CN117460313A - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板，该显示面板包括功能区、靠近功能区的显示区以及位于功能区和显示区之间的过渡区，显示面板的第一金属层设置在无机绝缘层远离衬底的一侧，并在过渡区的设置有至少一个金属阻挡部，金属阻挡部的至少一侧边设置有断开结构，有机绝缘层在过渡区形成有覆盖金属阻挡部一侧的绝缘部，发光层和第一电极层在断开结构处断开设置，位于金属阻挡部一侧的第一电极层与金属阻挡部电连接，且位于金属阻挡部另一侧的第一电极层与金属阻挡部通过绝缘部绝缘设置，如此，靠近功能区的第一电极层不会形成电场，进而不会使偏光片中的K+迁移到封装层中，避免了电化学反应的发生，以缓解现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的问题。

Description

显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，现有显示装置都朝着高屏占比的方向设计，以得到全面屏。挖孔屏设计是提高屏占比的方法之一。挖孔屏在制作过程中需要使用激光在显示区域上切割(O-CUT)，而在切割道边缘的有机发光材料容易成为外界水和氧气的运输通道。通常需要在切割边缘区域设置特殊结构用于打断有机材料的连接，阻断水汽入侵路径，以提高切割边缘区域封装的可靠性。但是，在高温高湿的可靠性测试环境中，挖孔屏的偏光片中的K元素会溶解在水中。当挖孔屏在显示状态时，切割边缘区域的阴极处于带电状态，存在的电场会让K+迁移至封装层中，并与封装层中的氧化硅发生电化学反应，而电化学反应会导致封装层膨胀变形，进而导致封装失效。

发明内容

本申请提供一种显示面板，以缓解现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请实施例提供一种显示面板，其包括功能区、显示区以及位于所述功能区和所述显示区之间的过渡区；所述显示面板还包括：

衬底；

无机绝缘层，设置在所述衬底的一侧；

第一金属层，设置在所述无机绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层包括：设置在所述过渡区的至少一个金属阻挡部，所述金属阻挡部的至少一侧边设置有断开结构；

有机绝缘层，设置在所述第一金属层远离所述衬底的一侧，所述有机绝缘层包括：至少一个设置在所述过渡区且覆盖对应所述金属阻挡部一侧的绝缘部；

发光层，设置在所述有机绝缘层远离所述衬底的一侧，所述发光层覆盖所述显示区且延伸至所述过渡区，所述发光层在所述金属阻挡部的所述断开结构处断开设置；

第一电极层，设置在所述发光层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层覆盖所述显示区且延伸至所述过渡区，所述第一电极层在所述金属阻挡部的所述断开结构处断开设置；

其中，位于所述金属阻挡部一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部电连接，且位于所述金属阻挡部另一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部通过所述绝缘部绝缘设置。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一金属层包括：设置在所述过渡区的所述金属阻挡部；

其中，至少一个所述金属阻挡部的一侧设置有断开结构，且其另一侧被对应的所述绝缘部覆盖。

在本申请实施例提供的显示面板中，至少一个所述金属阻挡部靠近所述显示区的一侧设置有断开结构，且其靠近所述功能区的一侧被对应的所述绝缘部覆盖，所述金属阻挡部与靠近所述显示区一侧的所述第一电极层在所述断开结构处电连接，所述金属阻挡部与靠近所述功能区一侧的所述第一电极层通过所述绝缘部绝缘设置。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一金属层包括：设置在所述过渡区且相邻排布的第一金属阻挡部和第二金属阻挡部，所述第一金属阻挡部设置在所述第二金属阻挡部和所述显示区之间；

所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧设置有所述断开结构，所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧设置有所述断开结构；

所述绝缘部同时覆盖所述第一金属阻挡部靠近所述功能区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述显示区的一侧；

所述发光层在所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧的所述断开结构处均断开设置，所述发光层在所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧之间连续设置；

所述第一电极层在所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧的所述断开结构处均断开设置，且处于所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧的第一电极层与所述第一金属阻挡部电连接，处于所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧的第一电极层与所述第二金属阻挡部电连接。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括：

挡墙，设置在所述过渡区，且设置在所述无机绝缘层远离所述衬底的一侧；

所述过渡区包括位于所述挡墙和所述显示区之间的第一子区，和位于所述挡墙和所述功能区之间的第二子区；

所述有机绝缘层包括：至少一个覆盖对应所述金属阻挡部一侧的绝缘部，所述绝缘部设置在所述第一子区和/或所述第二子区。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述第一金属阻挡部和所述第二金属阻挡部均设置在所述第一子区；

所述第一金属阻挡部与所述第一电极层接入相同的电压，所述第二金属阻挡部不接入电压。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述绝缘部的数量小于或等于所述金属阻挡部的数量。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述金属阻挡部包括：依次层叠设置的第一金属子层、第二金属子层、以及第三金属子层，其中，所述第二金属子层与所述第三金属子层的材料不同，所述第二金属子层的宽度小于所述第三金属子层的宽度。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述显示面板还包括：依次层叠设置在所述第一金属层上的第一平坦化层、像素定义层以及支撑层，所述有机绝缘层可以由所述第一平坦化层、所述像素定义层以及所述支撑层中至少一层形成。

在本申请实施例提供的显示面板中，所述无机绝缘层包括依次层叠设置在所述衬底上的第一无机绝缘子层、第二无机绝缘子层、第三无机绝缘子层、以及第四无机绝缘子层；

所述显示面板还包括：

半导体层，设置在所述第一无机绝缘子层和所述第二无机绝缘子层之间，所述半导体层包括多个设置在所述显示区的有源部；

第二金属层，设置在所述第二无机绝缘子层和所述第三绝缘子层之间，所述第二金属层包括多个设置在所述显示区的栅极和第一电容电极，所述栅极与所述有源部对应设置；

第三金属层，设置在所述第三无机绝缘子层和所述第四无机绝缘子层之间，所述第三金属层包括多个设置在所述显示区的第二电容电极，所述第二电容电极与所述第一电容电极对应设置；

其中，所述第二金属层还包括设置在所述过渡区且与所述金属阻挡部对应的第一垫层结构，和/或，所述第三金属层还包括设置在所述过渡区且与所述金属阻挡部对应的第二垫层结构。

本申请的有益效果为：本申请提供的显示面板中，所述显示面板包括功能区、显示区以及位于所述功能区和所述显示区之间的过渡区，所述显示面板的第一金属层设置在无机绝缘层远离衬底的一侧，并在过渡区的设置有至少一个金属阻挡部，所述金属阻挡部的至少一侧边设置有断开结构，有机绝缘层在所述过渡区形成有覆盖所述金属阻挡部一侧的绝缘部，发光层和第一电极层在断开结构处断开设置，位于所述金属阻挡部一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部电连接，且位于所述金属阻挡部另一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部通过所述绝缘部绝缘设置，如此，靠近所述功能区的第一电极层与所述显示区内的第一电极层之间绝缘设置，使得靠近所述功能区的第一电极层不会形成电场，进而不会使偏光片中的K+迁移到封装层中，避免了电化学反应的发生，提高了封装的可靠性，解决了现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图。

图2为图1中沿A-A’方向的一种剖面结构示意图。

图3为图2中第一子区的一种细节结构示意图。

图4为图2中显示区的一种细节结构示意图。

图5为图2中金属阻挡部的一种细节结构示意图。

图6为图1中沿A-A’方向的另一种剖面结构示意图。

图7为图6中第一子区SA1的细节结构示意图。

图8为图1中沿A-A’方向的再一种剖面结构示意图。

图9为本申请实施例提供的显示区的另一种细节结构示意图。

图10为图9中膜层在第一子区形成的结构的细节示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。

针对现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的问题，本申请的发明人在研究中发现：挖孔屏在高温高湿的可靠性测试环境中，挖孔屏切割边缘区域的偏光片中的K元素会溶解在水中形成氢氧化钾(KOH)。当挖孔屏在显示状态时，切割边缘区域的阴极因与显示区的阴极电连接而处于带电状态，处于带电状态的阴极形成的电场会让K+迁移至封装层中，并与封装层中的氧化硅(SiOx)发生电化学反应，而电化学反应会导致封装层膨胀变形，进而导致封装失效。

为解决上述问题，本申请提供一种显示面板和电子装置。

请参照图1至图5，图1为本申请实施例提供的显示面板的一种俯视结构示意图，图2为图1中沿A-A’方向的一种剖面结构示意图，图3为图2中第一子区的一种细节结构示意图，图4为图2中显示区的一种细节结构示意图，图5为图2中金属阻挡部的一种细节结构示意图。如图1所示，所述显示面板100包括功能区HA、靠近所述功能区HA的显示区AA以及位于所述功能区HA和所述显示区AA之间的渡区TA。

其中，所述显示区AA用于显示画面，所述功能区HA可位于所述显示面板100的任意区域，比如所述功能区HA可位于所述显示面板100的中间区域或边缘区域。所述功能区HA设置有通孔，所述通过贯穿所述显示面板100的各膜层，所述通孔内可放置听筒、摄像头、各种传感器等功能元件，以实现屏下摄像头、屏下指纹等功能，进而提高所述显示面板100的屏占比。

所述过渡区TA位于所述功能区HA和所述显示区AA之间，所述过渡区TA用于放置各种信号转接线以转接被所述功能区HA阻挡的信号线，如数据线、电源线等；所述过渡区TA还用于设置封装结构，以避免由于设置所述功能区HA而影响所述显示面板100的封装有效性。当所述功能区HA位于所述显示面板100的中间区域时，所述过渡区TA围绕所述功能区HA；当所述功能区HA位于所述显示面板100的边缘区域时，所述过渡区TA半包围所述功能区HA。

具体的，参照图2，所述显示面板100还包括衬底10以及依次设置在所述衬底10上的无机绝缘层20、第一金属层30、有机绝缘层40、发光层50以及第一电极层60。

所述无机绝缘层20设置在所述衬底10的一侧。所述第一金属层30设置在所述无机绝缘层20远离所述衬底10的一侧，所述第一金属层30包括设置在所述过渡区TA的至少一个金属阻挡部301，所述金属阻挡部301的至少一侧边设置有断开结构300。所述有机绝缘层40设置在所述第一金属层30远离所述衬底10的一侧，所述有机绝缘层40包括至少一个设置在所述过渡区TA且覆盖对应所述金属阻挡部301一侧的绝缘部401。

参照图3，所述发光层50设置在所述有机绝缘层40远离所述衬底10的一侧，所述发光层50覆盖所述显示区AA且延伸至所述过渡区TA，所述发光层50在所述金属阻挡部301的所述断开结构300处断开设置。所述第一电极层60设置在所述发光层50远离所述衬底10的一侧，所述第一电极层60覆盖所述显示区AA且延伸至所述过渡区TA，所述第一电极层60在所述金属阻挡部301的所述断开结构300处断开设置。其中，位于所述金属阻挡部301一侧的所述第一电极层60与所述金属阻挡部301电连接，且位于所述金属阻挡部301另一侧的所述第一电极层60与所述金属阻挡部301通过所述绝缘部401绝缘设置。

在一种实施例中，结合图2和图3，所述第一金属层30包括设置在所述过渡区TA的多个所述金属阻挡部301。其中，至少一个所述金属阻挡部301的一侧设置有断开结构300，且其另一侧被对应的所述绝缘部401覆盖。具体而言，至少一个所述金属阻挡部301靠近所述显示区AA的一侧设置有断开结构300，且其靠近所述功能区HA的一侧被对应的所述绝缘部401覆盖，所述金属阻挡部301与靠近所述显示区AA一侧的所述第一电极层60在所述断开结构300处电连接，所述金属阻挡部301与靠近所述功能区HA一侧的所述第一电极层60通过所述绝缘部401绝缘设置。

在本实施例中，通过在所述金属阻挡部301的一侧覆盖所述绝缘部401，使得所述第一电极层60在所述金属阻挡部301的断开结构300处断开时，位于所述金属阻挡部301一侧的所述第一电极层60与所述金属阻挡部301电连接，且位于所述金属阻挡部301另一侧的所述第一电极层60与所述金属阻挡部301通过所述绝缘部401绝缘设置。如此靠近所述功能区HA的第一电极层60与所述显示区AA内的第一电极层60之间绝缘设置，使得靠近所述功能区HA的第一电极层60不会形成电场，进而不会使偏光片中的K+迁移到封装层中，避免了电化学反应的发生，提高了封装的可靠性，解决了现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的问题。

下面将具体阐述所述显示面板100的膜层结构以及位于所述过渡区TA的所述第一电极层60不会形成电场的原理。

继续参照图2，所述过渡区TA包括第一子区SA1和第二子区SA2，所述第二子区SA2位于所述第一子区SA1远离所述显示区AA的一侧，所述第一子区SA1内设置有至少一个所述金属阻挡部301，所述第二子区SA2内设置有多个所述金属阻挡部301。所述有机绝缘层40包括至少一个覆盖对应所述金属阻挡部301一侧的绝缘部401，所述绝缘部401设置在所述第一子区SA1和/或所述第二子区SA2。可选地，所述绝缘部401的数量小于或等于所述金属阻挡部301的数量。这样可以在每个金属阻挡部301对应设置绝缘部401，形成多个断开结构，使得阴极(即第一电极层60)在过渡区TA多次断开，保障靠近功能区HA的断开的阴极和金属阻挡部301中不带电，降低靠近功能区HA的电场的形成。在实际应用中也可以少设置绝缘部401，例如尽量在靠近显示区处设置绝缘部401，这样可以增加不带电的阴极的面积，进一步减弱带电阴极形成的电场对功能区的影响。

所述过渡区TA还包括绕线区RA和虚拟像素(dummy Pixel)区DA，所述绕线区RA位于所述第一子区SA1靠近所述显示区AA的一侧，所述绕线区RA主要用于设置各种信号转接线。所述虚拟像素区DA位于所述绕线区RA靠近所述显示区AA的一侧，所述虚拟像素区DA设置有与所述显示区AA相同的像素排布，但所述虚拟像素区DA的像素不用于显示。

可选地，所述衬底10可以为刚性基板或柔性基板；所述衬底10为刚性基板时，可包括玻璃基板等硬性基板；所述衬底10为柔性基板时，可包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜、超薄玻璃薄膜等柔性基板，采用柔性基板作衬底10可以制作柔性显示面板100，以实现显示面板100的弯折、卷曲等特殊性能。

本申请实施例以所述衬底10为柔性基板为例，所述衬底10可包括层叠交替设置的柔性薄膜和无机薄膜，比如所述衬底10包括层叠设置的第一聚酰亚胺薄膜11、阻挡层12、第二聚酰亚胺薄膜13。如此在实现所述衬底10柔性的同时，还可加强所述衬底10的阻水氧性能。

可选地，所述阻挡层12的材料可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)等无机材料。

参照图2，所述无机绝缘层20设置在所述第二聚酰亚胺薄膜13远离所述阻挡层12的一侧，所述无机绝缘层20由所述显示区AA延伸至所述过渡区TA，所述无机绝缘层20的材料为无机材料。所述无机绝缘层20包括层叠设置在所述第二聚酰亚胺薄膜13上的第一无机绝缘子层14、第二无机绝缘子层21、第三无机绝缘子层22、以及第四无机绝缘子层23等。第一无机绝缘子层14可以进一步防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从所述衬底10扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中，同时还可以提供平坦的顶表面。

所述显示面板100还包括、半导体层15、第二金属层70和第三金属层80，所述半导体层15设置在所述第一无机绝缘子层14和所述第二无机绝缘子层21之间，所述半导体层15包括多个设置在所述显示区AA的有源部151。第二金属层70设置在所述第二无机绝缘子层21和所述第三无机绝缘子层22之间，所述第二金属层70包括多个设置在所述显示区AA的栅极和第一电容电极，所述栅极与所述有源部151对应设置。所述第三金属层80设置在所述第三无机绝缘子层22和所述第四无机绝缘子层23之间，所述第三金属层80包括多个设置在所述显示区AA的栅极和第二电容电极，所述第二电容电极与所述第一电容电极对应设置。其中所述第二金属层70形成的栅极为第一栅极71，所述第三金属层80形成的栅极为第二栅极81，所述第一栅极71和第二栅极81对应设置。

所述有机绝缘层40设置在所述无机绝缘层20远离所述衬底10的一侧，所述有机绝缘层40也由所述显示区AA延伸至部分所述过渡区TA，所述有机绝缘层40的材料为有机材料。

所述显示面板100还包括依次层叠设置在所述第一金属层30上的第一平坦化层41、像素定义层42以及支撑层43，所述有机绝缘层40可以由所述第一平坦化层41、所述像素定义层42以及所述支撑层43中至少一层形成。所述像素定义层42位于所述第一平坦化层41远离所述无机绝缘层20的一侧，所述支撑层43设置在所述像素定义层42上。

可选地，所述有机绝缘层40还包括设置在所述第一平坦化层41和所述无机绝缘层20之间的第二平坦化层44。所述第一金属层30位于所述第一平坦化层41和所述第二平坦化层44之间。所述显示面板100还包括第四金属层90，所述第四金属层90位于所述第二平坦化层44与所述无机绝缘层20之间。

参照图3，所述发光层50和所述第一电极层60均设置在所述有机绝缘层40远离所述无机绝缘层20的一侧，所述第一电极层60覆盖在所述发光层50上。需要说明的是，图2为了清楚示出所述过渡区TA的金属阻挡部301的结构，在图2中并未示出所述发光层50和所述第一电极层60以及覆盖所述第一电极层60的封装层。

下面接着阐述所述显示面板100的各个膜层在不同的区域形成的具体结构：

参照图2和图4，在所述显示区AA内，所述第二金属层70形成有第一栅极71，所述第三金属层80形成有第二栅极81，所述第四金属层90形成有第一源极91和第一漏极92，所述第一金属层30形成有第二源极31。所述第一半导体层15、所述第一栅极71、所述第二栅极81、所述第一源极91、所述第一漏极92以及所述第二源极31共同构成第一薄膜晶体管T1。

具体地，所述第一半导体层15设置在所述衬底10上，所述第一半导体层15包括有源部151以及位于有源部151两侧的源区152和漏区153，所述第二无机绝缘子层21覆于所述第一半导体层15以及所述衬底10上。所述第一栅极71设置在所述第二无机绝缘子层21上，且所述第一栅极71对应所述第一半导体层15的有源部151设置。所述第三无机绝缘子层22覆于所述第一栅极71以及所述第二无机绝缘子层21上。所述第二栅极81设置于所述第三无机绝缘子层22上，且所述第二栅极81和所述第一栅极71对应设置，所述第四无机绝缘子层23覆于所述第二栅极81以及所述第三无机绝缘子层22上。所述第一源极91和所述第一漏极92设置在所述第四无机绝缘子层23上，且所述第一源极91与所述第一半导体层15的所述源区152电连接，所述第一漏极92与所述第一半导体层15的所述漏区153电连接。

所述第二平坦化层44覆于所述第四无机绝缘子层23上，所述第二源极31设置在所述第二平坦化层44上，且所述第二源极31与所述第一源极91电连接。所述第一平坦化层41覆于所述第二源极31以及所述第二平坦化层44上。

所述显示面板100还包括第二电极61，所述第二电极61设置在所述第一平坦化层41上，所述像素定义层42覆于所述第二电极61以及所述第一平坦化层41上，且所述像素定义层42在对应所述第二电极61的位置设置有像素开口，所述发光层50设置在像素开口内的所述第二电极61上，所述第一电极层60设置在所述发光层50上。所述发光层50在所述第一电极层60和所述第二电极61的共同作用下发光。可选地，所述第二电极61为阳极，所述第一电极层60为阴极。

而为了保护所述发光层50，避免水氧入侵导致发光层50失效，所述显示面板100还包括封装层(图未示出)，所述封装层覆盖所述第一电极层60。所述封装层可采用薄膜封装，比如所述封装层可以为由第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层三层薄膜依次层叠形成的叠层结构或更多层的叠层结构。其中所述有机封装层的材料包括环氧系和丙烯酸系等有机材料中的一种或几种，所述有机封装层可通过喷墨打印(Ink jet Print，IJP)、喷涂等涂布工艺中的一种涂覆在所述第一无机封装层上。

下面接着具体阐述所述过渡区TA的膜层结构：

继续参照图2，在所述过渡区TA，所述第二金属层70还形成有第一栅极71和第一信号转接线72，所述第三金属层80还形成有第二栅极81和第二信号转接线82，所述第四金属层90还形成有第一源极91和第三信号转接线93，所述第一金属层30还形成有第二源极31和第四信号转接线32。其中，所述第一栅极71、所述第二栅极81、所述第一源极91以及所述第二源极31位于所述虚拟像素区DA；所述第一信号转接线72、所述第二信号转接线82、所述第三信号转接线93以及所述第四信号转接线32位于所述绕线区RA。

进一步地，在所述过渡区TA，所述第一金属层30还形成有多个所述金属阻挡部301，所述金属阻挡部301位于所述第一子区SA1和所述第二子区SA2。所述第四无机绝缘子层23表面形成有凸台部231，所述金属阻挡部301设置在所述凸台部231远离所述衬底10的一侧。所述第二金属层70和所述第三金属层80中的至少一者在所述过渡区TA形成有垫层结构，比如所述第二金属层70还包括设置在所述过渡区TA且与所述金属阻挡部301对应的第一垫层结构，和/或，所述第三金属层80还包括设置在所述过渡区TA且与所述金属阻挡部301对应的第二垫层结构。本实施例优选使所述第三金属层80在所述第一子区SA1和所述第二子区SA2形成第二垫层结构501。所述第四无机绝缘子层23覆盖在对应的所述第二垫层结构501上形成所述凸台部231。

可选地，所述过渡区TA还包括第三子区SA3，所述第三子区SA3位于所述第一子区SA1和所述第二子区SA2之间，所述第三子区SA3内设置有挡墙601，所述挡墙601设置在所述无机绝缘层20远离所述衬底10的一侧，且所述挡墙601围绕所述功能区HA。所述第一平坦化层41、所述像素定义层42以及所述支撑层43中的至少一层形成所述挡墙601。如图2示出的，所述挡墙601由所述第一平坦化层41形成，所述挡墙601的形状为梯形。所述挡墙601可对喷墨打印略微溢流时起到二次阻挡作用以及轻微防裂纹的作用。

进一步地，所述第一平坦化层41、所述像素定义层42以及所述支撑层43中的至少一层形成所述绝缘部401。示例性地，如图2所示，所述绝缘部401由所述第一平坦化层41形成。所述绝缘部401覆盖在所述金属阻挡部301的一侧。

在一种实施例中，所述第一子区SA1设置有一个所述金属阻挡部301，所述绝缘部401设置在所述第一子区SA1内，且所述绝缘部401位于所述金属阻挡部301远离所述显示区AA的一侧，以使所述第一电极层60在所述第一子区SA1断开后，位于所述第一子区SA1靠近所述功能区HA的所述第一电极层60不会形成电场。当然地，本申请不限于此，本申请的所述绝缘部401还可位于所述金属阻挡部301靠近所述显示区AA的一侧。

具体地，参照图2和图3，所述金属阻挡部301设置在所述凸台部231上，以增高所述金属阻挡部301，使所述金属阻挡部301的所述断开结构300更容易让所述发光层50和所述第一电极层60在所述断开结构300处断开。可选地，所述金属阻挡部301在所述衬底10上的正投影落在所述凸台部231在所述衬底10上的正投影的范围内，使得所述金属阻挡部301的尺寸小于或者等于所述凸台部231的尺寸，以增强所述金属阻挡部301的固定的稳定性，避免所述金属阻挡部301发生坍塌。

然而可选地，所述金属阻挡部301在所述衬底10上的正投影也可覆盖所述凸台部231在所述衬底10上的正投影，使所述金属阻挡部301的尺寸大于所述凸台部231的尺寸，如此所述金属阻挡部301和所述凸台部231之间也可形成断开结构300，使所述发光层50和所述第一电极层60更容易断开。

进一步地，所述绝缘部401设置在所述金属阻挡部301的一侧，所述绝缘部401覆盖所述金属阻挡部301的该侧。具体而言，所述金属阻挡部301包括背离所述凸台部231的上表面302以及连接所述上表面302的第一侧面303和第二侧面304，所述第一侧面303靠近所述显示区AA，所述第二侧面304远离所述显示区AA。所述绝缘部401设置在所述金属阻挡部301的所述第二侧面304，并覆盖所述第二侧面304以及部分所述上表面302。所述绝缘部401还覆盖部分所述凸台部231。

所述金属阻挡部301的所述第一侧面303和所述第二侧面304中的至少一个侧面形成有所述断开结构300。当然地，为了保证所述发光层50以及所述第一电极层60在所述金属阻挡部301处断开，所述金属阻挡部301上未被所述绝缘部401覆盖的一侧面必须具有所述断开结构300。也即所述金属阻挡部301上被所述绝缘部401覆盖的一侧面上可以形成有所述断开结构300，也可没有形成所述断开结构300。

继续参照图3，所述发光层50在所述金属阻挡部301的所述断开结构300处断开，以阻断所述发光层50形成水氧传输路径。位于所述金属阻挡部301一侧的所述发光层50覆盖部分所述第三无机绝缘子层22以及所述凸台部231，位于所述金属阻挡部301另一侧的所述发光层50覆盖部分所述金属阻挡部301、所述绝缘部401以及所述第三无机绝缘子层22。位于所述金属阻挡部301一侧的所述发光层50与位于所述金属阻挡部301另一侧的所述发光层50通过所述断开结构300断开。

所述第一电极层60也在所述断开结构300处断开，位于所述金属阻挡部301一侧的所述第一电极层60与所述金属阻挡部301电连接，且位于所述金属阻挡部301另一侧的所述第一电极层60与所述金属阻挡部301通过所述绝缘部401绝缘设置。其中所述金属阻挡部301一侧和所述金属阻挡层的另一侧是指所述金属阻挡部301上相对的两侧，也即所述金属阻挡部301的所述第一侧面303和所述第二侧面304。

接着具体阐述所述金属阻挡部301的所述断开结构300：

参照图5，所述金属阻挡部301包括层叠设置的第一金属子层3011、第二金属子层3012以及第三金属子层3013，所述第二金属子层3012位于所述第一金属子层3011远离所述无机绝缘层20的一侧，所述第三金属子层3013位于所述第二金属子层3012远离所述无机绝缘层20的一侧，所述第二金属子层3012与所述第三金属子层3013的材料不同，所述第二金属子层3012的宽度小于所述第三金属子层3013的宽度。具体而言，所述第二金属子层3012的外边界相对于所述第三金属子层3013的外边界内缩以形成所述断开结构300。可选地，所述金属阻挡部301为钛铝钛(Ti-Al-Ti)等叠层金属，比如所述第一金属子层3011和所述第三金属子层3013为钛层，所述第二金属子层3012为铝层。如此，在相同的蚀刻条件下对钛铝钛叠层金属进行蚀刻时，由于铝层相较于钛层更容易被蚀刻，使得蚀刻后铝层相较于钛层内缩，形成具有所述断开结构300的所述金属阻挡层。

在本实施例中，通过把所述绝缘部401设置在更靠近所述显示区AA的所述第一子区SA1内，使得所述第一电极层60在所述过渡区TA更早的断开，以增大所述过渡区TA内不会形成电场的所述第一电极层60的面积，进而能够更好地避免偏光片中的K+迁移到封装层发生电化学反应，进一步提高了封装的可靠性。

在一种实施例中，请参照图1至图7，图6为图1中沿A-A’方向的另一种剖面结构示意图，图7为图6中第一子区SA1的细节结构示意图。与上述实施例不同的是，所述第一子区SA1设置有两个所述金属阻挡部301，所述绝缘部401设置在所述第一子区SA1内，且所述绝缘部401填充于两个所述金属阻挡部301之间的间隔内，如图6所示。

具体地，参照图7，所述绝缘部401覆盖相邻的两个所述金属阻挡部301的一侧，相邻的两个所述金属阻挡部301上未被所述绝缘部401覆盖的一侧形成有所述断开结构300。所述发光层50在相邻的两个所述金属阻挡部301上的所述断开结构300处断开，所述第一电极层60也在相邻的两个所述金属阻挡部301上的所述断开结构300处断开。

具体而言，两个所述金属阻挡部301分别为第一金属阻挡部301-1和第二金属阻挡部301-2。所述第一金属阻挡部301-1和第二金属阻挡部301-2在所述过渡区TA相邻排布，所述第一金属阻挡部301-1设置在所述第二金属阻挡部301-2和所述显示区AA之间。所述第一金属阻挡部301-1靠近所述显示区AA的一侧设置有所述断开结构300，所述第二金属阻挡部301-2靠近所述功能区HA的一侧设置有所述断开结构300。所述绝缘部401同时覆盖所述第一金属阻挡部301-1靠近所述功能区HA的一侧和所述第二金属阻挡部301-2靠近所述显示区AA的一侧。

所述发光层50在所述第一金属阻挡部301-1靠近所述显示区AA的一侧和所述第二金属阻挡部301-2靠近所述功能区HA的一侧的所述断开结构300处均断开设置，所述发光层50在所述第一金属阻挡部301-1靠近所述显示区AA的一侧和所述第二金属阻挡部301-2靠近所述功能区HA的一侧之间连续设置。

所述第一电极层60在所述第一金属阻挡部301-1靠近所述显示区AA的一侧和所述第二金属阻挡部301-2靠近所述功能区HA的一侧的所述断开结构300处均断开设置，且处于所述第一金属阻挡部301-1靠近所述显示区AA的一侧的第一电极层60与所述第一金属阻挡部301-1电连接，处于所述第二金属阻挡部301-2靠近所述功能区HA的一侧的第一电极层60与所述第二金属阻挡部301-2电连接。

更具体地，所述第一电极层60在所述第一金属阻挡部301-1的所述断开结构300处断开后，位于所述第一金属阻挡部301-1一侧的所述第一电极层60与所述第一金属阻挡部301-1电连接，且位于所述第一金属阻挡部301-1另一侧的所述第一电极层60与所述第一金属阻挡部301-1通过所述绝缘部401绝缘设置。

此时，位于所述第一金属阻挡部301-1另一侧的所述第一电极层60包括两部分，第一部分是位于所述第一金属阻挡部301-1和所述第二金属阻挡部301-2远离所述衬底10一侧的所述第一电极层60，第二部分是位于所述第二金属阻挡部301-2远离所述绝缘层一侧的所述第一电极层60，该两部分所述第一电极层60同时也是被所述第二金属阻挡部301-2的所述断开结构300断开形成的。其中位于所述第二金属阻挡部301-2远离所述绝缘层一侧的所述第一电极层60与所述第二金属阻挡部301-2电连接，但是所述第二金属阻挡部301-2与所述第一金属阻挡部301-1之间被所述绝缘部401隔开，使得所述第一金属阻挡部301-1与所述第二金属阻挡部301-2之间绝缘设置，进而使得电连接于所述第一金属阻挡部301-1的所述第一电极层60与电连接于所述第二金属阻挡部301-2的所述第一电极层60之间绝缘设置。

而且位于所述第一金属阻挡部301-1和所述第二金属阻挡部301-2远离所述衬底10一侧的所述第一电极层60覆盖在所述发光层50上，该部分的所述发光层50是连续的，也即依次覆盖在所述第一金属阻挡部301-1的部分上表面、所述绝缘部401远离所述衬底10的表面、所述第二金属阻挡部301-2的部分上表面的所述发光层50是连续的，使得覆盖在该部分的所述发光层50上的所述第一电极层60与所述第一金属阻挡部301-1以及所述第二金属阻挡部301-2均绝缘设置。如此，位于所述第一金属阻挡部301-1一侧的所述第一电极层60与所述第一金属阻挡部301-1电连接，且位于所述第一金属阻挡部301-1另一侧的所述第一电极层60与所述第一金属阻挡部301-1通过所述绝缘部401绝缘设置。

可选地，所述第一金属阻挡部301-1与所述第一电极层60接入相同的电压，所述第二金属阻挡部301-2不接入电压，也即所述第一金属阻挡部301-1最靠近所述显示区AA，所述第一金属阻挡部301-1与所述显示区AA之间不存在其他的金属阻挡部301。如此可使所述第一电极层60在所述过渡区TA更早的断开，以增大所述过渡区TA内不会形成电场的所述第一电极层60的面积，进而能够更好地避免偏光片中的K+迁移到封装层发生电化学反应，进一步提高了封装的可靠性。

在本实施例中，通过在相邻的两个所述金属阻挡部301之间设置所述绝缘部401，使得靠近所述功能区HA的第一电极层60与所述显示区AA内的第一电极层60之间绝缘设置，使得靠近所述功能区HA的第一电极层60不会形成电场，进而不会使偏光片中的K+迁移到封装层中，避免了电化学反应的发生，提高了封装的可靠性，解决了现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的问题。

而且所述有机绝缘层40在所述过渡区TA形成所述绝缘部401时，由于有机材料具有流动性，当把所述绝缘部401形成在相邻的两个所述金属阻挡部301之间时，相邻的两个所述金属阻挡部301能够限制所述有机材料的流动，从而能够形成结构更稳定的所述绝缘部401。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

在一种实施例中，请参照图1至图8，图8为图1中沿A-A’方向的再一种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，所述绝缘部401设置在所述第二子区SA2内，且所述绝缘部401填充于相邻的两个所述金属阻挡部301之间的间隔内，如图8所示。通过在所述第二子区SA2设置所述绝缘部401，同样能够实现使靠近所述功能区HA的第一电极层60与所述显示区AA内的第一电极层60之间绝缘设置，进而使靠近所述功能区HA的第一电极层60不会形成电场的目的。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

在一种实施例中，请参照图1至图10，图9为本申请实施例提供的显示区的另一种细节结构示意图，图10为图9中膜层在第一子区形成的结构的细节示意图。与上述实施例不同的是，所述显示面板100采用低温多晶氧化物(LTPO)薄膜晶体管，所述显示面板100包括第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2，所述第一薄膜晶体管T1为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管T2为金属氧化物薄膜晶体管。由于采用低温多晶氧化物薄膜晶体管的所述显示面板100包括更多的膜层，相应地的在所述过渡区TA，所述金属阻挡部301以及所述垫层结构可由不同的金属层形成。

具体地，参照图9，所述无机绝缘层20设置在所述衬底10上，所述无机绝缘层20包括第二无机绝缘子层21、第三无机绝缘子层22、第四无机绝缘子层23、第五无机绝缘子层24以及第六无机绝缘子层25。所述有机绝缘层40包括第一平坦化层41、像素定义层42、第二平坦化层44以及第三平坦化层45。所述第一薄膜晶体管T1包括第一半导体层15、第一栅极71、第二栅极81、第一源极91、第一漏极92、第二源极31以及第三源极62。所述第二薄膜晶体管T2包括第二半导体层16、第三栅极83、第四栅极17、第四源极94以及第二漏极95。

参照图9和图10，在所述显示区AA形成所述第四栅极17的金属层在所述过渡区TA形成第三垫层结构502。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子装置，所述电子装置包括功能元件和前述实施例其中之一的显示面板100，所述功能元件对应所述显示面板的功能区设置。所述电子装置可以为可穿戴设备，例如智能手环、智能手表或虚拟现实(VirtualReality，VR)等设备，也可以为移动电话机、电子书、电子报纸、电视机或个人便携电脑，还可以为可弯曲和可折叠的柔性OLED显示或照明设备，本申请实施例对电子装置的具体形式不作具体限定。

根据上述实施例可知：

本申请提供一种显示面板和电子装置中，所述显示面板包括功能区、靠近所述功能区的显示区以及位于所述功能区和所述显示区之间的过渡区，所述显示面板的第一金属层设置在无机绝缘层远离衬底的一侧，并在过渡区的设置有至少一个金属阻挡部，所述金属阻挡部的至少一侧边设置有断开结构，有机绝缘层在所述过渡区形成有覆盖所述金属阻挡部一侧的绝缘部，发光层和第一电极层在断开结构处断开设置，位于所述金属阻挡部一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部电连接，且位于所述金属阻挡部另一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部通过所述绝缘部绝缘设置，如此靠近所述功能区的第一电极层与所述显示区内的第一电极层之间绝缘设置，使得靠近所述功能区的第一电极层不会形成电场，进而不会使偏光片中的K+迁移到封装层中，避免了电化学反应的发生，提高了封装的可靠性，解决了现有挖孔屏的切割边缘区存在封装失效的问题。此外，设置有绝缘部的金属阻挡部靠近功能区的一侧设置的金属阻挡部，也不会带电，不会形成电场来影响功能区的封装效果。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括功能区、显示区以及位于所述功能区和所述显示区之间的过渡区；所述显示面板还包括：

衬底；

无机绝缘层，设置在所述衬底的一侧；

第一金属层，设置在所述无机绝缘层远离所述衬底的一侧，所述第一金属层包括：设置在所述过渡区的至少一个金属阻挡部，所述金属阻挡部的至少一侧边设置有断开结构；

有机绝缘层，设置在所述第一金属层远离所述衬底的一侧，所述有机绝缘层包括：至少一个设置在所述过渡区且覆盖对应所述金属阻挡部一侧的绝缘部；

发光层，设置在所述有机绝缘层远离所述衬底的一侧，所述发光层覆盖所述显示区且延伸至所述过渡区，所述发光层在所述金属阻挡部的所述断开结构处断开设置；

第一电极层，设置在所述发光层远离所述衬底的一侧，所述第一电极层覆盖所述显示区且延伸至所述过渡区，所述第一电极层在所述金属阻挡部的所述断开结构处断开设置；

其中，位于所述金属阻挡部一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部电连接，且位于所述金属阻挡部另一侧的所述第一电极层与所述金属阻挡部通过所述绝缘部绝缘设置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层包括：设置在所述过渡区的所述金属阻挡部；

其中，至少一个所述金属阻挡部的一侧设置有断开结构，且其另一侧被对应的所述绝缘部覆盖。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，至少一个所述金属阻挡部靠近所述显示区的一侧设置有断开结构，且其靠近所述功能区的一侧被对应的所述绝缘部覆盖，所述金属阻挡部与靠近所述显示区一侧的所述第一电极层在所述断开结构处电连接，所述金属阻挡部与靠近所述功能区一侧的所述第一电极层通过所述绝缘部绝缘设置。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层包括：设置在所述过渡区且相邻排布的第一金属阻挡部和第二金属阻挡部，所述第一金属阻挡部设置在所述第二金属阻挡部和所述显示区之间；

所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧设置有所述断开结构，所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧设置有所述断开结构；

所述绝缘部同时覆盖所述第一金属阻挡部靠近所述功能区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述显示区的一侧；

所述发光层在所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧的所述断开结构处均断开设置，所述发光层在所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧之间连续设置；

所述第一电极层在所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧和所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧的所述断开结构处均断开设置，且处于所述第一金属阻挡部靠近所述显示区的一侧的第一电极层与所述第一金属阻挡部电连接，处于所述第二金属阻挡部靠近所述功能区的一侧的第一电极层与所述第二金属阻挡部电连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

挡墙，设置在所述过渡区，且设置在所述无机绝缘层远离所述衬底的一侧；

所述过渡区包括位于所述挡墙和所述显示区之间的第一子区，和位于所述挡墙和所述功能区之间的第二子区；

所述有机绝缘层包括：至少一个覆盖对应所述金属阻挡部一侧的绝缘部，所述绝缘部设置在所述第一子区和/或所述第二子区。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属阻挡部和所述第二金属阻挡部均设置在所述第一子区；

所述第一金属阻挡部与所述第一电极层接入相同的电压，所述第二金属阻挡部不接入电压。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘部的数量小于或等于所述金属阻挡部的数量。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属阻挡部包括：依次层叠设置的第一金属子层、第二金属子层、以及第三金属子层，其中，所述第二金属子层与所述第三金属子层的材料不同，所述第二金属子层的宽度小于所述第三金属子层的宽度。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：依次层叠设置在所述第一金属层上的第一平坦化层、像素定义层以及支撑层，所述有机绝缘层可以由所述第一平坦化层、所述像素定义层以及所述支撑层中至少一层形成。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述无机绝缘层包括依次层叠设置在所述衬底上的第一无机绝缘子层、第二无机绝缘子层、第三无机绝缘子层、以及第四无机绝缘子层；

所述显示面板还包括：

半导体层，设置在所述第一无机绝缘子层和所述第二无机绝缘子层之间，所述半导体层包括多个设置在所述显示区的有源部；

第二金属层，设置在所述第二无机绝缘子层和所述第三绝缘子层之间，所述第二金属层包括多个设置在所述显示区的栅极和第一电容电极，所述栅极与所述有源部对应设置；

第三金属层，设置在所述第三无机绝缘子层和所述第四无机绝缘子层之间，所述第三金属层包括多个设置在所述显示区的第二电容电极，所述第二电容电极与所述第一电容电极对应设置；

其中，所述第二金属层还包括设置在所述过渡区且与所述金属阻挡部对应的第一垫层结构，和/或，所述第三金属层还包括设置在所述过渡区且与所述金属阻挡部对应的第二垫层结构。