每组样品数量越多精度越准确，但耗费的资源越多，建议每组样品数不低于9只；
S2、取部分测试样品，构成第一样品组，在第一级电压下进行恒定电压应力试验，获取第一样品组中样品在第一级电压/>下的第一失效时间/>，第一失效时间/>同时也是第一级电压失效时间/>，即/>；所述第一级电压/>可由产品经验或RVS结果估算后合理设置，使得获取的第一级电压失效时间/>范围为5h – 50h，优选范围是10h – 30h。
S3、取第一样品组外的部分测试样品，构成第二样品组，在第一级电压下进行恒定电压应力试验，试验持续第一应力时间/>，且第一应力时间/>短于第一失效时间/>；在本发明的一些实施例中，第一应力时间/>取值范围为50%/>– 95%/>，优选范围是70%/>– 90%/>。
S4、继续对第二样品组在第二级电压下进行恒定电压应力试验，获取第二样品组中样品在第二级电压下的第二失效时间/>，其中第二级电压/>低于第一级电压/>；在本发明的一些实施例中，第二级电压/>取值范围为80%/>-98%/>，优选范围是85%/>-95%/>。
S5、根据第一级电压失效时间、第一应力时间/>和第二失效时间/>，计算第二级电压失效时间/>，计算方法为/>；
S6、根据第一级电压、第一级电压失效时间/>、第二级电压/>和第二级电压失效时间/>进行基于常规恒压测试结果的数据分析，获取样品的经时击穿特性。
在本发明的一些其他实施例中，在步骤S5之后、S6之前，基于第二级电压和第二级电压失效时间/>，进行额外样品组的分析，以提升S6中数据分析的准确度，具体包括：
S5-1、取第一样品组和第二样品组外的部分测试样品，构成第三样品组，在第一级电压下进行恒定电压应力试验，试验持续第一应力时间/>，且第一应力时间/>短于第一失效时间/>；
S5-2、继续对第三样品组在第二级电压下进行恒定电压应力试验，试验持续第二应力时间/>，且第二应力时间/>短于第二失效时间/>，在本发明的一些实施例中，第二应力时间/>取值范围为30%/>-95%/>，优选范围是60%/>-90%/>；
S5-3、进一步对第三样品组在第三级电压下进行恒定电压应力试验，获取第三样品组在第三级电压下的第三失效时间/>，，其中第三级电压/>低于第二级电压/>，在本发明的一些实施例中，第三级电压/>取值范围为80%/>-98%/>，优选范围是88%/>-96%；
S5-4根据第一级电压失效时间、第一应力时间/>、第二级电压失效时间/>，第二应力时间/>、第三失效时间/>，计算第三级电压失效时间/>，计算方法为。
需要说明的是，以上数据的取值可根据实际情况进行调整，当n=1，即只有2个点做拟合时，横坐标必须有一定的间距，即U1和U2之间的差值要大，否则拟合度会很差；但当n≥2时，后续的间距可以适当缩短，故U3与U2的差值可以小于U2与U1的差值。其次当两个电压差值变小时，相应的加速效果会变差，从拟合准确度提升角度考量，可以建议当U3与U2取较小间距时，对应的不必设置过大。反之当U3与U2间距较大，即U3取值较小时，得保证/>不能过小，否则后续测量U3下的失效时间会很长。
本实施例中，第一级电压失效时间通过试验获取，就是第一失效时间/>；
时，第/>级电压失效时间/>都通过公式计算获取。
此外，本发明在每个样品组实验过程中，每一级的失效时间都是该组样品的统计均值，具体可基于高斯（Gauss）分布提取或基于威布尔（Weibull）分布提取，实验过程中，若出现样品失效，则该样品不参加后续实验。
实施例2
在本实施例中，首先举例说明常规的TDDB测试方法。采用13只器件作为样本容量，将待测试样品编号后，取1号~13号样品作为第一样品组，将该组器件的漏源接0V，栅源Vgs加第一级电压=40V，观测器件依次失效的时间，本实施例中采用高斯分布提取均值，即将第7只器件失效时间记录为40V下的平均失效时间/>。例如，13只器件失效时间分别为：1h、6h、7h、8h、9h、9h、10h、10h、10h、11h、12h、12h、14h，则/>=10h。
其后取14号~26号样品为第二样品组，将该组器件的漏源接0V，栅源Vgs加第二级电压=37V，观测器件依次失效的时间，将第7只器件失效时间记录为37V下的平均失效时间/>。例如，13只器件失效时间分别为：17h、35h、78h、83h、92h、97h、100h、107h、111h、115h、121h、162h、142h，则/>=100h。
根据设定的、/>和试验获得的/>、/>，在如图2所示的y轴对数坐标中绘制样点并进行拟合，即可获得器件的经时击穿特性。通过图2曲线的外推，可推断该批次器件在20V下的平均栅介质失效时间大于1E7 h，总试验时长约110h（每组试验可仅进行到第7只样品坏）。
可以进一步增加测试电压进行试验，例如增加=35V，试验该电压下的平均失效时间TU3，以扩充图2中的数据点数，提升拟合精度。但本例中35V下的平均失效时间接近500h，进行该项试验会占用大量的资源，这也是本发明所要改进的地方。
接下来说明基于本实施例的TDDB测试方法，具体流程如图1所示。
假设仍用上述器件开展试验，仍选取=40V，获得/>=10h，然后针对编号14号~26号的第二样品组施加电压/>=40V，持续/>=8h，假设该过程中3只失效，失效时间分别为3h、6h、7h，将该组剩余未失效样品继续施加/>=37V电压，失效时间分别为5h、14h、17h、20h、25h、27h、28h、31h、31h、34h，则/>=20h，可计算/>=20h/(1-8h/10h)=100h，进而可开展类似图2的拟合分析。
进一步，将编号27号~39号样品施加电压=40V，持续/>=8h，再施加电压/>=37V，持续/>=15h，最终在/>=35V下测试失效时间/>，如/>=26h，可计算/>=520h，如图3所示，将3组数据代入拟合即可获得该批次的经时击穿特性，此时总耗时约50h，耗时显著降低。
本发明通过获取高压CVS对应的失效时间，在开展低压CVS试验时，对待测试样品进行高压CVS的短时预应力，可在不显著降低试验准确性的前提下大幅缩减试验时间，实现试验时间和试验精度的兼顾。同时本发明可进一步外推至多电压测试情况，进一步提升拟合分析的准确度。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
构建测试系统，准备若干测试样品；
将测试样品分为若干样品组，基于CVS数据分析划分为n+1级电压等级；第一级电压为高电压，第2,3,...,n+1级为次级，次级电压均为较高电压，；对于功率器件，当栅极驱动漏电流达到30nA~1uA时对应的栅源电压作为第一级电压，即高电压，低于高电压值的电压为较高电压；
其中一组样品组做第一级电压下的恒定电压应力试验直至样品失效，记录第一级电压值对应的第一失效时间和第一级电压失效时间；
一组样品组之外的至少一组样品组做基于短时预应力的测试试验，包括：先对样品组施加短时预应力，进而在次级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，计算次级电压值对应的次级电压失效时间；
根据第一级电压值、第一级电压值对应的第一级电压失效时间、次级电压值、次级电压值对应的次级电压失效时间，并基于常规恒压测试结果的数据分析，获取测试样品的经时击穿特性。
2.根据权利要求1所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于：所述基于短时预应力的测试试验过程包括：
先对样品组施加短时预应力：即先在所述第一级电压下进行恒定电压应力试验，持续第一应力时间；
当时，依次在第/>级电压下进行恒定电压试验，持续第/>应力时间，/>；
第级电压下进行恒定电压应力试验直至样品失效，记录第/>级电压值对应的第失效时间；
根据第一级电压失效时间、第一应力时间、第二级电压失效时间、第二应力时间、…最后一级失效时间计算得到最后一级电压值对应的最后一级电压失效时间。
3.根据权利要求2所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于，所述根据第一级电压失效时间、第一应力时间、第二级电压失效时间、第二应力时间、…最后一级失效时间计算得到最后一级电压值对应的最后一级电压失效时间，包括：
第一失效时间为第一级电压失效时间；
根据第二失效时间、第一应力时间和第一级电压失效时间计算得到第二级电压失效时间；
根据第三失效时间、第一应力时间、第一级电压失效时间、第二应力时间和第二级电压失效时间计算得到第三级电压失效时间；
以此类推，根据第失效时间、第一应力时间、第一级电压失效时间、第二应力时间、第二级电压失效时间、…、第/>应力时间、第/>级电压失效时间计算得到第/>级电压失效时间。
4.根据权利要求3所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于，所述第级电压失效时间的计算公式为：
，
其中，为第/>级电压失效时间，/>为第/>失效时间，/>为第/>级电压，/>，且/>也是次级电压的个数；/>为第/>应力时间，/>为第/>级电压失效时间，/>。
5.根据权利要求4所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于：在取值时，，其中，/>为第/>级电压。
6.根据权利要求5所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于：当时，/>，/>。
7.根据权利要求5所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于：当时，/>，/>。
8.根据权利要求1所述的一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法，其特征在于：所述第一级电压根据产品经验或RVS结果估算后合理设置，使得获取的第一级电压失效时间的范围为5h – 50h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311782940.6A CN117471267B (zh) | 2023-12-22 | 2023-12-22 | 一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311782940.6A CN117471267B (zh) | 2023-12-22 | 2023-12-22 | 一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117471267A true CN117471267A (zh) | 2024-01-30 |
| CN117471267B CN117471267B (zh) | 2024-03-12 |
Family
ID=89636463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311782940.6A Active CN117471267B (zh) | 2023-12-22 | 2023-12-22 | 一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117471267B (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040145384A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-07-29 | International Business Machines Corporation | Circuitry And Methodology To Establish Correlation Between Gate Dielectric Test Site Reliability and Product Gate Reliability |
| CN1588102A (zh) * | 2004-08-19 | 2005-03-02 | 信息产业部电子第五研究所 | 在高温恒定电场中与时间有关的介质击穿试验方法 |
| CN101702005A (zh) * | 2009-10-28 | 2010-05-05 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 与时间相关电介质击穿的并行测试电路 |
| CN203800018U (zh) * | 2014-03-28 | 2014-08-27 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 测试单元以及测试结构 |
| CN104182582A (zh) * | 2014-08-22 | 2014-12-03 | 中国航空综合技术研究所 | 一种基于仿真技术的半导体器件tddb失效测试方法 |
| CN106124954A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-16 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 碳化硅二极管和mos管动态测试的限流保护方法及系统 |
| US10014231B1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-03 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus to model and monitor time dependent dielectric breakdown in multi-field plate gallium nitride devices |
| CN110600390A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-12-20 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | Tsv结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备 |
| US20200141995A1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-07 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Time Dependent Dielectric Breakdown Test Structure and Test Method Thereof |
| CN112986772A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-06-18 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种电介质击穿测试电路及其测试方法 |
-
2023
- 2023-12-22 CN CN202311782940.6A patent/CN117471267B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040145384A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-07-29 | International Business Machines Corporation | Circuitry And Methodology To Establish Correlation Between Gate Dielectric Test Site Reliability and Product Gate Reliability |
| CN1588102A (zh) * | 2004-08-19 | 2005-03-02 | 信息产业部电子第五研究所 | 在高温恒定电场中与时间有关的介质击穿试验方法 |
| CN101702005A (zh) * | 2009-10-28 | 2010-05-05 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 与时间相关电介质击穿的并行测试电路 |
| CN203800018U (zh) * | 2014-03-28 | 2014-08-27 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 测试单元以及测试结构 |
| CN104182582A (zh) * | 2014-08-22 | 2014-12-03 | 中国航空综合技术研究所 | 一种基于仿真技术的半导体器件tddb失效测试方法 |
| CN106124954A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-11-16 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 碳化硅二极管和mos管动态测试的限流保护方法及系统 |
| US10014231B1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-03 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus to model and monitor time dependent dielectric breakdown in multi-field plate gallium nitride devices |
| US20200141995A1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-07 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Time Dependent Dielectric Breakdown Test Structure and Test Method Thereof |
| CN110600390A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-12-20 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | Tsv结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备 |
| CN112986772A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-06-18 | 晶芯成(北京)科技有限公司 | 一种电介质击穿测试电路及其测试方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "半导体技术", 中国无线电电子学文摘, no. 06, 25 December 2007 (2007-12-25) * |
| 范焕章;孙沩;: "与时间有关的介质膜击穿的测量及分析", 上海师范大学学报(自然科学版), no. 01 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117471267B (zh) | 2024-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kim et al. | Change in PD pattern with aging | |
| CN101089642B (zh) | 一种加速热载流子注入测试的方法 | |
| CN110260907B (zh) | 一种用于传感器的温度应力无失效加速寿命试验方法 | |
| CN102692543B (zh) | 一种基于栅控漏极产生电流提取mosfet平带电压和阈值电压的方法 | |
| CN117471267B (zh) | 一种用于评估栅介质经时击穿的测试方法 | |
| CN112285513A (zh) | 基于电压耐受指数的交流电压下油纸绝缘快速发展型放电界定方法 | |
| Chihani et al. | Temperature and voltage effects on HTRB and HTGB stresses for AlGaN/GaN HEMTs | |
| CN108051722A (zh) | 热载流子注入效应的寿命评估方法和系统 | |
| Wei et al. | Partial discharge characteristics and trap parameters of aged oil-impregnated paper | |
| Liu | Highly accelerated life stress testing (HALST) of base-metal electrode multilayer ceramic capacitors | |
| Okada et al. | A new model for dielectric breakdown mechanism of silicon nitride metal-insulator-metal structures | |
| CN116840670A (zh) | 一种GaN功率转换器件的开关寿命评估方法 | |
| CN103995222B (zh) | 开关管的开启电压测试方法 | |
| CN109975131B (zh) | 一种树脂灌封产品贮存老化缺陷的检测方法 | |
| CN114184927A (zh) | 晶闸管寿命评估方法 | |
| CN109522617B (zh) | AlGaN/GaNHEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法 | |
| Chen et al. | In-situ prognostic method of power MOSFET based on miller effect | |
| Barr et al. | High Voltage GaN Switch Reliability | |
| Aziz et al. | Identifying prognostic indicators for electrical treeing in solid insulation through PD analysis | |
| CN115902546A (zh) | 一种电缆绝缘寿命指数测定方法 | |
| CN113049921B (zh) | Tddb测试结构、tddb测试系统及其测试方法 | |
| Mengotti et al. | High Temperature Gate Voltage Step-by-Step Test to Assess Reliability Differences in 1200 V SiC MOSFETs | |
| Ryan et al. | On the contribution of bulk defects on charge pumping current | |
| CN117890745A (zh) | 一种基于闪烁噪声的预测半导体器件寿命的方法 | |
| Aziz et al. | Identifying prognostic indicators for electrical treeing in solid insulation through pulse sequence analysis |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |