CN117438482A - 背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统 - Google Patents

背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统 Download PDF

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CN117438482A CN202311671762.XA CN202311671762A CN117438482A CN 117438482 A CN117438482 A CN 117438482A CN 202311671762 A CN202311671762 A CN 202311671762A CN 117438482 A CN117438482 A CN 117438482A
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王永谦
张建军
陈刚
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Abstract

本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统，在背接触电池片中，第一边缘汇流栅线靠近第一边缘设置，第一边缘汇流栅线与第一副栅电连接，第二边缘汇流栅线设置在第一边缘汇流栅线与第一边缘之间，第二边缘汇流栅线与至少一个第二掺杂层接触且与部分第二副栅靠近第一边缘的一端电连接。如此，通过在第一边缘和第一边缘汇流栅线之间设置第二边缘汇流栅线并使第二边缘汇流栅线与至少一个第二掺杂层接触且与部分第二副栅连接，可使得第二边缘汇流栅线能够收集第一边缘处的边缘区域的第二掺杂层的电流并通过部分第二副栅进行汇流，可以有效地减少第一边缘的边缘区域的效率损失，提升电池片的效率。

Description

背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统。
背景技术
背接触太阳能电池是一种将P型掺杂层和N型掺杂层均设置在硅片背面的电池，在背接触太阳能电池中，其背面设有交替布置的副栅和交替布置的主栅，主栅和副栅交叉设置，为了避免漏电，副栅在异极性的主栅处通常采用断开设计。
在相关技术中，背接触太阳能电池的背面副栅通常不会延伸到硅片的两侧边缘，因为如果延伸到了边缘，为了实现边缘区域的副栅的电流的收集，需要在边缘设置主栅和/或焊带与边缘区域的副栅相连，如果与该主栅和/或焊带异极性的副栅延伸到了硅片的边缘，为了避免位于边缘位置处的焊带与异性副栅相接触，在边缘位置的焊带与每一条异性副栅之间均需要涂布绝缘胶，导致成本大幅度升高，同时也容易导致漏胶从而导致电池片弯曲和翘曲。
然而，如果副栅没有延伸至硅片的边缘，则边缘会存在一部分区域没有金属副栅，导致边缘会存在一部分区域的载流子无法被收集，从而导致载流子的收集效率较低，存在效率损失，导致电池片的效率较低。
发明内容
本申请提供一种背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统，旨在解决现有背接触电池片的边缘会存在一部分区域的载流子无法被收集，从而导致载流子的收集效率较低，存在效率损失，导致电池片的效率较低的技术问题。
本申请是这样实现的，本申请实施例的背接触电池片包括：
硅基底，所述硅基底的背面设有若干第一掺杂层和若干第二掺杂层，若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层沿第一方向依次交替排列且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉，在所述第二方向上，所述硅基底具有相对的第一边缘和第二边缘；
沿所述第一方向间隔交替设置的若干第一副栅和若干第二副栅，所述第一副栅设置在所述第一掺杂层上方，所述第二副栅设置在所述第二掺杂层上方；所述第一副栅在所述第二方向上具有若干间隔的第一间断区，所述第二副栅在所述第二方向上具有若干间隔的第二间断区，相邻所述第一副栅上的所述第一间断区在所述第一方向上相对应，相邻所述第二副栅上的所述第二间断区在所述第一方向上相对应，在所述第二方向上，所述第一间断区和所述第二间断区依次交替间隔设置，所述第一副栅未延伸至所述硅基底的第一边缘；
靠近所述第一边缘且沿所述第一方向延伸设置的第一边缘汇流栅线，所述第一边缘汇流栅线与所述第一副栅电连接；和
沿所述第一方向延伸设置的第二边缘汇流栅线，所述第二边缘汇流栅线设置在所述第一边缘汇流栅线和所述第一边缘之间且位于所述第二掺杂层上方，所述第二边缘汇流栅线与至少一个所述第二掺杂层接触且与部分所述第二副栅靠近所述第一边缘的一端电连接。
更进一步地，部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第一边缘汇流栅线与所述第二边缘汇流栅线电连接。
更进一步地，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接；
沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上，所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置，所述第一倒角处设有第一辅助栅线，所述第一辅助栅线连接所述第二边缘汇流栅线和最靠近所述第三边缘的所述第二副栅。
更进一步地，所述第一辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。
更进一步地，所述第一辅助栅线与所述第一倒角平行。
更进一步地，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接；
所述第一倒角处设有第二辅助栅线，所述第二辅助栅线连接位于所述第一倒角处的所述第一副栅以及所述第一边缘汇流栅线。
更进一步地，所述第一边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.5mm-2mm；和/或
所述第二边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.3mm-1.2mm。
更进一步地，所述第二边缘汇流栅线的宽度为20um-200um；和/或
所述第二边缘汇流栅线的宽度大于所述第一边缘汇流栅线的宽度。
更进一步地，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层，所述第二边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上，在所述第二边缘汇流栅线对应的区域上，所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第一开孔，所述第二边缘汇流栅线通过所述第一开孔与所述第二掺杂层接触。
更进一步地，所述背接触电池片还包括：
靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第三边缘汇流栅线，所述第三边缘汇流栅线与所述第二副栅电连接，所述第二副栅未延伸至所述硅基底的第二边缘，所述第三边缘汇流栅线与所述第一边缘汇流栅线的极性相反；和
沿所述第一方向延伸设置的第四边缘汇流栅线，所述第四边缘汇流栅线设置在所述第三边缘汇流栅线和所述第二边缘之间且位于所述第一掺杂层上方，所述第四边缘汇流栅线与至少一个所述第一掺杂层接触且与部分所述第一副栅靠近所述第二边缘的一端电连接。
更进一步地，部分所述第一副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。
更进一步地，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上，所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置，所述第二倒角处设有第三辅助栅线，所述第三辅助栅线连接位于所述第二倒角处的所述第二副栅以及所述第三边缘汇流栅线。
更进一步地，所述第三辅助栅线与所述第二倒角平行。
更进一步地，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
所述第三边缘汇流栅线包括第一汇流段和第二汇流段，所述第一汇流段连接位于所述第二倒角处的所述第二副栅，所述第二汇流段连接除所述第二倒角处以外的所述第二副栅。
更进一步地，所述第一汇流段和所述第二汇流段沿所述第二方向间隔设置，所述第二汇流段相较于所述第一汇流段更靠近所述第二边缘。
更进一步地，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层，所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上，在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上，所述钝化膜层上与所述第一掺杂层对应的位置处开设有第二开孔，所述第四边缘汇流栅线通过所述第二开孔与所述第一掺杂层接触。
更进一步地，所述背接触电池片还包括：
靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第三边缘汇流栅线，所述第三边缘汇流栅线与所述第一副栅电连接，所述第一副栅未延伸至所述硅基底的第二边缘，所述第三边缘汇流栅线与所述第一边缘汇流栅线的极性相同；和
靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第四边缘汇流栅线，所述第四边缘汇流栅线设置在所述第三边缘汇流栅线和所述第二边缘之间且所述第四边缘汇流栅线位于所述第二掺杂层上方，所述第四边缘汇流栅线与至少一个所述第二掺杂层接触且与部分所述第二副栅靠近所述第二边缘的一端电连接。
更进一步地，部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。
更进一步地，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上，所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置，所述第二倒角处设有第四辅助栅线，所述第四辅助栅线连接所述第四边缘汇流栅线和最靠近所述第三边缘的所述第二副栅。
更进一步地，所述第四辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。
更进一步地，所述第四辅助栅线与所述第二倒角平行。
更进一步地，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
所述第二倒角处还设有第五辅助栅线，所述第五辅助栅线连接位于所述第二倒角处的所述第一副栅以及所述第三边缘汇流栅线。
更进一步地，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层，所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上，在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上，所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第三开孔，所述第四边缘汇流栅线通过所述第三开孔与所述第二掺杂层接触。
更进一步地，所述第三边缘汇流栅线与所述第二边缘的距离为0.5mm-2mm；和/或
所述第四边缘汇流栅线与所述第二边缘的距离为0.3mm-1.2mm。
更进一步地，所述第四边缘汇流栅线的宽度为20um-200um；和/或
所述第四边缘汇流栅线大于所述第三边缘汇流栅线的宽度。
更进一步地，在所述第二方向上，所述背接触电池片还依次交替设有第一主栅和第二主栅，所述第一主栅设置在所述第一间断区处且与所述第一副栅接触，所述第二主栅设置在所述第二间断区处且与所述第二副栅接触。
本申请还提供一种电池串，包括若干上述任一项所述的背接触电池片，在相邻两个所述背接触电池片中，其中一个所述背接触电池片的所述第一间断区与另一个所述背接触电池片的所述第二间断区在所述第一方向上相对应。
本申请还提供一种电池组件，所述电池组件包括若干上述的电池串。
本申请还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。
在本申请实施例的背接触电池片、电池串、电池组件和光伏系统中，第一副栅未延伸至硅基底的第一边缘，第一边缘汇流栅线靠近第一边缘设置且沿第一方向延伸，第一边缘汇流栅线与第一副栅电连接，第二边缘汇流栅线沿第一方向延伸设置且设置在第一边缘汇流栅线与第一边缘之间，第二边缘汇流栅线与至少一个第二掺杂层接触且与部分第二副栅靠近第一边缘的一端电连接。如此，通过在第一边缘和第一边缘汇流栅线之间设置第二边缘汇流栅线并使得第二边缘汇流栅线与至少一个第二掺杂层接触且与部分第二副栅连接，可以使得第二边缘汇流栅线收集第一边缘处的边缘区域的第二掺杂层的载流子并通过部分第二副栅汇流至相邻的同极性主栅和/或焊带上以实现电流的收集，可以有效地减少第一边缘的边缘区域的效率损失，提升电池片的效率。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
图1是本申请实施例提供的背接触电池片的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的背接触电池片的局部放大示意图；
图3是图1中的背接触电池片在第二边缘汇流栅线处的剖面示意图；
图4是本申请实施例提供的背接触电池片的另一局部放大示意图；
图5是图1中的背接触电池片在第四边缘汇流栅线处的剖面示意图；
图6是本申请实施例提供的背接触电池片的再一局部放大示意图；
图7是本申请实施例提供的背接触电池片的另一结构示意图；
图8是图7中的背接触电池片在第四边缘汇流栅线处的剖面示意图；
图9是本申请实施例提供的电池串的结构示意图；
图10是本申请实施例提供的光伏系统的结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。需要说明的是，下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。此外，应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其它工艺的应用和/或其它材料的使用场景。
实施例一
请参阅图1和图2，本申请实施例中的背接触电池片100可包括硅基底10、若干第一副栅20、若干第二副栅30、第一边缘汇流栅线40和第二边缘汇流栅线50。
请结合图3，硅基底10的背面11设有若干第一掺杂层12和若干第二掺杂层13，若干第一掺杂层12和若干第二掺杂层13沿第一方向依次交替排列且沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉，在第二方向上，硅基底10具有相对的第一边缘101和第二边缘102。
第一掺杂层12与第二掺杂层13的极性相反，例如，第一掺杂层12可为P型掺杂层，第二掺杂层13可为N型掺杂层，又如，第一掺杂层12可为N型掺杂层，第二掺杂层13可为P型掺杂层，具体在此不作限制，第一掺杂层12和第二掺杂层13可优先间隔设置，第一掺杂层12和第二掺杂层13均可延伸至硅基底10的第一边缘101和第二边缘102。优选地，第一方向可为背接触电池片100的纵向方向，第二方向可为背接触电池片100的横向方向，两者相互垂直，当然，在其它实施例中，第一方向和第二方向也可不垂直，或者其并非横向方向和纵向方向，例如，两者可分别为硅基底10的对角线方向，具体在此不作限制。
如图1所示，若干第一副栅20和若干第二副栅30沿第一方向间隔交替设置，第一副栅20设置在第一掺杂层12上方，第二副栅30设置在第二掺杂层13上，第一副栅20用于收集第一掺杂层12的电流，第二副栅30用于收集第二掺杂层13的电流。
如图1所示，第一副栅20在第二方向上具有若干间隔的第一间断区21，第二副栅30在第二方向上具有若干间隔的第二间断区31，相邻第一副栅20上的第一间断区21在第一方向上相对应，相邻第二副栅30上的第二间断区31在第一方向上相对应，在第二方向上，第一间断区21和第二间断区31依次交替间隔设置，第一副栅20未延伸至硅基底10的第一边缘101。
需要说明的是，“相邻第一副栅20上的第一间断区21在第一方向上相对应，相邻第二副栅30上的第二间断区31在第一方向上相对应”指的是，在第一方向上，第一间断区21基本对齐设置，第二间断区31也基本对齐设置。“在第二方向上，第一间断区21和第二间断区31依次交替间隔设置”指的是，在整个背接触电池片100中，在第二方向上，第一间断区21和第二间断区31依次交替设置。
具体地，第一间断区21和第二间断区31可用于设置主栅和/或焊带以实现汇流输出。
请参阅图1和图2，第一边缘汇流栅线40靠近第一边缘101设置且沿第一方向延伸，第一边缘汇流栅线40与第一副栅20电连接。
第二边缘汇流栅线50沿第一方向延伸设置且设置在第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间且位于第二掺杂层13上方，第二边缘汇流栅线50与至少一个第二掺杂层13接触且与部分第二副栅30靠近第一边缘101的一端电连接。
具体地，第二边缘汇流栅线50可直接与部分第二副栅30连接或者是通过其它的连接线（例如下文中的第一辅助栅线60）与部分第二副栅30连接。需要说明的是，“部分第二副栅30”所指的是一根第二副栅30或者是多根第二副栅30但并非全部的第二副栅30。
在本申请实施例的背接触电池片100中，第一副栅20未延伸至硅基底10的第一边缘101，第一边缘汇流栅线40靠近第一边缘101设置且沿第一方向延伸，第一边缘汇流栅线40与第一副栅20电连接，第二边缘汇流栅线50沿第一方向延伸设置且设置在第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间，第二边缘汇流栅线50与至少一个第二掺杂层13接触且与部分第二副栅30靠近第一边缘101的一端电连接。如此，通过在第一边缘101和第一边缘汇流栅线40之间设置第二边缘汇流栅线50并使得第二边缘汇流栅线50与至少一个第二掺杂层13接触且与部分第二副栅30连接，可以使得第二边缘汇流栅线50能够收集第一边缘101处的边缘区域的第二掺杂层13的电流并通过部分第二副栅30汇流至相邻的同极性主栅和/或焊带上以实现电流的收集，可以有效地减少第一边缘101的边缘区域的效率损失，提升电池片的效率。
并且，由于只有部分第二副栅30与第二边缘汇流栅线50连接，在后续焊接异极性的焊带（例如图9中的边缘焊带203）的过程中，焊带只会与部分的第二副栅30或者与连接第二副栅30和第二边缘汇流栅线50的连接线（例如下文中的第一辅助栅线60）交叉，交叉点位较少，只需要在少量的点位处布置绝缘胶来避免漏电，可有效地降低成本，同时，绝缘胶涂布的点位为孤立的点位，也不会容易导致漏胶而导致电池片弯曲和翘曲，也即是说，采用本申请的技术方案，可以在降低绝缘胶成本以及避免漏胶而导致电池片弯曲和翘曲的同时也能够有效地减少效率损失，保证电池片的效率。此外，通过第一边缘汇流栅线40的设置，也可以实现第一副栅20的防断栅功能，尽可能地避免第一副栅20出现断栅。
具体地，在本申请的实施例中，第一掺杂层12和第二掺杂层13的极性相反，第一副栅20和第二副栅30的极性也相反。例如，第一副栅20为正极副栅线，用于收集正极区域的正极电流，则第二副栅30为负极副栅线，用于收集负极区域的负极电流；或者，第一副栅20为负极副栅线，用于收集负极区域的负极电流，则第二副栅30为正极栅线，用于收集正极区域的正极电流。其中，正极副栅线设于背接触电池片100的P型掺杂层，负极副栅线设于背接触电池片100的N型掺杂层。
在本申请的实施例中，背接触电池片100可实质上为矩形，其中实质上为矩形所指的是背接触电池片100可以是正方形、长方形或者具有标准倒角、修圆的拐角的长方形，其根据实际生产需要进行设置，在此不作限制。同时，第一副栅20和第二副栅30的数量根据实际的背接触电池片100面积大小、第一副栅20和第二副栅30的宽度及距离进行确定，在此也不作具体限定。
在本申请的实施例中，“第一副栅20形成有若干第一间断区21”所指的是第一副栅20为间断结构，第一副栅20在第一间断区21处隔断，也即，第一间断区21将第一副栅20隔断成若干部分，同理，“第二副栅30形成有若干第二间断区31”所指的是第二副栅30为间断结构，第二副栅30在第二间断区31处隔断，也即，第二间断区31将第二副栅30隔断成若干部分。
在图所示的实施例中，“第一边缘101”所指的是图1中的左边缘，“第二边缘102”所指的是图1中的右边缘，第一边缘汇流栅线40和第二边缘汇流栅线50均可与第一边缘101和第二边缘102平行设置，第一副栅20和第二副栅30则与第一边缘101和第二边缘102垂直设置。
在本申请的实施例中，为了降低工艺制作的难度，第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间优选均不具有第一副栅20，第二边缘汇流栅线50和第一边缘101之间优选不具有第一副栅20和第二副栅30。当然，可以理解的是，在一些实施例中，第二边缘汇流栅线50与第一边缘101之间也可具有第二副栅30而不具有第一副栅20，具体在此不作限制。
进一步的，在本申请的实施例中，第一副栅20和第二副栅30可为铝栅线、银栅线、铜栅线、或者银包铜栅线，在此不作限制。
可以理解的是，在本申请实施例中，可以选用第一副栅20和第二副栅30为相同或者不同的金属类型的栅线，例如第一副栅20和第二副栅30均选用铝栅线；或第一副栅20选用铝栅线，第二副栅30选用银栅线。
如图2和图3所示，不难理解的是，第二边缘汇流栅线50是与第二掺杂层13接触以实现边缘区域的第二掺杂层13的电流的收集，因此，在本申请的实施例中，在第一副栅20的第一间断区21和第二副栅30的第二间断区31中，最靠近第一边缘101的为第一间断区21，也即，在第二方向上，第一间断区21和第二间断区31依次交替排列，在第一间断区21对应的位置处，第二副栅30不断开，对应第一间断区21的位置处可以设置与第二副栅30接触的主栅和/或焊带，以实现对第一边缘汇流栅线40的电流的汇流。
实施例二
请参阅图2，在一些实施例中，部分第二副栅30绝缘贯穿第一边缘汇流栅线40与第二边缘汇流栅线50电连接。
如此，第二边缘汇流栅线50在收集到第一边缘101的边缘区域的第二掺杂层13电流后，可通过贯穿第一边缘汇流栅线40的第二副栅30汇流到最近的同极性的主栅和/或焊带上以实现电流的收集。
具体地，如图2所示，在这样的实施例中，若干第二副栅30可包括若干第一收集副栅32和若干第一贯穿副栅33，若干第一收集副栅32均位于第一边缘汇流栅线40朝向第二边缘102的一侧，第一贯穿副栅33则绝缘贯穿第一边缘汇流栅线40与第二边缘汇流栅线50连接。
也即是说，在这样的实施例中，在第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间不具有第一收集副栅32，在第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间，仅仅只有第一边缘汇流栅线40被贯穿的位置具有第一贯穿副栅33，其余位置均不具有副栅（包括第一副栅20和第二副栅30）。
需要说明的是，在本申请的实施例中，“部分第二副栅30绝缘贯穿第一边缘汇流栅线40”可以理解为在第一方向上，第一边缘汇流栅线40上具有若干间隔的隔断区，第一贯穿副栅33则通过该隔断区穿过第一边缘汇流栅线40且不与对第一边缘汇流栅线40接触，以实现物理上的贯穿和绝缘隔离。
可以理解的是，在这样的实施例中，第一贯穿副栅33的数量可为单根也可为多根，其具体数量可根据电池片的尺寸大小来决定。在第一贯穿副栅33的数量为多根时，多根第一贯穿副栅33可沿第一方向间隔设置，相邻两根第一贯穿副栅33之间的距离可根据电池片的尺寸来进行确定，优选可根据硅基底10的尺寸沿第一方向均匀间隔布置在硅基底10上，具体在此不作限制。
不难理解的是，在这样的实施例中，第二边缘汇流栅线50可将第一边缘101的边缘区域的第二掺杂层13的电流进行收集，然后通过贯穿第一边缘汇流栅线40的第一贯穿副栅33汇集到最近的同极性的主栅和/或焊带（例如下文中的焊带202）上以实现汇流，而通过设置多条第一贯穿副栅33则可以有效地缩短汇流路径，减少损耗。
实施例三
请参阅图1和图2，在一些实施例中，在第一方向上，硅基底10还具有相对的第三边缘103和第四边缘104，第三边缘103与第一边缘101通过第一倒角105连接；
沿第三边缘103朝向第四边缘104的方向上，第二副栅30与第一副栅20依次交替设置，第一倒角105处设有第一辅助栅线60，第一辅助栅线60连接第二边缘汇流栅线50和最靠近第三边缘103的第二副栅30。
如此，通过在第一倒角105处设置第一辅助栅线60可以将第二边缘汇流栅线50收集到的电流汇流至第三边缘103处的第二副栅30以汇流到最近的主栅和/或焊带上。
具体地，如图1所示，第三边缘103为硅基底10的上边缘，第四边缘104为硅基底10的下边缘，第一边缘101与第三边缘103形成第一倒角105。在这样的实施例中，在第一倒角105处设置第一辅助栅线60，连接第二边缘汇流栅线50和最上方的第二副栅30，第二边缘汇流栅线50收集到的电流可通过第一辅助栅线60汇流以及与第一辅助栅线60连接的第二副栅30汇流至邻近的主栅和/或焊带中，也即，第二边缘汇流栅线50可通过第一辅助栅线60实现与位于最上方的第二副栅30的电连接。
可以理解的是，在这样的实施例中，可以设置上述实施例二中的第一贯穿副栅33与第一辅助栅线60共同实现电流的汇流，也可以不设置上述实施例二中的第一贯穿副栅33，而是通过第一倒角105处的第一辅助栅线60实现电流的汇流。当然，为了避免汇流的传输路径过长而导致损耗过大，可优选通过第一贯穿副栅33实现汇流或者通过第一贯穿副栅33和第一辅助栅线60共同实现汇流，在此不作限制。
如图2所示，在一些实施例中，第一辅助栅线60可与第一倒角105平行设置。这样可以使得背面11的栅线结构在制作时更加简单。
进一步地，在一些实施例中，第一辅助栅线60可位于第二掺杂层13上方且与至少一个第二掺杂层13接触。
如此，第一辅助栅线60可在实现电流汇流的同时也能够实现第一倒角105位置处的边缘区域处的电流的收集，从而更进一步地减少效率损失以提升电池片的效率。
请继续参阅图1和图2，在一些实施例中，第一倒角105处还可设有第二辅助栅线70，第二辅助栅线70连接位于第一倒角105处的第一副栅20以及第一边缘汇流栅线40。需要说明的是，“位于第一倒角105处的第一副栅20”所指的是若干第一副栅20中未与第一边缘汇流栅线40直接连接且沿第二方向的延长线与第一倒角105交叉的第一副栅20，例如图2中的最上方的两根第一副栅20。
如此，通过第二辅助栅线70的设置可以将第一倒角105处的第一副栅20连接起来实现第一倒角105处的第一副栅20之间的导通，在后续焊接焊带（例如下文中的边缘焊带203）时，只需要将焊带与第二辅助栅线70接触即可实现第一倒角105处的第一副栅20的电流的收集，可以避免由于第一倒角105的存在而导致后续在焊接焊带时焊带无法与第一倒角105处的所有第一副栅20接触而导致第一倒角105处的第一副栅20的电流无法被收集的情况。
具体地，如图2所示，在这样的实施例中，第二辅助栅线70也可与第一倒角105平行设置，也即，在第一倒角105处，从外侧至内侧，第一倒角105、第一辅助栅线60和第二辅助栅线70依次平行设置。
如图2所示，不难理解的是，由于第一副栅20在最靠近第一边缘101的位置具有第一间断区21，因此，为了实现第一边缘101附近处的第一副栅20的汇流，需要在第一边缘101的位置处设置焊带与第一副栅20实现导电连接以实现汇流，而由于第一倒角105的存在，顶部的第一副栅20的长度较短，焊带竖直设置时无法与顶部的第一副栅20实现接触，而若焊带太靠近内侧，其容易与异极性的第二副栅30接触而导致漏电，因此，通过设置第二辅助栅线70，可以将第一倒角105处的第一副栅20连接成一个整体，在焊接焊带时，只需要将焊带与第一边缘汇流栅线40接触或者同时与第一边缘汇流栅线40和第二辅助栅线70接触或者与第一边缘汇流栅线40连接的其余第一副栅20以及第二辅助栅线79接触即可实现所有的第一副栅20的电流的汇流。
实施例四
在一些实施例中，第一边缘汇流栅线40与第一边缘101的距离（即两者在第二方向上的间距）为0.5mm-2mm。
如此，将第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间的间距设置在这一合理的范围内，可以有效地避免两者之间的距离过大而导致边缘区域不设置副栅的面积过大而导致效率损失过大，也可以避免两者之间的距离过小而导致后续在第一边缘汇流栅线40处焊接焊带时出现虚焊和裂片，保证焊接的可靠性和稳定性。
具体地，在这样的实施例中，第一边缘汇流栅线40与第一边缘101的距离可例如为0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm、2mm或者0.5mm-2mm之间的任意数值，具体在此不作限制。
进一步地，在本申请的实施例中，第一边缘汇流栅线40与第一边缘101之间的距离优选为0.8mm-1.2mm，例如0.9mm等，这样，可以在降低工艺难度的同时有效地避免距离过大而导致边缘区域的面积过大而导致效率损失过大，同时也能够保证焊接的稳定性和可靠性。
实施例五
在一些实施例中，第二边缘汇流栅线50与第一边缘101的距离（即两者在第二方向上的间距）为0.3mm-1.2mm
如此，一方面可以避免第二边缘汇流栅线50与第一边缘101之间的距离过小而导致第二边缘汇流栅线50的印刷难度大幅度升高，另一方面则可以避免第二边缘汇流栅线50与第一边缘101之间的距离过大而导致效率损失过大。
具体地，在这样的实施例中，第二边缘汇流栅线50与第一边缘101的距离可例如为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.2mm或者0.3mm-1.2mm之间的任意数值，具体在此不作限制。
进一步地，在本申请的实施例中，第二边缘汇流栅线50与第一边缘101之间的距离优选为0.3mm-0.6mm，例如0.5mm等，这样，可以在降低工艺难度的同时有效地避免距离过大而导致边缘区域的面积过大而导致效率损失过大，也即，可以在降低印刷难度的同时避免效率损失过大。
实施例六
在一些实施例中，第二边缘汇流栅线50的宽度可为20um-200um。
如此，将第二边缘汇流栅线50的宽度设置这一合理的范围内可以避免第二边缘汇流栅线50的宽度过小而导致过流能力太小而导致汇流时出现熔断现象，也可以避免第二边缘汇流栅线50的宽度过大而导致成本大幅升高。
具体地，在这样的实施例中，第二边缘汇流栅线50的宽度可例如为20um、20um、30um、40um、50um、60um、70um、80um、90um、100um、110um、120um、130um、140um、150um、160um、170um、180um、190um、200um或者20um-200um之间的任意数值，具体在此不作限制。
在一些实施例中，第二边缘汇流栅线50的宽度可大于第一边缘汇流栅线40的宽度。
如此，由于第二边缘汇流栅线50是为了实现边缘区域的各个第二掺杂层13的电流的收集，其起到了收集和汇流的作用，因此，将第二边缘汇流栅线50的宽度设置成大于第一边缘汇流栅线40的宽度可以，为了提高第二边缘汇流栅线50的过流能力以保证电池片的稳定性。
实施例七
请参阅图3，在一些实施例中，第一掺杂层12和第二掺杂层13上还设有钝化膜层107，第二边缘汇流栅线50设置在钝化膜层107上，在第二边缘汇流栅线50对应的区域（即第二边缘汇流栅线50在钝化膜层107上的投影区域）上，钝化膜层107上与第二掺杂层13对应的位置处开设有第一开孔1071，第二边缘汇流栅线50通过第一开孔1071与第二掺杂层13接触。
如此，通过在钝化膜层107上与第二掺杂层13对应的位置处开设第一开孔1071，可以使得第二边缘汇流栅线50在印刷时可以实现与边缘区域下方的第二掺杂层13实现稳定的接触以实现电流的收集，同时也可以避免第二边缘汇流栅线50与第一掺杂层12接触而导致漏电。
具体地，在这样的实施例中，可通过激光开孔的方式来在钝化膜层107上形成第一开孔1071，为了实现电流的最大化收集，可优选在所有的第二掺杂层13上均开设第一开孔1071，第二边缘汇流栅线50则通过第一开孔1071与所有的第二掺杂层13接触以实现电流的最大化收集。可以理解的是，在这样的实施例中，可以是在所有的第二掺杂层13上方均开设第一开孔1071，也可以是在部分第二掺杂层13上开设第一开孔1071，具体在此不作限制。
实施例八
请参阅图1、图4和图5，在一些实施例中，背接触电池片100还可包括第三边缘汇流栅线80和第四边缘汇流栅线90。
第三边缘汇流栅线80靠近第二边缘102且沿第一方向延伸设置，第三边缘汇流栅线80与第二副栅30电连接，第二副栅30未延伸至硅基底10的第二边缘102，第三边缘汇流栅线80与第一边缘汇流栅线40的极性相反。
第四边缘汇流栅线90也沿第一方向延伸设置，第四边缘汇流栅线90设置在第三边缘汇流栅线80和第二边缘102之间且位于第一掺杂层12上方，第四边缘汇流栅线90与第二边缘汇流栅线50的极性相反且与至少一个第一掺杂层12接触并且与部分第一副栅20靠近第二边缘102的一端电连接。
如此，在第二边缘102和第三边缘汇流栅线80之间设置第四边缘汇流栅线90，第四边缘汇流栅线90与至少一个第一掺杂层12接触且与部分第一副栅20线连接，第四边缘汇流栅线90可以收集第二边缘102处的边缘区域的第一掺杂层12的电流并通过部分第一副栅20汇流至相邻同极性主栅和/或焊带上以实现电流的收集，可以进一步地减少第二边缘102的边缘区域的效率损失，更进一步地提升电池片的效率。
并且，如图4所示，由于只有部分第一副栅20与第四边缘汇流栅线90连接，在后续焊接异极性的焊带（例如图9中的边缘焊带203）的过程中，焊带只会与部分的第一副栅20交叉，交叉点位较少，只需要在少量的点位处布置绝缘胶来避免漏电，可有效地降低成本，同时，绝缘胶涂布的点位为孤立的点位，也不会容易导致漏胶而导致电池片弯曲和翘曲。同时，通过第三边缘汇流栅线80的设置，也可以实现第二副栅30的防断栅功能，尽可能地避免第二副栅30出现断栅。
具体地，在这样的实施例中，第二边缘102处的第三边缘汇流栅线80与第一边缘101处的第一边缘汇流栅线40极性相反，一个为正极栅线，另一个为负极栅线。第二边缘102处的第四边缘汇流栅线90和第一边缘101处的第二边缘汇流栅线50的极性相反，一个为正极栅线，另一个为负极栅线。
第二边缘汇流栅线50是用于收集第一边缘101的边缘区域的第二掺杂层13的电流，第四边缘汇流栅线90则是用于收集第二边缘102的边缘区域的第一掺杂层12的电流的收集。
可以理解的是，在这样的实施例中，第三边缘汇流栅线80与第一边缘汇流栅线40的结构、材料基本相同，第四边缘汇流栅线90与第二边缘汇流栅线50的结构、材料基本相同，在此不作赘述。
如图1所示，不难理解的是，第四边缘汇流栅线90是与第一掺杂层12接触以实现边缘区域的第一掺杂层12的电流的收集，因此，如图4所示，在本实施例中，第一间断区21和第二间断区31的数量为偶数，在第一副栅20的第一间断区21和第二副栅30的第二间断区31中，最靠近第二边缘102的为第二间断区31，也即，在第二方向上，第一间断区21和第二间断区31依次交替排列，最靠近第二边缘102的间断区为第二间断区31，在第二间断区31对应的位置处，第一副栅20不断开，对应第二间断区31的位置处可以设置与第一副栅20接触的主栅和/或焊带，以对第四边缘汇流栅线90收集到的电流进行汇流。
实施例九
请参阅图1和图4，在一些实施例中，部分第一副栅20绝缘贯穿第三边缘汇流栅线80与第四边缘汇流栅线90连接。
如此，第四边缘汇流栅线90在收集到边缘区域的电流后，可通过贯穿第三边缘汇流栅线80的第一副栅20汇流到最近的同极性的主栅和/或焊带上以实现电流的收集。
具体地，如图4所示，在这样的实施例中，若干第一副栅20可包括若干第二收集副栅22和若干第二贯穿副栅23，若干第二收集副栅22均位于第三边缘汇流栅线80朝向第一边缘101的一侧，第二贯穿副栅23则绝缘贯穿第三边缘汇流栅线80与第四边缘汇流栅线90连接。
也即是说，在这样的实施例中，在第三边缘汇流栅线80与第二边缘102之间不具有第二收集副栅22，在第三边缘汇流栅线80与第二边缘102之间，仅仅只有第二边缘汇流栅线50被贯穿的位置具有第二贯穿副栅23，其余位置均不具有副栅（包括第一副栅20和第二副栅30）。
需要说明的是，在本申请的实施例中，“部分第一副栅20绝缘贯穿第三边缘汇流栅线80”可以理解为在第一方向上，第三边缘汇流栅线80上具有若干间隔的隔断区，第二贯穿副栅23则通过该隔断区穿过第三边缘汇流栅线80且不与对第三边缘汇流栅线80接触，以实现物理上的贯穿和绝缘隔离。
可以理解的是，在这样的实施例中，第二贯穿副栅23的数量可为单根也可为多根，其具体数量可根据电池片的尺寸大小来决定。在第二贯穿副栅23的数量为多根时，多根第二贯穿副栅23可沿第一方向间隔设置，相邻两根第二贯穿副栅23之间的距离可根据电池片的尺寸来进行确定，优选可根据硅基底10的尺寸沿第一方向均匀间隔布置在硅基底10上，具体在此不作限制。
不难理解的是，在这样的实施例中，第四边缘汇流栅线90可将第二边缘102的边缘区域的第一掺杂层12的电流进行收集，然后通过贯穿第三边缘汇流栅线80的第二贯穿副栅23汇集到最近的同极性的主栅和/或焊带（例如下文中的焊带202）上以实现汇流，而通过设置多条第二贯穿副栅23则可以有效地缩短汇流路径，减少损耗。
实施例十
请参阅图1和图4，在一些实施例中，在第一方向上，硅基底10还具有相对的第三边缘103和第四边缘104，第三边缘103与第二边缘102通过第二倒角106连接；
沿第三边缘103朝向第四边缘104的方向上，第二副栅30与第一副栅20依次交替设置，第二倒角106处设有第三辅助栅线110，第三辅助栅线110连接位于第二倒角106处的第二副栅30以及第三边缘汇流栅线80。需要说明的是，“位于第二倒角106处的第二副栅30”所指的是若干第二副栅30中未与第三边缘汇流栅线80直接连接且沿第二方向的延长线与第二倒角106交叉的第二副栅30，例如图4中的最上方的两根第二副栅30。
如此，通过第三辅助栅线110的设置可以将第二倒角106处的第二副栅30连接起来实现第二倒角106处的第二副栅30之间的导通，在后续焊接焊带（例如下文中的边缘焊带203）时，只需要将焊带与第三辅助栅线110接触即可实现第二倒角106处的第二副栅30的电流的收集，可以避免由于第二倒角106的存在而导致后续在焊接焊带时焊带无法与第二倒角106处的所有第二副栅30接触而导致第二倒角106处的第二副栅30的电流无法被收集的情况。
具体地，如图4所示，在这样的实施例中，第三辅助栅线110可与第二倒角106平行设置，这样可以使得背面11的栅线结构在制作时更加简单。
如图4所示，不难理解的是，由于第二副栅30在最靠近第二边缘102的位置具有第二间断区31，因此，为了实现第二边缘102附近处的第二副栅30的汇流，需要在第二边缘102的位置处设置焊带与第二副栅30实现导电连接以实现汇流，而由于第二倒角106的存在，顶部的第二副栅30的长度较短，焊带竖直设置时无法与顶部的第二副栅30实现接触，而若焊带太靠近内侧，其容易与异极性的第一副栅20接触而导致漏电，因此，通过设置第三辅助栅线110，可以将第二倒角106处的第二副栅30连接成一个整体，在焊接焊带时，只需要将焊带与第三边缘汇流栅线80接触或者同时与第三边缘汇流栅线80和第三辅助栅线110接触或者与第三边缘汇流栅线80连接的其余第二副栅30以及第三辅助栅线110接触即可实现所有的第二副栅30的电流的汇流。
实施例十一
请参阅图6，在一些实施例中，第三边缘汇流栅线80可包括第一汇流段81和第二汇流段82，第一汇流段81连接位于第二倒角106处的第二副栅30，同理，在这样的实施例中，“位于第二倒角106处的第二副栅30”所指的是若干第二副栅30中未与第三边缘汇流栅线80直接连接且沿第二方向的延长线与第二倒角106交叉的第二副栅30，例如图6中的最上方的两根第二副栅30。第二汇流段81连接除第二倒角106处以外的第二副栅30。可以理解，如图6所示，在这样的实施例中，由于第二贯穿副栅23的存在，第二汇流段82为间断结构。
如此，通过第一汇流段81可以将第二倒角106处的第二副栅30连接成一个整体，在设置焊带时，为了实现第二倒角106处的第二副栅30的汇流，只需要将焊带与第二倒角106处的任意一条第二副栅30接触即可实现第二倒角106处的所有第二副栅30的汇流。
进一步地，如图6所示，在这样的实施例中，第一汇流段81和第二汇流段82沿第二方向间隔设置，第二汇流段82相较于第一汇流段81更靠近第二边缘102。
具体地，在这样的实施例中，第一汇流段81的顶端可以连接最顶端的第二副栅30的端部，并沿第一方向延伸，这样可以使得第二倒角106处的所有的第二副栅30均连接成一个整体。
不难理解的是，本实施例与上述实施例十的区别仅在于实施例十中是通过设置与第二倒角106平行的第三辅助栅线110将第二倒角106处的第二副栅30连接成一个整体，而本实施例则是通过第一汇流段81将第二倒角106处的第二副栅30连接层一个整体，两者也可以同时采用，具体在此不作限制。
实施例十二
请参阅图5，第一掺杂层12和第二掺杂层13上设有钝化膜层107，第四边缘汇流栅线90设置在钝化膜层107上，在第四边缘汇流栅线90对应的区域上（即第四边缘汇流栅线90在钝化膜层107的投影区域）上，钝化膜层107上与第一掺杂层12对应的位置处开设有第二开孔1072，第四边缘汇流栅线90通过第二开孔1072与第一掺杂层12接触。
如此，通过在钝化膜层107上与第一掺杂层12对应的位置处开设第二开孔1072，可以使得第四边缘汇流栅线90在印刷时可以实现与边缘区域下方的第一掺杂层12实现稳定的接触以实现电流的收集，同时也可以避免第四边缘汇流栅线90与第二掺杂层13接触而导致漏电。
具体地，在这样的实施例中，可通过激光开孔的方式来在钝化膜层107上形成第二开孔1072，为了实现电流的最大化收集，可优选在所有的第一掺杂层12上均开设第二开孔1072，第四边缘汇流栅线90则通过第二开孔1072与所有的第一掺杂层12接触以实现电流的最大化收集。当然，在一些实施例中，也可以是在部分第一掺杂层12上开设第二开孔1072，具体在此不作限制。
实施例十三
请参阅图7，在一些实施例中，第三边缘汇流栅线80也可以是与第一副栅20电连接，第一副栅20也未延伸至硅基底10的第二边缘102，第三边缘汇流栅线80与第一边缘汇流栅线40的极性相同。
同时，在这样的实施例中，第四边缘汇流栅线90与第二边缘汇流栅线50的极性相同且与至少一个第二掺杂层13接触且与部分第二副栅30靠近第二边缘102的一端电连接。
在这样的实施例中，其与图1中的示例的区别在于：在图7所示的示例中，第三边缘汇流栅线80与第一边缘汇流栅线40的极性相同，第四边缘汇流栅线90与第二边缘汇流栅线50的极性相同，而在图1所示的示例中，第三边缘汇流栅线80与第一边缘汇流栅线40的极性相反，第四边缘汇流栅线90与第二边缘汇流栅线50的极性相反。
具体地，在这样的实施例中，第二边缘102处的第三边缘汇流栅线80和第四边缘汇流栅线90与第一边缘101处的第一边缘汇流栅线40和第二边缘汇流栅线50对称设置，其所有的结构与第一边缘101处的结构均相同，第一间断区21和第二间断区31的数量为奇数。
可以理解的是，在这样的实施例中，第三边缘汇流栅线80与第一边缘汇流栅线40的结构、材料基本相同，第四边缘汇流栅线90与第二边缘汇流栅线50的结构、材料基本相同，在此不作赘述。
同理，如图7所示，不难理解的是，第四边缘汇流栅线90是与第二掺杂层13接触以实现第二边缘102的边缘区域的第二掺杂层13的电流的收集，因此，如图7所示，在本实施例中，在第一副栅20的第一间断区21和第二副栅30的第二间断区31中，最靠近第二边缘102的也为第一间断区21，也即，在第二方向上，第一间断区21和第二间断区31依次交替排列，最靠近第二边缘102的间断区也为第一间断区21，在第一间断区21对应的位置处，第二副栅30不断开，对应第一间断区21的位置处可以设置与第二副栅30接触的主栅和/或焊点，以实现对第三边缘汇流栅线80的电流的汇流。
实施例十四
请继续参阅图7，在一些实施例中，部分第二副栅30绝缘贯穿第三边缘汇流栅线80与第四边缘汇流栅线90电连接。
如此，第四边缘汇流栅线90在收集到第二边缘102的边缘区域的电流后，可通过贯穿第三边缘汇流栅线80的第二副栅30汇流到最近的同极性的主栅和/或焊带上以实现电流的收集。
具体地，如图7所示，正如上文所述的，在这样的实施例中，若干第二副栅30可包括若干第一收集副栅32和若干第一贯穿副栅33，基于第二边缘102而言，若干第一收集副栅32均位于第三边缘汇流栅线80朝向第一边缘101的一侧，第一贯穿副栅33则绝缘贯穿第三边缘汇流栅线80与第四边缘汇流栅线90连接。
也即是说，在这样的实施例中，在第三边缘汇流栅线80与第二边缘102之间不具有第一收集副栅32，在第四边缘汇流栅线90与第二边缘102之间，仅仅只有第三边缘汇流栅线80被贯穿的位置具有第一贯穿副栅33。
需要说明的是，在本申请的实施例中，“部分第二副栅30绝缘贯穿第三边缘汇流栅线80”可以理解为在第一方向上，第三边缘汇流栅线80上具有若干间隔的隔断区，第一贯穿副栅33则通过该隔断区穿过第三边缘汇流栅线80且不与对第三边缘汇流栅线80接触，以实现物理上的贯穿和绝缘隔离。
同理，在这样的实施例中，第一贯穿副栅33的数量可为单根也可为多根，其具体可根据电池片的尺寸大小来决定。在第一贯穿副栅33的数量为多根时，多根第一贯穿副栅33可沿第一方向间隔设置，相邻两根第一贯穿副栅33之间的距离可根据电池片的尺寸来进行确定，优选可根据硅基底10的尺寸沿第一方向均匀间隔布置在硅基底10上，具体在此不作限制。
需要说明的是，在这样的实施例中，贯穿第三边缘汇流栅线80的第一贯穿副栅33可与贯穿第一边缘汇流栅线40的第一贯穿副栅为同一条栅线也可以不是同一条栅线，具体在此不作限制，优选为同一条栅线，在两者为同一条栅线时，第一边缘101处的栅线结构与第二边缘102处的栅线结构完全对称。
请参阅图8，在这样的实施例中，在第四边缘汇流栅线90对应的区域上（即第四边缘汇流栅线90在钝化膜层107的投影区域）上，钝化膜层107上与第二掺杂层13对应的位置处开设有第三开孔1073，第四边缘汇流栅线90通过第三开孔1073与第二掺杂层13接触。
如此，通过在钝化膜层107上与第二掺杂层13对应的位置处开设第三开孔1073，可以使得第四边缘汇流栅线90在印刷时可以实现与边缘区域下方的第二掺杂层13实现稳定的接触以实现电流的收集，同时也可以避免第四边缘汇流栅线90与第一掺杂层12接触而导致漏电。
具体地，在这样的实施例中，第四边缘汇流栅线90与第三开孔1073的结构可与上文中的第二边缘汇流栅线50与第一开孔1071的结构相同，两者的结构可相互对称。在本实施例中，可通过激光开孔的方式来在钝化膜层107上形成第三开孔1073，为了实现电流的最大化收集，可优选在所有的第二掺杂层13上均开设第三开孔1073，第四边缘汇流栅线90则通过第三开孔1073与所有的第二掺杂层13接触以实现电流的最大化收集。当然，在一些实施例中，也可以是在部分第二掺杂层13上开设第三开孔1073，具体在此不作限制。
实施例十五
请继续参阅图7，在一些实施例中，在第一方向上，硅基底10还具有相对的第三边缘103和第四边缘104，第三边缘103与第二边缘102通过第二倒角106连接；
沿第三边缘103朝向第四边缘104的方向上，第二副栅30与第一副栅20依次交替设置，第二倒角106处设有第四辅助栅线120，第四辅助栅线120连接第四边缘汇流栅线90和最靠近第三边缘103的第二副栅30。
如此，通过在第二倒角106处设置第四辅助栅线120可以将第四边缘汇流栅线90收集到的电流汇流至第三边缘103处的第二副栅30以汇流到最近的主栅和/或焊带上。
具体地，如图7所示，第三边缘103为硅基底10的上边缘，第四边缘104为硅基底10的下边缘，第一边缘101与第三边缘103形成第一倒角105，第二边缘102与第三边缘103形成第二倒角106。
如图7所示，在这样的实施例中，第一倒角105与第二倒角106对称，第四辅助栅线120与第一辅助栅线60对称。
可以理解的是，在这样的实施例中，可以设置上述的第一贯穿副栅33与第三辅助栅线110共同实现电流的汇流，也可以不设置上述中的第一贯穿副栅33，而是通过第二倒角106处的第四辅助栅线120实现电流的汇流。当然，为了避免汇流的传输路径过长而导致损耗过大，可优选通过第一贯穿副栅33实现汇流或者通过第一贯穿副栅33和第四辅助栅线120共同实现汇流，在此不作限制。
在一些实施例中，第四辅助栅线120与第二倒角106平行设置。这样可以使得背面11的栅线结构在制作时更加简单。
进一步地，在一些实施例中，第四辅助栅线120可位于第二掺杂层13上方且与至少一个第二掺杂层13接触。
如此，第四辅助栅线120可在实现电流汇流的同时也能够实现第二倒角106位置处的边缘区域处的电流的收集，从而更进一步地减少效率损失以提升电池片效率。
请继续参阅图7，在一些实施例中，第一倒角105处还可设有第五辅助栅线130，第五辅助栅线130连接位于第二倒角106处的第一副栅20以及第三边缘汇流栅线80。同理，需要说明的是，“位于第二倒角106处的第二副栅30”所指的是若干第二副栅30中未与第三边缘汇流栅线80直接连接且沿第二方向的延长线与第二倒角106交叉的第二副栅30，例如图7中的最上方的两根第二副栅30。
如此，通过第五辅助栅线130的设置可以将第二倒角106处的第一副栅20连接起来实现第二倒角106处的第一副栅20之间的导通，在后续焊接焊带时，只需要将焊带与第五辅助栅线130接触即可实现第二倒角106处的第一副栅20的电流的收集，可以避免由于第二倒角106的存在而导致后续在焊接焊带202时焊带202无法与第二倒角106处的所有第一副栅20接触而导致第二倒角106处的第一副栅20的电流无法被收集的情况。
具体地，如图7所示，在这样的实施例中，第五辅助栅线130也可与第二倒角106平行设置，也即，在第二倒角106处，从外侧至内侧，第二倒角106、第四辅助栅线120和第五辅助栅线130依次平行设置，第五辅助栅线130与第二辅助栅线70对称设置。
实施例十六
在一些实施例中，第三边缘汇流栅线80与第二边缘102的距离（即两者在第二方向上的间距）为0.5mm-2mm。
如此，将第三边缘汇流栅线80与第二边缘102之间的间距设置在这一合理的范围内可以有效地避免两者之间的距离过大而导致边缘区域不设置副栅的面积过大而导致效率损失过大，也可以避免两者之间的距离过小而导致后续在第三边缘汇流栅线80处焊接焊带时出现虚焊和裂片，保证焊接的可靠性和稳定性。
具体地，在这样的实施例中，第三边缘汇流栅线80与第二边缘102的距离可例如为0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm、2mm或者0.5mm-2mm之间的任意数值，具体在此不作限制。
进一步地，在本申请的实施例中，第三边缘汇流栅线80与第二边缘102之间的距离优选为0.8mm-1.2mm，例如0.9mm等，这样，可以在降低工艺难度的同时有效地避免距离过大而导致边缘区域不设置副栅的面积过大而导致效率损失过大，同时也能够保证焊接的稳定性和可靠性。
实施例十七
在一些实施例中，第四边缘汇流栅线90与第二边缘102的距离（即两者在第二方向上的间距）为0.3mm-1.2mm
如此，一方面可以避免第四边缘汇流栅线90与第二边缘102之间的距离过小而导致第四边缘汇流栅线90的印刷难度大幅度升高，另一方面则可以避免第四边缘汇流栅线90与第二边缘102之间的距离过大而导致边缘没有副栅的区域的面积过大而导致效率损失过大。
具体地，在这样的实施例中，第四边缘汇流栅线90与第二边缘102的距离可例如为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm、1.2mm或者0.3mm-1.2mm之间的任意数值，具体在此不作限制。
进一步地，在本申请的实施例中，第四边缘汇流栅线90与第二边缘102之间的距离优选为0.3mm-0.6mm，例如0.5mm等，这样，可以在降低工艺难度的同时有效地避免距离过大而导致边缘区域不设置副栅的面积过大而导致效率损失过大，也即，可以在降低印刷难度的同时避免效率损失过大。
实施例十八
在一些实施例中，第四边缘汇流栅线90的宽度为20um-200um。
如此，将第四边缘汇流栅线90的宽度设置这一合理的范围内可以避免第四边缘汇流栅线90的宽度过小而导致过流能力太小而导致汇流时出现熔断现象，也可以避免第四边缘汇流栅线90的宽度过大而导致成本大幅升高。
具体地，在这样的实施例中，第四边缘汇流栅线90的宽度可例如为20um、20um、30um、40um、50um、60um、70um、80um、90um、100um、110um、120um、130um、140um、150um、160um、170um、180um、190um、200um或者20um-200um之间的任意数值，具体在此不作限制。
在一些实施例中，第四边缘汇流栅线90的宽度大于第三边缘汇流栅线80的宽度。
如此，由于第四边缘汇流栅线90是为了实现边缘区域的各个第二掺杂层13的电流的收集，其起到了收集和汇流的作用，因此，将第四边缘汇流栅线90的宽度设置成大于第三边缘汇流栅线80的宽度可以，为了提高第四边缘汇流栅线90的过流能力以保证电池片的稳定性。
实施例十九
在一些实施例中，在第二方向上，背接触电池片100还可包括依次交替设有第一主栅（图未示出）和第二主栅（图未示出），第一主栅设置在第二间断区31处且与第一副栅20接触，第二主栅设置在第一间断区21处且与第二副栅30接触。如此，通过第一主栅和第二主栅的设置，可以实现电流的汇流输出。
具体地，在这样的实施例中，第一主栅设置在第二副栅30的第二间断区31处以实现与第一副栅20的接触以实现电流输出，第二主栅设置则设置在第一副栅20的第一间断区21处于第二副栅30接触以实现电流输出。
此外，可以理解的是，如图8所示，在一些实施例中，背接触电池片100也可不设置主栅，而是在第一间断区21和第二间断区31对应的位置处设置焊带202，在形成电池串201的同时实现汇流输出，也即，通过焊带202替换主栅。
实施例二十
请参阅图9和图10，本申请还提供一种光伏系统100，光伏系统1000可包括本申请实施例中的电池组件200，本申请实施例中的电池组件200可包括若干本申请实施例中的电池串201，如图9所示，电池串201可包括若干本申请实施例中的背接触电池片100和若干焊带202。
可以理解的是，本申请实施例中的背接触电池片100可为整片电池也可为半片电池，具体在此不作限制。
如图9所示，在相邻两个所述背接触电池片100中，其中一个所述背接触电池片100的所述第一间断区21与另一个所述背接触电池片100的所述第二间断区31在所述第一方向上相对应，焊带202设置在第一间断区21和第二间断区31处，每个第一间断区21和每个第二间断区31均对应设有一条焊带202；
其中，在相邻两个背接触电池片100中，其中一个背接触电池片100的第一副栅20在第一间断区21处与焊带202连接，另外一个背接触电池片100的第二副栅30在第二间断区31处与焊带202连接。
在本申请实施例的电池串201中，存在以下几种连接方式：
1、如图9所示，在相邻两个背接触电池片100中，第一边缘101具有第一边缘汇流栅线40和第二边缘汇流栅线50，第二边缘102则具有第三边缘汇流栅线80和第四边缘汇流栅线90，第一边缘汇流栅线40与第三边缘汇流栅线80的极性相反，第二边缘汇流栅线50与第四边缘汇流栅线90的极性相反；
在电池串201中，相邻两个背接触电池片100中，其中一个的第一边缘101和另外一个的第二边缘102对齐，从而使得两个电池片中的第一边缘汇流栅线40与第三边缘汇流栅线80对应位于同一侧，第二边缘汇流栅线50与第四边缘汇流栅线90位于同一侧，在两个背接触电池片100中，中间区域通过焊带202实现连接，边缘区域则通过位于第一边缘101和第二边缘102的边缘焊带203焊接在一起实现串联，只需要在边缘焊带203与不同极性的栅线（例如图9中的第一贯穿副栅33和第二贯穿副栅23）涂布绝缘胶即可，如图8所示，边缘焊带203均与位于同一侧的第一边缘汇流栅线40和第三边缘汇流栅线80导电连接，边缘焊带203可沿第一方向设置，其可以是与第一边缘汇流栅线40和第三边缘汇流栅线80实现焊接也可以是与第一副栅20和第二副栅30实现焊接。
2、在相邻两个背接触电池片100中，只有第一边缘101具有第一边缘汇流栅线40和第二边缘汇流栅线50；
在这样的情况下，在相邻两个背接触电池片100中，位于同一侧的第一边缘汇流栅线40极性相反，与第一边缘汇流栅线40的第一副栅也极性相反，第二边缘汇流栅线50也极性相反，也即，在相邻的两个背接触电池片100中，其中一个的第一边缘汇流栅线40为P型栅线，另一个的第一边缘汇流栅线40为N型栅线，两个背接触电池片100通过位于第一边缘101的焊带焊接在一起实现串联。
如图9所示，在一些实施例中，在电池串201中，边缘焊带203可以是直接与第一边缘汇流栅线40以及第三边缘汇流栅线80实现焊接，两者可以是接触，也可以是覆盖。当然，在一些实施例中，边缘焊带203也可以是位于第一边缘汇流栅线40和第三边缘汇流栅线80的内侧（也即位于第一边缘汇流栅线40背离第一边缘101的一侧），在相邻两个背接触电池片100中，边缘焊带203在其中一个背接触电池片100中与第一副栅20焊接，在另一个背接触电池片100中，边缘焊带203与第二副栅30焊接。
当然，可以理解的是，在一些实施例中，在第一间断区21和第二间断区31处可均设有主栅，焊带202可以是与上文中的第一主栅和第二主栅实现焊接，也即是说，在本申请中，背接触电池片100可以是有主栅电池片，也可以是无主栅电池片，具体在此不作限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
此外，以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (29)

1.一种背接触电池片，其特征在于，包括：
硅基底，所述硅基底的背面设有若干第一掺杂层和若干第二掺杂层，若干所述第一掺杂层和若干所述第二掺杂层沿第一方向依次交替排列且沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向交叉，在所述第二方向上，所述硅基底具有相对的第一边缘和第二边缘；
沿所述第一方向间隔交替设置的若干第一副栅和若干第二副栅，所述第一副栅设置在所述第一掺杂层上方，所述第二副栅设置在所述第二掺杂层上方；所述第一副栅在所述第二方向上具有若干间隔的第一间断区，所述第二副栅在所述第二方向上具有若干间隔的第二间断区，相邻所述第一副栅上的所述第一间断区在所述第一方向上相对应，相邻所述第二副栅上的所述第二间断区在所述第一方向上相对应，在所述第二方向上，所述第一间断区和所述第二间断区依次交替间隔设置，所述第一副栅未延伸至所述硅基底的第一边缘；
靠近所述第一边缘且沿所述第一方向延伸设置的第一边缘汇流栅线，所述第一边缘汇流栅线与所述第一副栅电连接；和
沿所述第一方向延伸设置的第二边缘汇流栅线，所述第二边缘汇流栅线设置在所述第一边缘汇流栅线和所述第一边缘之间且位于所述第二掺杂层上方，所述第二边缘汇流栅线与至少一个所述第二掺杂层接触且与部分所述第二副栅靠近所述第一边缘的一端电连接。
2.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第一边缘汇流栅线与所述第二边缘汇流栅线电连接。
3.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接；
沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上，所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置，所述第一倒角处设有第一辅助栅线，所述第一辅助栅线连接所述第二边缘汇流栅线和最靠近所述第三边缘的所述第二副栅。
4.根据权利要求3所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。
5.根据权利要求3所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一辅助栅线与所述第一倒角平行。
6.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第一边缘通过第一倒角连接；
所述第一倒角处设有第二辅助栅线，所述第二辅助栅线连接位于所述第一倒角处的所述第一副栅以及所述第一边缘汇流栅线。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.5mm-2mm；和/或
所述第二边缘汇流栅线与所述第一边缘之间的距离为0.3mm-1.2mm。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的背接触电池片，其特征在于，所述第二边缘汇流栅线的宽度为20um-200um；和/或
所述第二边缘汇流栅线的宽度大于所述第一边缘汇流栅线的宽度。
9.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层，所述第二边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上，在所述第二边缘汇流栅线对应的区域上，所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第一开孔，所述第二边缘汇流栅线通过所述第一开孔与所述第二掺杂层接触。
10.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，所述背接触电池片还包括：
靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第三边缘汇流栅线，所述第三边缘汇流栅线与所述第二副栅电连接，所述第二副栅未延伸至所述硅基底的第二边缘，所述第三边缘汇流栅线与所述第一边缘汇流栅线的极性相反；和
沿所述第一方向延伸设置的第四边缘汇流栅线，所述第四边缘汇流栅线设置在所述第三边缘汇流栅线和所述第二边缘之间且位于所述第一掺杂层上方，所述第四边缘汇流栅线与至少一个所述第一掺杂层接触且与部分所述第一副栅靠近所述第二边缘的一端电连接。
11.根据权利要求10所述的背接触电池片，其特征在于，部分所述第一副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。
12.根据权利要求10所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上，所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置，所述第二倒角处设有第三辅助栅线，所述第三辅助栅线连接位于所述第二倒角处的所述第二副栅以及所述第三边缘汇流栅线。
13.根据权利要求12所述的背接触电池片，其特征在于，所述第三辅助栅线与所述第二倒角平行。
14.根据权利要求10所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
所述第三边缘汇流栅线包括第一汇流段和第二汇流段，所述第一汇流段连接位于所述第二倒角处的所述第二副栅，所述第二汇流段连接除所述第二倒角处以外的所述第二副栅。
15.根据权利要求14所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一汇流段和所述第二汇流段沿所述第二方向间隔设置，所述第二汇流段相较于所述第一汇流段更靠近所述第二边缘。
16.根据权利要求10所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层，所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上，在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上，所述钝化膜层上与所述第一掺杂层对应的位置处开设有第二开孔，所述第四边缘汇流栅线通过所述第二开孔与所述第一掺杂层接触。
17.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，所述背接触电池片还包括：
靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第三边缘汇流栅线，所述第三边缘汇流栅线与所述第一副栅电连接，所述第一副栅未延伸至所述硅基底的第二边缘，所述第三边缘汇流栅线与所述第一边缘汇流栅线的极性相同；和
靠近所述第二边缘且沿所述第一方向延伸设置的第四边缘汇流栅线，所述第四边缘汇流栅线设置在所述第三边缘汇流栅线和所述第二边缘之间且所述第四边缘汇流栅线位于所述第二掺杂层上方，所述第四边缘汇流栅线与至少一个所述第二掺杂层接触且与部分所述第二副栅靠近所述第二边缘的一端电连接。
18.根据权利要求17所述的背接触电池片，其特征在于，部分所述第二副栅绝缘贯穿所述第三边缘汇流栅线与所述第四边缘汇流栅线连接。
19.根据权利要求17所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
沿所述第三边缘朝向所述第四边缘的方向上，所述第二副栅与所述第一副栅依次交替设置，所述第二倒角处设有第四辅助栅线，所述第四辅助栅线连接所述第四边缘汇流栅线和最靠近所述第三边缘的所述第二副栅。
20.根据权利要求19所述的背接触电池片，其特征在于，所述第四辅助栅线位于所述第二掺杂层上方且与至少一个所述第二掺杂层接触。
21.根据权利要求19所述的背接触电池片，其特征在于，所述第四辅助栅线与所述第二倒角平行。
22.根据权利要求17所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第一方向上，所述硅基底还具有相对的第三边缘和第四边缘，所述第三边缘与所述第二边缘通过第二倒角连接；
所述第二倒角处还设有第五辅助栅线，所述第五辅助栅线连接位于所述第二倒角处的所述第一副栅以及所述第三边缘汇流栅线。
23.根据权利要求17所述的背接触电池片，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层上还设有钝化膜层，所述第四边缘汇流栅线设置在所述钝化膜层上，在所述第四边缘汇流栅线对应的区域上，所述钝化膜层上与所述第二掺杂层对应的位置处开设有第三开孔，所述第四边缘汇流栅线通过所述第三开孔与所述第二掺杂层接触。
24.根据权利要求10-23中任一项所述的背接触电池片，其特征在于，所述第三边缘汇流栅线与所述第二边缘的距离为0.5mm-2mm；和/或
所述第四边缘汇流栅线与所述第二边缘的距离为0.3mm-1.2mm。
25.根据权利要求10-23中任一项所述的背接触电池片，其特征在于，所述第四边缘汇流栅线的宽度为20um-200um；和/或
所述第四边缘汇流栅线大于所述第三边缘汇流栅线的宽度。
26.根据权利要求1所述的背接触电池片，其特征在于，在所述第二方向上，所述背接触电池片还依次交替设有第一主栅和第二主栅，所述第一主栅设置在所述第一间断区处且与所述第一副栅接触，所述第二主栅设置在所述第二间断区处且与所述第二副栅接触。
27.一种电池串，其特征在于，包括若干权利要求1-26中任一项所述的背接触电池片，在相邻两个所述背接触电池片中，其中一个所述背接触电池片的所述第一间断区与另一个所述背接触电池片的所述第二间断区在所述第一方向上相对应。
28.一种电池组件，其特征在于，包括若干权利要求27所述的电池串。
29.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求28所述的电池组件。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103178133A (zh) * 2012-12-12 2013-06-26 英利能源（中国）有限公司 一种晶体硅太阳电池电极栅线结构
US20140261619A1 (en) * 2013-03-18 2014-09-18 Lg Electronics Inc. Interconnector and solar cell module having the same
WO2018078669A1 (ja) * 2016-10-25 2018-05-03 信越化学工業株式会社 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
WO2022179747A2 (en) * 2022-02-24 2022-09-01 Solarlab Aiko Europe Gmbh Electrode structure of back contact cell, back contact cell, back contact cell module, and back contact cell system
CN115579407A (zh) * 2022-12-12 2023-01-06 浙江爱旭太阳能科技有限公司 电极结构、背接触太阳能电池片、电池组件和光伏系统
WO2023160607A1 (zh) * 2022-02-24 2023-08-31 天合光能股份有限公司 太阳能电池片、电池串及二者的制备方法
CN116995109A (zh) * 2023-08-29 2023-11-03 正泰新能科技有限公司 一种低温焊接的背接触光伏组件及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103178133A (zh) * 2012-12-12 2013-06-26 英利能源（中国）有限公司 一种晶体硅太阳电池电极栅线结构
US20140261619A1 (en) * 2013-03-18 2014-09-18 Lg Electronics Inc. Interconnector and solar cell module having the same
WO2018078669A1 (ja) * 2016-10-25 2018-05-03 信越化学工業株式会社 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法
WO2022179747A2 (en) * 2022-02-24 2022-09-01 Solarlab Aiko Europe Gmbh Electrode structure of back contact cell, back contact cell, back contact cell module, and back contact cell system
WO2023160607A1 (zh) * 2022-02-24 2023-08-31 天合光能股份有限公司 太阳能电池片、电池串及二者的制备方法
CN115579407A (zh) * 2022-12-12 2023-01-06 浙江爱旭太阳能科技有限公司 电极结构、背接触太阳能电池片、电池组件和光伏系统
CN116995109A (zh) * 2023-08-29 2023-11-03 正泰新能科技有限公司 一种低温焊接的背接触光伏组件及其制备方法

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