CN117412651A - 发光二极管及显示装置 - Google Patents

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CN117412651A CN202210785249.2A CN202210785249A CN117412651A CN 117412651 A CN117412651 A CN 117412651A CN 202210785249 A CN202210785249 A CN 202210785249A CN 117412651 A CN117412651 A CN 117412651A
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袁密
芦子哲
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Abstract

本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料、受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。所述受阻酚类抗氧化剂中具有活泼的氢原子，在空穴传输材料老化产生自由基时，活泼的氢原子可以与所述自由基结合，形成氢过氧化物和稳定的苯氧基自由基，而硫代酯类抗氧化剂可以将氢过氧化物分解转化成非活性的稳定产物，在受阻酚类抗氧化剂与硫代酯类抗氧化剂的协同作用下，可以有效地减弱从发光层传递来的漏电子与空穴传输层积累的空穴结合所产生的激子对空穴传输材料的降解作用，减缓空穴传输材料的老化，提升发光二极管的寿命。另，本申请还公开了一种包括所述发光二极管的显示装置。

Description

发光二极管及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。
背景技术
目前广泛使用的发光二极管为有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)。OLED由于具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示技术领域中的主流技术。QLED具有出射光颜色饱和以及波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED的有力竞争着。
传统的OLED和QLED器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，发光二极管的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
现有的发光二极管中，存在电子传输层的电子迁移率要远大于空穴传输层的空穴迁移率的现象，导致注入到发光层的电子数量大于空穴的数量，而发光层中多余的电子会迁移到空穴传输层中，从而导致漏电流的产生。然而，现有的发光二极管的空穴传输层一般采用有机物比如TFB等，这类材料的吸电子性较差，容易老化，导致发光二极管的寿命较短。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种发光二极管，旨在改善现有的发光二极管寿命短的问题。
本申请实施例是这样实现的，一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料由所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂组成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料与所述抗氧化剂的质量比为(5～10)：1；和/或
所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的质量比为1：(0.1～1)。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述受阻酚类抗氧化剂选自酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂选自二[3-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-5-甲基苯丙酸]三聚乙二醇、2,6-二叔丁基对甲酚、2,4,6-三叔丁基苯酚、(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸异辛醇酯、N,N'-(己烷-1,6-二基)双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酰胺]、四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯及β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八醇酯中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述硫代酯类抗氧化剂选自二[3,5-二-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-]苯丙酸硫杂二甘醇酯、3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3-硫代双丙酸二(十四烷醇)酯及硫代二丙酸双十二烷酯中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光二极管还包括位于所述空穴传输层与所述发光层之间的界面层，所述界面层的材料包括金属螯合剂。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面层的厚度为1～3nm；和/或
所述界面层为金属螯合剂单分子层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种；或者
所述阳极及所述阴极分别独立选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，其中，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS，所述金属单质电极的材料选自Ag、Al、Au、Pt、Ca及Ba中的至少一种，所述合金电极为MgAg合金电极；或者
所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料及壳的材料分别独立选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InXs、InAs、InAsP、GxP、GxXs、GxSb、XlN、XlP、InXsP、InNP、InNSb、GxXlNP、InXlNP、CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。
相应的，本申请实施例还提供另一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、界面层、发光层及阴极，所述界面层的材料包括金属螯合剂。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面层的材料由所述金属螯合剂组成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面层的厚度为1～3nm；和/或
所述界面层为金属螯合剂单分子层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料，所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种；或者
所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂，所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种。
相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光二极管。
本申请的发光二极管的空穴传输层中包括所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂，所述受阻酚类抗氧化剂中具有活泼的氢原子，在所述空穴传输材料老化产生自由基时，所述活泼的氢原子可以与空穴传输材料中的大分子链因老化所产生的自由基结合，形成氢过氧化物和稳定的苯氧基自由基，而所述硫代酯类抗氧化剂可以将所述氢过氧化物分解转化成非活性的稳定产物，例如醇、酚或酮等，如此，在所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的协同作用下，可以有效地减弱从发光层传递来的漏电子与空穴传输层积累的空穴结合所产生的激子对空穴传输材料的降解作用，减缓空穴传输材料的老化，进而提升发光二极管的寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本申请实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的又一种发光二极管的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的再一种发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。
在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。
本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
请参阅图1，本申请实施例提供一种发光二极管100，包括依次层叠的阳极10、空穴传输层20、发光层30及阴极40。所述空穴传输层20的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。
在一些实施例中，所述空穴传输层20的材料由所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂组成。
在一些实施例中，所述空穴传输层20中，所述空穴传输材料与所述抗氧化剂的质量比为(5～10)：1。在所述比例范围内，既可以使所述空穴传输层20具有较高的空穴传输性能，又可以有效地减缓所述空穴传输层20中的空穴传输材料的老化。
在一些实施例中，所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的质量比为1：(0.1～1)。在所述比例范围内既可以使所述空穴传输层20具有较高的空穴传输性能，又可以有效地减缓所述空穴传输层20中的空穴传输材料的老化。
所述空穴传输材料为空穴迁移率＞1×10-6cm2/(v·s)的材料。在一些实施例中，所述空穴传输材料可以选自但不限于聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-omeTAD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(NPB)、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(CBP)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)](TFB)、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、聚三苯胺(Poly-TPD)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及1,3-二咔唑-9-基苯(mCP)中的至少一种。所述空穴传输材料主要用于对空穴载流子进行传输。
所述受阻酚类抗氧化剂中具有活泼的氢原子，在所述空穴传输材料老化产生自由基时，所述活泼的氢原子可以与空穴传输材料中的大分子链因老化所产生的自由基结合，形成氢过氧化物(ROOH)和稳定的苯氧基自由基，而所述硫代酯类抗氧化剂可以将所述氢过氧化物分解转化成非活性的稳定产物，例如醇、酚或酮等，如此，在所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的协同作用下，可以有效地减弱从发光层30传递来的漏电子与空穴传输层20积累的空穴结合所产生的激子对空穴传输材料的降解作用，减缓空穴传输材料的老化，进而提升发光二极管100的寿命。
所述受阻酚类抗氧化剂可以为酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂。所述斥电子基可以为但不限于甲基及叔丁基中的至少一种，具有所述斥电子基的受阻酚类抗氧化剂具有较低的空间位阻而具有较多的活泼的氢原子，而具有较高的抗氧化能力。
在至少一些实施例中，所述受阻酚类抗氧化剂中的酚羟基的一个邻位为甲基或叔丁基，另一个邻位为叔丁基，通过具有较大体积堆电子的叔丁基对酚羟基的立体保护作用，使所述受阻酚类抗氧化剂具有较高的抗氧化能力。
在一些实施例中，所述酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂可以选自但不限于二[3-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-5-甲基苯丙酸]三聚乙二醇、2,6-二叔丁基对甲酚、2,4,6-三叔丁基苯酚、(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸异辛醇酯、N,N'-(己烷-1,6-二基)双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酰胺]、四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯、及β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八醇酯中的至少一种。
所述硫代酯类抗氧化剂可以选自但不限于二[3,5-二-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-]苯丙酸硫杂二甘醇酯、3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3-硫代双丙酸二(十四烷醇)酯、及硫代二丙酸双十二烷酯中的至少一种。
在一些实施例中，所述空穴传输层20的厚度为10～50nm。
可以理解，所述空穴传输层20中还可以包含本领域已知用于添加在空穴传输层中的材料，例如界面修饰材料等。
所述界面修饰材料可以选自但不限于PEI(聚乙烯亚胺)、PEIE(聚乙氧基乙烯亚胺)、PFN(聚[9,9-二(3’-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2,7-芴]-2,7-(9,9-二辛基芴))])、PEG(聚乙二醇)、CPE(共轭聚合电解质)、PEO(聚氧化乙烯)中的一种或几种。
请进一步参阅图2，在一些实施例中，所述发光二极管100还包括位于所述空穴传输层20与所述发光层30之间的界面层50。所述界面层50的材料包括金属螯合剂。
在一些实施例中，所述界面层50的材料由所述金属螯合剂组成。
所述金属螯合剂可以选自但不限于黄原酸酯类螯合剂。所述金属螯合剂可以有效地络合发光层30表面裸露的金属离子，从而减少发光层30表面暴露的悬空键，进而减少发光层30与空穴传输层20之间的界面缺陷，抑制空穴传输层20的自由基的形成，对空穴传输层20起到间接抗氧化的作用，减缓空穴传输材料的老化，提升发光二极管100的寿命。进一步的，所述黄原酸酯类螯合剂络合发光层30表面裸露的金属离子，可以阻挡漏电子经过所述金属离子泄露到空穴传输层20中，从而进一步减弱从发光层30传递来的漏电子与空穴传输层20积累的空穴结合所产生的激子对空穴传输材料的降解作用，减缓空穴传输材料的老化，提升发光二极管100的寿命。此外，所述黄原酸酯类螯合剂络合发光层30表面裸露的金属离子，还可以进一步抑制空穴传输层20与发光层30之间的界面的副反应的发生，增强空穴传输层20与发光层30之间的界面稳定性，提升发光二极管100的寿命等性能。
所述黄原酸酯类螯合剂可以选自但不限于二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
在一些实施例中，所述界面层50的厚度为1～3nm。在所述厚度范围内既可以有效阻挡电子泄露到空穴传输层20中，又可以避免因界面层50的设置影响发光二极管100的空穴传输效率。
在一些实施例中，所述界面层50为金属螯合剂单分子层。
所述阳极10及所述阴极40的材料为本领域已知用于发光二极管的阳极及阴极的材料，例如，可以分别独立选自但不限于掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极。所述掺杂金属氧化物电极的材料可以选自但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)及铝掺杂氧化镁(AMO)中的至少一种。所述复合电极为掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，如AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS等。所述金属单质电极的材料可以选自但不限于Ag、Al、Au、Pt、Ca及Ba中的至少一种。所述合金电极可以为但不限于MgAg合金电极。
在一些实施例中，所述阴极40的厚度为60～100nm。所述厚度范围的阴极40较容易通过蒸镀制备得到，且具有均匀平整的表面。
所述发光层30可以为有机发光层或量子点发光层。当所述发光层30为有机发光层时，所述发光二极管100为有机发光二极管；当所述发光层30为量子点发光层时，所述发光二极管100为量子点发光二极管。
所述有机发光层的材料为本领域已知用于发光二极管的有机发光层的材料，例如，可以选自但不限于CBP:Ir(mppy)3(4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯：三[2-(对甲苯基)吡啶合铱(III))、TCTX:Ir(mmpy)(4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺：三[2-(对甲苯基)吡啶合铱)、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPX荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种。
所述量子点发光层的材料为本领域已知用于发光二极管的量子点发光层的量子点材料，例如，可以选自但不限于单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种。所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料可以选自但不限于Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅴ族化合物、Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族化合物及Ⅳ族单质中的至少一种。作为举例，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料及壳的材料可以分别独立选自但不限于CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InXs、InAs、InAsP、GxP、GxXs、GxSb、XlN、XlP、InXsP、InNP、InNSb、GxXlNP、InXlNP、CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。
作为示例，所述核壳结构的量子点可以选自但不限于ZnCdS/ZnS、CdS/ZnS、CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdSeS/CdSeS/CdS、CdSe/CdSeS/CdS、CdSe/CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、InP/ZnSeS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/ZnS、CdZnSe/CdZnSe/ZnSe、CdSeS/ZnSeS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS、CdSe/CdZnSeS/ZnS、CdS/CdZnS/CdZnS/ZnS及InP/ZnSe/ZnS中的至少一种。
在至少一实施例中，所述核壳结构的量子点为ZnCdS/ZnS蓝色量子点。
在一些实施例中，所述发光层30的厚度为10～50nm。
请进一步参阅图3，在一些实施例中，所述发光二极管100还包括位于所述发光层30与阴极40之间的电子传输层60。换言之，所述发光二极管100包括依次层叠的阳极10、空穴传输层20、发光层30、电子传输层60及阴极40。
所述电子传输层60的材料还可以为本领域已知用于电子传输层的材料，例如可以选自但不限于金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料及1-3-6族半导体材料中的至少一种。具体的，所述金属氧化物可以选自但不限于ZnO、BaO、TiO2、SnO2、Al2O3中的至少一种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物可以选自但不限于ZnO、TiO2、SnO2中的至少一种，掺杂元素可以选自但不限于Al、Mg、Li、In、Ga中的至少一种，作为列举，所述掺杂金属氧化物可以为铝氧化锌(AZO)、掺锂氧化锌(LZO)及掺镁氧化锌(MZO)等；所述2-6半导体族材料可以选自但不限于ZnS、ZnSe、CdS中的至少一种；所述3-5半导体族材料可以选自但不限于InP、GaP中的至少一种；所述1-3-6族半导体材料可以选自但不限于CuInS、CuGaS中的至少一种。
在一些实施例中，所述电子传输层60的厚度为10～50nm。在所述厚度范围内，所述电子传输层60既可以具有较高的电子传输效率，又可以具有均匀平整的表面。
请进一步参阅图4，在一些实施例中，所述发光二极管100还包括位于阳极10及空穴传输层20之间的空穴注入层70。换言之，所述发光二极管100包括依次层叠的阳极10、空穴注入层70、空穴传输层20、发光层30、电子传输层60及阴极40。
所述空穴注入层70的材料还可以为本领域已知用于空穴注入层的材料，例如可以选自但不限于2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、PEDOT、PEDOT:PSS、PEDOT:PSS掺有s-MoO3的衍生物(PEDOT:PSS:s-MoO3)、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、四氰基醌二甲烷(F4-TCQN)、酞菁铜、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨及氧化铜中的至少一种。
在一些实施例中，所述空穴注入层70的厚度为10～50nm。
可以理解，所述发光二极管100还可以增设一些常规用于发光二极管的有助于提升发光二极管性能的功能层，例如电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、界面修饰层等。
可以理解，所述发光二极管100的各层的材料可以依据发光二极管100的发光需求进行调整。
可以理解，所述发光二极管100可以为正置发光二极管或倒置发光二极管。
本申请所述的发光二极管100的空穴传输层20中包含所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂，且所述发光二极管100的空穴传输层20与发光层30之间设置有界面层50，所述界面层50包括所述金属螯合剂，而具有较长的寿命。
请参阅图2，本申请实施例还提供另一种发光二极管100，包括依次层叠的阳极10、空穴传输层20、界面层50，发光层30及阴极40。所述界面层50包括上文所述的金属螯合剂。
在一些实施例中，所述界面层50由上文所述的金属螯合剂组层。
所述界面层50的厚度及所述金属螯合剂参上文所述。
在一些实施例中，所述界面层50为金属螯合剂单分子层。
在一些实施例中，所述空穴传输层20中包括上文所述的空穴传输材料。
在又一些实施例中，所述空穴传输层20中包括上文所述的空穴传输材料及上文所述的抗氧化剂。
可以理解的，所述发光二极管100中还可以包括上文所述的电子传输层60、空穴注入层70、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层以及界面修饰层等。
所述发光二极管100的界面层50中包括所述金属螯合剂，所述金属螯合剂可以有效地络合发光层30表面裸露的金属离子，从而减少发光层30表面暴露的悬空键，进而减少发光层30与空穴传输层20之间的界面缺陷，抑制空穴传输层20的自由基的形成，对空穴传输层20起到间接抗氧化的作用，减缓空穴传输材料的老化，提升发光二极管100的寿命。
本申请实施例还提供一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
步骤S11：提供阳极10；
步骤S12：将空穴传输材料、受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂溶于第一溶剂中，得到混合溶液，将所述混合溶液设置在所述阳极10上，得到空穴传输层20；
步骤S13：将金属螯合剂设置在所述空穴传输层20上，得到界面层50；
步骤S14：在所述界面层50上依次形成层叠的发光层30及阴极40。
可以理解，在所述发光二极管100还包括电子传输层60时，所述步骤S14为：在所述界面层50上依次形成层叠的发光层30、电子传输层60及阴极40。
可以理解，在所述发光二极管100还包括空穴注入层70时，所述步骤S12为：在所述阳极10上形成空穴注入层70，将空穴传输材料、受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂溶于第一溶剂中，得到混合溶液，将所述混合溶液设置在所述空穴注入层70上，得到空穴传输层20。
本申请实施例还提供另一种发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
步骤S21：提供层叠的阴极40及发光层30；
步骤S22：将金属螯合剂设置在所述发光层30上，得到界面层50；
步骤S23：将空穴传输材料、受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂溶于第一溶剂中，得到混合溶液，将所述混合溶液设置在所述界面层50上，得到空穴传输层20；
步骤S24：在所述空穴传输层20上形成阳极10。
可以理解，在所述发光二极管100还包括电子传输层60时，所述步骤S21为：提供层叠的阴极40、电子传输层60及发光层30。
可以理解，在所述发光二极管100还包括空穴注入层70时，所述步骤S23为：在所述空穴传输层20上依次形成层叠的空穴注入层70及阳极10。
所述两种发光二极管的制备方法中，所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂、所述硫代酯类抗氧化剂及所述金属螯合剂参上文所述。
所述空穴传输材料的质量与所述受阻酚类抗氧化剂和所述硫代酯类抗氧化剂的质量和的比例为(5～10)：1。
所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的质量比为1：(0.1～1)。
所述第一溶剂可以选自但不限于甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、乙二醇、三乙二醇、丙三醇、己二醇及氯苯中的至少一种。
所述两种发光二极管的制备方法中，所述阳极10、空穴传输层20、界面层50、发光层30、阴极40、电子传输层60、空穴注入层70的制备方法可采用本领域常规技术实现，例如化学法或物理法。其中，化学法可以为化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法及共沉淀法等。物理法包括物理镀膜法和溶液法，其中，物理镀膜法可以为热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法及脉冲激光沉积法等；溶液法可以为旋涂法、印刷法、喷墨打印法、刮涂法、打印法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法及条状涂布法等。
在至少一些实施例中，将所述混合溶液设置在所述阳极10或所述界面层50上的方法为溶液法，具体的：将所述混合溶液通过溶液法设置在所述阳极10或所述界面层50的表面，干燥，得到空穴传输层20。
在至少一些实施例中，将所述金属螯合剂设置在所述空穴传输层20上或所述发光层30上的方法为溶液法，具体的：将所述金属螯合剂溶于第二溶剂中，得到金属螯合剂溶液，将所述金属螯合剂溶液通过溶液法设置在所述空穴传输层20或所述发光层30的表面，干燥，得到界面层50。
所述第二溶剂可以选自但不限于丙酮、氯苯、甲醇、乙醇中的至少一种。
在一些实施例中，所述金属螯合剂溶液的浓度为1～3mg/mL。
可以理解，所述干燥的方法可以为加热干燥、降温干燥及减压干燥中的至少一种。
在一些实施例中，所述发光二极管还可以包括衬底，所述阳极或所述阴极设置在所述衬底上。所述衬底为本领域已知用于发光二极管的衬底，例如硅基衬底、玻璃衬底等。
所述阳极10、发光层30、阴极40、电子传输层60及空穴注入层70的材料参上文所述。
可以理解的，所述发光二极管100还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、界面修饰层等其它有助于提升发光二极管性能的功能层时，所述两种制备方法还包括在对应的层上形成这些功能层的步骤。
本申请还涉及一种显示装置，所述显示装置包括所述发光二极管100。
下面通过具体实施例来对本申请进行具体说明，以下实施例仅是本申请的部分实施例，不是对本申请的限定。
实施例1
提供玻璃衬底，在所述玻璃衬底上形成厚度为50nm的ITO阳极10，对所述阳极10进行15min的UVO处理；
在所述阳极10上旋涂质量浓度为1.5wt％的PEDOT:PSS材料(摩尔掺杂比为1:6)，干燥成膜后150℃退火15min，得到厚度为30nm的空穴注入层70；
将TFB、2,6-二叔丁基对甲酚(受阻酚类抗氧化剂)及3,3’-硫代二丙酸二月桂酯(硫代酯类抗氧化剂)溶于分散在氯苯中，得到浓度为10mg/mL的混合物溶液，其中，TFB的质量与2,6-二叔丁基对甲酚和3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量和的比例为5:1，2,6-二叔丁基对甲酚与3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量比为1:0.5；将所述混合物溶液旋涂在所述空穴注入层70上，干燥成膜，得到厚度为15nm的空穴传输层20；
在所述空穴传输层20上旋涂浓度为1mg/mL的二硫代正丁基黄原酸酯的丙酮溶液，干燥成膜，得到厚度为2nm的界面层50；
在所述界面层50上旋涂ZnCdS/ZnS量子点材料，真空干燥成膜，得到厚度为30nm的发光层30；
在所述发光层30上旋涂ZnO材料，真空干燥成膜，得到厚度为50nm的电子传输层60；
在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；
封装，得到发光二极管100。
实施例2
本实施例与实施例1基本相同，区别在于，本实施例的TFB的质量与2,6-二叔丁基对甲酚和3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量和的比例为8:1。
实施例3
本实施例与实施例1基本相同，区别在于，本实施例的TFB的质量与2,6-二叔丁基对甲酚和3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量和的比例为10:1。
实施例4
本实施例与实施例2基本相同，区别在于，本实施例中2,6-二叔丁基对甲酚与3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量比为1:1。
实施例5
本实施例与实施例2基本相同，区别在于，本实施例中2,6-二叔丁基对甲酚与3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量比为1:0.1。
对比例1
本对比例与实施例2基本相同，区别在于，本对比例中不包含硫代酯类抗氧化剂3,3’-硫代二丙酸二月桂酯，且本实施例中，TFB与受阻酚类抗氧化剂2,6-二叔丁基对甲酚的质量比为8:1。
对比例2
本对比例与实施例2基本相同，区别在于，本对比例中不包含受阻酚类抗氧化剂2,6-二叔丁基对甲酚，且本实施例中，TFB与硫代酯类抗氧化剂3,3’-硫代二丙酸二月桂酯的质量比为8:1。
对比例3
本对比例与实施例2基本相同，区别在于，本对比例中不包含受阻酚类抗氧化剂2,6-二叔丁基对甲酚及硫代酯类抗氧化剂3,3’-硫代二丙酸二月桂酯。
对比例4
本对比例与实施例2基本相同，区别在于，本对比例中不包含受阻酚类抗氧化剂2,6-二叔丁基对甲酚及硫代酯类抗氧化剂3,3’-硫代二丙酸二月桂酯，也不包含界面层。
对实施例1～5及对比例1～4的发光二极管进行寿命T95@1000nit测试。测试结果参表一。
寿命T95@1000nit测试方法为：在恒定电流或电压驱动下，测得器件亮度衰减至最大亮度的一定比例所用的时间，亮度衰减至最大亮度的95％的时间定义为T95，该寿命为实测寿命。为缩短寿命测试周期，器件寿命测试通常是在高亮度下通过加速器件老化进行，并通过衰减拟合公式拟合得到低亮度下的寿命，例如1000nits下的寿命记为T95@1000nits，计算公式为：
其中，T95L为低亮度下的寿命，一般取1000nits下的寿命，T95H为高亮度下的寿命，也就是实测寿命，LH为器件加速到的最大亮度，LL一般为1000nits，A为加速因子，取1.7。其中，恒电流为2mA。
表一：
T95@1000nit(h)
实施例1 6825.4
实施例2 9310.2
实施例3 7153.1
实施例4 6160.1
实施例5 5513.5
对比例1 4993.4
对比例2 4759.6
对比例3 4001.9
对比例4 2532.6
由表一可知：
相较于对比例1～4的发光二极管，实施例1～5的发光二极管具有较长的寿命。
相较于对比例1的发光二极管，实施例2的发光二极管具有较长的寿命，原因可能是对比例1的发光二极管的空穴传输层中不包含硫代酯类抗氧化剂。
相较于对比例2的发光二极管，实施例2的发光二极管具有较长的寿命，原因可能是对比例2的发光二极管的空穴传输层中不包含受阻酚类抗氧化剂。
相较于对比例3的发光二极管，实施例2的发光二极管具有较长的寿命，原因可能是对比例3的发光二极管的空穴传输层中即不包含受阻酚类抗氧化剂，也不包含硫代酯类抗氧化剂。
相较于对比例4的发光二极管，实施例2的发光二极管具有较长的寿命，原因可能是对比例4的发光二极管的空穴传输层中即不包含受阻酚类抗氧化剂，也不包含硫代酯类抗氧化剂，且对比例4的发光二极管中不包括具有金属螯合剂的界面层。
以上对本申请实施例所提供的发光二极管及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (16)

1.一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，其特征在于：所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层的材料由所述空穴传输材料、所述受阻酚类抗氧化剂及所述硫代酯类抗氧化剂组成。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：
所述空穴传输材料与所述抗氧化剂的质量比为(5～10)：1；和/或
所述受阻酚类抗氧化剂与所述硫代酯类抗氧化剂的质量比为1：(0.1～1)。
4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述受阻酚类抗氧化剂选自酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述酚羟基邻位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂和/或酚羟基对位具有斥电子基的受阻酚类抗氧化剂选自二[3-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-5-甲基苯丙酸]三聚乙二醇、2,6-二叔丁基对甲酚、2,4,6-三叔丁基苯酚、(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸异辛醇酯、N,N'-(己烷-1,6-二基)双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟苯基)丙酰胺]、四[β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸]季戊四醇酯及β-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八醇酯中的至少一种。
6.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述硫代酯类抗氧化剂选自二[3,5-二-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基-]苯丙酸硫杂二甘醇酯、3,3’-硫代二丙酸二月桂酯、3,3-硫代双丙酸二(十四烷醇)酯及硫代二丙酸双十二烷酯中的至少一种。
7.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括位于所述空穴传输层与所述发光层之间的界面层，所述界面层的材料包括金属螯合剂。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
9.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：
所述界面层的厚度为1～3nm；和/或
所述界面层为金属螯合剂单分子层。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种；或者
所述阳极及所述阴极分别独立选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极、金属单质电极或合金电极，其中，所述掺杂金属氧化物电极的材料选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁中的至少一种，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS，所述金属单质电极的材料选自Ag、Al、Au、Pt、Ca及Ba中的至少一种，所述合金电极为MgAg合金电极；或者
所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核的材料及壳的材料分别独立选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InXs、InAs、InAsP、GxP、GxXs、GxSb、XlN、XlP、InXsP、InNP、InNSb、GxXlNP、InXlNP、CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。
11.一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、界面层、发光层及阴极，其特征在于：所述界面层的材料包括金属螯合剂。
12.如权利要求11所述的发光二极管，其特征在于：所述界面层的材料由所述金属螯合剂组成。
13.如权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于：所述金属螯合剂选自黄原酸酯类螯合剂，所述黄原酸酯类螯合剂选自二硫代正丁基黄原酸酯、二硫代异丁基黄原酸酯、二硫化二乙基黄原酸酯、及二硫代碳酸S-(8-甲基-8-氮杂双环[3.2.1]辛烷-3-基)酯中的至少一种。
14.如权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于：
所述界面层的厚度为1～3nm；和/或
所述界面层为金属螯合剂单分子层。
15.如权利要求11或12所述的发光二极管，其特征在于：
所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料，所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种；或者
所述空穴传输层的材料包括空穴传输材料及抗氧化剂，所述抗氧化剂包括受阻酚类抗氧化剂及硫代酯类抗氧化剂，所述空穴传输材料选自聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)]、聚(9-乙烯基咔唑)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、聚三苯胺、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺及1,3-二咔唑-9-基苯中的至少一种。
16.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括权利要求1～10任意一项所述的发光二极管，或者，所述显示装置包括权利要求11～15任意一项所述的发光二极管。
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