CN117438353A - 基片输送系统和输送模块 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统和输送模块。基片输送系统包括装载锁定模块、大气输送模块、第一装载口和第二装载口。大气输送模块具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁。第一侧壁沿着第一方向延伸，与装载锁定模块连接。第二侧壁沿着与第一方向正交的第二方向延伸。第三侧壁位于第二侧壁的相反侧。第一装载口从第二侧壁沿着第一方向向外侧延伸。第二装载口从第三侧壁沿着第一方向向外侧延伸。

Description

基片输送系统和输送模块

技术领域

本发明的各种方面和实施方式涉及基片输送系统和输送模块。

背景技术

已知有包括多个处理模块(PM)、真空输送模块(VTM)、装载锁定模块(LLM)、设备前端模块(EFEM)和装载口(LP)的基片处理系统(例如，参照下述专利文献1)。各个PM使用等离子体等对基片实施处理。VTM在低压环境下将基片向各个PM输送。LLM在VTM与EFEM之间进行压力转换。LP设置于EFEM，连接收纳有多个基片的容器。EFEM在与LP连接的容器和LLM之间输送基片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2021-141136号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统和输送模块。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方面的基片输送系统包括装载锁定模块、大气输送模块、第一装载口和第二装载口。大气输送模块具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁。第一侧壁沿着第一方向延伸，与装载锁定模块连接。第二侧壁沿着与第一方向正交的第二方向延伸。第三侧壁位于第二侧壁的相反侧。第一装载口从第二侧壁沿着第一方向向外侧延伸。第二装载口从第三侧壁沿着第一方向向外侧延伸。

发明效果

依照本发明的各种方面和实施方式，能够削减基片处理系统的设置面积。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理系统的一例的概要俯视图。

图2是表示PM的一例的概要截面图。

图3是表示图1所例示的EFEM和LP的A-A截面的一例的概要截面图。

图4是表示图3所例示的EFEM的B-B截面的一例的概要截面图。

图5A是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图5B是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图5C是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图6是表示第二实施方式的EFEM和LP的一例的概要俯视图。

图7是表示图6所例示的EFEM和LP的A-A截面的一例的概要截面图。

图8是表示图7所例示的EFEM的B-B截面的一例的概要截面图。

图9A是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图9B是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图9C是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图9D是表示载置于LP的移动部的容器与EFEM连接的过程的一例的图。

图10是表示第三实施方式的EFEM和LP的一例的概要俯视图。

图11是表示图10所例示的EFEM和LP的A-A截面的一例的概要截面图。

图12是表示图11所例示的EFEM的B-B截面的一例的概要截面图。

图13是表示第四实施方式的EFEM和LP的一例的概要俯视图。

图14是表示图13所例示的EFEM和LP的A-A截面的一例的概要截面图。

图15是表示图14所例示的EFEM的B-B截面的一例的概要截面图。

图16是表示第五实施方式的EFEM和LP的一例的概要俯视图。

图17是表示图16所例示的EFEM的A-A截面的一例的概要截面图。

图18是表示图17所例示的EFEM的B-B截面的一例的概要截面图。

附图标记说明

G闸门

W基片

1基片处理系统

10控制部

11VTM

110 输送机器人

111 导轨

12PM

13LLM

14EFEM

140 输送机器人

141 导轨

142 对准室

1420 对准器单元

143FFU

144 开口部

145 储存单元

146 开口部

147 侧壁

148 侧壁

149壳体

15LP

150 移动部

151 导轨

16 容器

160 门

161 开口部。

具体实施方式

以下，基于附图，对基片输送系统和输送模块的实施方式进行详细说明。另外，公开的基片输送系统和输送模块不限于以下的实施方式。

为了增加每单位时间能够处理的基片的数量，考虑针对基片增加PM。当PM增加时，包含多个PM、VTM、LLM和EFEM等的基片处理系统大型化。若基片处理系统大型化，则洁净室等设备内的基片处理系统的设置面积(占地面积)变大，难以配置多个基片处理系统。因此，寻求削减基片处理系统的设置面积。

因此，本发明提供一种能够削减基片处理系统的设置面积的技术。

(第一实施方式)

[基片处理系统1的结构]

图1是表示第一实施方式的基片处理系统1的结构的一例的俯视图。在图1中，为了方便，以透视的方式图示一部分装置的内部的构成要素。基片处理系统1包括VTM(真空传送模块)11、多个PM(处理模块)12、多个LLM(装载锁定模块)13和EFEM(设备前端模块)14。EFEM14是输送模块的一例。在图1的例子中，VTM 11、LLM13和EFEM 14沿着图1的y轴方向排列地配置。

在VTM 11的侧壁经由闸门G1连接有多个PM 12。各个PM 12对成为处理对象的基片W实施刻蚀、成膜等处理。另外，在图1的例子中，在VTM 11连接有6个PM 12，但与VTM 11连接的PM 12的数量可以多于6台，也可以少于6台。

图2是表示PM12的一例的概要截面图。在本实施方式中，PM 12例如是电容耦合型的等离子体处理装置。PM 12包括等离子体处理腔室120、气体供给部124、电源125和排气系统128。此外，PM 12包括基片支承部121和气体导入部。气体导入部构成为能够将至少一种处理气体导入等离子体处理腔室120内。气体导入部包括喷淋头123。基片支承部121配置于等离子体处理腔室120内。喷淋头123配置于基片支承部121的上方。在一实施方式中，喷淋头123构成等离子体处理腔室120的顶部(Ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室120具有由喷淋头123、等离子体处理腔室120的侧壁120a和基片支承部121规定的等离子体处理空间120s。等离子体处理腔室120具有用于向等离子体处理空间120s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口、和用于从等离子体处理空间120s排出气体的至少一个气体排出口。等离子体处理腔室120接地。喷淋头123和基片支承部121与等离子体处理腔室120的壳体电绝缘。在等离子体处理腔室120的侧壁120a形成有用于进行基片W的送入和送出的开口部120b。开口部120b由闸门G1开闭。

基片支承部121包括主体部1211和环组件1212。主体部1211具有用于支承基片W的中央区域1211a和用于支承环组件1212的环状区域1211b。晶片是基片W的一例。主体部1211的环状区域1211b在俯视时包围主体部1211的中央区域1211a。基片W配置在主体部1211的中央区域1211a上，环组件1212以包围主体部1211的中央区域1211a上的基片W的方式配置于主体部1211的环状区域1211b上。中央区域1211a也被称为用于支承基片W的基片支承面，环状区域1211b也被称为用于支承环组件1212的环支承面。

在一实施方式中，主体部1211包括基座12110和静电吸盘12111。基座12110包括导电性部件。基座12110的导电性部件可以作为下部电极发挥功能。静电吸盘12111配置于基座12110上。静电吸盘12111包括陶瓷部件12111a和配置在陶瓷部件12111a内的静电电极12111b。陶瓷部件12111a具有中央区域1211a。在一实施方式中，陶瓷部件12111a还具有环状区域1211b。此外，环状静电吸盘、环状绝缘部件这样的包围静电吸盘12111的其他部件可以具有环状区域1211b。在该情况下，环组件1212可以配置在环状静电吸盘或环状绝缘部件上，也可以配置在静电吸盘12111和环状绝缘部件这两者上。此外，与后述的RF(RadioFrequency：高频)电源126和/或DC(直流)电源127耦合的至少一个RF/DC电极可以配置在陶瓷部件12111a内。在该情况下，至少一个RF/DC电极作为下部电极发挥功能。在后述的偏置RF信号和/或DC信号被供给到至少一个RF/DC电极的情况下，RF/DC电极也被称为偏置电极。另外，基座12110的导电性部件和至少一个RF/DC电极可以作为多个下部电极发挥功能。此外，静电电极12111b可以作为下部电极发挥功能。基片支承部121包括至少一个下部电极。

环组件1212包括一个或多个环状部件。在一实施方式中，一个或多个环状部件包括一个或多个边缘环和至少一个覆盖环。边缘环由导电性材料或绝缘材料形成，覆盖环由绝缘材料形成。

另外，基片支承部121可以包括温度调节模块，该温度调节模块构成为能够将静电吸盘12111、环组件1212和基片W中的至少一者调节成目标温度。温度调节模块可以包括加热器、传热介质、流路12110a或它们的组合。在流路12110a中能够流动盐水、气体那样的传热流体。在一实施方式中，流路12110a形成在基座12110内，一个或多个加热器配置在静电吸盘12111的陶瓷部件12111a内。此外，基片支承部121可以包括传热气体供给部，该传热气体供给部构成为能够向基片W的背面与中央区域1211a之间的间隙供给传热气体。

喷淋头123构成为能够将来自气体供给部124的至少一种处理气体导入等离子体处理空间120s内。喷淋头123具有至少一个气体供给口123a、至少一个气体扩散室123b和多个气体导入口123c。供给至气体供给口123a的处理气体通过气体扩散室123b而从多个气体导入口123c被导入到等离子体处理空间120s内。此外，喷淋头123包括至少一个上部电极。另外，也可以在喷淋头123的下表面可拆装地设置上部电极板。此外，气体导入部除了喷淋头123以外，还可以包括安装在形成于侧壁120a的一个或多个开口部的一个或多个侧方气体注入部(SGI：Side Gas Injector)。

气体供给部124可以包括至少一个气体源1240和至少一个流量控制器1241。在一实施方式中，气体供给部124构成为能够将至少一种处理气体从与之分别对应的气体源1240经由与之分别对应的流量控制器1241供给到喷淋头123。各流量控制器1241例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。此外，气体供给部124可以包括对至少一种处理气体的流量进行调制或将其脉冲化的一个或其以上的流量调制器件。

电源125包括经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室120耦合的RF电源126。RF电源126构成为能够将至少一个RF信号(RF功率)供给到至少一个下部电极和/或至少一个上部电极。由此，从供给至等离子体处理空间120s的至少一种处理气体形成等离子体。因此，RF电源126可以作为构成为能够在等离子体处理腔室120中从一种或其以上的处理气体生成等离子体的等离子体生成部的至少一部分发挥功能。此外，通过将偏置RF信号供给到至少一个下部电极，能够在基片W产生偏置电位，将所形成的等离子体中的离子成分引入基片W。

在一实施方式中，RF电源126包括第一RF生成部126a和第二RF生成部126b。第一RF生成部126a构成为能够经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极和/或至少一个上部电极耦合，生成等离子体生成用的生成源RF信号(生成源RF功率)。在一实施方式中，生成源RF信号具有10MHz～150MHz的范围内的频率。在一实施方式中，第一RF生成部126a可以构成为能够生成具有不同频率的多个生成源RF信号。所生成的一个或多个生成源RF信号被供给到至少一个下部电极和/或至少一个上部电极。

第二RF生成部126b构成为能够经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极耦合，生成偏置RF信号(偏置RF功率)。偏置RF信号的频率可以与生成源RF信号的频率相同，也可以不同。在一实施方式中，偏置RF信号具有比生成源RF信号的频率低的频率。在一实施方式中，偏置RF信号具有100kHz～60MHz的范围内的频率。在一实施方式中，第二RF生成部126b可以构成为能够生成具有不同频率的多个偏置RF信号。所生成的一个或多个偏置RF信号被供给到至少一个下部电极。此外，在各种实施方式中，可以将生成源RF信号和偏置RF信号中的至少一者脉冲化。

另外，电源125可以包括与等离子体处理腔室120耦合的DC电源127。DC电源127包括第一DC生成部127a和第二DC生成部127b。在一实施方式中，第一DC生成部127a构成为与至少一个下部电极连接，能够生成第一DC信号。所生成的第一DC信号被施加到至少一个下部电极。在一实施方式中，第二DC生成部127b构成为与至少一个上部电极连接，能够生成第二DC信号。所生成的第二DC信号被施加到至少一个上部电极。

在各种实施方式中，可以将第一和第二DC信号中的至少一者脉冲化。在该情况下，电压脉冲的序列被施加到至少一个下部电极和/或至少一个上部电极。电压脉冲可以具有矩形、梯形、三角形或它们的组合的脉冲波形。在一实施方式中，用于从DC信号生成电压脉冲的序列的波形生成部连接在第一DC生成部127a与至少一个下部电极之间。因此，第一DC生成部127a和波形生成部构成电压脉冲生成部。在第二DC生成部127b和波形生成部构成电压脉冲生成部的情况下，电压脉冲生成部与至少一个上部电极连接。电压脉冲可以具有正极性，也可以具有负极性。此外，电压脉冲的序列可以在一个周期内包含一个或多个正极性电压脉冲和一个或多个负极性电压脉冲。另外，第一DC生成部127a和第二DC生成部127b可以除了RF电源126之外另外设置，也可以代替第二RF生成部126b而设置第一DC生成部127a。

排气系统128例如可以与设置于等离子体处理腔室120的底部的气体排出口120e连接。排气系统128可以包括压力调节阀和真空泵。通过压力调节阀调节等离子体处理空间120s内的压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。

返回图1继续说明。在VTM 11的其他侧壁经由闸门G2连接有多个LLM13。在图1的例子中，与VTM 11连接有两台LLM13，但与VTM 11连接的LLM13的数量可以多于2台，也可以少于2台。

在VTM 11内配置有输送机器人110。输送机器人110沿着设置于VTM 11内的导轨111在VTM 11内移动，在PM 12与LLM13之间输送基片W。基片W是被输送物的一例。另外，输送机器人110可以构成为固定于VTM 11内的预定位置，不在VTM 11内移动。VTM 11内被保持为比大气压低的压力气氛。

在各个LLM13的一个侧壁经由闸门G2连接有VTM 11，在另一个侧壁经由闸门G3连接有EFEM 14。在LLM13，在经由闸门G3将基片W从EFEM 14送入LLM13内的情况下，关闭闸门G3。然后，将LLM13内的压力从预定的第一压力(例如，大气压)下降至预定的第二压力(例如，规定的真空度的压力)。然后，打开闸门G2，由输送机器人110将LLM13内的基片W向VTM11内送出。

另外，在LLM13内成为第二压力的状态下，由输送机器人110将基片W经由闸门G2从VTM 11送入LLM13内，关闭闸门G2。然后，将LLM13内的压力从第二压力上升到第一压力。然后，打开闸门G3，将LLM13内的基片W向EFEM 14内送出。

EFEM 14具有侧壁147、侧壁148-1和侧壁148-2。在EFEM 14处，在位于连接LLM13的EFEM 14的侧壁147的相反侧的侧壁以外的侧壁148-1和侧壁148-2分别设置有多个LP(装载口)15。在图1的例子中，侧壁147沿着x轴方向延伸，与LLM13连接。侧壁148-1沿着与x轴方向正交的y轴方向延伸。侧壁148-2设置于侧壁148-1的相反侧。在侧壁148-1设置有从侧壁148-1沿着x轴方向向外侧延伸的LP15，在侧壁148-2设置有从侧壁148-2沿着x轴方向向外侧延伸的LP15。

侧壁147是第一侧壁的一例，侧壁148-1是第二侧壁的一例，侧壁148-2是第三侧壁的一例。此外，设置于侧壁148-1的LP15是第一装载口的一例，设置于侧壁148-2的LP15是第二装载口的一例。此外，x轴方向是第一方向的一例，y轴方向是第二方向的一例。

在各个LP15设置有移动部150，该移动部150可载置能够收纳多个基片W的FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶片盒)等容器。在设置于侧壁148-1的LP15设置的移动部150是第一基片运载台的一例，在设置于侧壁148-2的LP15设置的移动部150是第二基片运载台的一例。FOUP等容器例如由OHT(Overhead Hoist Transport：空中走行式无人输送车)等容器输送机构输送，被载置在移动部150上。

像这样，在本实施方式中，在位于连接LLM13的EFEM 14的侧壁147的相反侧的侧壁以外的侧壁148-1和侧壁148-2设置有多个LP15。由此，相较于在与侧壁147相对的侧壁设置多个LP15的情况，能够缩短沿着y轴的方向上的基片处理系统1的长度。由此，能够削减基片处理系统1的设置面积。

在EFEM 14内设置有输送机器人140。输送机器人140是输送装置的一例。此外，在EFEM 14内设置有对准室142，在对准室142内配置有调整基片W的朝向的对准器单元1420。输送机器人140沿着设置于EFEM 14内的导轨141在铅垂方向上在EFEM 14内移动，在放置于LP15的容器、对准室142以及LLM13之间输送基片W。此外，输送机器人140可以构成为固定在EFEM 14内的预定位置，不在EFEM 14内移动。

在本实施方式中，EFEM 14气密地构成，从未图示的气体供给部向EFEM 14内供给氮气、稀有气体等非活性气体，非活性气体在EFEM 14内循环。在EFEM 14的上部设置有FFU(Fan Filter Unit：风机过滤单元)，去除了颗粒等的非活性气体从上部被供给到EFEM 14内，在EFEM 14内形成下降流。此外，在本实施方式中，EFEM 14内的压力为大气压，但作为其他方式，EFEM 14内的压力也可以被控制为正压。由此，能够抑制颗粒等从外部侵入EFEM 14内。

基片处理系统1由控制部10控制。控制部10具有存储器、处理器和输入输出接口。在存储器内存储有处理方案等的数据、程序等。存储器例如是RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)或SSD(Solid State Drive：固态驱动器)等。处理器通过执行从存储器读出的程序，基于存储在存储器内的处理方案等的数据，经由输入输出接口控制基片处理系统1的各部分。处理器是CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)或DSP(Digital SignalProcessor：数字信号处理器)等。

[EFEM 14和LP15的细节]

图3是表示图1所例示的EFEM 14和LP15的A-A截面的一例的概要截面图，图4是表示图3所例示的EFEM 14的B-B截面的一例的概要截面图。在图3中，也一并图示了导轨141。

EFEM 14具有壳体149。例如如图3和图4所示，在EFEM 14设置有对准室142，在对准室142内配置有对准器单元1420。在EFEM 14的上部设置有FFU 143。在连接LLM13的EFEM 14的侧壁147形成有与LLM13连通的开口部144。开口部144是第一开口部的一例。对准器单元1420例如如图4所示，配置于LLM13的上方。

导轨141在与设置有开口部144的EFEM 14的侧壁147相对的侧壁以沿着该侧壁在上下方向上延伸的方式配置。输送机器人140在EFEM 14内沿着导轨141在上下方向上移动。在EFEM 14的下部配置有暂时保存处理前和处理后的基片W的储存单元145。

在与形成有连接LLM13的开口部144的侧壁147相对的侧壁以外的侧壁148-1和侧壁148-2，例如如图3和图4所示，形成有与载置于LP15的容器连接的开口部146。开口部146是第二开口部的一例。

[LP15的动作]

图5A～图5C是表示载置于LP15的移动部150的容器16与EFEM 14连接的过程的一例的图。在图5A～图5C中，示出与侧壁148-1连接的LP15。

收纳有多个基片W的FOUP等容器16例如由OHT等输送机构输送，被载置到移动部150。例如图5A所示，容器16以设置有门160的开口部161的面成为沿着与EFEM 14的侧壁147相对的侧壁的面的方向(在图5A的例子中，沿着x轴的方向)的朝向的方式被载置在移动部150上。容器16的开口部161是第一开口部的一例。

接着，例如如图5B所示，移动部150变更容器16的朝向，以使得开口部161的面成为沿着EFEM 14的侧壁148-1的方向(在图5B的例子中，沿着y轴方向的朝向)。

接着，例如如图5C所示，移动部150通过在导轨151上移动，使容器16移动，以使得容器16的开口部161和形成于EFEM 14的侧壁147的开口部146靠近。之后，通过打开门160和闸门G4，容器16与EFEM 14连接。

以上，对第一实施方式进行了说明。如上所述，本实施方式的EFEM 14包括壳体149和输送机器人140，输送机器人140配置在壳体149内，输送作为被输送物的一例的基片W。壳体149具有：侧壁147，其具有与LLM13连通的开口部144；和侧壁148-1，其是位于侧壁147的相反侧的侧壁以外的侧壁，侧壁148-1与LP15连接，具有至少一个开口部146。由此，能够削减基片处理系统1的设置面积。

另外，在上述的实施方式中，LP15具有移动部150。容器16由输送容器16的容器输送机构配置成形成有开口部161的容器16的面成为沿着与EFEM 14的侧壁147相对的侧壁的面的朝向，移动部150变更容器16的位置和朝向，以使得成为容器16的开口部161与侧壁148-1的开口部146连通的位置和朝向。由此，能够将由容器输送机构输送来的容器16连接到EFEM 14连接。

另外，在上述的实施方式中，EFEM 14包括配置在壳体149内的对准器单元1420。由此，能够有效利用EFEM 14内的空间。

另外，在上述的实施方式中，EFEM 14包括配置在壳体149内的储存单元145。由此，能够有效利用EFEM 14内的空间。

另外，在上述的实施方式中，EFEM 14还包括对壳体149内循环供给非活性气体的气体供给部。由此，对于通过EFEM 14内的基片W，能够抑制氧化等基片W的变质。

(第二实施方式)

在第一实施方式中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别连接一个容器16，但在本实施方式中，与第一实施方式的不同之处在于，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别连接多个容器16。以下，以与第一实施方式不同之处为中心进行说明。

图6是表示第二实施方式的EFEM 14和LP15的一例的概要俯视图。图7是表示图6所例示的EFEM 14和LP15的A-A截面的一例的概要截面图。图8是表示图7所例示的EFEM 14的B-B截面的一例的概要截面图。在本实施方式的LP15，例如如图6和图7所示，设置有多个移动部150a和移动部150b。多个移动部150a和移动部150b在沿着与EFEM 14的侧壁147相对的侧壁的面的方向(例如，沿着图6的x轴的方向)上排列地配置。在本实施方式中，多个移动部150a和移动部150b的间隔ΔL1例如是依据SEMI(Semiconductor Equipment andMaterials International：国际半导体设备与材料协会)规格的505mm。

另外，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别形成有与载置于LP15的容器16连接的多个开口部146a和开口部146b。在本实施方式中，例如如图6和图8所示，多个开口部146a和开口部146b在沿着EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2各自的面的方向(例如，沿着图6和图8的y轴的方向)上排列地配置。在图6和图8的例子中，多个开口部146a和开口部146b沿着EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2各自的面在横向上排列。开口部146a由闸门G4a开闭，开口部146b由闸门G4b开闭。

另外，在本实施方式的EFEM 14中，例如如图7和图8所示，连接LLM13的开口部144和连接容器16的开口部146b形成在不同高度的位置。此外，例如如图8所示，在从与侧壁148-1和侧壁148-2交叉的方向观察时，侧壁147的面突出到侧壁148-1和侧壁148-2的区域内。换言之，例如如图8所示，在EFEM 14中，形成有多个开口部146a和开口部146b的高度处的侧壁148-1和侧壁148-2的宽度比形成有开口部144的高度处的侧壁148-1和侧壁148-2的宽度宽。另外，开口部146a可以形成在与开口部146b或开口部144相同高度的位置，也可以形成在与开口部146b和开口部144不同高度的位置。

另外，在图6～图8的例子中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别设置两个开口部146a和开口部146b，在LP15设置两个移动部150a和移动部150b，但公开的技术不限于此。作为其他方式，例如，可以在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别设置三个以上的开口部146，在LP15设置三个以上的移动部150。

[LP15的动作]

图9A～图9D是表示载置于LP15的移动部150a和移动部150b的容器16与EFEM14连接的过程的一例的图。在图9A～图9D中，图示了与侧壁148-1连接的LP15。

收纳有多个基片W的FOUP等容器16a和容器16b例如由OHT等输送机构输送，分别被载置在移动部150a和移动部150b上。此时，容器16a和容器16b以开口部161的面成为沿着与EFEM 14的侧壁147相对的侧壁的面的方向(在图9A的例子中，沿着x轴的方向)的朝向，分别被载置在移动部150a和移动部150b上。

接着，例如如图9B所示，移动部150a变更容器16a的朝向，以使得开口部161的面成为沿着EFEM 14的侧壁148-1的朝向(在图9B的例子中，沿着y轴方向的朝向)。此外，例如如图9B所示，移动部150b使容器16b沿着EFEM 14的侧壁148-1(例如，向图9B的y轴方向)移动。

接着，移动部150a通过在导轨151a上移动，例如如图9C所示，以容器16a的开口部161与EFEM 14的开口部146a靠近的方式使容器16a移动。此外，例如如图9C所示，移动部150b变更容器16b的朝向，以使得开口部161的面成为沿着EFEM 14的侧壁148-1的朝向(在图9C的例子中，沿着y轴方向的朝向)。

接着，移动部150b通过在导轨151b上移动，例如如图9D所示，以容器16b的开口部161与EFEM 14的开口部146b靠近的方式使容器16b移动。之后，通过打开门160和闸门G4，容器16a和容器16b与EFEM 14连接。由此，多个容器16a和容器16b以沿着EFEM 14的侧壁在横向上排列的方式与EFEM 14连接。

这里，如图9D所示，与EFEM 14连接的状态下的容器16a和容器16b的间隔ΔL2比图6和图9A所例示的间隔ΔL1短。在本实施方式中，间隔ΔL2例如为400mm。由此，能够缩短沿着y轴的方向上的EFEM 14的长度，能够减小基片处理系统1的设置面积。

以上，对第二实施方式进行了说明。如上所述，在本实施方式中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2，分别以沿着侧壁148-1或侧壁148-2的面在横向上排列的方式形成有多个开口部146a和开口部146b。由此，能够将更多的容器16与EFEM 14连接。

另外，在上述的实施方式中，在EFEM 14的侧壁147形成有与LLM13连通的开口部144，开口部144和开口部146形成在不同高度的位置。由此，能够不相互干扰地执行经由开口部144的基片W的输送和经由开口部146的基片W的输送。

另外，在上述的实施方式中，在从与EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2的面交叉的方向观察时，形成有开口部144的侧壁147的面突出到侧壁148-1和侧壁148-2的区域内。由此，能够分别在侧壁148-1和侧壁148-2确保用于与容器16连接的多个开口部146的区域，并且使EFEM 14小型化。

(第三实施方式)

在第二实施方式中，多个容器16以在横向上排列的方式分别与EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2连接。与此相对，在本实施方式中，与第二实施方式的不同之处在于，多个容器16以在上下方向(纵向)上排列的方式分别与EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2连接。以下，以与第二实施方式不同之处为中心进行说明。

图10是表示第三实施方式的EFEM 14和LP15的一例的概要俯视图。图11是表示图10所例示的EFEM 14和LP15的A-A截面的一例的概要截面图。图12是表示图11所例示的EFEM14的B-B截面的一例的概要截面图。在本实施方式中，例如如图10和图11所示，沿着EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2的面，在上下方向(纵向)上设置有多个LP15a和LP15b。在LP15a设置有移动部150a，在LP15b设置有移动部150b。在图11的例子中，LP15a在LP15b的上方从侧壁148-1或侧壁148-2沿着x轴方向向外侧延伸。此外，移动部150a和移动部150b在俯视时配置在不同的位置。设置于侧壁148-1的LP15b是第一装载口的一例，设置于侧壁148-1的LP15a是第三装载口的一例。此外，设置于侧壁148-2的LP15b是第二装载口的一例，设置于侧壁148-2的LP15a是第四装载口的一例。此外，在设置于侧壁148-1的LP15b设置的移动部150b是第一基片运载台的一例，在设置于侧壁148-1的LP15a设置的移动部150b是第三运载台的一例。此外，在设置于侧壁148-2的LP15b设置的移动部150b是第二基片运载台的一例，在设置于侧壁148-2的LP15a设置的移动部150b是第四基片运载台的一例。此外，在本实施方式中，在设置于一个侧壁148-1或侧壁148-2的LP15a和LP15b中，移动部150a与移动部150b的间隔ΔL1在俯视时例如为依据SEMI规格的505mm。

例如如图11和图12所示，在侧壁148-1和侧壁148-2各自沿上下方向形成有多个开口部146a和开口部146b。在本实施方式中，多个开口部146a和开口部146b中的至少一者(在图11和图12的例子中，开口部146a)形成在比连接LLM13的开口部144靠上方的位置。此外，多个开口部146a和开口部146b中的至少另一者(在图11和图12的例子中，开口部146b)形成在比连接LLM13的开口部144靠下方的位置。

由此，能够缩短从LLM13向容器16送出基片W时基片W的移动距离，能够缩短基片W的输送所需的时间。另外，对准器单元1420也优选配置在开口部146a与开口部146b之间的高度的位置。由此，能够缩短从容器16向对准器单元1420输送基片W时基片W的移动距离。

另外，在本实施方式中，分别形成于侧壁148-1和侧壁148-2的多个开口部146a和开口部146b例如如图11和图12所示，形成于侧壁148-1或侧壁148-2的同一面。由此，能够减少侧壁148-1和侧壁148-2的凹凸，能够使非活性气体在EFEM 14的壳体149内顺畅地循环。由此，能够在壳体149内抑制气体滞留的发生。此外，作为其他方式，多个开口部146a和开口部146b可以在俯视时形成在侧壁148-1和侧壁148-2各自的不同的位置。

在设置有LP15a的位置的侧壁148-1和侧壁148-2，形成有开口部146a。开口部146a由闸门G4a开闭。此外，在设置有LP15b的位置的侧壁148-1和侧壁148-2，形成有开口部146b。开口部146b由闸门G4b开闭。移动部150a和移动部150b的动作与使用图5A～图5C说明的第一实施方式的移动部150的动作相同，因此省略说明。

另外，在图10～图12的例子中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别设置两个开口部146a和开口部146b，并设置两个LP15a和LP15b，但是公开的技术不限于此。作为其他方式，例如，可以在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别设置三个以上的开口部146和LP15。

以上，对第三实施方式进行了说明。如上所述，在本实施方式中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2，分别以在上下方向一个排列的方式形成有多个开口部146a和开口部146b。由此，能够在EFEM 14连接更多的容器16。

另外，在上述的实施方式中，在EFEM 14的侧壁147形成有与LLM13连通的开口部144，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别形成有与在载置于LP15的容器16形成的开口部161连通的多个开口部146。多个开口部146中的至少一者形成在比开口部144靠上方的位置，多个开口部146中的至少另一者形成在比开口部144靠下方的位置。由此，能够缩短基片W的输送所需的时间。

(第四实施方式)

在第二实施方式中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别以在横向上排列的方式连接多个容器16，在第三实施方式中，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别以在上下方向上排列的方式连接多个容器16。与此相对，在本实施方式中，与第二和第三实施方式的不同之处在于，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2分别以在横向和上下方向上排列的方式连接多个容器16。以下，以与第二和第三实施方式不同之处为中心进行说明。

图13是表示第四实施方式的EFEM 14和LP15的一例的概要俯视图。图14是表示图13所例示的EFEM 14和LP15的A-A截面的一例的概要截面图。图15是表示图14所例示的EFEM14的B-B截面的一例的概要截面图。在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2，例如如图13～图15所示，分别以沿着侧壁148-1和侧壁148-2各自的面在横向(例如，沿着图13～图15的y轴的方向)上排列的方式形成有多个开口部146a1和开口部146a2。此外，在EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2，例如如图13～图15所示，分别以沿着侧壁148-1和侧壁148-2各自的面在横向(例如，沿着图13～图15的y轴的方向)上排列的方式形成有多个开口部146b1和开口部146b2。此外，在侧壁148-1和侧壁148-2，例如如图13～图15所示，分别以沿着侧壁148-1和侧壁148-2各自的面在上下方向(例如，沿着图13～图15的z轴的方向)上排列的方式形成有多个开口部146a1和开口部146b1以及多个开口部146a2和开口部146b2。

另外，在本实施方式中，例如如图13～图15所示，分别沿着EFEM 14的侧壁148-1和侧壁148-2在上下方向上设置有多个LP15a和LP15b。在LP15a设置有移动部150a1和移动部150a2，在LP15b设置有移动部150b1和移动部150b2。在分别设置于侧壁148-1和侧壁148-2的LP15a和LP15b中，移动部150a1、移动部150a2、移动部150b1和移动部150b2的间隔ΔL1在俯视时例如为依据SEMI规格的505mm。

开口部146a1由闸门G4a1开闭，开口部146a2由闸门G4a2开闭。此外，开口部146b1由闸门G4b1开闭，开口部146b2由闸门G4b2开闭。

另外，在本实施方式的EFEM 14中，连接LLM13的开口部144与连接容器16的开口部146a2和开口部146b2例如如图15所示，形成在不同高度的位置。此外，例如如图15所示，在从与侧壁148-1和侧壁148-2交叉的方向观察时，连接LLM13的侧壁147的面突出到侧壁148-1和侧壁148-2的区域内。换言之，例如如图15所示，在EFEM 14中，形成有多个开口部146a1～146b2的高度处的侧壁148-1和侧壁148-2的宽度比形成有开口部144的高度处的侧壁148-1和侧壁148-2的宽度宽。

移动部150a1、移动部150a2、移动部150b1和移动部150b2的动作与使用图9A～图9D说明的第二实施方式的移动部150a和移动部150b的动作相同，因此省略说明。

另外，在图13～图15的例子中，在一个LP15设置有两个移动部150，但也可以在一个LP15设置三个以上的移动部150。此外，在图13～图15的例子中，在侧壁148-1和侧壁148-2分别设置有两个LP15，但也可以在侧壁148-1和侧壁148-2分别设置有三个以上的LP15。

以上，对第四实施方式进行了说明。在本实施方式中，也能够削减基片处理系统1的设置面积。

(第五实施方式)

在第一～第四实施方式中，连接LLM13的EFEM 14的侧壁147与连接容器16的EFEM14的侧壁148-1和侧壁148-2是不同的侧壁。与此相对，在本实施方式中，与第一～第四实施方式的不同之处在于，侧壁147和侧壁148是同一侧壁。以下，以与第一～第四实施方式不同之处为中心进行说明。

图16是表示第五实施方式的EFEM 14和LP15的一例的概要俯视图。图17是表示图16所例示的EFEM 14的A-A截面的一例的概要截面图。图18是表示图17所例示的EFEM 14的B-B截面的一例的概要截面图。例如，如图18所示，在连接LLM13的EFEM 14的侧壁147设置有开口部146。在本实施方式中，连接LLM13的侧壁147与连接容器16的侧壁148是同一侧壁。此外，连接容器16的开口部146在侧壁147形成于与LLM13连通的开口部144的上方。例如，连接容器16的侧壁148沿着包含连接LLM13的侧壁147的平面配置。侧壁147是第一侧壁的一例，侧壁148是第二侧壁的一例。即使是这样的结构，也能够缩短沿着图16～图18的y轴的方向上的基片处理系统1的长度。由此，能够削减基片处理系统1的设置面积。

在本实施方式中，对准室142配置于LLM13的上方。此外，在本实施方式中，对准室142设置在比连接容器16的开口部146低且比连接LLM13的开口部144高的位置。由此，能够缩短从容器16送入对准室142并由对准器单元1420调整了朝向的基片W送入LLM13内时的基片W的移动距离。此外，配置对准器单元1420的对准室142可以设置在比开口部146高的位置，或者比开口部144低的位置。

另外，本次公开的实施方式在所有方面都应当被认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。此外，上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求数及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、变更。

例如，在上述的各实施方式中，作为被输送物的一例，使用输送基片W的VTM 11和EFEM 14进行了说明，但是公开的技术不限于此。例如，作为其他方式，对于输送边缘环、覆盖环、上部电极板和静电吸盘等基片W以外的被输送物的VTM 11和EFEM14，也能够应用公开的技术。

另外，在上述的各实施方式中，俯视时的EFEM 14的形状为矩形形状，但公开的技术不限于此。作为其他方式，俯视时的EFEM 14的形状可以是三角形或五边形以上的多边形的形状，在四边形的情况下，可以是梯形、平行四边形或菱形等。此外，俯视时的EFEM 14的形状也可以是多条边中的至少一条边为曲线状。

另外，在上述的各实施方式中，作为等离子体源的一例，说明了使用电容耦合型等离子体(CCP)进行处理的PM 12，但等离子体源不限于此。作为电容耦合型等离子体以外的等离子体源，例如可以举出电感耦合等离子体(ICP)、微波激发表面波等离子体(SWP)、电子回旋共振等离子体(ECP)和螺旋波激发等离子体(HWP)等。

另外，关于上述的实施方式，还公开以下的附记。

(附记1)

一种基片输送系统，其包括：

装载锁定模块；

具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁的大气输送模块，其中，上述第一侧壁沿着第一方向延伸，与上述装载锁定模块连接，上述第二侧壁沿着与上述第一方向正交的第二方向延伸，上述第三侧壁位于上述第二侧壁的相反侧；

第一装载口，其从上述第二侧壁沿着上述第一方向向外侧延伸；以及

第二装载口，其从上述第三侧壁沿着上述第一方向向外侧延伸。

(附记2)

根据附记1记载的基片输送系统，其中，

上述第一装载口包括第一基片运载台，

上述第二装载口包括第二基片运载台。

(附记3)

根据附记2记载的基片输送系统，其中，

还包括第三装载口，上述第三装载口在上述第一装载口的上方从上述第二侧壁沿着上述第一方向向外侧延伸，

上述第三装载口包括第三基片运载台，

上述第一基片运载台和上述第三基片运载台在俯视时配置在不同的位置。

(附记4)

根据附记2或3记载的基片输送系统，其中，

还包括第四装载口，上述第四装载口在上述第二装载口的上方从上述第三侧壁沿着上述第一方向向外侧延伸，

上述第四装载口包括第四基片运载台，

上述第二基片运载台和上述第四基片运载台在俯视时配置在不同的位置。

(附记5)

一种输送模块，其包括：

壳体；和

配置在上述壳体内的输送装置，

上述壳体包括：

第一侧壁，其具有与装载锁定模块连通的第一开口部；和

第二侧壁，其是位于上述第一侧壁的相反侧的侧壁以外的侧壁，上述第二侧壁与装载口连接，具有至少一个第二开口部。

(附记6)

根据附记5记载的输送模块，其中，

上述至少一个第二开口部具有沿着横向排列的多个第二开口部。

(附记7)

根据附记5或6记载的输送模块，其中，

上述第一开口部形成在与上述至少一个第二开口部不同的高度。

(附记8)

根据附记7记载的输送模块，其中，

在从与上述第二侧壁的面交叉的方向观察时，形成有上述第一开口部的上述第一侧壁的面突出到上述第二侧壁的区域内。

(附记9)

根据附记5记载的输送模块，其中，

上述至少一个第二开口部具有沿着纵向排列的多个第二开口部。

(附记10)

根据附记9记载的输送模块，其中，

上述多个第二开口部中的至少一者形成在比上述第一开口部高的位置，上述多个第二开口部中的至少另一者形成在比上述第一开口部低的位置。

(附记11)

根据附记10记载的输送模块，其中，

上述多个第二开口部形成在同一平面上。

(附记12)

根据附记10或11记载的输送模块，其中，

在上述第二侧壁，在相同高度的位置，以沿着上述第二侧壁的面在横向上排列的方式还形成有多个上述第二开口部。

(附记13)

根据附记12记载的输送模块，其中，

在从与上述第二侧壁的面交叉的方向观察时，形成有上述第一开口部的上述第一侧壁的面突出到上述第二侧壁的区域内。

(附记14)

根据附记5至13中任一项记载的输送模块，其中，

还包括配置在上述壳体内的对准器单元。

(附记15)

根据附记5至14中任一项记载的输送模块，其中，

还包括配置在上述壳体内的储存单元。

(附记16)

根据附记5至15中任一项记载的输送模块，其中，

还包括气体供给部上述气体供给部构成为能够对上述壳体内循环供给非活性气体。

(附记17)

一种输送模块，其包括：

壳体；和

配置在所述壳体内的输送装置，

所述壳体包括：

第一侧壁，其具有与装载锁定模块连通的第一开口部；和

沿着包含所述第一侧壁的平面配置的第二侧壁，所述第二侧壁与装载口连接，具有至少一个第二开口部。

Claims (17)

1.一种基片输送系统，其特征在于，包括：

装载锁定模块；

具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁的大气输送模块，其中，所述第一侧壁沿着第一方向延伸，与所述装载锁定模块连接，所述第二侧壁沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述第三侧壁位于所述第二侧壁的相反侧；

第一装载口，其从所述第二侧壁沿着所述第一方向向外侧延伸；和

第二装载口，其从所述第三侧壁沿着所述第一方向向外侧延伸。

2.根据权利要求1所述的基片输送系统，其特征在于：

所述第一装载口包括第一基片运载台，

所述第二装载口包括第二基片运载台。

3.根据权利要求2所述的基片输送系统，其特征在于：

还包括第三装载口，所述第三装载口在所述第一装载口的上方从所述第二侧壁沿着所述第一方向向外侧延伸，

所述第三装载口包括第三基片运载台，

所述第一基片运载台和所述第三基片运载台在俯视时配置在不同的位置。

4.根据权利要求3所述的基片输送系统，其特征在于：

还包括第四装载口，所述第四装载口在所述第二装载口的上方从所述第三侧壁沿着所述第一方向向外侧延伸，

所述第四装载口包括第四基片运载台，

所述第二基片运载台和所述第四基片运载台在俯视时配置在不同的位置。

5.一种输送模块，其特征在于，包括：

壳体；和

配置在所述壳体内的输送装置，

所述壳体包括：

第一侧壁，其具有与装载锁定模块连通的第一开口部；和

第二侧壁，其是位于所述第一侧壁的相反侧的侧壁以外的侧壁，所述第二侧壁与装载口连接，具有至少一个第二开口部。

6.根据权利要求5所述的输送模块，其特征在于：

所述至少一个第二开口部具有沿着横向排列的多个第二开口部。

7.根据权利要求5或6所述的输送模块，其特征在于：

所述第一开口部形成在与所述至少一个第二开口部不同的高度。

8.根据权利要求7所述的输送模块，其特征在于：

在从与所述第二侧壁的面交叉的方向观察时，形成有所述第一开口部的所述第一侧壁的面突出到所述第二侧壁的区域内。

9.根据权利要求5所述的输送模块，其特征在于：

所述至少一个第二开口部具有沿着纵向排列的多个第二开口部。

10.根据权利要求9所述的输送模块，其特征在于：

所述多个第二开口部中的至少一者形成在比所述第一开口部高的位置，所述多个第二开口部中的至少另一者形成在比所述第一开口部低的位置。

11.根据权利要求10所述的输送模块，其特征在于：

所述多个第二开口部形成在同一平面上。

12.根据权利要求10或11所述的输送模块，其特征在于：

在所述第二侧壁，在相同高度的位置，以沿着所述第二侧壁的面在横向上排列的方式还形成有多个所述第二开口部。

13.根据权利要求12所述的输送模块，其特征在于：

在从与所述第二侧壁的面交叉的方向观察时，形成有所述第一开口部的所述第一侧壁的面突出到所述第二侧壁的区域内。

14.根据权利要求5所述的输送模块，其特征在于：

还包括配置在所述壳体内的对准器单元。

15.根据权利要求5所述的输送模块，其特征在于：

还包括配置在所述壳体内的储存单元。

16.根据权利要求5所述的输送模块，其特征在于：

还包括气体供给部，所述气体供给部构成为能够对所述壳体内循环供给非活性气体。

17.一种输送模块，其特征在于，包括：

壳体；和

配置在所述壳体内的输送装置，

所述壳体包括：

第一侧壁，其具有与装载锁定模块连通的第一开口部；和

沿着包含所述第一侧壁的平面配置的第二侧壁，所述第二侧壁与装载口连接，具有至少一个第二开口部。