CN117423377A - 一种存储器性能的测试系统及测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种存储器性能的测试系统及测试方法，包括：测试温箱，被配置为调节测试的环境温度；至少一个测试板，位于所述测试温箱内，且被配置为其上通讯连接有待测存储器，以搭建对应的测试环境；以及处理器，通信连接于所述测试板，且被配置为获取所述环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。通过本发明提供的一种存储器性能的测试系统及测试方法，能够同时对不同型号的存储器的性能进行测试。

Description

一种存储器性能的测试系统及测试方法

技术领域

本发明涉及存储领域，特别涉及一种存储器性能的测试系统及测试方法。

背景技术

内嵌式存储器（Embedded Multi Media Card，eMMC）在电视机、机顶盒、平板电脑、手机等电子产品中被广泛应用。eMMC是由ARM CPU作为控制器再加上闪存块（NAND Flash）构成，其中ARM CPU会运行控制器软件，通常称为固件(Firmware)。主机的处理器（CPU）通过eMMC协议对eMMC内部存储颗粒上的数据进行读写。存储颗粒的性能稳定性是衡量产品的重要指标，存储颗粒的性能越好，则用户体验越好。

对于目前的内嵌式存储器而言，不同厂家的内嵌式存储器的类型可能是不同的。在对内嵌式存储器的性能进行测试时，效率较为低下。因此，存在待改进之处。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器性能的测试系统及测试方法，能够同时对不同型号的存储器的性能进行测试。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供了一种存储器性能的测试系统，包括：

测试温箱，被配置为调节测试的环境温度；

至少一个测试板，位于所述测试温箱内，且被配置为其上通讯连接有待测存储器，以搭建对应的测试环境；以及

处理器，通信连接于所述测试板，且被配置为获取所述环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。

在本发明一实施例中，所述主机数据包括随机写数据与顺序写数据，所述处理器还被配置为向所有的所述待测存储器随机写入所述随机写数据、顺序写入所述顺序写数据，从所有的所述待测存储器中随机读取随机读数据、顺序读取顺序读数据。

在本发明一实施例中，所述处理器还被配置为获取不同时间段内所述随机写数据、所述顺序写数据、所述随机读数据以及所述顺序读数据的数据量，并根据数据量与不同时间间隔的比值，以生成对应的所述待测存储器的随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值。

在本发明一实施例中，所述处理器还被配置为确定所述待测存储器的数据传输引脚处于低电平状态时，执行的动作为暂停读写操作，直至所述数据传输引脚处于高电平状态为止。

在本发明一实施例中，所述处理器还被配置为确定所述待测存储器的数据传输引脚处于高电平状态时，执行的动作为执行读写操作，直至数据读写完成为止。

在本发明一实施例中，所述处理器还被配置为在不同的环境温度下，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。

在本发明一实施例中，还包括主机端，被配置为获取来自所述处理器的所有的所述待测存储器的性能值，并显示。

在本发明一实施例中，所述待测存储器的数量小于或等于所述测试板的数量，所述测试板的数量小于或等于所述处理器的核心数量。

本发明还提供了一种存储器性能的测试方法，包括：

获取至少一个待测存储器，以搭建对应的测试环境；

获取当前的环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。

在本发明一实施例中，在所述获取当前的环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值的步骤之后，还包括：

对所述环境温度进行调节，以获取在不同的所述环境温度下所有的所述待测存储器的性能值；

将所有的所述待测存储器的性能值发送到主机端，并显示。

如上所述，本发明提供一种存储器性能的测试系统及测试方法，针对不同型号的存储器，能够同时对其读写性能进行测试，且测试效率较高。同时，在主机端的UI界面上，通过实时对存储器的读写性能值进行归纳显示，能够方便对存储器的读写性能进行直观显示。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中存储器性能的测试系统的示意图；

图2为第一待测存储器的读写性能图；

图3为第二待测存储器的读写性能图；

图4为本发明一实施例中存储器性能的测试方法的流程图；

图5为图4中步骤S10的流程图；

图6为图4中步骤S20的流程图；

图7为图6中步骤S22的部分流程图；

图8为图6中步骤S22的另一部分流程图；

图9为图4中步骤S30的流程图。

图中：100、电源模块；200、处理器；300、动态随机存取存储器；400、数据传输模块；500、存储芯片；600、测试板；700、测试温箱；800、第一待测存储器；900、第二待测存储器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本发明提供了一种存储器性能的测试系统，其可对不同的电子产品中的内嵌式存储器（eMMC）的性能进行测试。例如可以对应用于手机（Phone）、电视（TV）、机顶盒(OTT）、平板电脑(PAD）中的内嵌式存储器的性能进行测试。测试系统可以包括电源模块（PWR）100、处理器（CPU）200、动态随机存取存储器（DRAM）300、数据传输模块（USB）400、存储芯片（SD）500、测试板600、测试温箱（TMP Sensor）700以及主机端。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，电源模块100可用以向处理器200、动态随机存取存储器300、测试板600等进行供电。处理器200可以为中央处理器。处理器200可以通信连接于动态随机存取存储器300、数据传输模块400、存储芯片500、测试板600以及测试温箱700等。动态随机存取存储器300可以为内存，是与处理器200直接交换数据的内部存储器。处理器200可通过数据传输模块400与主机端通信连接，进而可将数据上传至主机端的UI界面，并进行显示。当需要对待测存储器进行测试时，可根据存储芯片500的类型在主机端的UI界面上选择对应的系统镜像文件（SOC Image），将系统镜像文件烧录到存储芯片500的存储颗粒中，以使存储芯片500能够运行相应的程序，进而完成待测存储器的性能测试。待测存储器可以与测试板600的通信接口（Socket）通信连接，处理器200可以通过测试板600与存储器通信连接，以完成存储器的性能测试。测试板600可被配置为放置于测试温箱700内，并分别与处理器200、待测存储器通信连接，以搭建对应的测试环境。通过测试温箱700对性能测试的环境温度进行调节，进而获取不同环境温度下的待测存储器的性能值。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，由于处理器200的核心数量可以为双核、四核、六核、八核等，对于不同的核心，其可运行不同的进程，不同进程之间能够互不干涉，因此，可以针对不同的核心，使处理器200与不同的测试板600通讯连接，进而能够同时对不同的测试板600上连接的待测存储器进行性能测试。对于不同的待测存储器而言，其生产厂家可能是不同的，导致其型号也可能并不一致。因此，需要将待测存储器连接到适配的测试板600上进行性能测试。其中，待测存储器的数量需要小于或等于测试板600的数量，测试板600的数量需要小于或等于处理器200的核心数量，每个测试板600上都可以通信连接一个待测存储器。例如，针对八核的处理器200，测试板600的数量可以为六个、八个等，待测存储器的数量可以为两个、四个等。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，以处理器200的核心数量为四个、测试板600的数量为四个、待测存储器的数量为四个为例进行说明。每个核心都可通过一个测试板600与对应的待测存储器进行连接，进而可对待测存储器进行测试。

例如，处理器200的四个核心可以被区分为Core0、Core1、Core2以及Core3，四个测试板600上的通信接口可以被区分为Socket1、Socket2、Socket3以及Socket4。Core0可以通过Socket1与第一个待测存储器通信连接，Core1可以通过Socket2与第二个待测存储器通信连接，Core2可以通过Socket3与第三个待测存储器通信连接，Core3可以通过Socket4与第四个待测存储器通信连接，通过设置四个进程，可以同时完成四个待测存储器的性能测试，测试效率能够得到提升。

请参阅图1，在本发明的一个实施例中，处理器200可被配置为获取环境温度与主机数据，对所有的待测存储器进行读写操作，以获取所有的待测存储器的性能值。其中，主机数据可以包括随机写数据与顺序写数据。处理器200还可被配置为向所有的待测存储器随机写入随机写数据、顺序写入顺序写数据，从所有的待测存储器中随机读取随机读数据、顺序读取顺序读数据，获取不同时间段内随机写数据、顺序写数据、随机读数据以及顺序读数据的数据量，并根据数据量与不同时间间隔的比值，以生成对应的待测存储器的随机写性能值（RW）、顺序写性能值（SW）、随机读性能值（RR）与顺序读性能值（SR）。处理器200在对被测存储器的性能进行测试时，需要关闭非必要进程，仅保留CPU读写eMMC文件数据操作的进程，进而提升测试效率。

在本发明的一个实施例中，具体地，处理器200在对被测存储器的性能进行测试时，需要分别测试待测存储器的随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值。因此，随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值的测试顺序可以不加限制。例如，可以依次对待测存储器的随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值进行测试，当测试完成随机写性能值后，可以对顺序写性能值进行测试。又例如，也可依次对待测存储器的顺序写性能值、随机写性能值随机读性能值与顺序读性能值进行测试。待测存储器的测试顺序可根据实际需求进行设定。

在本发明的一个实施例中，当对待测存储器的随机写性能值进行测试时，处理器200可将缓存于直接内存访问缓冲区（Direct Memory Access Buffer，DMA Buffer）内的随机写数据写入到待测存储器的存储颗粒中的随机写缓冲区。处理器200可以定时统计从直接内存访问缓冲区写入到存储颗粒中的随机写数据的数据量，进而处理器200可以按一定的时间间隔T1/T2/T3....../Tn等计算随机写性能值。其中，随机写性能值可以表示为：在一定的时间间隔内，向待测存储器的存储颗粒中的随机写缓冲区内写入的随机写数据的数据量与时间间隔的比值。随机写缓冲区在待测存储器的存储颗粒中是预先分配的，并且大小足够大以容纳需要写入的随机写数据。当随机写数据到来时，会被写入到随机写缓冲区中的适当位置。这个位置由随机写数据的键（或索引）决定，键与数据在随机写数据中的位置相对应。时间间隔的大小可不加限制，例如可以为50ms、100ms、200ms等。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的随机写性能值进行测试时，处理器200还可被配置为：确定待测存储器的数据传输引脚（DAT0）处于高电平状态而执行的动作为执行随机写操作，直至随机写数据写完成为止。具体地，在随机写数据的写入过程中，处理器200需要实时对待测存储器的数据传输引脚的状态进行监控，以确认是否需要继续向待测存储器内写入随机写数据。数据传输引脚的状态可以被区分为高电平状态与低电平状态。当数据传输引脚的状态为低电平状态时，表示待测存储器处于忙碌（busy）状态，暂时无法向其内部写入随机写数据，此时处理器200可控制直接内存访问缓冲区暂停发送随机写数据至待测存储器，直至数据传输引脚的状态由低电平状态转变为高电平状态时为止。当数据传输引脚的状态为高电平状态时，表示待测存储器处于空闲状态，此时直接内存访问缓冲区可以继续发送随机写数据至待测存储器，直至随机写数据写入完成。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的随机写性能值进行测试时，处理器200的直接内存访问缓冲区会同时向不同的测试板600发送随机写数据，进而可通过测试板600将随机写数据写入到不同的待测存储器中。针对不同的待测存储器，其随机写性能值可能是不同的。当获取到所有的待测存储器的随机写性能值后，可以表示为随机写性能值测试完成，需要进行下一步测试，例如可以进行待测存储器的随机读性能值测试。

在本发明的一个实施例中，当对待测存储器的随机读性能值进行测试时，处理器200可将写入到随机写缓冲区的主机数据读进随机读缓冲区。处理器200可以定时统计读进随机读缓冲区的随机读数据的数据量，进而处理器200可以按一定的时间间隔T1/T2/T3....../Tn等计算随机读性能值。其中，随机读性能值可以表示为：在一定的时间间隔内，向随机读缓冲区内读进的随机读数据的数据量与时间间隔的比值。随机读缓冲区在待测存储器的存储颗粒中是预先分配的，并且大小足够大以容纳需要读进的随机读数据。当随机读数据到来时，会被读进到随机读缓冲区中的适当位置。这个位置由随机读数据的键（或索引）决定，键与数据在随机读数据中的位置相对应。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的随机读性能值进行测试时，处理器200还可被配置为：确定待测存储器的数据传输引脚处于高电平状态而执行的动作为执行随机读操作，直至随机读数据读进完成为止。具体地，在随机读数据的读进过程中，处理器200需要实时对待测存储器的数据传输引脚的状态进行监控，以确认是否需要继续读进随机读数据。数据传输引脚的状态可以被区分为高电平状态与低电平状态。当数据传输引脚的状态为低电平状态时，表示待测存储器处于忙碌状态，暂时无法向其内部读进随机读数据，此时处理器200可暂停读进随机读数据至待测存储器的随机读缓冲区，直至数据传输引脚的状态由低电平状态转变为高电平状态时为止。当数据传输引脚的状态为高电平状态时，表示待测存储器处于空闲状态，此时可以继续向随机读缓冲区内读进随机读数据，直至随机读数据读进完成。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的随机读性能值进行测试时，处理器200会同时通过不同的测试板600向不同的待测存储器的随机读缓冲区内读进随机读数据。针对不同的待测存储器，其随机读性能值可能是不同的。当获取到所有的待测存储器的随机读性能值后，可以表示为随机读性能值测试完成，需要进行下一步测试，例如可以进行待测存储器的顺序写性能值测试。

在本发明的一个实施例中，当对待测存储器的顺序写性能值进行测试时，处理器200可将缓存于直接内存访问缓冲区（Direct Memory Access Buffer，DMA Buffer）内的顺序写数据写入到待测存储器的存储颗粒中的顺序写缓冲区。处理器200可以定时统计从直接内存访问缓冲区写入到存储颗粒中的顺序写数据的数据量，进而处理器200可以按一定的时间间隔T1/T2/T3....../Tn等计算顺序写性能值。其中，顺序写性能值可以表示为：在一定的时间间隔内，向待测存储器的存储颗粒中的顺序写缓冲区内写入的顺序写数据的数据量与时间间隔的比值。顺序写缓冲区在待测存储器的存储颗粒中是预先分配的，并且大小足够大以容纳需要写入的顺序写数据。当顺序写数据到来时，会被写入到顺序写缓冲区中的适当位置。这个位置由顺序写数据的键（或索引）决定，键与数据在顺序写数据中的位置相对应。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的顺序写性能值进行测试时，处理器200还可被配置为：确定待测存储器的数据传输引脚处于高电平状态而执行的动作为执行顺序写操作，直至顺序写数据写完成为止。具体地，在顺序写数据的写入过程中，处理器200需要实时对待测存储器的数据传输引脚的状态进行监控，以确认是否需要继续向待测存储器内写入顺序写数据。数据传输引脚的状态可以被区分为高电平状态与低电平状态。当数据传输引脚的状态为低电平状态时，表示待测存储器处于忙碌状态，暂时无法向其内部写入顺序写数据，此时处理器200可控制直接内存访问缓冲区暂停发送顺序写数据至待测存储器，直至数据传输引脚的状态由低电平状态转变为高电平状态时为止。当数据传输引脚的状态为高电平状态时，表示待测存储器处于空闲状态，此时直接内存访问缓冲区可以继续发送顺序写数据至待测存储器，直至顺序写数据写入完成。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的顺序写性能值进行测试时，处理器200的直接内存访问缓冲区会同时向不同的测试板600发送顺序写数据，进而可通过测试板600将顺序写数据写入到不同的待测存储器中。针对不同的待测存储器，其顺序写性能值可能是不同的。当获取到所有的待测存储器的顺序写性能值后，可以表示为顺序写性能值测试完成，需要进行下一步测试，例如可以进行待测存储器的顺序读性能值测试。

在本发明的一个实施例中，当对待测存储器的顺序读性能值进行测试时，处理器200可将写入到顺序写缓冲区的主机数据读进顺序读缓冲区。处理器200可以定时统计读进顺序读缓冲区的顺序读数据的数据量，进而处理器200可以按一定的时间间隔T1/T2/T3....../Tn等计算顺序读性能值。其中，顺序读性能值可以表示为：在一定的时间间隔内，向顺序读缓冲区内读进的顺序读数据的数据量与时间间隔的比值。顺序读缓冲区在待测存储器的存储颗粒中是预先分配的，并且大小足够大以容纳需要读进的顺序读数据。当顺序读数据到来时，会被读进到顺序读缓冲区中的适当位置。这个位置由顺序读数据的键（或索引）决定，键与数据在顺序读数据中的位置相对应。

在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的顺序读性能值进行测试时，处理器200还可被配置为：确定待测存储器的数据传输引脚处于高电平状态而执行的动作为执行顺序读操作，直至顺序读数据读进完成为止。具体地，在顺序读数据的读进过程中，处理器200需要实时对待测存储器的数据传输引脚的状态进行监控，以确认是否需要继续读进顺序读数据。数据传输引脚的状态可以被区分为高电平状态与低电平状态。当数据传输引脚的状态为低电平状态时，表示待测存储器处于忙碌状态，暂时无法向其内部读进顺序读数据，此时处理器200可暂停读进顺序读数据至待测存储器的顺序读缓冲区，直至数据传输引脚的状态由低电平状态转变为高电平状态时为止。当数据传输引脚的状态为高电平状态时，表示待测存储器处于空闲状态，此时可以继续向顺序读缓冲区内读进顺序读数据，直至顺序读数据读进完成。

请参阅图2及图3，在本发明的一个实施例中，在对待测存储器的顺序读性能值进行测试时，处理器200会同时通过不同的测试板600向不同的待测存储器的顺序读缓冲区内读进顺序读数据。针对不同的待测存储器，其顺序读性能值可能是不同的。当获取到所有的待测存储器的顺序读性能值后，可以表示为顺序读性能值测试完成。此时，可以表示为在某一环境温度下，所有的待测存储器的随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值已测试完成。例如，针对第一待测存储器（eMMC Vendor1）800与第二待测存储器（eMMC Vendor2）900，其读写性能值可如表1所示。

表1：待测存储器的读写性能值。

在本发明的一个实施例中，测试温箱700可以被配置为调节测试的环境温度，以搭建对应的测试环境。其中，测试环境可以表示为调节测试温箱700内的环境温度，通过搭建测试环境完成对待测存储器的测试。具体地，测试温箱700可被配置为根据预设条件，调节测试的环境温度。例如，处理器200或主机端可以通讯连接于测试温箱700，可通过处理器200或主机端控制测试温箱700进行工作，以调节测试的环境温度。

在本发明的一个实施例中，当需要测试温箱700内环境温度进行调节时，可通过处理器200或主机端预先获取测试温箱700内的可调温度范围。处理器200或主机端可按照预设条件对可调温度范围进行划分，以获取不同的环境温度。预设条件可以为每间隔一个固定温度为一个档位。在其他实施例中，也可直接通过测试温箱700调节其内部的环境温度，测试温箱700上也可直接预设不同的档位，以将可调温度范围划分为连续的环境温度。

在本发明的一个实施例中，以测试温箱700的可调温度范围可以为-40℃~105℃，预设条件可以为每间隔5℃为一个档位为例进行说明。将可调温度范围划分为多个档位。例如，可以划分为-40℃、-35℃、-30℃、-25℃、-20℃、......、95℃、100℃、105℃等多个档位。当然，预设条件也可以为每间隔其他固定数值的温度为一个档位。

在本发明的一个实施例中，处理器200可在不同的环境温度下，分别对所有的待测存储器的性能进行测试，进而可获取不同温度下的所有的待测存储器的性能值。主机端可被配置为获取来自处理器200的所有的待测存储器的性能值，并显示。在主机端的UI界面上，可以实时对生成的待测存储器的读写性能值表进行显示。对于不同的环境温度而言，其可能会生成不同的待测存储器的读写性能值表。因此，可以针对不同的环境温度，对不同的待测存储器的读写性能值表分别进行显示，以便于后期对数据进行追溯查询等。

可见，在上述方案中，针对不同型号的存储器，能够同时对其读写性能进行测试，且测试效率较高。同时，在主机端的UI界面上，通过实时对存储器的读写性能值进行归纳显示，能够方便对存储器的读写性能进行直观显示。

请参阅图4，本发明还提供了一种存储器性能的测试方法，该测试方法可以应用于上述测试系统中，以对不同的待测存储器的读写性能进行测试。该测试方法与上述实施例中测试系统一一对应，测试方法可以包括如下步骤：

步骤S10、获取至少一个待测存储器，以搭建对应的测试环境；

步骤S20、获取当前的环境温度与主机数据，对所有的待测存储器进行读写操作，以获取所有的待测存储器的性能值；

步骤S30、对环境温度进行调节，以获取在不同的环境温度下所有的待测存储器的性能值；

步骤S40、将所有的待测存储器的性能值发送到主机端上，并显示。

请参阅图5，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S10时，具体地，步骤S10可包括如下步骤：

步骤S11、获取至少一个待测存储器，将待测存储器连接到对应的测试板上；

步骤S12、对测试板进行供电，根据存储芯片的类型选择对应的系统镜像文件烧录至存储芯片中；

步骤S13、将测试板放置于测试温箱内，以搭建对应的测试环境。

请参阅图6，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S20时，具体地，步骤S20可包括如下步骤：

步骤S21、获取当前测试的环境温度与主机数据，其中，主机数据包括随机写数据、顺序写数据；

步骤S22、向所有的待测存储器随机写入随机写数据、顺序写入顺序写数据，从所有的待测存储器中随机读取随机读数据、顺序读取顺序读数据，并获取不同时间段内随机写数据、顺序写数据、随机读数据以及顺序读数据的数据量；

步骤S23、根据所有的待测存储器的随机写数据、顺序写数据、随机读数据以及顺序读数据的数据量与不同时间间隔的比值，表示为性能值，以生成对应的待测存储器的随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值。

请参阅图7及图8，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S22时，具体地，步骤S22可包括如下步骤：

步骤S221、向所有的待测存储器随机写入随机写数据，判断待测存储器的数据传输引脚是否处于高电平状态；

步骤S222、若处于低电平状态，暂停向待测存储器写入随机写数据，直至数据传输引脚恢复高电平状态为止；

步骤S223、若处于高电平状态，继续向待测存储器写入随机写数据，直至随机写数据写入完成，获取不同时间间隔内向待测存储器写入的随机写数据的数据量；

步骤S224、从所有的待测存储器中随机读取随机读数据，判断待测存储器的数据传输引脚是否处于高电平状态；

步骤S225、若处于低电平状态，暂停从待测存储器中读取随机读数据，直至数据传输引脚恢复高电平状态为止；

步骤S226、若处于高电平状态，继续从待测存储器中读取随机读数据，直至随机读数据读取完成，获取不同时间间隔内从待测存储器中读取的随机读数据的数据量；

步骤S227、向所有的待测存储器顺序写入顺序写数据，判断待测存储器的数据传输引脚是否处于高电平状态；

步骤S228、若处于低电平状态，暂停向待测存储器写入顺序写数据，直至数据传输引脚恢复高电平状态为止；

步骤S229、若处于高电平状态，继续向待测存储器写入顺序写数据，直至顺序写数据写入完成，获取不同时间间隔内向待测存储器写入的顺序写数据的数据量；

步骤S230、从所有的待测存储器中顺序读取顺序读数据，判断待测存储器的数据传输引脚是否处于高电平状态；

步骤S231、若处于低电平状态，暂停从待测存储器中读取随机读数据，直至数据传输引脚恢复高电平状态为止；

步骤S232、若处于高电平状态，继续从待测存储器中读取随机读数据，直至随机读数据读取完成，获取不同时间间隔内从待测存储器中读取的随机读数据的数据量。

请参阅图9，在本发明的一个实施例中，当执行步骤S30时，具体地，步骤S30可包括如下步骤：

步骤S31、获取测试温箱的温度调节范围；

步骤S32、根据预设条件，以将温度调节范围划分为多个不同的环境温度；

步骤S33、在不同的环境温度下，启动测试板，以对所有的待测存储器进行性能测试，并生成不同的环境温度下所有的待测存储器的性能值。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种存储器性能的测试系统，其特征在于，包括：

测试温箱，被配置为调节测试的环境温度；

至少一个测试板，位于所述测试温箱内，且被配置为其上通讯连接有待测存储器，以搭建对应的测试环境；以及

处理器，通信连接于所述测试板，且被配置为获取所述环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。

2.根据权利要求1所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，所述主机数据包括随机写数据与顺序写数据，所述处理器还被配置为向所有的所述待测存储器随机写入所述随机写数据、顺序写入所述顺序写数据，从所有的所述待测存储器中随机读取随机读数据、顺序读取顺序读数据。

3.根据权利要求2所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，所述处理器还被配置为获取不同时间段内所述随机写数据、所述顺序写数据、所述随机读数据以及所述顺序读数据的数据量，并根据数据量与不同时间间隔的比值，以生成对应的所述待测存储器的随机写性能值、顺序写性能值、随机读性能值与顺序读性能值。

4.根据权利要求2所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，所述处理器还被配置为确定所述待测存储器的数据传输引脚处于低电平状态时，执行的动作为暂停读写操作，直至所述数据传输引脚处于高电平状态为止。

5.根据权利要求4所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，所述处理器还被配置为确定所述待测存储器的数据传输引脚处于高电平状态时，执行的动作为执行读写操作，直至数据读写完成为止。

6.根据权利要求1所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，所述处理器还被配置为在不同的环境温度下，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。

7.根据权利要求6所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，还包括主机端，被配置为获取来自所述处理器的所有的所述待测存储器的性能值，并显示。

8.根据权利要求1所述的存储器性能的测试系统，其特征在于，所述待测存储器的数量小于或等于所述测试板的数量，所述测试板的数量小于或等于所述处理器的核心数量。

9.一种存储器性能的测试方法，其特征在于，包括：

获取至少一个待测存储器，以搭建对应的测试环境；

获取当前的环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值。

10.根据权利要求9所述的存储器性能的测试方法，其特征在于，在所述获取当前的环境温度与主机数据，对所有的所述待测存储器进行读写操作，以获取所有的所述待测存储器的性能值的步骤之后，还包括：

对所述环境温度进行调节，以获取在不同的所述环境温度下所有的所述待测存储器的性能值；

将所有的所述待测存储器的性能值发送到主机端，并显示。