CN117424579A - 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器 - Google Patents

声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器 Download PDF

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Abstract

一种声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器，声表面波谐振器装置包括：叉指换能器，位于压电基板的一侧，且包括多个叉指电极、第一和第二叉指电极引出部，多个叉指电极包括沿第一方向延伸且沿第二方向交替排列的第一叉指电极和第二叉指电极；第一叉指电极位于主体区中，且延伸跨过第一周边区以连接第一叉指电极引出部，第二叉指电极位于主体区中，且延伸跨过第二周边区以连接第二叉指电极引出部；以及杂波抑制结构，包括主体结构和锯齿结构，主体结构沿第二方向连续延伸，且在垂直于压电基板的第三方向上与多个叉指电极交叠，锯齿结构在第一方向上设置于主体结构的远离主体区的一侧，且锯齿结构的至少部分与多个叉指电极在第三方向上交叠。

Description

声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器
技术领域
本公开的实施例涉及谐振器、滤波器领域，且特别是涉及一种声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器。
背景技术
随着移动通讯技术快速发展，以谐振器为基本单元的滤波器越来越广泛且大量的应用在智能手机等通讯装置中。声表面波（Surface Acoustic Wave, SAW）滤波器作为一种声波滤波器具有体积小、质量轻等优点，在目前的通讯装置中得到广泛应用。传统声表面波谐振器/滤波器存在杂散模态的杂波，此种杂波会影响谐振器/滤波器的性能。如何提高谐振器装置抑制杂波的能力是该领域的重要研究课题。
发明内容
根据本公开的至少一个实施例提供一种声表面波谐振器装置，具有主体区和周边区，其中所述周边区包括在第一方向上位于所述主体区相对两侧的第一周边区和第二周边区，且所述声表面波谐振器装置包括：压电基板；叉指换能器，设置于所述压电基板的一侧，且包括多个叉指电极、第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，所述多个叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；所述第一叉指电极和所述第二叉指电极沿所述第一方向延伸且沿与所述第一方向相交的第二方向交替排列；其中所述第一叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第一周边区以与所述第一叉指电极引出部连接，所述第二叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第二周边区以与所述第二叉指电极引出部连接；以及杂波抑制结构，设置于所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧，且包括主体结构和锯齿结构，其中所述主体结构沿所述第二方向连续延伸，且在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上与所述多个叉指电极的靠近所述周边区的末端部分交叠，所述锯齿结构在所述第一方向上设置于所述主体结构的远离所述主体区的一侧，且所述锯齿结构的至少部分与所述多个叉指电极在所述第三方向上交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一叉指电极具有在所述第一方向上远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘；所述第二叉指电极具有在所述第一方向上远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘；其中所述锯齿结构在所述第一方向上延伸超出所述第一电极边缘和所述第二电极边缘中的至少一者，且所述锯齿结构的至少部分位于所述周边区中；或者所述锯齿结构具有在所述第三方向上与所述第一电极边缘或所述第二电极边缘对齐的侧壁。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述杂波抑制结构包括：第一杂波抑制子结构，包括彼此相连的第一主体部和第一锯齿部，所述第一主体部与所述多个叉指电极的靠近所述第一周边区的末端部分在所述第三方向上交叠，所述第一锯齿部在所述第一方向上凸出于所述第一主体部的靠近所述第一周边区的第一主体侧壁；以及第二杂波抑制子结构，包括彼此相连的第二主体部和第二锯齿部，所述第二主体部与所述多个叉指电极的靠近所述第二周边区的末端部分在所述第三方向上交叠，所述第二锯齿部在所述第一方向上凸出于所述第二主体部的靠近所述第二周边区的第二主体侧壁，所述第一主体部和所述第二主体部构成所述主体结构，所述第一锯齿部和所述第二锯齿部构成所述锯齿结构。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一锯齿部的至少部分与所述第一叉指电极在所述第三方向上交叠；以及所述第二锯齿部的至少部分与所述第二叉指电极在所述第三方向上交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述锯齿结构还包括以下中的至少一者：所述第一锯齿部还包括与所述第二叉指电极在所述第三方向上交叠的部分；所述第二锯齿部还包括与所述第一叉指电极在所述第三方向上交叠的部分。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一锯齿部包括沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排列的多个第一延伸部；以及所述第二锯齿部包括沿所述第一方向延伸且所述第二方向间隔排列的多个第二延伸部。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述多个第一延伸部中相邻第一延伸部在所述第二方向上的间距或所述多个第二延伸部中相邻第二延伸部在所述第二方向上的间距大于或等于所述多个叉指电极中相邻叉指电极在所述第二方向上的间距。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述多个第一延伸部至少包括第一延伸子部，所述第一延伸子部与所述第一叉指电极一一对应设置，且在所述第三方向上彼此交叠；所述多个第二延伸部至少包括第二延伸子部，所述第二延伸子部与所述第二叉指电极一一对应设置，且在所述第三方向上彼此交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一延伸子部在所述压电基板上的正投影位于所述第一叉指电极在所述压电基板上的正投影范围内；所述第二延伸子部在所述压电基板上的正投影位于所述第二叉指电极在所述压电基板上的正投影范围内。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一延伸子部在所述第二方向上的宽度小于或等于所述第一叉指电极在所述第二方向上的宽度；所述第二延伸子部在所述第二方向上的宽度小于或等于所述第二叉指电极在所述第二方向上的宽度。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述多个第一延伸部还包括第一附加延伸子部，所述第一附加延伸子部在所述压电基板上的正投影与所述第二叉指电极在所述压电基板上的正投影在所述第一方向上至少部分对齐；以及所述多个第二延伸部还包括第二附加延伸子部，所述第二附加延伸子部在所述压电基板上的正投影与所述第一叉指电极在所述压电基板上的正投影在所述第一方向上至少部分对齐。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一附加延伸子部的所述正投影与所述第二叉指电极的所述正投影邻接、偏置开或部分交叠，或者所述第一附加延伸子部的所述正投影位于所述第二叉指电极的所述正投影范围内；所述第二附加延伸子部的所述正投影与所述第一叉指电极的所述正投影邻接、偏置开或部分交叠，或者所述第二附加延伸子部的所述正投影位于所述第一叉指电极的所述正投影范围内。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一主体侧壁在所述压电基板上的正投影与所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘在所述压电基板上的正投影在所述第二方向上彼此对齐，或者所述第一主体侧壁在所述第一方向上相对于所述第二电极边缘朝向或远离所述第一周边区而偏移；以及所述第二主体侧壁在所述压电基板上的正投影与所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘在所述压电基板上的正投影在所述第二方向上彼此对齐，或者所述第二主体侧壁在所述第一方向上相对于所述第一电极边缘朝向或远离所述第二周边区而偏移。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一主体侧壁的部分在所述第三方向上与所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘对齐；所述第二主体侧壁的部分在所述第三方向上与所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘对齐。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一杂波抑制子结构和所述第二杂波抑制子结构各自具有在所述第一方向上彼此相对的第一侧和第二侧，所述第一侧设置有所述锯齿结构且具有凹凸不平的表面，所述第二侧远离所述周边区且具有在所述第二方向上连续延伸的平坦表面。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一周边区具有第一周边宽度，所述第一周边宽度由所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘与所述第一叉指电极引出部在所述第一方向上的距离界定，且在所述第一方向上所述第一主体侧壁与所述第一叉指电极引出部之间的距离与所述第一周边宽度相同；所述第二周边区具有第二周边宽度，所述第二周边宽度由所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘与所述第二叉指电极引出部在所述第一方向上的距离界定，且在所述第一方向上所述第二主体侧壁与所述第二叉指电极引出部之间的距离与所述第二周边宽度相同。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一锯齿部在所述第一方向上的宽度小于等于所述第一周边宽度的20%；所述第二锯齿部在所述第一方向上的宽度小于等于所述第二周边宽度的20%。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一叉指电极和所述第二叉指电极各自包括中心部、第一末端部、第二末端部和连接部，在每个叉指电极中，所述第一末端部和所述第二末端部在所述第一方向上位于所述中心部的相对两侧，且所述连接部位于所述第二末端部的远离所述中心部的一侧，并与所述第一叉指电极引出部和所述第二叉指电极引出部中相应一者连接；所述第一叉指电极的连接部位于所述第一周边区，所述第二叉指电极的连接部位于所述第二周边区中；以及所述第一叉指电极的第一末端部、第二末端部以及所述第二叉指电极的第一末端部、第二末端部在所述压电基板上的正投影位于所述杂波抑制结构在所述压电基板上的正投影范围内。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一叉指电极的连接部的一部分以及所述第二叉指电极的连接部的一部分在所述压电基板上的正投影也位于所述杂波抑制结构在所述压电基板上的正投影范围内。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一叉指电极的所述第二末端部和所述第二叉指电极的所述第一末端部在所述压电基板上的正投影位于所述第一主体部在所述压电基板上的正投影内，且所述第一叉指电极的所述连接部的一部分与所述第一锯齿部在所述第三方向上交叠；以及所述第一叉指电极的所述第一末端部和所述第二叉指电极的所述第二末端部在所述压电基板上的正投影位于所述第二主体部在所述压电基板上的正投影内，且所述第二叉指电极的所述连接部的一部分与所述第二锯齿部在所述第三方向上交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，在所述第三方向上，所述第一叉指电极的所述第二末端部和所述第二叉指电极的所述第一末端部与所述第一主体部交叠，且与所述第一锯齿部交叠；或所述第一叉指电极的所述第一末端部和所述第二叉指电极的所述第二末端部与所述第二主体部交叠，且与所述第二锯齿部交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，在所述第三方向上，所述第一叉指电极的所述连接部的一部分与所述第一锯齿部交叠，且与所述第一主体部交叠；或所述第二叉指电极的所述连接部的一部分与所述第二锯齿部交叠，且与所述第二主体部交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一叉指电极和所述第二叉指电极的末端部分在所述第三方向上与所述杂波抑制结构的所述主体结构和所述锯齿结构交叠，且所述第一叉指电极的连接部和所述第二叉指电极的连接部在所述压电基板上的正投影与所述杂波抑制结构在所述压电基板上的正投影偏置开。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，还包括：反射栅，在所述第二方向上设置在所述叉指换能器的相对两侧，其中每个反射栅包括多个反射电极以及汇流条，所述多个反射电极沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向间隔排列，所述汇流条沿所述第二方向延伸，并与所述多个反射电极连接，其中所述杂波抑制结构在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上还与所述反射栅部分交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述第一杂波抑制子结构和所述第二杂波抑制子结构各自具有与所述反射栅交叠的附加区域，且在所述附加区域中，所述第一锯齿部或所述第二锯齿部中包括的每个延伸部与所述多个反射电极中的对应一者在所述第三方向上交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述每个延伸部在所述压电基板上的正投影位于所述多个反射电极中的所述对应一者在所述压电基板上的正投影内。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，还包括：温度补偿层，设置于所述压电基板上，并覆盖所述叉指换能器，其中所述杂波抑制结构位于所述温度补偿层的远离所述压电基板的一侧。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述杂波抑制结构包括金属结构。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置中，所述金属结构是电性浮置的。
本公开至少一个实施例提供一种滤波器，包括上述任一项所述的声表面波谐振器装置。
本公开至少一个实施例提供一种声表面波谐振器装置的制造方法，所述声表面波谐振器装置具有主体区和周边区，其中所述周边区包括在第一方向上位于所述主体区相对两侧的第一周边区和第二周边区，且所述制造方法包括：提供压电基板；在所述压电基板的一侧形成叉指换能器，其中所述叉指换能器包括多个叉指电极、第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，所述多个叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；所述第一叉指电极和所述第二叉指电极沿所述第一方向延伸且沿与所述第一方向相交的第二方向交替排列；其中所述第一叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第一周边区以与所述第一叉指电极引出部连接，所述第二叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第二周边区以与所述第二叉指电极引出部连接；以及在所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧形成杂波抑制结构，且所述杂波抑制结构包括主体结构和锯齿结构，其中所述主体结构沿所述第二方向连续延伸，且在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上与所述多个叉指电极的靠近所述周边区的末端部分交叠，所述锯齿结构在所述第一方向上设置于所述主体结构的远离所述主体区的一侧，且所述锯齿结构的至少部分与所述多个叉指电极在所述第三方向上交叠。
根据本公开至少一个实施例提供的声表面波谐振器装置的制造方法中，还包括：在形成所述杂波抑制结构之前，在所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧形成温度补偿层，且所述杂波抑制结构形成在所述温度补偿层的远离所述压电基板的一侧。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A示出根据本公开一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图；图1B示出根据本公开一些实施例的图1A所示的声表面波谐振器装置的部分区域的示意性放大俯视图。
图2A示出根据本公开一些实施例的声表面波谐振器装置的沿图1A的线A-A’截取的示意性截面图；图2B示出根据本公开一些实施例的声表面波谐振器装置的沿图1A的线B-B’截取的示意性截面图；图2C示出根据本公开一些实施例的声表面波谐振器装置的沿图1A的线C-C’截取的示意性截面图。
图3A示出根据本公开另一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图；图3B示出根据本公开另一些实施例的图3A所示的声表面波谐振器装置的部分区域的示意性放大俯视图。
图4A示出根据本公开又一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图；图4B示出根据本公开又一些实施例的图4A所示的声表面波谐振器装置的部分区域的示意性放大俯视图。
图5A示出根据本公开又另一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图；图5B示出根据本公开又另一些实施例的图5A所示的声表面波谐振器装置的部分区域的示意性放大俯视图。
图6A示出根据本公开再一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图；图6B示出根据本公开再一些实施例的图6A所示的声表面波谐振器装置的部分区域的示意性放大俯视图。
图7A示出传统声表面波谐振器装置以及本公开实施例的声表面波谐振器装置的导纳响应图；图7B示出传统声表面波谐振器装置以及本公开实施例的声表面波谐振器装置的实部响应图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
本公开实施例提供一种声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器，所述声表面波谐振器装置具有主体区和周边区，其中周边区包括在第一方向上位于主体区相对两侧的第一周边区和第二周边区，且声表面波谐振器装置包括：压电基板；叉指换能器，设置于压电基板的一侧，且包括多个叉指电极、第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，多个叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；第一叉指电极和第二叉指电极沿第一方向延伸且沿与第一方向相交的第二方向交替排列；其中第一叉指电极位于主体区中，且延伸跨过第一周边区以与第一叉指电极引出部连接，第二叉指电极位于主体区中，且延伸跨过第二周边区以与第二叉指电极引出部连接；以及杂波抑制结构，设置于叉指换能器的远离压电基板的一侧，且包括主体结构和锯齿结构，其中主体结构沿第二方向连续延伸，且在垂直于压电基板的主表面的第三方向上与多个叉指电极的靠近周边区的末端部分交叠，锯齿结构在第一方向上设置于主体结构的远离主体区的一侧，且锯齿结构的至少部分与多个叉指电极在第三方向上交叠。
本公开实施例的声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器可具有以下技术效果：杂波抑制结构包括主体结构和锯齿结构，通过在主体结构基础上进一步设置锯齿结构可增加杂波抑制结构与叉指电极的交叠面积，从而提高杂波抑制结构抑制杂波的能力，进而减小或消除谐振器装置和滤波器中的杂波，提高装置性能。而且，锯齿结构设置于主体结构的远离主体区的一侧，可在一定程度上避免锯齿结构占用叉指电极中心部分所在的区域（即，有效谐振区域），从而有利于减小谐振器装置的尺寸，进而可缩小滤波器等最终产品的尺寸。
此外，通过将杂波抑制结构设置成同时包括主体结构和锯齿结构，一方面可以确保其结构稳定性，另一方面可在提高杂波抑制结构与叉指电极的交叠面积的同时相对减小杂波抑制结构的整体面积，从而有利于在提高谐振器装置的杂波抑制能力的同时减小欧姆损耗，提升装置性能。
图1A示出根据本公开一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图。图1B示出图1A的根据本公开一些实施例的声表面波谐振器装置的区域D的示意性放大俯视图。图2A、图2B、图2C分别示出沿图1A的线A-A’、线B-B’、线C-C’截取的示意性截面图。
参考图1A和图1B，在一些实施例中，声表面波谐振器装置500a包括压电基板100、叉指换能器（interdigital transducer，IDT）101和杂波抑制结构106。叉指换能器101设置于压电基板100的一侧，且杂波抑制结构106设置于叉指换能器101的远离压电基板100的一侧。声表面波谐振器装置500a具有主体区BR以及周边区GR，且周边区GR包括在第一方向D1上位于主体区BR相对两侧的第一周边区GR1和第二周边区GR2。为图式清楚起见，在俯视图中将杂波抑制结构106示出为透明的，但应理解这并不表示杂波抑制结构106是透明材料。在一些实施例中，杂波抑制结构106包括导电结构，例如包括金属结构，且所述金属结构可为电性浮置的。
例如，叉指换能器101包括多个叉指电极、第一叉指电极引出部12和第二叉指电极引出部22。多个叉指电极可包括第一叉指电极11和第二叉指电极12。第一叉指电极11和第一叉指电极引出部12彼此连接，且可共同构成第一叉指电极结构。第二叉指电极12和第二叉指电极引出部22彼此连接，且可共同构成第二叉指电极结构。在一些实施例中，叉指电极引出部又可被称为汇流条（busbar）。
在一些实施例中，多个第一叉指电极11和多个第二叉指电极12彼此大致平行的沿第一方向D1延伸，且沿第二方向D2交替排列并彼此间隔开。第一方向D1和第二方向D2平行于压电基板100的主表面（例如，靠近叉指换能器101的表面），且彼此相交，例如是彼此大致垂直的。第一叉指电极引出部21在第一方向D1上位于多个第一叉指电极11的一侧，且与多个第一叉指电极11连接，使得多个第一叉指电极11通过第一叉指电极引出部21彼此电性连接。类似的，第二叉指电极引出部22在第一方向D1上位于多个第二叉指电极12的一侧，且与多个第二叉指电极12连接，使得多个第二叉指电极12通过第二叉指电极引出部22电性连接。
第一叉指电极引出部21和第二叉指电极引出部22在第一方向D1上位于主体区BR的相对两侧，例如，第一叉指电极引出部21在第一方向D1上位于第一周边区GR1的远离主体区BR的一侧，第二叉指电极引出部22在第一方向上位于第二周边区GR2的远离主体区BR的一侧。也就是说，在叉指电极的延伸方向（例如，第一方向D1）上，第一周边区GR1位于主体区BR和第一叉指电极引出部21之间，第二周边区GR2位于主体区BR和第二叉指电极引出部22之间。在本文中，主体区BR是指在其中第一叉指电极11和第二叉指电极12在叉指电极的排列方向（例如，第二方向D2）上彼此完全交叠的区域；在周边区中，第一叉指电极和第二叉指电极在第二方向上彼此不交叠。主体区BR和周边区GR各自不仅包括叉指换能器所在的层，且还包括在垂直于压电基板主表面的方向上与叉指换能器交叠的层。在本文中，多个构件在某一方向上交叠是指所述多个构件在垂直于所述方向的参考平面上的正投影彼此交叠。也就是说，在主体区BR中，第一叉指电极11和第二叉指电极12在垂直于第二方向D2的参考平面（例如，反射栅102的靠近叉指换能器一侧的表面）上的正投影彼此完全交叠。
继续参考图1A和图1B，第一叉指电极11位于主体区BR中，且自主体区BR延伸跨过第一周边区GR1，以与第一叉指电极引出部21连接。第二叉指电极12位于主体区BR中，且自主体区BR延伸跨过第二周边区GR2，以与第二叉指电极引出部22连接。第一叉指电极11具有第一电极边缘11e，第一电极边缘11e在第一方向D1上远离第一叉指电极引出部21且面对第二叉指电极引出部22，并通过第二周边区GR2与第二叉指电极引出部22间隔开。第二叉指电极12具有第二电极边缘12e，第二电极边缘12e在第一方向D1上远离第二叉指电极引出部22且面对第一叉指电极引出部21，并通过第一周边区GR1与第一叉指电极引出部21间隔开。
周边区GR可由相应的电极边缘以及叉指电极引出部面对所述电极边缘的表面界定。例如，第一周边区GR1可包括在第一方向D1上位于第二电极边缘12e沿第二方向D2和第三方向D3扩展的扩展平面与第一叉指电极引出部21的面对第二电极边缘12e的表面沿第二方向D2和第三方向D3扩展的扩展平面之间的区域。第二周边区GR2可包括在第一方向D1上位于第一电极边缘11e沿第二方向D2和第三方向D3扩展的扩展平面与第二叉指电极引出部22的面对第一电极边缘11e的表面沿第二方向D2和第三方向D3扩展的扩展平面之间的区域。第三方向D3垂直于压电基板100的主表面100，且可垂直于第一方向D1和第二方向D2。
在一些实施例中，主体区BR包括中心区C和在第一方向D1上位于中心区C相对两侧的第一末端区E1和第二末端区E2，第一末端区E1位于中心区C和第一周边区GR1之间，第二末端区E2位于中心区C和第二周边区GR2之间。第一叉指电极11和第二叉指电极12各自包括中心部、第一末端部、第二末端部和连接部，在每个叉指电极中，第一末端部和第二末端部在第一方向上位于中心部的相对两侧，且连接部位于第二末端部的远离中心部的一侧，并与第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部中相应一者连接；在每个叉指电极中，中心部位于中心区C中，第一末端部位于第一末端区E1和第二末端区E2之一中；第二末端部位于第一末端区E1和第二末端区E2之另一中，连接部位于第一周边区GR1和第二周边区GR2之一中，其中第一末端部和第二末端部可统称为叉指电极的末端部分；第一末端区E1和第二末端区E2可统称为末端区。应理解，每个叉指电极的中心部、第一末端部、第二末端部和连接部彼此连接且是连续的，且可为一体成型的。在一些实施例中，在每个叉指电极结构中，叉指电极和叉指电极引出部也可为一体成型的。
举例来说，如图1B所示，第一叉指电极11包括位于中心区C的中心部11a、位于第二末端区E2的第一末端部11b、位于第一末端区E1的第二末端部11c以及位于第一周边区GR1的连接部11d。第二叉指电极12包括位于中心区的中心部12a、位于第一末端区E1的第一末端部12b、位于第二末端区E2的第二末端部12c和位于第二周边区GR2的连接部12d。第一叉指电极11的中心部11a和第二叉指电极12的中心部12a在第二方向D2上彼此交叠（例如，完全交叠），第一叉指电极11的第一末端部11b和第二叉指电极12的第二末端部12c在第二方向D2上彼此交叠（例如，完全交叠），第一叉指电极11的第二末端部11c和第二叉指电极12的第一末端部12b在第二方向D2上彼此交叠（例如，完全交叠）。第一叉指电极11的连接部11d位于第一周边区GR1中，且在第二方向D2上不与第二叉指电极12交叠；第二叉指电极12的连接部12d位于第二周边区GR2中，且在第二方向D2上不与第一叉指电极11交叠。
在一些实施例中，杂波抑制结构106在末端区和周边区中设置在叉指换能器的远离压电基板的一侧，且在垂直于压电基板主表面的方向（例如，第三方向D3）上与第一叉指电极11和第二叉指电极12的末端部分和连接部交叠。杂波抑制结构106在压电基板100上的正投影位于中心区C之外，即与第一叉指电极11的中心部11a以及第二叉指电极12的中心部12a在压电基板100上的正投影偏置开。在一些实施例中，中心区C为声表面波谐振器装置的有效谐振区域。
在一些实施例中，第一叉指电极的第一末端部、第二末端部以及第二叉指电极的第一末端部、第二末端部在压电基板上的正投影位于杂波抑制结构在压电基板上的正投影范围内。在一些实施例中，第一叉指电极的连接部的一部分以及第二叉指电极的连接部的一部分在压电基板上的正投影也位于杂波抑制结构在压电基板上的正投影范围内。
参考图1A和图1B以及图2A至图2C，在一些实施例中，杂波抑制结构106包括主体结构BP和锯齿结构SP。主体结构BP沿第二方向D2连续延伸，且在垂直于压电基板100的主表面的第三方向D3上与第一叉指电极11和第二叉指电极12的靠近周边区的末端部分交叠。锯齿结构SP在第一方向D1上位于主体结构BP的靠近周边区GR的一侧，并朝向周边区GR凸出于主体结构BP。锯齿结构SP的至少部分与第一叉指电极11和/或第二叉指电极12在第三方向D3上交叠。
在一些实施例中，锯齿结构SP在第一方向D1上延伸超出第一叉指电极11的第一电极边缘11e和/或第二叉指电极12的第二电极边缘12e，且锯齿结构SP的至少部分位于周边区GR中。
例如，杂波抑制结构106包括第一杂波抑制子结构106a和第二杂波抑制子结构106b。第一杂波抑制子结构106a和第二杂波抑制子结构106b在第一方向D1上并排设置且位于中心区C的相对两侧。第一杂波抑制子结构和第二杂波抑制子结构的一或多者（例如，每一者）各自包括彼此相连的主体部和锯齿部，所述主体部可沿第二方向连续延伸跨过多个第一叉指电极和第二叉指电极，且在垂直于压电基板主表面的方向上至少与第一叉指电极和第二叉指电极的末端部分交叠。所述锯齿部位于与之相连的主体部的靠近周边区和叉指电极引出部且远离中心区的一侧，每个主体部具有靠近周边区的主体侧壁，且所述锯齿部在第一方向上凸出于相应主体部的主体侧壁。锯齿部可位于末端区和/或周边区中。例如，在一些实施例中，锯齿部延伸超出相应叉指电极的电极边缘，锯齿部的至少部分可位于周边区中，且与相应叉指电极的连接部部分交叠，但本公开并不以此为限。
在声表面波谐振器结构工作期间，声表面波沿着叉指换能器101的多个叉指电极的排列方向（例如，第二方向D2）传播，然而，也可能存在一些沿着叉指电极的延伸方向（例如，第一方向D1）传播的杂波，而此种杂波会导致能量损失，进而导致谐振器/滤波器的性能降低；在本公开的实施例中，通过在多个叉指电极的末端部分和/或连接部上方设置包括第一杂波抑制子结构和第二杂波抑制子结构的杂波抑制结构能够产生声波传播阻抗变化的区域或界面，从而抑制或消除在第一方向D1上传播的杂波，且可将在第一方向D1上传播的杂波反射回谐振器内，从而减少或避免能量损失。在一些实施例中，杂波抑制结构的杂波抑制能力主要取决于其与多个叉指电极交叠的部分，因此，增加杂波抑制结构与多个叉指电极的交叠面积可提高其杂波抑制能力。此处，杂波抑制结构与多个叉指电极的交叠面积是指杂波抑制结构在压电基板上的正投影与多个叉指电极在压电基板上的正投影的交叠部分的面积。
例如，第一杂波抑制子结构106a包括彼此相连的第一主体部106a1和第一锯齿部106a2；第二杂波抑制子结构106b包括彼此相连的第二主体部106b1和第二锯齿部106b2。第一主体部106a1和第二主体部106b1可彼此大致平行的沿第二方向D2连续延伸，并各自延伸跨过多个第一叉指电极11和多个第二叉指电极12的末端部分。
在一些实施例中，第一叉指电极的第二末端部和第二叉指电极的第一末端部在压电基板上的正投影位于第一主体部在压电基板上的正投影内，且第一叉指电极的连接部的一部分与第一锯齿部在第三方向上交叠；第一叉指电极的第一末端部和第二叉指电极的第二末端部在压电基板上的正投影位于第二主体部在压电基板上的正投影内，且第二叉指电极的连接部的一部分与第二锯齿部在第三方向上交叠。
例如，第一主体部106a1在第三方向D3上与第一叉指电极11和第二叉指电极12的靠近第一周边区GR1的末端部分（即，第一叉指电极11的第二末端部11c和第二叉指电极12的第一末端部12b）交叠，且与相邻叉指电极的末端部分之间的间隙交叠。第二主体部106b1在第三方向D3上与第一叉指电极11和第二叉指电极12的靠近第二周边区GR2的末端部分（即，第一叉指电极11的第一末端部11b和第二叉指电极12的第二末端部12c）交叠，且与相邻叉指电极的末端部分之间的间隙交叠。
第一主体部106a1具有在第一方向D1上彼此相对的第一主体侧壁S1a和侧壁S1b，第一主体侧壁S1a靠近第一周边区GR1且面对第一叉指电极引出部21，且侧壁S1b远离第一周边区GR1而靠近中心区C。第二主体部106b1具有在第一方向上彼此相对的第二主体侧壁S2a和侧壁S2b，第二主体侧壁S2a靠近第二周边区GR2且面对第二叉指电极引出部22，侧壁S2b远离第二周边区GR2而靠近中心区C。
在一些实施例中，第一锯齿部106a2在第一方向D1上设置在第一主体部106a1的靠近第一周边区GR1的一侧，且与第一主体部106a1相连。例如，第一锯齿部106a2在第一方向D1上朝向第一叉指电极引出部21凸出于第一主体部106a1的第一主体侧壁S1。在一些实施例中，第一锯齿部106a2可在第一方向D1上延伸超出第二电极边缘12e；即，在第一方向D1上，第一锯齿部106a2与第一叉指电极引出部21之间的距离d1可小于第二电极边缘12e与第一叉指电极引出部21之间的距离。第一锯齿部106a2的至少部分可位于第一周边区GR1中。
第二锯齿部106b2在第一方向D1上设置在第二主体部106b1的靠近第二周边区GR2的一侧，且与第二主体部106b1相连。例如，第二锯齿部106b2在第一方向D1上朝向第二叉指电极引出部22凸出于第二主体部106b1的第二主体侧壁S2a。在一些实施例中，第二锯齿部106b2可在第一方向D1上延伸超出第一电极边缘11e；即，在第一方向D1上，第二锯齿部106b2与第二叉指电极引出部22之间的距离d2可小于第一电极边缘11e与第二叉指电极引出部22之间的距离。第二锯齿部106b2的至少部分可位于第二周边区GR2中。应理解，在各种实施例中，各锯齿部与相应的叉指电极引出部在第一方向上均间隔开一定距离，即，上述距离d1和距离d2均为非零距离。
在一些实施例中，第一锯齿部106a2的至少部分与第一叉指电极11（例如，其连接部11d）在第三方向D3上交叠，第二锯齿部106b2的至少部分与第二叉指电极（例如，其连接部12d）在第三方向D3上交叠。在一些实施例中，第一锯齿部106a2和第二锯齿部106b2可在第三方向D3上不与相邻叉指电极之间的间隙区域以及所述间隙区域在第一方向D1上的延长区域交叠；即，第一锯齿部106a2和第二锯齿部106b2在压电基板100上的正投影与相邻叉指电极之间的间隙区域以及该间隙区域在第一方向D1上的延长区域在压电基板100上的正投影偏置开。此处，相邻叉指电极之间的间隙区域是指在第二方向D2上位于多个第一叉指电极11和多个第二叉指电极12中相邻叉指电极之间的间隙区域，且所述间隙区域在第一方向D1上的延长区域是指所述间隙区域以相同宽度沿第一方向D1扩展而形成的区域。
参考图1B和图2B，在一些实施例中，每个锯齿部包括多个延伸部，多个延伸部可沿第二方向彼此间隔排列，且与相应的主体部相连。例如，第一锯齿部106a2包括多个第一延伸部A2，多个第一延伸部A2可沿第二方向D2彼此间隔排列，且可彼此大致平行的沿第一方向D1延伸。第二锯齿部106b2包括多个第二延伸部B2，多个第二延伸部B2可沿第二方向D2彼此间隔排列，且可彼此大致平行的沿第一方向D1延伸。
在一些实施例中，多个第一延伸部A2中相邻第一延伸部A2在第二方向D2上的间距s1可与多个第二延伸部B2中相邻第二延伸部B2在第二方向D2上的间距s1大致相同，且相邻第一延伸部A2之间的间距s1或相邻第二延伸部B2之间的间距s1可大于或大致等于相邻叉指电极在第二方向D2上的间距s2，但本公开并不以此为限。在本文中，在某一方向上两个构件之间的间距是指在所述方向上所述两个构件面对彼此的表面之间的距离。
在一些实施例中，多个延伸部可与多个叉指电极一一对应设置，即，每个杂波抑制子结构的锯齿结构在与每个叉指电极对应的位置处均设置有延伸部。此处，延伸部与叉指电极对应设置是指延伸部在压电基板上的正投影与叉指电极在压电基板上的正投影在第一方向上至少部分对齐，且包括延伸部的所述正投影和叉指电极的所述正投影的部分彼此交叠，或者延伸部的所述正投影和叉指电极的所述正投影不交叠但彼此邻接，或者延伸部的所述正投影和叉指电极的所述正投影不交叠也不邻接（即，偏置开），但在第一方向上至少部分对齐等情况。
在一些实施例中，在彼此交叠的延伸部和叉指电极中，所述延伸部在第二方向上的宽度可小于等于相应的叉指电极在第二方向上的宽度，且所述延伸部在压电基板上的正投影可位于相应叉指电极在压电基板上的正投影范围内。
参考图1B和图2B，在一些实施例中，多个第一延伸部A2至少包括第一延伸子部a21；例如，多个第一延伸子部a21可与多个第一叉指电极11一一对应设置，每个第一延伸子部a21与相应的第一叉指电极11（例如，其连接部11d和/或第二末端部11c）在第三方向D3上交叠。例如，第一延伸子部a21在压电基板100上的正投影可位于相应的第一叉指电极11在压电基板100上的正投影范围内。多个第二延伸部B2至少包括第二延伸子部b21；例如，多个第二延伸子部b21可与多个第二叉指电极12一一对应设置，且每个第二延伸子部b21与相应的第二叉指电极12（例如，其连接部12d和/或第二末端部12c）在第三方向D3上交叠。例如，每个第二延伸子部b21在压电基板100上的正投影可位于相应的第二叉指电极12在压电基板100上的正投影范围内。在一些实施例中，第一延伸子部a21在第一方向上延伸超出多个叉指电极的末端部分，且与第一叉指电极11的连接部11d的部分在第三方向D3上交叠，第二延伸子部b21在第一方向上延伸超出多个叉指电极的末端部分，且与第二叉指电极12的连接部12d的部分在第三方向D3上交叠。
在一些实施例中，在彼此交叠的第一延伸子部a21和第一叉指电极11中，第一延伸子部a21在第二方向D2上的宽度可大致等于第一叉指电极11在第二方向D2上的宽度。第一延伸子部a21在第二方向D2上的相对侧壁可分别与第一叉指电极11在第二方向D2上的相对侧壁的部分在第三方向D3上彼此对齐。在彼此交叠的第二延伸子部b21和第二叉指电极12中，第二延伸子部b21在第二方向D2上的宽度可大致等于第二叉指电极12在第二方向D2上的宽度。第二延伸子部b21在第二方向D2上的相对侧壁可分别与第二叉指电极12在第二方向上D2上的相对侧壁的部分在第三方向D3上彼此对齐。此处，延伸子部或叉指电极在第二方向上的相对侧壁是指其各自的沿第一方向D1延伸且在第二方向D2上彼此相对的两个侧壁。
在替代实施例中，在彼此交叠的第一延伸子部a21和第一叉指电极11中，第一延伸子部a21在第二方向D2上的宽度也可小于相应的第一叉指电极11在第二方向D2上的宽度。类似的，在彼此交叠的第二延伸子部b21和第二叉指电极12中，第二延伸子部b21在第二方向D2上的宽度也可小于第二叉指电极12在第二方向D2上的宽度。
在一些实施例中，在彼此交叠的延伸子部和叉指电极中，将延伸子部的宽度设置的小于等于相应叉指电极的宽度，且使得延伸子部在压电基板上的正投影位于相应叉指电极的正投影范围内，可使得延伸子部在具有一定面积（例如，相对较小面积）的情况下与叉指电极的交叠面积最大化，从而可在减小杂波抑制结构（例如，金属结构）的金属覆盖面积以减小欧姆损耗的同时最大程度的提高其抑制杂波的能力。
在一些实施例中，在第一锯齿部106a2和/或第二锯齿部106b2中，多个延伸部可还包括附加延伸子部。例如，多个第一延伸部还包括第一附加延伸子部，第一附加延伸子部在压电基板上的正投影与第二叉指电极在压电基板上的正投影在第一方向上至少部分对齐；多个第二延伸部还包括第二附加延伸子部，第二附加延伸子部在压电基板上的正投影与第一叉指电极在压电基板上的正投影在第一方向上至少部分对齐。
参考图1B和图2B，例如，附加延伸子部的至少部分可位于周边区中，且在垂直于压电基板主表面的方向上不与叉指电极交叠。例如，在第一锯齿部106a2中，多个第一延伸部A2还包括一或多个第一附加延伸子部a22，第一附加延伸子部a22在第二方向D2上位于第一延伸子部a21的一侧，并与第一延伸子部a21间隔开。例如，多个第一延伸子部a21和多个第一附加延伸子部a22在第二方向D2上交替排列。在一些实施例中，第一附加延伸子部a22可设置在与第二叉指电极12对应的位置处，且在第一方向D1上延伸超出第二电极边缘12e，第一附加延伸子部a22在压电基板上的正投影可与第二叉指电极12在压电基板上的正投影在第一方向D1上对齐，且第一附加延伸子部a22的所述正投影位于第二叉指电极12的所述正投影的靠近第一叉指电极引出部21的一侧。例如，第一附加延伸子部a22的所述正投影可与第二叉指电极12的第二电极边缘12e在压电基板上的正投影邻接但不交叠。
在一些实施例中，在第一锯齿部106a2中，多个第一延伸部A2包括多个第一延伸子部a21和多个第一附加延伸子部a22，多个第一延伸子部a21和多个第一附加延伸子部a22可沿第二方向D2交替排列，且彼此间隔开。
例如，在第二锯齿部106b2中，多个第二延伸部B2还包括一或多个第二附加延伸子部b22，第二附加延伸子部b22在第二方向D2上位于第二延伸子部b21的一侧，并与第二延伸子部b21间隔开。在一些实施例中，第二附加延伸子部b22可设置在与第一叉指电极11对应的位置处，且在第一方向D1上延伸超出第一电极边缘11e，第二附加延伸子部b22在压电基板上的正投影可与第一叉指电极11在压电基板上的正投影在第一方向D1上对齐，且第二附加延伸子部b22的所述正投影位于第一叉指电极11的所述正投影的靠近第二叉指电极引出部22的一侧。例如，第二附加延伸子部b22的所述正投影可与第一叉指电极11的第一电极边缘11e在压电基板上的正投影邻接但不交叠。
在一些实施例中，在第二锯齿部106b2中，多个第二延伸部B2包括多个第二延伸子部b21和多个第二附加延伸子部b22，多个第二延伸子部b21和多个第二附加延伸子部b22可沿第二方向D2交替排列，且彼此间隔开。在一些实施例中，对于第一杂波抑制子结构和第二杂波抑制子结构的与叉指换能器交叠的区域中，多个延伸部的宽度可分别与相应的多个叉指电极的宽度大致相同，且相邻延伸部之间的间距可大致等于相邻叉指电极之间的间距。
参考图1A和图1B以及图2A至图2C，在一些实施例中，杂波抑制结构的主体部的靠近周边区的主体侧壁在压电基板上的正投影可与相应电极边缘在压电基板上的正投影在第二方向D2上对齐。例如，第一主体部106a1的第一主体侧壁S1a在压电基板100上的正投影与第二电极边缘12e在压电基板100上的正投影在第二方向D2上彼此对齐；第二主体部106b1的第二主体侧壁S2a在压电基板100上的正投影与第一电极边缘11e在压电基板100上的正投影在第二方向D2上彼此对齐。换句话说，主体部和锯齿部之间的边界可与相应的电极边缘在垂直于压电基板主表面的第三方向上大致对齐。例如，第一主体部106a1和第一锯齿部106a2之间的边界可在第三方向D3上与第二电极边缘12e大致对齐；第二主体部106b1和第二锯齿部106b2之间的边界可在第三方向D3上与第一电极边缘11e大致对齐。然而，本公开并不以此为限。
在此实施例中，锯齿结构SP全部位于周边区GR中。例如，第一锯齿部106a2可全部位于第一周边区GR1中，其中第一延伸子部a21在压电基板上的正投影位于第一叉指电极11的连接部11d在压电基板上的正投影范围内，且整个第一附加延伸子部a22延伸超出第二电极边缘12e，而在第三方向上不与第二电极12交叠；第二锯齿部106b2可全部位于第二周边区GR2中，其中第二延伸子部b21在压电基板100上的正投影位于第二叉指电极12的连接部12d在压电基板上的正投影内，且整个第二附加延伸子部b22延伸超出第一电极边缘11e，而在第三方向上不与第一电极11交叠。
参考图1B，在一些实施例中，各周边区的周边宽度由相应的电极边缘与叉指电极引出部在第一方向上的距离界定。例如，第一周边区GR1具有第一周边宽度W1，所述第一周边宽度W1由第二电极边缘12e与第一叉指电极引出部21在第一方向D1上的距离界定，即大致等于在第一方向D1上第二电极边缘12e与第一叉指电极引出部21的面对第二电极边缘12e的表面之间的距离。第二周边区GR2具有第二周边宽度W2，且第二周边宽度W2由第一电极边缘11e与第二叉指电极引出部22在第一方向D1上的距离界定，即大致等于在第一方向D1上第一电极边缘11e与第二叉指电极引出部22的面对第一电极边缘11e的表面之间的距离。
在一些实施例中，如图1B所示，在第一方向D1上，第一主体部106a的第一主体侧壁S1a与第一叉指电极引出部21之间的距离与第一周边宽度W1大致相同；第二主体部106b的第二主体侧壁S2a与第二叉指电极引出部22之间的距离可与第二周边宽度W2大致相同。
在此实施例中，第一锯齿部106a2在第一方向D1上的宽度L1（即，第一延伸部A2在第一方向D1上的延伸长度）小于等于第一周边宽度W1的20%；第二锯齿部106b2在第一方向D1上的宽度L2（即，第二延伸部B2在第一方向D1上的延伸长度）小于等于第二周边宽度W2的20%。第一锯齿部106a2中多个第一延伸部A2的延伸长度可彼此大致相同或不同，且每个延伸部的延伸长度均在第一周边宽度W1的20%以内。第二锯齿部106b2中多个第二延伸部B2的延伸长度可彼此大致相同或不同，且每个延伸部的延伸长度均在第二周边宽度W2的20%以内。
在一些实施例中，第一周边宽度W1和第二周边宽度W2的范围可各自在波长的0.1至2倍以内。第一主体部106a1的宽度W3和第二主体部106b1的宽度W4可各自设置在波长的0.25至0.5倍以内。第一锯齿部106a2的宽度和第二锯齿部106b2的宽度可各自设置在波长的0.1至0.5倍以内。应理解，此处的宽度均是指在第一方向D1上的宽度，波长是指谐振器装置的工作波长，其等于声速与频率（即，谐振器装置的谐振频率）的比值。且波长=声速/频率。
在一些实施例中，如图1B和图2A所示，在杂波抑制结构中，主体部和锯齿部的在垂直于压电基板主表面的方向上的厚度可彼此大致相同。在一些实施例中，主体结构BP的归一化厚度范围可为约0.03至0.12，锯齿结构SP的归一化厚度范围可为约0.03至0.12。此处，归一化厚度=等效膜厚/波长。
在第一杂波抑制子结构和第二杂波抑制子结构的每一者中，主体部和锯齿部在第一方向上的宽度可彼此相同或不同。在一些实施例中，锯齿部在第一方向上的宽度可小于等于主体部在第一方向上的宽度；在另一些实施例中，锯齿部在第一方向上的宽度也可大于主体部在第一方向上的宽度。
参考图1A、图1B以及图2A至图2C，在一些实施例中，多个第一叉指电极11的第一末端部11b、第二末端部11c以及连接部11d的一部分以及多个第二叉指电极12的第一末端部12b、第二末端部12c以及连接部12d的一部分在压电基板100上的正投影可分别位于杂波抑制结构106的第一杂波抑制子结构和第二杂波抑制子结构在压电基板100上的正投影范围内。
在一些实施例中，第一叉指电极11的第二末端部11c和第二叉指电极12的第一末端部12b在压电基板上的正投影位于第一主体部106a1在压电基板上的正投影范围内。第一叉指电极11的连接部11d的一部分在压电基板100上的正投影与第一锯齿部106a2在压电基板上的正投影交叠，例如位于第一锯齿部106a2在压电基板上的正投影范围内。
在一些实施例中，第一叉指电极11的第一末端部11b和第二叉指电极12的第二末端部12c在压电基板上的正投影位于第二主体部106b1在压电基板上的正投影范围内。第二叉指电极12的连接部12d的一部分在压电基板100上的正投影与第二锯齿部106b2在压电基板上的正投影交叠，例如位于第二锯齿部106b2在压电基板上的正投影范围内。
参考图2A至图2C，在一些实施例中，声表面波谐振器装置500a还包括介电层102，所述介电层102设置在压电基板100上，且覆盖叉指换能器，例如可至少覆盖多个叉指电极的侧壁及其远离压电基板100一侧的表面，或者可还覆盖多个叉指电极引出部的侧壁及其远离压电基板100一侧的表面。在一些实施例中，杂波抑制结构106位于介电层102的远离压电基板100的一侧，即，介电层102的部分在垂直于压电基板主表面的第三方向D3上位于杂波抑制结构106和叉指电极之间，并将杂波抑制结构106和叉指电极间隔开。在一些实施例中，声表面波谐振器装置500a可还包括介电层108，介电层108设置于介电层102的远离压电基板100的一侧，且可覆盖杂波抑制结构106的侧壁及其远离压电基板一侧的表面。介电层102和介电层108可作为温度补偿层，且可包括氧化硅等温度补偿材料。介电层102和介电层108可共同构成温度补偿结构。在一些实施例中，也可省略介电层108，即，温度补偿结构可仅包括介电层102。
在一些实施例中，声表面波谐振器装置500a可还包括第一导电连接件31、第二导电连接件32和钝化层110。例如，第一导电连接件31延伸穿过介电层108和102，以与第一叉指电极引出部21电连接；第二导电连接件32延伸穿过介电层108和102，以与第二叉指电极引出部22电连接。
钝化层110可设置于温度补偿结构的远离压电基板的一侧，例如设置于介电层108的远离压电基板100的一侧，且覆盖第一导电连接件31和第二导电连接件32的部分表面。例如，钝化层110可覆盖第一导电连接件31和第二导电连接件32的侧壁及其远离压电基板的部分表面。钝化层110可具有多个开口，例如包括第一钝化开口110a和第二钝化开口110b，第一钝化开口110a和第二钝化开口110b分别暴露出第一导电连接件31和第二导电连接件32的远离压电基板100一侧的部分表面，以提供外部连接窗口。在一些实施例中，介电层108可省略，且钝化层110可形成在介电层102的远离压电基板100的一侧，并覆盖杂波抑制结构106，但本公开并不以此为限。
为便于理解，在截面图图2A至图2C中，示意性的示出了钝化开口在截面图中的结构，但图2A至图2C中钝化开口的位置与图1A中的钝化开口的位置可能没有完全对应。应理解，可根据产品设计和需求对钝化开口的位置进行适当调整和设置。
参考图1A，在一些实施例中，声表面波谐振器装置500a还包括反射栅102a和反射栅102b（可统称为反射栅102）。反射栅102可与叉指换能器101同层设置。即，反射栅102和叉指换能器102可通过同一图案化工艺形成自同一材料层，但本公开并不以此为限。
反射栅102a和反射栅102b在第二方向D2上设置在叉指换能器101的相对两侧，每个反射栅包括多个反射电极52以及汇流条53。例如，在每个反射栅中，多个反射电极52彼此大致平行的第一方向D1延伸，且沿第二方向D2间隔排列，汇流条53沿第二方向D2延伸，并与多个反射电极52连接。例如，两个汇流条53在第一方向D1上位于多个反射电极52的相对两侧，且可彼此大致平行，并各自与多个反射电极52电连接。反射栅102a中的反射电极52的数量可与反射栅102b中的反射电极52的数量相同或不同。应理解，图中所示的第一叉指电极的数量、第二叉指电极的数量以及反射栅中反射电极的数量仅为例示说明，且本公开并不以此为限。
在一些实施例中，杂波抑制结构106可还延伸至反射栅102所在的区域，且杂波抑制结构106可在垂直于压电基板100主表面的第三方向D3上还与反射栅102部分交叠，例如与多个反射电极52部分交叠。
例如，杂波抑制结构106具有附加区域AP，且杂波抑制结构106在附加区域AP与反射栅102在垂直于压电基板主表面的第三方向D3上彼此交叠。例如，第一杂波抑制子结构106a和第二杂波抑制子结构106b各自具有在第三方向上与叉指换能器交叠的中心区域以及与一或多个反射栅102交叠的附加区域AP。例如，在每个杂波抑制子结构中，两个附加区域AP在第二方向D2上设置在中心区域的相对两侧，并可与两个反射栅102一一对应设置。在杂波抑制子结构中，附加区域AP的结构与中心区域的结构类似，即，杂波抑制子结构在附加区域AP也设置有主体部和锯齿部。
例如，第一主体部106a1和第二主体部106b1各自在第二方向D2上从中心区域延伸至附加区域，且连续延伸跨过叉指换能器的多个叉指电极以及反射栅102的多个反射电极52。也就是说，第一主体部106a1和第二主体部106b1可各自在垂直于压电基板主表面的第三方向D3上与叉指换能器的多个叉指电极以及反射栅102的多个反射电极52交叠，且与相邻叉指电极之间的间隙区域、相邻反射电极之间的间隙区域以及相邻的叉指电极和反射电极之间的间隙区域交叠。
在一些实施例中，在各杂波抑制子结构的附加区域中，第一锯齿部106a2或第二锯齿部106b2中包括的多个延伸部与多个反射电极一一对应设置，且每个延伸部与相应的一个反射电极52在第三方向D3上交叠。例如，所述每个延伸部在压电基板上的正投影可位于相应反射电极在压电基板上的正投影内。
例如，在第一锯齿部106a2中，多个第一延伸部A2包括位于附加区域AP的多个附加延伸部a23。多个附加延伸部a23沿第二方向D2间隔排列，且可与多个反射电极52一一对应设置，且分别与多个反射电极52在垂直于压电基板主表面的第三方向D3上彼此交叠。多个附加延伸部a23的数量可与多个反射电极52的数量相同，但也可彼此不同。在第二锯齿部106b2中，多个第二延伸部B2包括位于附加区域AP的多个附加延伸部b23。多个附加延伸部b23可与多个反射电极52一一对应设置，且分别与多个反射电极52在垂直于压电基板主表面的第三方向D3上彼此交叠。多个附加延伸部b23的数量可与多个反射电极52的数量相同，但也可彼此不同。
在一些实施例中，在第一锯齿部106a2或第二锯齿部106b2中，附加延伸部在压电基板上的正投影可位于反射栅（例如，其反射电极）在压电基板上的正投影范围内。例如，在第二方向D2上，相邻附加延伸部之间的间距可与相邻反射电极52之间的间距大致相同，附加延伸部的宽度可与相应反射电极（即，与所述附加延伸部在第三方向上交叠的反射电极）的宽度大致相同。在第三方向上彼此交叠的反射电极和附加延伸部中，所述反射电极在第二方向D2上彼此相对的两个侧壁可分别与所述附加延伸部在第二方向D2上彼此相对的两个侧壁在第三方向上大致对齐。在替代实施例中，在第二方向D2上，相邻附加延伸部之间的间距也可大于相邻反射电极52之间的间距，且附加延伸部的宽度可小于相应反射电极的宽度。
在另一些实施例中，杂波抑制结构可仅设置在叉指换能器所在的区域中，而不延伸至反射栅所在的区域中。即，可省略杂波抑制结构的附加区域AP。
图3A示出根据本公开另一些实施例的声表面波谐振器装置500b的示意性俯视图，图3B示出图3A的区域D的示意性放大俯视图。声表面波谐振器装置500b与声表面波谐振器装置500a的结构类似，差异在于，在声表面波谐振器装置500b省略了锯齿部中的附加延伸子部。
参考图3A和图3B，在一些实施例中，在第一锯齿部106a2中，多个延伸部A2包括第一延伸子部a21，而可不包括图1A和图1B所示的第一附加延伸子部a22。在第二锯齿部106b2中，多个延伸部B2包括第二延伸子部b21，而可不包括图1A和图1B所示的第二附加延伸子部b22。
在此实施例中，多个第一延伸部A2中相邻两个延伸部之间的间距s1或多个第二延伸部B2中相邻两个延伸部之间的间距s1大于相邻叉指电极之间的间距s2。
在第一杂波抑制子结构106a中，第一主体部106a1的第一主体侧壁S1a可具有在第三方向D3上与第二电极边缘12e对齐的部分，第一锯齿部106a2的多个第一延伸部A2位于第一周边区GR1中，且可均与叉指电极和/或反射栅在第三方向上交叠。例如，第一锯齿部106a2在压电基板上的正投影可位于多个第一叉指电极和/或反射栅在压电基板上的正投影范围内。
在第二杂波抑制子结构106b中，第二主体部106b1的第二主体侧壁S2a可具有在第三方向D3上与第一电极边缘11e对齐的部分，第二锯齿部106b2的多个第二延伸部B2位于第二周边区GR2中，且可均与叉指电极和/或反射栅在第三方向上交叠。例如，多个第二延伸部B2在压电基板上的正投影可位于多个第二叉指电极和/或反射栅在压电基板上的正投影范围内。
在图1A至图3B所示的实施例中，主体部和锯齿部之间的边界与相应的电极边缘对齐，且主体部均位于末端区中，锯齿部均位于周边区中，但本公开并不以此为限。在替代实施例中，主体部和锯齿部之前的边界也可在第一方向上相对于相应的电极边缘偏移，使得主体部可位于末端区和周边区两者中，或者锯齿部可位于末端区和周边区两者中。以下结合图式对替代实施例的一些示例进行说明。
在一些示例中，锯齿结构还包括以下中的至少一者：第一锯齿部还包括与第二叉指电极在第三方向上交叠的部分；第二锯齿部还包括与第一叉指电极在第三方向上交叠的部分。
图4A示出根据本公开又一些实施例的声表面波谐振器装置500c的示意性俯视图；图4B示出图4A的区域D的示意性放大俯视图。
参考图4A和图4B，在一些实施例中，在第一杂波抑制子结构106a中，第一主体部106a1和第一锯齿部106a2之间的边界（或第一主体侧壁S1a）可在第一方向D1上相对于第二电极边缘12e远离第一周边区GR1而偏移；即，在第一方向D1上，第一主体侧壁S1a与第一叉指电极引出部21之间的距离g1大于第二电极边缘12e与第一叉指电极引出部21之间的距离（即，第一周边宽度W1）。在第二杂波抑制子结构106b中，第二主体部106b1和第二锯齿部106b2之间的边界（或第二主体侧壁S2a）可在第一方向D1上相对于第一电极边缘11e远离第二周边区GR2而偏移；即，在第一方向D1上，第二主体侧壁S2a与第二叉指电极引出部22之间的距离g2大于第一电极边缘11e与第二叉指电极引出部22之间的距离（即，第二周边宽度W2）。
在此实施例中，多个叉指电极的末端部分不仅与杂波抑制结构的主体部交叠，且还与部分锯齿部交叠。例如，在第三方向D3上，第一叉指电极11的第二末端部11c和第二叉指电极12的第一末端部12b与第一主体部106a1交叠，且还与第一锯齿部106a2交叠；第一叉指电极11的第一末端部11b和第二叉指电极12的第二末端部12c与第二主体部106b1交叠，且还与第二锯齿部106b2交叠。
第一锯齿部106a2和第二锯齿部106b2各自从末端区延伸至周边区中，即，各锯齿部的一部分位于末端区中，另一部分在第一方向上延伸超出相应的电极边缘并位于周边区中。在此示例中，第一锯齿部的第一附加延伸子部在压电基板上的正投影可与第二叉指电极在压电基板上的正投影部分交叠，第二锯齿部的第二附加延伸子部在压电基板上的正投影可与第一叉指电极在压电基板上的正投影部分交叠。
在第一锯齿部106a2的多个第一延伸部A2中，第一延伸子部a21的部分与第一叉指电极11的第二末端部在第三方向上交叠，且第一延伸子部a21的另一部分与第一叉指电极的连接部11d在第三方向上交叠；第一附加延伸子部a22的部分与第二叉指电极12的第一末端部12b在第三方向上交叠，且第一附加延伸子部a22的另一部分延伸超出第二电极边缘12e，从而在第三方向上不与叉指电极交叠。
在第二锯齿部106b2的多个第二延伸部B2中，第二延伸子部b21的部分与第二叉指电极12的第二末端部在第三方向上交叠，且第二延伸子部b21的另一部分与第二叉指电极的连接部12d在第三方向上交叠；第二附加延伸子部b22的部分与第一叉指电极11的第一末端部11b在第三方向上交叠，且第二附加延伸子部b22的另一部分延伸超出第一电极边缘11e，从而在第三方向上不与叉指电极交叠。在多个第一延伸部或多个第二延伸部中，延伸子部在第一方向上的宽度与附加延伸子部在第一方向上的宽度相同或不同。例如，延伸子部的所述宽度可大于等于附加延伸子部的所述宽度。
在一些替代实施例中，可将图4A和图4B中所示的第一附加延伸子部a22和第二附加延伸子部b22的延伸超出相应电极边缘的部分移除，从而使得附加延伸子部在压电基板上的正投影也位于相应叉指电极在压电基板上的正投影范围内。在此示例中，在各锯齿部中，延伸子部在第一方向上的宽度可大于附加延伸子部在第一方向上的宽度。
图5A示出根据本公开又另一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图，图5B示出图5A的区域D的示意性放大俯视图。
参考图5A和图5B，在一些实施例中，在第一杂波抑制子结构106a中，第一主体部106a1和第一锯齿部106a2之间的边界（或第一主体侧壁S1a）可在第一方向D1上相对于第二电极边缘12e朝向第一周边区GR1而偏移；即，在第一方向D1上，第一主体侧壁S1a与第一叉指电极引出部21之间的距离g1小于第二电极边缘12e与第一叉指电极引出部21之间的距离（即，第一周边宽度W1）。在第二杂波抑制子结构106b中，第二主体部106b1和第二锯齿部106b2之间的边界（或第二主体侧壁S2a）可在第一方向D1上相对于第一电极边缘11e朝向第二周边区GR2而偏移；即，在第一方向D1上，第二主体侧壁S2a与第二叉指电极引出部22之间的距离g2小于第一电极边缘11e与第二叉指电极引出部22之间的距离（即，第二周边宽度W2）。
在此实施例中，各杂波抑制子结构的主体部在第一方向上延伸超出相应的电极边缘，且在第三方向上与多个叉指电极的末端部分以及相应叉指电极的连接部的一部分交叠，且各锯齿部均位于周边区中。在第三方向上，多个叉指电极的末端部分与杂波抑制结构的主体结构交叠，且多个叉指电极的连接部可与杂波抑制结构的主体结构以及锯齿结构交叠。
例如，第一主体部106a1在第一方向D1上延伸超出第二电极边缘12e，多个叉指电极的位于第一末端区E1的末端部分在第三方向上与第一主体部106a1的部分交叠；多个第一叉指电极11的连接部11d的一部分在第三方向D3上与第一锯齿部106a2交叠，且与第一主体部106a1的部分交叠。
例如，第二主体部106b1在第一方向D1上延伸超出第一电极边缘11e，多个叉指电极的位于第二末端区E2的末端部分在第三方向上与第二主体部106b1的部分交叠；多个第二叉指电极12的连接部12d的一部分在第三方向D3上与第二锯齿部106b2交叠，且与第二主体部106b1的部分交叠。在此示例中，第一附加延伸子部a22在压电基板上的正投影与第二叉指电极12在压电基板上的正投影偏置开，第二附加延伸子部b22在压电基板上的正投影与第一叉指电极11在压电基板上的正投影偏置开。在替代实施例中，也可将此示例中各锯齿部的附加延伸子部（即，第一附加延伸子部a22和第二附加延伸子部b22）移除。
图6A示出根据本公开再一些实施例的声表面波谐振器装置的示意性俯视图，图6B示出图6A的区域D的示意性放大俯视图。
参考图6A和图6B，在一些实施例中，杂波抑制结构的主体结构和锯齿结构可均位于末端区中，而不会延伸至周边区中。第一叉指电极和第二叉指电极的末端部分在第三方向D3上与杂波抑制结构的主体结构和锯齿结构交叠。锯齿结构的每个延伸部可均与相应叉指电极或反射电极在第三方向上交叠，且每个延伸部在压电基板上的正投影可位于相应叉指电极或反射电极在压电基板上的正投影范围内。锯齿结构可具有在第三方向上与第一电极边缘或第二电极边缘对齐的侧壁。在各杂波抑制子结构中，主体部在第三方向上与多个叉指电极的末端部分的靠近中心区C的一部分交叠，锯齿部在第三方向上与多个叉指电极的末端部分的靠近周边区的一部分交叠。
例如，在第一杂波抑制子结构中，第一主体部106a1和第一锯齿部106a2均位于第一末端区E1中，每个第一叉指电极11的第二末端部11c、每个第二叉指电极12的第一末端部12b可均具有与第一主体部106a1交叠的一部分以及与第一锯齿部106a2交叠的一部分。第一锯齿部106a2可具有在第三方向D3上与第二电极边缘12e对齐的侧壁（例如，第一附加延伸子部a22的侧壁）。在此示例中，第一延伸子部a21在压电基板上的正投影位于第一叉指电极11在压电基板上的正投影范围内，且第一附加延伸子部a22在压电基板上的正投影位于第二叉指电极12在压电基板上的正投影范围内。
例如，在第二杂波抑制子结构中，第二主体部106b1和第二锯齿部106b2均位于第二末端区E2中，每个第一叉指电极11的第一末端部11b、每个第二叉指电极12的第二末端部12c可均具有与第二主体部106b1交叠的一部分以及与第二锯齿部106b2交叠的一部分。第二锯齿部106b2可具有与第一电极边缘11e在第三方向D3上对齐的侧壁（例如，第二附加延伸子部b22的侧壁）。在此示例中，第二延伸子部b21在压电基板上的正投影位于第二叉指电极12在压电基板上的正投影范围内，且第二附加延伸子部b22在压电基板上的正投影位于第一叉指电极11在压电基板上的正投影范围内。在此实施例中，第一叉指电极11的连接部11d和第二叉指电极12的连接部12d在第三方向D3上不与杂波抑制结构交叠；即，第一叉指电极11的连接部11d和第二叉指电极12的连接部12d在压电基板100上的正投影与杂波抑制结构106在压电基板100上的正投影偏置开。
图4A至图6A所示的实施例基于声表面波谐振器500a来示出杂波抑制结构在第一方向上偏移的各种示例，应理解，也可基于声表面波谐振器500b做类似的变化，使得其杂波抑制结构在第一方向上偏移，从而获得其他替代实施例。此外，在图4A至图6A等替代实施例中，将杂波抑制结构在第一方向上偏移之后，各杂波抑制子结构的主体部和锯齿部在第一方向D1上的宽度可根据产品设计和需要进行适当的调整，以符合产品需求并保证杂波抑制结构抑制杂波的能力。
在上述各种实施例中，第一杂波抑制子结构和第二杂波抑制子结构各自具有在第一方向上彼此相对的第一侧和第二侧，所述第一侧设置有所述锯齿结构且具有凹凸不平的表面，所述第二侧远离周边区且具有在第二方向上连续延伸的平坦表面。具体来说，第一杂波抑制子结构的第二侧的平坦表面可为第一主体部的侧壁S1b的表面，第二杂波抑制子结构的第二侧的平坦表面可为第二主体部的侧壁S2b的表面。
本公开实施例还提供一种滤波器，包括上述任一项所述的声表面波谐振器装置，且所述滤波器具有上文针对声表面波谐振器描述的相同技术效果。
本公开实施例提供一种声表面波谐振器装置的制造方法，所述声表面波谐振器装置具有主体区以及周边区，且所述周边区包括在第一方向上位于所述主体区相对两侧的第一周边区和第二周边区。参考图1A、图1B和图2A至图2C，在一些实施例中，所述制造方法包括：提供压电基板100、在所述压电基板100的一侧形成叉指换能器101以及在叉指换能器101的远离压电基板100的一侧形成杂波抑制结构106。
压电基板100可包括压电晶体、压电陶瓷等合适的压电材料。举例来说，压电基板100的材料可包括氮化铝（AlN）、经掺杂的氮化铝、氧化锌（ZnO）、锆钛酸铅（PZT）、铌酸锂（LiNbO3）、石英（Quartz）、铌酸钾（KNbO3）、钽酸锂（LiTaO3）、其类似物或其组合。在一些实施例中，压电基板100可为单层结构或多层结构，例如可为压电薄膜复合结构，例如是钽酸锂压电薄膜/二氧化硅/硅衬底的复合结构。在一些实施例中，压电基板100可为单晶压电基板。然而，本公开并不以此为限。
在一些实施例中，叉指换能器可包括金属材料，例如可包括Ti、Cr、Ag、Cu、Mo、Pt、W、Al等金属材料中的一或多者。可通过蒸镀等沉积工艺以及图案化工艺来形成叉指换能器。例如，形成叉指换能器包括在压电基板上沉积形成电极材料层，以及对所述电极材料层进行图案化工艺。电极材料层可为单层或多层结构，例如可为上述金属材料中的两者或两者以上的组合叠层。在一些实施例中，在压电基板100上形成有反射栅102，且反射栅102和叉指换能器101可由同一所述图案化工艺形成自所述电极材料层。叉指换能器101和反射栅102的具体结构可参考上文描述，于此不再赘述。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成杂波抑制结构106之前，在压电基板100上形成介电层102，以覆盖叉指换能器101和反射栅102的侧壁及其远离压电基板100一侧的表面。介电层102可包括氧化硅等介电材料，且可用作温度补偿层。在一些实施例中，所述制造方法可还包括：在形成介电层102之前，在压电基板100上形成保护层（未示出），保护层沿着叉指换能器和反射栅的表面延伸，并将叉指换能器和反射栅与后续形成的介电层102间隔开，保护层可保护叉指换能器和反射栅，避免其被氧化，例如避免叉指换能器和反射栅在形成介电层102的过程中被氧化。
在一些实施例中，在形成介电层102之后，在介电层102的远离压电基板100的一侧形成杂波抑制结构106。杂波抑制结构106可包括金属结构，且可包括金、钨、银、钛、铂、铝、铜、钼、其类似物、其合金或其组合等金属材料。金属结构包括作为第一杂波抑制子结构的第一金属子结构和作为第二杂波抑制子结构的第二金属子结构。所述金属结构可包括通过蒸镀等沉积工艺在介电层102的远离压电基板100的一侧形成金属材料层以及对所述金属材料层进行图案化工艺，以形成包括第一金属子结构和第二金属子结构的金属结构。
在本公开实施例中，杂波抑制结构106的各杂波抑制子结构包括主体部和锯齿部，主体部和锯齿部彼此相连且一体成型；其中将主体部设置成沿第二方向连续延伸跨过多个叉指电极，且锯齿部包括多个间隔排列的延伸部。如此一来，一方面主体部连续延伸且连接锯齿部可提高在制造工艺中形成杂波抑制结构的稳定性，另一方面设置锯齿部可在提高杂波抑制结构的杂波抑制能力的同时相对减小杂波抑制结构的整体金属覆盖面积，从而减小欧姆损耗，提升装置性能。
在一些实施例中，所述制造方法还包括：在形成杂波抑制结构106之后，在介电层102的远离压电基板的一侧形成介电层108；形成第一导电连接件31和第二导电连接件32，以分别连接至第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部；以及形成钝化层110，并移除钝化层110的一部分，以形成第一钝化开口和第二钝化开口。
图7A示出传统声表面波谐振器装置以及本公开实施例的具有包括主体部和锯齿部的杂波抑制结构的声表面波谐振器装置500a的导纳响应图，其中示出传统声表面波谐振器装置的导纳频率响应（admittance vs frequency response）曲线C1a（以实线示出）以及本公开实施例的声表面波谐振器装置500a的导纳频率响应曲线C1b（以虚线示出）。图7B示出传统声表面波谐振器装置以及本公开实施例的具有包括主体部和锯齿部的杂波抑制结构的声表面波谐振器装置500a的实部响应图，其中示出传统声表面波谐振器装置的实部频率响应曲线C2a（以实线示出）以及本公开实施例的声表面波谐振器装置500a的实部频率响应曲线C2b（以虚线示出）。
参照图7A和图7B，应理解，频率响应曲线的杂散尖峰越多代表谐振器的杂波越多，且频率响应曲线越平滑代表谐振器的杂波越少。对比传统声表面波谐振器装置的导纳频率响应曲线C1a和实部频率响应曲线C2a以及本公开实施例的声表面波谐振器装置500a的导纳频率响应曲线C1b和实部频率响应曲线C2b可知；在特定频率范围内，例如，在一些示例中，在1.796E9至1.864E9赫兹（Hz）的频率范围内，传统谐振器的导纳频率响应曲线C1a和实部频率响应曲线C2a均存在多个杂散尖峰，即存在多个杂散模态的杂波；而声表面波谐振器结构500a的导纳频率响应曲线C1b和实部频率响应曲线C2b均平滑且无明显杂散尖峰，这是由于通过设置本公开实施例的杂波抑制结构106，抑制了杂波的形成和/或传播，且通过上述结构设置提高了杂波抑制结构106的杂波抑制能力。如此一来，避免或减小了能量损失，从而提高了谐振器性能。
因此，在本公开实施例中，通过设置包括主体结构和锯齿结构的杂波抑制结构，可提高谐振器装置抑制杂波的能力；而且可提高杂波抑制结构的结构稳定性，并减小欧姆损耗，进而提高装置性能。此外，锯齿结构设置在主体结构的靠近周边区的一侧，可在一定程度上避免锯齿结构占用有效谐振区域，从而可有利于减小产品尺寸。
有以下几点需要说明：
（1）本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
（2）在不冲突的情况下，本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (32)

1.一种声表面波谐振器装置，具有主体区和周边区，其中所述周边区包括在第一方向上位于所述主体区相对两侧的第一周边区和第二周边区，且所述声表面波谐振器装置包括：
压电基板；
叉指换能器，设置于所述压电基板的一侧，且包括多个叉指电极、第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，所述多个叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；所述第一叉指电极和所述第二叉指电极沿所述第一方向延伸且沿与所述第一方向相交的第二方向交替排列；其中所述第一叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第一周边区以与所述第一叉指电极引出部连接，所述第二叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第二周边区以与所述第二叉指电极引出部连接；以及
杂波抑制结构，设置于所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧，且包括主体结构和锯齿结构，其中所述主体结构沿所述第二方向连续延伸，且在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上与所述多个叉指电极的靠近所述周边区的末端部分交叠，所述锯齿结构在所述第一方向上设置于所述主体结构的远离所述主体区的一侧，且所述锯齿结构的至少部分与所述多个叉指电极在所述第三方向上交叠。
2. 根据权利要求1所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一叉指电极具有在所述第一方向上远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘；所述第二叉指电极具有在所述第一方向上远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘；
其中所述锯齿结构在所述第一方向上延伸超出所述第一电极边缘和所述第二电极边缘中的至少一者，且所述锯齿结构的至少部分位于所述周边区中；或者
所述锯齿结构具有在所述第三方向上与所述第一电极边缘或所述第二电极边缘对齐的侧壁。
3. 根据权利要求1所述的声表面波谐振器装置，其中所述杂波抑制结构包括：
第一杂波抑制子结构，包括彼此相连的第一主体部和第一锯齿部，所述第一主体部与所述多个叉指电极的靠近所述第一周边区的末端部分在所述第三方向上交叠，所述第一锯齿部在所述第一方向上凸出于所述第一主体部的靠近所述第一周边区的第一主体侧壁；以及
第二杂波抑制子结构，包括彼此相连的第二主体部和第二锯齿部，所述第二主体部与所述多个叉指电极的靠近所述第二周边区的末端部分在所述第三方向上交叠，所述第二锯齿部在所述第一方向上凸出于所述第二主体部的靠近所述第二周边区的第二主体侧壁，所述第一主体部和所述第二主体部构成所述主体结构，所述第一锯齿部和所述第二锯齿部构成所述锯齿结构。
4. 根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一锯齿部的至少部分与所述第一叉指电极在所述第三方向上交叠；以及
所述第二锯齿部的至少部分与所述第二叉指电极在所述第三方向上交叠。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器装置，其中所述锯齿结构还包括以下中的至少一者：
所述第一锯齿部还包括与所述第二叉指电极在所述第三方向上交叠的部分；
所述第二锯齿部还包括与所述第一叉指电极在所述第三方向上交叠的部分。
6. 根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一锯齿部包括沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排列的多个第一延伸部；以及
所述第二锯齿部包括沿所述第一方向延伸且所述第二方向间隔排列的多个第二延伸部。
7. 根据权利要求6所述的声表面波谐振器装置，其中所述多个第一延伸部中相邻第一延伸部在所述第二方向上的间距或所述多个第二延伸部中相邻第二延伸部在所述第二方向上的间距大于或等于所述多个叉指电极中相邻叉指电极在所述第二方向上的间距。
8.根据权利要求6所述的声表面波谐振器装置，其中
所述多个第一延伸部至少包括第一延伸子部，所述第一延伸子部与所述第一叉指电极一一对应设置，且在所述第三方向上彼此交叠；
所述多个第二延伸部至少包括第二延伸子部，所述第二延伸子部与所述第二叉指电极一一对应设置，且在所述第三方向上彼此交叠。
9.根据权利要求8所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一延伸子部在所述压电基板上的正投影位于所述第一叉指电极在所述压电基板上的正投影范围内；
所述第二延伸子部在所述压电基板上的正投影位于所述第二叉指电极在所述压电基板上的正投影范围内。
10.根据权利要求9所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一延伸子部在所述第二方向上的宽度小于或等于所述第一叉指电极在所述第二方向上的宽度；
所述第二延伸子部在所述第二方向上的宽度小于或等于所述第二叉指电极在所述第二方向上的宽度。
11. 根据权利要求8所述的声表面波谐振器装置，其中
所述多个第一延伸部还包括第一附加延伸子部，所述第一附加延伸子部在所述压电基板上的正投影与所述第二叉指电极在所述压电基板上的正投影在所述第一方向上至少部分对齐；以及
所述多个第二延伸部还包括第二附加延伸子部，所述第二附加延伸子部在所述压电基板上的正投影与所述第一叉指电极在所述压电基板上的正投影在所述第一方向上至少部分对齐。
12.根据权利要求11所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一附加延伸子部的所述正投影与所述第二叉指电极的所述正投影邻接、偏置开或部分交叠，或者所述第一附加延伸子部的所述正投影位于所述第二叉指电极的所述正投影范围内；
所述第二附加延伸子部的所述正投影与所述第一叉指电极的所述正投影邻接、偏置开或部分交叠，或者所述第二附加延伸子部的所述正投影位于所述第一叉指电极的所述正投影范围内。
13. 根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一主体侧壁在所述压电基板上的正投影与所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘在所述压电基板上的正投影在所述第二方向上彼此对齐，或者所述第一主体侧壁在所述第一方向上相对于所述第二电极边缘朝向或远离所述第一周边区而偏移；以及
所述第二主体侧壁在所述压电基板上的正投影与所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘在所述压电基板上的正投影在所述第二方向上彼此对齐，或者所述第二主体侧壁在所述第一方向上相对于所述第一电极边缘朝向或远离所述第二周边区而偏移。
14.根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一主体侧壁的部分在所述第三方向上与所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘对齐；所述第二主体侧壁的部分在所述第三方向上与所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘对齐。
15.根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一杂波抑制子结构和所述第二杂波抑制子结构各自具有在所述第一方向上彼此相对的第一侧和第二侧，所述第一侧设置有所述锯齿结构且具有凹凸不平的表面，所述第二侧远离所述周边区且具有在所述第二方向上连续延伸的平坦表面。
16.根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一周边区具有第一周边宽度，所述第一周边宽度由所述第二叉指电极的远离所述第二叉指电极引出部的第二电极边缘与所述第一叉指电极引出部在所述第一方向上的距离界定，且在所述第一方向上所述第一主体侧壁与所述第一叉指电极引出部之间的距离与所述第一周边宽度相同；
所述第二周边区具有第二周边宽度，所述第二周边宽度由所述第一叉指电极的远离所述第一叉指电极引出部的第一电极边缘与所述第二叉指电极引出部在所述第一方向上的距离界定，且在所述第一方向上所述第二主体侧壁与所述第二叉指电极引出部之间的距离与所述第二周边宽度相同。
17.根据权利要求16所述的声表面波谐振器装置，其中
所述第一锯齿部在所述第一方向上的宽度小于等于所述第一周边宽度的20%；
所述第二锯齿部在所述第一方向上的宽度小于等于所述第二周边宽度的20%。
18.根据权利要求3所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一叉指电极和所述第二叉指电极各自包括中心部、第一末端部、第二末端部和连接部，在每个叉指电极中，所述第一末端部和所述第二末端部在所述第一方向上位于所述中心部的相对两侧，且所述连接部位于所述第二末端部的远离所述中心部的一侧，并与所述第一叉指电极引出部和所述第二叉指电极引出部中相应一者连接；所述第一叉指电极的连接部位于所述第一周边区，所述第二叉指电极的连接部位于所述第二周边区中；以及
所述第一叉指电极的第一末端部、第二末端部以及所述第二叉指电极的第一末端部、第二末端部在所述压电基板上的正投影位于所述杂波抑制结构在所述压电基板上的正投影范围内。
19. 根据权利要求18所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一叉指电极的连接部的一部分以及所述第二叉指电极的连接部的一部分在所述压电基板上的正投影也位于所述杂波抑制结构在所述压电基板上的正投影范围内。
20.根据权利要求18所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一叉指电极的所述第二末端部和所述第二叉指电极的所述第一末端部在所述压电基板上的正投影位于所述第一主体部在所述压电基板上的正投影内，且所述第一叉指电极的所述连接部的一部分与所述第一锯齿部在所述第三方向上交叠；以及
所述第一叉指电极的所述第一末端部和所述第二叉指电极的所述第二末端部在所述压电基板上的正投影位于所述第二主体部在所述压电基板上的正投影内，且所述第二叉指电极的所述连接部的一部分与所述第二锯齿部在所述第三方向上交叠。
21.根据权利要求18所述的声表面波谐振器装置，其中在所述第三方向上，所述第一叉指电极的所述第二末端部和所述第二叉指电极的所述第一末端部与所述第一主体部交叠，且与所述第一锯齿部交叠；或所述第一叉指电极的所述第一末端部和所述第二叉指电极的所述第二末端部与所述第二主体部交叠，且与所述第二锯齿部交叠。
22.根据权利要求18所述的声表面波谐振器装置，其中在所述第三方向上，所述第一叉指电极的所述连接部的一部分与所述第一锯齿部交叠，且与所述第一主体部交叠；或所述第二叉指电极的所述连接部的一部分与所述第二锯齿部交叠，且与所述第二主体部交叠。
23.根据权利要求18所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一叉指电极和所述第二叉指电极的末端部分在所述第三方向上与所述杂波抑制结构的所述主体结构和所述锯齿结构交叠，且所述第一叉指电极的连接部和所述第二叉指电极的连接部在所述压电基板上的正投影与所述杂波抑制结构在所述压电基板上的正投影偏置开。
24.根据权利要求3-23中任一项所述的声表面波谐振器装置，还包括：
反射栅，在所述第二方向上设置在所述叉指换能器的相对两侧，其中每个反射栅包括多个反射电极以及汇流条，所述多个反射电极沿所述第一方向延伸，且沿所述第二方向间隔排列，所述汇流条沿所述第二方向延伸，并与所述多个反射电极连接，
其中所述杂波抑制结构在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上还与所述反射栅部分交叠。
25.根据权利要求24所述的声表面波谐振器装置，其中所述第一杂波抑制子结构和所述第二杂波抑制子结构各自具有与所述反射栅交叠的附加区域，且在所述附加区域中，所述第一锯齿部或所述第二锯齿部中包括的每个延伸部与所述多个反射电极中的对应一者在所述第三方向上交叠。
26.根据权利要求25所述的声表面波谐振器装置，其中所述每个延伸部在所述压电基板上的正投影位于所述多个反射电极中的所述对应一者在所述压电基板上的正投影内。
27.根据权利要求1-23中任一项所述的声表面波谐振器装置，还包括：
温度补偿层，设置于所述压电基板上，并覆盖所述叉指换能器，其中所述杂波抑制结构位于所述温度补偿层的远离所述压电基板的一侧。
28.根据权利要求1-23中任一项所述的声表面波谐振器装置，其中所述杂波抑制结构包括金属结构。
29.根据权利要求28所述的声表面波谐振器装置，其中所述金属结构是电性浮置的。
30.一种滤波器，包括根据权利要求1-29中任一项所述的声表面波谐振器装置。
31.一种声表面波谐振器装置的制造方法，所述声表面波谐振器装置具有主体区和周边区，其中所述周边区包括在第一方向上位于所述主体区相对两侧的第一周边区和第二周边区，且所述制造方法包括：
提供压电基板；
在所述压电基板的一侧形成叉指换能器，其中所述叉指换能器包括多个叉指电极、第一叉指电极引出部和第二叉指电极引出部，所述多个叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极；所述第一叉指电极和所述第二叉指电极沿所述第一方向延伸且沿与所述第一方向相交的第二方向交替排列；其中所述第一叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第一周边区以与所述第一叉指电极引出部连接，所述第二叉指电极位于所述主体区中，且延伸跨过所述第二周边区以与所述第二叉指电极引出部连接；以及
在所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧形成杂波抑制结构，且所述杂波抑制结构包括主体结构和锯齿结构，其中所述主体结构沿所述第二方向连续延伸，且在垂直于所述压电基板的主表面的第三方向上与所述多个叉指电极的靠近所述周边区的末端部分交叠，所述锯齿结构在所述第一方向上设置于所述主体结构的远离所述主体区的一侧，且所述锯齿结构的至少部分与所述多个叉指电极在所述第三方向上交叠。
32.根据权利要求31所述的声表面波谐振器装置的制造方法，还包括：
在形成所述杂波抑制结构之前，在所述叉指换能器的远离所述压电基板的一侧形成温度补偿层，且所述杂波抑制结构形成在所述温度补偿层的远离所述压电基板的一侧。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080079512A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Tdk Corporation Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave resonator
US20090206954A1 (en) * 2005-01-21 2009-08-20 National University Corporation Chiba University Elastic surface wave device
US20130051588A1 (en) * 2010-01-25 2013-02-28 Epcos Ag Electroacoustic Transducer having Reduced Losses due to Transverse Emission and Improved Performance due to Suppression of Transverse Modes
US20200212876A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with transverse mode suppression
CN115149922A (zh) * 2022-09-01 2022-10-04 阿尔伯达(苏州)科技有限公司 一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构
CN115296642A (zh) * 2022-10-08 2022-11-04 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器
US20230163748A1 (en) * 2021-11-23 2023-05-25 Skyworks Solutions, Inc. Surface acoustic wave devices with raised frame structure
CN116846360A (zh) * 2023-06-14 2023-10-03 天通瑞宏科技有限公司 一种声表面波谐振器及滤波器
CN116865707A (zh) * 2023-08-23 2023-10-10 浙江星曜半导体有限公司 一种温补型声表面波谐振器及制作方法
CN116979926A (zh) * 2023-09-01 2023-10-31 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器
CN117097295A (zh) * 2023-10-17 2023-11-21 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器
CN117097296A (zh) * 2023-10-18 2023-11-21 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090206954A1 (en) * 2005-01-21 2009-08-20 National University Corporation Chiba University Elastic surface wave device
US20080079512A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Tdk Corporation Surface acoustic wave filter and surface acoustic wave resonator
US20130051588A1 (en) * 2010-01-25 2013-02-28 Epcos Ag Electroacoustic Transducer having Reduced Losses due to Transverse Emission and Improved Performance due to Suppression of Transverse Modes
US20200212876A1 (en) * 2018-12-28 2020-07-02 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with transverse mode suppression
US20230163748A1 (en) * 2021-11-23 2023-05-25 Skyworks Solutions, Inc. Surface acoustic wave devices with raised frame structure
CN115149922A (zh) * 2022-09-01 2022-10-04 阿尔伯达(苏州)科技有限公司 一种抑制声耦合滤波器横向寄生模的结构
CN115296642A (zh) * 2022-10-08 2022-11-04 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器结构及其形成方法、滤波器
CN116846360A (zh) * 2023-06-14 2023-10-03 天通瑞宏科技有限公司 一种声表面波谐振器及滤波器
CN116865707A (zh) * 2023-08-23 2023-10-10 浙江星曜半导体有限公司 一种温补型声表面波谐振器及制作方法
CN116979926A (zh) * 2023-09-01 2023-10-31 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器
CN117097295A (zh) * 2023-10-17 2023-11-21 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器
CN117097296A (zh) * 2023-10-18 2023-11-21 深圳新声半导体有限公司 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器

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