CN117467427A - 量子点复合微球、量子点复合微球膜及其制备方法 - Google Patents
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- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 291
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract description 8
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 70
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- -1 amino, carboxyl Chemical group 0.000 claims description 9
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910018219 SeTe Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- FESBVLZDDCQLFY-UHFFFAOYSA-N sete Chemical compound [Te]=[Se] FESBVLZDDCQLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 4
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 229920005553 polystyrene-acrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 21
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
- C25D9/02—Electrolytic coating other than with metals with organic materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明提供一种量子点复合微球、量子点复合微球膜及其制备方法，其中，所述量子点复合微球包括：内核、吸附在所述内核表面的量子点层以及包覆于所述量子点层表面的外壳层，其中，所述外壳层的表面连接有带有可电离的端基的聚合物配体。本发明通过在所述量子点复合微球的所述外壳层上设置有所述聚合物配体，所述聚合物配体带有可电离的端基，当所述量子点复合微球溶解在溶剂中后，所述量子点复合微球带有正电荷或负电荷，在电沉积过程中所述量子点复合微球在正电极或负电极沉积，由此可得到包含此量子点复合微球的量子点复合微球膜。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种量子点复合微球、量子点复合微球膜及其制备方法。
背景技术
纳米材料是指其结构单元的尺寸介于1纳米至100纳米范围之间的材料。由于其尺寸已经接近电子的相干长度，因为强相干所带来的自组织使得纳米材料性质发生很大变化。并且，由于纳米材料尺度已经接近光的波长，具有体积效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等，其在熔点、磁性、光学、导热、导电特性等方面具有独特的性质，故其在很多领域都有重要的应用价值。
量子点(Quantum Dot，简称QD)就是一类典型的纳米材料，其具备小尺寸、高能量转换效率等特点，在照明、显示技术、太阳能电池、光开关、传感及检测等领域都有十分重要的应用前景。并且，量子点还具有高亮度、窄发射、发光颜色可调、稳定好等特性，很符合显示技术领域超薄、高亮、高色域、高色饱的发展趋势，因此在近年来成为了最具潜力的显示技术新材料。
量子点等纳米材料的图案化技术的开发对于其在发光二极管(light-emittingdiode，LED)、显示技术、太阳能电池、光开关、传感及检测等领域的应用都具有重要价值。目前，量子点的图案化技术主要有喷墨打印和光刻，在光刻制程中，高温加热、紫外固化以及显影液的冲洗，都会影响量子点复合微球的稳定性；在打印制程中，对打印墨水的性能要求过高，目前尚不具有成熟稳定的量产材料体系，此外，喷墨打印量子点的重复性差，制备时间长，且加工精度较低，无法满足高像素密度器件的需求。以上缺陷都极大的限制了量子点的发展和应用。已知的一种新的量子点图案化技术利用电沉积方法加工量子点图案化薄膜，其中，为了避免因量子点材料的自吸收效应导致量子点图案化薄膜的光致发光效率较低，已有研究通过二氧化硅等材料包覆的量子点微球，通过加设的外壳的间隔作用避免量子点材料的自吸收效应的发生，从而提升所制备的量子点薄膜的发光效率，同时，已有研究通过添加聚合物到二氧化硅等材料包覆的量子点微球中，以避免采用电沉积方法所制备得到的图案的形貌较差，以及所制备的量子点薄膜存在开裂等问题，但是，聚合物在电沉积过程中会在正负电极同时沉积，会导致制备多色的量子点图案出现问题。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点复合微球、量子点复合微球膜及其制备方法，旨在一定程度上解决现有的量子点微球在电沉积过程中在正负电极同时沉积，从而导致制备多色的量子点图案的效果不佳的技术问题。
第一方面，本发明的实施例提供一种量子点复合微球，包括：内核、吸附在所述内核表面的量子点层以及包覆于所述量子点层表面的外壳层，其中，所述外壳层的表面连接有带有可电离的端基的聚合物配体。
在本发明的一些实施例中，所述可电离的端基为氨基、羧基、巯基、羟基、羰基或硅烷氧基中的一种或多种。
在本发明的一些实施例中，所述聚合物配体的分子量为200-5000。
在本发明的一些实施例中，所述量子点层内的量子点选自单一结构的量子点、核壳结构的量子点、钙钛矿量子点或复合量子点中的至少一种。
在本发明的一些实施例中，所述单一结构的量子点选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种；
所述核壳结构的量子点包括发光核和包覆所述发光核的保护层，其中，所述发光核选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种，所述保护壳选自CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS和ZnO中的至少一种；
所述钙钛矿量子点选自CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的至少一种；以及
所述复合量子点选自水凝胶装载量子点结构或CdSe-SiO2中的一种。
在本发明的一些实施例中，所述内核和所述外壳层的材料选自无机材料或有机材料。
在本发明的一些实施例中，所述无机材料为二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化锆、硫酸钡或二氧化钛中的至少一种，所述有机材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
在本发明的一些实施例中，所述量子点复合微球的直径为60-400nm。
在本发明的一些实施例中，所述内核的直径为30-150nm；和/或
所述量子点层内的量子点的直径为10-20nm；和/或
所述外壳层的厚度为10-50nm。
第二方面，本实施例提供一种量子点复合微球膜，包括所述的量子点复合微球。
第三方面，本实施例提供一种量子点复合微球膜的制备方法，包括步骤：
提供分散有量子点复合微球的有机溶剂；
将所述分散有量子点复合微球的有机溶剂涂覆于图案化的电极基板上，通过电沉积得到所述量子点复合微球膜。
本发明提供的量子点复合微球，通过在所述量子点复合微球的所述外壳层上设置有所述聚合物配体，所述聚合物配体带有可电离的端基，当所述量子点复合微球溶解在溶剂中后，所述聚合物配体上的可电离端基使得所述量子点复合微球带有正电荷或负电荷，从而有利于后续通过电沉积的制程制备得到多色的量子点图案，且因所述聚合物配体的相对分子质量较高，可得到致密且均匀的薄膜，进而可避免所制备得到的所述量子点复合微球膜的膜面开裂的技术问题，以得到高精度、高效率、形貌良好的多色的量子点图案。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的量子点复合微球的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的量子点复合微球的制备流程示意图；
图3是本发明实施例提供的电沉积的流程示意图；
图4是本发明实施例提供的电极基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的基于量子点复合微球所制备的红绿双色的色转换层阵列结构的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的基于量子点所制备的红绿双色的色转换层阵列结构的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的量子点复合微球的扫描电镜图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括一个或者多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本发明实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本发明实施例说明书公开的范围之内。具体地，本发明实施例说明书中所述的重量可以是ug、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
如图1所示，本发明实施例提供了一种量子点复合微球，所述量子点复合微球包括内核10、吸附在所述内核10表面的量子点层20以及包覆于所述量子点层20表面的外壳层30，其中，所述外壳层30的表面连接有带有可电离的端基的聚合物配体40。
本实施例中，所提供的所述量子点复合微球为三明治结构的量子点复合微球，其中，所述量子点层20上包覆有所述外壳层30，所述外壳层30能够有效地减少所述量子点层20内的量子点的自吸收，从而提高所述量子点层20的发光效率，同时，所述外壳层30还能够有效地阻碍水氧对所述量子点层20的侵蚀，从而可提升所述量子点层30的稳定性，进而可以提升所制备的量子点复合微球的稳定性。
进一步地，在本实施例所提供的量子点复合微球还包括设置在所述外壳层30上的所述聚合物配体40，所述聚合物配体40带有可电离的端基，当所述量子点复合微球溶解在极性溶剂中后，例如，乙醇、丙二醇甲醚醋酸酯、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、乙酸乙酯等，所述聚合物配体40上的可电离端基发生电离，使得所述量子点复合微球带有正电荷或负电荷，由于所述量子点复合微球带有单一的正电荷或负电荷，在电沉积过程中所述量子点复合微球在正极或负电极沉积，有利于后续通过电沉积的制程制备得到多色的量子点图案，同时，由于所述聚合物配体40的相对分子质量较高，因此在所述量子点复合微球通过电沉积得到的量子点复合微球膜内各量子点复合微球之间填充了所述聚合物配体40，从而可得到致密且均匀的薄膜，进而可避免所制备得到的所述量子点复合微球膜的膜面开裂的问题，从而得到高精度、高效率、形貌良好的多色的量子点图案。
可理解地，在本实施例中，若所述量子点复合微球仅包括内核10、吸附于所述内核10表面的量子点层20以及包覆于所述量子点层20的外壳层30，因所述外壳层30上未修饰有配体，则采用所述量子点复合微球在通过电沉积制备得到量子点复合微球膜的过程中，所述量子点复合微球与电极的粘附力较弱容易从电极上脱落，且所制备的量子点复合微球膜内部仅由多个所述量子点复合微球堆叠而成，必然会存在有多个缝隙和裂纹，从而导致所制备的量子点复合微球膜的性能差。
具体地，所述可电离的端基为氨基、羧基、巯基、羟基、羰基或硅烷氧基中的一种或多种。
在本实施例中，所述可电离的端基为氨基、羧基、巯基、羟基、羰基或硅烷氧基中的一种或多种，所述聚合物配体可选自带有所述可电离的端基的聚乙二醇(PEG)、聚苯酚、聚丙烯酰胺或聚乙烯醇等。
在本实施例中，由于所述聚合物配体带有所述可电离的端基，当所述量子点复合微球分散于溶液中时，连接于所述外壳层上的所述聚合物配体使得所述量子点复合微球带正电荷或负电荷，例如，当所述聚合物配体的端基为羧基、羟基或巯基时，将所述量子点复合微球分散于丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或二甲基甲酰胺(DMF)中时，所述量子点复合微球带负电荷，而当所述聚合物配体的端基为氨基时，将所述量子点复合微球分散于乙醇中时，所述量子点复合微球带正电荷。
进一步地，所述所述聚合物配体的相对分子质量为200-5000。
在本实施例中，所述聚合物配体的相对分子质量越高则表示所述聚合物配体的分子链的长度越长，而所述聚合物配体的分子链的长度会对所述量子点复合微球的分散性造成影响，若所述聚合物配体的相对分子质量过高，则会导致所述量子点复合微球的分散性变差，进而影响采用所述量子点复合微球所制备的量子点复合微球膜的性能，而若所述聚合物配体的相对分子质量过低，则会导致所述量子点复合微球所制备的量子点复合微球膜内存在多个缝隙和裂纹，也会导致所制备的量子点复合微球膜的性能差。因此，在本实施例中，选用相对分子质量为200-5000的所述聚合物配体对所述量子点复合微球的所述外壳层进行修饰。
其中，若所述聚合物配体为Silane-PEG-COOH时，优选地，所述聚合物配体中的PEG的分子量为400-3000。
进一步地，所述量子点壳层内的量子点选自单一结构的量子点、核壳结构的量子点、钙钛矿量子点或复合量子点中的至少一种。
具体地，在本实施例中，所述单一结构的量子点选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种；所述核壳结构的量子点包括发光核和包覆所述发光核的保护层，其中，所述发光核选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种，所述保护壳选自CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS和ZnO中的至少一种；所述钙钛矿量子点选自CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的至少一种；以及所述复合量子点选自水凝胶装载量子点结构或CdSe-SiO2中的一种。可理解地是，本申请中所使用的所述量子点壳层内的量子点不限于以上的几种，可根据实际情况对所采用的所述量子点壳层内的量子点进行更换。
可理解地，在本实施例中，所述量子点壳层内的量子点可以是红色量子点、绿色量子点或蓝色量子点，其中，以所述核壳结构的量子点为例，若所述核壳结构的量子点的所述发光核为InAs、CdSe及Cd2SeTe中的一种或多种，所述保护壳为CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS及ZnO中的一种或多种时，所述核壳结构的量子点为所述红色量子点；若所述核壳结构的量子点的所述发光核为ZnCdSe2、InP及Cd2SSe中的一种或多种，所述保护壳为CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS及ZnO中的一种或多种时，所述核壳结构的量子点为所述绿色量子点。
进一步地，在本实施例中，所述内核和所述外壳层的材料选自无机材料或有机材料，其中，所述无机材料为二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化锆、硫酸钡或二氧化钛中的至少一种，所述有机材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
需说明的是，在本实施例中，所述内核和所述外壳层的材料可相同，也可不同，在此不做进一步的限定。
更进一步地，在本实施例中，所述量子点复合微球的直径为60-400nm。
可理解地，在本实施例中，所述量子点复合微球的直径与所制备的所述量子点复合微球膜的厚度相关，在发光亮度一定的条件下，若所述量子点复合微球的直径过大，则会导致所制备的所述量子点复合微球膜的厚度过大，而若所述量子点复合微球的直径过小，则易导致所制备的所述量子点复合微球膜的性能不稳定。更优选地，所述量子点复合微球的直径为200-300nm。
其中，在本发明的一些实施例中，所述内核的直径为30-150nm；和/或所述量子点层内的量子点的直径为10-20nm；和/或所述外壳层的厚度为10-50nm。
在本实施例中，所述量子点复合微球为三明治结构，作为中间层的所述量子点层内的多个量子点吸附于所述内核表面，若所述外壳层的尺寸过大，即所述外壳层的占比过多，导致所述量子点复合微球中量子点的含量较低，而若所述外壳层的尺寸过小，则会导致不同的所述量子点复合微球中的量子点因间距过小，进而导致所述量子点复合微球中的量子点所发出的光被其他所述量子点复合微球中的量子点所吸收，所制备的所述量子点复合微球膜的发光效率降低。
可理解地，所述内核尺寸过小，则会导致所吸附的量子点的数量较少，即所形成的所述量子点层内的量子点的数量偏低，由于所述量子点层内的量子点的数量偏低，所述量子点复合微球的发光效率自然也偏低，而若所述内核尺寸过大，则会直接导致所述量子点复合微球的尺寸过大，进而影响所制备的所述量子点复合微球膜的成膜均匀性。
本实施例中，优选地，当所述内核的直径为30-150nm，所述量子点层内的量子点的直径为10-20nm，以及所述外壳层的厚度为10-50nm时，采用所述量子点复合微球所制备的所述量子点复合微球膜的发光效率高，且性质稳定，不易开裂。
如图2所示，本实施例还提供有一种量子点复合微球的制备方法，所述量子点复合微球的制备方法包括：(1)提供一内核；(2)在所述内核表面吸附一层量子点，形成量子点层；(3)在所述量子点层表面包覆一层外壳，形成外壳层；(4)在所述外壳层上连接聚合物配体。
其中，所述内核和所述外壳层的材料选自无机材料或有机材料，其中，所述无机材料为二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化锆、硫酸钡或二氧化钛中的至少一种，所述有机材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
所述量子点层内的量子点选自单一结构的量子点、核壳结构的量子点、钙钛矿量子点或复合量子点中的至少一种。其中，所述单一结构的量子点选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe或InAs中的至少一种；所述核壳结构的量子点包括发光核和包覆所述发光核的保护层，其中，所述发光核选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe或InAs中的至少一种，所述保护层选自CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS或ZnO中的至少一种；所述钙钛矿量子点选自CsPbCl3、CsPbBr3或CsPbI3中的至少一种；以及所述复合量子点选自水凝胶装载量子点结构或CdSe-SiO2中的一种。可理解地是，本申请中所使用的所述量子点壳层内的量子点不限于以上的几种，可根据实际情况对所采用的所述量子点壳层内的量子点进行更换。
另一方面，本实施例提供一种量子点复合微球膜，包括所述的量子点复合微球。
进一步地，本实施例还提供一种量子点复合微球膜的制备方法，包括步骤：
S10、提供分散有量子点复合微球的有机溶剂；
S20、将所述分散有量子点复合微球的有机溶剂涂覆于图案化的电极基板上，通过电沉积得到所述量子点复合微球膜。
具体地，在本实施例中，如图3所示，所述量子点复合微球100可通过电沉积的方式制备得到所述量子点复合微球膜，即通过电场可驱动带电荷的所述量子点复合微球100运动到与带电荷的所述量子点复合微球100具有相反电性的电极200上，并在所述电极200上聚集和沉积，其中，所述电极200为设置于一基板300上的电极。
本实施例中，先将所述量子点复合微球100分散于无色透明的低沸点、易挥发的有机/无机试剂中，制备得到分散有所述量子点复合微球100的溶液，其后，将分散有所述量子点复合微球100的溶液刮涂或滴涂到带有图案化的电极200的基板300上，以形成均匀的所述量子点复合微球薄膜，进一步地，给所述电极200施加特定的电压(0V-1000V)，形成垂直或者水平电场，在电场(电场强度0V/um-20V/um)的作用下，所述量子点复合微球100运动到目标电极上，所述目标电极即为与所述量子点复合微球100所带电荷相反的电极，若所述量子点复合微球100带正电荷，则给所述目标电极施加负电，若所述量子点复合微球100带负电荷，则给所述目标电极施加正电。
其中，所述电极的材料选自氧化铟锡(ITO)、石墨烯、金属、过渡金属硫化物(例如，MoS2、MoSe2、WS2、WSe2等)等，所述基板的材料选自玻璃或绝缘膜材。
为使本发明上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以下通过具体实施例来举例说明上述技术方案。
实施例
(1)量子点复合微球PS@CdSe/ZnS@SiO2的制备：
提供直径为150nm的球形聚苯乙烯(PS)，直径为10nm的CdSe/ZnS量子点，以及氨基配体、羧基配体和Silane-PEG-COOH；
通过氨基配体修饰球形PS，同时，通过羧基配体修饰CdSe/ZnS量子点，其后，将氨基配体修饰的球形PS与羧基配体修饰的CdSe/ZnS量子点混合，使羧基配体修饰的CdSe/ZnS量子点吸附至氨基配体修饰的球形PS的表面，得到PS@CdSe/ZnS微球；
在PS@CdSe/ZnS微球表面包覆SiO2，SiO2层的厚度为50nm，其后，通过Silane-PEG-COOH对SiO2进行修饰，得到量子点复合微球PS@CdSe/ZnS@SiO2。
(2)量子点复合微球PS@Cd2SSe/ZnS@SiO2的制备：
提供直径为150nm的球形聚苯乙烯(PS)，直径为10nm的Cd2SSe/ZnS量子点，以及氨基配体、羧基配体和Silane-PEG-COOH。
通过氨基配体修饰球形PS，同时，通过羧基配体修饰Cd2SSe/ZnS量子点，其后，将氨基配体修饰的球形PS与羧基配体修饰的Cd2SSe/ZnS量子点混合，使羧基配体修饰的Cd2SSe/ZnS量子点吸附至氨基配体修饰的球形PS的表面，得到PS@Cd2SSe/ZnS微球。
在PS@Cd2SSe/ZnS微球表面包覆SiO2，SiO2层的厚度为50nm，其后，通过Silane-PEG-COOH对SiO2进行修饰，得到量子点复合微球PS@Cd2SSe/ZnS@SiO2。
(3)电沉积图案化加工：
将所制备得到量子点复合微球PS@CdSe/ZnS@SiO2的分散于DMF中，制备得到浓度为50mg/ml的第一微球溶液，并将所制备得到的量子点复合微球PS@Cd2SSe/ZnS@SiO2分散于DMF中，制备得到浓度为50mg/ml的第二微球溶液。
通过如图4所示的图案化的电极基板，所述电极基板包括多个阵列排布的透明电极400和挡墙结构500，将第一微球溶液和所述第二微球溶液进行电沉积图案化加工，制备得到如图5所示的红绿双色的色转换层阵列结构，其中，量子点复合微球PS@CdSe/ZnS@SiO2为红色量子点复合微球，量子点复合微球PS@Cd2SSe/ZnS@SiO2绿色量子点复合微球，所述电极基板包括红色量子点复合微球沉淀区域600和绿色量子点复合微球沉淀区域700，且所述色转换层阵列结构的分辨率为1200PPI。
对比例
提供直径为10nm的量子点CdSe/ZnS和直径为10nm的量子点Cd2SSe/ZnS，将量子点CdSe/ZnS分散于DMF中制备得到浓度为50mg/ml的第一量子点溶液，同时，将量子点Cd2SSe/ZnS分散于DMF中制备得到浓度为50mg/ml的第二量子点溶液。
通过如图4所示的图案化的电极基板，所述电极基板包括多个阵列排布的透明电极400和挡墙结构500，将第一量子点溶液和所述第二量子点溶液进行电沉积图案化加工，制备得到如图6所示的红绿双色的色转换层阵列结构，其中，量子点CdSe/ZnS为红色量子点，量子点Cd2SSe/ZnS为绿色量子点，所述电极基板包括红色量子点沉淀区域800和绿色量子点沉淀区域900，且所述色转换层阵列结构的分辨率为1200PPI。
其后，在本实施例中，对所制备的所述量子点复合微球PS@CdSe/ZnS@SiO2的形貌进行检测，结果如图7所示。
同时，本实施例中对实施例和对比例中通过电沉积图案化加工所制备得到的薄膜的颜色转换效率进行检测，结果如下表所示：
| CCL＝出光亮度/吸收光亮度 | 量子点复合微球 | 量子点 |
| RCCL | 166％ | 35％ |
| GCCL | 325％ | 77％ |
从检测结果可看出，采用所述量子点复合微球的方案相较于采用单独的量子点的方案的颜色转换效率(CCL)得以明显提升。基于此，通过所述量子点复合微球可实现高效率、高分辨率的量子点像素阵列的制备。进一步地，在本实施例中，对所制备的量子点像素阵列用于Micro-led显示中，得到的亮度转换效率如下所示：
| 亮度转换效率 | 500PPI量子点彩膜基板亮度 | |
| PS@CdSe/ZnS@SiO2 | 160％ | 100cd/m2 |
| PS@Cd2SSe/ZnS@SiO2 | 300％ | 250cd/m2 |
从检测得到的亮度转换效率也可看出，通过所述量子点复合微球可实现高效率、高分辨率的量子点像素阵列的制备。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (11)
1.一种量子点复合微球，其特征在于，包括：内核、吸附在所述内核表面的量子点层以及包覆于所述量子点层表面的外壳层，其中，所述外壳层的表面连接有带有可电离的端基的聚合物配体。
2.根据权利要求1所述的量子点复合微球，其特征在于，所述可电离的端基为氨基、羧基、巯基、羟基、羰基或硅烷氧基中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的量子点复合微球，其特征在于，所述聚合物配体的相对分子质量为200-5000。
4.根据权利要求1所述的量子点复合微球，其特征在于，所述量子点层内的量子点选自单一结构的量子点、核壳结构的量子点、钙钛矿量子点或复合量子点中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的量子点复合微球，其特征在于，所述单一结构的量子点选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种；
所述核壳结构的量子点包括发光核和包覆所述发光核的保护层，其中，所述发光核选自ZnCdSe2、InP、Cd2SSe、CdSe、Cd2SeTe和InAs中的至少一种，所述保护壳选自CdS、ZnSe、ZnCdS2、ZnS和ZnO中的至少一种；
所述钙钛矿量子点选自CsPbCl3、CsPbBr3和CsPbI3中的至少一种；以及
所述复合量子点选自水凝胶装载量子点结构或CdSe-SiO2中的一种。
6.根据权利要求1所述的量子点复合微球，其特征在于，所述内核和所述外壳层的材料选自无机材料或有机材料。
7.根据权利要求6所述的量子点复合微球，其特征在于，所述无机材料为二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化锆、硫酸钡或二氧化钛中的至少一种，所述有机材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
8.根据权利要求1-7任一所述的量子点复合微球，其特征在于，所述量子点复合微球的直径为60-400nm。
9.根据权利要求8所述的量子点复合微球，其特征在于，所述内核的直径为30-150nm；和/或
所述量子点层内的量子点的直径为10-20nm；和/或
所述外壳层的厚度为10-50nm。
10.一种量子点复合微球膜，其特征在于，包括权利要求1-9中任一所述的量子点复合微球。
11.一种制备如权利要求10所述的量子点复合微球膜的方法，其特征在于，包括步骤：
提供分散有量子点复合微球的有机溶剂；
将所述分散有量子点复合微球的有机溶剂涂覆于图案化的电极基板上，通过电沉积得到所述量子点复合微球膜。
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