CN117462989B - 一种氯铱酸生产用结晶设备 - Google Patents
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Abstract
本发明属于化学品成分分离技术领域，具体公开了一种氯铱酸生产用结晶设备，包括分离台、支撑柱、承载板、可视型双力成核机构和正反旋力型晶体成品机构，所述支撑柱设于分离台上壁，所述承载板设于支撑柱上壁，所述可视型双力成核机构设于支撑柱上，所述正反旋力型晶体成品机构设于可视型双力成核机构外侧，所述可视型双力成核机构包括锥度薄结机构、分流减薄机构和晶粒呈现机构。本发明能够增加氯铱酸液体在顺流时与倒锥形铜筒的接触压力，减缓氯铱酸液体的流动速度，使加热后的倒锥形铜筒可以充分的对氯铱酸液体进行加热处理，并且能够增大晶体颗粒体积，保证晶体颗粒整齐度的氯铱酸生产用结晶设备。
Description
技术领域
本发明属于化学品成分分离技术领域，具体是指一种氯铱酸生产用结晶设备。
背景技术
氯铱酸是一种无机化合物，一般含有结晶水，它可以形成氯铱酸钾等无机盐，黑棕色或黑色针状结晶、粒状或块状物，易潮解，热至90℃以上失去结晶水，热至150℃到180℃转化为三价铱化合物，溶于水、乙醇和乙醚。
目前现有的氯铱酸生产用结晶设备存在以下问题：
现有的氯铱酸生产用结晶设备，大多采用搅拌的方式搅拌使晶体与母液均匀接触，使晶体均匀的生长和长的更大，但当搅拌强度达到一定程度后，再提高搅拌速度，会使得晶体被打碎，因此，亟需一种能够保证结晶体颗粒完整性的结晶设备。
发明内容
针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本方案提供了一种能够增加氯铱酸液体在顺流时与倒锥形铜筒的接触压力，减缓氯铱酸液体的流动速度，使加热后的倒锥形铜筒可以充分的对氯铱酸液体进行加热处理，并且能够增大晶体颗粒体积，保证晶体颗粒整齐度的氯铱酸生产用结晶设备。
本方案采取的技术方案如下：本方案提出的一种氯铱酸生产用结晶设备，包括分离台、支撑柱、承载板、可视型双力成核机构和正反旋力型晶体成品机构，所述支撑柱设于分离台上壁，所述承载板设于支撑柱上壁，所述可视型双力成核机构设于支撑柱上，所述正反旋力型晶体成品机构设于可视型双力成核机构外侧，所述可视型双力成核机构包括锥度薄结机构、分流减薄机构和晶粒呈现机构，所述锥度薄结机构设于支撑柱外侧，所述分流减薄机构设于承载板上，所述晶粒呈现机构设于分离台上壁，所述正反旋力型晶体成品机构包括环抱式析出机构和辐射传递机构，所述环抱式析出机构设于锥度薄结机构外侧，所述辐射传递机构设于锥度薄结机构侧壁。
作为本案方案进一步的优选，所述锥度薄结机构包括上环板、下环板、倒锥形环架、驱动环板、从动齿条、驱动电机、主动齿轮、倒锥形铜筒和防腐涂层，所述上环板设于支撑柱靠近承载板的一端，所述下环板设于上环板下方的支撑柱外侧，所述倒锥形环架设于上环板与下环板之间，所述驱动环板分别设于上环板和下环板内壁，驱动环板转动设于上环板和下环板内壁，所述从动齿条设于驱动环板外侧，所述驱动电机设于上环板的底壁，所述主动齿轮设于驱动电机动力端，主动齿轮与从动齿条相啮合，所述倒锥形铜筒设于驱动环板之间，倒锥形铜筒为上下贯通设置，所述防腐涂层设于倒锥形铜筒的内壁；所述分流减薄机构包括氯铱酸存液筒、增压器、分流管、分流箱、喷洒管和液体泄压阀，所述氯铱酸存液筒设于承载板上壁，所述增压器设于氯铱酸存液筒上壁，增压器动力端贯穿设于氯铱酸存液筒内壁，所述分流管贯穿驱动环板连通设于倒锥形铜筒与氯铱酸存液筒之间，所述分流箱设于分流管远离氯铱酸存液筒的一侧，分流箱与分流管连通设置，分流箱设于倒锥形铜筒内部，多组所述喷洒管连通设于分流箱侧壁，所述液体泄压阀设于分流管外侧；所述晶粒呈现机构包括球座、分流容器、晶体收集筒、下晶电动阀、结晶管和脉冲发生器，所述球座设于分离台上壁，所述分流容器设于球座上壁，多组所述晶体收集筒设于分流容器外侧的分离台上壁，多组所述下晶电动阀贯穿倒锥形环架底部的驱动环板连通设于倒锥形铜筒与分流容器之间，下晶电动阀与倒锥形铜筒内壁锐角设置，所述结晶管连通设于分流容器与晶体收集筒之间，所述脉冲发生器设于晶体收集筒上壁，脉冲发生器动力端贯穿设于晶体收集筒内壁。
使用时，驱动电机通过动力端带动主动齿轮转动，主动齿轮与从动齿条相啮合，主动齿轮通过从动齿条带动驱动环板转动，驱动环板带动倒锥形铜筒旋转做离心运动，此时，增压器通过动力端向氯铱酸存液筒内部增压，当氯铱酸存液筒内部的压力达到液体泄压阀设置的泄压值时，分流管导通，氯铱酸存液筒内部的氯铱酸液体通过分流管流入到分流箱内部，分流箱通过喷洒管将氯铱酸液体喷出，氯铱酸液体喷洒到倒锥形铜筒侧壁，氯铱酸液体沿倒锥形铜筒侧壁向下流动，氯铱酸液体沿倒锥形铜筒侧壁向下流动的过程中的流动厚度被逐渐缩减，倒锥形铜筒远离下环板的一端开设有蒸汽口，便于氯铱酸液体在结晶时产生的蒸汽排出。
优选地，所述环抱式析出机构包括环抱弹簧、外挡磁板、导向口、导向柱、限位板、驱动电磁铁、传导架、导温铜块、半导体制冷组、温控铜柱和温度监测传感器，多组所述环抱弹簧设于倒锥形环架侧壁，所述外挡磁板设于环抱弹簧远离倒锥形环架的一侧，所述导向口对称设于外挡磁板侧壁，所述导向柱贯穿导向口设于倒锥形环架侧壁，所述限位板设于导向柱远离倒锥形环架的一侧，所述驱动电磁铁设于导向柱外侧的倒锥形环架侧壁，驱动电磁铁与外挡磁板异极设置，所述传导架对称设于外挡磁板两侧，所述导温铜块设于传导架远离外挡磁板的一端，所述半导体制冷组设于外挡磁板远离环抱弹簧的一侧，所述温控铜柱设于半导体制冷组制热端与导温铜块之间，所述温度监测传感器设于倒锥形铜筒靠近上环板的一端内壁，温度监测传感器的监测端与倒锥形铜筒内壁贴合设置；所述辐射传递机构包括导温铜弧板和温度辐射铜板，所述导温铜弧板设于倒锥形环架侧壁，所述温度辐射铜板设于导温铜弧板靠近倒锥形铜筒的一侧。
使用时，驱动电磁铁通电产生磁性，驱动电磁铁与外挡磁板异极设置，驱动电磁铁固定在倒锥形环架侧壁通过磁力吸附外挡磁板，外挡磁板在环抱弹簧的形变下沿导向柱滑动靠近倒锥形环架侧壁，外挡磁板带动传导架向倒锥形铜筒的一侧运动，传导架带动导温铜块靠近倒锥形铜筒侧壁半导体制冷组制热端通过温控铜柱对导温铜块加热，导温铜块通过温度辐射铜板对倒锥形铜筒加热，倒锥形铜筒温度升高后促使氯铱酸液体加热进行结晶作业，温度监测传感器对倒锥形铜筒的温度进行实时监测，当温度监测传感器监测倒锥形铜筒的温度下降时，驱动电磁铁磁力增大，驱动电磁铁通过磁力吸附外挡磁板，使得导温铜块与温度辐射铜板之间间距缩短，温度辐射铜板受到的热辐射温度升高，从而使倒锥形铜筒的温度升高到用户需要的温度，在倒锥形铜筒的旋转离心力下，使氯铱酸液体紧紧的贴合在倒锥形铜筒的侧壁，从而减缓氯铱酸液体向下的流动速度，使得加热倒锥形铜筒可以充分对氯铱酸液体进行加热结晶作业，氯铱酸液体结晶后产生的晶体下落到下环板的上壁放置。
具体地，所述晶体收集筒侧壁设有控制器。
其中，所述控制器分别与驱动电机、增压器、驱动电磁铁、下晶电动阀、脉冲发生器和半导体制冷组电性连接。
优选地，所述控制器的型号为SYC89C52RC-401。
采用上述结构本方案取得的有益效果如下：
与现有技术相比，本方案采用双侧旋转力的方式，一方面，能够增加氯铱酸液体在顺流时与倒锥形铜筒的接触压力，减缓氯铱酸液体的流动速度，使加热后的倒锥形铜筒可以充分的对氯铱酸液体进行加热处理，并且，通过对氯铱酸液体的方向驱动，使得结晶后的氯铱酸液体能够进行降温析晶作业，进而提高晶体的颗粒体积和晶体颗粒的平整度，大大的提高了氯铱酸液体的结晶质量，驱动电磁铁固定在倒锥形环架侧壁通过磁力吸附外挡磁板，外挡磁板在环抱弹簧的形变下沿导向柱滑动靠近倒锥形环架侧壁，外挡磁板带动传导架向倒锥形铜筒的一侧运动，传导架带动导温铜块靠近倒锥形铜筒侧壁半导体制冷组制热端通过温控铜柱对导温铜块加热，导温铜块通过温度辐射铜板对倒锥形铜筒加热，倒锥形铜筒温度升高后促使氯铱酸液体加热进行结晶作业。
附图说明
图1为本方案的整体结构示意图；
图2为本方案的爆炸结构示意图；
图3为本方案的主视图；
图4为本方案的侧视图；
图5为本方案的内部结构示意图；
图6为图5的仰视图；
图7为本方案环抱式析出机构与辐射传递机构的组合结构示意图；
图8为图3的A-A部分剖视图；
图9为图1的I部分放大结构视图；
图10为图5的II部分放大结构视图。
其中，1、分离台，2、支撑柱，3、承载板，4、可视型双力成核机构，5、锥度薄结机构，6、上环板，7、下环板，8、倒锥形环架，9、驱动环板，10、从动齿条，11、驱动电机，12、主动齿轮，13、倒锥形铜筒，14、分流减薄机构，15、氯铱酸存液筒，16、增压器，17、分流管，18、分流箱，19、喷洒管，20、液体泄压阀，21、晶粒呈现机构，22、球座，23、分流容器，24、晶体收集筒，25、下晶电动阀，26、结晶管，27、脉冲发生器，28、正反旋力型晶体成品机构，29、环抱式析出机构，30、环抱弹簧，31、外挡磁板，32、导向口，33、导向柱，34、限位板，35、驱动电磁铁，36、传导架，37、导温铜块，38、半导体制冷组，39、温控铜柱，40、温度监测传感器，41、辐射传递机构，42、导温铜弧板，43、温度辐射铜板，44、控制器，45、防腐涂层。
附图用来提供对本方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本方案的实施例一起用于解释本方案，并不构成对本方案的限制。
具体实施方式
下面将结合本方案实施例中的附图，对本方案实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本方案一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本方案中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本方案保护的范围。
在本方案的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本方案和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本方案的限制。
如图1-图10所示，本方案提出的一种氯铱酸生产用结晶设备，包括分离台1、支撑柱2、承载板3、可视型双力成核机构4和正反旋力型晶体成品机构28，所述支撑柱2设于分离台1上壁，所述承载板3设于支撑柱2上壁，所述可视型双力成核机构4设于支撑柱2上，所述正反旋力型晶体成品机构28设于可视型双力成核机构4外侧，所述可视型双力成核机构4包括锥度薄结机构5、分流减薄机构14和晶粒呈现机构21，所述锥度薄结机构5设于支撑柱2外侧，所述分流减薄机构14设于承载板3上，所述晶粒呈现机构21设于分离台1上壁，所述正反旋力型晶体成品机构28包括环抱式析出机构29和辐射传递机构41，所述环抱式析出机构29设于锥度薄结机构5外侧，所述辐射传递机构41设于锥度薄结机构5侧壁。
所述锥度薄结机构5包括上环板6、下环板7、倒锥形环架8、驱动环板9、从动齿条10、驱动电机11、主动齿轮12、倒锥形铜筒13和防腐涂层45，所述上环板6设于支撑柱2靠近承载板3的一端，所述下环板7设于上环板6下方的支撑柱2外侧，所述倒锥形环架8设于上环板6与下环板7之间，所述驱动环板9分别设于上环板6和下环板7内壁，驱动环板9转动设于上环板6和下环板7内壁，所述从动齿条10设于驱动环板9外侧，所述驱动电机11设于上环板6的底壁，所述主动齿轮12设于驱动电机11动力端，主动齿轮12与从动齿条10相啮合，所述倒锥形铜筒13设于驱动环板9之间，倒锥形铜筒13为上下贯通设置，所述防腐涂层45设于倒锥形铜筒13的内壁；所述分流减薄机构14包括氯铱酸存液筒15、增压器16、分流管17、分流箱18、喷洒管19和液体泄压阀20，所述氯铱酸存液筒15设于承载板3上壁，所述增压器16设于氯铱酸存液筒15上壁，增压器16动力端贯穿设于氯铱酸存液筒15内壁，所述分流管17贯穿驱动环板9连通设于倒锥形铜筒13与氯铱酸存液筒15之间，所述分流箱18设于分流管17远离氯铱酸存液筒15的一侧，分流箱18与分流管17连通设置，分流箱18设于倒锥形铜筒13内部，多组所述喷洒管19连通设于分流箱18侧壁，所述液体泄压阀20设于分流管17外侧；所述晶粒呈现机构21包括球座22、分流容器23、晶体收集筒24、下晶电动阀25、结晶管26和脉冲发生器27，所述球座22设于分离台1上壁，所述分流容器23设于球座22上壁，多组所述晶体收集筒24设于分流容器23外侧的分离台1上壁，多组所述下晶电动阀25贯穿倒锥形环架8底部的驱动环板9连通设于倒锥形铜筒13与分流容器23之间，下晶电动阀25与倒锥形铜筒13内壁锐角设置，所述结晶管26连通设于分流容器23与晶体收集筒24之间，所述脉冲发生器27设于晶体收集筒24上壁，脉冲发生器27动力端贯穿设于晶体收集筒24内壁。
所述环抱式析出机构29包括环抱弹簧30、外挡磁板31、导向口32、导向柱33、限位板34、驱动电磁铁35、传导架36、导温铜块37、半导体制冷组38、温控铜柱39和温度监测传感器40，多组所述环抱弹簧30设于倒锥形环架8侧壁，所述外挡磁板31设于环抱弹簧30远离倒锥形环架8的一侧，所述导向口32对称设于外挡磁板31侧壁，所述导向柱33贯穿导向口32设于倒锥形环架8侧壁，所述限位板34设于导向柱33远离倒锥形环架8的一侧，所述驱动电磁铁35设于导向柱33外侧的倒锥形环架8侧壁，驱动电磁铁35与外挡磁板31异极设置，所述传导架36对称设于外挡磁板31两侧，所述导温铜块37设于传导架36远离外挡磁板31的一端，所述半导体制冷组38设于外挡磁板31远离环抱弹簧30的一侧，所述温控铜柱39设于半导体制冷组38制热端与导温铜块37之间，所述温度监测传感器40设于倒锥形铜筒13靠近上环板6的一端内壁，温度监测传感器40的监测端与倒锥形铜筒13内壁贴合设置；所述辐射传递机构41包括导温铜弧板42和温度辐射铜板43，所述导温铜弧板42设于倒锥形环架8侧壁，所述温度辐射铜板43设于导温铜弧板42靠近倒锥形铜筒13的一侧。
所述晶体收集筒24侧壁设有控制器44。
所述控制器44分别与驱动电机11、增压器16、驱动电磁铁35、下晶电动阀25、脉冲发生器27和半导体制冷组38电性连接。
所述控制器44的型号为SYC89C52RC-401。
具体使用时，实施例一，初始状态下，环抱弹簧30为伸长状态，导温铜块37远离温度辐射铜板43侧壁设置，使用时，向氯铱酸存液筒15内部放入氯铱酸液体，并设置液体泄压阀20的泄压值；
具体的，控制器44控制驱动电磁铁35启动，驱动电磁铁35通电产生磁性，驱动电磁铁35与外挡磁板31异极设置，驱动电磁铁35固定在倒锥形环架8侧壁通过磁力吸附外挡磁板31，外挡磁板31在环抱弹簧30的形变下沿导向柱33滑动靠近倒锥形环架8侧壁，外挡磁板31带动传导架36向倒锥形铜筒13的一侧运动，传导架36带动导温铜块37靠近倒锥形铜筒13侧壁，控制器44控制半导体制冷组38启动，半导体制冷组38制热端通过温控铜柱39对导温铜块37加热，导温铜块37通过温度辐射铜板43对倒锥形铜筒13加热，倒锥形铜筒13温度升高后促使氯铱酸液体加热进行结晶作业，控制器44温度监测传感器40启动，温度监测传感器40对倒锥形铜筒13的温度进行实时监测，当温度监测传感器40监测倒锥形铜筒13的温度下降时，控制器44控制驱动电磁铁35磁力增大，驱动电磁铁35通过磁力吸附外挡磁板31，使得导温铜块37与温度辐射铜板43之间间距缩短，温度辐射铜板43受到的热辐射温度升高，从而使倒锥形铜筒13的温度升高到用户需要的温度；
控制器44控制驱动电机11启动，驱动电机11通过动力端带动主动齿轮12转动，主动齿轮12与从动齿条10相啮合，主动齿轮12通过从动齿条10带动驱动环板9转动，驱动环板9带动倒锥形铜筒13旋转做离心运动，此时，控制器44控制增压器16启动，增压器16通过动力端向氯铱酸存液筒15内部增压，当氯铱酸存液筒15内部的压力达到液体泄压阀20设置的泄压值时，分流管17导通，氯铱酸存液筒15内部的氯铱酸液体通过分流管17流入到分流箱18内部，分流箱18通过喷洒管19将氯铱酸液体喷出，氯铱酸液体喷洒到倒锥形铜筒13侧壁，氯铱酸液体沿倒锥形铜筒13侧壁向下流动，氯铱酸液体沿倒锥形铜筒13侧壁向下流动的过程中的流动厚度被逐渐缩减，倒锥形铜筒13远离下环板7的一端开设有蒸汽口，便于氯铱酸液体在结晶时产生的蒸汽排出；
在倒锥形铜筒13的旋转离心力下，使氯铱酸液体紧紧的贴合在倒锥形铜筒13的侧壁，从而减缓氯铱酸液体向下的流动速度，使得加热倒锥形铜筒13可以充分对氯铱酸液体进行加热结晶作业，氯铱酸液体结晶后产生的晶体下落到下环板7的上壁放置；
待氯铱酸存液筒15内部的氯铱酸液体全部排出后，对液体中的晶体进行降温析晶处理，控制器44控制通入到半导体制冷组38内部的电流方向改变，半导体制冷组38的制热端改变为制冷端，导温铜块37通过温度辐射铜板43对倒锥形铜筒13降温处理，控制器44控制下晶电动阀25开启，控制器44控制脉冲发生器27启动，脉冲发生器27动力端向晶体收集筒24内部发射脉冲波，晶体收集筒24内部的脉冲波通过分流容器23经过下晶电动阀25将聚集在下环板7上壁的氯铱酸结晶液冲击到倒锥形铜筒13内壁，通过倒锥形铜筒13在旋转时产生的离心力使氯铱酸结晶液与降温后的倒锥形铜筒13内壁紧密的贴合，从而对氯铱酸结晶液进行降温处理，温度监测传感器40实时的监测倒锥形铜筒13的温度，当温度监测传感器40监测倒锥形铜筒13的温度升高时，控制器44控制驱动电磁铁35的磁力增大，使得导温铜块37与温度辐射铜板43之间的间距缩短，温度辐射铜板43受到的冷辐射温度降低，从而使倒锥形铜筒13的温度降低到用户需要的温度，便于对氯铱酸结晶液进行降温析晶，可以提高晶体的颗粒体积和晶体颗粒的整齐程度，氯铱酸结晶液降温处理后，控制器44控制脉冲发生器27停止，氯铱酸结晶液在重力的作用下流入到晶体收集筒24内部；下次使用时重复上述操作即可。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本方案的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本方案的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本方案的范围由所附权利要求及其等同物限定。
以上对本方案及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本方案的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本方案创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本方案的保护范围。
Claims (2)
1.一种氯铱酸生产用结晶设备，包括分离台（1）、支撑柱（2）和承载板（3），其特征在于：还包括可视型双力成核机构（4）和正反旋力型晶体成品机构（28），所述支撑柱（2）设于分离台（1）上壁，所述承载板（3）设于支撑柱（2）上壁，所述可视型双力成核机构（4）设于支撑柱（2）上，所述正反旋力型晶体成品机构（28）设于可视型双力成核机构（4）外侧，所述可视型双力成核机构（4）包括锥度薄结机构（5）、分流减薄机构（14）和晶粒呈现机构（21），所述锥度薄结机构（5）设于支撑柱（2）外侧，所述分流减薄机构（14）设于承载板（3）上，所述晶粒呈现机构（21）设于分离台（1）上壁，所述正反旋力型晶体成品机构（28）包括环抱式析出机构（29）和辐射传递机构，所述环抱式析出机构（29）设于锥度薄结机构（5）外侧，所述辐射传递机构设于锥度薄结机构（5）侧壁；
所述锥度薄结机构（5）包括上环板（6）、下环板（7）、倒锥形环架（8）、驱动环板（9）、从动齿条（10）、驱动电机（11）、主动齿轮（12）、倒锥形铜筒（13）和防腐涂层（45），所述上环板（6）设于支撑柱（2）靠近承载板（3）的一端，所述下环板（7）设于上环板（6）下方的支撑柱（2）外侧，所述倒锥形环架（8）设于上环板（6）与下环板（7）之间；
所述分流减薄机构（14）包括氯铱酸存液筒（15）、增压器（16）、分流管（17）、分流箱（18）、喷洒管（19）和液体泄压阀（20），所述氯铱酸存液筒（15）设于承载板（3）上壁，所述增压器（16）设于氯铱酸存液筒（15）上壁，增压器（16）动力端贯穿设于氯铱酸存液筒（15）内壁，所述分流管（17）贯穿驱动环板（9）连通设于倒锥形铜筒（13）与氯铱酸存液筒（15）之间，所述分流箱（18）设于分流管（17）远离氯铱酸存液筒（15）的一侧，分流箱（18）与分流管（17）连通设置，分流箱（18）设于倒锥形铜筒（13）内部，多组所述喷洒管（19）连通设于分流箱（18）侧壁，所述液体泄压阀（20）设于分流管（17）外侧；
所述晶粒呈现机构（21）包括球座（22）、分流容器（23）、晶体收集筒（24）、下晶电动阀（25）、结晶管（26）和脉冲发生器（27），所述球座（22）设于分离台（1）上壁，所述分流容器（23）设于球座（22）上壁，多组所述晶体收集筒（24）设于分流容器（23）外侧的分离台（1）上壁，多组所述下晶电动阀（25）贯穿倒锥形环架（8）底部的驱动环板（9）连通设于倒锥形铜筒（13）与分流容器（23）之间，下晶电动阀（25）与倒锥形铜筒（13）内壁锐角设置，所述结晶管（26）连通设于分流容器（23）与晶体收集筒（24）之间，所述脉冲发生器（27）设于晶体收集筒（24）上壁，脉冲发生器（27）动力端贯穿设于晶体收集筒（24）内壁；
所述环抱式析出机构（29）包括环抱弹簧（30）、外挡磁板（31）、导向口（32）、导向柱（33）、限位板（34）、驱动电磁铁（35）、传导架（36）、导温铜块（37）、半导体制冷组（38）、温控铜柱（39）和温度监测传感器（40），多组所述环抱弹簧（30）设于倒锥形环架（8）侧壁，所述外挡磁板（31）设于环抱弹簧（30）远离倒锥形环架（8）的一侧，所述导向口（32）对称设于外挡磁板（31）侧壁，所述导向柱（33）贯穿导向口（32）设于倒锥形环架（8）侧壁，所述限位板（34）设于导向柱（33）远离倒锥形环架（8）的一侧，所述驱动电磁铁（35）设于导向柱（33）外侧的倒锥形环架（8）侧壁，驱动电磁铁（35）与外挡磁板（31）异极设置；
所述传导架（36）对称设于外挡磁板（31）两侧，所述导温铜块（37）设于传导架（36）远离外挡磁板（31）的一端，所述半导体制冷组（38）设于外挡磁板（31）远离环抱弹簧（30）的一侧，所述温控铜柱（39）设于半导体制冷组（38）制热端与导温铜块（37）之间，所述温度监测传感器（40）设于倒锥形铜筒（13）靠近上环板（6）的一端内壁，温度监测传感器（40）的监测端与倒锥形铜筒（13）内壁贴合设置；
所述辐射传递机构包括导温铜弧板（42）和温度辐射铜板（43），所述导温铜弧板（42）设于倒锥形环架（8）侧壁，所述温度辐射铜板（43）设于导温铜弧板（42）靠近倒锥形铜筒（13）的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种氯铱酸生产用结晶设备，其特征在于：所述驱动环板（9）分别设于上环板（6）和下环板（7）内壁，驱动环板（9）转动设于上环板（6）和下环板（7）内壁，所述从动齿条（10）设于驱动环板（9）外侧，所述驱动电机（11）设于上环板（6）的底壁，所述主动齿轮（12）设于驱动电机（11）动力端，主动齿轮（12）与从动齿条（10）相啮合，所述倒锥形铜筒（13）设于驱动环板（9）之间，倒锥形铜筒（13）为上下贯通设置，所述防腐涂层（45）设于倒锥形铜筒（13）的内壁。
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